JPH11135390A - Ｉｄが印字されているウェーハ、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置 - Google Patents
Ｉｄが印字されているウェーハ、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置Info
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- JPH11135390A JPH11135390A JP9294436A JP29443697A JPH11135390A JP H11135390 A JPH11135390 A JP H11135390A JP 9294436 A JP9294436 A JP 9294436A JP 29443697 A JP29443697 A JP 29443697A JP H11135390 A JPH11135390 A JP H11135390A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体デバイス製造のウェーハ工程におけるウ
ェーハの正確な読み取りと位置合わせを行うようにし
て、円滑なプロセス処理を可能にするウェーハ、該ウェ
ーハの製造方法、および該ウェーハの製造装置を提供す
る。 【解決手段】ウェーハの裏面および／または側面にＩＤ
が印字されているウェーハ、ウェーハに対して、処理装
置により、所定の相対的な位置関係でもって、所定の処
理を行う半導体デバイスの製造方法であって、ウェーハ
の裏面または側面にＩＤを印字する工程と、前記ＩＤを
読み取り、前記ウェーハの位置を検出する工程と、該検
出結果に基づいて、ウェーハを処理装置と相対的な位置
関係を保つように調整する工程とを有する半導体デバイ
スの製造方法、および該半導体デバイスの製造装置。
ェーハの正確な読み取りと位置合わせを行うようにし
て、円滑なプロセス処理を可能にするウェーハ、該ウェ
ーハの製造方法、および該ウェーハの製造装置を提供す
る。 【解決手段】ウェーハの裏面および／または側面にＩＤ
が印字されているウェーハ、ウェーハに対して、処理装
置により、所定の相対的な位置関係でもって、所定の処
理を行う半導体デバイスの製造方法であって、ウェーハ
の裏面または側面にＩＤを印字する工程と、前記ＩＤを
読み取り、前記ウェーハの位置を検出する工程と、該検
出結果に基づいて、ウェーハを処理装置と相対的な位置
関係を保つように調整する工程とを有する半導体デバイ
スの製造方法、および該半導体デバイスの製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、裏面および／また
は側面にＩＤを印字したウェーハ、該ウェーハを用いる
半導体デバイスの製造方法、および該半導体デバイスの
製造装置に関する。
は側面にＩＤを印字したウェーハ、該ウェーハを用いる
半導体デバイスの製造方法、および該半導体デバイスの
製造装置に関する。
【０００２】
【従来技術】ウェーハの加工工程は多数の工程からな
り、この工程を通過していくウェーハを管理するため
に、従来からウェーハ上に文字などを印字する方法が広
く用いられている。
り、この工程を通過していくウェーハを管理するため
に、従来からウェーハ上に文字などを印字する方法が広
く用いられている。
【０００３】特に近年のウェーハサイズは、その付加価
値を高めるために急激に大きくなり、ウェーハ工程管理
もロット単位から、ウェーハ１枚づつの工程管理、しか
もコンピュータによる管理が検討され、実現化されてい
る。
値を高めるために急激に大きくなり、ウェーハ工程管理
もロット単位から、ウェーハ１枚づつの工程管理、しか
もコンピュータによる管理が検討され、実現化されてい
る。
【０００４】本発明に関連する技術として、ダイヤモン
ドカッターで印字する方法、特開昭５５−４１７２６号
公報には、半導体ウェハの一面に、レーザー光を集光照
射して、英数字等を書き込むレーザー印字方法や、特開
平２−１３２８１６号公報には、半導体ウェハ上に、イ
オンビームを用いて印字する方法が記載されている。
ドカッターで印字する方法、特開昭５５−４１７２６号
公報には、半導体ウェハの一面に、レーザー光を集光照
射して、英数字等を書き込むレーザー印字方法や、特開
平２−１３２８１６号公報には、半導体ウェハ上に、イ
オンビームを用いて印字する方法が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来の方法は、ウェーハ表面に文字などを印字する技術
であるため、ダイヤモンドカッターによる場合はもちろ
ん、レーザービームを用いる場合でさえも、ウェーハ表
面を物理的に破壊するために、その破片などでその表裏
面、ひいてはウエーハ工程装置内を汚染し、半導体製品
の歩留りを著しく低下させるという問題点があった。
従来の方法は、ウェーハ表面に文字などを印字する技術
であるため、ダイヤモンドカッターによる場合はもちろ
ん、レーザービームを用いる場合でさえも、ウェーハ表
面を物理的に破壊するために、その破片などでその表裏
面、ひいてはウエーハ工程装置内を汚染し、半導体製品
の歩留りを著しく低下させるという問題点があった。
【０００６】しかも、従来の方法では印字するのは主に
文字・記号等であり、人間の目では簡単に認識できる
が、コンピュータを使用した搬送システム上で認識させ
るには、ＯＣＲソフトを通して認識させねばならず、半
導体製造プロセス上で形成する膜のむら等によって、ち
ょっとした文字のくもり等が発生した際には、読み取り
エラーが発生し、その際には人間の目視確認が必要とな
っており、作業効率の低下を招いていた。
文字・記号等であり、人間の目では簡単に認識できる
が、コンピュータを使用した搬送システム上で認識させ
るには、ＯＣＲソフトを通して認識させねばならず、半
導体製造プロセス上で形成する膜のむら等によって、ち
ょっとした文字のくもり等が発生した際には、読み取り
