JPH11134718A - 光ディスク基板用スタンパ、並びにスタンパ用原盤及びその製造方法、並びに光ディスク基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 全面で均一であってＡＤＩＰエラーレートの
小さい光ディスクを作製することのできる光ディスク基
板を実現する。 【解決手段】 アドレス情報を有する蛇行したウォブル
溝からなるスパイラル状の凸部３ａを備えた光ディスク
基板用スタンパ３を作製する際に、内周側の凸部３ａの
高さを外周側の凸部３ａの高さよりも小さくする。具体
的には、最内周部での凸部３ａの高さＨ３は６５ｎｍで
あり、凸部３ａの高さは外周側にいくにしたがって大き
くなり、Ｈ４＝７０ｎｍに漸近している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光等の光学
的手段を用いて情報の記録、再生又は消去を行う光ディ
スクに用いられる光ディスク基板及びその製造方法、並
びに光ディスク基板用スタンパ、並びにスタンパ用原盤
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子計算機、情報処理システムの
発達による処理情報量の急激な増加と映像・音響情報の
デジタル化に伴い、低価格でしかも大容量の補助記憶装
置及びその記録媒体、特に光ディスクが注目されてい
る。

【０００３】図１９に、従来の光ディスク基板を用いた
光ディスクの基本構成を示す。図１９に示すように、光
ディスク基板１１の上には、誘電体層１２を介して記録
層１３が形成されている。記録層１３の上には、中間誘
電体層１４、反射層１５を介してオーバーコート層１６
が形成されている。

【０００４】この場合、光ディスク基板１１としては、
加工性、取扱性及びコスト等の面から、一般に、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、
エポキシ樹脂等のプラスチック材料が用いられる。

【０００５】この光ディスク基板１１は、図２０に示す
ような射出成形装置を用いて作製される。すなわち、光
ディスク基板１１は、光ディスク基板用スタンパ３４を
保持した可動金型３３と固定金型３２との間に、溶融し
たポリカーボネート樹脂３６を基板中心から高速射出
し、可動金型３３と固定金型３２とによって圧縮しなが
ら冷却する『射出成形法』によって作製される。尚、図
２０中、３１は光ディスク基板１１としてポリカーボネ
ートが射出成形されるキャビティ（製品部）、３５はポ
リカーボネート樹脂を供給するためのノズル、３７はポ
リカーボネート樹脂を溶融するための加熱シリンダ、３
８はポリカーボネートの溶融樹脂を射出するためのスク
リュー、３９はポリカーボネートのペレット、４０はペ
レット３９を乾燥するための乾燥装置である。

【０００６】記録層１３に磁気光学効果を有する垂直磁
化膜を用いた光ディスク（光磁気記録媒体）の場合の情
報の記録及び消去は、レーザ光の照射によって記録層１
３を局部的に補償温度以上の保磁力の小さい温度もしく
はキュリー温度付近の温度以上に加熱し、その照射部に
おける記録層１３の保磁力を低下させて、外部磁界の向
きに磁化させることによって行われる（いわゆる『熱磁
気記録』）。また、その記録信号の再生は、記録時及び
消去時のレーザ光よりも小さい強度のレーザ光を記録層
１３に照射し、記録層１３の記録状態、すなわち磁化の
向きに応じて反射光あるいは透過光の偏光面が回転する
状況（この回転は、いわゆるカー効果やファラデー効果
といった磁気光学効果に基づいて起こる）を検光子を用
いて光の強度変化として検出することによって行われ
る。この場合、逆向きの磁化間の干渉を小さくして高密
度記録を行うために、光磁気記録媒体の記録層１３には
垂直磁気異方性を有する磁性材料が用いられる。

【０００７】また、記録層１３に相変化型光記録材料又
は有機材料を用いた光ディスクの場合には、同様に、レ
ーザ光を照射し、記録層１３に光吸収による局部的な温
度上昇又は化学変化を誘起して記録が行われる。また、
その信号の再生は、記録時とは強度あるいは波長の異な
るレーザ光を照射し、記録によって誘起された記録層１
３の局部的な変化を、反射光あるいは透過光として検出
することによって行われる。

【０００８】このような従来の光ディスクにおいては、
光スポットのトラッキングガイドのための案内溝、又は
プリピットを備えた光ディスク基板を用いることによ
り、高密度記録及びランダムアクセスが実現されてい
る。また、信号の記録再生を行う場合のディスク上のア
ドレス情報は、プリピットあるいは案内溝によって形成
される。アドレス情報を有する案内溝としては、蛇行さ
せて形成した案内溝が用いられる。そして、このアドレ
ス情報を検出する方法としては、径方向に分割された検
出器での差動信号を用いることによって検出する方法が
用いられる（以下、この検出方法を「ＡＤＩＰ」と略記
する。）。記録層１３に垂直磁化膜を用いたミニディス
クにおいては、このＡＤＩＰを用いてトラッキング制御
とアドレス検出とが行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光ディ
スクにおいては、ＡＤＩＰ信号によって検出されるアド
レス情報を有する案内溝が形成された光ディスク基板を
用いる場合、特に内周側の案内溝を十分に形成すること
ができなかった。このため、内周部でのＡＤＩＰジッタ
が大きくなり、アドレス読み出し時にエラーが発生して
いた。また、ＡＤＩＰの周波数を基準としてモーターの
回転制御を行う記録再生装置の場合には、ディスクを取
り付けたモーターが回転しない等の不良が発生するとい
う問題があった。

【００１０】図１７に、従来の光ディスクの半径方向に
おけるＡＤＩＰジッタの分布を示す。図１７に示すよう
に、特にディスク内周部でＡＤＩＰジッタが増加してい
る。また、図１８に、集光された光ビームがデフォーカ
スした時のＡＤＩＰジッタの特性を示す。図１８に示す
ように、特にディスク内周部においては、フォーカスの
オフセットがない場合にもＡＤＩＰジッタが大きいた
め、デフォーカスした時にはジッタがさらに増加してし
まい、その結果、ＡＤＩＰのデフォーカスマージンが小
さくなってしまう。

【００１１】また、従来のような構成では、ディスク内
周部におけるウォブル振幅量が小さい位置ではデフォー
カスした場合にウォブル振幅量が急峻に低下するため、
ＡＤＩＰのエラーレートが増加し、アドレス情報の検出
が困難であった。また、このため、回転信号をウォブル
信号（基準周波数）に同期させている場合には、ディス
クの回転が暴走するか、又は停止する等のトラブルが発
生するという問題があった。

【００１２】特に、ミニディスクのように、ディスク半
径が小さく、内周部まで信号の記録再生のための案内溝
が形成される構成では、案内溝に対応した凸部の形状
（凸部の高さ、凸部の幅、凸部のウォブル振幅量）が均
一な構成のスタンパを用いた場合であっても、射出成形
時の作製条件により、特に内周部においては、射出圧縮
圧力が大きくなる傾向にあるため、ＡＤＩＰ信号によっ
て検出されるアドレス情報を有するウォブルした案内溝
を安定して形成することが困難であり、ＡＤＩＰジッタ
が増加するという問題があった。

【００１３】さらに、光ディスクの記録再生装置におい
ては、携帯性、信頼性が要求されており、また、径時変
化、環境温度の変化、振動による影響等の変動要因に影
響されないことが要求されている。このため、このよう
な条件の変化により、記録再生装置のデフォーカス量が
大きくなった場合でも、ディスク情報の安定した記録再
生が可能な光ディスクが要望されている。

【００１４】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、アドレスを識別する
ことができないことに起因するエラー等の発生を防止す
ることのできる光ディスク基板及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【００１５】また、本発明は、径方向においてほぼ均一
なＡＤＩＰ性能を有し、アドレス情報に関する特性の優
れた光ディスク基板を得ることのできる光ディスク基板
用スタンパ、並びにスタンパ用原盤及びその製造方法を
提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る光ディスク基板用スタンパの第１の構
成は、アドレス情報を有するスパイラル状もしくは同心
円状の蛇行した凸部を備えた光ディスク基板用スタンパ
であって、内周側の前記凸部の高さが外周側の前記凸部
の高さよりも小さいことを特徴とする。この光ディスク
基板用スタンパの第１の構成によれば、射出圧縮工程の
圧縮力と溶融樹脂の粘性と成形される光ディスク基板の
半径、溝深さとの関係から、溶融樹脂は内周側の案内溝
に関する特性が外周側よりも転写され易くなる（溶融樹
脂がスタンパの凸部間の溝に入り込み易くなる）。従っ
て、このスタンパを用いれば、径方向においてほぼ均一
なＡＤＩＰ性能を有し、アドレス情報に関する特性の優
れた光ディスク基板を実現することができる。

【００１７】また、本発明に係る光ディスク基板用スタ
ンパの第２の構成は、アドレス情報を有するスパイラル
状もしくは同心円状の蛇行した凸部を備えた光ディスク
基板用スタンパであって、内周側の前記凸部の幅が外周
側の前記凸部の幅よりも小さいことを特徴とする。この
光ディスク基板用スタンパの第２の構成によれば、溶融
樹脂が径方向に対して均一に入り込み易くなる（案内溝
に関する特性が転写され易くなる）。従って、このスタ
ンパを用いれば、径方向においてほぼ均一なＡＤＩＰ性
能を有し、アドレス情報に関する特性の優れた光ディス
ク基板を実現することができる。

