JPH1165143A - 電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - Google Patents
電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジInfo
- Publication number
- JPH1165143A JPH1165143A JP9233275A JP23327597A JPH1165143A JP H1165143 A JPH1165143 A JP H1165143A JP 9233275 A JP9233275 A JP 9233275A JP 23327597 A JP23327597 A JP 23327597A JP H1165143 A JPH1165143 A JP H1165143A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrophotographic
- layer
- charge
- photosensitive member
- photoreceptor
- Prior art date
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- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 黒斑点(黒ポチ)等の画像欠陥が少なく、か
つ全面地汚れが少ないバランスのとれた電子写真方式及
び電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッ
ジを提供すること。 【解決手段】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生層
及び電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いる電子写
真方法において、電荷輸送層の膜厚をd(cm)、帯電
手段が該電子写真感光体の表面に絶対値でVd(ボル
ト)の暗部電位を形成する帯電手段である場合にVd/
dが350000(V/cm)以下で、かつVdが60
0ボルト以上であることを特徴とする電子写真方法。
つ全面地汚れが少ないバランスのとれた電子写真方式及
び電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッ
ジを提供すること。 【解決手段】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生層
及び電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いる電子写
真方法において、電荷輸送層の膜厚をd(cm)、帯電
手段が該電子写真感光体の表面に絶対値でVd(ボル
ト)の暗部電位を形成する帯電手段である場合にVd/
dが350000(V/cm)以下で、かつVdが60
0ボルト以上であることを特徴とする電子写真方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体を
用いた電子写真方法及び電子写真装置及び電子写真装置
用プロセスカートリッジに関し、詳しくは、繰り返し使
用によっても黒点の発生がなく、かつ全体に地汚れの少
ない電子写真方法及び電子写真装置及び電子写真装置用
プロセスカートリッジに関する。
用いた電子写真方法及び電子写真装置及び電子写真装置
用プロセスカートリッジに関し、詳しくは、繰り返し使
用によっても黒点の発生がなく、かつ全体に地汚れの少
ない電子写真方法及び電子写真装置及び電子写真装置用
プロセスカートリッジに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子写真方式を用いた情報処理シ
ステム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデ
ジタル信号に変換して光によって情報記録を行なう光プ
リンタは、そのプリント品質、信頼性において向上が著
しい。このデジタル記録技術はプリンタのみならず通常
の複写機にも応用され、いわゆるデジタル複写機が開発
されている。また、従来からあるアナログ複写にこのデ
ジタル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処
理機能が付加されるため、今後その需要性が益々高まっ
ていくと予想される。
ステム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデ
ジタル信号に変換して光によって情報記録を行なう光プ
リンタは、そのプリント品質、信頼性において向上が著
しい。このデジタル記録技術はプリンタのみならず通常
の複写機にも応用され、いわゆるデジタル複写機が開発
されている。また、従来からあるアナログ複写にこのデ
ジタル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処
理機能が付加されるため、今後その需要性が益々高まっ
ていくと予想される。
【0003】光プリンタの光源としては、現在のところ
小型で安価で信頼性の高い半導体レーザ(LD)や、発
光ダイオード(LED)が多く使われている。現在よく
使われているLEDの発光波長は660nmであり、L
Dの発光波長は近赤外光領域にある。このため可視光領
域から近赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光体
の開発が望まれている。
小型で安価で信頼性の高い半導体レーザ(LD)や、発
光ダイオード(LED)が多く使われている。現在よく
使われているLEDの発光波長は660nmであり、L
Dの発光波長は近赤外光領域にある。このため可視光領
域から近赤外光領域に高い感度を有する電子写真感光体
の開発が望まれている。
【0004】電子写真感光体の感光波長域は、感光体に
使用される電荷発生物質の感光波長域によってほぼ決ま
ってしまう。そのため、従来から各種アゾ顔料、多環キ
ノン系顔料、三方晶形セレン、各種フタロシアニン顔料
等多くの電荷発生物質が開発されている。それらの内、
チタニルフタロシアニン(TiOPcと略記される)は
600〜800nmの長波長光に対して高感度を示すた
め、光源がLEDやLDである電子写真プリンタやデジ
タル複写機用の感光体用材料として極めて重要かつ有用
である。
使用される電荷発生物質の感光波長域によってほぼ決ま
ってしまう。そのため、従来から各種アゾ顔料、多環キ
ノン系顔料、三方晶形セレン、各種フタロシアニン顔料
等多くの電荷発生物質が開発されている。それらの内、
チタニルフタロシアニン(TiOPcと略記される)は
600〜800nmの長波長光に対して高感度を示すた
め、光源がLEDやLDである電子写真プリンタやデジ
タル複写機用の感光体用材料として極めて重要かつ有用
である。
【0005】一方、カールソンプロセス及び類似プロセ
スにおいて繰り返し使用される電子写真感光体の条件と
しては、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残
留電位、分光特性に代表される静電特性が優れているこ
とが要求される。しかしこのマクロな静電特性ではわか
らない品質、特に反転現像方法を用いる場合の黒斑点
(黒ポチ)等の画像欠陥が少ないことが重要である。
スにおいて繰り返し使用される電子写真感光体の条件と
しては、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残
留電位、分光特性に代表される静電特性が優れているこ
とが要求される。しかしこのマクロな静電特性ではわか
らない品質、特に反転現像方法を用いる場合の黒斑点
(黒ポチ)等の画像欠陥が少ないことが重要である。
【0006】電子写真方法に関する文献として、例えば
特開平3−213867号公報には、特定の結晶型のオ
キシチタニウムフタロシアニンの場合に黒ポチ防止のた
めの膜厚を22μm以上、かつ暗部電位を600ボルト
以下としたものが記載してある。すなわち電荷輸送層の
厚さをd(cm)及び暗部電位をVd(ボルト)とする
と、Vd/dが273000以下である。感光体にかか
る電位の多くは電荷輸送層にかかるため、このVd/d
の値は感光体にかかる電界に相関する。たしかに黒ポチ
は感光体にかかる電界が大きいほど出現し易い傾向にあ
る。しかしながら、そのために暗部電位を低くすると光
照射部の電位との電位差が小さくなり、機種によっては
黒ポチとは異なる白地部の全面的な地汚れが起こりやす
くなる。また、同じオキシチタニルフタロシアニンであ
っても、結晶型が異なると感光体構成によっては電界が
273000以上であっても黒ポチの発生しにくいもの
がある。いずれにせよ、全面的な地汚れがなく、かつ黒
ポチも少なくするためにはVd及びVd/dに特別の条
件が必要となる。
特開平3−213867号公報には、特定の結晶型のオ
キシチタニウムフタロシアニンの場合に黒ポチ防止のた
めの膜厚を22μm以上、かつ暗部電位を600ボルト
以下としたものが記載してある。すなわち電荷輸送層の
厚さをd(cm)及び暗部電位をVd(ボルト)とする
と、Vd/dが273000以下である。感光体にかか
る電位の多くは電荷輸送層にかかるため、このVd/d
の値は感光体にかかる電界に相関する。たしかに黒ポチ
は感光体にかかる電界が大きいほど出現し易い傾向にあ
る。しかしながら、そのために暗部電位を低くすると光
照射部の電位との電位差が小さくなり、機種によっては
黒ポチとは異なる白地部の全面的な地汚れが起こりやす
くなる。また、同じオキシチタニルフタロシアニンであ
っても、結晶型が異なると感光体構成によっては電界が
273000以上であっても黒ポチの発生しにくいもの
がある。いずれにせよ、全面的な地汚れがなく、かつ黒
ポチも少なくするためにはVd及びVd/dに特別の条
件が必要となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、黒斑
点(黒ポチ)等の画像欠陥が少なく、かつ全面地汚れが
少ないバランスのとれた電子写真方式及び電子写真装置
及び電子写真装置用プロセスカートリッジを提供するこ
とにある。
点(黒ポチ)等の画像欠陥が少なく、かつ全面地汚れが
少ないバランスのとれた電子写真方式及び電子写真装置
及び電子写真装置用プロセスカートリッジを提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、以下のよ
うな電子写真方法、装置を用いることにより、上記問題
点を解決するに至った。すなわち、上記課題は本発明の
(1)「導電性支持体上に少なくとも電荷発生層及び電
荷輸送層を有する電子写真感光体を用いる電子写真方法
において、電荷輸送層の膜厚をd(cm)、帯電手段が
該電子写真感光体の表面に絶対値でVd(ボルト)の暗
部電位を形成する帯電手段である場合にVd/dが35
0000(V/cm)以下で、かつVdが600ボルト
以上であることを特徴とする電子写真方法」、(2)
「電荷発生層に用いる電荷発生剤が下記一般式(I)の
構造をもつオキシチタニウムフタロシアニンであること
を特徴とする前記(1)項に記載の電子写真方法、
うな電子写真方法、装置を用いることにより、上記問題
点を解決するに至った。すなわち、上記課題は本発明の
(1)「導電性支持体上に少なくとも電荷発生層及び電
荷輸送層を有する電子写真感光体を用いる電子写真方法
において、電荷輸送層の膜厚をd(cm)、帯電手段が
該電子写真感光体の表面に絶対値でVd(ボルト)の暗
部電位を形成する帯電手段である場合にVd/dが35
0000(V/cm)以下で、かつVdが600ボルト
以上であることを特徴とする電子写真方法」、(2)
「電荷発生層に用いる電荷発生剤が下記一般式(I)の
構造をもつオキシチタニウムフタロシアニンであること
を特徴とする前記(1)項に記載の電子写真方法、
【0009】
【化2】 (式中、X1、X2、X3、X4は各々独立に各種ハロゲン