エラーが発生し、その際には人間の目視確認が必要とな
っており、作業効率の低下を招いていた。
【０００７】さらに、文字・記号だけでは、ウェーハの
正確な位置までは認識できないため、位置出しの為に
は、オリエンテーションフラット部やノッチ部を用いた
機械的な制御を行っていた。その為、機械的なストレス
によるウェーハ周辺部の欠けが発生する場合があり、重
大な問題となっていた。
正確な位置までは認識できないため、位置出しの為に
は、オリエンテーションフラット部やノッチ部を用いた
機械的な制御を行っていた。その為、機械的なストレス
によるウェーハ周辺部の欠けが発生する場合があり、重
大な問題となっていた。
【０００８】従って、本発明は、従来のウェーハ工程に
発生する欠点を除去し、ウェーハの正確な読み取り、位
置合わせを行うことができるようにして、円滑なプロセ
ス処理を可能とする特定の位置にＩＤが印字されたウェ
ーハ、該ウェーハを用いる半導体デバイスの製造方法、
および該半導体デバイスの製造装置を提供することを目
的とする。
発生する欠点を除去し、ウェーハの正確な読み取り、位
置合わせを行うことができるようにして、円滑なプロセ
ス処理を可能とする特定の位置にＩＤが印字されたウェ
ーハ、該ウェーハを用いる半導体デバイスの製造方法、
および該半導体デバイスの製造装置を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成すべく、ウェーハ裏面又は側面にウェーハの裏面また
は側面にＩＤが印字されているウェーハを提供する。
成すべく、ウェーハ裏面又は側面にウェーハの裏面また
は側面にＩＤが印字されているウェーハを提供する。
【００１０】前記ＩＤは、文字、記号またはバーコード
等の識別標識であれば、特に制限はないが、バーコード
を印字した場合には、ＯＣＲソフトを使用することな
く、読み取りセンサー等を使用して、ウェーハの位置を
簡便、かつ正確に認識することができるので好ましい。
等の識別標識であれば、特に制限はないが、バーコード
を印字した場合には、ＯＣＲソフトを使用することな
く、読み取りセンサー等を使用して、ウェーハの位置を
簡便、かつ正確に認識することができるので好ましい。
【００１１】本発明によれば、ＩＤはウェーハの裏面ま
たは側面に印字されているので、従来問題となってい
た、ウェーハ表面を物理的に破壊することもないし、破
壊破片等で、ウェーハの表面等を汚染することもなく、
半導体製品の歩留りを低下させることもない。また、ウ
ェーハの正確な位置を認識することができるので、位置
出しの際の機械的な制御を最小限ですますことができ
る。従って、機械的なストレスを最小限に抑えることが
でき、機械的なストレスによるウェーハ周辺部の破損が
発生することもない。
たは側面に印字されているので、従来問題となってい
た、ウェーハ表面を物理的に破壊することもないし、破
壊破片等で、ウェーハの表面等を汚染することもなく、
半導体製品の歩留りを低下させることもない。また、ウ
ェーハの正確な位置を認識することができるので、位置
出しの際の機械的な制御を最小限ですますことができ
る。従って、機械的なストレスを最小限に抑えることが
でき、機械的なストレスによるウェーハ周辺部の破損が
発生することもない。
【００１２】さらにまた、ウェーハの裏面と側面の両方
にＩＤを印字しておくことにより、何らかの理由によ
り、どちらかのＩＤを読み取りが困難となった場合であ
っても、残る片方のＩＤを再認識することができる。
にＩＤを印字しておくことにより、何らかの理由によ
り、どちらかのＩＤを読み取りが困難となった場合であ
っても、残る片方のＩＤを再認識することができる。
【００１３】また、本発明は、ウェーハの裏面または側
面にレーザー光を集光照射、または、イオンビームを照
射して、ウェーハの裏面または側面にＩＤを表記するウ
ェーハのＩＤ印字方法を提供する。
面にレーザー光を集光照射、または、イオンビームを照
射して、ウェーハの裏面または側面にＩＤを表記するウ
ェーハのＩＤ印字方法を提供する。
【００１４】本発明において、ウェーハの裏面若しくは
側面、または裏面と側面の両方にＩＤを印字する方法と
しては、例えば、ウェーハの裏面または側面にレーザー
ビームを照射する方法、あるいは、イオンビームを照射
する方法がある。レーザービームによる方法は、レーザ
ー光をウェーハの裏面または側面に照射して基板を直接
削り、ＩＤ認識様の文字、記号、バーコードを印字する
ものである。レーザーを照射する位置は、ウェーハの裏
面または側面であれば特に制限はないが、複数のＩＤを
印字する場合には、次に、ＩＤ読み取りセンサーによっ
て、複数のＩＤを読み取り、その結果からウェーハの相
対的位置を検出しやすくなるので、等間隔に位置するよ
うに印字するのが好ましい。
側面、または裏面と側面の両方にＩＤを印字する方法と
しては、例えば、ウェーハの裏面または側面にレーザー
ビームを照射する方法、あるいは、イオンビームを照射
する方法がある。レーザービームによる方法は、レーザ
ー光をウェーハの裏面または側面に照射して基板を直接
削り、ＩＤ認識様の文字、記号、バーコードを印字する
ものである。レーザーを照射する位置は、ウェーハの裏
面または側面であれば特に制限はないが、複数のＩＤを
印字する場合には、次に、ＩＤ読み取りセンサーによっ
て、複数のＩＤを読み取り、その結果からウェーハの相
対的位置を検出しやすくなるので、等間隔に位置するよ
うに印字するのが好ましい。
【００１５】イオンビームによる場合は、例えば、予め
ウェーハの裏面または側面中に、ガリウム、ゲルマニウ
ム、金等のイオン注入領域を形成しておき、細く絞った
収束イオンビームをイオン注入領域に照射する。イオン
種は、数μｍの深さまでイオン注入される。この要領で
ミオンビームを走査させることにより、文字、記号、バ
ーコード等を描くことができる。そして、例えば、電子
顕微鏡にＸ線検出器を備えたインラインＳＥＭ（走査型
電子顕微鏡）を用い、電子顕微鏡からの電子ビームを印
字部分に照射すれば、印字元素の特性Ｘ線が放出され、