【００１８】また、本発明に係る光ディスク基板用スタ
ンパの第３の構成は、アドレス情報を有するスパイラル
状もしくは同心円状の蛇行した凸部を備えた光ディスク
基板用スタンパであって、内周側の前記凸部のウォブル
振幅量が外周側の前記凸部のウォブル振幅量よりも大き
いことを特徴とする。この光ディスク基板用スタンパの
第３の構成によれば、溶融樹脂がウォブル方向に対して
均一に入り込み易くなる（蛇行した案内溝に関する特性
が転写され易くなる）。従って、このスタンパを用いれ
ば、径方向においてほぼ均一なＡＤＩＰ性能を有し、ア
ドレス情報に関する特性の優れた光ディスク基板を実現
することができる。

【００１９】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第１
の構成は、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝か
らなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えた
スタンパ用原盤であって、内周側の前記案内溝の溝深さ
が外周側の前記案内溝の溝深さよりも小さいことを特徴
とする。このスタンパ用原盤の第１の構成によれば、ア
ドレス情報を有するスパイラル状もしくは同心円状の蛇
行した凸部を備えた光ディスク基板用スタンパであっ
て、内周側の凸部の高さが外周側の凸部の高さよりも小
さい光ディスク基板用スタンパを実現することができ
る。

【００２０】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第２
の構成は、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝か
らなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えた
スタパ用原盤であって、内周側の前記案内溝の溝幅が外
周側の前記案内溝の溝幅よりも小さいことを特徴とす
る。このスタンパ用原盤の第２の構成によれば、アドレ
ス情報を有するスパイラル状もしくは同心円状の蛇行し
た凸部を備えた光ディスク基板用スタンパであって、内
周側の凸部の幅が外周側の凸部の幅よりも小さい光ディ
スク基板用スタンパを実現することができる。

【００２１】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第３
の構成は、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝か
らなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えた
スタンパ用原盤であって、内周側の前記案内溝のウォブ
ル振幅量が外周側の前記案内溝のウォブル振幅量よりも
大きいことを特徴とする。このスタンパ用原盤の第３の
構成によれば、アドレス情報を有するスパイラル状もし
くは同心円状の蛇行した凸部を備えた光ディスク基板用
スタンパであって、内周側の凸部のウォブル振幅量が外
周側の凸部のウォブル振幅量よりも大きい光ディスク基
板用スタンパを実現することができる。

【００２２】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第１
の製造方法は、ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
の製造方法であって、前記フォトレジストを内周側の膜
厚が外周側の膜厚よりも小さくなるように塗布すること
を特徴とする。このスタンパ用原盤の第１の製造方法に
よれば、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝から
なるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えたス
タンパ用原盤であって、内周側の前記案内溝の溝深さが
外周側の前記案内溝の溝深さよりも小さいスタンパ用原
盤を効率良く作製することができる。

【００２３】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第２
の製造方法は、ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
の製造方法であって、前記フォトレジストの特性を径方
向で分布させ、内周側の前記フォトレジストの露光量を
外周側の前記フォトレジストの露光量よりも小さくする
ことを特徴とする。このスタンパ用原盤の第２の製造方
法によれば、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝
からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備え
たスタンパ用原盤であって、内周側の前記案内溝の溝深
さが外周側の前記案内溝の溝深さよりも小さいスタンパ
用原盤を効率良く作製することができる。

【００２４】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第３
の製造方法は、ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
の製造方法であって、前記案内溝のカッティング時に照
射する前記レーザ光の強度を、内周側よりも外周側で大
きくなるように設定することを特徴とする。このスタン
パ用原盤の第３の製造方法によれば、アドレス情報を有
する蛇行したウォブル溝からなるスパイラル状もしくは
同心円状の案内溝を備えたスタンパ用原盤であって、内
周側の前記案内溝の溝幅が外周側の前記案内溝の溝幅よ
りも小さいスタンパ用原盤を効率良く作製することがで
きる。

【００２５】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第４
の製造方法は、ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
の製造方法であって、前記案内溝のカッティング時に照
射する前記レーザ光を径方向に微小振動させ、前記微小
振動の振幅量を、内周側よりも外周側で大きくなるよう
に設定することを特徴とする。このスタンパ用原盤の第
４の製造方法によれば、アドレス情報を有する蛇行した
ウォブル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案
内溝を備えたスタンパ用原盤であって、内周側の前記案
内溝の溝幅が外周側の前記案内溝の溝幅よりも小さいス
タンパ用原盤を効率良く作製することができる。特に、
比較的溝幅の大きいスタンパ用原盤を作製する場合に、
有効である。

【００２６】また、本発明に係るスタンパ用原盤の第５
の製造方法は、ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
の製造方法であって、前記案内溝のカッティング時に照
射する前記レーザ光の径方向の蛇行量を、内周側よりも
外周側で小さくなるように設定することを特徴とする。
このスタンパ用原盤の第５の製造方法によれば、アドレ
ス情報を有する蛇行したウォブル溝からなるスパイラル
状もしくは同心円状の案内溝を備えたスタンパ用原盤で
あって、内周側の前記案内溝のウォブル振幅量が外周側
の前記案内溝のウォブル振幅量よりも大きいスタンパ用
原盤を効率良く作製することができる。

【００２７】また、本発明に係る光ディスク基板の第１
の構成は、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝か
らなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えた
光ディスク基板であって、内周側の前記案内溝の溝深さ
又は溝幅の少なくともいずれか一方が外周側の前記案内
溝の溝深さ又は溝幅よりも小さいことを特徴とする。こ
の光ディスク基板の第１の構成によれば、アドレスを識
別することができないことに起因するエラー等の発生を
防止することのできる光ディスクを実現することができ
る。

【００２８】また、前記本発明の光ディスク基板の第１
の構成においては、アドレス情報を検出する光学ヘッド
の受光部で受光する光ディスクからの反射光量に対し
て、案内溝のウォブル振幅による信号量の最大値が３％
以上であるのが好ましい。また、この場合には、内周側
と外周側での反射光量に対するウォブル振幅量の変化が
５％以下であるのが好ましい。

【００２９】また、前記本発明の光ディスク基板の第１
の構成においては、光ディスクの径方向に複数に分割さ
れた受光部を有する光学ヘッドの対物レンズを焦点位置
からフォーカス方向に１μｍ以上変位させた位置におい
て、前記光学ヘッドの前記受光部で受光される光ディス
クからの全反射光量に対する案内溝のウォブル信号の振
幅量が前記光ディスクの異なった半径位置において一致
する変位量のフォーカス点を有するのが好ましい。

【００３０】これらの好ましい例によれば、ディスクの
種類ごとあるいはディスク個別に反射光量による記録再
生装置の利得を設定した場合に、十分なＡＤＩＰ信号の
信号振幅量を得ることができる。しかも、ディスク内で
は溝形状の変化によらずほぼ均一なＡＤＩＰ信号が得ら
れるため、アドレス情報の識別を確実に行うことができ
る。

【００３１】また、前記本発明の光ディスク基板の第１
の構成においては、内周側の案内溝のウォブル振幅量が
外周側の前記案内溝のウォブル振幅量よりも大きいのが
好ましい。

【００３２】また、本発明に係る光ディスク基板の第２
の構成は、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝か
らなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えた
光ディスク基板であって、内周側の前記案内溝のウォブ
ル振幅量が外周側の前記案内溝のウォブル振幅量よりも
大きいことを特徴とする。この光ディスク基板の第２の
構成によれば、アドレスを識別することができないこと
に起因するエラー等の発生を防止することのできる光デ
ィスクを実現することができる。

【００３３】また、前記本発明の光ディスク基板の第２
の構成においては、内周側の案内溝の溝深さ又は溝幅の
少なくともいずれか一方が外周側の前記案内溝の溝深さ
又は溝幅よりも小さいのが好ましい。

【００３４】また、前記本発明の光ディスク基板の第１
又は第２の構成においては、案内溝の溝幅、溝深さ又は
ウォブル振幅量の少なくともいずれかが、内周側から外
周側にかけて連続的に変化しているのが好ましい。

【００３５】また、前記本発明の光ディスク基板の第１
又は第２の構成においては、案内溝の内周側と外周側の
溝幅の差が４０ｎｍ以上であるのが好ましい。この好ま
しい例によれば、ディスク内周側における隣接トラック
からのウォブル信号の漏れ込みを小さくすることができ
る。

【００３６】また、前記本発明の光ディスク基板の第１
又は第２の構成においては、案内溝の内周側と外周側の
溝深さの差が３ｎｍ以上であるのが好ましい。この好ま
しい例によれば、デフォーカスした時のウォブル振幅の
変化量を小さくすることができるので、デフォーカス特
性を向上させることができる。

【００３７】また、前記本発明の光ディスク基板の第１
又は第２の構成においては、案内溝の内周側と外周側の
ウォブル振幅量の差が３ｎｍ以上であるのが好ましい。
この好ましい例によれば、ディスク内周側におけるウォ
ブル振幅による信号量を増大させることができる。

