JPH11142471A - バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 - Google Patents
バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置Info
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- JPH11142471A JPH11142471A JP32216497A JP32216497A JPH11142471A JP H11142471 A JPH11142471 A JP H11142471A JP 32216497 A JP32216497 A JP 32216497A JP 32216497 A JP32216497 A JP 32216497A JP H11142471 A JPH11142471 A JP H11142471A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】信頼性を向上したCMOS型集積回路を供給で
きると共に、試験の効率化を図ることができるようにし
たバーンイン方法及び装置の提供。 【解決手段】被試験デバイス1に、バーンイン試験中に
Iddqのテストパターンを供給し、電源電圧供給手段
3から被試験デバイスに流れ込むIddqを電源電流検
出手段4で検出する。この電流値と予め設定した規格電
流値を比較し、良否判定することで、効果的にスクリー
ニング実施可能とする。
きると共に、試験の効率化を図ることができるようにし
たバーンイン方法及び装置の提供。 【解決手段】被試験デバイス1に、バーンイン試験中に
Iddqのテストパターンを供給し、電源電圧供給手段
3から被試験デバイスに流れ込むIddqを電源電流検
出手段4で検出する。この電流値と予め設定した規格電
流値を比較し、良否判定することで、効果的にスクリー
ニング実施可能とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バーンイン装置に
関し、特に静止電源電流(Iddq)の測定機能を付加
したバーンイン装置に関する。より詳細には、本発明
は、初期不良を起こすCMOS型集積回路を除くために
高温条件下で行われるバーンイン試験に使用されるバー
ンイン試験方法及びバーンイン試験装置に関する。
関し、特に静止電源電流(Iddq)の測定機能を付加
したバーンイン装置に関する。より詳細には、本発明
は、初期不良を起こすCMOS型集積回路を除くために
高温条件下で行われるバーンイン試験に使用されるバー
ンイン試験方法及びバーンイン試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、CMOS型集積回路はあらゆる産
業分野に使用されており、高い信頼性が要求される場合
が多い。初期不良を起こすCMOS型集積回路を除外す
るため高温条件下で行われるバーンイン試験に使用され
るバーンイン装置には次のようなものがある。
業分野に使用されており、高い信頼性が要求される場合
が多い。初期不良を起こすCMOS型集積回路を除外す
るため高温条件下で行われるバーンイン試験に使用され
るバーンイン装置には次のようなものがある。
【0003】一般に、スタティックバーンイン装置は、
恒温槽、DC電源ユニット、被試験デバイスへの電源供
給回路を設けて構成される。
恒温槽、DC電源ユニット、被試験デバイスへの電源供
給回路を設けて構成される。
【0004】また、ダイナミックバーンイン装置は、前
記スタティックバーンイン装置に被試験デバイスを動作
されるためのテストパターン発生器、ドライバー回路等
を付加して構成される。
記スタティックバーンイン装置に被試験デバイスを動作
されるためのテストパターン発生器、ドライバー回路等
を付加して構成される。
【0005】さらにモニター(テスト)バーンイン装置
は、前記ダイナミックバーンイン装置に、被試験デバイ
スの動作が正常であるかをモニター(テスト)するため
のコンパレータ回路等を付加して構成される。
は、前記ダイナミックバーンイン装置に、被試験デバイ
スの動作が正常であるかをモニター(テスト)するため
のコンパレータ回路等を付加して構成される。
【0006】図3に従来のバーンイン装置として、特開
平6−102312号公報に提案されるバーンイン装置
の構成を示す。図3を参照すると、この従来のバーンイ
ン装置は、パルス供給制御手段18によってパルス供給
手段19から被試験デバイス11に供給されるパルスの
周波数を被試験デバイス11に流れ込む電源電流ICC
が所望の一定値となるように制御するようにしたもので
ある。図中12は被試験デバイスに電源VCCを供給す
る電源電圧供給手段、13は電源電流Iccを電圧の大
きさとして検出する電源電流検出手段である。
平6−102312号公報に提案されるバーンイン装置
の構成を示す。図3を参照すると、この従来のバーンイ
ン装置は、パルス供給制御手段18によってパルス供給
手段19から被試験デバイス11に供給されるパルスの
周波数を被試験デバイス11に流れ込む電源電流ICC
