JPH11140617A - 金属フッ化物含有膜の形成方法 - Google Patents
金属フッ化物含有膜の形成方法Info
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- JPH11140617A JPH11140617A JP9307476A JP30747697A JPH11140617A JP H11140617 A JPH11140617 A JP H11140617A JP 9307476 A JP9307476 A JP 9307476A JP 30747697 A JP30747697 A JP 30747697A JP H11140617 A JPH11140617 A JP H11140617A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 緻密で、かつ均質性に優れた膜構造を有して
いて、フッ素欠損を低減することができる。 【解決手段】 金属フッ化物含有予備膜１２を形成した
後、この予備膜をフッ素化剤含有雰囲気中で加熱処理す
る工程を含んでいる。
いて、フッ素欠損を低減することができる。 【解決手段】 金属フッ化物含有予備膜１２を形成した
後、この予備膜をフッ素化剤含有雰囲気中で加熱処理す
る工程を含んでいる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、金属フッ化物含
有膜の形成方法に関する。
有膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、ガラスや金属等の基板上にＭ
ｇＦ2 （フッ化マグネシウム）などの金属フッ化物を構
成要素とする薄膜を所定の厚さに蒸着させて、反射防止
膜や反射膜を形成することはよく知られている。
ｇＦ2 （フッ化マグネシウム）などの金属フッ化物を構
成要素とする薄膜を所定の厚さに蒸着させて、反射防止
膜や反射膜を形成することはよく知られている。
【０００３】素子の機能に応じて、光学的膜厚がλ／４
の膜、λ／２の膜、あるいは高屈折率材料からなり光学
的膜厚がλ／4 の膜と低屈折率材料からなり光学的膜厚
がλ／4 の膜とを交互に積層させてなる多層構造の膜な
どが光学薄膜として使われている。
の膜、λ／２の膜、あるいは高屈折率材料からなり光学
的膜厚がλ／4 の膜と低屈折率材料からなり光学的膜厚
がλ／4 の膜とを交互に積層させてなる多層構造の膜な
どが光学薄膜として使われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような光学薄膜の
形成は、通常、真空蒸着法やスパッタ法を用いて行って
いる。しかしながら、このような膜の形成方法では、形
成される膜のマイグレーション力が弱い。また膜を形成
する蒸着物が被蒸着面でカラム状となる。このため、形
成される膜は不均質なものとなってしまう。また、膜か
らのフッ素の欠損が生じやすい。
形成は、通常、真空蒸着法やスパッタ法を用いて行って
いる。しかしながら、このような膜の形成方法では、形
成される膜のマイグレーション力が弱い。また膜を形成
する蒸着物が被蒸着面でカラム状となる。このため、形
成される膜は不均質なものとなってしまう。また、膜か
らのフッ素の欠損が生じやすい。
【０００５】このため、形成される膜の分光特性が変化
してしまったり、周囲の湿度によって膜の分光特性が変
化してしまうといった問題があった。
してしまったり、周囲の湿度によって膜の分光特性が変
化してしまうといった問題があった。
【０００６】よって、緻密で、かつ均質性に優れた膜構
造を有していて、フッ素欠損を低減することのできる金
属フッ化物含有膜を形成する方法の出現が望まれてい
た。
造を有していて、フッ素欠損を低減することのできる金
属フッ化物含有膜を形成する方法の出現が望まれてい
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の金
属フッ化物含有膜の形成方法によれば、下地に金属フッ
化物含有予備膜を形成した後、この予備膜をフッ素化剤
含有雰囲気中で加熱処理することにより、この予備膜を
金属フッ化物含有膜に変える工程を含んでいることを特
徴とする。
属フッ化物含有膜の形成方法によれば、下地に金属フッ
化物含有予備膜を形成した後、この予備膜をフッ素化剤
含有雰囲気中で加熱処理することにより、この予備膜を
金属フッ化物含有膜に変える工程を含んでいることを特
徴とする。
【０００８】金属フッ化物含有予備膜とは、真空蒸着等
で形成した金属フッ化物を含有する膜で、ここでは、加
熱する前の状態の膜のことを指す。金属フッ化物は酸化
しやすく、また、膜の蒸着のときにフッ素が脱離しやす
い。また、このようなフッ素欠損は加熱処理によりさら
に悪化する。このため、フッ素化剤含有雰囲気中で加熱
処理すれば、酸化を防ぐことができる。また、既に酸化
している金属フッ化物含有予備膜の部分から酸素を追い
出してフッ素化させることもできる。また、フッ素の脱
離を防止することができ、さらに膜のフッ素化を促進で
