JPH11139832A - ガラス合成用誘導電気炉の改良 - Google Patents
ガラス合成用誘導電気炉の改良Info
- Publication number
- JPH11139832A JPH11139832A JP10225203A JP22520398A JPH11139832A JP H11139832 A JPH11139832 A JP H11139832A JP 10225203 A JP10225203 A JP 10225203A JP 22520398 A JP22520398 A JP 22520398A JP H11139832 A JPH11139832 A JP H11139832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- sleeve
- glass
- furnace
- annular element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D11/00—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
- F27D11/06—Induction heating, i.e. in which the material being heated, or its container or elements embodied therein, form the secondary of a transformer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
- C03B5/02—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating
- C03B5/021—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating by induction heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
- C03B5/06—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in pot furnaces
- C03B5/08—Glass-melting pots
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なる領域間の温度不均一性が除去された改
良誘導電気炉を提供すること。 【解決手段】 ガラス合成用誘導電気炉、特に通信用光
ファイバにおいて用いるフロオロジルコニウム酸塩用誘
導電気炉では、坩堝(3)のための支持装置(6’)は
一対のスリーブ(7、9)と連結し、それらの間に実際
の支持要素を構成する環状要素(8)が挿入される。第
1のスリーブ(7)は、坩堝(3)が平面要素(5’)
から一定の間隔だけ離れた状態で環状要素(8)内に支
持されるような長手方向の大きさを有し、また、第2の
スリーブは、少なくとも坩堝の高さ全体に亘って均一な
温度領域を存在させる為に、第2スリーブの上端が坩堝
の上端よりも高いレベルとなるような長手方向の大きさ
を有する。
良誘導電気炉を提供すること。 【解決手段】 ガラス合成用誘導電気炉、特に通信用光
ファイバにおいて用いるフロオロジルコニウム酸塩用誘
導電気炉では、坩堝(3)のための支持装置(6’)は
一対のスリーブ(7、9)と連結し、それらの間に実際
の支持要素を構成する環状要素(8)が挿入される。第
1のスリーブ(7)は、坩堝(3)が平面要素(5’)
から一定の間隔だけ離れた状態で環状要素(8)内に支
持されるような長手方向の大きさを有し、また、第2の
スリーブは、少なくとも坩堝の高さ全体に亘って均一な
温度領域を存在させる為に、第2スリーブの上端が坩堝
の上端よりも高いレベルとなるような長手方向の大きさ
を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はガラスの製造に関
し、特にガラス合成用誘導電気炉の改良に関する。限定
するものではないが好ましくは、問題のガラスは通信に
用いる光ファイバ用ガラス、特にフロオロジルコニウム
酸塩(fluorozirconate) ガラスである。
し、特にガラス合成用誘導電気炉の改良に関する。限定
するものではないが好ましくは、問題のガラスは通信に
用いる光ファイバ用ガラス、特にフロオロジルコニウム
酸塩(fluorozirconate) ガラスである。
【0002】
【従来の技術】通信に用いる光ファイバ用非酸化物ガラ
スを合成する際、2つのタイプの炉が通常使用される。
すなわち、抵抗炉と誘導電気炉である。誘導電気炉は、
加熱で用いられる磁場により溶解ガラス中に存在するイ
オンが撹拌されることにより、高い加熱速度を保証し、
