JPH11142604A - 光学薄膜およびその製造方法 - Google Patents
光学薄膜およびその製造方法Info
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- JPH11142604A JPH11142604A JP9307477A JP30747797A JPH11142604A JP H11142604 A JPH11142604 A JP H11142604A JP 9307477 A JP9307477 A JP 9307477A JP 30747797 A JP30747797 A JP 30747797A JP H11142604 A JPH11142604 A JP H11142604A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分光特性および耐環境性に優れた光学薄膜。
【解決手段】 金属フッ化物含有膜１３上に酸化物から
なる保護層１５が形成されている。
なる保護層１５が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光学薄膜および
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、ガラスや金属等の基板上にＭ
ｇＦ2 （フッ化マグネシウム）などの金属フッ化物を構
成要素とする薄膜を所定の厚さに蒸着させて、反射防止
膜や反射膜といった光学薄膜を形成することはよく知ら
れている。
ｇＦ2 （フッ化マグネシウム）などの金属フッ化物を構
成要素とする薄膜を所定の厚さに蒸着させて、反射防止
膜や反射膜といった光学薄膜を形成することはよく知ら
れている。
【０００３】素子の機能に応じて、光学的膜厚がλ／４
の膜、λ／２の膜、あるいは高屈折率材料からなり光学
的膜厚がλ／4 の膜と、低屈折率材料からなり光学的膜
厚がλ／4 の膜とを交互に積層させてなる多層構造の膜
などが光学薄膜として使われている。
の膜、λ／２の膜、あるいは高屈折率材料からなり光学
的膜厚がλ／4 の膜と、低屈折率材料からなり光学的膜
厚がλ／4 の膜とを交互に積層させてなる多層構造の膜
などが光学薄膜として使われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような光学薄膜の
形成は、通常、真空蒸着法やスパッタ法を用いて行って
いる。しかしながら、このような膜の形成方法では、マ
イグレーション力が弱く、また、膜を形成する蒸着物が
被蒸着面でカラム状となる。このため、形成される膜は
不均質なものとなってしまう。また、膜からのフッ素の
欠損が生じやすい。
形成は、通常、真空蒸着法やスパッタ法を用いて行って
いる。しかしながら、このような膜の形成方法では、マ
イグレーション力が弱く、また、膜を形成する蒸着物が
被蒸着面でカラム状となる。このため、形成される膜は
不均質なものとなってしまう。また、膜からのフッ素の
欠損が生じやすい。
【０００５】このため、形成される膜の分光特性が変化
してしまったり、周囲の湿度によって膜の光学特性が変
化してしまうといった問題があった。
してしまったり、周囲の湿度によって膜の光学特性が変
化してしまうといった問題があった。
【０００６】よって、分光特性および耐環境性に優れた
光学薄膜とその光学薄膜の製造方法の出現が望まれてい
た。
光学薄膜とその光学薄膜の製造方法の出現が望まれてい
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の光
学薄膜によれば、金属フッ化物含有膜上に酸化物からな
る保護層が形成されていることを特徴とする。
学薄膜によれば、金属フッ化物含有膜上に酸化物からな
る保護層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】金属フッ化物含有膜とは、真空蒸着等で形
成した金属フッ化物を含有する膜で、ここでは、加熱す
る前の状態の膜のことを指す。この金属フッ化物含有膜
は加熱処理にともなってフッ素欠損を生じやすい。フッ
素が膜から脱離する一つの要因としては、加熱処理によ
って膜が酸化することが挙げられる。このため、表面に
保護層が設けてある金属フッ化物含有膜に対して加熱処
理を行えば、膜の酸化を抑え、フッ素欠損を抑えること
ができる。
成した金属フッ化物を含有する膜で、ここでは、加熱す
る前の状態の膜のことを指す。この金属フッ化物含有膜
は加熱処理にともなってフッ素欠損を生じやすい。フッ
素が膜から脱離する一つの要因としては、加熱処理によ
って膜が酸化することが挙げられる。このため、表面に
保護層が設けてある金属フッ化物含有膜に対して加熱処
理を行えば、膜の酸化を抑え、フッ素欠損を抑えること
ができる。
【０００９】また、保護層は、金属フッ化物含有膜から
