JPH11140653A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH11140653A JPH11140653A JP30878997A JP30878997A JPH11140653A JP H11140653 A JPH11140653 A JP H11140653A JP 30878997 A JP30878997 A JP 30878997A JP 30878997 A JP30878997 A JP 30878997A JP H11140653 A JPH11140653 A JP H11140653A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】膜の結晶性を向上することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバ21と、この真空チャンバ21に
原料ガスを導入、排出する手段と、前記真空チャンバ21
内に配置され、基板22を加熱する基板加熱ヒータ23と、
前記真空チャンバ21内に配置され、上部に開口部を有し
た成膜ユニット25と、この成膜ユニット25の開口部に前
記基板22と対向するようにセットされ、開口部を有する
ラダー電極24と、前記成膜ユニット25の底部に該成膜ユ
ニット25と絶縁して配置された電位制御板31と、この電
位制御板31の電位を制御する電位制御電源30と、前記ラ
ダー電極24とヒータ23間、前記ラダー電極24と電位制御
板31間にプラズマを発生させる手段とを具備することを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
原料ガスを導入、排出する手段と、前記真空チャンバ21
内に配置され、基板22を加熱する基板加熱ヒータ23と、
前記真空チャンバ21内に配置され、上部に開口部を有し
た成膜ユニット25と、この成膜ユニット25の開口部に前
記基板22と対向するようにセットされ、開口部を有する
ラダー電極24と、前記成膜ユニット25の底部に該成膜ユ
ニット25と絶縁して配置された電位制御板31と、この電
位制御板31の電位を制御する電位制御電源30と、前記ラ
ダー電極24とヒータ23間、前記ラダー電極24と電位制御
板31間にプラズマを発生させる手段とを具備することを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
に関し、特にプラズマＣＶＤ法を用いた微結晶及び多結
晶系薄膜を製造するプラズマＣＶＤ装置に関する。
に関し、特にプラズマＣＶＤ法を用いた微結晶及び多結
晶系薄膜を製造するプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】膜中に数ｎｍ〜数百ｎｍの結晶粒を有す
る所謂微結晶薄膜はアモルファス系の薄膜に対して電気
的特性が優れる、経時的に安定である等の理由から、次
世代の太陽電池やＴＦＴ（Ｔhin Ｆilm Ｔransistor ）
などの材料として注目されている。微結晶膜は大面積化
が容易、比較的低温で形成できる等の理由からプラズマ
ＣＶＤ法を用いて製作するのが一般的である。図４は、
従来の典型的なプラズマＣＶＤ装置の基本構成図を示
す。
る所謂微結晶薄膜はアモルファス系の薄膜に対して電気
的特性が優れる、経時的に安定である等の理由から、次
世代の太陽電池やＴＦＴ（Ｔhin Ｆilm Ｔransistor ）
などの材料として注目されている。微結晶膜は大面積化
が容易、比較的低温で形成できる等の理由からプラズマ
ＣＶＤ法を用いて製作するのが一般的である。図４は、
従来の典型的なプラズマＣＶＤ装置の基本構成図を示
す。
【０００３】図中の符番１は真空チャンバを示す。この
真空チャンバ１内には、基板２を加熱する機能を有した
基板加熱ヒータ３が配置されている。前記真空チャンバ
１内には、プラズマを生成するための電極４が基板２と
対向するように配置されている。前記電極４は、電気的
に接地された成膜ユニット５に図示しない絶縁碍子を介
して固定されている。前記電極４には、高周波電源６よ
り電力導入端子７を介してプラズマ生成用の電力が供給
される。前記高周波電源６と電力導入端子７には、電極
４と高周波電源６のインピーダンス整合をとるためのイ
ンピーダンス整合器８が接続されている。前記真空チャ
ンバ１には、前記電極４周辺に原料ガスを導入するガス
導入管９、及び真空チャンバ１内の反応ガス等を真空ポ