それをＸ線検出器を用いて画像化することにより、印字
を読み取ることができる。
ウェーハの裏面または側面中に、ガリウム、ゲルマニウ
ム、金等のイオン注入領域を形成しておき、細く絞った
収束イオンビームをイオン注入領域に照射する。イオン
種は、数μｍの深さまでイオン注入される。この要領で
ミオンビームを走査させることにより、文字、記号、バ
ーコード等を描くことができる。そして、例えば、電子
顕微鏡にＸ線検出器を備えたインラインＳＥＭ（走査型
電子顕微鏡）を用い、電子顕微鏡からの電子ビームを印
字部分に照射すれば、印字元素の特性Ｘ線が放出され、
それをＸ線検出器を用いて画像化することにより、印字
を読み取ることができる。
【００１６】また、本発明は、ウェーハに対して、所定
の処理装置により、所定の相対的な位置関係でもって、
所定の処理を行う半導体デバイスの製造方法であって、
ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字する工程と、前
記ＩＤを読み取り、前記ウェーハの位置を検出する工程
と、該検出結果に基づいて、ウェーハを処理装置と相対
的な位置関係を保つように調整する工程とを有する半導
体デバイスの製造方法である。
の処理装置により、所定の相対的な位置関係でもって、
所定の処理を行う半導体デバイスの製造方法であって、
ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字する工程と、前
記ＩＤを読み取り、前記ウェーハの位置を検出する工程
と、該検出結果に基づいて、ウェーハを処理装置と相対
的な位置関係を保つように調整する工程とを有する半導
体デバイスの製造方法である。
【００１７】前記ウェーハの相対的位置は、例えば、前
記ウェーハの裏面に印字された複数のバーコードを、バ
ーコード読み取りセンサーによって、バーコードを読み
取ることによって、その相対的位置を検出することがで
きる。ウェーハの相対的位置は、ウェーハの角度と上
下、左右の方向位置によって決めることができる。
記ウェーハの裏面に印字された複数のバーコードを、バ
ーコード読み取りセンサーによって、バーコードを読み
取ることによって、その相対的位置を検出することがで
きる。ウェーハの相対的位置は、ウェーハの角度と上
下、左右の方向位置によって決めることができる。
【００１８】前記ウェーハを処理装置と相対的な位置関
係は、例えば、前記ウェーハの裏面に印字された複数の
バーコードを、複数のバーコード読み取りセンサーによ
って、バーコードを読み取り、前記複数の読み取りセン
サーの出力信号のずれがなくなるように前記ウェーハを
移動させることにより、調整することができる。
係は、例えば、前記ウェーハの裏面に印字された複数の
バーコードを、複数のバーコード読み取りセンサーによ
って、バーコードを読み取り、前記複数の読み取りセン
サーの出力信号のずれがなくなるように前記ウェーハを
移動させることにより、調整することができる。
【００１９】また、前記ウェーハの裏面に印字されたバ
ーコードを、バーコード読み取りセンサーによって、バ
ーコードを読み取り、該読み取りセンサーの出力信号
と、予め装置内部で作成した内部基準信号とのずれがな
くなるように、前記ウェーハを移動させることによって
も、調整することができる。本発明においては、上記二
つの調整方法を組み合わせるのが、より正確にウェーハ
の位置を調整することができるので好ましい。
ーコードを、バーコード読み取りセンサーによって、バ
ーコードを読み取り、該読み取りセンサーの出力信号
と、予め装置内部で作成した内部基準信号とのずれがな
くなるように、前記ウェーハを移動させることによって
も、調整することができる。本発明においては、上記二
つの調整方法を組み合わせるのが、より正確にウェーハ
の位置を調整することができるので好ましい。
【００２０】また、本発明は、ウェーハに対して、所定
の処理装置により、所定の相対的な位置関係でもって、
所定の処理を行う半導体デバイスの製造装置であって、
ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字する手段と、前
記ＩＤを読み取り、前記ウェーハの相対的位置を検出す
る手段と、該検出結果に基づいて、ウェーハを処理装置
と相対的な位置関係を保つように調整する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置を提供する。
の処理装置により、所定の相対的な位置関係でもって、
所定の処理を行う半導体デバイスの製造装置であって、
ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字する手段と、前
記ＩＤを読み取り、前記ウェーハの相対的位置を検出す
る手段と、該検出結果に基づいて、ウェーハを処理装置
と相対的な位置関係を保つように調整する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置を提供する。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照にしながら詳細に説明する。
参照にしながら詳細に説明する。
【００２２】第１実施形態 図１に、本発明の、裏面にＩＤを印字したウェーハ（Ｏ
Ｆ式基板、ノッチ式基板）を示す。本実施形態では、Ｉ
Ｄとして、１か所にバーコードを印字した例である。こ
のバーコードは平行線の集まりであるので、該平行線か
らの平行度を読み取ることにより、ウェーハの位置を正
確に読み取ることができるようにしたものである。
Ｆ式基板、ノッチ式基板）を示す。本実施形態では、Ｉ
Ｄとして、１か所にバーコードを印字した例である。こ
のバーコードは平行線の集まりであるので、該平行線か
らの平行度を読み取ることにより、ウェーハの位置を正
確に読み取ることができるようにしたものである。
【００２３】第２実施形態 図２に、対向する部分（すなわち、オリエンテーション