のフッ素の脱離を抑制する層であるのがよい。
のフッ素の脱離を抑制する層であるのがよい。
【００１０】フッ素の脱離を抑制する層にするために
は、例えば、保護層の酸化物の充填率が０．９以上であ
るのが好ましい。
は、例えば、保護層の酸化物の充填率が０．９以上であ
るのが好ましい。
【００１１】層内に酸化物が０．９以上の充填率で含ま
れている保護層であれば、保護層の下に位置する金属フ
ッ化物含有膜から脱離するフッ素が保護層を通り抜ける
のを防ぐことができる。このため、金属フッ化物含有膜
のフッ素欠損を抑制することができる。
れている保護層であれば、保護層の下に位置する金属フ
ッ化物含有膜から脱離するフッ素が保護層を通り抜ける
のを防ぐことができる。このため、金属フッ化物含有膜
のフッ素欠損を抑制することができる。
【００１２】また、好ましくは、設計中心波長をλとす
るとき保護層の光学的膜厚がλ／２であるのがよい。
るとき保護層の光学的膜厚がλ／２であるのがよい。
【００１３】これにより波長λの光に対して実質的に不
在層とすることができる。よって、光学薄膜の形成が終
わった後に保護層を除去する必要はなくなる。
在層とすることができる。よって、光学薄膜の形成が終
わった後に保護層を除去する必要はなくなる。
【００１４】また、保護膜の材料である酸化物は、光学
薄膜を使用する光の波長領域において、光路長が１ｍｍ
のとき７０％以上の光の透過率を有しているのがよい。
薄膜を使用する光の波長領域において、光路長が１ｍｍ
のとき７０％以上の光の透過率を有しているのがよい。
【００１５】これにより、保護膜が金属フッ化物含有層
の光学薄膜としての特性に影響を及ぼすことはない。
の光学薄膜としての特性に影響を及ぼすことはない。
【００１６】また、好ましくは、このような酸化物は、
ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 であるのがよい。
ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 であるのがよい。
【００１７】ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ３は、紫外光に対
する吸収が小さく透過率が高い。このため、光学薄膜を
紫外光に対する反射膜もしくは反射防止膜として用いる
場合には保護層が光学薄膜の特性に影響を与える層とな
ることはない。また、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を保護
層としたとき、充填率は、それぞれＳｉＯ2 の場合が
０．９０であり、Ａｌ2 Ｏ3 の場合は１．０であるた
め、金属フッ化物含有層からのフッ素欠損を好ましく抑
えることができる。
する吸収が小さく透過率が高い。このため、光学薄膜を
紫外光に対する反射膜もしくは反射防止膜として用いる
場合には保護層が光学薄膜の特性に影響を与える層とな
ることはない。また、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を保護
層としたとき、充填率は、それぞれＳｉＯ2 の場合が
０．９０であり、Ａｌ2 Ｏ3 の場合は１．０であるた
め、金属フッ化物含有層からのフッ素欠損を好ましく抑
えることができる。
【００１８】また、上述したような光学薄膜を製造する
方法には、下地上に金属フッ化物含有膜を形成した後、
この膜の上に酸化物からなる保護層を形成する工程と、
保護層が形成された金属フッ化物含有膜に対して加熱処
理を行う工程とが含まれているのがよい。
方法には、下地上に金属フッ化物含有膜を形成した後、
この膜の上に酸化物からなる保護層を形成する工程と、
保護層が形成された金属フッ化物含有膜に対して加熱処
理を行う工程とが含まれているのがよい。
【００１９】金属フッ化物含有膜上への保護層の形成
は、金属フッ化物含有膜の形成方法と同様の装置および
方法を用いて、金属フッ化物含有膜の形成と連続して行
うことができる。よって金属フッ化物含有膜形成後、こ
の膜を装置から装置へと搬送することはないため、膜へ
の不純物の付着を防ぐことができる。また、処理も容易
である。しかも、保護層が形成された金属フッ化物含有
膜に対して加熱処理を行うことにより金属フッ化物含有
膜からのフッ素欠損を抑制しながら、膜の均質性をさら
に向上させ、より緻密な膜構造にすることができる。
は、金属フッ化物含有膜の形成方法と同様の装置および
方法を用いて、金属フッ化物含有膜の形成と連続して行
うことができる。よって金属フッ化物含有膜形成後、こ
の膜を装置から装置へと搬送することはないため、膜へ
の不純物の付着を防ぐことができる。また、処理も容易
である。しかも、保護層が形成された金属フッ化物含有
膜に対して加熱処理を行うことにより金属フッ化物含有
膜からのフッ素欠損を抑制しながら、膜の均質性をさら