ンプ（図示せず）により容器外へ排出する排気管10が設
けられている。
真空チャンバ１内には、基板２を加熱する機能を有した
基板加熱ヒータ３が配置されている。前記真空チャンバ
１内には、プラズマを生成するための電極４が基板２と
対向するように配置されている。前記電極４は、電気的
に接地された成膜ユニット５に図示しない絶縁碍子を介
して固定されている。前記電極４には、高周波電源６よ
り電力導入端子７を介してプラズマ生成用の電力が供給
される。前記高周波電源６と電力導入端子７には、電極
４と高周波電源６のインピーダンス整合をとるためのイ
ンピーダンス整合器８が接続されている。前記真空チャ
ンバ１には、前記電極４周辺に原料ガスを導入するガス
導入管９、及び真空チャンバ１内の反応ガス等を真空ポ
ンプ（図示せず）により容器外へ排出する排気管10が設
けられている。
【０００４】こうした構成の装置を用いて微結晶シリコ
ン膜を成膜するには、原料ガスとして水素ガスで希釈し
たモノシランガスを所定流量流して、圧力を０．２ない
し１Ｔｏｒｒ程度に調整し、基板温度を１６０℃ないし
２５０℃程度に設定して高周波電力を電極４に印加し、
基板加熱ヒータ３と電極４間にプラズマを発生させ、前
述の原料ガスを分解して基板２上に膜を堆積させる。
ン膜を成膜するには、原料ガスとして水素ガスで希釈し
たモノシランガスを所定流量流して、圧力を０．２ない
し１Ｔｏｒｒ程度に調整し、基板温度を１６０℃ないし
２５０℃程度に設定して高周波電力を電極４に印加し、
基板加熱ヒータ３と電極４間にプラズマを発生させ、前
述の原料ガスを分解して基板２上に膜を堆積させる。
【０００５】よく知られているように、微結晶シリコン
膜を成膜するためには、アモルファスシリコンなどの成
膜に比べ高周波電力が数倍〜数十倍必要である。しかし
ながら、このように高電力を印加した場合、プラズマの
電位が増加するので基板２へ入射するイオンのフラック
スエネルギーが増大するため、膜表面にイオン衝撃ダメ
ージが増加し、高品質の微結晶シリコン膜を成膜するこ
とが困難であった。
膜を成膜するためには、アモルファスシリコンなどの成
膜に比べ高周波電力が数倍〜数十倍必要である。しかし
ながら、このように高電力を印加した場合、プラズマの
電位が増加するので基板２へ入射するイオンのフラック
スエネルギーが増大するため、膜表面にイオン衝撃ダメ
ージが増加し、高品質の微結晶シリコン膜を成膜するこ
とが困難であった。
【０００６】このため、図５に示すように基板２と電極
４の間にメッシュ電極（グリッド電極）11を挿入し、こ
れに直流電源12を接続して負の電圧を印加する方法があ
る。このようにすると、プラズマがメッシュ電極11と電
極４の間に閉じ込められ、基板２とメッシュ電極11の間
のプラズが弱くなることから成膜時の基板２へのイオン
衝撃を低下することができるので、高品質の微結晶シリ
コン膜が成膜可能となる。
４の間にメッシュ電極（グリッド電極）11を挿入し、こ
れに直流電源12を接続して負の電圧を印加する方法があ
る。このようにすると、プラズマがメッシュ電極11と電
極４の間に閉じ込められ、基板２とメッシュ電極11の間
のプラズが弱くなることから成膜時の基板２へのイオン
衝撃を低下することができるので、高品質の微結晶シリ
コン膜が成膜可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法ではメッシュ電極11が該メッシュ電極11と電極４の間
で生成された膜の基となるラジカルの基板面へ流れを物
理的に阻害するため、膜の成長速度が極端に遅くなるこ
と、及びメッシュ電極11への膜堆積によるメッシュの閉
塞により成膜速度が経時的に低下するという問題があっ
た。
法ではメッシュ電極11が該メッシュ電極11と電極４の間
で生成された膜の基となるラジカルの基板面へ流れを物
理的に阻害するため、膜の成長速度が極端に遅くなるこ
と、及びメッシュ電極11への膜堆積によるメッシュの閉
塞により成膜速度が経時的に低下するという問題があっ
た。
【０００８】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、開口部を有する電極に対して被処理物と反対側
に電位制御板を配置し、この電位制御板の電位を電位制
御電源により制御する構成とすることにより、電極とヒ
ータ間のプラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性
を向上しえるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的