ガラス成分を十分に混合するという利点を有する。しか
しながら、これらの炉は、混合物中に相対的に大きな温
度不均一性を生じるような構造をしており(最も冷たい
点と最も温かい点の差は20〜30℃のオーダーであ
る)、このことによりガラスの高い品質を得ることが出
来ず、ひいてはファイバも高い品質が得られない。さら
に、(特に、フルオロジルコニウム酸塩ガラスのための
混合物のような)成分が容易に昇華する傾向にある混合
物の場合には、ガラス成分の混合物を含んだ坩堝の口に
ちょうど対応してより低い温度ゾーンが存在することが
分かっており、昇華された物質はその口の周りに堆積す
るようになり、それらの物質は溶解混合物が鋳造される
際にガラス内に不純物を混入し得る。これに対して抵抗
炉は混合物を均一に加熱するが、要求される温度に到達
するのはもっと遅く、成分を良好に混合しない。さら
に、抵抗炉は制御された大気中で加熱するには比較的に
複雑である。
スを合成する際、2つのタイプの炉が通常使用される。
すなわち、抵抗炉と誘導電気炉である。誘導電気炉は、
加熱で用いられる磁場により溶解ガラス中に存在するイ
オンが撹拌されることにより、高い加熱速度を保証し、
ガラス成分を十分に混合するという利点を有する。しか
しながら、これらの炉は、混合物中に相対的に大きな温
度不均一性を生じるような構造をしており(最も冷たい
点と最も温かい点の差は20〜30℃のオーダーであ
る)、このことによりガラスの高い品質を得ることが出
来ず、ひいてはファイバも高い品質が得られない。さら
に、(特に、フルオロジルコニウム酸塩ガラスのための
混合物のような)成分が容易に昇華する傾向にある混合
物の場合には、ガラス成分の混合物を含んだ坩堝の口に
ちょうど対応してより低い温度ゾーンが存在することが
分かっており、昇華された物質はその口の周りに堆積す
るようになり、それらの物質は溶解混合物が鋳造される
際にガラス内に不純物を混入し得る。これに対して抵抗
炉は混合物を均一に加熱するが、要求される温度に到達
するのはもっと遅く、成分を良好に混合しない。さら
に、抵抗炉は制御された大気中で加熱するには比較的に
複雑である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、炉の
異なる領域間の温度不均一性が除去された改良誘導電気
炉を提供することである。
異なる領域間の温度不均一性が除去された改良誘導電気
炉を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】炉は反応器を含み、合成
されるべきガラス成分の混合物を含んだ坩堝に対する支
持装置がその反応炉内に配置され、該支持装置はその頂
部にディスク状又は平面状の要素を備える。本発明によ
り該ディスク状要素は1対のスリーブと連結し、坩堝の
外壁と係合できる環状要素がこれらスリーブ間に挿入さ
れる。第1のスリーブの長手方向の大きさは、坩堝が平
面要素から一定の距離だけ離れた状態で環状要素内に支
持されるような大きさである。第2スリーブの長手方向
の大きさは、少なくとも坩堝全体に亘って均一な温度領
域を得るために、第2スリーブの上端レベルが坩堝の上
端レベルよりも高くなるような大きさである。
されるべきガラス成分の混合物を含んだ坩堝に対する支
持装置がその反応炉内に配置され、該支持装置はその頂
部にディスク状又は平面状の要素を備える。本発明によ
り該ディスク状要素は1対のスリーブと連結し、坩堝の
外壁と係合できる環状要素がこれらスリーブ間に挿入さ
れる。第1のスリーブの長手方向の大きさは、坩堝が平
面要素から一定の距離だけ離れた状態で環状要素内に支
持されるような大きさである。第2スリーブの長手方向
の大きさは、少なくとも坩堝全体に亘って均一な温度領
域を得るために、第2スリーブの上端レベルが坩堝の上
端レベルよりも高くなるような大きさである。
【0005】
【発明の実施の形態】図1に示されているように、従来
の誘導電気炉は、例えばSiO2 の反応器1により概略
的に表すことができ、その上にコイル2が巻かれる。合
成されるべきガラス成分の混合物4を含むよう定められ
た坩堝3は、反応器1の内部に配置される。坩堝3は良
好な熱伝導性と電気伝導性を有する金属から作られ、興
味あるガラスの調製に使用できるような融点を有する。
例えば、フルオロジルコニウム酸塩ガラスの調製の場合
には、坩堝3は一般にPt/Au合金から作られる(例
えば、95%Pt、5%Au重量パーセント)。この坩
堝は加熱操作の間坩堝ホルダーの上部プレート若しくは
ディスク5上又はNiなどから成る支持器6上に直接載
置される。この構成により、上記説明したことから支持
器により熱が奪われる結果となり、坩堝3の底に近い部
分でのガラス混合物は、坩堝自身の上部よりも低い温度
を示す。図面においては簡単のため、コイル2の電源装
置や一般に坩堝ホルダー6と連係する温度制御手段は示
されてない。