が所望の一定値となるように制御するようにしたもので
ある。図中12は被試験デバイスに電源VCCを供給す
る電源電圧供給手段、13は電源電流Iccを電圧の大
きさとして検出する電源電流検出手段である。
【0007】次に、静止電源電流(IDD quies
cent current、以下、「Iddq」と記
す)テストは、ダイナミック回路を含まないCMOS型
集積回路において、定常状態(信号が安定している状
態)では微小なリーフ電流のみしか流れないことを利用
して、集積回路内部の故障検出を行うものである。
cent current、以下、「Iddq」と記
す)テストは、ダイナミック回路を含まないCMOS型
集積回路において、定常状態(信号が安定している状
態)では微小なリーフ電流のみしか流れないことを利用
して、集積回路内部の故障検出を行うものである。
【0008】Iddqテストの利点は故障検出能力が高
いことと、故障の活性化さえできれば、集積回路の外部
端子まで故障を伝搬させる必要がないため、テストパタ
ーンが作成が容易な上、テストパターン数が短くて済む
こと等が上げられる。
いことと、故障の活性化さえできれば、集積回路の外部
端子まで故障を伝搬させる必要がないため、テストパタ
ーンが作成が容易な上、テストパターン数が短くて済む
こと等が上げられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の技術は
下記記載の問題点を有している。
下記記載の問題点を有している。
【0010】第1の問題点は、従来の技術において、大
規模CMOS(ロジック)集積回路の場合、スタティッ
ク・バーンイン装置によってスクリーンを実施していた
が、スクリーニング効果が少ない、ということである。
規模CMOS(ロジック)集積回路の場合、スタティッ
ク・バーンイン装置によってスクリーンを実施していた
が、スクリーニング効果が少ない、ということである。
【0011】その理由は、スタティックバーンイン装置
は、試験デバイスに電源バイアスを加えるだけである
か、又はパルス等を入力して、一部回路を動作するだけ
だからである。
は、試験デバイスに電源バイアスを加えるだけである
か、又はパルス等を入力して、一部回路を動作するだけ
だからである。
【0012】また、実際に内部回路を動作させるダイナ
ミックバーンイン装置を実施すれば、スクリーニング効
果が上げられるが、CMOS型集積回路は非常に複雑な
パターンが多く、これを処理可能なテスターを附属させ
ると、非常に高価になるため、ほとんど使われていな
い。
ミックバーンイン装置を実施すれば、スクリーニング効
果が上げられるが、CMOS型集積回路は非常に複雑な
パターンが多く、これを処理可能なテスターを附属させ
ると、非常に高価になるため、ほとんど使われていな
い。
【0013】第2の問題点は、デバイスの初期不良を除
くための、テストとして、Iddqテストがあるが、I
ddqテストは、テスト時間が長くかかる、ということ
である。
くための、テストとして、Iddqテストがあるが、I
ddqテストは、テスト時間が長くかかる、ということ
である。
【0014】その理由は、Iddqテストを実施する場
合、CMOS集積回路が定常状態になった後にテストす
る必要があるためである。
合、CMOS集積回路が定常状態になった後にテストす
る必要があるためである。
【0015】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その目的は、信頼性を向上した
CMOS型集積回路を供給できると共に、試験の効率化
を図ることができるようにしたバーンイン方法及び装置
を提供することにある。
なされたものであって、その目的は、信頼性を向上した
CMOS型集積回路を供給できると共に、試験の効率化
を図ることができるようにしたバーンイン方法及び装置
を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のバーンイン試験方法は、バーンイン試験中
に、被試験デバイスの静止電源電流(Iddq)を測定
し、その良否判定結果及び被試験デバイスの認識番号を
格納し、バーンイン試験後に、前記良否判定結果を用い
て前記被試験デバイスを選別する、ことを特徴とする。
め、本発明のバーンイン試験方法は、バーンイン試験中
に、被試験デバイスの静止電源電流(Iddq)を測定
し、その良否判定結果及び被試験デバイスの認識番号を
格納し、バーンイン試験後に、前記良否判定結果を用い
て前記被試験デバイスを選別する、ことを特徴とする。
【0017】また本発明のバーンイン装置は、テストパ
ターンを生成し、被試験デバイスにテストパターンを供
給するテストパターン供給手段と、前記被試験デバイス
に電源電圧(VDD)を供給する電源電圧供給手段と、
前記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込
む静止電源電流(Iddq)を検出する電源電流検出手
段と、前記被試験デバイスを選択し、被試験デバイス認
識番号情報(ID)を生成する試験デバイス選択手段