を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の数字
を表わす。)、(3)「チタニルフタロシアニンが、C
u−Kα線に対するX線回折スペクトルにおいて少なく
ともブラッグ角2θの主要ピークが少なくとも7.5°
±0.2°、25.3°±0.2°及び28.6°±
0.2°にある結晶形を有するものであることを特徴と
する前記(1)項に記載の電子写真方法」、(4)「チ
タニルフタロシアニンが、Cu−Kα線に対するX線回
折スペクトルにおいて少なくともブラッグ角2θの主要
ピークが少なくとも9.3°±0.2°、13.1°±
0.2°及び26.2°±0.2°にある結晶形を有す
るものであることを特徴とする前記(1)項に記載の電
子写真方法」、(5)「少なくとも帯電手段、画像露光
手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手
段及び電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であ
って、該電子写真感光体がオキシチタニルフタロシアニ
ンを含有し、かつ前記(1)項に記載された関係を有す
る電子写真方法を用いる電子写真装置」、(6)「少な
くとも電子写真感光体を具備してなる電子写真装置用プ
ロセスカートリッジであって、該電子写真感光体がオキ
シチタニルフタロシアニンを含有し、かつ前記(1)項
に記載された関係を有する電子写真方法を用いる電子写
真用プロセスカートリッジ」によって達成される。
を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の数字
を表わす。)、(3)「チタニルフタロシアニンが、C
u−Kα線に対するX線回折スペクトルにおいて少なく
ともブラッグ角2θの主要ピークが少なくとも7.5°
±0.2°、25.3°±0.2°及び28.6°±
0.2°にある結晶形を有するものであることを特徴と
する前記(1)項に記載の電子写真方法」、(4)「チ
タニルフタロシアニンが、Cu−Kα線に対するX線回
折スペクトルにおいて少なくともブラッグ角2θの主要
ピークが少なくとも9.3°±0.2°、13.1°±
0.2°及び26.2°±0.2°にある結晶形を有す
るものであることを特徴とする前記(1)項に記載の電
子写真方法」、(5)「少なくとも帯電手段、画像露光
手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手
段及び電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であ
って、該電子写真感光体がオキシチタニルフタロシアニ
ンを含有し、かつ前記(1)項に記載された関係を有す
る電子写真方法を用いる電子写真装置」、(6)「少な
くとも電子写真感光体を具備してなる電子写真装置用プ
ロセスカートリッジであって、該電子写真感光体がオキ
シチタニルフタロシアニンを含有し、かつ前記(1)項
に記載された関係を有する電子写真方法を用いる電子写
真用プロセスカートリッジ」によって達成される。
【0010】本発明者らは、鋭意検討の結果、感光体の
マクロな暗部電位と現像バイアス電位との差がたとえ同
じであっても、すなわちマクロにみた場合、トナーの感
光体への静電的吸引力が同じであっても、感光体にかか
る電界が大きい程、黒ポチが多くなることがわかった
(ここでマクロな暗部電位(Vd)とは実際に電位プロ
ーブにて測定可能な少なくとも1平方cm以上の面積の
平均化された表面電位であり、光照射をしない場合の現
像部位置での電位を示す。ここでの感光体にかかる電界
はマクロな暗部電位を電位の大部分がかかるところの電
荷輸送層の膜厚(d)で割ったもので代用した場合であ
る)。
マクロな暗部電位と現像バイアス電位との差がたとえ同
じであっても、すなわちマクロにみた場合、トナーの感
光体への静電的吸引力が同じであっても、感光体にかか
る電界が大きい程、黒ポチが多くなることがわかった
(ここでマクロな暗部電位(Vd)とは実際に電位プロ
ーブにて測定可能な少なくとも1平方cm以上の面積の
平均化された表面電位であり、光照射をしない場合の現
像部位置での電位を示す。ここでの感光体にかかる電界
はマクロな暗部電位を電位の大部分がかかるところの電
荷輸送層の膜厚(d)で割ったもので代用した場合であ
る)。
【0011】Vd/dが大きい程黒ポチが多くなるの
は、黒ポチ発生機構が電荷発生層或いはその界面の電界
に誘発された局部的な電荷分離によるところに起因する
と思われる。その要因が電荷発生層付近にあることの証
拠としては、電極/下引き層/電荷発生層/電荷輸送層
の構成の感光体において、画像出しにより黒ポチの位置
を特定した後、電荷輸送層を溶媒で完全に除去して再び
電荷輸送層を再塗布した場合は、黒ポチの位置が再塗布
前と変わらないが、電荷発生層まで除去し、電荷発生層
及び電荷輸送層を再塗布すると位置が変わることから明
らかとなった。
は、黒ポチ発生機構が電荷発生層或いはその界面の電界
に誘発された局部的な電荷分離によるところに起因する
と思われる。その要因が電荷発生層付近にあることの証
拠としては、電極/下引き層/電荷発生層/電荷輸送層
の構成の感光体において、画像出しにより黒ポチの位置
を特定した後、電荷輸送層を溶媒で完全に除去して再び
電荷輸送層を再塗布した場合は、黒ポチの位置が再塗布
前と変わらないが、電荷発生層まで除去し、電荷発生層
及び電荷輸送層を再塗布すると位置が変わることから明
らかとなった。
【0012】このような電界に誘発された電荷発生層部
付近の局部的な電荷分離が黒ポチの要因である以上、局
部的な電位低下を少なくするためには、局部的な電荷発
生の少ない電荷発生剤を選択することの他に、該部にか
かる電界をなるべく小さくすること、すなわち暗部電位
をなるべく小さく感光体膜厚をなるべく大きくすること
が望ましいことになる。しかしながら、ある程度は暗部
電位がないと現像電位との電位差が小さくなり黒ポチと
は異なる全体的な地汚れが生じ易くなる。
付近の局部的な電荷分離が黒ポチの要因である以上、局
部的な電位低下を少なくするためには、局部的な電荷発
生の少ない電荷発生剤を選択することの他に、該部にか
かる電界をなるべく小さくすること、すなわち暗部電位
をなるべく小さく感光体膜厚をなるべく大きくすること
が望ましいことになる。しかしながら、ある程度は暗部
電位がないと現像電位との電位差が小さくなり黒ポチと
は異なる全体的な地汚れが生じ易くなる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に沿って詳細
に説明する。図1は、本発明の感光体の層構成を示す断
面図である。ここでは導電性支持体(31)上に、電荷
発生層(32)と電荷輸送層(33)が積層されて感光
体が構成される。導電性支持体(31)としては、体積
抵抗1010Ωcm以下の導電性を示すもの、例えば、ア
ルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、
銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの
金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィ
ルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したも
の、或いは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケ
ル、ステンレス等の板およびそれらを押し出し、引き抜
き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨等で表面
処理した管等を使用することができる。また、特開昭5
2−36016号公報に開示されたエンドレスニッケル
ベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体
(31)として用いることができる。
に説明する。図1は、本発明の感光体の層構成を示す断
面図である。ここでは導電性支持体(31)上に、電荷
発生層(32)と電荷輸送層(33)が積層されて感光
体が構成される。導電性支持体(31)としては、体積
抵抗1010Ωcm以下の導電性を示すもの、例えば、ア
ルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、
銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの
金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィ
ルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したも
の、或いは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケ
ル、ステンレス等の板およびそれらを押し出し、引き抜
き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨等で表面
処理した管等を使用することができる。また、特開昭5
2−36016号公報に開示されたエンドレスニッケル
ベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体
(31)として用いることができる。
【0014】この他、上記支持体上に導電性粉体を適当
な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性
支持体(31)として用いることができる。この導電性
粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラッ
ク、また、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、
銅、亜鉛、銀等の金属粉或いは導電性酸化スズ、ITO
等の金属酸化物粉体等が挙げられる。また、同時に用い
られる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポ
リ塩化ビニル、塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリア
リレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢
酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、
熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このよ
うな導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当
な溶剤、例えばTHF(テトラヒドロフラン)、MDC
(ジクロロメタン)、MEK(メチルエチルケトン)、
トルエン等に分散して塗布することにより設けることが
できる。
な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性
支持体(31)として用いることができる。この導電性
粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラッ
ク、また、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、
銅、亜鉛、銀等の金属粉或いは導電性酸化スズ、ITO
等の金属酸化物粉体等が挙げられる。また、同時に用い
られる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、
スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポ
リ塩化ビニル、塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリア
リレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢
酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シ
リコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、
熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このよ
うな導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当
な溶剤、例えばTHF(テトラヒドロフラン)、MDC
(ジクロロメタン)、MEK(メチルエチルケトン)、
トルエン等に分散して塗布することにより設けることが
できる。
【0015】更に、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
等の素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブ
によって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性
支持体(31)として良好に用いることができる。
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
等の素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブ
によって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性
支持体(31)として良好に用いることができる。
【0016】次に感光層について説明する。電荷発生層
(32)は、電荷発生材料を必要に応じてバインダー樹
脂とともに、適当な溶剤中にボールミル、アトライタ
ー、サンドミル、超音波等を用いて分散し、これを導電
性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
必要に応じて電荷発生層(32)に用いられる結着樹脂
としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、
ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アク
リル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、
ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニル
ピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着
樹脂の量は、電荷発生物質100重量部に対し、0〜5
00重量部、好ましくは10〜300重量部が適当であ
る。
(32)は、電荷発生材料を必要に応じてバインダー樹
脂とともに、適当な溶剤中にボールミル、アトライタ
ー、サンドミル、超音波等を用いて分散し、これを導電
性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
必要に応じて電荷発生層(32)に用いられる結着樹脂
としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、
ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アク
リル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、
ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニル
ピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着
樹脂の量は、電荷発生物質100重量部に対し、0〜5
00重量部、好ましくは10〜300重量部が適当であ
る。
【0017】電荷発生層(32)には、上記のオキシチ
タニルフタロシアニンの他に、その他の電荷発生材料を
併用することも可能であり、その代表例としてモノアゾ
顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔
料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮
合多環化合物、スクアリック酸系染料、フタロシアニン
系顔料、ナフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩系染
料等が挙げられ用いられる。
タニルフタロシアニンの他に、その他の電荷発生材料を
併用することも可能であり、その代表例としてモノアゾ
顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔
料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮
合多環化合物、スクアリック酸系染料、フタロシアニン
系顔料、ナフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩系染
料等が挙げられ用いられる。
【0018】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセル
ソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、
トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。塗工
液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビ
ートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコ
ート等の方法を用いることができる。電荷発生層(3
2)の膜厚は0.01〜5μm程度が適当であり、好ま
しくは0.1〜2μmである。
パノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセル
ソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジ
クロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、
トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。塗工
液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビ
ートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコ
ート等の方法を用いることができる。電荷発生層(3
2)の膜厚は0.01〜5μm程度が適当であり、好ま
しくは0.1〜2μmである。
【0019】電荷輸送層(33)は、電荷輸送物質及び
結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷
発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。ま
た、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を
添加することもできる。
結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷
発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。ま
た、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を
添加することもできる。
【0020】電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸
送物質とがある。電子輸送物質としては、例えば、クロ
ルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−
フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フ
ルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサント
ン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,
8−トリニトロ−4H−インデノ[1,2−b]チオフ
ェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオ
フェン−5,5−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等
の電子受容性物質が挙げられる。
送物質とがある。電子輸送物質としては、例えば、クロ
ルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テト
ラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−
フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フ
ルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサント
ン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,
8−トリニトロ−4H−インデノ[1,2−b]チオフ
ェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオ
フェン−5,5−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等
の電子受容性物質が挙げられる。
【0021】正孔輸送物質としては、ポリ−N−カルバ
ゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチル
グルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒ
ド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、
オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノア
リールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリア
リールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニル
スチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタ
ン誘導体、トリアリールメタン誘導体、9−スチリルア
ントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼ
ン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジ
エン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、
エナミン誘導体等その他公知の材料が挙げられる。これ
らの電荷輸送物質は、単独または2種以上混合して用い
られる。
ゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチル
グルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒ
ド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、
オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノア
リールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリア
リールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニル
スチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタ
ン誘導体、トリアリールメタン誘導体、9−スチリルア
ントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼ
ン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジ
エン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、
エナミン誘導体等その他公知の材料が挙げられる。これ
らの電荷輸送物質は、単独または2種以上混合して用い
られる。
【0022】結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリ
レート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セル
ロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、
フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、または
熱硬化性樹脂が挙げられる。電荷輸送物質の量は、結着
樹脂100重量部に対し、20〜300重量部、好まし
くは40〜150重量部が適当である。また、電荷輸送
層の膜厚は、5〜100μm程度とするのが好ましい。
ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベ
ンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエ
チルケトン、アセトンなどが用いられる。
ン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエ
ステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリ
レート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セル
ロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、
フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、または
熱硬化性樹脂が挙げられる。電荷輸送物質の量は、結着
樹脂100重量部に対し、20〜300重量部、好まし
くは40〜150重量部が適当である。また、電荷輸送
層の膜厚は、5〜100μm程度とするのが好ましい。
ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベ
ンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエ
チルケトン、アセトンなどが用いられる。
【0023】本発明において、電荷輸送層(33)中に
可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤として
は、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一
般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま
使用でき、その使用量としては結着樹脂に対して0〜3
0重量%程度が適当である。レベリング剤としては、ジ
メチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオ
イルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロ
アルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用
され、その使用量は結着樹脂に対して0〜1重量%程度
が適当である。
可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤として
は、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一
般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま
使用でき、その使用量としては結着樹脂に対して0〜3
0重量%程度が適当である。レベリング剤としては、ジ
メチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオ
イルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロ
アルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用
され、その使用量は結着樹脂に対して0〜1重量%程度
が適当である。
【0024】本発明に用いられる電子写真感光体には、
導電性支持体(31)と感光層との間に下引き層を設け
ることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とす
るが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メ
ラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成す
る硬化型樹脂などが挙げられる。また、下引き層にはモ
アレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリ
カ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えて
もよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同
様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができ
る。
導電性支持体(31)と感光層との間に下引き層を設け
ることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とす
るが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布する
ことを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高
い樹脂であることが望ましい。このような樹脂として
は、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸
ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシ
メチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレ
タン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メ
ラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成す
る硬化型樹脂などが挙げられる。また、下引き層にはモ
アレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリ
カ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イン
ジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えて
もよい。これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同
様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができ
る。
【0025】さらに、本発明における感光体の下引き層
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。
この他に、本発明の下引き層にはAl2O3を陽極酸化に
て設けたものや、ポリパラキシリレン(パリレン)等の
有機物や、SiO2、SnO2、TiO2、ITO、Ce
O2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好
に使用できる。この他にも公知のものを用いることがで
きる。下引き層の膜厚は0〜7μmが適当である。
として、シランカップリング剤、チタンカップリング
剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。
この他に、本発明の下引き層にはAl2O3を陽極酸化に
て設けたものや、ポリパラキシリレン(パリレン)等の
有機物や、SiO2、SnO2、TiO2、ITO、Ce
O2等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好
に使用できる。この他にも公知のものを用いることがで
きる。下引き層の膜厚は0〜7μmが適当である。
【0026】本発明に用いられる電子写真感光体には、
感光層保護の目的で、保護層が感光層の上に設けられる
こともある。保護層に使用される材料としては、ABS
樹脂、ACS樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合
体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹
脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、
ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレ
ン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチル
ペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、
ポリスルホン、ポリスチレン、AS樹脂、ブタジエン−
スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等が挙げられる。
感光層保護の目的で、保護層が感光層の上に設けられる
こともある。保護層に使用される材料としては、ABS
樹脂、ACS樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合
体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹
脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、
ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレ
ン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチル
ペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、
ポリスルホン、ポリスチレン、AS樹脂、ブタジエン−
スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等が挙げられる。
【0027】保護層には、その他、耐摩耗性を向上する
目的で、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹
脂、シリコーン樹脂、及びこれらの樹脂に酸化チタン、
酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの
等を添加することができる。保護層の形成法としては、
通常の塗布法が採用される。なお、保護層の厚さは0.