の誘導電気炉は、例えばSiO2 の反応器1により概略
的に表すことができ、その上にコイル2が巻かれる。合
成されるべきガラス成分の混合物4を含むよう定められ
た坩堝3は、反応器1の内部に配置される。坩堝3は良
好な熱伝導性と電気伝導性を有する金属から作られ、興
味あるガラスの調製に使用できるような融点を有する。
例えば、フルオロジルコニウム酸塩ガラスの調製の場合
には、坩堝3は一般にPt/Au合金から作られる(例
えば、95%Pt、5%Au重量パーセント)。この坩
堝は加熱操作の間坩堝ホルダーの上部プレート若しくは
ディスク5上又はNiなどから成る支持器6上に直接載
置される。この構成により、上記説明したことから支持
器により熱が奪われる結果となり、坩堝3の底に近い部
分でのガラス混合物は、坩堝自身の上部よりも低い温度
を示す。図面においては簡単のため、コイル2の電源装
置や一般に坩堝ホルダー6と連係する温度制御手段は示
されてない。
【0006】図2〜図4は、本発明による炉内の坩堝ホ
ルダーの構造を示す。図中示されているように、この実
施例では6’と表記されている坩堝ホルダーは、従来の
坩堝ホルダー6に対して改変されている。すなわち、プ
レート5’は2つのスリーブ7、9と連結し、坩堝3を
支持する環状要素8がこれら2つのスリーブ間に装着さ
れる。スリーブ7、9及び環状要素8もまた、良好な熱
伝導性と電気伝導性を有する金属から作られ、興味ある
ガラスを調製する際使用できるような融点を有する。本
発明の好ましい用途は、通信に用いられる光ファイバ用
フルオロジルコニウム酸塩ガラスの製造用炉に関係し、
スリーブは例えばNi、Pt、Au、又はそれらの合金
から作ることができる。スリーブ7は本質的にスペーサ
として働き、坩堝3の底がプレート5’と接触しないよ
うにプレート5’から距離をあけて環状要素8を維持す
る。スリーブはプレート5’の一体部分とすることがで
き、その場合には坩堝ホルダー6’の頂部は本質的にカ
ップ状となるか、又は都合のいい任意の方法にてプレー
ト5’と結合された別要素ともできる。
ルダーの構造を示す。図中示されているように、この実
施例では6’と表記されている坩堝ホルダーは、従来の
坩堝ホルダー6に対して改変されている。すなわち、プ
レート5’は2つのスリーブ7、9と連結し、坩堝3を
支持する環状要素8がこれら2つのスリーブ間に装着さ
れる。スリーブ7、9及び環状要素8もまた、良好な熱
伝導性と電気伝導性を有する金属から作られ、興味ある
ガラスを調製する際使用できるような融点を有する。本
発明の好ましい用途は、通信に用いられる光ファイバ用
フルオロジルコニウム酸塩ガラスの製造用炉に関係し、
スリーブは例えばNi、Pt、Au、又はそれらの合金
から作ることができる。スリーブ7は本質的にスペーサ
として働き、坩堝3の底がプレート5’と接触しないよ
うにプレート5’から距離をあけて環状要素8を維持す
る。スリーブはプレート5’の一体部分とすることがで
き、その場合には坩堝ホルダー6’の頂部は本質的にカ
ップ状となるか、又は都合のいい任意の方法にてプレー
ト5’と結合された別要素ともできる。
【0007】例えばスリーブ7上に嵌合いにより装着さ
れた環状要素8は、内側に突出した一連の放射状付加物
10を有し、これら付加物は本質的に台形状であり(例
えば四等距離付加物(four equidistant appendages)
)、坩堝の壁の傾きに対応した傾斜端面を有する。環
状要素8と坩堝3間の接触表面が不連続な構造となって
いることにより、二重の利点が得られる。すなわち、
1)環状要素自身による電磁場パワーの吸収が低減さ
れ、2)ディスク材料が坩堝3と同じでない場合には、
熱勾配を生じる可能性が抑えられる。第2のスリーブ9
は、例えば環状要素8上に嵌込むことにより装着され、
また、一様な温度の領域が少なくとも坩堝3の高さ全体
に亘って延在するように、該領域の上方に本質的に延在
する。この目的のために、スリーブ9はその上端のレベ
ルが坩堝の上端のレベルよりも高くなるような長手方向
の大きさを有する。フルオロジルコニウム酸塩ガラスの
合成過程において出願人により行われた測定によると、
本発明による坩堝ホルダーを用いることにより、混合物
(850〜900℃)内での最高温度点と最低温度点の
温度差は2℃のオーダーとなり、よって、従来の誘導電
気炉で得られるものよりも少なくとも1オーダーの大き
さだけ小さい温度差が達成できた。従って、説明した構
成を用いることで上記欠点が取り除かれ、本発明による
坩堝ホルダー装置を備えた炉は、誘導電気炉の利点と抵
抗炉の利点を合わせ持つ。
れた環状要素8は、内側に突出した一連の放射状付加物
10を有し、これら付加物は本質的に台形状であり(例
えば四等距離付加物(four equidistant appendages)
)、坩堝の壁の傾きに対応した傾斜端面を有する。環
状要素8と坩堝3間の接触表面が不連続な構造となって