【００３８】また、本発明に係る光ディスク基板の第１
の製造方法は、アドレス情報を有するスパイラル状もし
くは同心円状の蛇行した凸部を備え、内周側の前記凸部
の高さが外周側の前記凸部の高さよりも小さいスタンパ
を用いて射出成形法により光ディスク基板を成形するこ
とを特徴とする。この光ディスク基板の第１の製造方法
によれば、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝か
らなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えた
光ディスク基板であって、内周側の前記案内溝の溝深さ
が外周側の前記案内溝の溝深さよりも小さい光ディスク
基板を効率良く作製することができる。

【００３９】また、本発明に係る光ディスク基板の第２
の製造方法は、アドレス情報を有するスパイラル状もし
くは同心円状の蛇行した凸部を備え、内周側の前記凸部
の幅が外周側の前記凸部の幅よりも小さいスタンパを用
いて射出成形法により光ディスク基板を成形することを
特徴とする。この光ディスク基板の第２の製造方法によ
れば、アドレス情報を有する蛇行したウォブル溝からな
るスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備えた光デ
ィスク基板であって、内周側の前記案内溝の溝幅が外周
側の前記案内溝の溝幅よりも小さい光ディスク基板を効
率良く作製することができる。

【００４０】また、本発明に係る光ディスク基板の第３
の製造方法は、アドレス情報を有するスパイラル状もし
くは同心円状の蛇行した凸部を備え、内周側の前記凸部
のウォブル振幅量が外周側の前記凸部のウォブル振幅量
よりも大きいスタンパを用いて射出成形法により光ディ
スク基板を成形することを特徴とする。この光ディスク
基板の第３の製造方法によれば、アドレス情報を有する
蛇行したウォブル溝からなるスパイラル状もしくは同心
円状の案内溝を備えた光ディスク基板であって、内周側
の前記案内溝のウォブル振幅量が外周側の前記案内溝の
ウォブル振幅量よりも大きい光ディスク基板を効率良く
作製することができる。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。 （第１の実施の形態）図１０は本発明の第１の実施の形
態におけるスタンパ用原盤を作製するためのレーザカッ
ティング装置を示す構成図、図１１は本発明の第１の実
施の形態における光ディスク基板用スタンパの製造方法
を示す工程図である。

【００４２】図１０に示すように、アルゴンレーザ２３
とノイズイータ２６との間には、ミラー２４、２５が配
置されている。アルゴンレーザ２３から発射されたレー
ザ光４４は、ミラー２４、２５で順次反射してノイズイ
ータ２６に入射し、このノイズイータ２６によってノイ
ズが除去される。ノイズイータ２６の後方には光強度変
調器２７が配置されており、ノイズが除去されたレーザ
光４４はこの光強度変調器２７によって所定の強度に設
定される。光強度変調器２７と集光レンズ２２との間に
は、ミラー４１、偏光ビームスプリッタ４２が配置され
ている。また、集光レンズ２２の後方には、フォトレジ
スト（感光剤）２０が塗布されたガラス円盤２１（以
下、フォトレジストが塗布されたガラス円盤を『フォト
レジスト原盤』という。）が配置されている。光強度変
調器２７から出射したレーザ光４４は、ミラー４１で反
射した後、偏光ビームスプリッタ４２を通過し、集光レ
ンズ２２で集光されてフォトレジスト原盤に照射され
る。これにより、フォトレジスト原盤のレーザカッティ
ングが行われる。尚、図１０中、２８はフォーカス制御
のためのＨｅ−Ｎｅレーザ、２９は偏光ビームスプリッ
タ、３０はフォーカス誤差信号を検出するためのセンサ
である。

【００４３】次に、本実施の形態における光ディスク基
板用スタンパの製造方法について、図１０、図１１を参
照しながら説明する。まず、研磨し、洗浄したガラス円
盤２１の上に、ポジ型のフォトレジスト２０を滴下した
後、スピンナーによるコーティングによってフォトレジ
スト原盤を作製する。次いで、このようにして作製した
フォトレジスト原盤を、図９に示すレーザカッティング
装置にセットする。その後、アルゴンレーザ２３からレ
ーザ光４４が発射され、このレーザ光４４はミラー２
４、２５で順次反射してノイズイータ２６に入射する。
これにより、レーザ光４４のノイズが除去される。次い
で、ノイズが除去されたレーザ光４４は光強度変調器２
７に入射し、所定の強度に設定される。所定の強度に設
定されたレーザ光４４は、ミラー４１で反射した後、偏
光ビームスプリッタ４２を通過し、集光レンズ２２で集
光されてフォトレジスト原盤に照射される。これによ
り、照射部が露光され、フォトレジスト原盤のレーザカ
ッティングが行われる。

【００４４】本実施の形態の光ディスクは、トラックピ
ッチが１．６μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出される
アドレス情報を有するウォブルしたスパイラル状のトラ
ッキング案内溝を備えた構成を有しており、その光ディ
スク基板用スタンパを作製するためのフォトレジスト原
盤のレーザカッティングにおいては、フォトレジスト２
０の粘度及びスピンナーの回転数を制御することによ
り、図１３、図１４に示すように、ガラス円盤２１の最
内周部で膜厚６５ｎｍ、外周側で膜厚７０ｎｍに漸近す
るようにフォトレジスト２０を塗布した後、アルゴンレ
ーザ２３から発射されるレーザ光４４を所定の強度に設
定して、フォトレジスト原盤上に集光し照射する。これ
により、ガラス円盤２１上のフォトレジスト２０がカッ
ティングされる。

【００４５】次いで、このようにしてカッティングした
フォトレジスト原盤を現像する。これにより、露光部が
溶け出し、図１２に示すようなスパイラル状の案内溝を
備え、内周側の溝深さが外周側の溝深さよりも小さい構
成のスタンパ用原盤が得られる。具体的には、最内周部
での溝深さＤ５は６５ｎｍであり、溝深さは外周側にい
くにしたがって大きくなり、Ｄ６＝７０ｎｍに漸近して
いる。ここで、溝ピッチは１．６μｍである。次いで、
現像したフォトレジスト原盤（スタンパ用原盤）のレジ
スト層の上に、スパッタリングによってニッケル導電膜
を形成し、表面を導体化する。次いで、スルファミン酸
ニッケル浴中で通電し、ガラス円盤２１上にニッケルを
析出させて電鋳を行う。最後に、ガラス円盤２１からの
剥離処理と洗浄を行う。以上の工程により、スタンパが
得られる。

【００４６】図８に、上記工程を経て得られたスタンパ
の断面を示す。図８に示すように、スタンパ３には、ピ
ッチが１．６μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出される
アドレス情報を有するウォブルしたスパイラル状の凸部
３ａが形成されている。このスタンパ３は、上記のスタ
ンパ用原盤を用いた作製方法により、スタンパ用原盤と
凹凸が反転し、スパイラル状の凸部３ａを備え、内周側
の凸部３ａの高さが外周側の凸部３ａの高さよりも小さ
い構成となっている。具体的には、最内周部での凸部３
ａの高さＨ３は６５ｎｍであり、凸部３ａの高さは外周
側にいくにしたがって大きくなり、Ｈ４＝７０ｎｍに漸
近している。

【００４７】次に、以上のような構成のスタンパ３を用
いて光ディスク基板を作製する方法について、図面を参
照しながら説明する。図２０は本実施の形態における光
ディスク基板の射出成形装置を示す断面図である。図２
０において、３１は光ディスク基板としてポリカーボネ
ートが射出成形されるキャビティ（製品部）、３２は固
定金型、３３は可動金型である。３は１．６μｍピッチ
でスパイラル状のトラッキング案内溝及びプリピット信
号を形成するためのスタンパであり、スタンパ３は可動
金型３３に保持されている。３５はポリカーボネート樹
脂を供給するためのノズル、３６はポリカーボネートの
溶融樹脂、３７はポリカーボネート樹脂を溶融するため
の加熱シリンダ、３８はポリカーボネートの溶融樹脂を
射出するためのスクリュー、３９はポリカーボネートの
ペレット、４０はペレット３９を乾燥するための乾燥装
置である。

【００４８】まず、乾燥装置４０の中のポリカーボネー
トのペレット３９が加熱シリンダ３７に供給され、加熱
シリンダ３７内で加熱されて溶融樹脂３６となる。次い
で、溶融樹脂３６は、スクリュー３８によって高温のま
まノズル３５を通して固定金型３２と可動金型３３との
間の内周側から高速射出され、キャビティ３１内に充填
される。この高速射出する速度領域から保圧領域を経て
溶融樹脂３６がキャビティ３１内に充填される工程が
『射出工程』であり、この射出工程の保圧領域とタイミ
ングを合わせて、固定金型３２と可動金型３３とにより
溶融樹脂３６を圧縮する工程が『射出圧縮工程』であ
る。次いで、溶融樹脂３６を冷却して成形が完了した
後、固定金型３２から可動金型３３を離し、ポリカーボ
ネートの光ディスク基板を取り出す。