とする。
もので、開口部を有する電極に対して被処理物と反対側
に電位制御板を配置し、この電位制御板の電位を電位制
御電源により制御する構成とすることにより、電極とヒ
ータ間のプラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性
を向上しえるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的
とする。
【０００９】又、本発明は、開口部を有する電極に対し
て被処理物と反対側に被処理物側が開口した成膜ユニッ
トを配置し、この成膜ユニットの電位を電位制御電源に
より制御する構成とすることにより、電極とヒータ間の
プラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性を向上し
えるとともに、プラズマ電位の制御性に優れたプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
て被処理物と反対側に被処理物側が開口した成膜ユニッ
トを配置し、この成膜ユニットの電位を電位制御電源に
より制御する構成とすることにより、電極とヒータ間の
プラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性を向上し
えるとともに、プラズマ電位の制御性に優れたプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、反応
容器と、この反応容器に原料ガスを導入、排出する手段
と、前記反応容器内に配置され、被処理物を加熱するヒ
ータと、前記反応容器内に配置され、上部に開口部を有
した成膜ユニットと、この成膜ユニットの開口部に前記
被処理物と対向するようにセットされ、開口部を有する
電極と、前記成膜ユニットの底部に該成膜ユニットと絶
縁して配置された電位制御板と、この電位制御板の電位
を制御する電位制御電源と、前記電極とヒータ間、前記
電極と電位制御板間にプラズマを発生させる手段とを具
備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置である。
容器と、この反応容器に原料ガスを導入、排出する手段
と、前記反応容器内に配置され、被処理物を加熱するヒ
ータと、前記反応容器内に配置され、上部に開口部を有
した成膜ユニットと、この成膜ユニットの開口部に前記
被処理物と対向するようにセットされ、開口部を有する
電極と、前記成膜ユニットの底部に該成膜ユニットと絶
縁して配置された電位制御板と、この電位制御板の電位
を制御する電位制御電源と、前記電極とヒータ間、前記
電極と電位制御板間にプラズマを発生させる手段とを具
備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置である。
【００１１】本願第２の発明は、反応容器と、この反応
容器に原料ガスを導入、排出する手段と、前記反応容器
内に配置され、被処理物を加熱するヒータと、前記反応
容器内に配置され、上部に開口部を有した成膜ユニット
と、この成膜ユニットの開口部に前記被処理物と対向す
るようにセットされ、開口部を有する電極と、前記成膜
ユニットの電位を制御する電位制御電源と、前記電極と
ヒータ間、前記電極と成膜ユニット間にプラズマを発生
させる手段とを具備することを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置である。
容器に原料ガスを導入、排出する手段と、前記反応容器
内に配置され、被処理物を加熱するヒータと、前記反応
容器内に配置され、上部に開口部を有した成膜ユニット
と、この成膜ユニットの開口部に前記被処理物と対向す
るようにセットされ、開口部を有する電極と、前記成膜
ユニットの電位を制御する電位制御電源と、前記電極と
ヒータ間、前記電極と成膜ユニット間にプラズマを発生
させる手段とを具備することを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置である。
【００１２】本発明において、原料を導入する手段とし
ては、図１に示すようなガス導入管が挙げられる。ま
た、原料ガスを排出する手段としては排気管が挙げられ
る。本発明において、開口部を有する電極とは、電極主
面に垂直な方向にガスを通過させるような穴あるいは隙
間を有した電極を意味し、例えば、図１に示すようなラ
ダー（梯子状）電極、あるいは図５で述べたようなグリ
ッド型電極が挙げられる。
ては、図１に示すようなガス導入管が挙げられる。ま
た、原料ガスを排出する手段としては排気管が挙げられ
る。本発明において、開口部を有する電極とは、電極主
面に垂直な方向にガスを通過させるような穴あるいは隙
間を有した電極を意味し、例えば、図１に示すようなラ
ダー（梯子状）電極、あるいは図５で述べたようなグリ
ッド型電極が挙げられる。
【００１３】本発明において、プラズマを発生させる手
段としては、例えば図１に示すような高周波電源、イン
ピーダンス整合器及び電力導入端子からなる構成部材が
挙げられる。
段としては、例えば図１に示すような高周波電源、イン
ピーダンス整合器及び電力導入端子からなる構成部材が
挙げられる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の符番21は、反応容
器としての真空チャンバを示す。この真空チャンバ21内
には、基板ホルダ（図示せず）に支持されたガラス基板
22を加熱する基板加熱ヒータ23が配置されている。ここ
で、ガラス基板22は中性洗剤あるいは有機溶剤で洗浄し
たものを用いる。前記真空チャンバ21内には、プラズマ
を生成するためのラダー電極24が基板22と対向するよう
に配置されている。前記ラダー電極24は、電気的に接地
された成膜ユニット25に図示しない絶縁体を介して固定
されている。前記ラダー電極24には、高周波電源26より
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波をインピーダンス整合
器27、電力導入端子28を介して印加し、グロー放電プラ
ズマが発生させる。グロー放電プラズマは、基板加熱ヒ
ータ23とラダー電極24の間、及びラダー電極24と後述す
る電位制御板の間の両方に発生する。前記成膜ユニット
25の底部には絶縁碍子29を介して電位制御板30が設けら
れ、該電位制御板30には電位制御用電源30が接続されて
いる。ここで、電位制御用電源31により電位制御板30の
電位が制御される。前記真空チャンバ21には、前記ラダ
ー電極24周辺に原料ガスを導入するガス導入管32、及び
真空チャンバ21内の反応ガスなどを真空ポンプ（図示せ
ず）により容器外へ排出する排気管33が設けられてい
る。
照して説明する。 （実施例１）図１を参照する。図中の符番21は、反応容
器としての真空チャンバを示す。この真空チャンバ21内
には、基板ホルダ（図示せず）に支持されたガラス基板
22を加熱する基板加熱ヒータ23が配置されている。ここ
で、ガラス基板22は中性洗剤あるいは有機溶剤で洗浄し
たものを用いる。前記真空チャンバ21内には、プラズマ
を生成するためのラダー電極24が基板22と対向するよう
に配置されている。前記ラダー電極24は、電気的に接地
された成膜ユニット25に図示しない絶縁体を介して固定
されている。前記ラダー電極24には、高周波電源26より
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波をインピーダンス整合
器27、電力導入端子28を介して印加し、グロー放電プラ
ズマが発生させる。グロー放電プラズマは、基板加熱ヒ
ータ23とラダー電極24の間、及びラダー電極24と後述す
る電位制御板の間の両方に発生する。前記成膜ユニット
25の底部には絶縁碍子29を介して電位制御板30が設けら
れ、該電位制御板30には電位制御用電源30が接続されて
いる。ここで、電位制御用電源31により電位制御板30の
電位が制御される。前記真空チャンバ21には、前記ラダ
ー電極24周辺に原料ガスを導入するガス導入管32、及び
真空チャンバ21内の反応ガスなどを真空ポンプ（図示せ
ず）により容器外へ排出する排気管33が設けられてい
る。
【００１５】こうした装置において、真空チャンバ21内
は真空ポンプにより所定圧力（通常は５×１０-7Ｔｏｒ
ｒ以下）まで排気すると共に、基板加熱ヒータ23に通電
してガラス基板22を所定温度、通常１５０℃〜３００℃
に加熱し、温度を十分安定させた後、真空チャンバ21内
にガス導入管32を介して原料ガスとして水素とモノシラ
ンの混合ガスを所定流量導入し、真空ポンプによりガス
排気管33を介して排出される。
は真空ポンプにより所定圧力（通常は５×１０-7Ｔｏｒ
ｒ以下）まで排気すると共に、基板加熱ヒータ23に通電
してガラス基板22を所定温度、通常１５０℃〜３００℃
に加熱し、温度を十分安定させた後、真空チャンバ21内
にガス導入管32を介して原料ガスとして水素とモノシラ
ンの混合ガスを所定流量導入し、真空ポンプによりガス
排気管33を介して排出される。
【００１６】上記実施例に係るプラズマＣＶＤ装置によ
れば、ラダー電極24に対して基板22と反対側に電位制御
板30を配置し、この電位制御板30の電位を電位制御電源
31により制御する構成となっているため、以下に述べる
効果を有する。
れば、ラダー電極24に対して基板22と反対側に電位制御
板30を配置し、この電位制御板30の電位を電位制御電源
31により制御する構成となっているため、以下に述べる
効果を有する。
【００１７】(1) ラダー電極24を構成する線材の隙間を
介してラダー電極24と基板加熱ヒータ23間のプラズマと
ラダー電極24と電位制御板30の間のプラズマがつながっ
ているため、電位制御板30の電位を制御することによ
り、ラダー電極24と基板加熱ヒータ23間のプラズマ電位
を小さくすることが可能となる。この結果、イオン衝撃
による膜面へのダメージが低減されることから、膜の結
晶性が向上する。
介してラダー電極24と基板加熱ヒータ23間のプラズマと
ラダー電極24と電位制御板30の間のプラズマがつながっ
ているため、電位制御板30の電位を制御することによ
り、ラダー電極24と基板加熱ヒータ23間のプラズマ電位
を小さくすることが可能となる。この結果、イオン衝撃
による膜面へのダメージが低減されることから、膜の結
晶性が向上する。
【００１８】(2) 基板22の前面には従来のグリッド電極
等のようにラジカルにとって遮蔽物がないことから、成
膜速度を損なうことなく結晶性を向上できる。事実、前
記プラズマＣＶＤ装置を用いて電位制御板30に印加する
電圧を変化させ、基板22上に微結晶Ｓｉ薄膜を成膜し
た。微結晶Ｓｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。成膜した
微結晶Ｓｉ薄膜はレーザラマン分光測定により膜質の評
価を行った。測定結果のラマン散乱スペクトルを４８０
ｃｍ-1及び５２０ｃｍ-1を中心値とするガウス分布にて
波形分布してそのピーク比を調べた。ここで、４８０ｃ
ｍ-1はアモルファスＳｉ成分を示し、５２０ｃｍ-1は結
晶Ｓｉ成分を示すものである。
等のようにラジカルにとって遮蔽物がないことから、成
膜速度を損なうことなく結晶性を向上できる。事実、前
記プラズマＣＶＤ装置を用いて電位制御板30に印加する
電圧を変化させ、基板22上に微結晶Ｓｉ薄膜を成膜し
た。微結晶Ｓｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。成膜した
微結晶Ｓｉ薄膜はレーザラマン分光測定により膜質の評
価を行った。測定結果のラマン散乱スペクトルを４８０
ｃｍ-1及び５２０ｃｍ-1を中心値とするガウス分布にて
波形分布してそのピーク比を調べた。ここで、４８０ｃ
ｍ-1はアモルファスＳｉ成分を示し、５２０ｃｍ-1は結
晶Ｓｉ成分を示すものである。
【００１９】一般的に、その比（５２０ｃｍ-1のピーク
値）／（４８０ｃｍ-1のピーク値）が大きいものほど、
微結晶Ｓｉ膜の結晶性が高く且つ高品質膜とされてい
る。電位制御板30に印加する電圧とその時に得られた膜
の（５２０ｃｍ-1のピーク値）／（４８０ｃｍ-1のピー
ク値）の関係は、図２に示す通りであった。また、比較
のために従来のプラズマＣＶＤ法で製作した微結晶Ｓｉ
膜の値も示した。更に、この時の成膜速度と電位制御板
電位との関係を図３に示す。図２及び図３より、成膜速
度を落とさずに高品質の微結晶膜が得られることが確認
できた。
値）／（４８０ｃｍ-1のピーク値）が大きいものほど、
微結晶Ｓｉ膜の結晶性が高く且つ高品質膜とされてい
る。電位制御板30に印加する電圧とその時に得られた膜
の（５２０ｃｍ-1のピーク値）／（４８０ｃｍ-1のピー
ク値）の関係は、図２に示す通りであった。また、比較
のために従来のプラズマＣＶＤ法で製作した微結晶Ｓｉ
膜の値も示した。更に、この時の成膜速度と電位制御板
電位との関係を図３に示す。図２及び図３より、成膜速
度を落とさずに高品質の微結晶膜が得られることが確認
できた。
【００２０】（実施例２）図６を参照する。但し、図１
と同部材は同符号を付して説明を省略する。本実施例２
は、実施例１と比べ、電位制御板を省き、代わりに電気
的に接地されていた成膜ユニット25に電位制御電源31を
接続して成膜ユニット25の電位を制御したものである。
前記成膜ユニット25と真空チャンバ21間、成膜ユニット
