JPH11142299A - キャリブレーションウェーハおよびその製造方法 - Google Patents

キャリブレーションウェーハおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH11142299A
JPH11142299A JP10237287A JP23728798A JPH11142299A JP H11142299 A JPH11142299 A JP H11142299A JP 10237287 A JP10237287 A JP 10237287A JP 23728798 A JP23728798 A JP 23728798A JP H11142299 A JPH11142299 A JP H11142299A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
calibration wafer
polymer
wafer
calibration
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10237287A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3581579B2 (ja
Inventor
Stefan Geyer
ガイヤー シュテファン
Michael Dr Horn
ホルン ミヒャエル
Ralf Goethel
ゲーテル ラルフ
Katrin Kurth
クルト カトリン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH11142299A publication Critical patent/JPH11142299A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3581579B2 publication Critical patent/JP3581579B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/27Structural arrangements therefor
    • H10P74/277Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e.g. circuits in tested chips or circuits in testing wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/93Detection standards; Calibrating baseline adjustment, drift correction
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N2001/2893Preparing calibration standards

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリマー小球を表面に有するキャリブレーシ
ョンウェーハならびに前記のキャリブレーションウェー
ハの製造方法を提供する。 【解決手段】 ポリマー小球が軟化し始める温度範囲で
熱処理を行うことにより、ポリマー小球をキャリブレー
ションウェーハ上に固定する。 【効果】 堆積物キャリブレーションウェーハから洗浄
除去する際に、ポリマー小球が除去されないため、従来
技術によるものよりもより頻繁におよびより長期間使用
でき、コストを節約できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項1の前提部
に記載の、つまりポリマー小球(P)がウェーハ上に付
着しているキャリブレーションウェーハならびに請求項
3および4の前提部に記載の、つまりポリマー小球をキ
ャリブレーションウェーハ上に設置する、キャリブレー
ションウェーハの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体部材(例えば実質的にケイ素から
なる集積回路)の製造は周知のごとく、いわゆるクリー
ンルーム条件下で、つまりいわゆるパーティクル(=汚
染粒子)が極力少ない環境で行われる。その都度要求さ
れるクリーンルーム条件およびプロセス条件の存在は、
規則的におよび場合により必要(例えば部材の品質およ
び/または歩留りの低下)のある場合に、特にいわゆる
表面パーティクル測定装置を用いて検査される。前記の
測定装置のキャリブレーションのために、一般にキャリ
ブレーションウェーハとして公知の特殊なウェーハを使
用する。
【0003】従来技術によるキャリブレーションウェー
ハは半導体薄板であり、その表面は規定の量およびサイ
ズのポリマー小球を有しており、その際ポリマー小球の
設置は、一定に希釈したポリマー小球分散液を用いて行
う。つまりこのようにして製造したキャリブレーション
ウェーハは規定の量、(キャリブレーションウェーハ上
での)規定の分布および規定のサイズを有するポリマー
小球を有している。前記のキャリブレーションウェーハ
のための製造方法は、極めてコストがかかる。クリーン
ルームの個々の検査の間、確かにキャリブレーションウ
ェーハはクリーンルーム条件下に貯蔵される。しかし最
適な、技術的に実現可能なクリーンルーム条件でも、常
にまだ痕跡量の、例えばアンモニア、塩酸、フッ化水素
酸などが空気中に存在しているので、これらは時間と共
に(また)、例えばアンモニウム塩の形で、キャリブレ
ーションウェーハ上に堆積する。
【0004】しかし前記の堆積は時間と共にいわゆるキ
ャリブレーションの質を低下させ、このことにより極端
な場合には、キャリブレーションがもはや不可能にな
る。
【0005】確かに通例は水を用いて該堆積物を問題な
く洗浄除去することができるが、しかしその際にポリマ
ー小球も同様にウェーハから除去される。従って該粒子
を従来公知の、極めてコストのかかる方法で改めて設置
しなくてはならない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、設置されたポリマー小球と共に従来よりも頻繁に使
用できるキャリブレーションウェーハを製造すること、
ならびに前記のキャリブレーションウェーハを製造でき
る方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によ
り、ポリマー小球が熱処理により固定されており、その
際ポリマー小球が軟化し始める温度範囲で熱処理を行う
ことを特徴とする、ポリマー小球がウェーハ上に付着し
ているキャリブレーションウェーハならびにポリマー小
球が軟化し始める温度範囲での温度処理を用いて設置す
るか、またはポリマー小球の設置後に、ウェーハ上に設
置したポリマー小球と一緒にキャリブレーションウェー
ハを、ポリマー小球が軟化し始める温度範囲で温度処理
することを特徴とする、キャリブレーションウェーハの
製造方法により解決される。
【0008】
【実施例】本発明を以下に、キャリブレーションウェー
ハWをポリマー小球Pと共に示した図に基づいて詳述す
る。その際キャリブレーションウェーハW上に記載され
ているポリマー小球Pは象徴的に示されているのみであ
る。というのも通例、実質的には前記のウェーハW上に
記載された数より多くのポリマー小球Pが存在してお
り、かつ前記のポリマー小球Pは異なった大きさではあ
るが、それぞれ実質的には記載のものよりも小さいから
である。
【0009】本発明によるキャリブレーションウェーハ
Wの場合、ポリマー小球Pは、ポリマー小球Pがちょう
ど軟化し始める温度範囲で行われる特殊な熱処理を用い
てウェーハW上に固定されている。その際、80℃〜9
5℃の温度範囲が有利な温度範囲であることが実証され
た。それぞれの温度範囲はもちろん、選択されたポリマ
ーのその都度の種類に依存する。
【0010】キャリブレーションウェーハWは、選択さ
れた温度範囲、例えば80℃〜95℃での温度処理を、
キャリブレーションウェーハW上にポリマー小球Pを設
置中に行うか、またはその(P)設置後に行うかするこ
とにより製造することができる。
【0011】
【発明の効果】前記の本発明によるキャリブレーション
ウェーハWおよび前記の製造方法の利点は、冒頭に記載
の堆積物(例えば前記のアンモニウム塩)を本発明によ
るキャリブレーションウェーハWから洗浄除去する際
に、ポリマー小球Pは(従来技術に関して記載したの
と)同様に除去されることなく、温度処理を行ったこと
によりキャリブレーションウェーハW上に付着したまま
であることである。従って本発明によるキャリブレーシ
ョンウェーハWは、従来技術によるキャリブレーション
ウェーハよりも実質的により頻繁におよび実質的により
長期間使用することができ、その結果実質的なコストの
節約につながる:ポリマー小球Pのコストのかかる設置
は、従来よりも実質的に少なくなる。試験によれば、本
発明によるキャリブレーションウェーハWを製造および
使用する際に、1年あたりの数は、従来必要とされた量
よりも10%低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ポリマー小球を表面に有するキャリブレーショ
ンウェーハを表す図。
【符号の説明】
W キャリブレーションウェーハ、 P ポリマー小球
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラルフ ゲーテル ドイツ連邦共和国 シュルヴィッツ アス ピッヒリング 28 (72)発明者 カトリン クルト ドイツ連邦共和国 ドレスデン デーレナ ー シュトラーセ 34