きる。また、真空蒸着等で形成した金属フッ化物含有予
備膜は、不均質で粗い膜である。しかしながらフッ素化
剤含有雰囲気中で加熱処理を行うことによって、フッ素
欠損を防ぎながら金属フッ化物含有膜の均質性を向上さ
せ、当該膜を緻密な膜構造にすることができる。これに
より、好ましい金属フッ化物含有膜を形成することがで
きる。
で形成した金属フッ化物を含有する膜で、ここでは、加
熱する前の状態の膜のことを指す。金属フッ化物は酸化
しやすく、また、膜の蒸着のときにフッ素が脱離しやす
い。また、このようなフッ素欠損は加熱処理によりさら
に悪化する。このため、フッ素化剤含有雰囲気中で加熱
処理すれば、酸化を防ぐことができる。また、既に酸化
している金属フッ化物含有予備膜の部分から酸素を追い
出してフッ素化させることもできる。また、フッ素の脱
離を防止することができ、さらに膜のフッ素化を促進で
きる。また、真空蒸着等で形成した金属フッ化物含有予
備膜は、不均質で粗い膜である。しかしながらフッ素化
剤含有雰囲気中で加熱処理を行うことによって、フッ素
欠損を防ぎながら金属フッ化物含有膜の均質性を向上さ
せ、当該膜を緻密な膜構造にすることができる。これに
より、好ましい金属フッ化物含有膜を形成することがで
きる。
【０００９】また、形成される金属フッ化物含有膜は光
学薄膜として用いられる。特に金属フッ化物含有膜は紫
外領域の波長の光に対して吸収が小さく透過率が高いた
めに紫外領域用の反射膜や反射防止膜等として用いられ
る。
学薄膜として用いられる。特に金属フッ化物含有膜は紫
外領域の波長の光に対して吸収が小さく透過率が高いた
めに紫外領域用の反射膜や反射防止膜等として用いられ
る。
【００１０】金属フッ化物としては、例えば、ＣａＦ
2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＮａＦ、ＭｇＦ2 、Ｎａ3 Ａ
ｌＦ6 、ＡｌＦ3 、ＧｄＦ3 、ＮｄＦ3 、ＬａＦ3 等が
挙げられる。
2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＮａＦ、ＭｇＦ2 、Ｎａ3 Ａ
ｌＦ6 、ＡｌＦ3 、ＧｄＦ3 、ＮｄＦ3 、ＬａＦ3 等が
挙げられる。
【００１１】この発明において、好ましくはフッ素化剤
をＮＦ3 ガスおよびＸｅＦ2 ガスとするのがよい。
をＮＦ3 ガスおよびＸｅＦ2 ガスとするのがよい。
【００１２】これらのガスを、金属フッ化物含有予備膜
に対して加熱処理を行うときにフッ素化剤として用いる
ことによって、膜からのフッ素の脱離を防ぎ、既にフッ
素が欠損しているところのフッ素化を図ることができ
る。
に対して加熱処理を行うときにフッ素化剤として用いる
ことによって、膜からのフッ素の脱離を防ぎ、既にフッ
素が欠損しているところのフッ素化を図ることができ
る。
【００１３】また、加熱処理を行うための雰囲気にはフ
ッ素化剤を含有している。この雰囲気は、加熱処理を行
う装置内に上記のフッ素化剤を導入することによりつく
られるか、または装置内にフッ素化剤を含む混合ガスを
導入することによりつくられるのがよい。
ッ素化剤を含有している。この雰囲気は、加熱処理を行
う装置内に上記のフッ素化剤を導入することによりつく
られるか、または装置内にフッ素化剤を含む混合ガスを
導入することによりつくられるのがよい。
【００１４】これにより、金属フッ化物含有予備膜をフ
ッ素化剤を含有する雰囲気内で加熱処理することができ
る。
ッ素化剤を含有する雰囲気内で加熱処理することができ
る。
【００１５】また、フッ素化剤を含む混合ガスは、フッ
素化剤と不活性ガスとの混合ガスであるのが好ましい。
素化剤と不活性ガスとの混合ガスであるのが好ましい。
【００１６】不活性ガスとしては、例えばＡｒやＸｅ等
の希ガスが挙げられる。また、この発明のように膜が酸
化されやすいために酸素を避ける必要のあるプロセスに
おいては、窒素もまた不活性ガスとして用いることがで
きる。フッ素化剤は金属フッ化物含有予備膜のフッ素欠
損を防ぐことができ、かつフッ素化を促進することがで
きる程度に、装置内雰囲気中に含まれていればよい。ま
た、フッ素化剤やこのフッ素化剤から発生するフッ素
（またはフッ素イオン）は反応性に富み、また毒性が非
常に強い物質である。このため、不活性ガスとの混合ガ
スにして、取り扱うガス中のフッ素化剤の濃度を下げる
ことにより安全性を確保している。
の希ガスが挙げられる。また、この発明のように膜が酸
化されやすいために酸素を避ける必要のあるプロセスに
おいては、窒素もまた不活性ガスとして用いることがで
きる。フッ素化剤は金属フッ化物含有予備膜のフッ素欠
損を防ぐことができ、かつフッ素化を促進することがで
きる程度に、装置内雰囲気中に含まれていればよい。ま
た、フッ素化剤やこのフッ素化剤から発生するフッ素
（またはフッ素イオン）は反応性に富み、また毒性が非
常に強い物質である。このため、不活性ガスとの混合ガ
スにして、取り扱うガス中のフッ素化剤の濃度を下げる
ことにより安全性を確保している。
【００１７】また、混合ガス中のフッ素化剤の濃度を、
好ましくは、１容量％以上でかつ２０容量％以下の濃度
