JPH11143097A - 電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留
電位の上昇を生じない安定な電子写真感光体を提供す
る。 【解決手段】 導電性支持体上にチタニルフタロシアニ
ンを含有してなる感光層を設けてなる電子写真感光体に
おいて、単位重量あたりのチタニルフタロシアニンに対
して還元電位が−０．１５±０．０５ボルトの電子受容
性不純物の含有量が次のＩ値で定義される値で０．９以
下であることを特徴とする。 Ｉ＝ｉ_dＬｍ^-2/3ｔ^-1/6・・・・・（式Ａ） （ここで、ｉ_dは水銀滴下電極を用いた電気化学的分析
におけるカソード側の拡散限界電流値［μＡ］、Ｌは被
検物質を溶解させる溶媒の容量（ｌ）、ｍは滴下水銀電
極における水銀の流速（ｍｇ／ｓ）、ｔは水銀滴下時間
（ｓ）を表わす。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体並
びにそれを用いた電子写真方法及び電子写真装置及び電
子写真装置用プロセスカートリッジに関し、詳しくは、
繰り返し使用によっても感光体の帯電電位と残留電位の
安定性に優れた電子写真感光体並びにそれを用いた電子
写真方法及び電子写真装置及び電子写真装置用プロセス
カートリッジに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真方式を用いた情報処理シ
ステム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデ
ジタル信号に変換して光によって情報記録を行なう光プ
リンタは、そのプリント品質、信頼性において向上が著
しい。このデジタル記録技術はプリンタのみならず通常
の複写機にも応用され、いわゆるデジタル複写機が開発
されている。また、従来からあるアナログ複写にこのデ
ジタル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処
理機能が付加されるため、今後その需要性が益々高まっ
ていくと予想される。

【０００３】光プリンタの光源としては、現在のところ
小型で安価で信頼性の高い半導体レーザ（ＬＤ）や、発
光ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われている。現在よく
使われているＬＥＤの発光波長は６６０ｎｍであり、Ｌ
Ｄの発光波長域は近赤外光領域にある。このため可視光
領域から近赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光
体の開発が望まれている。

【０００４】電子写真感光体の感光波長域は、感光体に
使用される電荷発生物質の感光波長域によってほぼ決ま
ってしまう。そのため、従来から各種アゾ顔料、多環キ
ノン系顔料、三方晶形セレン、各種フタロシアニン顔料
等多くの電荷発生物質が開発されている。それらの内、
チタニルフタロシアニン（ＴｉＯＰｃと略記される）は
６００〜８００ｎｍの長波長光に対して高感度を示すた
め、光源がＬＥＤやＬＤである電子写真プリンタやデジ
タル複写機用の感光体用材料として極めて重要かつ有用
である。

【０００５】一方、カールソンプロセス及び類似プロセ
スにおいて繰り返し使用される電子写真感光体の条件と
しては、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残
留電位、分光特性に代表される静電特性が優れているこ
とが要求される。とりわけ、高感度感光体については繰
り返し使用による帯電性の低下と残留電位の上昇が、感
光体の寿命特性を支配することが多くの感光体で経験的
に知られており、チタニルフタロシアニンもこの例外で
はない。したがって、チタニルフタロシアニンを用いた
感光体の繰り返し使用による安定性は未だ十分とはいえ
ず、その技術の完成が熱望されていた。

【０００６】フタロシアニンの合成法や、電子写真特性
に関する文献としては、例えば特開昭５７−１４８７４
５号公報、特開昭５９−３６２５４号公報、特開昭５９
−４４０５４号公報、特開昭５９−３１９６５号公報、
特開昭６１−２３９２４８号公報、特開昭６２−６７０
９４号公報等が挙げられる。しかしながら、ＴｉＯＰｃ
の純度と感光体の静電特性の関係については明らかにさ
れていなかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高感
度を失うことなく、繰り返し使用によっても帯電性の低
下と残留電位の上昇を生じない安定な電子写真感光体を
提供することにある。本発明の別の目的は、高感度を失
うことなく、繰り返し使用によっても帯電性の低下と残
留電位の上昇を生じない安定な電子写真方法を提供する
ことにある。更に本発明の別の目的は、高感度を失うこ
となく、繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留電
位の上昇を生じない安定な電子写真用プロセスカートリ
ッジを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＴｉＯＰ
ｃの純度に着目し、上記課題を解決すべく感光体の繰り
返し使用後の静電特性に悪影響を及ぼす成分に関して鋭
意検討を行ない、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明によれば、（１）「導電性支持体上にチタニ
ルフタロシアニンを含有してなる感光層を設けてなる電
子写真感光体において、単位重量あたりの該チタニルフ
タロシアニンに対して還元電位が−０．１５±０．０５
ボルトの電子受容性不純物の含有量が次のＩ値で定義さ
れる値で０．９以下であることを特徴とする電子写真感
光体、