と、前記電源電流検出手段により検出された静止電源電
流値をあらかじめ設定した規格電流値を比較し被試験デ
バイスが良品であるか不良品であるかを判定する良否判
定手段と、前記良否判定手段によって良否判定された結
果を前記被試験デバイス認識番号情報(ID)と共に格
納する、良否判定結果格納手段と、を少なくとも含むこ
とを特徴とする。
ターンを生成し、被試験デバイスにテストパターンを供
給するテストパターン供給手段と、前記被試験デバイス
に電源電圧(VDD)を供給する電源電圧供給手段と、
前記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込
む静止電源電流(Iddq)を検出する電源電流検出手
段と、前記被試験デバイスを選択し、被試験デバイス認
識番号情報(ID)を生成する試験デバイス選択手段
と、前記電源電流検出手段により検出された静止電源電
流値をあらかじめ設定した規格電流値を比較し被試験デ
バイスが良品であるか不良品であるかを判定する良否判
定手段と、前記良否判定手段によって良否判定された結
果を前記被試験デバイス認識番号情報(ID)と共に格
納する、良否判定結果格納手段と、を少なくとも含むこ
とを特徴とする。
【0018】[発明の概要]本発明のバーンイン装置
は、テストパターンを生成し、被試験デバイス(図1の
1)にテストパターンを供給するテストパターン供給手
段(図1の2)と、前記被試験デバイスに電源電圧(V
DD)を供給する電源電圧供給手段(図1の3)と、前
記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込む
Iddqを検出する電源電流検出手段(図1の4)と、
検出された静止電源電流値とあらかじめ設定した規格電
流値を比較することによって被試験デバイスが良品であ
るか不良品であるかを判定する良否判定手段(図1の
6)を備えて構成される。
は、テストパターンを生成し、被試験デバイス(図1の
1)にテストパターンを供給するテストパターン供給手
段(図1の2)と、前記被試験デバイスに電源電圧(V
DD)を供給する電源電圧供給手段(図1の3)と、前
記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込む
Iddqを検出する電源電流検出手段(図1の4)と、
検出された静止電源電流値とあらかじめ設定した規格電
流値を比較することによって被試験デバイスが良品であ
るか不良品であるかを判定する良否判定手段(図1の
6)を備えて構成される。
【0019】本発明のバーンイン方法及び装置によれ
ば、バーンイン試験中に被試験デバイスのIddqを測
定し、その良否判定結果とID情報を用いて被試験デバ
イスを選別する。
ば、バーンイン試験中に被試験デバイスのIddqを測
定し、その良否判定結果とID情報を用いて被試験デバ
イスを選別する。
【0020】この結果、故障検出能力が高いIddqテ
ストをバーンイン試験中に実施することにより、信頼性
の高いデバイスを供給することができる。また、テスト
時間が長いIddqテストをバーンイン試験中に実施す
るためバーンイン試験後のデバイスのテスト時間を短縮
でき、安価なデバイスを供給することができる。
ストをバーンイン試験中に実施することにより、信頼性
の高いデバイスを供給することができる。また、テスト
時間が長いIddqテストをバーンイン試験中に実施す
るためバーンイン試験後のデバイスのテスト時間を短縮
でき、安価なデバイスを供給することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【0022】図1は、本発明の好ましい実施の形態の構
成を示す図である。図1を参照すると、本発明のバーン
イン装置は、その好ましい実施の形態において、被試験
デバイス1テストパターン供給手段2と、電源電圧供給
手段3と、電源電流検出手段4と、試験デバイス選択手
段5と、良品判定手段6と、良否判定結果格納手段7
と、を含む。
成を示す図である。図1を参照すると、本発明のバーン
イン装置は、その好ましい実施の形態において、被試験
デバイス1テストパターン供給手段2と、電源電圧供給
手段3と、電源電流検出手段4と、試験デバイス選択手
段5と、良品判定手段6と、良否判定結果格納手段7
と、を含む。
【0023】被試験デバイス1は、恒温槽内部へ保管さ
れる。恒温槽は、例えば125℃で保つことができるも
のが好ましい。
れる。恒温槽は、例えば125℃で保つことができるも
のが好ましい。
【0024】テストパターン供給手段2は、被試験デバ
イスを動作させるためのパルス発生器である。
イスを動作させるためのパルス発生器である。
【0025】電源電圧供給手段3は、電源電圧VDDを
定電化する定電圧回路等で形成される。
定電化する定電圧回路等で形成される。
【0026】電源電流検出手段4は、被試験デバイス1
に流れる電源電流を検出するための電流計である。
に流れる電源電流を検出するための電流計である。
【0027】試験デバイス選択手段5は、測定するデバ
イスを順次選択するためのドライバー回路で構成され
る。
イスを順次選択するためのドライバー回路で構成され
る。
【0028】良否判定手段6は、予め設定した良否判定
電流値と電源電流検出手段4で検出された電源電流(I
ddq)とを比較するコンパレータ回路である。
電流値と電源電流検出手段4で検出された電源電流(I
ddq)とを比較するコンパレータ回路である。
【0029】良否判定結果格納手段7は、良否判定手段
6の結果(データ)を入力し、かつ試験デバイス選択手
段5からの対象となる試験デバイスのデータも入力し、
各々のデータを合わせて記憶する。
6の結果(データ)を入力し、かつ試験デバイス選択手
段5からの対象となる試験デバイスのデータも入力し、
各々のデータを合わせて記憶する。
【0030】図2は、本発明の実施の形態の処理フロー
を説明するための流れ図である。図1及び図2を参照し
て、本発明の実施の形態の動作について説明する。
を説明するための流れ図である。図1及び図2を参照し
て、本発明の実施の形態の動作について説明する。
【0031】(1)被試験デバイス1に電源電圧供給手
段3から電源電圧VDDとテストパターン供給手段2か
らテストパターンを供給する(ステップ201)。
段3から電源電圧VDDとテストパターン供給手段2か
らテストパターンを供給する(ステップ201)。
【0032】(2)ステップ201によって被試験デバ
イス1が動作を開始する。これにより電源電流が発生す
る(ステップ202)。
イス1が動作を開始する。これにより電源電流が発生す
る(ステップ202)。
【0033】(3)試験デバイス選択手段5によって被
試験デバイス選択し、認識番号情報(ID)設定する
(ステップ203)。
試験デバイス選択し、認識番号情報(ID)設定する
(ステップ203)。
【0034】(4)選択された被試験デバイスが安定状
態のとき、静止電源電流Iddqを電源電流検出手段5
で検出する(ステップ204)。
態のとき、静止電源電流Iddqを電源電流検出手段5
で検出する(ステップ204)。
【0035】(5)検出した電源電流Iddqと規格電
流を比較し、良否判定手段6によって判定する(ステッ
プ205)。
流を比較し、良否判定手段6によって判定する(ステッ
プ205)。
【0036】(6)良否判定手段6の結果と被試験デバ
イス認識番号情報(ID)と共に、良否判定結果格納手
段7に格納する(ステップ206)。すなわち、検出し
たIddqの値と予め設定した規格電流値とを比較する
ことによって被試験デバイス1が良品であるか不良品で
あるかを良否判定手段6によって判定する。その後、良
否判定手段6によって判定した結果を前記被試験デバイ
ス認識番号(ID)と共に良否判定結果格納手段7に格
納する。
イス認識番号情報(ID)と共に、良否判定結果格納手
段7に格納する(ステップ206)。すなわち、検出し
たIddqの値と予め設定した規格電流値とを比較する
ことによって被試験デバイス1が良品であるか不良品で
あるかを良否判定手段6によって判定する。その後、良
否判定手段6によって判定した結果を前記被試験デバイ
ス認識番号(ID)と共に良否判定結果格納手段7に格
納する。
【0037】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明のバーンイン装置の一実施例
について説明する。
詳細に説明すべく、本発明のバーンイン装置の一実施例
について説明する。
【0038】図1は、本発明の一実施例の構成を示す図
である。図1において、1は被試験デバイス、2は被試
験デバイス1にテストパターンを供給するテストパター
ン供給手段、3は被試験デバイスに電源電圧VDDを供
給する電源電圧供給手段、4は被試験デバイス1の電源
電流を検出する電源電流検出手段である。
である。図1において、1は被試験デバイス、2は被試
験デバイス1にテストパターンを供給するテストパター
ン供給手段、3は被試験デバイスに電源電圧VDDを供
給する電源電圧供給手段、4は被試験デバイス1の電源
電流を検出する電源電流検出手段である。
【0039】また、5は被試験デバイス1を選択し、被
試験デバイス認識番号情報(ID)を生成し、関連ユニ
ットに被試験デバイス1の良否判定を実施する良否判定
手段である。また、7は良否判定手段6によって良否判
定された結果を被試験デバイス選択手段5によって生成
された被試験デバイスID情報と共に格納する良否判定
結果格納手段である。
試験デバイス認識番号情報(ID)を生成し、関連ユニ
ットに被試験デバイス1の良否判定を実施する良否判定
手段である。また、7は良否判定手段6によって良否判
定された結果を被試験デバイス選択手段5によって生成
された被試験デバイスID情報と共に格納する良否判定
結果格納手段である。
【0040】電源電圧供給手段3は、電源電圧VDDを
定電化する定電圧回路等で形成される。電圧は、5.0
V又は3.3V等下1ケタまで(100mV)の電圧精
度があるものが望ましい。
定電化する定電圧回路等で形成される。電圧は、5.0
V又は3.3V等下1ケタまで(100mV)の電圧精
度があるものが望ましい。
【0041】電源電流検出手段4は、被試験デバイス1
に流れる電源電流を検出するための電流計であり、好ま