【００４９】本実施の形態の光ディスク基板を製造する
に際しては、スパイラル状の凸部３ａを備え、内周側の
凸部３ａの高さが外周側の凸部３ａの高さよりも小さく
設定されたスタンパ３（図７）が可動金型３３に保持さ
れているため、射出圧縮工程の圧縮力と溶融したポリカ
ーボネートの粘性と成形される光ディスク基板の半径、
溝深さとの関係から、溶融したポリカーボネートは内周
側の案内溝に関する特性が外周側よりも転写され易くな
る（溶融樹脂３６がスタンパ３の凸部３ａ間の溝に入り
込み易くなる）。このため、全面で凸部の形状（凸部の
高さ）が均一な構成のスタンパを用いて作製した光ディ
スク基板に比べ、径方向においてほぼ均一なＡＤＩＰ性
能が実現され、アドレス情報に関する特性が向上する。
その結果、この光ディスク基板を用いれば、アドレスを
識別することができないことに起因するエラー等の発生
を防止することのできる光ディスクを実現することがで
きる。

【００５０】図１に、本実施の形態のスタンパを用いて
作製した光ディスク基板の断面を示す。図１に示すよう
に、光ディスク基板１には、トラックピッチが１．６μ
ｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出されるアドレス情報を
有するスパイラル状のトラッキング案内溝１ａが形成さ
れている。

【００５１】図２に、本実施の形態の光ディスク基板の
ＡＦＭで測定したときの溝深さの半径方向における分布
を示す。図２に示すように、光ディスク基板１のトラッ
キング案内溝１ａの深さは、図１にＤ１で示す最内周部
での６４ｎｍから漸次大きくなり、外周側で図１にＤ２
で示す６９ｎｍに漸近している。

【００５２】光ディスクは、光ディスク基板１の上に誘
電体層、ＴｂＦｅＣｏ単層の記録膜からなる記録層、中
間誘電体層、反射層、オーバーコート層を順次形成する
ことによって作製される（図１９参照）。

【００５３】図１５に、本実施の形態の光ディスクの半
径方向におけるＡＤＩＰジッタの分布を示す。案内溝の
形成された記録領域の内周部の半径が小さい光ディスク
（例えば、ミニディスク）の場合には、ポリカーボネー
ト等の樹脂材料を用いた射出成形法によって光ディスク
基板を作製すると、ディスク内周部における樹脂の流動
方向の影響、あるいは転写性により、従来の光ディスク
においては、図１７に示すように、ディスク内周部でＡ
ＤＩＰジッタが増加することが問題となっていた。しか
し、本実施の形態の光ディスクにおいては、図１５に示
すように、ＡＤＩＰジッタが改善され、ディスク全面に
わたってほぼ均一なＡＤＩＰ特性が得られている。これ
は、スタンパ３の内周側における凸部３ａの高さを小さ
くしたことにより、トラッキング案内溝１ａの特性の転
写性が向上し、優れたＡＤＩＰ性能が得られたからであ
ると考えられる。

【００５４】また、図１８に示すように、従来の光ディ
スクにおいては、ディスク外周部と比較すると、内周部
でのＡＤＩＰジッタが大きいだけでなく、デフォーカス
した時にはＡＤＩＰジッタが増加してさらに大きくなる
ため、実際の記録再生装置においては、ＡＤＩＰに関す
るエラーによって様々な問題が生じていた。さらに、第
２１図のＡＤＩＰのエラーレートのデフォーカス量に対
する特性図に示すように、特に内周側では１．０μｍ以
下のデフォーカス量で，エラーレートは急増していた。
しかし、図１６に示すように、本実施の形態の光ディス
クの場合には、±１．５μｍのデフォーカス量までＡＤ
ＩＰジッタが比較的小さく、ＡＤＩＰに関するエラーを
防止することができることも確認された。特に、直径が
８６ｍｍ、６４ｍｍ等の小径の光ディスク基板を用いた
場合には、半径２５ｍｍよりも内周側で溝深さを漸次小
さくしたときに効果が大きく、デフォーカス時のＡＤＩ
Ｐ性能も向上している。

【００５５】尚、本実施の形態においては、ディスク外
周側の溝深さがディスク最内周部の溝深さよりも５ｎｍ
だけ大きい光ディスク基板１を例に挙げて説明したが、
必ずしもこの構成の光ディスク基板に限定されるもので
はなく、ディスク構成、記録再生装置の光学ヘッドの特
性に合わせて溝深さを設定し、溝深さが外周側にいくに
したがって大きくなるように構成すれば、同等の効果が
得られる。また，本実施の形態においては、スタンパ用
原盤を作製する際に、フォトレジスト２０の膜厚が外周
側にいくにしたがって大きくなるようにしたが、必ずし
もこの構成に限定されるものではなく、内周側の溝深さ
が外周側の溝深さよりも小さくなるようなスタンパ用原
盤の製造方法であれば、フォトレジストの特性を径方向
で分布させ、内周側で露光量の小さい特性とする方法、
あるいはその他の方法であってもよい。

【００５６】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施の形態におけるスタンパも、上記第１の実施の形
態と同様に、図１０に示すレーザカッティング装置を用
い、図１１に示す手順に従って作製される。

【００５７】まず、研磨し、洗浄したガラス円盤２１の
上に、ポジ型のフォトレジスト２０を滴下した後、スピ
ンナーによるコーティングによってフォトレジスト原盤
を作製する。次いで、このようにして作製したフォトレ
ジスト原盤を、図１０に示すレーザカッティング装置に
セットする。その後、アルゴンレーザ２３からレーザ光
４４が発射され、このレーザ光４４はミラー２４、２５
で順次反射してノイズイータ２６に入射する。これによ
り、レーザ光４４のノイズが除去される。次いで、ノイ
ズが除去されたレーザ光４４は光強度変調器２７に入射
し、所定の強度に設定される。所定の強度に設定された
レーザ光４４は、ミラー４１で反射した後、偏光ビーム
スプリッタ４２を通過し、集光レンズ２２で集光されて
フォトレジスト原盤に照射される。これにより、照射部
が露光されフォトレジスト原盤のレーザカッティングが
行われる。

【００５８】本実施の形態の光ディスクは、トラックピ
ッチが１．４μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出される
アドレス情報を有するウォブルしたトラッキング案内溝
を備えた構成を有しており、その光ディスク基板用スタ
ンパを作製するためのフォトレジスト原盤のレーザカッ
ティングにおいては、フォトレジスト２０の粘度とスピ
ンナーの回転数を制御することにより、ガラス円盤２１
の内周部から外周部まで均一に６５ｎｍの膜厚となるよ
うにフォトレジスト２０を塗布する。また、本実施の形
態においては、アルゴンレーザ２３から発射されるレー
ザ光４４の強度を大きくした場合に露光する部分の幅
（つまり、溝幅）が大きくなるという特性を利用し、フ
ォトレジスト原盤の内周部から外周側にかけて漸次レー
ザ光４４の強度が大きくなるように設定して、フォトレ
ジスト原盤上に集光し照射する。これにより、ガラス円
盤２１上のフォトレジスト２０がカッティングされる。

【００５９】次いで、このようにしてカッティングした
フォトレジスト原盤を現像する。これにより、露光部が
溶け出し、スパイラル状の案内溝を備え、外周側の溝幅
が内周側の溝幅よりも大きい構成のスタンパ用原盤が得
られる。次いで、現像したフォトレジスト原盤（スタン
パ用原盤）のレジスト層の上に、スパッタリングによっ
てニッケル導電膜を形成し、表面を導体化する。次い
で、スルファミン酸ニッケル浴中で通電し、ガラス円盤
２１上にニッケルを析出させて電鋳を行う。最後に、ガ
ラス円盤２１からの剥離処理と洗浄を行う。以上の工程
により、スタンパが得られる。

【００６０】図９に、上記工程を経て得られたスタンパ
の断面を示す。図９に示すように、スタンパ４には、ピ
ッチが１．４μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出される
アドレス情報を有するウォブルしたスパイラル状の凸部
４ａが形成されている。このスタンパ４は、上記のスタ
ンパ用原盤を用いた作製方法により、スタンパ用原盤と
凹凸が反転し、スパイラル状の凸部４ａを備え、内周側
の凸部４ａの幅が外周側の凸部４ａの幅よりも小さい構
成となっている。具体的には、最内周部での凸部４ａの
幅Ｗ３は０．９μｍであり、凸部４ａの幅は外周側にい
くにしたがって大きくなり、Ｗ４＝０．９５μｍに漸近
している。

【００６１】以上のような構成のスタンパ４を用いて光
ディスク基板を作製する場合には、上記第１の実施の形
態と同様に、図２０に示す光ディスク基板の射出成形装
置を用いた射出成形法によって作製される。

【００６２】このスタンパ４を用い、ポリカーボネート
樹脂を用いた射出成形法によって光ディスク基板を作製
する場合には、スタンパ４の内周側の凸部４ａの幅が外
周側の凸部４ａの幅よりも小さい（従って、内周側の凸
部４ａ間の溝の幅が外周側の凸部４ａ間の溝の幅よりも
大きい）ために、溶融樹脂が径方向に対して均一に入り
込み易くなる（案内溝に関する特性が転写され易くな
る）。このため、全面で凸部の幅が均一な構成のスタン
パを用いて作製した光ディスク基板に比べ、径方向にお
いてほぼ均一なＡＤＩＰ性能が実現され、アドレス情報
に関する特性が向上する。その結果、この光ディスク基
板を用いれば、アドレスを識別することができないこと
に起因するエラー等の発生を防止することのできる光デ
ィスクを実現することができる。

