JPH11140166A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH11140166A JPH11140166A JP9325226A JP32522697A JPH11140166A JP H11140166 A JPH11140166 A JP H11140166A JP 9325226 A JP9325226 A JP 9325226A JP 32522697 A JP32522697 A JP 32522697A JP H11140166 A JPH11140166 A JP H11140166A
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- resin composition
- resin
- semiconductor encapsulation
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- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3218—Carbocyclic compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （Ａ）下記一般式（１）のエポキシ樹
脂、（Ｂ）下記一般式（２）のフェノール樹脂、（Ｃ）
無機充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｐは１〜４の整数、ｎは０〜１０
の整数である。） 【化２】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｑは１〜４の整数、ｍは０〜１０
の整数である。） 【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を使用し
ているため、成形性が良好である上、難燃性、耐リフロ
ークラック性及び誘電特性に優れる硬化物を与えるもの
である。
脂、（Ｂ）下記一般式（２）のフェノール樹脂、（Ｃ）
無機充填材を必須成分とすることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｐは１〜４の整数、ｎは０〜１０
の整数である。） 【化２】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｑは１〜４の整数、ｍは０〜１０
の整数である。） 【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を使用し
ているため、成形性が良好である上、難燃性、耐リフロ
ークラック性及び誘電特性に優れる硬化物を与えるもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性、耐半田ク
ラック性及び誘電特性に優れた硬化物を与える半導体封
止用樹脂組成物及びその硬化物によって封止された半導
体装置に関する。
ラック性及び誘電特性に優れた硬化物を与える半導体封
止用樹脂組成物及びその硬化物によって封止された半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体装置の高密度実装化に伴って表面実装型パッケー
ジが主流になってきている。これら表面実装型パッケー
ジを実装する際には、ペーパーフェーズリフロー、赤外
線リフロー、半田浸漬等の工程が採用されている。これ
らの工程ではパッケージが高温（２１５〜２６０℃）に
さらされるため、従来の封止樹脂で封止したパッケージ
は、実装時に樹脂部分にクラックが発生し、信頼性が保
証できないという大きな問題が生じている。近年では薄
型のＴＳＯＰ，ＴＱＦＰのようなパッケージが主流とな
りつつあり、耐リフロークラック性の要求はますます強
くなっている。
半導体装置の高密度実装化に伴って表面実装型パッケー
ジが主流になってきている。これら表面実装型パッケー
ジを実装する際には、ペーパーフェーズリフロー、赤外
線リフロー、半田浸漬等の工程が採用されている。これ
らの工程ではパッケージが高温（２１５〜２６０℃）に
さらされるため、従来の封止樹脂で封止したパッケージ
は、実装時に樹脂部分にクラックが発生し、信頼性が保
証できないという大きな問題が生じている。近年では薄
型のＴＳＯＰ，ＴＱＦＰのようなパッケージが主流とな
りつつあり、耐リフロークラック性の要求はますます強
くなっている。
【０００３】また、ＣＰＵの動作速度を上げるために、
クロック周波数の高周波数化が進み、パッケージ、回路
基板には信号の伝送の損失の少ない低誘電率の材料が望
まれている。
クロック周波数の高周波数化が進み、パッケージ、回路
基板には信号の伝送の損失の少ない低誘電率の材料が望
まれている。
【０００４】更に、封止樹脂組成物中には、難燃剤とし
てハロゲン系難燃剤及び三酸化アンチモンが配合される
ことが多い。しかしながら、高温時において、ハロゲン
系難燃剤はハロゲン化物イオン（ラジカル）を発生する
ため金線の断線等、耐熱不良を引き起こす。また環境衛
生の点からもハロゲン系難燃剤、三酸化アンチモンを使
用しない難燃封止材料が要求されている。
てハロゲン系難燃剤及び三酸化アンチモンが配合される
ことが多い。しかしながら、高温時において、ハロゲン
系難燃剤はハロゲン化物イオン（ラジカル）を発生する
ため金線の断線等、耐熱不良を引き起こす。また環境衛
生の点からもハロゲン系難燃剤、三酸化アンチモンを使
用しない難燃封止材料が要求されている。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
高温での信頼性、環境に対する安全性が高く、かつ難燃
性、耐リフロー性及び誘電特性に優れた硬化物を与える
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止
された半導体装置を提供することを目的とする。
高温での信頼性、環境に対する安全性が高く、かつ難燃
性、耐リフロー性及び誘電特性に優れた硬化物を与える
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止
された半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、エポキシ樹脂として下記一般式（１）で表されるエ
ポキシ樹脂、その硬化剤として下記一般式（２）で表さ
れるフェノール樹脂を使用し、これに無機充填材を必須
成分として含有してなる半導体封止用樹脂組成物が難燃
性、耐リフロークラック性、及び低誘電特性に優れた硬
化物を与えることを見出し、本発明をなすに至ったもの
である。
発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、エポキシ樹脂として下記一般式（１）で表されるエ
