JPH11135303A - 厚膜サーミスタ組成物 - Google Patents
厚膜サーミスタ組成物Info
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- JPH11135303A JPH11135303A JP30011997A JP30011997A JPH11135303A JP H11135303 A JPH11135303 A JP H11135303A JP 30011997 A JP30011997 A JP 30011997A JP 30011997 A JP30011997 A JP 30011997A JP H11135303 A JPH11135303 A JP H11135303A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サーミスタ膜形成後の抵抗値が小さく、高Ｂ
定数であり、熱による抵抗変化率を安定させる。 【解決手段】 サーミスタ特性を有する金属酸化物に、
第１導電物質であるＲｕＯ2と、第２導電性物質として
のＡｇ／Ｐｄ粉末とガラス粉末とを加え、ビヒクルを添
加してペースト状とし、これを基板１の第１と第２の電
極２、３間に塗布して厚膜サーミスタ層４を形成し、焼
成して完成する。
定数であり、熱による抵抗変化率を安定させる。 【解決手段】 サーミスタ特性を有する金属酸化物に、
第１導電物質であるＲｕＯ2と、第２導電性物質として
のＡｇ／Ｐｄ粉末とガラス粉末とを加え、ビヒクルを添
加してペースト状とし、これを基板１の第１と第２の電
極２、３間に塗布して厚膜サーミスタ層４を形成し、焼
成して完成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に挾んで基
板上に形成される厚膜サーミスタ、いわゆるサンドウィ
ッチ型厚膜サーミスタ組成物に関する。
板上に形成される厚膜サーミスタ、いわゆるサンドウィ
ッチ型厚膜サーミスタ組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜サーミスタの組成物として、従来よ
りＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉなどの金属酸化物と、導電材
料としてのＲｕＯ2と、更にガラス粉末を混合したもの
が知られている。サンドウィッチ型厚膜サーミスタは、
この組成物を第１の電極と、第２の電極との間に挾んで
絶縁基板上に形成されたものである。
りＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉなどの金属酸化物と、導電材
料としてのＲｕＯ2と、更にガラス粉末を混合したもの
が知られている。サンドウィッチ型厚膜サーミスタは、
この組成物を第１の電極と、第２の電極との間に挾んで
絶縁基板上に形成されたものである。
【０００３】サンドウィッチ型厚膜サーミスタによれ
ば、同一平面上の電極間にサーミスタ組成物を単に印刷
をした厚膜サーミスタ（対向電極型サーミスタ）に比し
て低抵抗のものが得られるものの、上記組成物を用いた
ものの抵抗値は、せいぜい１ＫΩ／１ｍｍ2・２０μｍ
が限度であった。もっとも、第１導電性物質としてのＲ
ｕＯ2を更に加えるか、あるいはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉなど
の金属酸化物に直接Ｃｕ又はＣｕ酸化物を加えることに
よってそれ以下の抵抗値を得ることは可能である。しか
しながら、金属酸化物に直接Ｃｕ又はＣｕ酸化物を添加
したサーミスタ組成物は、熱安定性に欠け、また、その
添加量が増加すると、抵抗値，Ｂ定数が共に急激に低下
するという問題が生ずる。
ば、同一平面上の電極間にサーミスタ組成物を単に印刷
をした厚膜サーミスタ（対向電極型サーミスタ）に比し
て低抵抗のものが得られるものの、上記組成物を用いた
ものの抵抗値は、せいぜい１ＫΩ／１ｍｍ2・２０μｍ
が限度であった。もっとも、第１導電性物質としてのＲ
ｕＯ2を更に加えるか、あるいはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉなど
の金属酸化物に直接Ｃｕ又はＣｕ酸化物を加えることに
よってそれ以下の抵抗値を得ることは可能である。しか
しながら、金属酸化物に直接Ｃｕ又はＣｕ酸化物を添加
したサーミスタ組成物は、熱安定性に欠け、また、その
添加量が増加すると、抵抗値，Ｂ定数が共に急激に低下
するという問題が生ずる。
【０００４】この問題を解決するための先行例の一つに
特開平６−６１０１６号があり、この先行例において
は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉのそれぞれの酸化物のうち
から選ばれたサーミスタ特性を有する少なくとも２種類
の金属酸化物と、第１の導電性物質としてのＲｕＯ
2と、第２の導電性物質としてのＣｕとＲｕ、又はＣｕ
とＲｕの酸化物、水酸化物、炭酸塩のいずれかの組み合
わせのうち少なくとも２種類を混合し、加熱焼成した化
合物と、ガラスとよりなる厚膜サーミスタ組成物を提案
し、この厚膜サーミスタ組成物によれば、熱安定性に欠
けることがなく、低抵抗でＢ定数が高く、熱に対する抵
抗変化率の厚膜サーミスタ組成物及び厚膜サーミスタを
得ることができる、という効果が強調されている。
特開平６−６１０１６号があり、この先行例において
は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉのそれぞれの酸化物のうち
から選ばれたサーミスタ特性を有する少なくとも２種類
の金属酸化物と、第１の導電性物質としてのＲｕＯ
2と、第２の導電性物質としてのＣｕとＲｕ、又はＣｕ
とＲｕの酸化物、水酸化物、炭酸塩のいずれかの組み合
わせのうち少なくとも２種類を混合し、加熱焼成した化
合物と、ガラスとよりなる厚膜サーミスタ組成物を提案
し、この厚膜サーミスタ組成物によれば、熱安定性に欠
けることがなく、低抵抗でＢ定数が高く、熱に対する抵
抗変化率の厚膜サーミスタ組成物及び厚膜サーミスタを
得ることができる、という効果が強調されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
らの実験によれば、上記成分の組合せによっては、必ず
しも上記先行例に強調される所期の効果が得られなかっ
た。ところで、発明者らは、セラミック基板上に面積抵
抗値が１ＫΩ／□以下の厚膜抵抗体を形成するに際し、
焼成された抵抗体の抵抗値、抵抗温度係数のばらつきが
少なく、しかも再焼成における抵抗値変化が小さい厚膜
抵抗体形成用組成物を提供することを目的として研究を
した結果、固形分としてＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、Ａ
ｇ：Ｐｄの重量比が９５：５〜３０：７０となるよう
に、パラジウムで被覆された銀粉、又はＡｇ／Ｐｄ合金
のフレーク状粉末を含み、ガラス粉末に対するＲｕＯ2
の重量比が０．１５〜１．５であり、ＲｕＯ2 +ガラス粉
末に対するパラジウム被覆銀粉又はＡｇ／Ｐｄ合金のフ
レーク状粉末の重量比を０．０３〜２０に設定して所期
の目的を達成できることを見出した（特開平６−６１０
０４号、特開平６−６１００５号参照）。
らの実験によれば、上記成分の組合せによっては、必ず
しも上記先行例に強調される所期の効果が得られなかっ
た。ところで、発明者らは、セラミック基板上に面積抵
抗値が１ＫΩ／□以下の厚膜抵抗体を形成するに際し、
焼成された抵抗体の抵抗値、抵抗温度係数のばらつきが
少なく、しかも再焼成における抵抗値変化が小さい厚膜
抵抗体形成用組成物を提供することを目的として研究を
した結果、固形分としてＲｕＯ2粉末、ガラス粉末、Ａ
ｇ：Ｐｄの重量比が９５：５〜３０：７０となるよう
に、パラジウムで被覆された銀粉、又はＡｇ／Ｐｄ合金
のフレーク状粉末を含み、ガラス粉末に対するＲｕＯ2
の重量比が０．１５〜１．５であり、ＲｕＯ2 +ガラス粉
末に対するパラジウム被覆銀粉又はＡｇ／Ｐｄ合金のフ
レーク状粉末の重量比を０．０３〜２０に設定して所期
の目的を達成できることを見出した（特開平６−６１０
０４号、特開平６−６１００５号参照）。
【０００６】しかしながら、この試みは、抵抗体につい