に向上させ、より緻密な膜構造にすることができる。
【００２０】金属フッ化物とは、例えば、ＣａＦ2 、Ｓ
ｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＮａＦ、ＭｇＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ
6 、ＡｌＦ3 、ＧｄＦ3 、ＮｄＦ3 、ＬａＦ3 等が挙げ
られる。
ｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＮａＦ、ＭｇＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ
6 、ＡｌＦ3 、ＧｄＦ3 、ＮｄＦ3 、ＬａＦ3 等が挙げ
られる。
【００２１】また、保護層は、金属フッ化物含有膜から
のフッ素の脱離を抑制する層であるのがよい。フッ素の
脱離を抑制するためには保護層の充填率が０．９以上で
あることが好ましい。保護層の充填率が０．９以上とな
る酸化物としては、例えば、ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 が挙
げられる。
のフッ素の脱離を抑制する層であるのがよい。フッ素の
脱離を抑制するためには保護層の充填率が０．９以上で
あることが好ましい。保護層の充填率が０．９以上とな
る酸化物としては、例えば、ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 が挙
げられる。
【００２２】また、好ましくは、保護層の厚さを設計中
心波長に対して不在層となるような厚さとするのがよ
い。また、保護層の材料である酸化物は光学薄膜を使用
する光の波長領域において、７０％以上の光の透過率を
有するものであるのがよい。好ましくは、酸化物をＳｉ
Ｏ2 またはＡｌ2 Ｏ3 とするのがよい。
心波長に対して不在層となるような厚さとするのがよ
い。また、保護層の材料である酸化物は光学薄膜を使用
する光の波長領域において、７０％以上の光の透過率を
有するものであるのがよい。好ましくは、酸化物をＳｉ
Ｏ2 またはＡｌ2 Ｏ3 とするのがよい。
【００２３】また、加熱処理は１００℃以上でかつ７０
０℃以下という範囲内の温度条件下で行うことができ
る。
０℃以下という範囲内の温度条件下で行うことができ
る。
【００２４】より好ましくは、３００℃以上でかつ４０
０℃以下という温度範囲内で行われるのがよい。
０℃以下という温度範囲内で行われるのがよい。
【００２５】加熱処理を行う温度（アニール温度とも称
する。）は、金属フッ化物含有膜に含まれる金属フッ化
物の種類、膜厚、および装置内の圧力によって異なる。
フッ素欠損を防ぐためにはなるべく低温であるのが好ま
しく、十分なアニール効果を得るためにはなるべく高温
での処理を行うのがよい。したがって、この発明におい
て、処理される膜のフッ素欠損を防ぎ、かつアニールに
より膜の緻密性および均質性を向上させるためには上述
した温度範囲内で加熱処理を行うのがよい。
する。）は、金属フッ化物含有膜に含まれる金属フッ化
物の種類、膜厚、および装置内の圧力によって異なる。
フッ素欠損を防ぐためにはなるべく低温であるのが好ま
しく、十分なアニール効果を得るためにはなるべく高温
での処理を行うのがよい。したがって、この発明におい
て、処理される膜のフッ素欠損を防ぎ、かつアニールに
より膜の緻密性および均質性を向上させるためには上述
した温度範囲内で加熱処理を行うのがよい。
【００２６】また、加熱処理を行う時間（ここでは、昇
温時間および降温時間を除き、昇温した後降温を始める
までの一定温度で保持する時間とする。）を１時間以上
でかつ２４時間以内の時間で行うことができる。この時
間は、アニール温度によっても異なるが、例えば、アニ
ール温度を３００℃とした場合には４時間とするのが最
適である。
温時間および降温時間を除き、昇温した後降温を始める
までの一定温度で保持する時間とする。）を１時間以上
でかつ２４時間以内の時間で行うことができる。この時
間は、アニール温度によっても異なるが、例えば、アニ
ール温度を３００℃とした場合には４時間とするのが最
適である。
【００２７】また、金属フッ化物含有膜を設ける下地
は、加熱処理の加熱温度に対する耐性を有する材料で構
成されているのがよい。
は、加熱処理の加熱温度に対する耐性を有する材料で構
成されているのがよい。
【００２８】例えば、下地としては蛍石基板や石英ガラ
ス基板が用いられる。
ス基板が用いられる。
【００２９】また、下地への金属フッ化物含有膜の形成
は、真空蒸着法またはスパッタ法を用いるのがよい。
は、真空蒸着法またはスパッタ法を用いるのがよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解で