にして使用可能である。
好ましくは、１容量％以上でかつ２０容量％以下の濃度
にして使用可能である。
【００１８】使用するのに、より好ましいフッ素化剤の
濃度の範囲は１容量％以上でかつ１０容量％以下であ
る。また、最適な濃度は５容量％である。
濃度の範囲は１容量％以上でかつ１０容量％以下であ
る。また、最適な濃度は５容量％である。
【００１９】上記のような範囲内の濃度でフッ素化剤が
混合ガス中に含まれていれば、金属フッ化物含有予備膜
からのフッ素欠損を防ぎ、かつフッ素化を促進すること
ができる。また、アニール処理（加熱処理）における安
全性も確保できる。
混合ガス中に含まれていれば、金属フッ化物含有予備膜
からのフッ素欠損を防ぎ、かつフッ素化を促進すること
ができる。また、アニール処理（加熱処理）における安
全性も確保できる。
【００２０】また、加熱処理を、好ましくは、１００℃
以上でかつ７００℃以下という範囲内の温度条件下で行
うのがよい。
以上でかつ７００℃以下という範囲内の温度条件下で行
うのがよい。
【００２１】より好ましくは、この加熱処理を、３００
℃以上でかつ４００℃以下という温度範囲内で行うのが
よい。
℃以上でかつ４００℃以下という温度範囲内で行うのが
よい。
【００２２】加熱処理を行う温度（アニール温度とも称
する。）は、金属フッ化物含有予備膜に含まれる金属フ
ッ化物の種類、膜厚、フッ素化剤の種類と量、および装
置内の圧力によって異なる。フッ素欠損を防ぐためには
なるべく低温であるのが好ましく、十分なアニール効果
を得るためにはなるべく高温での処理を行うのがよい。
したがって、この発明において、処理される予備膜のフ
ッ素欠損を防ぎ、かつアニールにより金属フッ化物含有
膜の緻密性および均質性を向上させるためには上述した
温度範囲内で加熱処理を行うのがよい。
する。）は、金属フッ化物含有予備膜に含まれる金属フ
ッ化物の種類、膜厚、フッ素化剤の種類と量、および装
置内の圧力によって異なる。フッ素欠損を防ぐためには
なるべく低温であるのが好ましく、十分なアニール効果
を得るためにはなるべく高温での処理を行うのがよい。
したがって、この発明において、処理される予備膜のフ
ッ素欠損を防ぎ、かつアニールにより金属フッ化物含有
膜の緻密性および均質性を向上させるためには上述した
温度範囲内で加熱処理を行うのがよい。
【００２３】また、加熱処理を行う時間（ここでは、昇
温時間および降温時間を除き、昇温した後降温を始める
までの一定温度で保持する時間とする。）を１時間以上
でかつ２４時間以内の時間で行うことができる。この時
間は、アニール温度によっても異なるが、例えば、アニ
ール温度を３００℃とした場合には４時間とするのが最
適である。
温時間および降温時間を除き、昇温した後降温を始める
までの一定温度で保持する時間とする。）を１時間以上
でかつ２４時間以内の時間で行うことができる。この時
間は、アニール温度によっても異なるが、例えば、アニ
ール温度を３００℃とした場合には４時間とするのが最
適である。
【００２４】また、予備膜を設ける下地は、加熱処理の
加熱温度に対する耐性を有する材料で構成されているの
がよい。
加熱温度に対する耐性を有する材料で構成されているの
がよい。
【００２５】例えば、下地としては蛍石基板や石英ガラ
ス基板が用いられる。
ス基板が用いられる。
【００２６】また、下地への予備膜の形成は、真空蒸着
法またはスパッタ法を用いるのがよい。
法またはスパッタ法を用いるのがよい。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解で
きる程度に概略的に示してあるに過ぎず、したがって発
明を図示例に限定するものではない。
実施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解で
きる程度に概略的に示してあるに過ぎず、したがって発
明を図示例に限定するものではない。
【００２８】＜実施の形態例＞実施の形態例として、基
板上に金属フッ化物含有予備膜を設け、フッ素化剤含有
雰囲気中で加熱処理して、高反射膜を形成する例につき
図１および図２を参照して説明する。図１は、この実施
の形態例の説明に供する、金属フッ化物含有予備膜の加
熱処理を行う装置（アニール処理装置）の概略図であ
る。図２は、金属フッ化物含有膜の、概略的な形成工程
図である。
板上に金属フッ化物含有予備膜を設け、フッ素化剤含有
雰囲気中で加熱処理して、高反射膜を形成する例につき
図１および図２を参照して説明する。図１は、この実施
の形態例の説明に供する、金属フッ化物含有予備膜の加
熱処理を行う装置（アニール処理装置）の概略図であ
る。図２は、金属フッ化物含有膜の、概略的な形成工程
図である。
【００２９】まず、下地１０上に金属フッ化物含有予備
膜を形成する。この構成例では、下地１０として、例え
ばＣａＦ2 からなる基板（蛍石基板）や石英ガラス基板
を用いる。この基板１０上に、真空蒸着法を用いて、金
属フッ化物含有予備膜１２として、多層膜を設ける。こ
の予備膜１２として、光学的な層厚がλ／４であるＬａ