て、抵抗体焼成後の面積抵抗値、ＴＣＲのばらつき、ガ
ラスコート焼成後の抵抗値変化を測定して好ましい成分
の範囲を特定したまでのものであり、厚膜サーミスタ組
成物についての適用性については全くの未知であった。
また、当時は、パラジウム被覆銀粉、又はＡｇ／Ｐｄ合
金のフレーク状粉末、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末以外
に、従来から抵抗温度係数の調整に添加されているＭｎ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＣｕＯなどを添加
することが有効であると考えていた。
て、抵抗体焼成後の面積抵抗値、ＴＣＲのばらつき、ガ
ラスコート焼成後の抵抗値変化を測定して好ましい成分
の範囲を特定したまでのものであり、厚膜サーミスタ組
成物についての適用性については全くの未知であった。
また、当時は、パラジウム被覆銀粉、又はＡｇ／Ｐｄ合
金のフレーク状粉末、ＲｕＯ2粉末、ガラス粉末以外
に、従来から抵抗温度係数の調整に添加されているＭｎ
Ｏ2，Ｎｂ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＣｕＯなどを添加
することが有効であると考えていた。
【０００７】ところが、低抵抗でＢ定数が高く、熱に対
する抵抗値変化率の少ない厚膜サーミスタ組成物を得る
ための研究を進めた結果、その性能の改善を妨げる要因
が明かになった。
する抵抗値変化率の少ない厚膜サーミスタ組成物を得る
ための研究を進めた結果、その性能の改善を妨げる要因
が明かになった。
【０００８】本発明の目的は、サーミスタ膜形成後の抵
抗値が小さく、高Ｂ定数であり、熱による抵抗変化率が
小さい厚膜サーミスタ組成物を提供することにある。
抗値が小さく、高Ｂ定数であり、熱による抵抗変化率が
小さい厚膜サーミスタ組成物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による厚膜サーミスタ組成物においては、金
属酸化物と、第１導電性物質と、第２導電性物質と、ガ
ラス粉末とを含む厚膜サーミスタ組成物であって、金属
酸化物は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ、Ｃｕなどの
うちから選ばれた少なくとも２種類の元素を含んだサー
ミスタ特性を有する複合酸化物であり、第１導電性物質
は、ＲｕＯ2であり、第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ粉
末である。
め、本発明による厚膜サーミスタ組成物においては、金
属酸化物と、第１導電性物質と、第２導電性物質と、ガ
ラス粉末とを含む厚膜サーミスタ組成物であって、金属
酸化物は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ、Ｃｕなどの
うちから選ばれた少なくとも２種類の元素を含んだサー
ミスタ特性を有する複合酸化物であり、第１導電性物質
は、ＲｕＯ2であり、第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ粉
末である。
【００１０】また、すくなくとも第１導電性物質と、第
２導電性物質とは、Ｃｕを含まないものである。
２導電性物質とは、Ｃｕを含まないものである。
【００１１】また、第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ合金
粉、Ａｇ／Ｐｄ共沈粉又はＰｄ被覆Ａｇ粉である。
粉、Ａｇ／Ｐｄ共沈粉又はＰｄ被覆Ａｇ粉である。
【００１２】また、Ａｇ／Ｐｄの重量比は、９５：５〜
３０：７０であり、ガラス粉末に対するＲｕＯ2の重量
比が０．０１〜０．１５であり、金属酸化物の重量比
は、ガラス粉末とＲｕＯ2とに対して０．２〜１．４で
あり、Ａｇ／Ｐｄ粉末は、ガラス粉末と、ＲｕＯ2と、
金属酸化物粉末とに対して重量比で０．０１〜１．０を
含むものである。
３０：７０であり、ガラス粉末に対するＲｕＯ2の重量
比が０．０１〜０．１５であり、金属酸化物の重量比