きる程度に概略的に示してあるに過ぎず、したがって発
明を図示例に限定するものではない。また、図におい
て、図を分かり易くするために断面を示すハッチング
（斜線）は一部分を除き省略してある。
実施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解で
きる程度に概略的に示してあるに過ぎず、したがって発
明を図示例に限定するものではない。また、図におい
て、図を分かり易くするために断面を示すハッチング
（斜線）は一部分を除き省略してある。
【００３１】＜実施の形態例＞この発明の実施の形態例
として、基板上に金属フッ化物含有膜を設け、その上に
酸化物からなる保護層を形成した後加熱処理して、高反
射膜を形成する例につき図１を参照して説明する。図１
は、この実施の形態例の説明に供する、概略的な工程図
である。
として、基板上に金属フッ化物含有膜を設け、その上に
酸化物からなる保護層を形成した後加熱処理して、高反
射膜を形成する例につき図１を参照して説明する。図１
は、この実施の形態例の説明に供する、概略的な工程図
である。
【００３２】まず、下地１１上に金属フッ化物含有膜１
３を形成する。この構成例では下地１１として例えばＣ
ａＦ2 からなる基板（蛍石基板）や石英ガラス基板を用
いる。この基板１１上に、真空蒸着法を用いて、金属フ
ッ化物含有膜１３として多層膜、例えば、光学的な層厚
がλ／４であるＬａＦ3 の層と、光学的な層厚がλ／４
であるＭｇＦ2 （λは設計中心波長である。）を交互に
４１層にわたって積層し、４１層目のＬａＦ3 の層の上
に４２層目の層として光学的な層厚がλ／２であるＭｇ
Ｆ2 の層を設ける（図１（Ａ））。
３を形成する。この構成例では下地１１として例えばＣ
ａＦ2 からなる基板（蛍石基板）や石英ガラス基板を用
いる。この基板１１上に、真空蒸着法を用いて、金属フ
ッ化物含有膜１３として多層膜、例えば、光学的な層厚
がλ／４であるＬａＦ3 の層と、光学的な層厚がλ／４
であるＭｇＦ2 （λは設計中心波長である。）を交互に
４１層にわたって積層し、４１層目のＬａＦ3 の層の上
に４２層目の層として光学的な層厚がλ／２であるＭｇ
Ｆ2 の層を設ける（図１（Ａ））。
【００３３】この後、金属フッ化物含有膜１３の上に酸
化物からなる保護層１５を形成する。この例では、４２
層目のＭｇＦ2 層上に保護層１５を形成する。ここでは
保護層１５に入射する光の入射角を０°として保護層１
５の幾何学的厚さｄを設定する。また、この金属フッ化
物含有層１３が紫外領域の波長の光、特にＡｒＦレーザ
（波長１９３．４ｎｍ）に対する反射膜である場合は、
この波長領域の光に対して光路長が１ｍｍのとき透過率
が７０％以上あるＳｉＯ2 を保護層１５の材料として用
いる。したがって、設計中心波長λを１９３．４ｎｍと
すると保護層１５の幾何学的厚さｄは、ＳｉＯ2 の屈折
率ｎが１．５４であるため、ｄ＝λ／２／ｎという式か
ら、厚さｄ＝１９３．４／２／１．５４となる。よって
ＳｉＯ2の保護層１５の厚さは６２．８ｎｍと設定され
る。ＳｉＯ2 を金属フッ化物含有膜１３上（４２層目の
ＭｇＦ2 層上）に蒸着してこの厚さの保護層１５を形成
する（図１（Ｂ））。
化物からなる保護層１５を形成する。この例では、４２
層目のＭｇＦ2 層上に保護層１５を形成する。ここでは
保護層１５に入射する光の入射角を０°として保護層１
５の幾何学的厚さｄを設定する。また、この金属フッ化
物含有層１３が紫外領域の波長の光、特にＡｒＦレーザ
（波長１９３．４ｎｍ）に対する反射膜である場合は、
この波長領域の光に対して光路長が１ｍｍのとき透過率
が７０％以上あるＳｉＯ2 を保護層１５の材料として用
いる。したがって、設計中心波長λを１９３．４ｎｍと
すると保護層１５の幾何学的厚さｄは、ＳｉＯ2 の屈折
率ｎが１．５４であるため、ｄ＝λ／２／ｎという式か
ら、厚さｄ＝１９３．４／２／１．５４となる。よって
ＳｉＯ2の保護層１５の厚さは６２．８ｎｍと設定され
る。ＳｉＯ2 を金属フッ化物含有膜１３上（４２層目の
ＭｇＦ2 層上）に蒸着してこの厚さの保護層１５を形成
する（図１（Ｂ））。
【００３４】この後、この保護層１５が形成された金属
フッ化物含有膜１３に対して、加熱処理を行う。ここで
は、真空蒸着を行った装置１７をアニール処理装置とし
て用いる。このため装置１７内の加熱用台１９（ここで
はヒータとする。）に、下地（基板）１１、金属フッ化
物含有膜１３および保護層１５からなる構造物（光学部
材）２１をセットしたままで、ヒータ１９を用いて基板
温度を毎分５Ｋの速さで昇温していき、アニール温度で
ある３００℃になったところで、この温度を保持しなが
ら４時間加熱処理を行う（図１（Ｃ））。その後毎分５
Ｋの速さで降温した後、構造物（光学部材）２１を取り
出す。
フッ化物含有膜１３に対して、加熱処理を行う。ここで
は、真空蒸着を行った装置１７をアニール処理装置とし
て用いる。このため装置１７内の加熱用台１９（ここで
はヒータとする。）に、下地（基板）１１、金属フッ化
物含有膜１３および保護層１５からなる構造物（光学部
材）２１をセットしたままで、ヒータ１９を用いて基板
温度を毎分５Ｋの速さで昇温していき、アニール温度で
ある３００℃になったところで、この温度を保持しなが
ら４時間加熱処理を行う（図１（Ｃ））。その後毎分５
Ｋの速さで降温した後、構造物（光学部材）２１を取り
出す。
【００３５】この結果、基板１１上には従来よりもフッ
素欠損が大幅に減少し、かつ緻密で均質性に優れた金属
フッ化物含有膜１３および保護層１５が光学薄膜（ここ
では高反射膜）として得られる。なお、保護層１５は光
学薄膜として使用する波長領域の光に対して不在層とな
る層で、しかも吸収が小さく透過率の高い層であるた
め、保護層は光学薄膜の特性に何ら影響を与えることは
ない。
素欠損が大幅に減少し、かつ緻密で均質性に優れた金属
フッ化物含有膜１３および保護層１５が光学薄膜（ここ
では高反射膜）として得られる。なお、保護層１５は光
学薄膜として使用する波長領域の光に対して不在層とな
る層で、しかも吸収が小さく透過率の高い層であるた
め、保護層は光学薄膜の特性に何ら影響を与えることは
ない。
【００３６】このため、従来の光学薄膜よりも分光特性
を向上させることができる。この例では、高反射膜であ
るため反射率の損失を従来よりも低減させることができ
る。また、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）やＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）による分析によって、得られた光学薄膜
が緻密で均質性に優れた膜構造であることを確認するこ
とができる。
を向上させることができる。この例では、高反射膜であ
るため反射率の損失を従来よりも低減させることができ
る。また、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）やＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）による分析によって、得られた光学薄膜
が緻密で均質性に優れた膜構造であることを確認するこ
とができる。
【００３７】また、加熱処理を行うときの基板温度の昇
温および降温の速度を毎分５Ｋ程度にしているので、膜
にクラックが発生するおそれはない。
温および降温の速度を毎分５Ｋ程度にしているので、膜
にクラックが発生するおそれはない。
【００３８】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の光学薄膜によれば、金属フッ化物含有膜上に酸
化物からなる保護層が形成されている。
の発明の光学薄膜によれば、金属フッ化物含有膜上に酸
化物からなる保護層が形成されている。
【００３９】このため、特にアニール処理時において顕
著に見られる金属フッ化物含有膜の酸化およびフッ素欠
損を防ぐことができる。
著に見られる金属フッ化物含有膜の酸化およびフッ素欠
損を防ぐことができる。
【００４０】このため、フッ素欠損を従来よりも低減す
ることができ、かつ緻密で均質性に優れた膜構造を有す
る金属フッ化物含有膜を形成することができる。
ることができ、かつ緻密で均質性に優れた膜構造を有す
る金属フッ化物含有膜を形成することができる。
【００４１】したがって、この金属フッ化物含有膜を光
学薄膜として用いれば、分光特性に優れ、しかも耐湿性
等の耐環境性に優れた光学薄膜を得ることができる。
学薄膜として用いれば、分光特性に優れ、しかも耐湿性
等の耐環境性に優れた光学薄膜を得ることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態例の説明に供す
る、概略的な工程図である。
る、概略的な工程図である。
１１：下地（基板） １３：金属フッ化物含有膜 １５：保護層 １７：アニール処理装置 １９：加熱用台（ヒータ） ２１：構造物
Claims (11)
- 【請求項１】 金属フッ化物含有膜上に酸化物からなる
保護層が形成されていることを特徴とする光学薄膜。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光学薄膜において、 前記保護層は、金属フッ化物含有膜からのフッ素の脱離
を抑制する層であることを特徴とする光学薄膜。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の光学薄
膜において、 前記保護層の酸化物の充填率が０．９以上であることを
特徴とする光学薄膜。 - 【請求項４】 請求項１〜３のうちのいずれか一項に記
載の光学薄膜において、 設計中心波長をλとするとき、前記保護層の光学的膜厚