Ｆ3 の層と、光学的な層厚がλ／４であるＭｇＦ2 （λ
は設計中心波長である。）を交互に４１層にわたって積
層し、４１層目のＬａＦ3 の層の上に光学的な層厚がλ
／２であるＭｇＦ2 の層を設ける（図２（Ａ））。図
中、下地（基板）１０と予備膜１２とからなる構造物
（光学部材）を１３で示してある。
膜を形成する。この構成例では、下地１０として、例え
ばＣａＦ2 からなる基板（蛍石基板）や石英ガラス基板
を用いる。この基板１０上に、真空蒸着法を用いて、金
属フッ化物含有予備膜１２として、多層膜を設ける。こ
の予備膜１２として、光学的な層厚がλ／４であるＬａ
Ｆ3 の層と、光学的な層厚がλ／４であるＭｇＦ2 （λ
は設計中心波長である。）を交互に４１層にわたって積
層し、４１層目のＬａＦ3 の層の上に光学的な層厚がλ
／２であるＭｇＦ2 の層を設ける（図２（Ａ））。図
中、下地（基板）１０と予備膜１２とからなる構造物
（光学部材）を１３で示してある。
【００３０】この後、予備膜１２に対し加熱処理を行っ
てこの予備膜１２を金属フッ化物含有膜に変える。ここ
では、真空蒸着を行った装置をアニール処理装置１１と
して用いる。このため装置１１内に基板１０および金属
フッ化物含有予備膜１２からなる構造物（光学部材）１
３をセットしたままで、この装置１１内の雰囲気圧を１
×１０ー5Ｐａになるまで排気口１５を用いて真空排気す
る。なお、加熱用台１９を仮にセラミックヒータで構成
する。その後、装置１１内にフッ素化剤であるＮＦ3 ガ
スと不活性ガスであるＮ2 ガスとの混合ガスを、装置１
１内の雰囲気圧が５×１０ー3Ｐａになるまで導入管１７
から導入する。この混合ガスにおいて、ＮＦ3 ガスの濃
度をこの例では５容量％となるように混合してある。
てこの予備膜１２を金属フッ化物含有膜に変える。ここ
では、真空蒸着を行った装置をアニール処理装置１１と
して用いる。このため装置１１内に基板１０および金属
フッ化物含有予備膜１２からなる構造物（光学部材）１
３をセットしたままで、この装置１１内の雰囲気圧を１
×１０ー5Ｐａになるまで排気口１５を用いて真空排気す
る。なお、加熱用台１９を仮にセラミックヒータで構成
する。その後、装置１１内にフッ素化剤であるＮＦ3 ガ
スと不活性ガスであるＮ2 ガスとの混合ガスを、装置１
１内の雰囲気圧が５×１０ー3Ｐａになるまで導入管１７
から導入する。この混合ガスにおいて、ＮＦ3 ガスの濃
度をこの例では５容量％となるように混合してある。
【００３１】次に、セラミックヒータ１９を用いて基板
温度を毎分５Ｋの速さで昇温させていき、アニール温度
である３００℃になったところで、この温度を保持しな
がら４時間にわたり構造物（光学部材）１３に対する加
熱処理を行う。その後、基板温度を毎分５Ｋの速さで降
温した後、構造物（光学部材）１３を室温まで自然冷却
させ、その後構造物（光学部材）１３を取り出す。
温度を毎分５Ｋの速さで昇温させていき、アニール温度
である３００℃になったところで、この温度を保持しな
がら４時間にわたり構造物（光学部材）１３に対する加
熱処理を行う。その後、基板温度を毎分５Ｋの速さで降
温した後、構造物（光学部材）１３を室温まで自然冷却
させ、その後構造物（光学部材）１３を取り出す。
【００３２】この結果、基板上１０には従来よりもフッ
素欠損が大幅に減少し、かつ緻密で均質性に優れた金属
フッ化物含有膜１４が光学薄膜（ここでは高反射膜）と
して得られる。このため、従来の膜よりも分光特性を向
上させることができる。この例では、光学薄膜１４が高
反射膜であるため反射率の損失が従来よりも低減する。
また、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）やＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）による分析によって、得られた光学薄膜１４
が緻密で均質性に優れた膜構造となっていることを確認
することができる。
素欠損が大幅に減少し、かつ緻密で均質性に優れた金属
フッ化物含有膜１４が光学薄膜（ここでは高反射膜）と
して得られる。このため、従来の膜よりも分光特性を向
上させることができる。この例では、光学薄膜１４が高
反射膜であるため反射率の損失が従来よりも低減する。
また、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）やＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）による分析によって、得られた光学薄膜１４
が緻密で均質性に優れた膜構造となっていることを確認
することができる。
【００３３】また、Ｎ2 ガス中にＮＦ3 が５容量％含有
されている混合ガスを用いているので、アニール処理の
安全性を確保することができる。
されている混合ガスを用いているので、アニール処理の
安全性を確保することができる。
【００３４】また、加熱処理を行うときの基板温度の昇
温および降温の速度を毎分５Ｋ程度にしているので、予
備膜から金属フッ化物含有膜へと変化しつつある膜にク
ラックが発生するおそれはない。