いることにより、二重の利点が得られる。すなわち、
1)環状要素自身による電磁場パワーの吸収が低減さ
れ、2)ディスク材料が坩堝3と同じでない場合には、
熱勾配を生じる可能性が抑えられる。第2のスリーブ9
は、例えば環状要素8上に嵌込むことにより装着され、
また、一様な温度の領域が少なくとも坩堝3の高さ全体
に亘って延在するように、該領域の上方に本質的に延在
する。この目的のために、スリーブ9はその上端のレベ
ルが坩堝の上端のレベルよりも高くなるような長手方向
の大きさを有する。フルオロジルコニウム酸塩ガラスの
合成過程において出願人により行われた測定によると、
本発明による坩堝ホルダーを用いることにより、混合物
(850〜900℃)内での最高温度点と最低温度点の
温度差は2℃のオーダーとなり、よって、従来の誘導電
気炉で得られるものよりも少なくとも1オーダーの大き
さだけ小さい温度差が達成できた。従って、説明した構
成を用いることで上記欠点が取り除かれ、本発明による
坩堝ホルダー装置を備えた炉は、誘導電気炉の利点と抵
抗炉の利点を合わせ持つ。
【0008】上記説明は単に非制限的な例により与えら
れており、本発明の範囲を逸脱することなく変形や改変
ができることは明らかである。
れており、本発明の範囲を逸脱することなく変形や改変
ができることは明らかである。
【図1】従来の誘導電気炉の概略断面図である。
【図2】本発明による改良が為された誘導電気炉の概略
断面図である。
断面図である。
【図3】詳細図である。
【図4】詳細図である。
1 反応器 2 コイル 3 坩堝 4 混合物 5 ディスク 6 坩堝ホルダー 7 スリーブ 8 環状要素 9 スリーブ 10 付加物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルコ・ブラグリア イタリー国 10134 トリノ、ヴイア・ペ スカローロ 15 (72)発明者 グオジユン・ダイ イタリー国 10141 トリノ、ヴイア・ア イラスカ 5 (72)発明者 サブリナ・モツソ イタリー国 10070 カフアツセ(トリ ノ)、ヴイア・ドロエツト 33
Claims (5)
- 【請求項1】 ガラス合成用誘導電気炉であって、反応
炉(1)を含み、合成すべきガラス成分の混合物(4)
を含んだ坩堝(3)のための支持装置(6’)が反応器
内部に配置され、支持装置(6’)はその上方部分に平
面要素(5’)を備えるものに於いて、 前記平面要素(5’)は一対のスリーブ(7、9)と連
結し、それらの間に坩堝(3)の外壁と係合できる環状
要素(8)が挿入され、そして、 第1スリーブ(7)は、坩堝(3)が平面要素(5’)
から一定の間隔だけ離れて支持されるような長手方向の
大きさを有し、第2スリーブ(9)は、少なくとも坩堝
(3)の高さ全体に亘って延在する均一温度領域を得る
ために、第2スリーブの上端のレベルが坩堝(3)の上
端のレベルよりも高くなるような長手方向の大きさを有
する、ことを特徴とするガラス合成用誘導電気炉。 - 【請求項2】 前記環状要素(8)は、内向きに突出し
た1組の放射状付加物を備え、これら付加物は坩堝の外
面に係合するよう配置されることを特徴とする請求項1
記載のガラス合成用誘導電気炉。 - 【請求項3】 前記環状要素(8)が第1スリーブ
(7)に嵌込まれることを特徴とする請求項1又は2に
記載のガラス合成用誘導電気炉。 - 【請求項4】 前記第2スリーブ(9)が環状要素
(8)に嵌込まれることを特徴とする請求項1−3のい
ずれか一項に記載のガラス合成用誘導電気炉。 - 【請求項5】 前記第1スリーブ(7)が平面要素
(5’)の一体部分であることを特徴とする請求項1−
4のいずれか一項に記載のガラス合成用誘導電気炉。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT97A000677 | 1997-07-29 | ||
| IT97TO000677A IT1293654B1 (it) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | Perfezionamenti ai forni ad induzione per la sintesi dei vetri. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11139832A true JPH11139832A (ja) | 1999-05-25 |
| JP2956014B2 JP2956014B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=11415900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10225203A Expired - Lifetime JP2956014B2 (ja) | 1997-07-29 | 1998-07-27 | ガラス合成用誘導電気炉の改良 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6014403A (ja) |