がλ／２であることを特徴とする光学薄膜。 - 【請求項５】 請求項１〜４のうちのいずれか一項に記
載の光学薄膜において、 前記酸化物は、前記光学薄膜を使用する光の波長領域に
おいて、光路長が１ｍｍのとき７０％以上の光の透過率
を有するものであることを特徴とする光学薄膜。 - 【請求項６】 基板上に金属フッ化物含有膜を形成した
後、該膜上に酸化物からなる保護層を形成する工程と、 前記保護層が形成された金属フッ化物含有膜に対して加
熱処理を行う工程とを含んでいることを特徴とする光学
薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の光学薄膜の製造方法に
おいて、 前記保護層は、金属フッ化物含有膜からのフッ素の脱離
を抑制する層であることを特徴とする光学薄膜の製造方
法。 - 【請求項８】 請求項６または請求項７に記載の光学薄
膜の製造方法において、 前記保護層の酸化物の充填率が０．９以上であることを
特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６〜８のうちのいずれか一項に記
載の光学薄膜の製造方法において、 設計中心波長をλとするとき、前記保護層の光学的膜厚
がλ／２であることを特徴とする光学薄膜の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６〜９のうちのいずれか一項に
記載の光学薄膜の製造方法において、 前記酸化物は、前記光学薄膜を使用する光の波長領域に
おいて、光路長が１ｍｍのとき７０％以上の光の透過率
を有するものであることを特徴とする光学薄膜の製造方
法。 - 【請求項１１】 請求項６〜１０のうちのいずれか一項
に記載の光学薄膜の製造方法において、 前記加熱処理は、１００℃以上でかつ７００℃以下とい
う範囲内の温度条件で行われることを特徴とする光学薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9307477A JPH11142604A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 光学薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9307477A JPH11142604A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 光学薄膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142604A true JPH11142604A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17969560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9307477A Withdrawn JPH11142604A (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 光学薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11142604A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002014202A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 光学薄膜、光学素子及び露光装置 |
| WO2003009015A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Optical element having lanthanum fluoride film |
| JP2004233474A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光学系及び該光学系を用いた光学装置の使用方法 |
| JP2006047924A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Olympus Corp | 反射防止膜 |
| JP2013140201A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 金属酸化膜による光学薄膜の形成方法および光学素子 |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP9307477A patent/JPH11142604A/ja not_active Withdrawn
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