【数５】Ｉ＝ｉ_dＬｍ^-2/3ｔ^-1/6・・・・・（式Ａ） （ここで、ｉ_dは水銀滴下電極を用いた電気化学的分析
におけるカソード側の拡散限界電流値［μＡ］、Ｌは被
検物質を溶解させる溶媒の容量（ｌ）、ｍは滴下水銀電
極における水銀の流速（ｍｇ／ｓ）、ｔは水銀滴下時間
（ｓ）を、それぞれ表わす）。」、（２）「チタニルフ
タロシアニンが、Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペク
トルにおいてブラッグ角２θの主要ピークが少なくとも
９．６°±０．２°、２４．０°±０．２°及び２７．
２°±０．２°にある結晶形を有するものであることを
特徴とする前記（１）項に記載の電子写真感光体」、
（３）「チタニルフタロシアニンが、Ｃｕ−Ｋα線に対
するＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角２θの主要
ピークが少なくとも７．５°±０．２°、２５．３°±
０．２°及び２８．６°±０．２°にある結晶形を有す
るものであることを特徴とする前記（１）項に記載の電
子写真感光体」、（４）「チタニルフタロシアニンが、
Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルにおいてブラ
ッグ角２θの主要ピークが少なくとも９．３°±０．２
°、１３．１°±０．２°及び２６．２°±０．２°に
ある結晶形を有するものであることを特徴とする前記
（１）項に記載の電子写真感光体」が提供される。

【０００９】また、（５）「電子写真感光体に、少なく
とも帯電、画像露光、現像、転写、クリーニング、除電
を繰り返し行なう電子写真方法において、該電子写真感
光体がチタニルフタロシアニンを含有し、かつ単位重量
あたりの該チタニルフタロシアニンに対して還元電位が
−０．１５±０．０５ボルトの電子受容性不純物の含有
量が上記Ｉ値で定義される値で０．９以下であることを
特徴とする電子写真方法」が提供される。

【００１０】さらに、（６）「少なくとも帯電手段、画
像露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、
除電手段及び電子写真感光体を具備してなる電子写真装
置であって、該電子写真感光体がチタニルフタロシアニ
ンを含有し、かつ単位重量あたりの該チタニルフタロシ
アニンに対して還元電位が−０．１５±０．０５ボルト
の電子受容性不純物の含有量が上記Ｉ値で定義される値
で０．９以下であることを特徴とする電子写真装置」、
及び（７）「少なくとも電子写真感光体を具備してなる
電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電子
写真感光体がチタニルフタロシアニンを含有し、かつ単
位重量あたりの該チタニルフタロシアニンに対して還元
電位が−０．１５±０．０５ボルトの電子受容性不純物
の含有量が上記Ｉ値で定義される値で０．９以下である
ことを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッ
ジ」が提供される。

【００１１】本発明で用いられるチタニルフタロシアニ
ン顔料の基本構造は次の一般式（Ｉ）で表わされる。

【００１２】

【化１】 （式中、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃、Ｘ₄は各々独立に各種ハロゲン
を表わし、ｎ、ｍ、ｌ、ｋは各々独立的に０〜４の数字
を表わす。）

【００１３】ＴｉＯＰｃには種々の結晶形が知られてお
り、特開昭５９−４９５４４号公報、特開昭５９−１６
６９５９公報、特開昭６１−２３９２４８号公報、特開
昭６２−６７０９４号公報、特開昭６３−３６６号公
報、特開昭６３−１１６１５８号公報、特開昭６３−１
９６０６７号公報、特開昭６４−１７０６６号公報等に
各々結晶形の異なるＴｉＯＰｃが開示されている。本発
明に使用されるチタニルフタロシアニンは、公知の結晶
形のものすべてが使用できるが、とりわけ、Ｃｕ−Ｋα
特性Ｘ線（波長１．５４Å）を用いたＸ線回折スペクト
ルにおいて、（ｉ）ブラッグ角２θの主要ピークが少な
くとも９．６°±０．２°、２４．０°±０．２°及び
２７．２°±０．２°にある結晶形を有するもの、（i
i）ブラッグ角２θの主要ピークが少なくとも７．５°
±０．２°、２５．３°±０．２°及び２８．６°±
０．２°にある結晶形を有するもの、（iii）ブラッグ
角２θの主要ピークが少なくとも９．３°±０．２°、
１３．１°±０．２°及び２６．２°±０．２°にある
結晶形を有するものが好ましく使用される。

【００１４】目的とする結晶形（無定型も含む）を得る
方法は、合成過程において公知の方法による方法、洗浄
・精製過程で結晶を変える方法、特別に結晶変換工程を
設ける方法が挙げられ、どの方法によっても構わない。

【００１５】上述したように、高感度を示すＴｉＯＰｃ
を用いた感光体でもカールソンプロセス及び類似プロセ
スにおいて繰り返し使用した場合、帯電性の低下と残留
電位の上昇を生じ、感光体の寿命を決定していた。本発
明者らは、ＴｉＯＰｃの純度に着目し、この課題を解決
すべく感光体に繰り返し使用後の静電特性に悪影響を及
ぼす成分に関して検討を行なった結果、ＴｉＯＰｃを合
成する際に生成する不可避的不純物の内、特定の還元電
位を示す電子受容性化合物の含有量が、上記特性を支配
していることを見い出した。この知見に基づき、ＴｉＯ
Ｐｃを合成・精製する過程において、該電子受容性物質
の含有量を特定の値以下にまでできた場合に、上記物性
の繰り返し特性が優れたものになることを確認し、本発
明を完成した。

【００１６】特定の還元電位を示す電子受容性化合物
が、ＴｉＯＰｃ感光体の繰り返し使用による帯電性の低
下と残留電位の上昇を引き起こす理由は、定かではない
が、次のように推定される。すなわち、光子吸収に引き
続きＴｉＯＰｃ内で光キャリアを生ずるが、このうち電
子はおそらくエネルギーレベルの作用により該電子受容
性化合物にトラップされる。この電子トラップにより残
留電位上昇が引き起こされると考えられる。また、トラ
ップされた電子は、導電性基体からのホールの注入を誘
発し、これが感光体の帯電性を低下させていると考えら
れる。

【００１７】一方、ＴｉＯＰｃ合成の際に生ずる不純物
の量は、反応材料の種類や純度・合成条件に依存する
し、また、生じた不純物は生成・洗浄等の分離操作を通
じてＴｉＯＰｃから分離される。例えば、反応温度や反
応時間、洗浄に使用する溶媒種や洗浄の回数・温度等が
少なからず純度に影響を与えることは自明であり、か
つ、副生成物の生成は不可避である。したがって、最終
的に感光体に用いるＴｉＯＰｃが含む不純物の量は、反
応・精製等の過程を通じて一概に規定できるものではな
い。しかるに、繰り返し使用における感光体特性を優れ
たものにするには、感光体に含まれる特定不純物の量
を、管理・規定することが望ましいことは改めて述べる
までもない。

【００１８】次に、不純物の定量方法について述べる。
最終品であるＴｉＯＰｃを例えばアルコール、ケトン、
エステル等の極性溶媒により抽出し、その抽出量が飽和
になるところまで行なう。次いで、抽出溶媒とＴｉＯＰ
ｃ粉体とを濾過等により分離した後、溶媒を蒸発させ抽
出された不純物を分離する。ここに言う不純物は、感光
体の静電特性に影響を与えるものも与えないものも含ん
でいる。分離された不純物に所定量のアセトニトリルと
過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブ
チルアンモニウム等の無関係塩（支持電解質）を加え溶
解し、被検液とする。この被検液をポーラログラフ等の
電気化学的分析手段により、目的とする特定の還元電位
を示す電子受容性化合物の定量が可能となる。ポーラロ
グラフ分析については、A.J.Bard,L.R.Faulkner著「Ele
ctrochemical Methods」Wiley社１９８０年刊等の成書
に詳しい。ここでは、作用電極に滴下水銀電極、対極に
白金や金等の貴金属、参照電極に飽和甘コウ電極（ＳＣ
Ｅ）を用い、ポテンショスタットを用いた電位走査法で
測定することができる。

【００１９】図１に、上述の方法で作製した被検液の典
型的ポーラログラフの例を示す。−０．１５Ｖｖｓ．Ｓ
ＥＣ付近に中心をもつ還元電流が観測される。還元電流
が観測されるよりもアノード側の残余電流を延長した線
分ａｂと、還元反応電流が飽和した領域でａｂに平行な
線分ｃｄと交わりＸ軸（電極電位軸）に垂直な電流値ｉ
_d［μＡ］が定義される。この電流値は、次のイルコヴ
ィッチの式（１）で与えられる。 ｉ_d＝７０８ｎＣＤ^1/2ｍ^2/3ｔ^1/6 （１） （式中、ｎは反応に関する電子数、Ｃは反応物濃度（ｍ
ｍｏｌ／ｌ）、Ｄは反応物の拡散係数（ｃｍ²／
ｓ）、ｍは滴下水銀電極における水銀の流速（ｍｇ／
ｓ）、ｔは水銀滴下時間（ｓ）である。）なお、Ｃは次
式（２）で表わされる。 Ｃ＝Ｍ／Ｌ （２） （式中、Ｍは１グラムのＴｉＯＰｃから抽出された−
０．１５Ｖｖｓ．ＳＥＣ近傍で還元される電子受容性物
質量（ｍ ｍｏｌ）、Ｌはその電子受容性物質を溶解さ
せるアセトニトリルの容量（ｌ）である。） （１）式、（２）式より、１グラムのＴｉＯＰｃに含ま
れる実験条件に左右されない電子受容性物質の定量化
を、次式（３）に示すＩ値で定義して表わすことができ
る。 Ｉ＝ｉ_dＬｍ^-2/3ｔ^-1/6＝７０８ｎＭＤ^1/2 （３） なお、Ｉ値の単位は（μＡ・ｌ・ｓ^1/2・ｍｇ^-2/3）で
ある。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に沿って詳細
に説明する。図２は、本発明に用いられる電子写真感光
体を表わす断面図であり、導電性支持体（３１）上に、
電荷発生材料と電荷輸送材料を主成分とする単層感光層
（３３）が設けられている。図３、図４は、本発明に用
いられる電子写真感光体の別の構成例を示す断面図であ
り、電荷発生材料を主成分とする電荷発生層（３５）
と、電荷輸送材料を主成分とする電荷輸送層（３７）と
が積層された構成をとっている。

【００２１】導電性支持体（３１）としては、体積抵抗
１０¹⁰Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミ
ニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白
金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸
化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状
もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、或
いは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ス
テンレス等の板およびそれらを押し出し、引き抜き等の
工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨等で表面処理し
た管等を使用することができる。また、特開昭５２−３
６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベル
ト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体（３
１）として用いることができる。

【００２２】この他、上記支持体上に導電性粉体を適当
な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性
支持体（３１）として用いることができる。この導電性
粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラッ
ク、また、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、
銅、亜鉛、銀等の金属粉或いは導電性酸化スズ、ＩＴＯ
等の金属酸化物粉体等が挙げられる。また、同時に用い
られる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポ
リ塩化ビニル、塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリア
リレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢
酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、
熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このよ
うな導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当
な溶剤、例えば例えばＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、
ＭＤＣ（ジクロロメタン）、ＭＥＫ（メチルエチルケト
ン）、トルエン等に分散して塗布することにより設ける
ことができる。

【００２３】更に、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
等の素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブ
によって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性
支持体（３１）として良好に用いることができる。

【００２４】次に感光層について説明する。感光層は単
層でも積層でもよいが、説明の都合上、まず電荷発生層
（３５）と電荷輸送層（３７）で構成される場合から述
べる。電荷発生層（３５）は、電荷発生材料として上述
した不純物としての電子受容性化合物の含有量を特定量
以下としたＴｉＯＰｃを主成分とする層である。電荷発
生層（３５）は、前記ＴｉＯＰｃを必要に応じてバイン
ダー樹脂とともに、適当な溶剤中にボールミル、アトラ
イター、サンドミル、超音波等を用いて分散し、これを
導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成され
る。必要に応じて電荷発生層（３５）に用いられる結着
樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹
脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、
アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホ
ン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミ
ド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ
樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニル
ピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着
樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し、０〜５
００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当であ
る。

【００２５】電荷発生層（３５）には、上記のＴｉＯＰ
ｃの他に、その他の電荷発生材料を併用することも可能
であり、その代表例としてモノアゾ顔料、ジスアゾ顔
料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔
料、キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、ス
クアリック酸系染料、フタロシアニン系顔料、ナフタロ
シアニン系顔料、アズレニウム塩系染料等が挙げられ用
いられる。

【００２６】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセル
ソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、
トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。塗工
液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビ
ートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコ
ート等の方法を用いることができる。電荷発生層（３
５）の膜厚は０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ま
しくは０．１〜２μｍである。

【００２７】電荷輸送層（３７）は、電荷輸送物質及び
結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷
発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。ま
た、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を
添加することもできる。

【００２８】電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸
送物質とがある。電子輸送物質としては、例えば、クロ
ルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−
フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサント
ン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，
８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフ
ェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオ
フェン−５，５−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等
の電子受容性物質が挙げられる。

【００２９】正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−カルバ
ゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチル
グルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒ
ド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、
オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノア
リールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリア
リールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニル
スチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタ
ン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルア
ントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼ
ン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジ
エン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、
エナミン誘導体等その他公知の材料が挙げられる。これ
らの電荷輸送物質は、単独または２種以上混合して用い
られる。

【００３０】結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリ
レート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セル
ロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、
フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、または
熱硬化性樹脂が挙げられる。電荷輸送物質の量は、結着
樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好まし
くは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送
層の膜厚は、５〜１００μｍ程度とするのが好ましい。
ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベ
ンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエ
チルケトン、アセトンなどが用いられる。

【００３１】本発明において、電荷輸送層（３７）中に
可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤として
は、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一
般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま
使用でき、その使用量としては結着樹脂に対して０〜３
０重量％程度が適当である。レベリング剤としては、ジ
メチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオ
イルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロ
アルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用
され、その使用量は結着樹脂に対して０〜１重量％程度
が適当である。

【００３２】次に感光層が単層構成（３３）の場合につ
いて説明する。上述した不純物としての電子受容性化合
物の含有量を特定量以下としたＴｉＯＰｃを結着樹脂中
に分散した感光体が使用できる。単層感光層は、電荷発
生物質及び電荷輸送物質及び結着樹脂を材料を適当な溶
剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することによ
って形成できる。更に、この感光層には上述した電荷輸
送材料を添加した機能分離タイプとしてもよく、良好に
使用できる。また、必要により、可塑剤やレベリング
剤、酸化防止剤等を添加することもできる。

【００３３】結着樹脂としては、先に電荷輸送層（３
７）で挙げた結着樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発
生層（３５）で挙げた結着樹脂を混合して用いてもよ
い。結着樹脂１００重量部に対する電荷発生物質の量は
５〜４０重量部が好ましく、電荷輸送物質の量は０〜１
９０重量部が好ましく、更に好ましくは５０〜１５０重
量部である。単層感光層は、電荷発生物質、結着樹脂を
必要ならば電荷輸送物質とともにテトラヒドロフラン、
ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン等の溶媒
を用いて分散機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やス
プレーコート、ビードコート等で塗工して形成できる。
単層感光層の膜厚は５〜１００μｍ程度が適当である。

【００３４】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体（３１）と感光層との間に下引き層を設け
ることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とす
るが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メ
ラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成す
る硬化型樹脂などが挙げられる。また、下引き層にはモ
アレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリ
カ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えて
もよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同
様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができ
る。

【００３５】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。
この他に、本発明の下引き層にはＡｌ₂Ｏ₃を陽極酸化に
て設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の
有機物や、ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、Ｃｅ
Ｏ₂等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好
に使用できる。この他にも公知のものを用いることがで
きる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。

【００３６】本発明に用いられる電子写真感光体には、
感光層保護の目的で、保護層が感光層の上に設けられる
こともある。保護層に使用される材料としては、ＡＢＳ
樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合
体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹
脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、
ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレ
ン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチル
ペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、
ポリスルホン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−
スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等が挙げられる。

【００３７】保護層には、その他、耐摩耗性を向上する
目的で、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹
脂、シリコーン樹脂、及びこれらの樹脂に酸化チタン、
酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの
等を添加することができる。保護層の形成法としては、
通常の塗布法が採用される。なお、保護層の厚さは０．
１〜１０μｍ程度が適当である。また、以上の他に真空
薄膜作製法にて形成したａ−カーボン、ａ−ＳｉＣ等公
知の材料を保護層として用いることができる。

【００３８】本発明においては感光層と保護層との間に
中間層を設けることも可能である中間層には、一般にバ
インダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂として
は、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポ
リビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルアルコール等が挙げられる。中間層の形成法として
は、前述のごとく通常の塗布法が採用される。なお、中
間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当である。

【００３９】以下に、図面を用いて本発明の電子写真方
法並びに電子写真装置を詳しく説明する。図５は、本発
明の電子写真プロセス及び電子写真装置の１例を説明す
るための概略図であり、下記するような変形例も本発明
の範疇に属するものである。図５において、この電子写
真装置は、ドラム状の感光体（１）の上面に、近接しか
つ円周に沿って、反時計方向に、除電露光部（２）、帯
電チャージャ（３）、イレ−サ（４）、画像露光部
（５）、現像ユニット（６）、転写前チャージャ
（７）、転写チャージャ（１０）、分離チャージャ（１
１）、分離爪（１２）、クリーニング前チャージャ（１
３）、ファ−ブラシ（１４）、クリーニンブラシ（１
５）を順次付設してなる。さらに転写紙（９）を、感光
体（１）と転写チャージャ（１０）および分離チャージ
ャ（１１）の間に送りこむための、レジストロ−ラ
（８）を付設している。感光体（１）は、ドラム状の導
電性支持体とその上面に密着した感光層からなり、反時
計方向に回転する。

【００４０】上記の電子写真装置を使用した電子写真方
法においては、感光体（１）は、反時計方向に回転し
て、帯電チャージャ（３）で正または負に帯電され、さ
らにイレ−サ（４）によって、残留トナーが清掃された
後、画像露光部（５）からの露光によって、静電潜像を
感光体（１）上に形成する。転写手段には、一般に上記
の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャ
ージャーと分離チャージャーを併用したものが効果的で
ある。

【００４１】また画像露光部（５）および除電ランプ
（２）等で使用する光源としては、蛍光灯、タングステ
ンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発
光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エ
レクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の発光物を使用する
ことができる。そして、所望の波長域の光のみを照射す
るために、シャープカットフィルター、バンドパスフィ
ルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィ
ルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの
各種フィルターを用いることもできる。かかる光源等
は、図５に図示した工程の他に、光照射を併用した転写
工程、除電工程、クリーニング工程、或いは前露光等の
工程を設けることにより、感光体に光が照射される際に
も用いることができる。

【００４２】現像ユニット（６）において、感光体
（１）上にトナーを付着させて静電潜像を現像し、転写
前チャージャ（７）によって、トナー像の帯電状態を調
整した後、転写チャージャ（１０）により転写紙（９）
にトナー像を転写し分離チャージャ（１１）によって感
光体（１）と転写紙（９）との静電的付着状態を解消
し、分離爪（１２）によって転写紙（９）を感光体
（１）から分離する。転写紙（９）の分離後、クリーニ
ング前チャージャ（１３）ファーブラシ（１４）および
クリーニンブラシ（１５）により感光体（１）表面を清
掃する。このクリーニングは、クリーニングブラシ（１
５）だけで、残存するトナーを除去することにより行う
こともできる。

【００４３】感光体に正（または負）の帯電を施して画
像露光を行った場合、感光体上には正（または負）の静
電潜像が形成される。これを、正（または負）に帯電し
た極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像
が得られるし、逆に正（または負）に帯電した極性のト
ナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現像に
は、公知の方法を適用することができ、また、除電手段
にも公知の方法が用いられる。

【００４４】この例においては導電性支持体はドラム状
のものとして示されているが、シート状、エンドレスベ
ルト状のものを使用することができる。クリーニング前
チャージャとしては、コロトロン、スコロトロン、固体
帯電器（ソリッドステートチャージャ）、帯電ローラな
どをはじめとする公知の帯電手段を用いることができ
る。また転写チャージャおよび分離チャージャには、通
常上記の帯電手段を、使用することができるが、図５に
示すように、転写チャージャと分離チャージャを一体化
した帯電器は、効率的で好ましい。クリーニングブラシ
には、ファーブラシ、マグファーブラシなどをはじめと
する公知のものを使用することができる。

【００４５】図６は、本発明の別の電子写真プロセスの
別の例を説明する概略図を示す。この例においてベルト
状の感光体（２１）は、特定の不純物含有量が規定され
たＴｉＯＰｃ感光層を有しており、駆動ローラ（２２
ａ）、（２２ｂ）により駆動され、帯電チャ−ジャ（２
３）による帯電、像露光源（２４）による画像露光、現
像（図示せず）、転写チャ−ジャ（２５）による転写、
クリーニング前露光部（２６）によるクリーニング前露
光、クリーニングブラシ（２７）によるクリーニング、
除電光源（２８）による除電からなる一連の画像操作が
順次繰り返し行われる。なお、この場合クリーニング前
露光部の露光は、感光体（２１）の導電性支持体側より
行われる。勿論この場合導電性支持体は、透光性であ
る。

【００４６】以上に図示した電子写真プロセスは、本発
明の実施態様を例示するものであって、もちろん他の実
施形態も可能である。例えば図６においてクリーニング
前露光は、感光層側から行うことができるし、また画像
露光部および除電露光部の露光を、導電性支持体側から
行うこともできる。

【００４７】一方、光照射工程としては像露光、クリー
ニング前露光、除電露光が図示されているが、他に、転
写前露光、像露光のプレ露光およびその他公知の光照射
工程を設けて、感光体に本発明の光照射を行なうことも
できる。

【００４８】以上に示すような本発明の画像形成手段
は、複写装置、ファクシミリ、プリンタなどの装置内に
固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリ
ッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセ
スカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、
露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除
電手段などを含んだ一つの装置（部品）である。プロセ
スカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な
例として図７に示すものが挙げられる。図７に示される
プロセスカートリッジは、感光体（１６）の周囲に配置
された帯電チャージャ（１７）、クリーニングブラシ
（１８）、画像露光部（１９）、現像ローラ（２０）等
からなるコンパクトな構造を有する。

【００４９】

【実施例】以下、本発明を実施例にて具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例により制約を受けるものでは
ない。なお、実施例中の「部」は全て重量部である。ま
ず、実施例に用いるオチシチタニルフタロシアニン顔料
の具体的な合成例を述べる。

【００５０】合成例 フタロジニトリル５２．５部と、１−クロロナフタレン
４００部を撹拌混合し、窒素気流下で四塩化チタン１９
部を滴下する。滴下終了後、徐々に２００℃まで昇温
し、反応温度を１９０℃〜２１０℃の間に保ちながら、
５時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し１
３０℃になったところ熱時濾過し、次いで、１−クロロ
ナフタレンで粉体が青色になるまで洗浄、次に、メタノ
ールで数回洗浄し、更に８０℃の熱水で数回洗浄した
後、乾燥し４２．２部の粗チタニルフタロシアニン顔料
を得た。得られた熱水洗浄処理した粗チタニルフタロシ
アニン顔料のうち６部を９６％硫酸１００ｇに３〜５℃
下撹拌、溶解し、濾過した。得られた硫酸溶液を氷水
３．５リットル中に撹拌しながら滴下し、析出した結晶
を濾過、次いで洗浄液が中性になるまで水洗いを繰り返
し、チタニルフタロシアニン顔料のウエットケーキを得
た。このウエットケーキに１，２−ジクロロエタン１５
０部を加え、室温下２時間撹拌した後、メタノール２５
０部を更に加え撹拌、濾過した。これをメタノール洗浄
し、更に乾燥してチタニルフタロシアニン顔料４．９部
を得た。

【００５１】得られたチタニルフタロシアニン顔料につ
いてのＸ線回折スペクトルを以下に示す条件で測定し
た。 Ｘ線管球：Ｃｕ 電圧：４０ｋＶ 電流：２０ｍＡ 走査速度：１°／分 走査範囲：３°〜４０° 時定数：２秒

【００５２】合成例により得られたチタニルフタロシア
ニン顔料のＸ線回折スペクトルを図８に示す。得られた
チタニルフタロシアニン顔料はブラッグ角２θの主要ピ
ークが少なくとも９．６°±０．２°、２４．０°±
０．２°及び２７．２°±０．２°にある結晶形を有し
ていることがわかる。

【００５３】このＴｉＯＰｃを１グラム秤量し、メタノ
ール溶媒２００グラムを用いて一昼夜抽出を行なった。
これを冷却した後、吸引濾過により、メタノールをＴｉ
ＯＰｃから分離し、乾燥固化して目的の不純物を得た。
これは黄褐色を呈していた。この不純物に０．１Ｍの過
塩素酸テトラエチルアンモニウムを含んだアセトニトリ
ルに溶解させ、最終的に２５ｍｌになるようにした。こ
の被検液を、滴下水銀電極によるポーラログラフ法でカ
ソード走引したところ、図８に示すような−０．１５Ｖ
ｖｓ．ＳＥＣ付近に中心をもつ還元波が観測された。水
銀滴下速度（ｍ）と、滴下時間（ｔ）を各々測定し、実
測されたｉ_dの値、Ｌ＝０．０２５とともに（３）式に
代入した結果、このサンプルのＩ値は０．６０であるこ
とがわかった。

【００５４】更に、上記合成例の反応条件（温度、時
間、材料の純度）、硫酸処理条件、メタノール洗浄条件
を変えて５種類のＴｉＯＰｃを作製した。これらはすべ
て、８図に示すＸ線回折スペクトルと同じ結果を得た。
このようにして作製された５種類のＴｉＯＰｃについて
も、まったく同様にしてＩ値を測定した。これらの結果
を表１にまとめて示す。

【００５５】

【表１】

【００５６】実施例１〜４及び比較例１〜２ アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工
液、電荷発生層塗工液、及び電荷輸送層塗工液を順次塗
布・乾燥し、積層感光体を作製した。 （下引き層塗工液） 二酸化チタン粉末 １５部 ポリビニルブチラール ３部 エポキシ樹脂 ３部 ２−ブタノン １５０部 （電荷発生層塗工液） 前記のＴｉＯＰｃ顔料粉末（ｙ−１〜ｙ−６） ３部 ポリビニルブチラール ２部 テトラヒドロフラン ５０部 ４−メチル−２−ペンタノン ９０部 （電荷輸送層塗工液） ポリカーボネート １０部 塩化メチレン ８０部 下記構造式の電荷輸送物質 ８部

【００５７】

【化２】

【００５８】上記の各電子写真感光体を５図に示す電子
写真プロセスに装着し（ただし、画像露光光源を７８０
ｎｍに発光をもつＬＤとした）、また、現像直前の感光
体の表面電位（暗部電位）が測定できるように表面電位
計のプローブを挿入した。連続して１万枚の印刷を行な
い、その時の画像露光部と画像非露光部の表面電位を初
期と１万枚後に測定した。結果を表２に示す。

【００５９】

【表２】

【００６０】実施例５〜８及び比較例３〜４ 前述の合成例により作製した６種のＴｉＯＰｃ（ｙ−１
〜ｙ−６）を、各々処理溶媒を２−ブタノンを用いて溶
剤処理を行なった後、そのまま溶剤を乾燥・固化し、取
り出したＴｉＯＰｃ粉体をｂ−１〜ｂ−６と称すること
にした。ｂ−１のチタニルフタロシアニンのＸ線回折ス
ペクトルを図９に示す。このチタニルフタロシアニン顔
料はブラッグ角２θの主要ピークが少なくとも７．５°
±０．２°、２５．３°±０．２°及び２８．６°±
０．２°にある結晶形を有していることがわかる。な
お、ｂ−２〜ｂ−６についても同様なＸ線回折パターン
を得た。電鋳ニッケル・ベルト上に下記組成の下引き層
塗工液、電荷発生層塗工液、及び電荷輸送層塗工液を順
次塗布・乾燥し、積層感光体を作製した。

【００６１】（下引き層塗工液） 二酸化チタン粉末 ５部 アルコール可溶性ナイロン ４部 メタノール ５０部 イソプロパノール ２０部 （電荷発生層塗工液） ＴｉＯＰｃ顔料粉末（ｂ−１〜ｂ−６） ４部 ポリビニルブチラール ２部 シクロヘキサノン ５０部 テトラヒドロフラン １００部
（電荷輸送層塗工液）ポリカーボネート
１０部 テトラヒドロフラン ８０部 下記構造式の電荷輸送物質 ９部

【００６２】

【化３】

【００６３】このようにしてなる各電子写真感光体を６
図に示す電子写真プロセスに装着し（ただし、クリーニ
ング前露光はなし）、画像露光光源を７８０ｎｍの半導
体レーザー（ポリゴン・ミラーによる画像書き込み）と
して、現像直前の感光体の表面電位が測定できるように
表面電位計のプローブを挿入した。連続して８０００枚
の印刷を行ない、その時の画像露光部と画像非露光部の
表面電位を初期と８０００万枚後に測定した。結果を表
３に示す。

【００６４】

【表３】

【００６５】実施例９〜１２及び比較例５〜６ 前述の合成例により作製した６種のＴｉＯＰｃ（ｙ−１
〜ｙ−６）を、各々処理溶媒をテトラヒドロフランを用
いて溶剤処理を行なった後、そのまま溶剤を乾燥・固化
し、取り出したＴｉＯＰｃ粉体をａ−１〜ａ−６と称す
ることにした。ａ−１のチタニルフタロシアニンのＸ線
回折スペクトルを図１０に示す。このチタニルフタロシ
アニン顔料はブラッグ角２θの主要ピークが少なくとも
９．３°±０．２°、１３．１°±０．２°及び２６．
２°±０．２°にある結晶形を有していることがわか
る。なお、ａ−２〜ａ−６についても同様なＸ線回折パ
ターンを得た。アルミニウムシリンダー表面を陽極酸化
処理した後封孔処理を行なった。この上に、下記組成の
電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布・乾燥
して各々０．２μｍの電荷発生層、２０μｍの電荷輸送
層を形成し、本発明の電子写真感光体を作製した。

【００６６】（電荷発生層塗工液） ＴｉＯＰｃ顔料粉末（ａ−１〜ａ−６） ３部 ポリビニルブチラール １部 シクロヘキサノン ２５０部 シクロヘキサン ５０部 （電荷輸送層塗工液） ポリカーボネート １０部 塩化メチレン ８０部 下記構造式の電荷輸送物質 ７部

【００６７】

【化４】

【００６８】このようにしてなる各電子写真感光体を７
図に示す電子写真プロセスカートリッジに装着した後、
画像生成装置に搭載した。ただし、画像露光光源を７８
０ｎｍの半導体レーザー（ポリゴン・ミラーによる画像
書き込み）として、現像直前の感光体の表面電位が測定
できるように表面電位計のプローブを挿入した。連続し
て５０００枚の印刷を行ない、その時の画像露光部と画
像非露光部の表面電位を初期と５０００万枚後に測定し
た。結果を表４に示す。

【００６９】

【表４】

【００７０】

【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明によれば、単位重量あたりのチタニル
フタロシアニンに対して還元電位が−０．１５±０．０
５ボルトの電子受容性不純物の含有量が前記Ｉ値で定義
される値で０．９以下とすることにより、チタニルフタ
ロシアニンを使用した感光体において高感度を失うこと
なく繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留電位の
上昇を生じない安定な電子写真感光体が提供され、ま
た、高感度を失うことなく繰り返し使用によっても帯電
性の低下と残留電位の上昇を生じない安定な電子写真方
法が提供され、更に、高感度を失うことなく繰り返し使
用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇を生じない
安定な電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカート
リッジが提供されるという極めて優れた効果が発揮され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における水銀滴下電極を用いた電気化学
的分析の還元電流値を説明する図である。

【図２】本発明の感光体の層構造を示す断面図である。

【図３】本発明の感光体の別の層構造を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の感光体の更に別の層構造を示す断面図
である。

【図５】本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置を
説明する概略図の１例である。

【図６】本発明の別の電子写真プロセス及び電子写真装
置を説明する概略図の別の例である。

【図７】本発明のプロセスカートリッジの例である。

【図８】本発明におけるＴｉＯＰｃ粉末のＸ線回析スペ
クトルを示す図である。

【図９】本発明におけるＴｉＯＰｃ粉末のＸ線回析スペ
クトルを示す図である。

【図１０】本発明におけるＴｉＯＰｃ粉末のＸ線回析ス
ペクトルを示す図である。

【符号の説明】

１ 感光体 ２ 除電ランプ ３ 帯電チャージャ ４ イレーサ ５ 画像露光部 ６ 現像ユニット ７ 転写前チャージャ ８ レジストロ−ラ ９ 転写紙 １０ 転写チャージャ １１ 分離チャージャ １２ 分離爪 １３ クリーニング前チャージャ １４ ファ−ブラシ １５ クリーニングブラシ １６ 感光体 １７ 帯電チャージャ １８ クリーニングブラシ １９ 画像露光部 ２０ 現像ローラ ２１ 感光体 ２２ａ 駆動ロ−ラ ２２ｂ 駆動ロ−ラ ２３ 帯電チャージャ ２４ 像露光源 ２５ 転写チャージャ ２６ クリーニング前露光部 ２７ クリーニンブラシ ２８ 除電光源 ３１ 導電性支持体 ３３ 感光層 ３５ 電荷発生層 ３７ 電荷輸送層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹野 隆善 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 有賀 保 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上にチタニルフタロシアニ
   ンを含有してなる感光層を設けてなる電子写真感光体に
   おいて、単位重量あたりの該チタニルフタロシアニンに
   対して還元電位が−０．１５±０．０５ボルトの電子受
   容性不純物の含有量が次のＩ値で定義される値で０．９
   以下であることを特徴とする電子写真感光体。 【数１】Ｉ＝ｉ_dＬｍ^-2/3ｔ^-1/6・・・・・（式Ａ） （ここで、ｉ_dは水銀滴下電極を用いた電気化学的分析
   におけるカソード側の拡散限界電流値［μＡ］、Ｌは被
   検物質を溶解させる溶媒の容量（ｌ）、ｍは滴下水銀電
   極における水銀の流速（ｍｇ／ｓ）、ｔは水銀滴下時間
   （ｓ）を、それぞれ表わす。）
2. 【請求項２】 チタニルフタロシアニンが、Ｃｕ−Ｋα
   線に対するＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角２θ
   の主要ピークが少なくとも９．６°±０．２°、２４．
   ０°±０．２°及び２７．２°±０．２°にある結晶形
   を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の
   電子写真感光体。
3. 【請求項３】 チタニルフタロシアニンが、Ｃｕ−Ｋα
   線に対するＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角２θ
   の主要ピークが少なくとも７．５°±０．２°、２５．
   ３°±０．２°及び２８．６°±０．２°にある結晶形
   を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の
   電子写真感光体。
4. 【請求項４】 チタニルフタロシアニンが、Ｃｕ−Ｋα
   線に対するＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角２θ
   の主要ピークが少なくとも９．３°±０．２°、１３．
   １°±０．２°及び２６．２°±０．２°にある結晶形
   を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の
   電子写真感光体。
5. 【請求項５】 電子写真感光体に、少なくとも帯電、画
   像露光、現像、転写、クリーニング、除電を繰り返し行
   なう電子写真方法において、該電子写真感光体がチタニ
   ルフタロシアニンを含有し、かつ単位重量あたりの該チ
   タニルフタロシアニンに対して還元電位が−０．１５±
   ０．０５ボルトの電子受容性不純物の含有量が次のＩ値
   で定義される値で０．９以下であることを特徴とする電
   子写真方法。 【数２】Ｉ＝ｉ_dＬｍ^-2/3ｔ^-1/6・・・・・（式Ａ） （ここで、ｉ_dは水銀滴下電極を用いた電気化学的分析
   におけるカソード側の拡散限界電流値［μＡ］、Ｌは被
   検物質を溶解させる溶媒の容量（ｌ）、ｍは滴下水銀電
   極における水銀の流速（ｍｇ／ｓ）、ｔは水銀滴下時間
   （ｓ）を、それぞれ表わす。）
6. 【請求項６】 少なくとも帯電手段、画像露光手段、現
   像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段及び電
   子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、該
   電子写真感光体がチタニルフタロシアニンを含有し、か
   つ単位重量あたりの該チタニルフタロシアニンに対して
   還元電位が−０．１５±０．０５ボルトの電子受容性不
   純物の含有量が次のＩ値で定義される値で０．９以下で
   あることを特徴とする電子写真装置。 【数３】Ｉ＝ｉ_dＬｍ^-2/3ｔ^-1/6・・・・・（式Ａ） （ここで、ｉ_dは水銀滴下電極を用いた電気化学的分析
   におけるカソード側の拡散限界電流値［μＡ］、Ｌは被
   検物質を溶解させる溶媒の容量（ｌ）、ｍは滴下水銀電
   極における水銀の流速（ｍｇ／ｓ）、ｔは水銀滴下時間
   （ｓ）を、それぞれ表わす。）
7. 【請求項７】 少なくとも電子写真感光体を具備してな
   る電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電
   子写真感光体がチタニルフタロシアニンを含有し、かつ
   単位重量あたりの該チタニルフタロシアニンに対して還
   元電位が−０．１５±０．０５ボルトの電子受容性不純
   物の含有量がＩ値で定義される値で０．９以下であるこ
   とを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジ。 【数４】Ｉ＝ｉ_dＬｍ^-2/3ｔ^-1/6・・・・・（式Ａ） （ここで、ｉ_dは水銀滴下電極を用いた電気化学的分析
   におけるカソード側の拡散限界電流値［μＡ］、Ｌは被
   検物質を溶解させる溶媒の容量（ｌ）、ｍは滴下水銀電
   極における水銀の流速（ｍｇ／ｓ）、ｔは水銀滴下時間
   （ｓ）を、それぞれ表わす。）