| EP (1) | EP0894771B1 (ja) |
| JP (1) | JP2956014B2 (ja) |
| CA (1) | CA2243877C (ja) |
| DE (2) | DE894771T1 (ja) |
| IT (1) | IT1293654B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19939786B8 (de) | 1999-08-21 | 2004-07-08 | Schott Glas | Vorrichtung für das Erschmelzen oder das Läutern von Gläsern oder Glaskeramiken |
| DE19939782C1 (de) * | 1999-08-21 | 2001-05-17 | Schott Glas | Vorrichtung und Verfahren zum Erschmelzen oder Läutern von Gläsern oder Glaskeramiken |
| CN1987319B (zh) * | 2006-10-26 | 2010-08-18 | 贵阳铝镁设计研究院 | 一种防止镁精炼炉中坩埚破裂的方法 |
| CN103951158B (zh) * | 2014-03-20 | 2017-03-08 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种红外玻璃的真空熔化炉以及熔制系统和方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1404313A (en) * | 1971-08-13 | 1975-08-28 | Secr Defence | Manufacture of high purity glass |
| DE8530864U1 (de) * | 1985-10-31 | 1985-12-12 | Sigri GmbH, 8901 Meitingen | Schmelz- und Gießtiegel |
| US4885019A (en) * | 1988-01-28 | 1989-12-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Process for making bulk heavy metal fluoride glasses |
| DE3904607A1 (de) * | 1989-02-16 | 1990-08-23 | Leybold Ag | Direkt beheizbarer schmelzenbehaelter fuer induktionsschmelzoefen |
| DE4106537A1 (de) * | 1991-03-01 | 1992-09-03 | Degussa | Verfahren zum teilkontinuierlichen schmelzen keramischen materials in induktionsschmelzoefen mit sinterkrustentiegel, ein hierfuer geeigneter ofen und vorrichtung zum periodischen schmelzanstich |
| IT1249656B (it) * | 1991-06-05 | 1995-03-09 | Pirelli Cavi Spa | Procedimento e apparecchiatura per la realizzazione di vetri fluorurati. |
| CA2083858C (en) * | 1992-01-30 | 1997-10-14 | James William Fleming, Jr. | Iridium fiber draw induction furnace |
| US5410567A (en) * | 1992-03-05 | 1995-04-25 | Corning Incorporated | Optical fiber draw furnace |
-
1997
- 1997-07-29 IT IT97TO000677A patent/IT1293654B1/it active IP Right Grant
-
1998