フラットやノッチとその反対側）に、さらにＩＤ（バー
コード）を印字したウェーハ（ＯＦ式基板、ノッチ式基
板）を示す。バーコードの平行線からのウェーハの位置
の認識が難しい場合に、対向する部分（すなわち、オリ
エンテーションフラットやノッチとその反対側）に、さ
らにバーコードを印字することにより、より正確に位置
検出が可能となるようにしたものである。
フラットやノッチとその反対側）に、さらにＩＤ（バー
コード）を印字したウェーハ（ＯＦ式基板、ノッチ式基
板）を示す。バーコードの平行線からのウェーハの位置
の認識が難しい場合に、対向する部分（すなわち、オリ
エンテーションフラットやノッチとその反対側）に、さ
らにバーコードを印字することにより、より正確に位置
検出が可能となるようにしたものである。
【００２４】第３実施形態 図３に、直交するようにＩＤ（バーコード）を印字した
ウェーハ（ＯＦ式基板、ノッチ式基板）を示す。直交す
るようにバーコードを印字して、ウェーハの位置をさら
に正確に検出することができるようにしたものである。
ウェーハ（ＯＦ式基板、ノッチ式基板）を示す。直交す
るようにバーコードを印字して、ウェーハの位置をさら
に正確に検出することができるようにしたものである。
【００２５】第４実施形態 図４に、裏面および側面にバーコードを印字したウェー
ハ（ＯＦ式基板、ノッチ式基板）を示す。何らかの理由
により、どちらかのＩＤの判読が困難になった場合に
は、のこる一方のＩＤ（側面部か裏面部のＩＤ）を読み
取ることができる。これにより、ＩＤの読み取りが困難
であるという理由で不良とされるウェーハの発生を最小
限に抑えることができる。
ハ（ＯＦ式基板、ノッチ式基板）を示す。何らかの理由
により、どちらかのＩＤの判読が困難になった場合に
は、のこる一方のＩＤ（側面部か裏面部のＩＤ）を読み
取ることができる。これにより、ＩＤの読み取りが困難
であるという理由で不良とされるウェーハの発生を最小
限に抑えることができる。
【００２６】第５実施形態 図５に、本発明のウェーハの相対的位置を検出する方法
の概要を示す。
の概要を示す。
【００２７】図５に示すウェーハ１は、裏面のオリエン
テーションフラット部分２、オリエンテーションフラッ
ト部分に対向する位置３、およびそれらと９０度回転し
た部分４にバーコードをそれぞれ印字した例である。図
中に示すように、オリエンテーションフラット部分２
とオリエンテーションフラットと対向する位置３に印字
されたそれぞれのバーコードの平行線を、それぞれバー
コード読み出しセンサーにより読み取り、その平行線の
ずれから、ウェーハの回転角度を検出することができ
る。
テーションフラット部分２、オリエンテーションフラッ
ト部分に対向する位置３、およびそれらと９０度回転し
た部分４にバーコードをそれぞれ印字した例である。図
中に示すように、オリエンテーションフラット部分２
とオリエンテーションフラットと対向する位置３に印字
されたそれぞれのバーコードの平行線を、それぞれバー
コード読み出しセンサーにより読み取り、その平行線の
ずれから、ウェーハの回転角度を検出することができ
る。
【００２８】また、図中に示すように、バーコード４
をバーコード読み取りセンサーにより読み取り、内分基
準の出力波形と、読み取った結果の出力波形との相違か
ら、ウェーハの位置ずれを検出することができる。
をバーコード読み取りセンサーにより読み取り、内分基
準の出力波形と、読み取った結果の出力波形との相違か
ら、ウェーハの位置ずれを検出することができる。
【００２９】より具体的には、図６および図７に示すよ
うに、先ず、バーコード読み取りセンサーＡにより、バ
ーコードａのチェックデジットコードを読み取り、バー
コード読み取りセンサーＢにより、バーコードｂのチェ
ックデジットコードを読み取る。次いで、図８に示すよ
うに、バーコードセンサーＡの出力波形と、バーコード
センサーＢの出力波形とを比較して、もし読み取り時間
に差が生じるのであれば、ウェーハの角度が所定角度か
らずれていると認識する。そして、前記読み取り時間の
ずれが無くなるように、ウェーハの角度を回転させるこ
とにより、ウェーハを所定の位置に調整することができ
る。
うに、先ず、バーコード読み取りセンサーＡにより、バ
ーコードａのチェックデジットコードを読み取り、バー
コード読み取りセンサーＢにより、バーコードｂのチェ
ックデジットコードを読み取る。次いで、図８に示すよ
うに、バーコードセンサーＡの出力波形と、バーコード
センサーＢの出力波形とを比較して、もし読み取り時間
に差が生じるのであれば、ウェーハの角度が所定角度か
らずれていると認識する。そして、前記読み取り時間の
ずれが無くなるように、ウェーハの角度を回転させるこ
とにより、ウェーハを所定の位置に調整することができ
る。
【００３０】次に、図９および図１０に示すように、ウ
ェーハのバーコードｃに対向する位置に設けられたバー
コード読み取りセンサーＣにより、バーコードｃの平行
線を読み取る。バーコード読み取りセンサーＣには、予
め予定の内部基準信号がインプットされており、もし、
図１１に示すように、該内部基準信号の波形とバーコー
ド読み取りセンサーＣの出力波形との読み取り時間に差
が生じるのであれば、ウェーハは所定の位置からずれて
いると認識する。そして、ウェーハを、前記読み取り時
間の差が無くなるように、ウェーハを上下、左右に移動
させることにより、ウェーハを所定の位置に調整するこ
とができる。
ェーハのバーコードｃに対向する位置に設けられたバー
コード読み取りセンサーＣにより、バーコードｃの平行
線を読み取る。バーコード読み取りセンサーＣには、予
め予定の内部基準信号がインプットされており、もし、
図１１に示すように、該内部基準信号の波形とバーコー
ド読み取りセンサーＣの出力波形との読み取り時間に差
が生じるのであれば、ウェーハは所定の位置からずれて
いると認識する。そして、ウェーハを、前記読み取り時
間の差が無くなるように、ウェーハを上下、左右に移動
させることにより、ウェーハを所定の位置に調整するこ
とができる。