は、ガラス粉末とＲｕＯ2とに対して０．２〜１．４で
あり、Ａｇ／Ｐｄ粉末は、ガラス粉末と、ＲｕＯ2と、
金属酸化物粉末とに対して重量比で０．０１〜１．０を
含むものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明による実施の形態を
説明する。
説明する。
【００１３】本発明は、サーミスタ特性を有する金属酸
化物と、第１の導電性物質と、第２の導電性物質と、ガ
ラス粉末とを含むペーストであり、このペーストは、図
１に示すように基板１上の第１電極２と、第２電極３間
に厚膜サーミスタ層４として形成され、高温で焼成する
ことによりサンドイッチ型の厚膜サーミスタに加工され
る。
化物と、第１の導電性物質と、第２の導電性物質と、ガ
ラス粉末とを含むペーストであり、このペーストは、図
１に示すように基板１上の第１電極２と、第２電極３間
に厚膜サーミスタ層４として形成され、高温で焼成する
ことによりサンドイッチ型の厚膜サーミスタに加工され
る。
【００１４】本発明において、サーミスタ特性を有する
金属酸化物は、従来より知られた金属酸化物、例えば、
Ｍｎ3Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，ＮｉＯ，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ，ＣａＯ，ＴｉＯ2その他酸化物、炭酸化合物、シュ
ウ酸化合物などの中から少なくとも２種類以上のものが
選ばれる。
金属酸化物は、従来より知られた金属酸化物、例えば、
Ｍｎ3Ｏ4，Ｃｏ3Ｏ4，ＮｉＯ，Ｆｅ2Ｏ3，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ，ＣａＯ，ＴｉＯ2その他酸化物、炭酸化合物、シュ
ウ酸化合物などの中から少なくとも２種類以上のものが
選ばれる。
【００１５】第１の導電性物質は、ＲｕＯ2である。Ｒ
ｕＯ2には、通常の厚膜抵抗体や厚膜サーミスタに用い
られている粒径１μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下
の粉末を用いる。
ｕＯ2には、通常の厚膜抵抗体や厚膜サーミスタに用い
られている粒径１μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下
の粉末を用いる。
【００１６】第２の導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ合金粉、
Ａｇ共沈粉、Ｐｄ被覆のＡｇ粉である。Ａｇ／Ｐｄ合金
粉末の重量比は、９５：５〜３０：７０である。なお、
粒径は、いずれも５μｍ以下が望ましい。
Ａｇ共沈粉、Ｐｄ被覆のＡｇ粉である。Ａｇ／Ｐｄ合金
粉末の重量比は、９５：５〜３０：７０である。なお、
粒径は、いずれも５μｍ以下が望ましい。
【００１７】Ａｇ／Ｐｄ合金粉は、Ａｇ／Ｐｄ合金粉末
であり、Ａｇ／Ｐｄの粉末は、平均粒径が１〜１０μｍ
好ましくは１〜３μｍのものがよい。Ａｇ／Ｐｄ合金の
粉末は均一な合金であるため、焼成時に局部的なＡｇの
溶融、蒸発は生じない。また、印刷、乾燥後の導電粉同
志の接触が安定しているため、焼成された抵抗体の抵抗
値、抵抗温度係数のばらつきが小さく、熱に対する抵抗
値の変化が小さい。
であり、Ａｇ／Ｐｄの粉末は、平均粒径が１〜１０μｍ
好ましくは１〜３μｍのものがよい。Ａｇ／Ｐｄ合金の
粉末は均一な合金であるため、焼成時に局部的なＡｇの
溶融、蒸発は生じない。また、印刷、乾燥後の導電粉同
志の接触が安定しているため、焼成された抵抗体の抵抗
値、抵抗温度係数のばらつきが小さく、熱に対する抵抗
値の変化が小さい。
【００１８】Ａｇ／Ｐｄ共沈粉は、共沈法によって、Ａ
ｇ／Ｐｄを析出させたものである。この共沈粉は、湿式
法によって作られるものであるため、粒径が細かく、焼
結温度が低くても安定した焼結性を示す。そのため、焼
成後の膜内粒子が均一で高温安定性を有している。
ｇ／Ｐｄを析出させたものである。この共沈粉は、湿式
法によって作られるものであるため、粒径が細かく、焼
結温度が低くても安定した焼結性を示す。そのため、焼