しくは最小1pAまでの電流が測定可能なものである。
に流れる電源電流を検出するための電流計であり、好ま
しくは最小1pAまでの電流が測定可能なものである。
【0042】良否判定結果格納手段7はメモリー回路、
例えばDRAM等で構成される。
例えばDRAM等で構成される。
【0043】次に、本発明の一実施例の動作について、
図1を参照して詳細に説明する。
図1を参照して詳細に説明する。
【0044】被試験デバイス1に電源電圧供給手段3か
ら電源電圧VDDが供給されると共に、テストパターン
供給手段2からテストパターンが供給され被試験デバイ
ス1が動作すると、電源電流IDDが発生する。ここ
で、被試験デバイス選択手段5によって、被試験デバイ
スを選択すると共に、被試験デバイスに被試験デバイス
認識番号情報(ID)を付ける。
ら電源電圧VDDが供給されると共に、テストパターン
供給手段2からテストパターンが供給され被試験デバイ
ス1が動作すると、電源電流IDDが発生する。ここ
で、被試験デバイス選択手段5によって、被試験デバイ
スを選択すると共に、被試験デバイスに被試験デバイス
認識番号情報(ID)を付ける。
【0045】次に電源電流検出手段4によって、選択さ
れた被試験デバイスの内部が安定した状態で静止電源電
流(Iddq)を検出する。検出したIddqの値と予
め設定した規格電流値とを比較することによって被試験
デバイス1が良品であるか不良品であるかを良否判定手
段6によって判定する。その後、良否判定手段6によっ
て判定した結果を被試験デバイス認識番号(ID)と共
に良否判定結果格納手段7に格納する。
れた被試験デバイスの内部が安定した状態で静止電源電
流(Iddq)を検出する。検出したIddqの値と予
め設定した規格電流値とを比較することによって被試験
デバイス1が良品であるか不良品であるかを良否判定手
段6によって判定する。その後、良否判定手段6によっ
て判定した結果を被試験デバイス認識番号(ID)と共
に良否判定結果格納手段7に格納する。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
記記載の効果を奏する。
【0047】本発明の第1の効果は、Iddqテストを
付加したバーンイン装置により初期不良を除く、スクリ
ーニング効果を上げることができる、ということであ
る。これにより、テスター機能をもった高価なダイナミ
ックバーンイン装置を用いることなく、バーンインテス
トのコストを低減し、信頼性の高いCMOS型集積回路
を安価に、生産できるようになる。
付加したバーンイン装置により初期不良を除く、スクリ
ーニング効果を上げることができる、ということであ
る。これにより、テスター機能をもった高価なダイナミ
ックバーンイン装置を用いることなく、バーンインテス
トのコストを低減し、信頼性の高いCMOS型集積回路
を安価に、生産できるようになる。
【0048】その理由は、本発明で用いるIddqテス
トは、CMOS型集積回路特にロジック部の故障検出能
力が高い、ためである。
トは、CMOS型集積回路特にロジック部の故障検出能
力が高い、ためである。
【0049】本発明の第2の効果は、Iddqテストを
バーンイン試験中に実施するため、選別時間を非常に短
縮することができる、ということである。これにより、
製造時間及び製造コストを削減できる。
バーンイン試験中に実施するため、選別時間を非常に短
縮することができる、ということである。これにより、
製造時間及び製造コストを削減できる。
【0050】その理由は、本発明においては、測定時間
の長いIddqテストをバーンイン中に実施でき、選別
時に、不要としたことによる。
の長いIddqテストをバーンイン中に実施でき、選別
時に、不要としたことによる。
【図1】本発明のバーンイン試験装置の実施の形態の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図2】本発明のバーンイン試験装置の実施の形態の動
作を説明するためのフローチャートである。
作を説明するためのフローチャートである。
【図3】従来のスタティックバーンイン試験装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
1 被試験デバイス 2 テストパターン供給手段 3 電源電圧供給手段 4 電源電流供給手段 5 被試験デバイス選択手段 6 良否判定手段 7 良否判定結果格納手段 8 パルス供給制御手段 9 パルス供給手段
Claims (3)
- 【請求項1】バーンイン試験中に、被試験デバイスの静
止電源電流(Iddq)を測定し、その良否判定結果及
び被試験デバイスの認識番号を格納し、バーンイン試験
後に、前記良否判定結果を用いて前記被試験デバイスを
選別する、ことを特徴とするバーンイン試験方法。 - 【請求項2】バーンイン試験において、 (a)被試験デバイスに電源電圧とテストパターンを供
給して前記被試験デバイスの動作を開始させ、 (b)被試験デバイス選択し認識番号情報(ID)設定
し、 (c)前記選択された被試験デバイスが安定状態のとき
静止電源電流(Iddq)を検出し、 (d)前記検出した電源電流(Iddq)と規格電流と