【００６３】図３に、本実施の形態のスタンパを用いて
作製した光ディスク基板の断面を示す。図３に示すよう
に、光ディスク基板２には、トラックピッチが１．４μ
ｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出されるアドレス情報を
有するスパイラル状のトラッキング案内溝２ａが形成さ
れている。

【００６４】図４に、本実施の形態の光ディスク基板の
溝幅の半径方向における分布を示す。図４に示すよう
に、ＡＦＭにより溝の半値で測定した光ディスク基板２
のトラッキング案内溝２ａの幅は、図３にＷ１で示す最
内周部での０．９μｍから漸次大きくなり、外周側で図
３にＷ２で示す０．９７μｍに漸近している。

【００６５】光ディスクは、光ディスク基板２の上に誘
電体層、ＴｂＦｅＣｏ単層の記録膜からなる記録層、中
間誘電体層、反射層、オーバーコート層を順次形成する
ことによって作製される（図１９参照）。

【００６６】本実施の形態の光ディスクの半径方向にお
けるＡＤＩＰジッタの分布に関しては、上記第１の実施
の形態と同様に、ＡＤＩＰジッタが改善され、ディスク
全面にわたってほぼ均一なＡＤＩＰ特性が得られた。こ
れは、スタンパ４の内周側における凸部４ａの幅を小さ
くしたことにより、トラッキング案内溝２ａの特性の転
写性が向上したからであると考えられる。また、このと
き、デフォーカスに対しても、安定したＡＤＩＰ特性を
示している。

【００６７】尚、本実施の形態においては、フォトレジ
スト原盤にレーザ光４４を集光し照射することによって
レーザカッティングを行う場合に、半径方向で照射する
レーザ光４４の強度を変化させることにより、スパイラ
ル状の案内溝を備え、外周側の溝幅が内周側の溝幅より
も大きい構成のスタンパ用原盤を作製したが、スタンパ
用原盤の作製方法としては必ずしもこの方法に限定され
るものではない。比較的溝幅の大きいスタンパ用原盤を
作製する場合には、レーザ光４４を半径方向に微小振動
させて案内溝を形成し、微小振動の振幅量を、内周側よ
りも外周側で大きくなるように設定する方法を用いるこ
ともできる。また、フォトレジストの特性を径方向で分
布させ、内周側のフォトレジストの露光量を外周側のフ
ォトレジストの露光量よりも小さくする方法を用いても
よい。

【００６８】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施の形態におけるスタンパも、上記第１の実施の形
態と同様に、図１０に示すレーザカッティング装置を用
い、図１１に示す手順に従って作製される。

【００６９】まず、研磨し、洗浄したガラス円盤２１の
上に、ポジ型のフォトレジスト２０を滴下した後、スピ
ンナーによるコーティングによってフォトレジスト原盤
を作製する。次いで、このようにして作製したフォトレ
ジスト原盤を、図１０に示すレーザカッティング装置に
セットする。その後、アルゴンレーザ２３からレーザ光
４４が発射され、このレーザ光４４はミラー２４、２５
で順次反射してノイズイータ２６に入射する。これによ
り、レーザ光４４のノイズが除去される。次いで、ノイ
ズが除去されたレーザ光４４は光強度変調器２７に入射
し、所定の強度に設定される。所定の強度に設定された
レーザ光４４は、ミラー４１で反射した後、偏光ビーム
スプリッタ４２を通過し、集光レンズ２２で集光されて
フォトレジスト原盤に照射される。これにより、照射部
が露光されフォトレジスト原盤のレーザカッティングが
行われる。

【００７０】本実施の形態の光ディスクは、トラックピ
ッチが１．３μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出される
アドレス情報を有するウォブルしたトラッキング案内溝
を備えた構成を有しており、その光ディスク基板用スタ
ンパを作製するためのフォトレジスト原盤のレーザカッ
ティングにおいては、フォトレジスト２０の粘性とスピ
ンナーの回転数を制御することにより、ガラス円盤２１
の内周部から外周部まで均一に６５ｎｍの膜厚となるよ
うにフォトレジスト２０を塗布する。また、本実施の形
態においては、アルゴンレーザ２３から発射されるレー
ザ光４４を一定の周波数を基準としてアドレスに対応し
た変調を加えて蛇行させながら、フォトレジスト原盤上
に集光し照射する。この場合、照射するレーザ光４４の
蛇行量は、内周側で大きく、外周側で小さくなるように
設定される。これにより、ガラス円盤２１上のフォトレ
ジスト２０がカッティングされる。

【００７１】次いで、このようにしてカッティングした
フォトレジスト原盤を現像する。これにより、露光部が
溶け出し、内周側の溝部のウォブル振幅量が外周側の溝
部のウォブル振幅量よりも大きい構成のスタンパ用原盤
が得られる。次いで、現像したフォトレジスト原盤（ス
タンパ用原盤）のレジスト層の上に、スパッタリングに
よってニッケル導電膜を形成し、表面を導体化する。次
いで、スルファミン酸ニッケル浴中で通電し、ガラス円
盤２１上にニッケルを析出させて電鋳を行う。最後に、
ガラス円盤２１からの剥離処理と洗浄を行う。以上の工
程により、スタンパが得られる。

【００７２】本実施の形態のスタンパには、ピッチが
１．３μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出されるアドレ
ス情報を有するウォブルした凸部が形成されている。こ
のスタンパは、上記のスタンパ用原盤を用いた作製方法
により、スタンパ用原盤と凹凸が反転し、スパイラル状
の凸部を備え、内周側の凸部のウォブル振幅量が外周側
の凸部のウォブル振幅量よりも大きい構成となってい
る。具体的には、最内周部での凸部のウォブル振幅量は
２５ｎｍであり、凸部のウォブル振幅量は外周側にいく
にしたがって小さくなり、２０ｎｍに漸近している。

【００７３】以上のような構成のスタンパを用いて光デ
ィスク基板を作製する場合には、上記第１の実施の形態
と同様に、図２０に示す光ディスク基板の射出成形装置
を用いた射出成形法によって作製される。

【００７４】このスタンパを用い、ポリカーボネート樹
脂を用いた射出成形法によって光ディスク基板を作製す
る場合には、スタンパの内周側の凸部のウォブル振幅量
が外周側の凸部のウォブル振幅量よりも大きいために、
溶融樹脂がウォブル方向に対して均一に入り込み易くな
る（案内溝に関する特性が転写され易くなる）。このた
め、全面で凸部のウォブル振幅量が均一な構成のスタン
パを用いて作製した光ディスク基板に比べ、径方向にお
いてほぼ均一なＡＤＩＰ性能が実現され、アドレス情報
に関する特性が向上する。その結果、この光ディスク基
板を用いれば、アドレスを識別することができないこと
に起因するエラー等の発生を防止することのできる光デ
ィスクを実現することができる。

【００７５】図５に、本実施の形態のスタンパを用いて
作製した光ディスク基板の平面構造を示す。図５に示す
ように、光ディスク基板５には、トラックピッチが１．
３μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出されるアドレス情
報を有するスパイラル状のトラッキング案内溝５ａが形
成されている。

【００７６】図６に、本実施の形態の光ディスク基板の
トラッキング案内溝のウォブル振幅量の半径方向におけ
る分布を示す。図６に示すように、光ディスク基板５の
トラッキング案内溝５ａのウォブル振幅量は、図５にＡ
１で示す最内周部での２５ｎｍから漸次小さくなり、外
周側で図５にＡ２で示す２０ｎｍに漸近している。

【００７７】光ディスクは、光ディスク基板５の上に誘
電体層、ＴｂＦｅＣｏ単層の記録膜からなる記録層、中
間誘電体層、反射層、オーバーコート層を順次形成する
ことによって作製される（図１９参照）。

【００７８】本実施の形態の光ディスクの半径方向にお
けるＡＤＩＰジッタの分布に関しては、上記第１の実施
の形態と同様に、ＡＤＩＰジッタが改善され、ディスク
全面にわたってほぼ均一なＡＤＩＰ特性が得られた。こ
れは、スタンパの内周側における凸部のウォブル振幅量
を大きくしたことにより、トラッキング案内溝５ａのＡ
ＤＩＰに関する特性の転写性が向上したからであると考
えられる。尚、図７のウォブル振幅量に対するプッシュ
プル信号によって規格化したウォブル信号量の特性図に
示すように、ウォブル振幅量の増加にほぼ比例してＡＤ
ＩＰの信号量も大きくなっている。

【００７９】尚、本実施の形態においては、トラッキン
グ案内溝５ａのウォブル振幅量が外周側にいくにしたが
って小さくなる構成（最内周部で２５ｎｍ、外周側で２
０ｎｍ）で、最内周部と外周側のウォブル振幅量の差が
５ｎｍの光ディスク基板を例に挙げて説明したが、必ず
しもこの構成の光ディスク基板に限定されるものではな
い。溶融樹脂の材料、射出位置及び流動方向、さらには
アドレス信号の構成と装置の検出方法に合わせて、ウォ
ブル振幅量を１０ｎｍ〜１５０ｎｍ、最内周部と外周側
のウォブル振幅量の差を３ｎｍ〜２０ｎｍとした構成の
光ディスク基板であればよい。