1〜10μm程度が適当である。また、以上の他に真空
薄膜作製法にて形成したa−カーボン、a−SiC等公
知の材料を保護層として用いることができる。
目的で、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹
脂、シリコーン樹脂、及びこれらの樹脂に酸化チタン、
酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの
等を添加することができる。保護層の形成法としては、
通常の塗布法が採用される。なお、保護層の厚さは0.
1〜10μm程度が適当である。また、以上の他に真空
薄膜作製法にて形成したa−カーボン、a−SiC等公
知の材料を保護層として用いることができる。
【0028】本発明においては感光層と保護層との間に
中間層を設けることも可能である中間層には、一般にバ
インダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂として
は、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポ
リビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルアルコール等が挙げられる。中間層の形成法として
は、前述のごとく通常の塗布法が採用される。なお、中
間層の厚さは0.05〜2μm程度が適当である。
中間層を設けることも可能である中間層には、一般にバ
インダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂として
は、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポ
リビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルアルコール等が挙げられる。中間層の形成法として
は、前述のごとく通常の塗布法が採用される。なお、中
間層の厚さは0.05〜2μm程度が適当である。
【0029】以下に、図面を用いて本発明の電子写真方
法並びに電子写真装置を詳しく説明する。図2は、本発
明の電子写真プロセス及び電子写真装置の1例を説明す
るための概略図であり、下記するような変形例も本発明
の範疇に属するものである。図2において、この電子写
真装置は、ドラム状の感光体(1)の上面に、近接しか
つ円周に沿って、反時計方向に、除電露光部(2)、帯
電チャージャ(3)、イレ−サ(4)、画像露光部
(5)、現像ユニット(6)、転写前チャージャ
(7)、転写チャージャ(10)、分離チャージャ(1
1)、分離爪(12)、クリーニング前チャージャ(1
3)、ファ−ブラシ(14)、クリーニンブラシ(1
5)を順次付設してなる。さらに転写紙(9)を、感光
体(1)と転写チャージャ(10)および分離チャージ
ャ(11)の間に送りこむための、レジストロ−ラ
(8)を付設している。感光体(1)は、ドラム状の導
電性支持体とその上面に密着した感光層からなり、反時
計方向に回転する。
法並びに電子写真装置を詳しく説明する。図2は、本発
明の電子写真プロセス及び電子写真装置の1例を説明す
るための概略図であり、下記するような変形例も本発明
の範疇に属するものである。図2において、この電子写
真装置は、ドラム状の感光体(1)の上面に、近接しか
つ円周に沿って、反時計方向に、除電露光部(2)、帯
電チャージャ(3)、イレ−サ(4)、画像露光部
(5)、現像ユニット(6)、転写前チャージャ
(7)、転写チャージャ(10)、分離チャージャ(1
1)、分離爪(12)、クリーニング前チャージャ(1
3)、ファ−ブラシ(14)、クリーニンブラシ(1
5)を順次付設してなる。さらに転写紙(9)を、感光
体(1)と転写チャージャ(10)および分離チャージ
ャ(11)の間に送りこむための、レジストロ−ラ
(8)を付設している。感光体(1)は、ドラム状の導
電性支持体とその上面に密着した感光層からなり、反時
計方向に回転する。
【0030】上記の電子写真装置を使用した電子写真方
法においては、感光体(1)は、反時計方向に回転し
て、帯電チャージャ(3)で正または負に帯電され、さ
らにイレ−サ(4)によって、残留トナーが清掃された
後、画像露光部(5)からの露光によって、静電潜像を
感光体(1)上に形成する。転写手段には、一般に上記
の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャ
ージャーと分離チャージャーを併用したものが効果的で
ある。
法においては、感光体(1)は、反時計方向に回転し
て、帯電チャージャ(3)で正または負に帯電され、さ
らにイレ−サ(4)によって、残留トナーが清掃された
後、画像露光部(5)からの露光によって、静電潜像を
感光体(1)上に形成する。転写手段には、一般に上記
の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャ
ージャーと分離チャージャーを併用したものが効果的で
ある。
【0031】また画像露光部(5)および除電ランプ
(2)等で使用する光源としては、蛍光灯、タングステ
ンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発
光ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)、エ
レクトロルミネッセンス(EL)等の発光物を使用する
ことができる。そして、所望の波長域の光のみを照射す
るために、シャープカットフィルター、バンドパスフィ
ルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィ
ルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの
各種フィルターを用いることもできる。かかる光源等
は、図2に図示した工程の他に、光照射を併用した転写
工程、除電工程、クリーニング工程、或いは前露光等の
工程を設けることにより、感光体に光が照射される際に
も用いることができる。
(2)等で使用する光源としては、蛍光灯、タングステ
ンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発
光ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)、エ
レクトロルミネッセンス(EL)等の発光物を使用する
ことができる。そして、所望の波長域の光のみを照射す
るために、シャープカットフィルター、バンドパスフィ
ルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィ
ルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの
各種フィルターを用いることもできる。かかる光源等
は、図2に図示した工程の他に、光照射を併用した転写
工程、除電工程、クリーニング工程、或いは前露光等の
工程を設けることにより、感光体に光が照射される際に
も用いることができる。
【0032】現像ユニット(6)において、感光体
(1)上にトナーを付着させて静電潜像を現像し、転写
前チャージャ(7)によって、トナー像の帯電状態を調
整した後、転写チャージャ(10)により転写紙(9)
にトナー像を転写し分離チャージャ(11)によって感
光体(1)と転写紙(9)との静電的付着状態を解消
し、分離爪(12)によって転写紙(9)を感光体
(1)から分離する。転写紙(9)の分離後、クリーニ
ング前チャージャ(13)ファーブラシ(14)および
クリーニンブラシ(15)により感光体(1)表面を清
掃する。このクリーニングは、クリーニングブラシ(1
5)だけで、残存するトナーを除去することにより行う
こともできる。
(1)上にトナーを付着させて静電潜像を現像し、転写
前チャージャ(7)によって、トナー像の帯電状態を調
整した後、転写チャージャ(10)により転写紙(9)
にトナー像を転写し分離チャージャ(11)によって感
光体(1)と転写紙(9)との静電的付着状態を解消
し、分離爪(12)によって転写紙(9)を感光体
(1)から分離する。転写紙(9)の分離後、クリーニ
ング前チャージャ(13)ファーブラシ(14)および
クリーニンブラシ(15)により感光体(1)表面を清
掃する。このクリーニングは、クリーニングブラシ(1
5)だけで、残存するトナーを除去することにより行う
こともできる。
【0033】感光体に正または負の帯電を施して画像露
光を行った場合、感光体上には正または負の静電潜像が
形成される。これを、負または正に帯電した極性のトナ
ー(検電微粒子)で現像すれば、ポジ画像が得られる
し、逆に正または負に帯電した極性のトナーで現像すれ
ば、ネガ画像が得られる。かかる現像には、公知の方法
を適用することができ、また、除電手段にも公知の方法
が用いられる。
光を行った場合、感光体上には正または負の静電潜像が
形成される。これを、負または正に帯電した極性のトナ
ー(検電微粒子)で現像すれば、ポジ画像が得られる
し、逆に正または負に帯電した極性のトナーで現像すれ
ば、ネガ画像が得られる。かかる現像には、公知の方法
を適用することができ、また、除電手段にも公知の方法
が用いられる。
【0034】この例においては導電性支持体はドラム状
のものとして示されているが、シート状、エンドレスベ
ルト状のものを使用することができる。クリーニング前
チャージャとしては、コロトロン、スコロトロン、固体
帯電器(ソリッドステートチャージャ)、帯電ローラな
どをはじめとする公知の帯電手段を用いることができ
る。また転写チャージャおよび分離チャージャには、通
常上記の帯電手段を、使用することができるが、図2に
示すように、転写チャージャと分離チャージャを一体化
した帯電器は、効率的で好ましい。クリーニングブラシ
には、ファーブラシ、マグファーブラシなどをはじめと
する公知のものを使用することができる。
のものとして示されているが、シート状、エンドレスベ
ルト状のものを使用することができる。クリーニング前
チャージャとしては、コロトロン、スコロトロン、固体
帯電器(ソリッドステートチャージャ)、帯電ローラな
どをはじめとする公知の帯電手段を用いることができ
る。また転写チャージャおよび分離チャージャには、通
常上記の帯電手段を、使用することができるが、図2に
示すように、転写チャージャと分離チャージャを一体化
した帯電器は、効率的で好ましい。クリーニングブラシ
には、ファーブラシ、マグファーブラシなどをはじめと
する公知のものを使用することができる。
【0035】図3は、本発明の電子写真方法、及び特に
電子写真装置の別の例を説明する概略図を示す。この例
においてベルト状の感光体(21)は、特定の不純物含
有量が規定されたTiOPc感光層を有しており、駆動
ローラ(22a)、(22b)により駆動され、帯電チ
ャ−ジャ(23)による帯電、像露光源(24)による
画像露光、現像(図示せず)、転写チャ−ジャ(25)
による転写、クリーニング前露光部(26)によるクリ
ーニング前露光、クリーニングブラシ(27)によるク
リーニング、除電光源(28)による除電からなる一連
の画像操作が順次繰り返し行われる。なお、この場合ク
リーニング前露光部の露光は、感光体(21)の導電性
支持体側より行われる。勿論この場合導電性支持体は、
透光性である。
電子写真装置の別の例を説明する概略図を示す。この例
においてベルト状の感光体(21)は、特定の不純物含
有量が規定されたTiOPc感光層を有しており、駆動
ローラ(22a)、(22b)により駆動され、帯電チ
ャ−ジャ(23)による帯電、像露光源(24)による
画像露光、現像(図示せず)、転写チャ−ジャ(25)
による転写、クリーニング前露光部(26)によるクリ
ーニング前露光、クリーニングブラシ(27)によるク
リーニング、除電光源(28)による除電からなる一連
の画像操作が順次繰り返し行われる。なお、この場合ク
リーニング前露光部の露光は、感光体(21)の導電性
支持体側より行われる。勿論この場合導電性支持体は、
透光性である。
【0036】以上に図示した電子写真プロセスは、本発
明の実施態様を例示するものであって、もちろん他の実
施形態も可能である。例えば図3においてクリーニング
前露光は、感光層側から行うことができるし、また画像
露光部および除電露光部の露光を、導電性支持体側から
行うこともできる。
明の実施態様を例示するものであって、もちろん他の実
施形態も可能である。例えば図3においてクリーニング
前露光は、感光層側から行うことができるし、また画像
露光部および除電露光部の露光を、導電性支持体側から
行うこともできる。
【0037】一方、光照射工程としては像露光、クリー
ニング前露光、除電露光が図示されているが、他に、転
写前露光、像露光のプレ露光およびその他公知の光照射
工程を設けて、感光体に本発明の光照射を行なうことも
できる。
ニング前露光、除電露光が図示されているが、他に、転