温および降温の速度を毎分５Ｋ程度にしているので、予
備膜から金属フッ化物含有膜へと変化しつつある膜にク
ラックが発生するおそれはない。
【００３５】また、加熱処理を行う装置内へのフッ素化
剤の導入は、装置内の気体を排出した後フッ素化剤もし
くはフッ素化剤を含む混合ガスを封入してもよいし、こ
れらのガスを装置内に導入すると同時に装置に設けられ
た排気口から気体が排出されるようにしてもよい。
剤の導入は、装置内の気体を排出した後フッ素化剤もし
くはフッ素化剤を含む混合ガスを封入してもよいし、こ
れらのガスを装置内に導入すると同時に装置に設けられ
た排気口から気体が排出されるようにしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の金属フッ化物含有膜の形成方法によれば、金属
フッ化物含有予備膜を形成した後、この予備膜をフッ素
化剤含有雰囲気中で加熱処理を行っている。
の発明の金属フッ化物含有膜の形成方法によれば、金属
フッ化物含有予備膜を形成した後、この予備膜をフッ素
化剤含有雰囲気中で加熱処理を行っている。
【００３７】これにより、特にアニール処理時において
顕著に見られる金属フッ化物含有予備膜が金属フッ化物
含有膜への変化途中および変化後の膜の酸化およびフッ
素欠損を防ぎ、かつ既に酸化している予備膜部分やフッ
素が欠損している予備膜部分のフッ素化をし、酸化やフ
ッ素欠損を可及的に少なくした金属フッ化物含有膜の形
成を促進させることができる。
顕著に見られる金属フッ化物含有予備膜が金属フッ化物
含有膜への変化途中および変化後の膜の酸化およびフッ
素欠損を防ぎ、かつ既に酸化している予備膜部分やフッ
素が欠損している予備膜部分のフッ素化をし、酸化やフ
ッ素欠損を可及的に少なくした金属フッ化物含有膜の形
成を促進させることができる。
【００３８】このため、フッ素欠損を従来よりも低減す
ることができ、かつ緻密で均質性に優れた膜構造を有す
る金属フッ化物含有膜を形成することができる。
ることができ、かつ緻密で均質性に優れた膜構造を有す
る金属フッ化物含有膜を形成することができる。
【００３９】したがって、この金属フッ化物含有膜を光
学薄膜として用いれば、分光特性に優れ、しかも耐湿性
等の耐環境性に優れた光学薄膜を得ることができる。
学薄膜として用いれば、分光特性に優れ、しかも耐湿性
等の耐環境性に優れた光学薄膜を得ることができる。
【図１】実施の形態例の説明に供する、アニール処理装
置の概略的な線図である。
置の概略的な線図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態例の金属フッ化
物含有膜の概略的な形成工程図である。
物含有膜の概略的な形成工程図である。
１０：下地（基板） １１：アニール処理装置 １２：金属フッ化物含有予備膜 １３：構造物 １４：金属フッ化物含有膜（光学薄膜） １５：排気口 １７：導入管 １９：加熱用台（セラミックヒータ）
Claims (7)
- 【請求項１】 下地に金属フッ化物含有予備膜を形成し
た後、該予備膜をフッ素化剤含有雰囲気中で加熱処理し
て金属フッ化物含有膜に変える工程を含んでいることを
特徴とする金属フッ化物含有膜の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の金属フッ化物含有膜は
光学薄膜であることを特徴とする金属フッ化物含有膜の
形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の金属フ
ッ化物含有膜の形成方法において、 前記フッ素化剤がＮＦ3 ガスまたはＸｅＦ2 ガスである
ことを特徴とする金属フッ化物含有膜の形成方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のうちのいずれか一項に記
載の金属フッ化物含有膜の形成方法において、 前記フッ素化剤含有雰囲気は、前記加熱処理を行う装置
内に前記フッ素化剤または少なくとも前記フッ素化剤を
含む混合ガスが導入されることにより達成されることを
特徴とする金属フッ化物含有膜の形成方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の金属フッ化物含有膜の
形成方法において、 前記混合ガスは、前記フッ素化剤と不活性ガスとが混合
されたガスであることを特徴とする金属フッ化物含有膜
の形成方法。 - 【請求項６】 請求項４または請求項５に記載の金属フ
ッ化物含有膜の形成方法において、 前記混合ガス中に、前記フッ素化剤が１容量％以上でか
つ２０容量％以下の濃度で含まれていることを特徴とす
る金属フッ化物含有膜の形成方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のうちのいずれか一項に記
載の金属フッ化物含有膜の形成方法において、 前記加熱処理は、１００℃以上でかつ７００℃以下とい
う範囲内の温度条件で行われることを特徴とする金属フ