ポキシ樹脂、その硬化剤として下記一般式（２）で表さ
れるフェノール樹脂を使用し、これに無機充填材を必須
成分として含有してなる半導体封止用樹脂組成物が難燃
性、耐リフロークラック性、及び低誘電特性に優れた硬
化物を与えることを見出し、本発明をなすに至ったもの
である。
【０００７】
【化３】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｐは１〜４の整数、ｎは０〜１０
の整数である。）
はフェニル基であり、ｐは１〜４の整数、ｎは０〜１０
の整数である。）
【０００８】
【化４】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｑは１〜４の整数、ｍは０〜１０
の整数である。）
はフェニル基であり、ｑは１〜４の整数、ｍは０〜１０
の整数である。）
【０００９】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の（Ａ）
成分は、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂であ
る。
る。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の（Ａ）
成分は、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂であ
る。
【００１０】
【化５】
【００１１】ここで、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４の
アルキル基又はフェニル基を示し、ｐは１〜４、好まし
くは１〜２の整数であり、各Ｒ1は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、ｎは０〜１０、好ましく
は０〜３の整数、より好ましくは０、１又は２である。
上記式（１）のエポキシ樹脂の具体例としては、以下の
ものが例示される。
アルキル基又はフェニル基を示し、ｐは１〜４、好まし
くは１〜２の整数であり、各Ｒ1は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、ｎは０〜１０、好ましく
は０〜３の整数、より好ましくは０、１又は２である。
上記式（１）のエポキシ樹脂の具体例としては、以下の
ものが例示される。
【００１２】
【化６】
【００１３】本発明に用いる（Ａ）成分の式（１）で表
されるエポキシ樹脂は、１５０℃においてＩＣＩ粘度計
（コーン＆プレート型）により測定される樹脂溶融粘度
が０．１〜２．５ポイズであることが望ましい。これは
半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての無機充填材量
を８０〜９０重量％にする場合、２．５ポイズを超える
と溶融時の流動性が著しく低下してしまうためである。
更に好ましくは１５０℃においてＩＣＩ溶融粘度が０．
１〜０．８ポイズである。
されるエポキシ樹脂は、１５０℃においてＩＣＩ粘度計
（コーン＆プレート型）により測定される樹脂溶融粘度
が０．１〜２．５ポイズであることが望ましい。これは
半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての無機充填材量
を８０〜９０重量％にする場合、２．５ポイズを超える
と溶融時の流動性が著しく低下してしまうためである。
更に好ましくは１５０℃においてＩＣＩ溶融粘度が０．
１〜０．８ポイズである。
【００１４】本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に
応じ他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用す
るエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノール
アルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、
複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ化合物等
が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上と併用する
ことができる。これらの中では溶融時に低粘度であるビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ
化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、スチルベ
ン型エポキシ化合物等が好ましい。
応じ他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用す
るエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノール
アルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、
複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ化合物等
が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上と併用する
ことができる。これらの中では溶融時に低粘度であるビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ
化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、スチルベ
ン型エポキシ化合物等が好ましい。
【００１５】なお、上記式（１）のエポキシ樹脂は、エ
ポキシ樹脂全量（式（１）のエポキシ樹脂と上記他のエ
ポキシ樹脂との総和）の５０〜１００重量％、より好ま
しくは７０〜１００重量％、更に好ましくは８０〜１０
０重量％である。
ポキシ樹脂全量（式（１）のエポキシ樹脂と上記他のエ
ポキシ樹脂との総和）の５０〜１００重量％、より好ま
しくは７０〜１００重量％、更に好ましくは８０〜１０
０重量％である。
【００１６】次に、本発明のエポキシ樹脂組成物の
（Ｂ）成分は、下記一般式（２）で表されるフェノール
樹脂硬化剤である。
（Ｂ）成分は、下記一般式（２）で表されるフェノール
樹脂硬化剤である。
【００１７】
【化７】
【００１８】ここで、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４の
アルキル基又はフェニル基を示し、ｑは１〜４、好まし
くは１〜２の整数であり、各Ｒ2は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、ｍは０〜１０、好ましく
は０〜３の整数、より好ましくは０、１又は２である。
上記式（２）のフェノール樹脂の具体例としては、以下