写前露光、像露光のプレ露光およびその他公知の光照射
工程を設けて、感光体に本発明の光照射を行なうことも
できる。
【0038】以上に示すような本発明の画像形成手段
は、複写装置、ファクシミリ、プリンタなどの装置内に
固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリ
ッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセ
スカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、
露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除
電手段などを含んだ一つの装置(部品)である。プロセ
スカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な
例として図4に示すものが挙げられる。図4に示される
プロセスカートリッジは、感光体(16)の周囲に配置
された帯電チャージャ(17)、クリーニングブラシ
(18)、画像露光部(19)、現像ローラ(20)等
からなるコンパクトな構造を有する。
は、複写装置、ファクシミリ、プリンタなどの装置内に
固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリ
ッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセ
スカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、
露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除
電手段などを含んだ一つの装置(部品)である。プロセ
スカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な
例として図4に示すものが挙げられる。図4に示される
プロセスカートリッジは、感光体(16)の周囲に配置
された帯電チャージャ(17)、クリーニングブラシ
(18)、画像露光部(19)、現像ローラ(20)等
からなるコンパクトな構造を有する。
【0039】
【実施例】以下、本発明を実施例にて具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例により制約を受けるものでは
ない。なお、実施例中の「部」は全て重量部である。ま
ず、実施例に用いるオチシチタニルフタロシアニン顔料
の具体的な合成例を述べる。
が、本発明はこれら実施例により制約を受けるものでは
ない。なお、実施例中の「部」は全て重量部である。ま
ず、実施例に用いるオチシチタニルフタロシアニン顔料
の具体的な合成例を述べる。
【0040】合成例1 フタロジニトリル52.5部と、1−クロロナフタレン
400部を撹拌混合し、窒素気流下で四塩化チタン19
部を滴下する。滴下終了後、徐々に200℃まで昇温
し、反応温度を190℃〜210℃の間に保ちながら、
5時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し1
30℃になったところ熱時濾過し、次いで、1−クロロ
ナフタレンで粉体が青色になるまで洗浄、次に、メタノ
ールで数回洗浄し、更に80℃の熱水で数回洗浄した
後、乾燥し42.2部の粗チタニルフタロシアニン顔料
を得た。得られた熱水洗浄処理した粗チタニルフタロシ
アニン顔料のうち6部を96%硫酸100gに3〜5℃
下撹拌、溶解し、濾過した。得られた硫酸溶液を氷水
3.5リットル中に撹拌しながら滴下し、析出した結晶
を濾過、次いで洗浄液が中性になるまで水洗いを繰り返
し、チタニルフタロシアニン顔料のウエットケーキを得
た。このウエットケーキに1,2−ジクロロエタン15
0部を加え、室温下2時間撹拌した後、メタノール25
0部を更に加え撹拌、濾過した。これをメタノール洗浄
し、更に乾燥してチタニルフタロシアニン顔料4.9部
を得た。
400部を撹拌混合し、窒素気流下で四塩化チタン19
部を滴下する。滴下終了後、徐々に200℃まで昇温
し、反応温度を190℃〜210℃の間に保ちながら、
5時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し1
30℃になったところ熱時濾過し、次いで、1−クロロ
ナフタレンで粉体が青色になるまで洗浄、次に、メタノ
ールで数回洗浄し、更に80℃の熱水で数回洗浄した
後、乾燥し42.2部の粗チタニルフタロシアニン顔料
を得た。得られた熱水洗浄処理した粗チタニルフタロシ
アニン顔料のうち6部を96%硫酸100gに3〜5℃
下撹拌、溶解し、濾過した。得られた硫酸溶液を氷水
3.5リットル中に撹拌しながら滴下し、析出した結晶
を濾過、次いで洗浄液が中性になるまで水洗いを繰り返
し、チタニルフタロシアニン顔料のウエットケーキを得
た。このウエットケーキに1,2−ジクロロエタン15
0部を加え、室温下2時間撹拌した後、メタノール25
0部を更に加え撹拌、濾過した。これをメタノール洗浄
し、更に乾燥してチタニルフタロシアニン顔料4.9部
を得た。
【0041】このようにして得られたTiOPcを、2
−ブタノンを用いて溶剤処理を行なった後、そのまま溶
剤を乾燥・固化した。取り出したTiOPc粉体のX線
回折スペクトルを図5に示す。このTiOPc粉体はブ
ラッグ角2θの主要ピークが少なくとも7.5°±0.
2°、25.3°±0.2°及び28.6°±0.2°
にある結晶形を有していることがわかる。
−ブタノンを用いて溶剤処理を行なった後、そのまま溶
剤を乾燥・固化した。取り出したTiOPc粉体のX線
回折スペクトルを図5に示す。このTiOPc粉体はブ
ラッグ角2θの主要ピークが少なくとも7.5°±0.
2°、25.3°±0.2°及び28.6°±0.2°
にある結晶形を有していることがわかる。
【0042】合成例2 合成例1の処理溶媒を2−ブタノンの代わりにテトラヒ
ドロフランとした。その場合のTiOPc粉体のX線回
折スペクトルを図6に示す。このチタニルフタロシアニ
ン顔料はブラッグ角2θの主要ピークが少なくとも9.
3°±0.2°、13.1°±0.2°及び26.2°
±0.2°にある結晶形を有していることがわかる。
ドロフランとした。その場合のTiOPc粉体のX線回
折スペクトルを図6に示す。このチタニルフタロシアニ
ン顔料はブラッグ角2θの主要ピークが少なくとも9.