【００８０】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施の形態におけるスタンパも、上記第１の実施の形
態と同様に、図１０に示すレーザカッティング装置を用
い、図１１に示す手順に従って作製される。

【００８１】まず、研磨し、洗浄したガラス円盤２１の
上に、ポジ型のフォトレジスト２０を滴下した後、スピ
ンナーによるコーティングによってフォトレジスト原盤
を作製する。次いで、このようにして作製したフォトレ
ジスト原盤を、図１０に示すレーザカッティング装置に
セットする。その後、アルゴンレーザ２３からレーザ光
４４が発射され、このレーザ光４４はミラー２４、２５
で順次反射してノイズイータ２６に入射する。これによ
り、レーザ光４４のノイズが除去される。次いで、ノイ
ズが除去されたレーザ光４４は光強度変調器２７に入射
し、所定の強度に設定される。所定の強度に設定された
レーザ光４４は、ミラー４１で反射した後、偏光ビーム
スプリッタ４２を通過し、集光レンズ２２で集光されて
フォトレジスト原盤に照射される。これにより、照射部
が露光されフォトレジスト原盤のレーザカッティングが
行われる。

【００８２】本実施の形態の光ディスクは、トラックピ
ッチが１．５μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出される
アドレス情報を有するウォブルしたトラッキング案内溝
を備えた構成を有しており、その光ディスク基板用スタ
ンパを作製するためのフォトレジスト原盤のレーザカッ
ティングにおいては、フォトレジスト２０の粘性とスピ
ンナーの回転数を制御することにより、ガラス円盤２１
の内周部から外周部にかけて連続的に膜厚が大きくな
り、内周部で６５ｎｍ、外周部で７２ｎｍの膜厚となる
ようにフォトレジスト２０を塗布する。また、本実施の
形態においては、アルゴンレーザ２３から発射されるレ
ーザ光４４を一定の周波数を基準としてアドレスに対応
した変調を加えて蛇行させながら、フォトレジスト原盤
上に集光し照射する。この場合、照射するレーザ光４４
の蛇行量は一定とし，蛇行させる信号よりも高い周波数
で微小振動させることにより、レーザ光を集光している
径よりも幅の広い溝を形成することが可能になる。この
場合、微小振動させる振幅量は、内周側で小さく、外周
側で大きくなるように設定される。これにより、ガラス
円盤２１上のフォトレジスト２０は、外周側での幅が広
い溝にカッティングされる。

【００８３】次いで、このようにしてカッティングした
フォトレジスト原盤を現像する。これにより、露光部が
溶け出し、外周側の溝部に対して内周側の溝部の深さ、
幅が小さい構成のウォブル溝が形成されたスタンパ用原
盤が得られる。次いで、現像したフォトレジスト原盤
（スタンパ用原盤）のレジスト層の上に、スパッタリン
グによってニッケル導電膜を形成し、表面を導体化す
る。次いで、スルファミン酸ニッケル浴中で通電し、ガ
ラス円盤２１上にニッケルを析出させて電鋳を行う。最
後に、ガラス円盤２１からの剥離処理と洗浄を行う。以
上の工程により、スタンパが得られる。

【００８４】本実施の形態のスタンパには、ピッチが
１．５μｍで、ＡＤＩＰ信号によって検出されるアドレ
ス情報を有するウォブルした凸部が形成されている。こ
のスタンパは、上記のスタンパ用原盤を用いた作製方法
により、スタンパ用原盤と凹凸が反転し、スパイラル状
の蛇行した凸部を備え、内周側の凸部の高さ及び幅が外
周側の凸部の高さ及び幅よりも小さい構成となってい
る。具体的には、最内周部での凸部の高さは６５ｎｍ、
幅は０．９２μｍであり、凸部の高さは外周側にいくに
したがって大きくなり、７２ｎｍに漸近している。ま
た、凸部の幅も外周では０．９８μｍに漸近している。

【００８５】以上のような構成のスタンパを用いて光デ
ィスク基板を作製する場合には、上記第１の実施の形態
と同様に、図２０に示す光ディスク基板の射出成形装置
を用いた射出成形法によって作製される。

【００８６】このスタンパを用い、ポリカーボネート樹
脂を用いた射出成形法によって光ディスク基板を作製す
る場合には、スタンパの内周側の凸部の高さ、幅ともに
外周側の凸部の高さ、幅よりも小さいために、溶融樹脂
がウォブル溝に対して均一に入り込み易くなり、案内溝
に関する特性が転写され易くなる。このため、スタンパ
の凸部全面でのウォブル溝の形状が均一な構成のスタン
パを用いて作製した光ディスク基板に比べ、径方向にお
いてほぼ均一なＡＤＩＰ性能が実現され、アドレス情報
に関する特性が特に内周側で向上する。これは、スタン
パの内周側における凸部の高さ及び幅を小さくしたこと
により、トラッキング案内溝のＡＤＩＰに関する特性の
転写性が向上したからであると考えられる。その結果、
この光ディスク基板を用いれば、アドレスを識別するこ
とができないことに起因するエラー等の発生を防止する
ことのできる光ディスクを実現することができる。

【００８７】光ディスクは、光ディスク基板５の上に誘
電体層、記録密度を高めるためにＴｂＦｅＣｏ膜を含む
複数の磁性膜からなる記録層、中間誘電体層、反射層、
オーバーコート層を順次形成することによって作製され
る（図１９参照）。

【００８８】図２２に、光学ヘッドの受光部で受光する
全光量によって規格化したウォブル信号の振幅量のデフ
ォーカス量に対する特性を、溝幅を変えた場合について
示す。このとき、ウォブルしている溝の蛇行量は２３ｎ
ｍ，、深さは７０ｎｍである。また、図２３に、同様に
全光量によって規格化したウォブル信号の振幅量のデフ
ォーカス量に対する特性を、溝深さを変えた場合につい
て示す。このとき、ウォブルしている溝の蛇行量は２３
ｎｍ、溝幅は０．９５μｍである。

【００８９】本実施の形態の光ディスク基板には、トラ
ックピッチが１．５μｍで、ＡＤＩＰ信号の振幅量が２
３ｎｍのスパイラル状の案内溝が形成されている。ここ
で、溝幅は、最内周部で０．９２μｍであり、外周側に
いくにしたがって大きくなり、９７ｎｍに漸近してい
る。また、溝深さは、最内周部で６５ｎｍであり、外周
側にいくにしたがって大きくなり、７０ｎｍに漸近して
いる。

【００９０】このとき、図２２、図２３に示すように、
受光部で検出される反射光量に対するウォブル信号の振
幅量の最大値は４％以上であり、しかも、フォーカスの
オフセット０近傍でほぼ最大となる。従って、記録再生
装置のフォーカスに対する利得が反射光量を基準として
設定された場合であっても、十分なＡＤＩＰ信号の変調
度を得ることができる。

【００９１】また、本実施の形態においては、溝幅、溝
深さ共に内周側から外周側にかけて変化させているが、
図２２に示すように、溝幅を小さくすることにより、光
学ヘッドによって検出されるウォブル振幅量は大きくな
る。このとき、溝幅を０．０４μｍ以上小さくすること
により、ウォブル振幅量のピーク位置がマイナス方向に
０．２μｍ以上変化し、規格化したウォブル振幅量も５
％以上に増加する。一方、図２３に示すように、溝深さ
を小さくすると、反射光量が相対的に大きくなるため
に、全光量によって規格化したウォブル振幅量は逆に小
さくなる。

【００９２】その結果、本実施の形態においては、光デ
ィスク内での溝形状による変化はあるものの、反射光量
によって規格化したＡＤＩＰ信号の特性は、ディスク全
面にわたって５％以下のほぼ均一な分布となる。

【００９３】また、図２３に示すように、光ディスク内
周部で溝の深さを小さくしたことにより、反射光量に対
するＡＤＩＰの信号量はやや小さくなる傾向にあるもの
の、デフォーカスした時の振幅量の低下が小さいため
に、実際のドライブ動作時にフォーカスオフセットした
場合にも十分なウォブル信号による変調度が得られる。
従って、ＡＤＩＰ信号を確実に再生することができる。

【００９４】さらに、本実施の形態の光ディスクの半径
方向におけるＡＤＩＰジッタの分布に関しては、光ディ
スク全面にわたって十分なウォブル振幅量が得られるた
めに、上記第１の実施の形態と同様にＡＤＩＰジッタが
改善され、光ディスクの全面にわたってほぼ均一なＡＤ
ＩＰ特性が得られ、特に光ディスク内周部において優れ
た特性が得られた。

【００９５】そして、図２３に示すように、溝深さを小
さくした場合、フォーカスのオフセット量に対するウォ
ブル振幅量の変化量は小さくなる傾向にある。このた
め、本実施の形態のように光ディスク内周部の溝深さを
小さくした構成では、反射光量に対するウォブル振幅量
の最大値としては外周側よりも内周側の方がやや小さく
なる。しかし、デフォーカスした時の変化量が小さいた
め、デフォーカス量が１．５μｍの場合に、内周と外周
とのウォブル振幅量がほぼ一致し、それ以上のデフォー
カスが生じた場合には、内周側の方がＡＤＩＰの振幅低
下によるエラーの可能性は低くなる。特に、溝深さを３
ｎｍ以上小さくすることにより、図２３に示す規格化し
たウォブル振幅量の２％以上のデフォーカスの範囲を
０．１μｍ以上広くすることができる。

【００９６】ここで、受光部での反射光量に対するウォ
ブル振幅量がフォーカスオフセット時に２％以上まで許
容されると考えれば、内周側の方がフォーカスオフセッ
ト可能な許容範囲が広く、しかもその時のＡＤＩＰの信
号量も大きくなる。

【００９７】このように、本実施の形態によれば、光デ
ィスク内周部でのデフォーカスに対する許容範囲が大き
くなるため、光ディスク内周領域を用いてフォーカスの
オフセット量を変化させながらフォーカスオフセット調
整を行う場合であっても、広いオフセット範囲での調整
が可能となる。

【００９８】また、本実施の形態によれば、外周部で溝
幅を大きくした構成の光ディスク基板であるために、Ｒ
Ｆ信号の信号レベルを増大させることもできる。尚、本
実施の形態においては、トラッキング案内溝の溝幅及び
溝深さが外周側にいくにしたがって大きくなり、最内周
部と外周側との溝深さの差が５ｎｍ、溝幅の差が０．０
５μｍの光ディスク基板を例に挙げて説明したが、必ず
しもこの構成の光ディスク基板に限定されるものではな
い。溶融樹脂の材料、射出位置及び流動方向、さらには
アドレス信号の構成と装置の検出方法に合わせて、反射
光量に対するウォブル振幅量が最大で３％以上、デフォ
ーカス時にも内周部で２％以上、また、内周部と外周部
での反射光量によって規格化したウォブル振幅量の変化
が５％以下である光ディスク基板であればよい。さらに
は、アドレス情報を有する案内溝の内周側の溝幅あるい
は溝深さの少なくともいずれか一方を小さくした構成を
有し、光ディスクの記録面からの反射光を、少なくとも
半径方向に複数に分割した受光部によって構成された光
学ヘッドでアドレス情報として検出する場合に、光学ヘ
ッドを焦点位置から１μｍ以上オフセットさせた位置に
おいて、光学ヘッドの受光部で受光する光ディスクから
の反射光量に対する前記案内溝のウォブル信号の振幅量
が２％以上であり、しかも溝形状が異なる場所でのウォ
ブル振幅量が一致するフォーカスのオフセット量を有す
る光ディスク基板であればよい。

【００９９】また、上記実施の形態においては、トラッ
キング案内溝のトラックピッチが１．３μｍ〜１．６μ
ｍ、溝幅が０．９μｍ〜１．０μｍの光ディスク基板を
例に挙げて説明したが、必ずしもこの構成の光ディスク
基板に限定されるものではなく、トラッキング案内溝の
トラックピッチが１．３μｍ以下あるいは１．６μｍ以
上の光ディスク基板、ランドとグルーブの双方で記録再
生を行う構成の狭トラックの光ディスク基板のいずれの
場合であっても、そのトラックピッチに応じた溝幅の記
録領域を有する光ディスク基板であればよい。

【０１００】また、上記実施の形態においては、ウォブ
ルしたトラッキング案内溝あるいはプリピットを有する
光ディスク基板であって、それぞれ、外周側のトラッキ
ング案内溝の溝深さが内周側のトラッキング案内溝の溝
深さよりも大きい光ディスク基板、外周側のトラッキン
グ案内溝の溝幅が内周側のトラッキング案内溝の溝幅よ
りも大きい光ディスク基板、外周側のトラッキング案内
溝のウォブル振幅量が内周側のトラッキング案内溝のウ
ォブル振幅量よりも小さい光ディスク基板を例に挙げて
説明したが、これら３つの構成の少なくとも２つを組み
合わせた構成であって、信号領域内でランドとグルーブ
から反射される光量の比が一定の規格範囲内にある光デ
ィスク基板であってもよい。

【０１０１】また、上記実施の形態においては、ポリカ
ーボネートを用いて作製され、スパイラル状のトラッキ
ング案内溝あるいはプリピットが形成された光ディスク
基板を例に挙げて説明したが、必ずしもこの構成の光デ
ィスク基板に限定されるものではなく、例えば、ポリオ
レフィン、アクリル、エポキシ等を用いて作製され、同
心円状のトラッキング案内溝あるいはプリピットが形成
された光ディスク基板であってもよい。

【０１０２】また、上記実施の形態においては、光ディ
スクの記録層としてＴｂＦｅＣｏ単層あるいは複数の磁
性層からなる記録膜が用いられているが、必ずしもこれ
に限定されるものではなく、ＴｂＣｏ、ＧｄＣｏ、Ｇｄ
ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金もしく
はＭｎＢｉ、ＰｔＭｎＳｎ、多結晶材料を用いた光磁気
材料、Ｔｅ系、Ｇｅ系の材料を用いた相変化記録材料、
又は光感応性の有機材料を用いることもできる。また、
これらの材料を含み、かつ、材料又は組成の異なる複数
の記録膜からなる記録層、さらには、光変調オーバーラ
イト方式や磁気的な方式等の超解像再生に利用される交
換結合多層膜、あるいは、静磁界によって結合した多層
膜構成の記録膜からなる記録層であっても、同等あるい
はそれ以上の効果が得られる。

【０１０３】また、上記実施の形態においては、光ディ
スク基板を作製するに際し、可動金型にスタンパが保持
される構成の射出成形装置を用いたが、必ずしもこの構
成の射出成形装置に限定されるものではなく、固定金型
にスタンパが保持される構成の射出成形装置を用いても
よい。

【０１０４】また、上記実施の形態においては、溝に信
号を記録する場合を例に挙げて説明したが、必ずしもこ
の構成に限定されるものではなく、ランド（凸部）の
み、あるいはランド（凸部）と溝の両方に信号を記録す
る場合にも、同等の効果が得られる。また、アドレス情
報を有する蛇行した溝によるＡＤＩＰ信号についても、
溝の両側に限定されるものではなく、溝の片側のみを蛇
行させた構成（溝とランド部の片側の境界のみがウォブ
ル溝で、もう一方がストレート溝）、あるいはディスク
に形成された案内溝の一部に集中して形成した構成、さ
らにはウォブル溝とプリピットを組み合わせた構成であ
っても、同等の効果が得られる。

【０１０５】溝の片側（溝とランド部の片側の境界）の
みがウォブル溝で形成され、溝部とランド部の両方に記
録可能な構成の光ディスクの場合には、案内溝の溝幅あ
るいは溝深さが外周側にいくにしたがって大きくなる構
成とすることにより、溝部とランド部とにおけるＲＦ再
生信号の位相の差による信号振幅等の差をも小さくする
ことができる。

【０１０６】また、厚みが１ｍｍ以下のディスク基板を
用いた光ディスクであっても、ディスク面のチルト量に
対応して溝の形状を変化させることにより、反射光量を
基準としたＡＤＩＰ信号振幅の均一な特性が得られ、ア
ドレス情報の再生が容易になると共に、アドレス情報に
関するマージンの拡大が可能になる。

【０１０７】また、上記実施の形態においては、スタン
パ用原盤からスタンパを作製する場合を例に挙げて説明
したが、必ずしもこの場合に限定されるものではなく、
スタンパ用原盤から、マスター盤あるいはマザー盤を用
いてスタンパを作製してもよい。

【０１０８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
径方向においてほぼ均一なＡＤＩＰ特性が実現され、ア
ドレス情報に関する特性が向上する。その結果、アドレ
スを識別することができないことに起因するエラー等の
発生を防止することができる。また、内周部でのＡＤＩ
Ｐ性能が向上することにより、内周部のＴＯＣ（Tableo
f Contents）領域あるいはＵＴＯＣ（User Table of Co
ntents）領域等の記録再生条件に関する情報の読み出し
エラーも発生しにくく、記録再生条件を容易に設定する
ことが可能となる。さらに、本発明によれば、スタンパ
の性能のばらつき、光ディスク基板の成形条件の違いに
よるＡＤＩＰ特性の変動のほとんどない光ディスク基板
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の光ディスク基板を
示す断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の光ディスク基板の
溝深さの半径方向における分布を示す特性図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態の光ディスク基板を
示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の光ディスク基板の
溝幅の半径方向における分布を示す特性図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態の光ディスク基板の
溝形状を示す平面図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態の光ディスク基板の
案内溝のウォブル振幅量の半径方向における分布を示す
特性図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態の光ディスクのウォ
ブル振幅量に対する規格化したウォブル信号量の特性図
である。

【図８】本発明の第１の実施の形態の光ディスク用スタ
ンパを示す断面図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態の光ディスク用スタ
ンパを示す断面図である。