のものが例示される。
アルキル基又はフェニル基を示し、ｑは１〜４、好まし
くは１〜２の整数であり、各Ｒ2は互いに同一であって
も異なっていてもよい。また、ｍは０〜１０、好ましく
は０〜３の整数、より好ましくは０、１又は２である。
上記式（２）のフェノール樹脂の具体例としては、以下
のものが例示される。
【００１９】
【化８】
【００２０】本発明に用いる（Ｂ）成分の式（２）で表
されるフェノール樹脂硬化剤は、１５０℃においてＩＣ
Ｉ粘度計（コーン＆プレート型）により測定される樹脂
溶融粘度が０．１〜１．２ポイズであることが望まし
い。これはエポキシ樹脂と同様の理由によるものであ
る。
されるフェノール樹脂硬化剤は、１５０℃においてＩＣ
Ｉ粘度計（コーン＆プレート型）により測定される樹脂
溶融粘度が０．１〜１．２ポイズであることが望まし
い。これはエポキシ樹脂と同様の理由によるものであ
る。
【００２１】上記式（２）のフェノール樹脂には、場合
により他の硬化剤を併用することができる。併用する硬
化剤としては、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン
環含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノ
ール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノ
ール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ
型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂
等が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上と併用す
ることができる。
により他の硬化剤を併用することができる。併用する硬
化剤としては、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン
環含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノ
ール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノ
ール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ
型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂
等が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上と併用す
ることができる。
【００２２】なお、上記式（２）のフェノール樹脂硬化
剤は、硬化剤全量（式（２）のフェノール樹脂と上記他
の硬化剤との総和）の５０〜１００重量％、より好まし
くは７０〜１００重量％、更に好ましくは８０〜１００
重量％である。
剤は、硬化剤全量（式（２）のフェノール樹脂と上記他
の硬化剤との総和）の５０〜１００重量％、より好まし
くは７０〜１００重量％、更に好ましくは８０〜１００
重量％である。
【００２３】本発明では、式（１）で表されるエポキシ
樹脂と式（２）で表されるフェノール樹脂硬化剤の併用
が必須であるが、エポキシ樹脂として、式（１−１）の
エポキシ樹脂を５０重量％以上、フェノール樹脂硬化剤
として式（２−１）のフェノール樹脂を５０重量％以
上、望ましくはいずれも８０重量％以上使用した場合、
その組成物中にハロゲン化樹脂、三酸化アンチモンを含
有しなくともＶ−０レベルの難燃性を得ることが可能で
ある。式（１−２）（１−３）、（１−４）のエポキシ
樹脂や式（２−２）（２−３）、（２−４）のフェノー
ル樹脂が５０重量％以上になった場合、置換基であるメ
チル基の数が多くなり燃焼し易くなる。ハロゲン化樹
脂、三酸化アンチモンを併用せずに難燃化を達成させる
ためにはフェノール樹脂とエポキシ樹脂中のメチル基の
重量割合がエポキシ樹脂とフェノール樹脂の総重量の
５．５重量％以下であることが好ましい。
樹脂と式（２）で表されるフェノール樹脂硬化剤の併用
が必須であるが、エポキシ樹脂として、式（１−１）の
エポキシ樹脂を５０重量％以上、フェノール樹脂硬化剤
として式（２−１）のフェノール樹脂を５０重量％以
上、望ましくはいずれも８０重量％以上使用した場合、
その組成物中にハロゲン化樹脂、三酸化アンチモンを含
有しなくともＶ−０レベルの難燃性を得ることが可能で
ある。式（１−２）（１−３）、（１−４）のエポキシ
樹脂や式（２−２）（２−３）、（２−４）のフェノー
ル樹脂が５０重量％以上になった場合、置換基であるメ
チル基の数が多くなり燃焼し易くなる。ハロゲン化樹
脂、三酸化アンチモンを併用せずに難燃化を達成させる
ためにはフェノール樹脂とエポキシ樹脂中のメチル基の
重量割合がエポキシ樹脂とフェノール樹脂の総重量の
５．５重量％以下であることが好ましい。
【００２４】また、エポキシ樹脂、硬化剤の配合量は特
に制限されないが、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ
基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水
酸基のモル比が０．５〜１．５であることが好ましい。
に制限されないが、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ
基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水
酸基のモル比が０．５〜１．５であることが好ましい。
【００２５】本発明に用いる（Ｃ）成分の無機充填材
は、エポキシ樹脂組成物に通常配合されるものを使用す
ることができる。具体的には、例えば溶融シリカ、結晶
性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アル
ミニウム、窒化硼素、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げ
られる。これらの中では、球状の溶融シリカもしくはア
ルミナが特に望ましく、その平均粒径は５〜３０μｍの
ものが、成形性、流動性の面から望ましい。この無機充
填材の配合量は特に限定されないが、難燃性、耐リフロ
ークラック性を満足させるために、エポキシ樹脂と硬化
剤の合計量１００重量部に対して４００重量部以上、特
にハロゲン化樹脂と三酸化アンチモンを含有せずに難燃
化するためにはエポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重
量部に対して７００〜１１００重量部とすることが好ま
しい。７００重量部未満では組成物は燃焼するおそれが
ある。また、１１００重量部を超えると粘度が高くなる