を比較して良否を判定し、 (e)良否判定手結果を前記被試験デバイスの認識番号
情報(ID)と共に結果格納手段に格納する、 ことを特徴とするバーンイン試験方法。 - 【請求項3】テストパターンを生成し、被試験デバイス
にテストパターンを供給するテストパターン供給手段
と、 前記被試験デバイスに電源電圧(VDD)を供給する電
源電圧供給手段と、 前記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込
む静止電源電流(Iddq)を検出する電源電流検出手
段と、 前記被試験デバイスを選択し、被試験デバイス認識番号
情報(ID)を生成する試験デバイス選択手段と、 前記電源電流検出手段により検出された静止電源電流値
を予め設定した規格電流値を比較し前記被試験デバイス
の良/不良を判定する良否判定手段と、 前記良否判定手段によって良否判定された結果を前記被
試験デバイス認識番号情報(ID)と共に格納する、良
否判定結果格納手段と、 を少なくとも含むことを特徴とするバーンイン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32216497A JPH11142471A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32216497A JPH11142471A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142471A true JPH11142471A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18140658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32216497A Pending JPH11142471A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11142471A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107404A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-10 | Sony Corp | Cmos集積回路の良品判定方法 |
| US7199600B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-04-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor device testing method and testing equipment |
| JP2008004778A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Sharp Corp | 半導体装置、半導体装置の検査方法、プローブカード |
| JP2009204550A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Advantest Corp | 試験装置および試験システムならびに試験方法 |
| JP2011064618A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及びその試験方法 |
| CN106248241A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-21 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 增强热敏芯片与温度传感器电气性能稳定性的方法及装置 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP32216497A patent/JPH11142471A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009204550A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Advantest Corp | 試験装置および試験システムならびに試験方法 |
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| CN106248241A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-21 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 增强热敏芯片与温度传感器电气性能稳定性的方法及装置 |
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| A02 | Decision of refusal |
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