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリマー小球(P)がウェーハ上に付着
    しているキャリブレーションウェーハにおいて、ポリマ
    ー小球(P)が熱処理により固定されており、その際ポ
    リマー小球(P)が軟化し始める温度範囲で熱処理を行
    うことを特徴とする、ポリマー小球(P)が表面に付着
    しているキャリブレーションウェーハ。
  2. 【請求項2】 温度範囲が80℃〜95℃である、請求
    項1記載のキャリブレーションウェーハ。
  3. 【請求項3】 ポリマー小球(P)をキャリブレーショ
    ンウェーハ(W)上に設置する、キャリブレーションウ
    ェーハ(W)の製造方法において、ポリマー小球(P)
    が軟化し始める温度範囲での温度処理を用いて設置する
    ことを特徴とする、キャリブレーションウェーハの製造
    方法。
  4. 【請求項4】 ポリマー小球(P)をキャリブレーショ
    ンウェーハ(W)上に設置する、キャリブレーションウ
    ェーハ(W)の製造方法において、ポリマー小球の設置
    後に、ウェーハ上に設置されたポリマー小球(P)と一
    緒にキャリブレーションウェーハ(W)を、ポリマー小
    球(P)が軟化し始める温度範囲で温度処理することを
    特徴とする、キャリブレーションウェーハの製造方法。
  5. 【請求項5】 温度処理を80℃〜95℃で実施する、
    請求項3または4記載の方法。
JP23728798A 1997-08-27 1998-08-24 キャリブレーションウェーハおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP3581579B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19737363A DE19737363C1 (de) 1997-08-27 1997-08-27 Kalibrierwafer
DE19737363.1 1997-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11142299A true JPH11142299A (ja) 1999-05-28
JP3581579B2 JP3581579B2 (ja) 2004-10-27