ッ化物含有膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9307476A JPH11140617A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 金属フッ化物含有膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9307476A JPH11140617A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 金属フッ化物含有膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140617A true JPH11140617A (ja) | 1999-05-25 |
| JPH11140617A5 JPH11140617A5 (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=17969548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9307476A Pending JPH11140617A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 金属フッ化物含有膜の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11140617A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005100954A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびに薄膜 |
| WO2020115111A2 (de) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum bilden von nanostrukturen an einer oberfläche und optisches element |
| WO2020143964A1 (de) | 2019-01-10 | 2020-07-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum in situ dynamischen schutz einer oberfläche und optische anordnung |
| WO2022161740A1 (de) | 2021-01-28 | 2022-08-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum bilden einer schicht, optisches element und optisches system |
| DE102022210512A1 (de) | 2022-10-05 | 2024-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Nachbehandlung einer Fluoridschicht für ein optisches Element für den VUV-Wellenlängenbereich |
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1997
- 1997-11-10 JP JP9307476A patent/JPH11140617A/ja active Pending
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| WO2022161740A1 (de) | 2021-01-28 | 2022-08-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum bilden einer schicht, optisches element und optisches system |
| DE102022210512A1 (de) | 2022-10-05 | 2024-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Nachbehandlung einer Fluoridschicht für ein optisches Element für den VUV-Wellenlängenbereich |
| WO2024074440A1 (de) | 2022-10-05 | 2024-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur nachbehandlung einer fluoridschicht für ein optisches element für den vuv-wellenlängenbereich, optisches element umfasssend die fluoridschicht |
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