ために成形できなくなるおそれがある。なお、無機充填
材は、樹脂と無機充填材表面との結合強度を強くするた
め、予めシランカップリング剤などで表面処理したもの
を配合することが好ましい。ここで表面処理に用いるカ
ップリング剤量及び表面処理方法については特に制限さ
れない。
は、エポキシ樹脂組成物に通常配合されるものを使用す
ることができる。具体的には、例えば溶融シリカ、結晶
性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アル
ミニウム、窒化硼素、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げ
られる。これらの中では、球状の溶融シリカもしくはア
ルミナが特に望ましく、その平均粒径は５〜３０μｍの
ものが、成形性、流動性の面から望ましい。この無機充
填材の配合量は特に限定されないが、難燃性、耐リフロ
ークラック性を満足させるために、エポキシ樹脂と硬化
剤の合計量１００重量部に対して４００重量部以上、特
にハロゲン化樹脂と三酸化アンチモンを含有せずに難燃
化するためにはエポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重
量部に対して７００〜１１００重量部とすることが好ま
しい。７００重量部未満では組成物は燃焼するおそれが
ある。また、１１００重量部を超えると粘度が高くなる
ために成形できなくなるおそれがある。なお、無機充填
材は、樹脂と無機充填材表面との結合強度を強くするた
め、予めシランカップリング剤などで表面処理したもの
を配合することが好ましい。ここで表面処理に用いるカ
ップリング剤量及び表面処理方法については特に制限さ
れない。
【００２６】また、本発明では硬化促進剤を配合し得
る。硬化促進剤としてはエポキシ基と硬化剤中の官能基
との反応を促進させるものであればよく、一般に封止材
料に用いられているものを広く用いることができる。例
えば１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン
−７、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、トリス（ア
ルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェ
ニル）ホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレート、１，４−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）ブタン等が挙げられる。
る。硬化促進剤としてはエポキシ基と硬化剤中の官能基
との反応を促進させるものであればよく、一般に封止材
料に用いられているものを広く用いることができる。例
えば１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン
−７、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、トリス（ア
ルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェ
ニル）ホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレート、１，４−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）ブタン等が挙げられる。
【００２７】本発明の封止用樹脂組成物は、式（１）で
表されるエポキシ樹脂、式（２）で表されるフェノール
樹脂硬化剤、無機充填材を必須成分とするが、更に必要
に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば
熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、
シリコーン系等の低応力剤、カルナバワックス等のワッ
クス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラッ
プ剤等の添加剤を添加配合することができる。
表されるエポキシ樹脂、式（２）で表されるフェノール
樹脂硬化剤、無機充填材を必須成分とするが、更に必要
に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば
熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、
シリコーン系等の低応力剤、カルナバワックス等のワッ
クス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラッ
プ剤等の添加剤を添加配合することができる。
【００２８】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、硬化剤、充填材、その他の添加物を所定の組成比で
配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した
後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶
融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさ
に粉砕して成形材料とすることができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、硬化剤、充填材、その他の添加物を所定の組成比で
配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した
後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶
融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさ
に粉砕して成形材料とすることができる。
【００２９】このようにして得られる本発明の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止に
有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、
本発明の封止用樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８５
℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８５℃で２〜
２０時間行うことが望ましい。
止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止に
有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、