Family

ID=7840360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23728798A Expired - Fee Related JP3581579B2 (ja) 1997-08-27 1998-08-24 キャリブレーションウェーハおよびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6050125A (ja)
EP (1) EP0901010B1 (ja)
JP (1) JP3581579B2 (ja)
KR (1) KR100310381B1 (ja)
CN (1) CN1119643C (ja)
DE (2) DE19737363C1 (ja)
TW (1) TW364057B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19932357C2 (de) * 1999-07-10 2003-10-16 Ludwig Niewoehner Verfahren zur Herstellung synthetischer Partikelproben
DE19953465C1 (de) 1999-11-05 2000-12-28 Webasto Systemkomponenten Gmbh Belüftungsvorrichtung für einen Sitz eines Fahrzeugs
JP2008507702A (ja) * 2004-07-23 2008-03-13 ネクステック ソリューションズ, インコーポレイテッド 大型基板フラットパネル検査システム
JP4899560B2 (ja) * 2005-08-11 2012-03-21 富士通セミコンダクター株式会社 欠陥検査装置及びその感度校正方法、欠陥検出感度校正用基板及びその製造方法
CN101246841B (zh) * 2007-02-12 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种减少sti hdp制成中蛋卷状颗粒的方法
CN121521583B (zh) * 2026-01-13 2026-04-14 浙江大学 一种夹层微球式标定板制作方法和夹层微球式标定板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2726667A1 (de) * 1977-06-14 1978-12-21 Licentia Gmbh Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben
US4473296A (en) * 1978-05-03 1984-09-25 Ppm, Inc. System and method and apparatus for a continuous aerosol monitor (CAM) using electro-optical weighing for general aerosols
DE3110631A1 (de) * 1980-03-19 1982-03-18 Boris Konstantinovič Choštaria Verfahren und geraet zum eichen von vorrichtungen zur zaehlung und groessenbestimmung von in einem dispersionsmedium schwebenden teilchen
US4386850A (en) * 1980-12-23 1983-06-07 Rca Corporation Calibration device and method for an optical defect scanner
US4512659A (en) * 1983-08-10 1985-04-23 Tencor Instruments Apparatus for calibrating a surface scanner
US4636073A (en) * 1984-10-31 1987-01-13 International Business Machines Corporation Universal calibration standard for surface inspection systems
US4739177A (en) * 1985-12-11 1988-04-19 High Yield Technology Light scattering particle detector for wafer processing equipment
US4990459A (en) * 1988-04-25 1991-02-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Impurity measuring method
US5144524A (en) * 1988-04-27 1992-09-01 Hewlett-Packard Company Light trap for blocking reflection and scattering of light
US5078492A (en) * 1990-09-24 1992-01-07 Vlsi Standards, Inc. Test wafer for an optical scanner
US5198869A (en) * 1990-10-15 1993-03-30 Vlsi Standards, Inc. Reference wafer for haze calibration
US5383018A (en) * 1992-12-28 1995-01-17 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for calibration of patterned wafer scanners
US5534309A (en) * 1994-06-21 1996-07-09 Msp Corporation Method and apparatus for depositing particles on surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
EP0901010A2 (de) 1999-03-10
CN1119643C (zh) 2003-08-27
JP3581579B2 (ja) 2004-10-27
TW364057B (en) 1999-07-11
KR19990023832A (ko) 1999-03-25
DE19737363C1 (de) 1999-03-11
DE59807941D1 (de) 2003-05-22
EP0901010B1 (de) 2003-04-16
EP0901010A3 (de) 1999-03-17
KR100310381B1 (ko) 2001-12-17
CN1213079A (zh) 1999-04-07
US6050125A (en) 2000-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6514921B1 (en) Cleaning agent
JPH0831784A (ja) シリコンウェーハの表面上の金属汚染の減少法および変性された洗浄液
JPH09181028A (ja) 半導体素子の洗浄液
JPH11142299A (ja) キャリブレーションウェーハおよびその製造方法
CN102157364A (zh) 晶片加工方法
TW420850B (en) Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein
JP3210800B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
CN101405835A (zh) 清洁半导体晶片的方法
JPH02257613A (ja) 微粒子汚染の除去方法
JPS61294824A (ja) 半導体集積回路の製造装置
JP3536902B2 (ja) シリコン基板の洗浄方法
JPH1174324A (ja) ダミーウェーハの清浄度評価方法及び洗浄方法
JPH08144075A (ja) メタル上の異物の除去方法およびその装置
JPH0684866A (ja) 異物付着防止方法
JPH05259144A (ja) 基板洗浄方法
JPH04125946A (ja) 半導体基板の評価方法
JP3070543B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09266189A (ja) 微粒子処理半導体ウェハーの製造方法
JP2735631B2 (ja) 洗浄方法及びその装置
JPH0786342A (ja) ウェハチャックおよび半導体素子の検査方法
JP2023000110A (ja) 洗浄工程及び乾燥工程の評価方法
Ahn et al. Identification and removal of defects on silicon wafer processed with a rinse with/without megasonics in DI water
JPH07221061A (ja) 半導体処理装置
JPH113848A (ja) 半導体装置の製造装置
JPH0336809A (ja) 弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040624

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040723

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees