JPH11142875A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11142875A JPH11142875A JP9312051A JP31205197A JPH11142875A JP H11142875 A JPH11142875 A JP H11142875A JP 9312051 A JP9312051 A JP 9312051A JP 31205197 A JP31205197 A JP 31205197A JP H11142875 A JPH11142875 A JP H11142875A
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- JP
- Japan
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- thin film
- liquid crystal
- substrate
- electrode
- crystal display
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルタ基板上の表示電極に金属薄膜
を酸化物薄膜で挟んだ多層構造の透明電極を用いる液晶
表示素子において、対向基板の引出電極への良好な接続
性を実現し、表示品位を向上する。 【解決手段】 アクティブ素子７及び画素電極１３が形
成された第１の透明基板２と、カラーフィルタ３及び対
向電極としての透明電極が形成された第２の透明基板１
との間に、周辺をシール樹脂８で封止した液晶層１２と
所定の位置に形成した導電性ペースト１０を狭持する液
晶表示素子において、前記透明電極は、金属薄膜５を酸
化物薄膜４，６で挟んだ多層構造であり、かつ導電ペー
スト１０内に含む導電性粒子１１が金属薄膜５と引出電
極１４に直接接して電気的に接続する。
を酸化物薄膜で挟んだ多層構造の透明電極を用いる液晶
表示素子において、対向基板の引出電極への良好な接続
性を実現し、表示品位を向上する。 【解決手段】 アクティブ素子７及び画素電極１３が形
成された第１の透明基板２と、カラーフィルタ３及び対
向電極としての透明電極が形成された第２の透明基板１
との間に、周辺をシール樹脂８で封止した液晶層１２と
所定の位置に形成した導電性ペースト１０を狭持する液
晶表示素子において、前記透明電極は、金属薄膜５を酸
化物薄膜４，６で挟んだ多層構造であり、かつ導電ペー
スト１０内に含む導電性粒子１１が金属薄膜５と引出電
極１４に直接接して電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、映像表示機器、パ
ーソナルコンピュータやワードプロセッサなどのＯＡ機
器、産業分野のハンディ端末機器、携帯型情報通信機器
などに用いられる液晶表示素子及びその製造方法に関す
るものである。
ーソナルコンピュータやワードプロセッサなどのＯＡ機
器、産業分野のハンディ端末機器、携帯型情報通信機器
などに用いられる液晶表示素子及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】現在フラットパネルディスプレイとし
て、液晶、プラズマ、ＥＬディスプレイが実用化され、
その用途も幅広いものとなってきている。中でも、液晶
表示素子は、重量や体積において携帯性に優れた製品分
野に位置することができ、近年画面サイズ、表示容量の
増加によりＣＲＴ代替のモニター用途として注目されて
いる。
て、液晶、プラズマ、ＥＬディスプレイが実用化され、
その用途も幅広いものとなってきている。中でも、液晶
表示素子は、重量や体積において携帯性に優れた製品分
野に位置することができ、近年画面サイズ、表示容量の
増加によりＣＲＴ代替のモニター用途として注目されて
いる。
【０００３】モニター用途としての課題として、広視野
角化、低クロストーク、高透過率化等が上げられる。２
０型を越えるサイズでは、たとえアクティブタイプの液
晶表示素子でもクロストークが問題となってくる。
角化、低クロストーク、高透過率化等が上げられる。２
０型を越えるサイズでは、たとえアクティブタイプの液
晶表示素子でもクロストークが問題となってくる。
【０００４】このクロストーク対策の１つとして、カラ
ーフィルタ上の透明電極の低抵抗化というアプローチが
あり、透明電極の成膜条件の検討や特公平６ー３５０６
号公報に記載されているような銀薄膜を金属酸化物で挟
んだ多層構造の透明電極が考案されている。
ーフィルタ上の透明電極の低抵抗化というアプローチが
あり、透明電極の成膜条件の検討や特公平６ー３５０６
号公報に記載されているような銀薄膜を金属酸化物で挟
んだ多層構造の透明電極が考案されている。
【０００５】以下に、多層構造の透明電極を用いた従来
の液晶表示素子について説明する。図２は、従来技術に
おける多層構造の透明電極を用いた液晶表示素子の端子
部の断面を示したものである。
の液晶表示素子について説明する。図２は、従来技術に
おける多層構造の透明電極を用いた液晶表示素子の端子
部の断面を示したものである。
【０００６】図２において、アクティブ素子７、画素電
極１３及び引出電極１４が形成された透明基板２と、カ
ラーフィルタ３及び、金属酸化物薄膜４、金属薄膜５、
金属酸化物薄膜６が順に積層された多層構造の透明電極
が形成された透明基板１との間に、周辺をシール樹脂８
で封止された液晶層１２を挾み、かつ透明基板２の引出
電極１４と透明基板１の透明電極との間に導電ペースト
１０を挾んで液晶表示装置が構成されている。なお、９
は透明基板１，２の間隔を設定するスペーサである。
極１３及び引出電極１４が形成された透明基板２と、カ
ラーフィルタ３及び、金属酸化物薄膜４、金属薄膜５、
金属酸化物薄膜６が順に積層された多層構造の透明電極
が形成された透明基板１との間に、周辺をシール樹脂８
で封止された液晶層１２を挾み、かつ透明基板２の引出
電極１４と透明基板１の透明電極との間に導電ペースト
１０を挾んで液晶表示装置が構成されている。なお、９
は透明基板１，２の間隔を設定するスペーサである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな多層構造の透明電極を用いた場合で、金属薄膜を挟
む金属酸化物膜としてＩＴＯに代表される低抵抗の透明
電極を用いた場合では電極の接続には何ら問題はない
が、金属酸化物薄膜として比較的抵抗値の高い透明薄膜
を用いた場合には、引出電極との接続抵抗が高くなり、
表示品位が低下するという問題が生じる。
うな多層構造の透明電極を用いた場合で、金属薄膜を挟
む金属酸化物膜としてＩＴＯに代表される低抵抗の透明
電極を用いた場合では電極の接続には何ら問題はない
が、金属酸化物薄膜として比較的抵抗値の高い透明薄膜
を用いた場合には、引出電極との接続抵抗が高くなり、
表示品位が低下するという問題が生じる。
【０００８】本発明は、このような問題点を解決するも
のであり、金属薄膜を酸化物薄膜で挟んだ多層構造の透
明電極を用いた場合でも、その低抵抗性能と端子部の良
好な接続性が両立する液晶表示素子及びその製造方法を
提供することを目的とするものである。
のであり、金属薄膜を酸化物薄膜で挟んだ多層構造の透
明電極を用いた場合でも、その低抵抗性能と端子部の良
好な接続性が両立する液晶表示素子及びその製造方法を
提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示素子は、一主面にアクティブ素子
及び画素電極が形成された第１の基板と、一主面にカラ
ーフィルタ及び対向電極としての透明電極が形成された
第２の基板との間に、周囲をシール剤で封止した液晶層
を挾み、かつ前記第１の基板に形成された引出電極と前
記第２の基板の透明電極間を導電ペーストで電気的に接
続した液晶表示素子において、前記透明電極は金属薄膜
を酸化物薄膜で挾んだ多層構造からなり、かつ前記導電
ペーストは導電性粒子を含み、前記導電性粒子が前記多
層構造の金属薄膜と直接接して電気的に接続されている
ことを特徴とするものである。
に、本発明の液晶表示素子は、一主面にアクティブ素子
及び画素電極が形成された第１の基板と、一主面にカラ
ーフィルタ及び対向電極としての透明電極が形成された
第２の基板との間に、周囲をシール剤で封止した液晶層
を挾み、かつ前記第１の基板に形成された引出電極と前
記第２の基板の透明電極間を導電ペーストで電気的に接
続した液晶表示素子において、前記透明電極は金属薄膜
を酸化物薄膜で挾んだ多層構造からなり、かつ前記導電
ペーストは導電性粒子を含み、前記導電性粒子が前記多
層構造の金属薄膜と直接接して電気的に接続されている
ことを特徴とするものである。
【００１０】上記構成によれば、金属薄膜を酸化物薄膜
で挾んだ多層構造の薄膜電極を用いることにより、低抵
抗化が可能になり、また、その金属薄膜と引出電極との
間を導電ペーストに混入した導電性粒子が直接接触して
電気的に接続するので、良好な導通性を得ることができ
る。
で挾んだ多層構造の薄膜電極を用いることにより、低抵
抗化が可能になり、また、その金属薄膜と引出電極との
間を導電ペーストに混入した導電性粒子が直接接触して
電気的に接続するので、良好な導通性を得ることができ
る。
【００１１】また、本発明の液晶表示素子の製造方法
は、一主面にアクティブ素子及び画素電極が形成された
第１の基板と、一主面にカラーフィルタ及び、金属薄膜
を酸化物薄膜で挾んだ多層構造の透明電極が形成された
第２の基板とを対向させ、その間隙部に液晶層を封入す
るシール剤と、前記第１の基板に形成された引出電極と
前記第２の基板の透明電極間に導電性粒子を含む導電ペ
ーストとを挾んで貼り合わせた後、前記導電性粒子が前
記多層構造の酸化物薄膜を突き破り前記金属薄膜と直接
接するように加圧して前記シール剤を硬化することを特
徴とするものである。
は、一主面にアクティブ素子及び画素電極が形成された
第１の基板と、一主面にカラーフィルタ及び、金属薄膜
を酸化物薄膜で挾んだ多層構造の透明電極が形成された
第２の基板とを対向させ、その間隙部に液晶層を封入す
るシール剤と、前記第１の基板に形成された引出電極と
前記第２の基板の透明電極間に導電性粒子を含む導電ペ
ーストとを挾んで貼り合わせた後、前記導電性粒子が前
記多層構造の酸化物薄膜を突き破り前記金属薄膜と直接
接するように加圧して前記シール剤を硬化することを特
徴とするものである。
【００１２】このような製造方法を採ることにより、金
属薄膜と引出電極との間を導電性粒子を介して容易かつ
確実に導通させることができる。
属薄膜と引出電極との間を導電性粒子を介して容易かつ
確実に導通させることができる。
【００１３】なお、多層構造の透明電極における金属薄
膜としては、銀薄膜であることが好ましい。
膜としては、銀薄膜であることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例の形態につ
いて、図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施の形態における液晶表示素子の端子部の断面を示
したものである。
いて、図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施の形態における液晶表示素子の端子部の断面を示
したものである。
【００１５】まず、透明基板２上に、アクティブ素子７
と画素電極１３と引出電極１４を形成する。次に、透明
基板１上にカラーフィルタ３を形成し、その上に金属酸
化物薄膜４と金属薄膜５、さらに金属酸化物薄膜６を順
次積層して透明電極を形成する。ここで金属酸化物薄膜
４、６としてＳｉＯ2、金属薄膜５として銀薄膜を用
い、膜厚は金属酸化物薄膜４が５００Å、金属薄膜５が
１５０Å、金属酸化物薄膜６が５００Åとした。さら
に、この透明基板１上の所定の位置にスペーサ９を含む
シール樹脂８と、導電性粒子１１（積水ファインケミカ
ル製：金メッキミクロパール）を混入した導電性ペース
ト１０を形成した。
と画素電極１３と引出電極１４を形成する。次に、透明
基板１上にカラーフィルタ３を形成し、その上に金属酸
化物薄膜４と金属薄膜５、さらに金属酸化物薄膜６を順
次積層して透明電極を形成する。ここで金属酸化物薄膜
４、６としてＳｉＯ2、金属薄膜５として銀薄膜を用
い、膜厚は金属酸化物薄膜４が５００Å、金属薄膜５が
１５０Å、金属酸化物薄膜６が５００Åとした。さら
に、この透明基板１上の所定の位置にスペーサ９を含む
シール樹脂８と、導電性粒子１１（積水ファインケミカ
ル製：金メッキミクロパール）を混入した導電性ペース
ト１０を形成した。
【００１６】次に、透明基板１と透明電極２とを貼り合
わせ、導電性粒子１１が酸化物薄膜６を突き破り金属薄
膜５と引出電極１４とが電気的に接続されるまで加圧
し、その後シール樹脂８を硬化して、液晶セルを作製し
た。最後にその間隙部に液晶層１２を充填し、液晶表示
素子が完成する。
わせ、導電性粒子１１が酸化物薄膜６を突き破り金属薄
膜５と引出電極１４とが電気的に接続されるまで加圧
し、その後シール樹脂８を硬化して、液晶セルを作製し
た。最後にその間隙部に液晶層１２を充填し、液晶表示
素子が完成する。
【００１７】こうして作製した液晶表示素子は、金属薄
膜５を含む透明電極の低抵抗性により低いクロストーク
表示となることが確認された。また、導電ペースト１０
内の導電性粒子１１により透明電極から引出電極１４へ
の導通も問題のないものであった。
膜５を含む透明電極の低抵抗性により低いクロストーク
表示となることが確認された。また、導電ペースト１０
内の導電性粒子１１により透明電極から引出電極１４へ
の導通も問題のないものであった。
【００１８】なお、本実施の形態では多層薄膜電極とし
て、ＳｉＯ2／銀薄膜／ＳｉＯ2の多層構造としたが、透
明電極の金属酸化物薄膜６には、透明な薄膜であれば他
の材料を使用してもよい。また、金属薄膜５としては、
銀，金または銅、若しくはこれらの合金でも良い。さら
に金属酸化物薄膜４には、透明な薄膜で下地との密着性
がよいものであれば他の材料を使用してもよい。金属酸
化物薄膜として、例えばＩｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、
Ｔａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3またはＳｉＯ2等が用い
られる。
て、ＳｉＯ2／銀薄膜／ＳｉＯ2の多層構造としたが、透
明電極の金属酸化物薄膜６には、透明な薄膜であれば他
の材料を使用してもよい。また、金属薄膜５としては、
銀，金または銅、若しくはこれらの合金でも良い。さら
に金属酸化物薄膜４には、透明な薄膜で下地との密着性
がよいものであれば他の材料を使用してもよい。金属酸
化物薄膜として、例えばＩｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、
Ｔａ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3またはＳｉＯ2等が用い
られる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶表示素子の表示電極として金属薄膜を酸化物薄膜で
挟んだ多層薄膜電極を用いることができるので、その低
抵抗化の効果により、大画面・高精細画面でも、クロス
トークや輝度傾斜などの表示むらを低減することがで
き、かつ多層電極から引出電極への電気的接続も、導電
性粒子を介しての良好な接触により、確保することが可
能になる。
液晶表示素子の表示電極として金属薄膜を酸化物薄膜で
挟んだ多層薄膜電極を用いることができるので、その低
抵抗化の効果により、大画面・高精細画面でも、クロス
トークや輝度傾斜などの表示むらを低減することがで
き、かつ多層電極から引出電極への電気的接続も、導電
性粒子を介しての良好な接触により、確保することが可
能になる。
【図１】本発明の一実施の形態における液晶表示素子の
端子部断面図
端子部断面図
【図２】従来の液晶表示素子の端子部断面図
１，２ 透明基板 ３ カラーフィルタ ４，６ 金属酸化物薄膜 ５ 金属薄膜 ７ アクティブ素子 ８ シール樹脂 ９ スペーサ １０ 導電性ペースト １１ 導電性粒子 １２ 液晶層 １３ 画素電極 １４ 引出電極
Claims (4)
- 【請求項１】 一主面にアクティブ素子及び画素電極が
形成された第１の基板と、一主面にカラーフィルタ及
び、対向電極としての透明電極が形成された第２の基板
との間に、周囲をシール剤で封止した液晶層を挾み、か
つ前記第１の基板に形成された引出電極と前記第２の基
板の透明電極間を導電ペーストで電気的に接続した液晶
表示素子において、前記透明電極は金属薄膜を酸化物薄
膜で挾んだ多層構造からなり、かつ前記導電ペーストは
導電性粒子を含み、前記導電性粒子が前記多層構造の金
属薄膜と直接接して電気的に接続されていることを特徴
とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 多層構造の透明電極における金属薄膜は
銀薄膜であり、その銀薄膜を挾む酸化物薄膜は透明な金
属酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示素子。 - 【請求項３】 一主面にアクティブ素子及び画素電極が
形成された第１の基板と、一主面にカラーフィルタ及
び、金属薄膜を酸化物薄膜で挾んだ多層構造の透明電極
が形成された第２の基板とを対向させ、その間隙部に液
晶層を封入するシール剤と、前記第１の基板に形成され
た引出電極と前記第２の基板の透明電極間に導電性粒子
を含む導電ペーストとを挾んで貼り合わせた後、前記導
電性粒子が前記多層構造の酸化物薄膜を突き破り前記金
属薄膜と直接接するように加圧して前記シール剤を硬化
することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項４】 多層構造の透明電極における金属薄膜は
銀薄膜であり、その銀薄膜を挾む酸化物薄膜は透明な金
属酸化物薄膜であることを特徴とする請求項３記載の液
晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312051A JPH11142875A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9312051A JPH11142875A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142875A true JPH11142875A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18024641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9312051A Pending JPH11142875A (ja) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11142875A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006039509A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-02-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに電子装置 |
| KR100556309B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2006-03-03 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| KR100926433B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101153299B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP9312051A patent/JPH11142875A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100556309B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2006-03-03 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| KR100926433B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2006039509A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-02-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに電子装置 |
| US7547918B2 (en) | 2004-06-23 | 2009-06-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and electronic device |
| KR101153299B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
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