成後の膜内粒子が均一で高温安定性を有している。
【００１９】Ｐｄ被覆Ａｇ粉は、粒子形状がほぼ球形
で、平均粒径が０．１〜２μｍの銀粒子の表面が、Ａ
ｇ：Ｐｄの重量比で９５：５〜３０：７０となるように
Ｐｄで被覆されている。本発明において、第１及び第２
の導電性物質にはＣｕ又はその他の化合物を含まない。
で、平均粒径が０．１〜２μｍの銀粒子の表面が、Ａ
ｇ：Ｐｄの重量比で９５：５〜３０：７０となるように
Ｐｄで被覆されている。本発明において、第１及び第２
の導電性物質にはＣｕ又はその他の化合物を含まない。
【００２０】ガラス粉には、通常の厚膜サーミスタなど
に用いられるホウケイ酸鉛系、アルミノホウケイ酸鉛系
等でよく、粒径は１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下
である。
に用いられるホウケイ酸鉛系、アルミノホウケイ酸鉛系
等でよく、粒径は１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下
である。
【００２１】金属酸化物と第１の導電性物質にビビクル
を加えてサーミスタペーストとし、これに第２の導電性
物質ペーストを加えたものを図１、２に示すように、基
板１上の第１電極２と、第２電極３との間に印刷して厚
膜サーミスタ層４を形成し、これを高温で焼成すること
により、サンドイッチ型の厚膜サーミスタに加工する。
なお、ビビクルには、エチルセルロース、メタクリレー
ト等をタービネオール、ブチルカルビトールなどに溶解
したものが使用できる。
を加えてサーミスタペーストとし、これに第２の導電性
物質ペーストを加えたものを図１、２に示すように、基
板１上の第１電極２と、第２電極３との間に印刷して厚
膜サーミスタ層４を形成し、これを高温で焼成すること
により、サンドイッチ型の厚膜サーミスタに加工する。
なお、ビビクルには、エチルセルロース、メタクリレー
ト等をタービネオール、ブチルカルビトールなどに溶解
したものが使用できる。
【００２２】本発明において、Ａｇ：Ｐｄの重量比を９
５：５〜３０：７０とするのは、９５：５よりＰｄが少
ないと、ＮＴＣ特性が小さくなるためであり、３０：７
０よりＰｄが多いとコストが高くなるためである。ガラ
ス粉末に対するＲｕＯ2の重量比を０．０１〜０．１５
にするのは、ＲｕＯ2粉末の量が、０．１５よりも多い
とＮＴＣ特性が小さくなるためである。
５：５〜３０：７０とするのは、９５：５よりＰｄが少
ないと、ＮＴＣ特性が小さくなるためであり、３０：７
０よりＰｄが多いとコストが高くなるためである。ガラ
ス粉末に対するＲｕＯ2の重量比を０．０１〜０．１５
にするのは、ＲｕＯ2粉末の量が、０．１５よりも多い
とＮＴＣ特性が小さくなるためである。
【００２３】金属酸化物の重量比をガラス粉末とＲｕＯ
2に対して０．２〜１．４にするのは、０．２以下だと
サーミスタ特性が得られなくなり、１．４以上だとサー
ミスタ膜が不安定になり、ショートなどの不具合を起こ
すためである。ガラスとＲｕＯ2と金属酸化物とに対す
るＡｇ／Ｐｄの重量比を０．０１〜１．０とするのは、
０．０１よりも少なくすると、膜中に対するＡｇ／Ｐｄ
の分散が十分でなく、不安定になり、１．０よりも多い
と導電バスがＡｇ／Ｐｄだけを通り、ショートモードに
なるためである。
2に対して０．２〜１．４にするのは、０．２以下だと
サーミスタ特性が得られなくなり、１．４以上だとサー
ミスタ膜が不安定になり、ショートなどの不具合を起こ
すためである。ガラスとＲｕＯ2と金属酸化物とに対す
るＡｇ／Ｐｄの重量比を０．０１〜１．０とするのは、
０．０１よりも少なくすると、膜中に対するＡｇ／Ｐｄ
の分散が十分でなく、不安定になり、１．０よりも多い
と導電バスがＡｇ／Ｐｄだけを通り、ショートモードに
なるためである。
【００２４】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。
【００２５】Ｍｎ3Ｏ4、Ｃｏ3Ｏ4，を０．４：０．６の
モル比で混合し、加熱焼成したものを粉砕機にかけて微
粉末とした。この粉末３３ｗｔ％に，ホウケイ酸鉛ガラ
ス３３ｗｔ％と，ＲｕＯ2４％と，有機ビビクルエチル
セルロースのタービネオール溶液３０ｗｔ％とを混合
し、三本ロールミルで混練してサーミスタペーストを調
整した。
モル比で混合し、加熱焼成したものを粉砕機にかけて微
粉末とした。この粉末３３ｗｔ％に，ホウケイ酸鉛ガラ
ス３３ｗｔ％と，ＲｕＯ2４％と，有機ビビクルエチル
セルロースのタービネオール溶液３０ｗｔ％とを混合
し、三本ロールミルで混練してサーミスタペーストを調
整した。
【００２６】又、Ａｇ／Ｐｄ：７０：３０の粉末を用い
て、Ａｇ／Ｐｄ粉末７０ｗｔ％，エチルセルロースを含
んだターピネオール溶液３０ｗｔ％を混合し、これも三
本のロールミルで混練し、Ａｇ／Ｐｄペーストを調整し
た。以上のように調整されたサーミスタペーストとＡｇ
／Ｐｄペーストとを混合し、本発明の組成物である厚膜
サーミスタペーストを得た。得られた厚膜サーミスタペ
ーストを図１、２に示すように、基板１上の第１電極２
と、第２電極３との間に印刷した。
て、Ａｇ／Ｐｄ粉末７０ｗｔ％，エチルセルロースを含
んだターピネオール溶液３０ｗｔ％を混合し、これも三
本のロールミルで混練し、Ａｇ／Ｐｄペーストを調整し
た。以上のように調整されたサーミスタペーストとＡｇ
／Ｐｄペーストとを混合し、本発明の組成物である厚膜
サーミスタペーストを得た。得られた厚膜サーミスタペ
ーストを図１、２に示すように、基板１上の第１電極２
と、第２電極３との間に印刷した。
【００２７】第１電極２と第２電極３との対向面積は
１．０ｍｍ2、ペーストの厚さは、焼成後、２０μｍと
なるような厚みに塗布した。厚膜サーミスタペーストを
印刷後、８５０℃で５分間焼成し、サンドイッチ型の厚
膜サーミスタを得た。
１．０ｍｍ2、ペーストの厚さは、焼成後、２０μｍと
なるような厚みに塗布した。厚膜サーミスタペーストを
印刷後、８５０℃で５分間焼成し、サンドイッチ型の厚
膜サーミスタを得た。
【００２８】得られた厚膜サーミスタ試料１〜６につい
て、の抵抗値、Ｂ定数、１２５℃，１０００時間での抵
抗変化率を表１に示す。
て、の抵抗値、Ｂ定数、１２５℃，１０００時間での抵
抗変化率を表１に示す。
【００２９】
【表１】 ────────────────────────────────── 試料 サーミスタ Ａｇ／Ｐｄ ＣｕＯ Ｒ25 Ｂ25／50 １２５℃ ペースト ペースト ペースト (Ω/1mm2 （Ｋ） １０００ ・20μm) ｈｒ（％） ────────────────────────────────── １ １００ ０ ０ ３８０ ３６１０ ２．１ ２ １００ ０ ５ １７８ ３２２０ １３．８ ３ １００ １０ ０ ２１３ ３６８０ ２．８ ４ １００ ２０ ０ １４１ ３６６０ ２．６ ５ １００ ３０ ０ ７１ ３５４０ ３．０ ６ １００ ４０ ０ ４．８ １２３０ ３．２ ──────────────────────────────────
【００３０】表１において、試料１は、サーミスタペー
ストのみでＡｇ／Ｐｄペーストを加えない比較例、試料
２は、Ａｇ／Ｐｄペーストに代えてＣｕＯペーストを加
えた比較例である。なおＣｕＯペーストは、ＣｕＯ７０
ｗｔ％に対し、ビヒクルを３０ｗｔ％添加したものであ
る。試料３〜６は、いずれもサーミスタペーストとＡｇ
／Ｐｄペーストとを加えた本発明の実施例である。Ａｇ
／Ｐｄペーストの添加量が増えるにしたがって、Ｒ25，
Ｂ25定数は共に低下する傾向にあるが、Ａｇ／Ｐｄペー
ストの添加量が１０〜３０ｗｔ％の範囲ではＢ25定数は
３５００〜３６００の範囲で安定し、また、１２５℃，
１０００時間での抵抗変化率は、２．６〜３．２の範囲
内で安定していることがわかる。
ストのみでＡｇ／Ｐｄペーストを加えない比較例、試料
２は、Ａｇ／Ｐｄペーストに代えてＣｕＯペーストを加
えた比較例である。なおＣｕＯペーストは、ＣｕＯ７０
ｗｔ％に対し、ビヒクルを３０ｗｔ％添加したものであ
る。試料３〜６は、いずれもサーミスタペーストとＡｇ
／Ｐｄペーストとを加えた本発明の実施例である。Ａｇ
／Ｐｄペーストの添加量が増えるにしたがって、Ｒ25，
Ｂ25定数は共に低下する傾向にあるが、Ａｇ／Ｐｄペー
ストの添加量が１０〜３０ｗｔ％の範囲ではＢ25定数は
３５００〜３６００の範囲で安定し、また、１２５℃，
１０００時間での抵抗変化率は、２．６〜３．２の範囲
内で安定していることがわかる。
【００３１】これに対し、Ａｇ／Ｐｄペーストを添加し
ない試料１ではＲ25の値が極端に大きくなり、ＣｕＯペ
ーストを添加した試料２では、Ｒ25の値は小さくなるも
のの、２５℃，１０００時間での抵抗変化率が極端に低
下した。試料２では、ＣｕＯペーストを僅か５ｗｔ％添
加したにすぎないものであるにもかかわらず、２５℃，
１０００時間での抵抗値が、１３．８％に達しているの
が特徴的である。
ない試料１ではＲ25の値が極端に大きくなり、ＣｕＯペ
ーストを添加した試料２では、Ｒ25の値は小さくなるも
のの、２５℃，１０００時間での抵抗変化率が極端に低
下した。試料２では、ＣｕＯペーストを僅か５ｗｔ％添
加したにすぎないものであるにもかかわらず、２５℃，
１０００時間での抵抗値が、１３．８％に達しているの
が特徴的である。
【００３２】表２は、表１の試料１〜６について、１２
５℃，１００時間での抵抗変化率を測定した例である。
５℃，１００時間での抵抗変化率を測定した例である。
【００３３】
【表２】 ─────────────────────────────── 試料 Ａｇ／Ｐｄペースト ＣｕＯペースト １２５℃１００ｈｒ％ ─────────────────────────────── １ ０ ０ １．６ ２ ０ ５ １４．６ ３ １０ ０ ２．０ ４ ２０ ０ ３．６ ５ ３０ ０ ４．２ ６ ４０ ０ ０．４ ７ ０ １０ １８ ───────────────────────────────
【００３４】表２に明らかなとおり、試料２は、１２５
℃，１００時間において、すでに他の試料に比べて極端
に高い抵抗変化率を示している。なお、表２において、
試料７は、Ａｇ／Ｐｄペーストに代えてＣｕＯペースト
を加え、しかもその添加量を１０ｗｔ％とした例であ
る。試料２のデータと比較してＣｕＯペーストの添加量
が増すにしたがって、抵抗変化率が大幅に増大すること
が分かる。ちなみに試料７のＲ25は７９Ω，Ｂ25／50は
２９４０Ｋであった。
℃，１００時間において、すでに他の試料に比べて極端
に高い抵抗変化率を示している。なお、表２において、
試料７は、Ａｇ／Ｐｄペーストに代えてＣｕＯペースト
を加え、しかもその添加量を１０ｗｔ％とした例であ
る。試料２のデータと比較してＣｕＯペーストの添加量
が増すにしたがって、抵抗変化率が大幅に増大すること
が分かる。ちなみに試料７のＲ25は７９Ω，Ｂ25／50は
２９４０Ｋであった。
【００３５】その理由は、必ずしも明かではないが、お
そらく、ＣｕＯの酸化が進行したことによるものではな
いかと思われる。
そらく、ＣｕＯの酸化が進行したことによるものではな
いかと思われる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、金属酸
化物と、第１導電性物質と、第２導電性物質と、ガラス
粉末とを含み、特に第２導電性物質にＡｇ／Ｐｄ粉末を
選定して、今までに得られなかった領域の低抵抗で、Ｂ
定数が３０００Ｋ以上の高い値を保ち、熱安定性に優れ
た厚膜サーミスタを提供できる効果を有する。
化物と、第１導電性物質と、第２導電性物質と、ガラス
粉末とを含み、特に第２導電性物質にＡｇ／Ｐｄ粉末を
選定して、今までに得られなかった領域の低抵抗で、Ｂ
定数が３０００Ｋ以上の高い値を保ち、熱安定性に優れ
た厚膜サーミスタを提供できる効果を有する。
【図１】本発明の厚膜サーミスタ組成物を用いて形成さ
れた厚膜サーミスタの平面図である。
れた厚膜サーミスタの平面図である。
【図２】同上Ａ−Ａ線縦断面図である。
１ 基板 ２ 第１電極 ３ 第２電極 ４ 厚膜サーミスタ層
Claims (4)
- 【請求項１】 金属酸化物と、第１導電性物質と、第２
導電性物質と、ガラス粉末とを含む厚膜サーミスタ組成
物であって、 金属酸化物は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ、Ｃｕな
どのうちから選ばれた少なくとも２種類の元素を含んだ
サーミスタ特性を有する複合酸化物であり、第１導電性
物質は、ＲｕＯ2であり、 第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ粉末であることを特徴と
する厚膜サーミスタ組成物。 - 【請求項２】 すくなくとも第１導電性物質と、第２導
電性物質とは、Ｃｕを含まないことを特徴とする請求項
１に記載の厚膜サーミスタ組成物。 - 【請求項３】 第２導電性物質は、Ａｇ／Ｐｄ合金粉、
Ａｇ／Ｐｄ共沈粉又はＰｄ被覆Ａｇ粉であることを特徴
とする請求項１または２に記載の厚膜サーミスタ組成
物。 - 【請求項４】 Ａｇ／Ｐｄの重量比は９５：５〜３０：
７０であり、ガラス粉末に対するＲｕＯ2の重量比は、
０．０１〜０．１５であり、金属酸化物の重量比は、ガ
ラス粉末とＲｕＯ2とに対して０．２〜１．４であり、
Ａｇ／Ｐｄ粉末は、ガラス粉末と、ＲｕＯ2と、金属酸
化物粉末とに対して重量比で０．０１〜１．０を含むも
のであることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の
厚膜サーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011997A JP4042003B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | サンドウィッチ型厚膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30011997A JP4042003B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | サンドウィッチ型厚膜サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135303A true JPH11135303A (ja) | 1999-05-21 |
| JP4042003B2 JP4042003B2 (ja) | 2008-02-06 |
Family
ID=17880960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30011997A Expired - Lifetime JP4042003B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | サンドウィッチ型厚膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4042003B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217102A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | 負特性サーミスタペースト、負特性サーミスタ膜および負特性サーミスタ部品 |
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| CN104157383A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-11-19 | 句容市博远电子有限公司 | 一种添加分子银的热敏电阻 |
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| CN114853448A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-08-05 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP30011997A patent/JP4042003B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4042003B2 (ja) | 2008-02-06 |
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