JPH11140165A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH11140165A JPH11140165A JP9320318A JP32031897A JPH11140165A JP H11140165 A JPH11140165 A JP H11140165A JP 9320318 A JP9320318 A JP 9320318A JP 32031897 A JP32031897 A JP 32031897A JP H11140165 A JPH11140165 A JP H11140165A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- group
- resin composition
- lower alkyl
- curing accelerator
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、半導体封止材料として有用なエポ
キシ樹脂組成物の硬化速度を早めると共に、絶縁性不良
や回路の腐蝕の原因となる塩素イオン等の発生を抑制す
る。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤として下記の一般式で示される2−アリール−4,
5−ジフェニルイミダゾール化合物及び無機質充填剤を
必須成分とし、樹脂組成物全体に対して前記硬化促進剤
を0.002〜2.0重量%の割合で配合する。 (式中、Arはフェニル基、低級アルキル置換フェニル
基、ナフチル基、低級アルキル置換ナフチル基、アント
ラニル基または低級アルキル置換アントラニル基を表わ
す。)
キシ樹脂組成物の硬化速度を早めると共に、絶縁性不良
や回路の腐蝕の原因となる塩素イオン等の発生を抑制す
る。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促
進剤として下記の一般式で示される2−アリール−4,
5−ジフェニルイミダゾール化合物及び無機質充填剤を
必須成分とし、樹脂組成物全体に対して前記硬化促進剤
を0.002〜2.0重量%の割合で配合する。 (式中、Arはフェニル基、低級アルキル置換フェニル
基、ナフチル基、低級アルキル置換ナフチル基、アント
ラニル基または低級アルキル置換アントラニル基を表わ
す。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、硬化性に優れ、
硬化物中に塩素イオン等のイオン性不純物の発生が少な
い半導体封止材用エポキシ樹脂組成物に関するものであ
る。
硬化物中に塩素イオン等のイオン性不純物の発生が少な
い半導体封止材用エポキシ樹脂組成物に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の封止はエポキシ樹脂による
トランスファ成形が一般的であり、なかでもノボラック
型エポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂を使用す
る系が主流である。この場合の硬化促進剤としてはトリ
フェニルホスフィン、2−メチルイミダゾールあるいは
1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデセン(D
BU)が使用されることが多い。このような半導体封止
材用エポキシ樹脂組成物に対しては、生産性向上の点か
ら成形工程の短縮化すなわち速硬化性が求められてい
る。また、同硬化物に対しては、絶縁性不良や回路の腐
蝕の原因となる塩素イオン等のイオン性不純物が少ない
ことが求められている。
トランスファ成形が一般的であり、なかでもノボラック
型エポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂を使用す
る系が主流である。この場合の硬化促進剤としてはトリ
フェニルホスフィン、2−メチルイミダゾールあるいは
1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕ウンデセン(D
BU)が使用されることが多い。このような半導体封止
材用エポキシ樹脂組成物に対しては、生産性向上の点か
ら成形工程の短縮化すなわち速硬化性が求められてい
る。また、同硬化物に対しては、絶縁性不良や回路の腐
蝕の原因となる塩素イオン等のイオン性不純物が少ない
ことが求められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
等のフェノール樹脂、トリフェニルホスフィン、2−メ
チルイミダゾールあるいはDBU等の硬化促進剤及び無
機質充填剤から成るエポキシ樹脂組成物は、硬化速度が
充分ではなく、さらに、硬化物中の塩素イオン等のイオ
ン性不純物が多く、絶縁性不良によるリーク電流や回路
の腐蝕による断線を生じるという欠点があった。硬化速
度の向上の点に関しては主に硬化促進剤について、また
イオン性不純物低減に関してはエポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂及び硬化促進剤について検討がなされている。
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
等のフェノール樹脂、トリフェニルホスフィン、2−メ
チルイミダゾールあるいはDBU等の硬化促進剤及び無
機質充填剤から成るエポキシ樹脂組成物は、硬化速度が
充分ではなく、さらに、硬化物中の塩素イオン等のイオ
ン性不純物が多く、絶縁性不良によるリーク電流や回路
の腐蝕による断線を生じるという欠点があった。硬化速
度の向上の点に関しては主に硬化促進剤について、また
イオン性不純物低減に関してはエポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂及び硬化促進剤について検討がなされている。
【0004】例えば、硬化促進剤としてトリアルキルホ
スフィンのテトラフェニルボレートを用いることによ
り、硬化性を向上させようとするものが特開昭62−1
49721号公報、また、特定の組成のエポキシ樹脂組
成物を用いて、硬化物の信頼性を向上させようとするも
のが特開平8−245762号公報に開示されている
が、必ずしも満足し得る状態に改善されたとはいえな
い。本発明は、硬化性に優れ、且つ信頼性の点から有害
な塩素イオン等のイオン性不純物の発生が少ない硬化物
を与え得る、半導体封止材用途として有用なエポキシ樹
脂組成物を提供するものである。
スフィンのテトラフェニルボレートを用いることによ
り、硬化性を向上させようとするものが特開昭62−1
49721号公報、また、特定の組成のエポキシ樹脂組
成物を用いて、硬化物の信頼性を向上させようとするも
のが特開平8−245762号公報に開示されている
が、必ずしも満足し得る状態に改善されたとはいえな
い。本発明は、硬化性に優れ、且つ信頼性の点から有害
な塩素イオン等のイオン性不純物の発生が少ない硬化物
を与え得る、半導体封止材用途として有用なエポキシ樹
脂組成物を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定の硬化促
進剤を用いることによって、硬化性に優れ、且つ硬化物
中に塩素イオン等のイオン性不純物の発生量が少ないエ
ポキシ樹脂組成物が得られることを見い出し、本発明を
完成したものである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定の硬化促
進剤を用いることによって、硬化性に優れ、且つ硬化物
中に塩素イオン等のイオン性不純物の発生量が少ないエ
ポキシ樹脂組成物が得られることを見い出し、本発明を
完成したものである。
【0006】すなわち、本発明は、(A)エポキシ樹
脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤として化
2で示される2−アリール−4,5−ジフェニルイミダ
ゾール化合物及び(D)無機質充填剤を必須成分とし、
全体の樹脂組成物に対して前記(C)の硬化促進剤を
0.002〜2.0重量%の割合で配合したことを特徴
とするエポキシ樹脂組成物に関するものである。
脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤として化
2で示される2−アリール−4,5−ジフェニルイミダ
ゾール化合物及び(D)無機質充填剤を必須成分とし、
全体の樹脂組成物に対して前記(C)の硬化促進剤を
0.002〜2.0重量%の割合で配合したことを特徴
とするエポキシ樹脂組成物に関するものである。
【0007】
【化2】 (式中、Arはフェニル基、低級アルキル置換フェニル
基、ナフチル基、低級アルキル置換ナフチル基、アント
ラニル基または低級アルキル置換アントラニル基を表わ
す)
基、ナフチル基、低級アルキル置換ナフチル基、アント
ラニル基または低級アルキル置換アントラニル基を表わ
す)
【0008】
【発明の実施の形態】本発明において使用される(A)
エポキシ樹脂は、一般にエポキシ樹脂として使用されて
いるものであれば、いかなるものでもよい。エポキシ樹
脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂
などのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂;グリシジル
エステル型エポキシ樹脂;グリシジルアミン型エポキシ
樹脂;線状脂肪族エポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;
複素環型エポキシ樹脂;ハロゲン化エポキシ樹脂などの
1分子中にエポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂が
あげられ、これからなる群より選ばれる1種もしくは2
種以上のものが使用される。上記エポキシ樹脂は、塩素
イオンの含有量が0.1重量%以下のものであることが
好ましい。また、エポキシ樹脂としては、グリシジルエ
ーテル型エポキシ樹脂を使用することが好ましく、とり
わけ、エポキシ当量170〜300を有するノボラック
型エポキシ樹脂を使用することによって、優れた特性を
有する硬化物が得られることから、最も好ましい。
エポキシ樹脂は、一般にエポキシ樹脂として使用されて
いるものであれば、いかなるものでもよい。エポキシ樹
脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂
などのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂;グリシジル
エステル型エポキシ樹脂;グリシジルアミン型エポキシ
樹脂;線状脂肪族エポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;
複素環型エポキシ樹脂;ハロゲン化エポキシ樹脂などの
1分子中にエポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂が
あげられ、これからなる群より選ばれる1種もしくは2
種以上のものが使用される。上記エポキシ樹脂は、塩素
イオンの含有量が0.1重量%以下のものであることが
好ましい。また、エポキシ樹脂としては、グリシジルエ
ーテル型エポキシ樹脂を使用することが好ましく、とり
わけ、エポキシ当量170〜300を有するノボラック
型エポキシ樹脂を使用することによって、優れた特性を
有する硬化物が得られることから、最も好ましい。
【0009】本発明において使用される(B)フェノー
ル樹脂は、一般にフェノール樹脂として使用されている
ものであればいかなるものでもよいが、ノボラック型フ
ェノール樹脂を使用することが好ましい。ノボラック型
フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラッ
ク樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert―ブチル
フェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラッ
ク樹脂などがあげられ、これから選ばれた1種、もしく
は2種以上のものが使用される。フェノール樹脂の配合
量は,エポキシ樹脂のエポキシ基当量との関係から適宣
選択することが望ましく、エポキシ基に対するフェノー
ル性水酸基の当量比が0.5〜1.5の範囲内にあるこ
とが好ましい。当量比が0.5未満、あるいは1.5を
超えると反応が充分進行せず、硬化物の特性が低下す
る。
ル樹脂は、一般にフェノール樹脂として使用されている
ものであればいかなるものでもよいが、ノボラック型フ
ェノール樹脂を使用することが好ましい。ノボラック型
フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラッ
ク樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert―ブチル
フェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラッ
ク樹脂などがあげられ、これから選ばれた1種、もしく
は2種以上のものが使用される。フェノール樹脂の配合
量は,エポキシ樹脂のエポキシ基当量との関係から適宣
選択することが望ましく、エポキシ基に対するフェノー
ル性水酸基の当量比が0.5〜1.5の範囲内にあるこ
とが好ましい。当量比が0.5未満、あるいは1.5を
超えると反応が充分進行せず、硬化物の特性が低下す
る。
【0010】本発明において使用される硬化促進剤は、
前記の化2の一般式で示される2−アリール−4,5−
ジフェニルイミダゾール化合物である。具体的な化合物
として、例えば、2,4,5−トリフェニルイミダゾー
ル、2−(2−メチルフェニル)−4,5−ジフェニル
イミダゾール、2−(3−メチルフェニル)−4,5−
ジフェニルイミダゾール、2−(4−メチルフェニル)
−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(4−エチル
フェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−
(4−イソプロピルフェニル)−4,5−ジフェニルイ
ミダゾール、2−(4−tert−ブチルフェニル)−
4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(2,4−ジメ
チルフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2
−(1−ナフチル)−4,5−ジフェニルイミダゾー
ル、2−(2−ナフチル)−4,5−ジフェニルイミダ
ゾール、2−(4−メチル−1−ナフチル)−4,5−
ジフェニルイミダゾール、2−(8−メチル−2−ナフ
チル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(6−
エチル−1−ナフチル)−4,5−ジフェニルイミダゾ
ール、2−(9−アンスリル)−4,5−ジフェニルイ
ミダゾール、2−(6−メチル−1−アンスリル)−
4,5−ジフェニルイミダゾールなどが挙げられる。こ
れらは単独または2種以上を混合して使用することがで
きる。また、従来から知られているイミダゾール化合
物、DBU等のアミン化合物やトリフェニルホスフィン
等のリン化合物を併用しても差し支えない。
前記の化2の一般式で示される2−アリール−4,5−
ジフェニルイミダゾール化合物である。具体的な化合物
として、例えば、2,4,5−トリフェニルイミダゾー
ル、2−(2−メチルフェニル)−4,5−ジフェニル
イミダゾール、2−(3−メチルフェニル)−4,5−
ジフェニルイミダゾール、2−(4−メチルフェニル)
−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(4−エチル
フェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−
(4−イソプロピルフェニル)−4,5−ジフェニルイ
ミダゾール、2−(4−tert−ブチルフェニル)−
4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(2,4−ジメ
チルフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2
−(1−ナフチル)−4,5−ジフェニルイミダゾー
ル、2−(2−ナフチル)−4,5−ジフェニルイミダ
ゾール、2−(4−メチル−1−ナフチル)−4,5−
ジフェニルイミダゾール、2−(8−メチル−2−ナフ
チル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(6−
エチル−1−ナフチル)−4,5−ジフェニルイミダゾ
ール、2−(9−アンスリル)−4,5−ジフェニルイ
ミダゾール、2−(6−メチル−1−アンスリル)−
4,5−ジフェニルイミダゾールなどが挙げられる。こ
れらは単独または2種以上を混合して使用することがで
きる。また、従来から知られているイミダゾール化合
物、DBU等のアミン化合物やトリフェニルホスフィン
等のリン化合物を併用しても差し支えない。
【0011】この硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂
組成物に対して、0.002〜2.0重量%の範囲内で
ある。この配合割合が0.002重量%未満では、硬化
に時間がかかり過ぎて実用的でなく、2.0重量%を超
えると硬化物中に塩素イオンを多量に生成したり、硬化
物の耐湿安定性が低下するなど硬化物の物性が低下す
る。
組成物に対して、0.002〜2.0重量%の範囲内で
ある。この配合割合が0.002重量%未満では、硬化
に時間がかかり過ぎて実用的でなく、2.0重量%を超
えると硬化物中に塩素イオンを多量に生成したり、硬化
物の耐湿安定性が低下するなど硬化物の物性が低下す
る。
【0012】本発明において使用される(D)無機質充
填剤としては、例えば、石英ガラス粉末、結晶性シリカ
粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉末、珪酸カルシ
ウム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マ
グネシア粉末などがあげられ、これから成る群より選ば
れる1種もしくは2種以上のものが使用される。これら
のうちで、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末を用いる
ことが、高純度及び低熱膨張係数を有することから好ま
しい。
填剤としては、例えば、石英ガラス粉末、結晶性シリカ
粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉末、珪酸カルシ
ウム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マ
グネシア粉末などがあげられ、これから成る群より選ば
れる1種もしくは2種以上のものが使用される。これら
のうちで、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末を用いる
ことが、高純度及び低熱膨張係数を有することから好ま
しい。
【0013】このような無機質充填剤の配合量は、使用
するエポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機質充填剤の
種類によって適宣選択する必要があるが、例えば、トラ
ンスファ成形に使用する場合には、エポキシ樹脂及びフ
ェノール樹脂の総量に対し、重量比で1.5〜4倍程度
が好ましい。また、無機質充填剤の粒径は、適宣選択し
て使用すればよく、粒子の粗いものと細かいものを組み
合わせて混合することにより、成形性を改善できる。
するエポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機質充填剤の
種類によって適宣選択する必要があるが、例えば、トラ
ンスファ成形に使用する場合には、エポキシ樹脂及びフ
ェノール樹脂の総量に対し、重量比で1.5〜4倍程度
が好ましい。また、無機質充填剤の粒径は、適宣選択し
て使用すればよく、粒子の粗いものと細かいものを組み
合わせて混合することにより、成形性を改善できる。
【0014】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬
化促進剤としての2−アリール−4,5−ジフェニルイ
ミダゾール化合物及び(D)無機質充填剤を必須成分と
するが、添加剤としては、例えば、天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィ
ン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化ア
ンチモンなどの難燃剤及びシランカップリング剤があげ
られ、これらを目的に応じ、適宣添加配合したものであ
ってもよい。
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬
化促進剤としての2−アリール−4,5−ジフェニルイ
ミダゾール化合物及び(D)無機質充填剤を必須成分と
するが、添加剤としては、例えば、天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィ
ン、ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化ア
ンチモンなどの難燃剤及びシランカップリング剤があげ
られ、これらを目的に応じ、適宣添加配合したものであ
ってもよい。
【0015】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記の各
成分から通常の方法を用いて調製することができる。例
えば、所定の配合量の各成分をミキサー等で混合後、加
熱ロール、ニーダーまたは押出機によって溶融混合し、
ついで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料を
得ることができる。
成分から通常の方法を用いて調製することができる。例
えば、所定の配合量の各成分をミキサー等で混合後、加
熱ロール、ニーダーまたは押出機によって溶融混合し、
ついで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料を
得ることができる。
【0016】
【実施例】以下、実施例及び比較例により、本発明を更
に詳細に説明するが、本発明は下記実施例に制限される
ものではない。なお、各例中の組成割合はいずれも重量
部である。
に詳細に説明するが、本発明は下記実施例に制限される
ものではない。なお、各例中の組成割合はいずれも重量
部である。
【0017】〔実施例1〜7、比較例1〜5〕表1に示
す配合組成に従い、各成分を室温で混合し、さらに95
〜100℃で混練冷却した後、粉砕してエポキシ樹脂組
成物を調製した。エポキシ樹脂としてノボラック型エポ
キシ樹脂(エポキシ当量190)、フェノール樹脂とし
てノボラック型フェノール樹脂(水酸基当量117)、
無機質充填剤として溶融シリカ粉末を用いた。比較例1
〜3では硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン、D
BU、2−メチルイミダゾールを使用した。比較例4及
び5では、硬化促進剤としての2−(4−メチルフェニ
ル)−4,5−ジフェニルイミダゾールを、エポキシ樹
脂組成物100重量部に対し、夫々0.0016重量%
及び2.2重量%配合している。
す配合組成に従い、各成分を室温で混合し、さらに95
〜100℃で混練冷却した後、粉砕してエポキシ樹脂組
成物を調製した。エポキシ樹脂としてノボラック型エポ
キシ樹脂(エポキシ当量190)、フェノール樹脂とし
てノボラック型フェノール樹脂(水酸基当量117)、
無機質充填剤として溶融シリカ粉末を用いた。比較例1
〜3では硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン、D
BU、2−メチルイミダゾールを使用した。比較例4及
び5では、硬化促進剤としての2−(4−メチルフェニ
ル)−4,5−ジフェニルイミダゾールを、エポキシ樹
脂組成物100重量部に対し、夫々0.0016重量%
及び2.2重量%配合している。
【0018】これらのエポキシ樹脂組成物について、ゲ
ル化時間及び硬化物中のイオン性不純物量を測定したと
ころ、その結果は表2に示したとおりであった。なお、
ゲル化時間及び硬化物中のイオン性不純物量の測定は次
の方法により行った。 (イ)ゲル化時間 実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物の硬化性を熱板
ゲル化法(150℃)により測定した。 (ロ)硬化物中のイオン性不純物量 実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を、170℃で
5時間加熱硬化させて成形体を得た。成形体を粉砕した
後、60メッシュの篩で分級し、通過した粉末4gを蒸
留水15gと共にテフロン性の高圧容器(容量25m
l)に入れて加熱し(180℃で20時間)、成形体中
のイオン性不純分の抽出を行った。このようにして得ら
れた抽出水について電気伝導度及びイオンクロマトグラ
フィー法で塩素イオン量を測定した。
ル化時間及び硬化物中のイオン性不純物量を測定したと
ころ、その結果は表2に示したとおりであった。なお、
ゲル化時間及び硬化物中のイオン性不純物量の測定は次
の方法により行った。 (イ)ゲル化時間 実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物の硬化性を熱板
ゲル化法(150℃)により測定した。 (ロ)硬化物中のイオン性不純物量 実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を、170℃で
5時間加熱硬化させて成形体を得た。成形体を粉砕した
後、60メッシュの篩で分級し、通過した粉末4gを蒸
留水15gと共にテフロン性の高圧容器(容量25m
l)に入れて加熱し(180℃で20時間)、成形体中
のイオン性不純分の抽出を行った。このようにして得ら
れた抽出水について電気伝導度及びイオンクロマトグラ
フィー法で塩素イオン量を測定した。
【0019】
【表1】
【0020】
【表2】
【0021】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化性
に優れ、且つ塩素イオン等のイオン性不純物の発生が少
ない硬化物を与えるので、半導体封止材用エポキシ樹脂
として非常に有用なものである。
に優れ、且つ塩素イオン等のイオン性不純物の発生が少
ない硬化物を与えるので、半導体封止材用エポキシ樹脂
として非常に有用なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08L 63/00 C08L 63/00 C H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)硬化促進剤として化1で示される2−アリ
ール−4,5−ジフェニルイミダゾール化合物及び
(D)無機質充填剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物
に対して前記(C)の硬化促進剤を0.002〜2.0
重量%の割合で配合したことを特徴とするエポキシ樹脂
組成物。 【化1】 (式中、Arはフェニル基、低級アルキル置換フェニル
基、ナフチル基、低級アルキル置換ナフチル基、アント
ラニル基または低級アルキル置換アントラニル基を表わ
す)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9320318A JPH11140165A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9320318A JPH11140165A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140165A true JPH11140165A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=18120157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9320318A Pending JPH11140165A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11140165A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1754735A1 (en) * | 2001-03-30 | 2007-02-21 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One pack thermosetting type epoxy resin composition and underfilling materials for semiconductor mounting |
| JP2014037485A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板 |
| JP2015149399A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板 |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP9320318A patent/JPH11140165A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1754735A1 (en) * | 2001-03-30 | 2007-02-21 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One pack thermosetting type epoxy resin composition and underfilling materials for semiconductor mounting |
| US7449362B2 (en) | 2001-03-30 | 2008-11-11 | Sunstar Giken Kabushiki Kaisha | One-component hot-setting epoxy resin composition and semiconductor mounting underfill material |
| JP2014037485A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板 |
| JP2015149399A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板 |
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