【図１０】本発明の実施の形態における光ディスク用ス
タンパの製造装置を示す構成図である。

【図１１】本発明の実施の形態における光ディスク用ス
タンパの製造方法を示す工程図である。

【図１２】本発明の第１の実施の形態における光ディス
ク用スタンパを製造するためのレーザカッティングした
フォトレジスト原盤を示す断面図である。

【図１３】本発明の第１の実施の形態における光ディス
ク用スタンパを製造するためのフォトレジストを塗布し
たガラス円盤を示す断面図である。

【図１４】本発明の第１の実施の形態におけるガラス円
盤に塗布したフォトレジストの膜厚の半径方向における
分布を示す特性図である。

【図１５】本発明の第１の実施の形態の光ディスクのＡ
ＤＩＰジッタの半径方向における分布を示す特性図であ
る。

【図１６】本発明の第１の実施の形態における光ディス
クのＡＤＩＰジッタとデフォーカス量との関係を示す特
性図である。

【図１７】従来の光ディスクのＡＤＩＰジッタの半径方
向における分布を示す特性図である。

【図１８】従来の光ディスクのＡＤＩＰジッタとデフォ
ーカス量との関係を示す特性図である。

【図１９】光ディスクの構成断面図である。

【図２０】光ディスク基板の製造装置を示す構成図であ
る。

【図２１】従来の光ディスクのＡＤＩＰエラーレートと
デフォーカス量との関係を示す特性図である。

【図２２】光ディスク基板の案内溝の溝幅を変化させた
場合の規格化されたウォブル振幅量とデフォーカス量と
の関係を示す特性図である。

【図２３】光ディスク基板の案内溝の溝深さを変化させ
た場合の規格化されたウォブル振幅量とデフォーカス量
との関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１、２、１１ 光ディスク基板 ３ スタンパ ４ スタンパ １２ 誘電体層 １３ 記録層 １４ 中間誘電体層 １５ 反射層 １６ オーバーコート層 ２０ フォトレジスト ２１ ガラス円盤 ２２ 集光レンズ ２３ アルゴンレーザ ２４、２５、４１ ミラー ２６ ノイズイータ ２７ 光強度変調器 ２８ Ｈｅ−Ｎｅレーザ ２９、４２ 偏光ビームスプリッタ ３０ フォーカス検出センサ ４４ レーザビーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５１１ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５１１Ｃ ５４１ ５４１Ｄ

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アドレス情報を有するスパイラル状もし
   くは同心円状の蛇行した凸部を備えた光ディスク基板用
   スタンパであって、内周側の前記凸部の高さが外周側の
   前記凸部の高さよりも小さいことを特徴とする光ディス
   ク基板用スタンパ。
2. 【請求項２】 アドレス情報を有するスパイラル状もし
   くは同心円状の蛇行した凸部を備えた光ディスク基板用
   スタンパであって、内周側の前記凸部の幅が外周側の前
   記凸部の幅よりも小さいことを特徴とする光ディスク基
   板用スタンパ。
3. 【請求項３】 アドレス情報を有するスパイラル状もし
   くは同心円状の蛇行した凸部を備えた光ディスク基板用
   スタンパであって、内周側の前記凸部のウォブル振幅量
   が外周側の前記凸部のウォブル振幅量よりも大きいこと
   を特徴とする光ディスク基板用スタンパ。
4. 【請求項４】 アドレス情報を有する蛇行したウォブル
   溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備
   えたスタンパ用原盤であって、内周側の前記案内溝の溝
   深さが外周側の前記案内溝の溝深さよりも小さいことを
   特徴とするスタンパ用原盤。
5. 【請求項５】 アドレス情報を有する蛇行したウォブル
   溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備
   えたスタンパ用原盤であって、内周側の前記案内溝の溝
   幅が外周側の前記案内溝の溝幅よりも小さいことを特徴
   とするスタンパ用原盤。
6. 【請求項６】 アドレス情報を有する蛇行したウォブル
   溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を備
   えたスタンパ用原盤であって、内周側の前記案内溝のウ
   ォブル振幅量が外周側の前記案内溝のウォブル振幅量よ
   りも大きいことを特徴とするスタンパ用原盤。
7. 【請求項７】 ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
   レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
   ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
   カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
   の製造方法であって、前記フォトレジストを内周側の膜
   厚が外周側の膜厚よりも小さくなるように塗布すること
   を特徴とするスタンパ用原盤の製造方法。
8. 【請求項８】 ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
   レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
   ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
   カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
   の製造方法であって、前記フォトレジストの特性を径方
   向で分布させ、内周側の前記フォトレジストの露光量を
   外周側の前記フォトレジストの露光量よりも小さくする
   ことを特徴とするスタンパ用原盤の製造方法。
9. 【請求項９】 ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、
   レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウォブ
   ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
   カッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用原盤
   の製造方法であって、前記案内溝のカッティング時に照
   射する前記レーザ光の強度を、内周側よりも外周側で大
   きくなるように設定することを特徴とするスタンパ用原
   盤の製造方法。
10. 【請求項１０】 ガラス原盤にフォトレジストを塗布
    し、レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウ
    ォブル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内
    溝をカッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用
    原盤の製造方法であって、前記案内溝のカッティング時
    に照射する前記レーザ光を径方向に微小振動させ、前記
    微小振動の振幅量を、内周側よりも外周側で大きくなる
    ように設定することを特徴とするスタンパ用原盤の製造
    方法。
11. 【請求項１１】 ガラス原盤にフォトレジストを塗布
    し、レーザ光を用いてアドレス情報を有する蛇行したウ
    ォブル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内
    溝をカッティングし、現像する工程を備えたスタンパ用
    原盤の製造方法であって、前記案内溝のカッティング時
    に照射する前記レーザ光の径方向の蛇行量を、内周側よ
    りも外周側で小さくなるように設定することを特徴とす
    るスタンパ用原盤の製造方法。
12. 【請求項１２】 アドレス情報を有する蛇行したウォブ
    ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
    備えた光ディスク基板であって、内周側の前記案内溝の
    溝深さ又は溝幅の少なくともいずれか一方が外周側の前
    記案内溝の溝深さ又は溝幅よりも小さいことを特徴とす
    る光ディスク基板。
13. 【請求項１３】 アドレス情報を検出する光学ヘッドの
    受光部で受光する光ディスクからの反射光量に対して、
    案内溝のウォブル振幅による信号量の最大値が３％以上
    である請求項１２に記載の光ディスク基板。
14. 【請求項１４】 内周側と外周側での反射光量に対する
    ウォブル振幅量の変化が５％以下である請求項１３に記
    載の光ディスク基板。
15. 【請求項１５】 光ディスクの径方向に複数に分割され
    た受光部を有する光学ヘッドの対物レンズを焦点位置か
    らフォーカス方向に１μｍ以上変位させた位置におい
    て、前記光学ヘッドの前記受光部で受光される光ディス
    クからの全反射光量に対する案内溝のウォブル信号の振
    幅量が前記光ディスクの異なった半径位置において一致
    する変位量のフォーカス点を有する請求項１２に記載の
    光ディスク基板。
16. 【請求項１６】 内周側の案内溝のウォブル振幅量が外
    周側の前記案内溝のウォブル振幅量よりも大きい請求項
    １２〜１５のいずれかに記載の光ディスク基板。
17. 【請求項１７】 アドレス情報を有する蛇行したウォブ
    ル溝からなるスパイラル状もしくは同心円状の案内溝を
    備えた光ディスク基板であって、内周側の前記案内溝の
    ウォブル振幅量が外周側の前記案内溝のウォブル振幅量
    よりも大きいことを特徴とする光ディスク基板。
18. 【請求項１８】 内周側の案内溝の溝深さ又は溝幅の少
    なくともいずれか一方が外周側の前記案内溝の溝深さ又
    は溝幅よりも小さい請求項１７に記載の光ディスク基
    板。
19. 【請求項１９】 案内溝の溝幅、溝深さ又はウォブル振
    幅量の少なくともいずれかが、内周側から外周側にかけ
    て連続的に変化している請求項１２〜１７のいずれかに
    記載の光ディスク基板。
20. 【請求項２０】 案内溝の内周側と外周側の溝幅の差が
    ４０ｎｍ以上である請求項１２〜１７のいずれかに記載
    の光ディスク基板。
21. 【請求項２１】 案内溝の内周側と外周側の溝深さの差
    が３ｎｍ以上である請求項１２〜１７のいずれかに記載
    の光ディスク基板。
22. 【請求項２２】 案内溝の内周側と外周側のウォブル振
    幅量の差が３ｎｍ以上である請求項１２〜１７のいずれ
    かに記載の光ディスク基板。
23. 【請求項２３】 アドレス情報を有するスパイラル状も
    しくは同心円状の蛇行した凸部を備え、内周側の前記凸
    部の高さが外周側の前記凸部の高さよりも小さいスタン
    パを用いて射出成形法により光ディスク基板を成形する
    光ディスク基板の製造方法。
24. 【請求項２４】 アドレス情報を有するスパイラル状も
    しくは同心円状の蛇行した凸部を備え、内周側の前記凸
    部の幅が外周側の前記凸部の幅よりも小さいスタンパを
    用いて射出成形法により光ディスク基板を成形する光デ
    ィスク基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 アドレス情報を有するスパイラル状も
    しくは同心円状の蛇行した凸部を備え、内周側の前記凸
    部のウォブル振幅量が外周側の前記凸部のウォブル振幅
    量よりも大きいスタンパを用いて射出成形法により光デ
    ィスク基板を成形する光ディスク基板の製造方法。