- 1998-07-01 US US09/108,626 patent/US6014403A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-27 CA CA002243877A patent/CA2243877C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-27 JP JP10225203A patent/JP2956014B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-28 EP EP98114074A patent/EP0894771B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-28 DE DE0894771T patent/DE894771T1/de active Pending
- 1998-07-28 DE DE69812790T patent/DE69812790T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69812790D1 (de) | 2003-05-08 |
| JP2956014B2 (ja) | 1999-10-04 |
| DE894771T1 (de) | 1999-08-19 |
| CA2243877A1 (en) | 1999-01-29 |
| ITTO970677A1 (it) | 1999-01-29 |
| EP0894771B1 (en) | 2003-04-02 |
| IT1293654B1 (it) | 1999-03-08 |
| US6014403A (en) | 2000-01-11 |
| DE69812790T2 (de) | 2003-11-27 |
| EP0894771A2 (en) | 1999-02-03 |
| CA2243877C (en) | 2001-05-08 |
| EP0894771A3 (en) | 1999-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3335084A (en) | Method for producing homogeneous crystals of mixed semiconductive materials | |
| US3265469A (en) | Crystal growing apparatus | |
| US2979386A (en) | Crystal growing apparatus | |
| JP2956014B2 (ja) | ガラス合成用誘導電気炉の改良 | |
| US3127155A (en) | Apparatus for preventing or reducing the crystallization | |
| US6574264B2 (en) | Apparatus for growing a silicon ingot | |
| JPH11189487A (ja) | 酸化物単結晶製造装置 | |
| JPH0315550Y2 (ja) | ||
| US5935327A (en) | Apparatus for growing silicon crystals | |
| JPS6046073B2 (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH04285091A (ja) | 酸化物単結晶の製造装置 | |
| JPS5815499Y2 (ja) | ルツボ支持体の構造 | |
| JP2000247780A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JPS62138385A (ja) | 半導体単結晶の引上装置 | |
| JPS5895693A (ja) | 単結晶引上げ用黒鉛ルツボ | |
| SU857308A1 (ru) | Тепловой узел | |
| JP2991585B2 (ja) | 単結晶育成装置および単結晶の製造方法 | |
| JP2001080987A (ja) | 化合物半導体結晶の製造装置及びそれを用いた製造方法 | |
| JPS6389488A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS62265193A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法及び装置 | |
| JP2665778B2 (ja) | 半導体単結晶引上げ装置 | |
| JP2002179497A (ja) | ニオブ酸カリウムの製造方法およびニオブ酸カリウム | |
| JPS61219786A (ja) | 酸化物単結晶の引上げ方法 | |
| JPH02255592A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びその装置 | |
| JPS5938199B2 (ja) | 化合物半導体結晶成長装置 |