25とガス導入管32間には、夫々板状の絶縁碍子61、断面
が環状の絶縁碍子62が設けられている。
と同部材は同符号を付して説明を省略する。本実施例２
は、実施例１と比べ、電位制御板を省き、代わりに電気
的に接地されていた成膜ユニット25に電位制御電源31を
接続して成膜ユニット25の電位を制御したものである。
前記成膜ユニット25と真空チャンバ21間、成膜ユニット
25とガス導入管32間には、夫々板状の絶縁碍子61、断面
が環状の絶縁碍子62が設けられている。
【００２１】実施例２に係るプラズマＣＶＤ装置によれ
ば、実施例１と同様な効果を有する他、実施例１の電位
制御板よりもプラズマに接している面積が大きくなるの
で、実施例１よりもプラズマ電位の制御性が優れる。
ば、実施例１と同様な効果を有する他、実施例１の電位
制御板よりもプラズマに接している面積が大きくなるの
で、実施例１よりもプラズマ電位の制御性が優れる。
【００２２】なお、上記実施例では、微結晶Ｓｉの成膜
例を示したが、これに限らず、微結晶ＳｉＣや微結晶Ｓ
ｉＧｅなどのＳｉ系微結晶、ダイヤモンド系の微結晶等
の成膜に関しても同様に効果がある。
例を示したが、これに限らず、微結晶ＳｉＣや微結晶Ｓ
ｉＧｅなどのＳｉ系微結晶、ダイヤモンド系の微結晶等
の成膜に関しても同様に効果がある。
【００２３】また、上記実施例では、電極はラダー電極
を用いたが、グリッド型等の開口部があり、電極の上下
のプラズマがつながっているような電極では同様の効果
が得られる。
を用いたが、グリッド型等の開口部があり、電極の上下
のプラズマがつながっているような電極では同様の効果
が得られる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、開
口部を有する電極に対して被処理物と反対側に電位制御
板を配置し、この電位制御板の電位を電位制御電源によ
り制御する構成とすることにより、電極とヒータ間のプ
ラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性を向上しえ
るプラズマＣＶＤ装置を提供できる。
口部を有する電極に対して被処理物と反対側に電位制御
板を配置し、この電位制御板の電位を電位制御電源によ
り制御する構成とすることにより、電極とヒータ間のプ
ラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性を向上しえ
るプラズマＣＶＤ装置を提供できる。
【００２５】また、本発明によれば、開口部を有する電
極に対して被処理物と反対側に被処理物側が開口した成
膜ユニットを配置し、この成膜ユニットの電位を電位制
御電源により制御する構成とすることにより、電極とヒ
ータ間のプラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性
を向上しえるとともに、プラズマ電位の制御性に優れた
プラズマＣＶＤ装置を提供できる。
極に対して被処理物と反対側に被処理物側が開口した成
膜ユニットを配置し、この成膜ユニットの電位を電位制
御電源により制御する構成とすることにより、電極とヒ
ータ間のプラズマ電位を小さくでき、もって膜の結晶性
を向上しえるとともに、プラズマ電位の制御性に優れた
プラズマＣＶＤ装置を提供できる。
【図１】本発明の実施例１に係るプラズマＣＶＤ装置の
全体図。
全体図。
【図２】本発明装置及び従来装置による微結晶Ｓｉ薄膜
のラマン散乱スペクトルのピーク比（５２０ｃｍ-1／４
８０ｃｍ-1の比）と電位制御板電位との関係を示す特性
図。
のラマン散乱スペクトルのピーク比（５２０ｃｍ-1／４
８０ｃｍ-1の比）と電位制御板電位との関係を示す特性
図。
【図３】本発明による成膜速度と電位制御板電位との関
係を示す特性図。
係を示す特性図。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置の説明図。
【図５】従来の他のプラズマＣＶＤ装置の説明図。
【図６】本発明の実施例２に係るプラズマＣＶＤ装置の
全体図。
全体図。
21…真空チャンバ、 22…基板、 23…基板加熱ヒータ、 24…ラダー電極、 25…成膜ユニット、 26…高周波電源、 27…インピーダンス整合器、 28…電力導入端子、 30…電位制御電源、 31…電位制御板、 32…ガス導入管、 33…ガス排気管。
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器に原料ガスを
導入、排出する手段と、前記反応容器内に配置され、被
処理物を加熱するヒータと、前記反応容器内に配置さ
れ、上部に開口部を有した成膜ユニットと、この成膜ユ
ニットの開口部に前記被処理物と対向するようにセット
され、開口部を有する電極と、前記成膜ユニットの底部
に該成膜ユニットと絶縁して配置された電位制御板と、
この電位制御板の電位を制御する電位制御電源と、前記
電極とヒータ間、前記電極と電位制御板間にプラズマを
発生させる手段とを具備することを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 反応容器と、この反応容器に原料ガスを
導入、排出する手段と、前記反応容器内に配置され、被
処理物を加熱するヒータと、前記反応容器内に配置さ
れ、上部に開口部を有した成膜ユニットと、この成膜ユ
ニットの開口部に前記被処理物と対向するようにセット
され、開口部を有する電極と、前記成膜ユニットの電位
を制御する電位制御電源と、前記電極とヒータ間、前記
電極と成膜ユニット間にプラズマを発生させる手段とを
具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30878997A JP3615919B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30878997A JP3615919B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11140653A true JPH11140653A (ja) | 1999-05-25 |
| JP3615919B2 JP3615919B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=17985335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30878997A Expired - Fee Related JP3615919B2 (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3615919B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846728B2 (en) | 1999-09-08 | 2005-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, semiconductor device employing the same, methods for manufacturing the same and device for manufacturing a semiconductor thin film |
| JP2009097037A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Fuji Electric Systems Co Ltd | プラズマｃｖｄ成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
-
1997
- 1997-11-11 JP JP30878997A patent/JP3615919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846728B2 (en) | 1999-09-08 | 2005-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, semiconductor device employing the same, methods for manufacturing the same and device for manufacturing a semiconductor thin film |
| JP2009097037A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Fuji Electric Systems Co Ltd | プラズマｃｖｄ成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3615919B2 (ja) | 2005-02-02 |
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