本発明の封止用樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８５
℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８５℃で２〜
２０時間行うことが望ましい。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を使用
しているため、成形性が良好である上、難燃性、耐リフ
ロークラック性及び誘電特性に優れる硬化物を与えるも
のである。
物は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を使用
しているため、成形性が良好である上、難燃性、耐リフ
ロークラック性及び誘電特性に優れる硬化物を与えるも
のである。
【００３１】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部である。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部である。
【００３２】〔実施例１〜１２、比較例１〜９〕表１、
２に示す成分を熱２本ロールで均一に溶融混合し、冷
却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
更に得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランス
ファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇ、１２０秒の条件
で１２７×１２．７×１．６ｍｍの耐燃テスト用試験片
を成形した。また耐リフロークラック試験用として１４
×２０×２．７ｍｍのフラットパッケージを成形した。
試験結果を表３、４に示す。なお、使用した原材料を下
記に示す。 ・エポキシ樹脂 （イ）下記式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ
３０００Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７２、１５０
℃、ＩＣＩ溶融粘度０．８ポイズ） （ロ）下記式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ
３０００Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７８、１５０
℃、ＩＣＩ溶融粘度２．５ポイズ） （ハ）下記式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ
３０００Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７８、１５０
℃、ＩＣＩ溶融粘度３．０ポイズ） （ニ）下記式（１−２）で表されるエポキシ樹脂（日本
化薬製、エポキシ当量２９０、１５０℃、ＩＣＩ溶融粘
度１．６ポイズ） （ホ）下記式（１−３）で表されるエポキシ樹脂（日本
化薬製、エポキシ当量３００、１５０℃、ＩＣＩ溶融粘
度２．８ポイズ） （ヘ）ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ
（油化シェル製、エポキシ当量１９０、１５０℃、ＩＣ
Ｉ溶融粘度０．８ポイズ） ・フェノール樹脂 （ト）下記式（２−１）で表されるフェノール樹脂：Ｍ
ＥＨ７８５１Ｌ（明和化成製、フェノール当量１９９、
１５０℃、ＩＣＩ溶融粘度０．８ポイズ） （チ）下記式（２−２）で表されるフェノール樹脂（明
和化成製、フェノール当量１８０、１５０℃、ＩＣＩ溶
融粘度１．２ポイズ） （リ）フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ７８００ＳＳ
（明和化成製、フェノール当量１７５、１５０℃、ＩＣ
Ｉ溶融粘度１．０ポイズ） ・無機充填材：球状溶融シリカ ・硬化促進剤：トリフェニルホスフィン ・カーボンブラック ・離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ
（株）製） ・イオントラップ剤：ＫＷ２２００（協和化学工業
（株）製） ・シランカップリング剤：ＫＢＭ４０３（信越化学工業
（株）製） ・三酸化アンチモン：Ｓｂ2Ｏ3ＲＸ（住友金属鉱山
（株）製） ・ブロモ化エポキシ樹脂：ＡＥＲ８０４９（旭チバ製）
２に示す成分を熱２本ロールで均一に溶融混合し、冷
却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
更に得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランス
ファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇ、１２０秒の条件
で１２７×１２．７×１．６ｍｍの耐燃テスト用試験片
を成形した。また耐リフロークラック試験用として１４
×２０×２．７ｍｍのフラットパッケージを成形した。
試験結果を表３、４に示す。なお、使用した原材料を下
記に示す。 ・エポキシ樹脂 （イ）下記式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ
３０００Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７２、１５０
℃、ＩＣＩ溶融粘度０．８ポイズ） （ロ）下記式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ
３０００Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７８、１５０
℃、ＩＣＩ溶融粘度２．５ポイズ） （ハ）下記式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ
３０００Ｐ（日本化薬製、エポキシ当量２７８、１５０
℃、ＩＣＩ溶融粘度３．０ポイズ） （ニ）下記式（１−２）で表されるエポキシ樹脂（日本
化薬製、エポキシ当量２９０、１５０℃、ＩＣＩ溶融粘
度１．６ポイズ） （ホ）下記式（１−３）で表されるエポキシ樹脂（日本
化薬製、エポキシ当量３００、１５０℃、ＩＣＩ溶融粘
度２．８ポイズ） （ヘ）ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ
（油化シェル製、エポキシ当量１９０、１５０℃、ＩＣ
Ｉ溶融粘度０．８ポイズ） ・フェノール樹脂 （ト）下記式（２−１）で表されるフェノール樹脂：Ｍ
ＥＨ７８５１Ｌ（明和化成製、フェノール当量１９９、
１５０℃、ＩＣＩ溶融粘度０．８ポイズ） （チ）下記式（２−２）で表されるフェノール樹脂（明
和化成製、フェノール当量１８０、１５０℃、ＩＣＩ溶
融粘度１．２ポイズ） （リ）フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ７８００ＳＳ
（明和化成製、フェノール当量１７５、１５０℃、ＩＣ
Ｉ溶融粘度１．０ポイズ） ・無機充填材：球状溶融シリカ ・硬化促進剤：トリフェニルホスフィン ・カーボンブラック ・離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ
（株）製） ・イオントラップ剤：ＫＷ２２００（協和化学工業
（株）製） ・シランカップリング剤：ＫＢＭ４０３（信越化学工業
（株）製） ・三酸化アンチモン：Ｓｂ2Ｏ3ＲＸ（住友金属鉱山
（株）製） ・ブロモ化エポキシ樹脂：ＡＥＲ８０４９（旭チバ製）
【００３３】
【化９】
【００３４】
【化１０】
【００３５】評価方法は下記の通りである。スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、７０
ｋｇ／ｍｍ2、成形時間９０秒の条件で測定した。耐燃試験 ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．５８７５ｍｍ（１／
１６ｉｎｃｈ））、難燃性で表した。耐リフロークラック試験 １４×２０×２．７ｍｍのフラットパッケージを成形し
た。１８０℃で４時間ポストキュアしたものを、８５℃
／８５％ＲＨの恒温恒湿器に１６８時間放置して吸湿さ
せた後、温度２４０℃の半田浴に３０秒浸漬し、パッケ
ージ外部のクラックを観察した。誘電率 １７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件
で試験片を作成し、ＪＩＳ Ｋ６９１１に従って１ＭＨ
ｚにおける誘電率を測定した。高温放置特性 シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部
分金メッキされた４２アロイリードフレームとを、太さ
３０μｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇ
／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で１４ｐｉｎＤＩＰ
を成形した。１８０℃、４時間ポストキュアしたものを
２００℃の乾燥器に放置した後、樹脂硬化物を発煙硝酸
で溶かし、チップ側のボンディング部の引張り強度を測
定した。この引張り強度の値が初期値の５０％以下にな
ったものを不良とした。内部ボイド オートモールド装置を用いて、１４×２０×２．７ｍｍ
のフラットパッケージを１７５℃、７０ｋｇ／ｍｍ2の
圧力で成形した。成形したパッケージを超音波探傷装置
を用い、パッケージの内部のボイドを観察した。
ｋｇ／ｍｍ2、成形時間９０秒の条件で測定した。耐燃試験 ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．５８７５ｍｍ（１／
１６ｉｎｃｈ））、難燃性で表した。耐リフロークラック試験 １４×２０×２．７ｍｍのフラットパッケージを成形し
た。１８０℃で４時間ポストキュアしたものを、８５℃
／８５％ＲＨの恒温恒湿器に１６８時間放置して吸湿さ
せた後、温度２４０℃の半田浴に３０秒浸漬し、パッケ
ージ外部のクラックを観察した。誘電率 １７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件
で試験片を作成し、ＪＩＳ Ｋ６９１１に従って１ＭＨ
ｚにおける誘電率を測定した。高温放置特性 シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部
分金メッキされた４２アロイリードフレームとを、太さ
３０μｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇ
／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で１４ｐｉｎＤＩＰ
を成形した。１８０℃、４時間ポストキュアしたものを
２００℃の乾燥器に放置した後、樹脂硬化物を発煙硝酸
で溶かし、チップ側のボンディング部の引張り強度を測
定した。この引張り強度の値が初期値の５０％以下にな
ったものを不良とした。内部ボイド オートモールド装置を用いて、１４×２０×２．７ｍｍ
のフラットパッケージを１７５℃、７０ｋｇ／ｍｍ2の
圧力で成形した。成形したパッケージを超音波探傷装置
を用い、パッケージの内部のボイドを観察した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】
【表４】
【００４０】以上の結果より、本発明のように特定構造
のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を併用した組成物は、
成形性が良好である上、難燃性、耐リフロークラック
性、誘電特性に優れる硬化物を与えるものである。
のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を併用した組成物は、
成形性が良好である上、難燃性、耐リフロークラック
性、誘電特性に優れる硬化物を与えるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 貴之 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 富吉 和俊 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を必須成分とす
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｐは１〜４の整数、ｎは０〜１０
の整数である。） （Ｂ）下記一般式（２）で表されるフェノール樹脂 【化２】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基であり、ｑは１〜４の整数、ｍは０〜１０
の整数である。） （Ｃ）無機充填材。 - 【請求項２】 式（１）で表されるエポキシ樹脂が、１
５０℃においてＩＣＩ粘度計（コーン＆プレート型）に
より測定される樹脂溶融粘度が０．１〜２．５ポイズの
ものである請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。 - 【請求項３】 式（２）で表されるフェノール樹脂が、
１５０℃においてＩＣＩ粘度計（コーン＆プレート型）
により測定される樹脂溶融粘度が０．１〜１．２ポイズ
のものである請求項１又は２記載の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9325226A JPH11140166A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US09/189,408 US6160078A (en) | 1997-11-11 | 1998-11-10 | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9325226A JPH11140166A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140166A true JPH11140166A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=18174441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9325226A Pending JPH11140166A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6160078A (ja) |
| JP (1) | JPH11140166A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297306B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-10-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP2002145995A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-05-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002161129A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | ポリクレゾール樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
| JP2002179773A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002179882A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003012771A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2005089486A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2005056632A1 (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 熱硬化性樹脂組成物、樹脂シートおよび絶縁基板用樹脂シート |
| WO2005100435A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Namics Corporation | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2006002139A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Nippon Kayaku Co Ltd | フェノール樹脂、エポキシ樹脂およびその硬化物 |
| JPWO2004074344A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2006-06-01 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US7259213B2 (en) | 2002-02-12 | 2007-08-21 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Indole resins epoxy resins and resin compositions containing the same |
| CN100441633C (zh) * | 2005-03-01 | 2008-12-10 | 日东电工株式会社 | 用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物及使用该组合物的光学半导体器件 |
| JP2012216840A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 三次元集積回路積層体 |
| KR101260535B1 (ko) * | 2005-03-15 | 2013-05-06 | 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 | 에폭시 수지, 에폭시 수지 조성물, 이것을 사용한프리프레그 및 적층판 |
| KR20140129227A (ko) | 2012-02-23 | 2014-11-06 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 다가 하이드록시 수지, 에폭시 수지, 그들의 제조방법, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물 |
| KR20150111850A (ko) | 2014-03-26 | 2015-10-06 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 변성 다가 하이드록시 수지, 에폭시 수지, 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물 |
| US9508648B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-11-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Three-dimensional integrated circuit laminate, and interlayer filler for three-dimensional integrated circuit laminate |
| KR20220092793A (ko) | 2020-12-25 | 2022-07-04 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 다가 하이드록시 수지, 에폭시 수지, 에폭시 수지 조성물, 및 그 경화물 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3349963B2 (ja) * | 1998-10-21 | 2002-11-25 | 日本電気株式会社 | 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| US8084863B2 (en) * | 2005-03-23 | 2011-12-27 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Circuitized substrate with continuous thermoplastic support film dielectric layers |
| WO2012057171A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | エア・ウォーター株式会社 | 樹脂組成物、それを用いたプリプレグ及び積層板 |
| KR101309820B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2013-09-23 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1169045A (en) * | 1967-07-21 | 1969-10-29 | Midland Silicones Ltd | Novel Epoxylated Phenolic Resins |
| JPH04300914A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH10158475A (ja) * | 1996-10-02 | 1998-06-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH10204257A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1997
- 1997-11-11 JP JP9325226A patent/JPH11140166A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-10 US US09/189,408 patent/US6160078A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297306B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-10-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP2002145995A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-05-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002161129A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-04 | Nippon Kayaku Co Ltd | ポリクレゾール樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
| JP2002179882A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002179773A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003012771A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US7259213B2 (en) | 2002-02-12 | 2007-08-21 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Indole resins epoxy resins and resin compositions containing the same |
| JPWO2004074344A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2006-06-01 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4692885B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2011-06-01 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2005089486A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US7709085B2 (en) | 2003-12-08 | 2010-05-04 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Thermosetting resin composition, resin sheet and resin sheet for insulated substrate |
| WO2005056632A1 (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 熱硬化性樹脂組成物、樹脂シートおよび絶縁基板用樹脂シート |
| JPWO2005100435A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2007-08-16 | ナミックス株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
| WO2005100435A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Namics Corporation | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2006002139A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Nippon Kayaku Co Ltd | フェノール樹脂、エポキシ樹脂およびその硬化物 |
| CN100441633C (zh) * | 2005-03-01 | 2008-12-10 | 日东电工株式会社 | 用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物及使用该组合物的光学半导体器件 |
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| JP2012216840A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 三次元集積回路積層体 |
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