【００３１】本実施形態によれば、ウェーハの裏面の２
か所以上に、バーコードを印字することにより、ウェー
ハナンバーを読み取ると同時に、所定位置からのウェー
ハの角度および上下、左右の位置ずれを、ウェーハに対
し非接触で正確に検出することができる。さらに、ウェ
ーハの所定の位置への移動が最小限の操作で行うことが
可能となるため、ウェーハの移動時にかかる機械的スト
レスを低減することができるので、ウェーハに欠陥を生
じることもなくなる。
か所以上に、バーコードを印字することにより、ウェー
ハナンバーを読み取ると同時に、所定位置からのウェー
ハの角度および上下、左右の位置ずれを、ウェーハに対
し非接触で正確に検出することができる。さらに、ウェ
ーハの所定の位置への移動が最小限の操作で行うことが
可能となるため、ウェーハの移動時にかかる機械的スト
レスを低減することができるので、ウェーハに欠陥を生
じることもなくなる。
【００３２】第６実施形態 図１２に、本発明の製造装置の一部である、レーザー印
字装置の概略図を示す。この印字装置は、レーザー発振
器５、ビームリレー光学系６、ビームエキスパンダ光学
系７、Ｘ軸およびＹ軸ガルバノメータ８，１０、スキャ
ンミラー９およびｆθレンズ１１からなっている。レー
ザー発振器５から出射されたレーザーは、ビームリレー
光学系６で光軸調整され、ビームエキスパンダ光学系７
で焦点位置調整される。レーザービームは２次元的に移
動できるよう、Ｘ軸とＹ軸それぞれに対してガルバノメ
ータ８，１０で制御されたスキャンミラー１０によりポ
ジショニングされ、ｆθレンズ１１により集光し、ウェ
ーハ１の基板側面および裏面を照射する。レーザー光の
吸収により、照射部分の基板温度が光上昇し、溶融また
は蒸発により基板が削られる。
字装置の概略図を示す。この印字装置は、レーザー発振
器５、ビームリレー光学系６、ビームエキスパンダ光学
系７、Ｘ軸およびＹ軸ガルバノメータ８，１０、スキャ
ンミラー９およびｆθレンズ１１からなっている。レー
ザー発振器５から出射されたレーザーは、ビームリレー
光学系６で光軸調整され、ビームエキスパンダ光学系７
で焦点位置調整される。レーザービームは２次元的に移
動できるよう、Ｘ軸とＹ軸それぞれに対してガルバノメ
ータ８，１０で制御されたスキャンミラー１０によりポ
ジショニングされ、ｆθレンズ１１により集光し、ウェ
ーハ１の基板側面および裏面を照射する。レーザー光の
吸収により、照射部分の基板温度が光上昇し、溶融また
は蒸発により基板が削られる。
【００３３】例えば、レーザー照射は、数１０μｍ径に
収束させたレーザービームを照射、ウェーハの側面をド
ット状に削る。あるいは、ウェーハ裏面をレーザービー
ムをスキャンさせてストライプ状に削り、ＩＤ認識用の
バーコードを印字することができる。削る深さは、通常
数μｍから数１０μｍである。
収束させたレーザービームを照射、ウェーハの側面をド
ット状に削る。あるいは、ウェーハ裏面をレーザービー
ムをスキャンさせてストライプ状に削り、ＩＤ認識用の
バーコードを印字することができる。削る深さは、通常
数μｍから数１０μｍである。
【００３４】図１３に、ドット状に印字した例を示す。
１文字を６３０μｍ×３５０μｍの範囲に印字する。隣
の文字とは２７０μｍ以上離れており、１文字は縦１８
ドット×横１０ドットのドットマトリクスで表現されて
いる。ドット径は２０μｍである。
１文字を６３０μｍ×３５０μｍの範囲に印字する。隣
の文字とは２７０μｍ以上離れており、１文字は縦１８
ドット×横１０ドットのドットマトリクスで表現されて
いる。ドット径は２０μｍである。
【００３５】本実施形態によれば、レーザー光によりウ
ェーハの裏面または側面を印字するものであるため、所
定の位置に精密な印字を施すことが可能となり、また、
印字により生じるバリやスラグが、ウェーハ表面に残存
し、汚染することが少ない。
ェーハの裏面または側面を印字するものであるため、所
定の位置に精密な印字を施すことが可能となり、また、
印字により生じるバリやスラグが、ウェーハ表面に残存
し、汚染することが少ない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
（１）ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字すること
により、ＩＤの印字の読み取りエラーを最小限に抑える
ことができる。すなわち、従来は、ウェーハ表面にＩＤ
をレーザー光等により印字していたが、半導体製造プロ
セス上で形成する膜のむら等によって、ちょっとしたＩ
Ｄのくもり等が発生した場合には、読み取りエラーが発
生し、その際には人間の目視確認が必要であった。本発
明によれば、ＩＤがウェーハの裏面または側面に印字さ
れるため、半導体製造プロセス上で形成する膜のむら等
によるＩＤのくもり等に起因する読み取りエラーは無く
なる。
（１）ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字すること
により、ＩＤの印字の読み取りエラーを最小限に抑える
ことができる。すなわち、従来は、ウェーハ表面にＩＤ
をレーザー光等により印字していたが、半導体製造プロ
セス上で形成する膜のむら等によって、ちょっとしたＩ
Ｄのくもり等が発生した場合には、読み取りエラーが発
生し、その際には人間の目視確認が必要であった。本発
明によれば、ＩＤがウェーハの裏面または側面に印字さ
れるため、半導体製造プロセス上で形成する膜のむら等
によるＩＤのくもり等に起因する読み取りエラーは無く
なる。
【００３７】（２）また、ウェーハの裏面および側面に
ＩＤを印字した場合には、何らかの理由により、どちら
かのＩＤの判読が困難になった場合には、のこる一方の
ＩＤ（側面部か裏面部のＩＤ）を読み取ることができ
る。これにより、ＩＤの読み取りが困難であるという理
由で不良とされるウェーハの発生を最小限に抑えること
ができる。
ＩＤを印字した場合には、何らかの理由により、どちら
かのＩＤの判読が困難になった場合には、のこる一方の
ＩＤ（側面部か裏面部のＩＤ）を読み取ることができ
る。これにより、ＩＤの読み取りが困難であるという理
由で不良とされるウェーハの発生を最小限に抑えること
ができる。
【００３８】（３）さらに、ウェーハの裏面に複数のＩ
Ｄを印字した場合には、複数のＩＤを読み取ることによ
って、２次元的に読み取りデーターを解析できるので、
ウェーハの相対的位置を正確に検出することができる。
Ｄを印字した場合には、複数のＩＤを読み取ることによ
って、２次元的に読み取りデーターを解析できるので、
ウェーハの相対的位置を正確に検出することができる。
【００３９】（４）さらにまた、ウェーハの裏面または
側面にＩＤとしてバーコードを印字した場合には、従
来、文字等を印字した場合にはＯＣＲソフト等を使用し
て認識しなければならなかったのに対し、バーコード読
み取りセンサーを使用して、簡易、かつ正確にウェーハ
の位置を検出することができる。また、所定の位置に複
数のバーコードを印字した場合には、バーコード読み取
りセンサーにより、より正確にウェーハの位置を非接触
で検出することができ、ウェーハの位置合わせを、必要
最小限の操作できるので、機械的ストレスによるウェー
ハの欠損等が発生することもなくなる。
側面にＩＤとしてバーコードを印字した場合には、従
来、文字等を印字した場合にはＯＣＲソフト等を使用し
て認識しなければならなかったのに対し、バーコード読
み取りセンサーを使用して、簡易、かつ正確にウェーハ
の位置を検出することができる。また、所定の位置に複
数のバーコードを印字した場合には、バーコード読み取
りセンサーにより、より正確にウェーハの位置を非接触
で検出することができ、ウェーハの位置合わせを、必要
最小限の操作できるので、機械的ストレスによるウェー
ハの欠損等が発生することもなくなる。
【図１】本発明のウェーハの斜視図である。
【図２】本発明のウェーハの斜視図である。
【図３】本発明のウェーハの斜視図である。
【図４】本発明のウェーハの斜視図である。
【図５】本発明のウェーハの相対的位置を検出する方法
の概要図である。
の概要図である。
【図６】本発明のウェーハの相対的位置（角度のずれ）
を検出する方法の概要図である。
を検出する方法の概要図である。
【図７】図６の本発明のウェーハの相対的位置（角度の
ずれ）を検出する方法の概要図を上からみた図である。
ずれ）を検出する方法の概要図を上からみた図である。
【図８】バーコードをバーコード読み取りセンサーで読
み込み、そのデーターの出力波形を示す図である。
み込み、そのデーターの出力波形を示す図である。
【図９】本発明のウェーハの相対的位置（左右位置のず
れ）を検出する方法の概要図である。
れ）を検出する方法の概要図である。
【図１０】図６の本発明のウェーハの相対的位置（左右
位置のずれ）を検出する方法の概要図を上からみた図で
ある。
位置のずれ）を検出する方法の概要図を上からみた図で
ある。
【図１１】バーコードをバーコード読み取りセンサーで
読み込み、そのデーターの出力波形を示す図である。
読み込み、そのデーターの出力波形を示す図である。
【図１２】本発明の製造装置の一部である、レーザー印
字装置の概略図である。
字装置の概略図である。
【図１３】図１２のレーザー印字装置で、ウェーハの側
面にドット文字を印字した図である。
面にドット文字を印字した図である。
１…ウェーハ、２…オリエンテーションフラット部分の
バーコード、３…オリエンテーションフラット部分に対
向する位置に設けられたバーコード、４…２および３の
バーコードと９０度回転した部分のバーコード、５…レ
ーザー発振器、６…ビームリレー光学系、７…ビームエ
キスパンダ光学系、８…Ｙ軸ガルバノメーター、９…ス
キャンミラー、１０…Ｘ軸ガルバノメーター、１１…ｆ
θレンズ、Ａ，Ｂ，Ｃ…バーコード読み取りセンサー、
Ｄ…チェックデジットコード、…ウェーハの角度ずれ
を検出する場合、…ウェーハの上下・左右の位置ずれ
を検出する場合
バーコード、３…オリエンテーションフラット部分に対
向する位置に設けられたバーコード、４…２および３の
バーコードと９０度回転した部分のバーコード、５…レ
ーザー発振器、６…ビームリレー光学系、７…ビームエ
キスパンダ光学系、８…Ｙ軸ガルバノメーター、９…ス
キャンミラー、１０…Ｘ軸ガルバノメーター、１１…ｆ
θレンズ、Ａ，Ｂ，Ｃ…バーコード読み取りセンサー、
Ｄ…チェックデジットコード、…ウェーハの角度ずれ
を検出する場合、…ウェーハの上下・左右の位置ずれ
を検出する場合
Claims (15)
- 【請求項１】ウェーハの裏面または側面にＩＤが印字さ
れている、 ウェーハ。 - 【請求項２】ウェーハの裏面および側面にＩＤが印字さ
れている、 ウェーハ。 - 【請求項３】前記ＩＤは、文字、記号またはバーコード
である、 請求項１記載のウェーハ。 - 【請求項４】ウェーハに対して、処理装置により、所定
の相対的な位置関係でもって、所定の処理を行う半導体
デバイスの製造方法であって、 ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字する工程と、 前記ＩＤを読み取り、前記ウェーハの位置を検出する工
程と、 該検出結果に基づいて、ウェーハを処理装置と相対的な
位置関係を保つように調整する工程とを有する、 半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項５】前記ＩＤが２つ以上印字されている、 請求項４記載の半導体デバイスの製造方法。
- 【請求項６】前記ＩＤは、前記ＩＤは、文字、記号また
はバーコードである、 請求項４記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項７】前記ウェーハの相対的位置を検出する工程
は、前記ウェーハの裏面に印字された２つ以上のバーコ
ードを、バーコード読み取りセンサーによって、バーコ
ードを読み取ることによって、前記ウェーハの相対的位
置を検出する工程である、 請求項４記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項８】前記ウェーハを処理装置と相対的な位置関
係に保つように調整する工程は、前記ウェーハの裏面に
印字された複数のバーコードを、複数のバーコード読み
取りセンサーによって、バーコードを読み取り、前記複
数の読み取りセンサーの出力信号のずれがなくなるよう
に前記ウェーハを移動させる工程である、 請求項４記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】前記ウェーハを処理装置と相対的な位置関
係に保つように調整する工程は、前記ウェーハの裏面に
印字されたバーコードを、バーコード読み取りセンサー
によって、バーコードを読み取り、該読み取りセンサー
の出力信号と、予め装置内部で作成した内部基準信号と
のずれがなくなるように、前記ウェーハを移動させる工
程である、 請求項４記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】ウェーハに対して、所定の処理装置によ
り、所定の相対的な位置関係でもって、所定の処理を行
う半導体デバイスの製造装置であって、 ウェーハの裏面または側面にＩＤを印字する手段と、 前記ＩＤを読み取り、前記ウェーハの相対的位置を検出
する手段と、 該検出結果に基づいて、ウェーハを処理装置と相対的な
位置関係を保つように調整する手段とを有する、 半導体デバイスの製造装置。 - 【請求項１１】前記ＩＤを２つ以上印字する、 請求項１０記載の半導体デバイスの製造装置。
- 【請求項１２】前記ＩＤは、文字、記号またはバーコー
ドである、 請求項１０記載の半導体デバイスの製造装置。 - 【請求項１３】前記ウェーハの相対的位置を検出する手
段は、前記ウェーハの裏面に印字された２つ以上のバー
コードを、バーコード読み取りセンサーによって、バー
コードを読み取ることによって、前記ウェーハの相対的
位置を検出する、 請求項１０記載の半導体デバイスの製造装置。 - 【請求項１４】前記ウェーハを処理装置と相対的な位置
関係に保つように調整する手段は、前記ウェーハの裏面
に印字された複数のバーコードを、複数のバーコード読
み取りセンサーによって、バーコードを読み取り、前記
複数の読み取りセンサーの出力信号のずれがなくなるよ
うに前記ウェーハを移動させる、 請求項１０記載の半導体デバイスの製造装置。 - 【請求項１５】前記ウェーハを処理装置と相対的な位置
関係に保つように調整する手段は、前記ウェーハの裏面
に印字されたバーコードを、バーコード読み取りセンサ
ーによって、バーコードを読み取り、該読み取りセンサ
ーの出力信号と、予め装置内部で作成した内部基準信号
とのずれがなくなるように、前記ウェーハを移動させ
る、 請求項１０記載の半導体デバイスの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294436A JPH11135390A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Ｉｄが印字されているウェーハ、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294436A JPH11135390A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Ｉｄが印字されているウェーハ、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135390A true JPH11135390A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17807754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9294436A Pending JPH11135390A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | Ｉｄが印字されているウェーハ、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135390A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098683A1 (es) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Sistema de alineamiento de obleas y de lectura de microcódigos de barras y de marcas en chips con láser |
| SG108941A1 (en) * | 2002-11-08 | 2005-02-28 | Disco Corp | Conductor wafer and substrate |
| US7015418B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-03-21 | Gsi Group Corporation | Method and system for calibrating a laser processing system and laser marking system utilizing same |
| JP2006244352A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fuji Xerox Co Ltd | バーコード出力装置およびバーコード出力方法 |
| US7705268B2 (en) | 2004-11-11 | 2010-04-27 | Gsi Group Corporation | Method and system for laser soft marking |
| CN108682647A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-10-19 | 华侨大学 | 晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法 |
| US20240184045A1 (en) * | 2022-12-06 | 2024-06-06 | Globalfoundries U.S. Inc. | Identification system |
| CN120772693A (zh) * | 2025-09-10 | 2025-10-14 | 山西烁科晶体有限公司 | 一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法 |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP9294436A patent/JPH11135390A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098683A1 (es) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Sistema de alineamiento de obleas y de lectura de microcódigos de barras y de marcas en chips con láser |
| ES2195786A1 (es) * | 2002-05-16 | 2003-12-01 | Consejo Sup Investigaciones Ci | Sistema de alineamiento de obleas y de lectura de microcodigos de barras y de marcas en chips con laser. |
| US7119351B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-10-10 | Gsi Group Corporation | Method and system for machine vision-based feature detection and mark verification in a workpiece or wafer marking system |
| US7015418B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-03-21 | Gsi Group Corporation | Method and system for calibrating a laser processing system and laser marking system utilizing same |
| US7067763B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-06-27 | Gsi Group Corporation | High speed, laser-based marking method and system for producing machine readable marks on workpieces and semiconductor devices with reduced subsurface damage produced thereby |
| USRE41924E1 (en) * | 2002-05-17 | 2010-11-16 | Gsi Group Corporation | Method and system for machine vision-based feature detection and mark verification in a workpiece or wafer marking system |
| SG108941A1 (en) * | 2002-11-08 | 2005-02-28 | Disco Corp | Conductor wafer and substrate |
| US7705268B2 (en) | 2004-11-11 | 2010-04-27 | Gsi Group Corporation | Method and system for laser soft marking |
| JP2006244352A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fuji Xerox Co Ltd | バーコード出力装置およびバーコード出力方法 |
| CN108682647A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-10-19 | 华侨大学 | 晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法 |
| CN108682647B (zh) * | 2018-07-16 | 2024-02-02 | 华侨大学 | 晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法 |
| US20240184045A1 (en) * | 2022-12-06 | 2024-06-06 | Globalfoundries U.S. Inc. | Identification system |
| US12332480B2 (en) * | 2022-12-06 | 2025-06-17 | Globalfoundries U.S. Inc. | Identification system |
| CN120772693A (zh) * | 2025-09-10 | 2025-10-14 | 山西烁科晶体有限公司 | 一种边缘高应力硬脆半导体材料的加工方法 |
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