3°±0.2°、13.1°±0.2°及び26.2°
±0.2°にある結晶形を有していることがわかる。
【0043】実施例1〜10及び比較例1〜6 アルミニウムドラム上に下記組成の下引き層塗工液、電
荷発生層塗工液、及び電荷輸送層塗工液を順次塗布・乾
燥し、積層感光体を作製した。 (下引き層塗工液) 二酸化チタン粉末 500部 アルキドメラミン樹脂 120部 2−ブタノン 400部 (電荷発生層塗工液) 合成例1のTiOPc顔料粉末 3部 ポリビニルブチラール 2部 2−ブタノン 50部 4−メチル−2−ペンタノン 90部 (電荷輸送層塗工液) ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 8部
荷発生層塗工液、及び電荷輸送層塗工液を順次塗布・乾
燥し、積層感光体を作製した。 (下引き層塗工液) 二酸化チタン粉末 500部 アルキドメラミン樹脂 120部 2−ブタノン 400部 (電荷発生層塗工液) 合成例1のTiOPc顔料粉末 3部 ポリビニルブチラール 2部 2−ブタノン 50部 4−メチル−2−ペンタノン 90部 (電荷輸送層塗工液) ポリカーボネート 10部 塩化メチレン 80部 下記構造式の電荷輸送物質 8部
【0044】
【化3】
【0045】この際、電荷輸送層の膜厚を種々変化させ
た。上記の各電子写真感光体を2図に示す電子写真装置
に装着し(ただし、画像露光光源を780nmに発光を
もつLDとした)、また、現像直前の感光体の表面電位
(暗部電位)が測定できるように表面電位計のプローブ
を挿入した。また、現像ローラ側の電位は−600Vと
し、電荷輸送層の膜厚、暗部電位及び画質の関係を評価
した。結果はつぎの表1、表2に示される。
た。上記の各電子写真感光体を2図に示す電子写真装置
に装着し(ただし、画像露光光源を780nmに発光を
もつLDとした)、また、現像直前の感光体の表面電位
(暗部電位)が測定できるように表面電位計のプローブ
を挿入した。また、現像ローラ側の電位は−600Vと
し、電荷輸送層の膜厚、暗部電位及び画質の関係を評価
した。結果はつぎの表1、表2に示される。
【0046】
【表1】
【0047】
【表2】
【0048】以上、本発明における結晶型のオキシチタ
ニルフタロシアニンを電荷発生材に使用した場合で、導
電性支持体上に少なくとも電荷発生層及び電荷輸送層を
有する電子写真感光体においては電荷輸送層の膜厚をd
(cm)、帯電手段が該電子写真感光体の表面に絶対値
でVd(ボルト)の暗部電位を形成する帯電手段である
場合にVd/dが350000(V/cm)以下で、か
つ暗部電位が600ボルト以上であることにより、全体
的な地汚れがなく、かつ黒ポチも少ない画像が得られ
る。
ニルフタロシアニンを電荷発生材に使用した場合で、導
電性支持体上に少なくとも電荷発生層及び電荷輸送層を
有する電子写真感光体においては電荷輸送層の膜厚をd
(cm)、帯電手段が該電子写真感光体の表面に絶対値
でVd(ボルト)の暗部電位を形成する帯電手段である
場合にVd/dが350000(V/cm)以下で、か
つ暗部電位が600ボルト以上であることにより、全体
的な地汚れがなく、かつ黒ポチも少ない画像が得られ
る。
【0049】
【発明の効果】以上、具体的かつ詳細な説明から明らか
なように、本発明によれば、繰り返し使用によっても黒
点の発生がなく、かつ全体に地汚れの少ない電子写真感
光体を用いた電子写真方法、電子写真装置及び電子写真
装置用プロセスカートリッジが提供されるという極めて
優れた効果が発揮される。
なように、本発明によれば、繰り返し使用によっても黒
点の発生がなく、かつ全体に地汚れの少ない電子写真感
光体を用いた電子写真方法、電子写真装置及び電子写真
装置用プロセスカートリッジが提供されるという極めて
優れた効果が発揮される。
【図1】本発明で用いる感光体の層構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図2】本発明の電子写真方法及び電子写真装置の例を
説明する概略図の1例である。
説明する概略図の1例である。
【図3】本発明の電子写真方法及び電子写真装置の別の
例を説明する概略図の別の例である。
例を説明する概略図の別の例である。
【図4】本発明の電子写真方法及び電子写真装置のさら
に別の例を説明する概略図の別の例である。
に別の例を説明する概略図の別の例である。
【図5】本発明におけるTiOPc粉末のX線回析スペ
クトルを示す図である。
クトルを示す図である。
【図6】本発明におけるTiOPc粉末のX線回析スペ
クトルを示す図である。
クトルを示す図である。
1 感光体 2 除電ランプ 3 帯電チャージャ 4 イレーサ 5 画像露光部 6 現像ユニット 7 転写前チャージャ 8 レジストロ−ラ 9 転写紙 10 転写チャージャ 11 分離チャージャ 12 分離爪 13 クリーニング前チャージャ 14 ファ−ブラシ 15 クリーニングブラシ 16 感光体 17 帯電チャージャ 18 クリーニングブラシ 19 画像露光部 20 現像ローラ 21 感光体 22a 駆動ロ−ラ 22b 駆動ロ−ラ 23 帯電チャージャ 24 像露光源 25 転写チャージャ 26 クリーニング前露光部 27 クリーニンブラシ 28 除電光源 31 導電性支持体 32 電荷発生層 33 電荷輸送層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田元 望 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 丹野 隆善 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項1】 導電性支持体上に少なくとも電荷発生層
及び電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いる電子写
真方法において、電荷輸送層の膜厚をd(cm)、帯電
手段が該電子写真感光体の表面に絶対値でVd(ボル
ト)の暗部電位を形成する帯電手段である場合にVd/
dが350000(V/cm)以下で、かつVdが60
0ボルト以上であることを特徴とする電子写真方法。 - 【請求項2】 電荷発生層に用いる電荷発生剤が下記一
般式(I)の構造をもつオキシチタニウムフタロシアニ
ンであることを特徴とする請求項1に記載の電子写真方
法。 【化1】 (式中、X1、X2、X3、X4は各々独立に各種ハロゲン
を表わし、n、m、l、kは各々独立的に0〜4の数字
を表わす。) - 【請求項3】 チタニルフタロシアニンが、Cu−Kα
線に対するX線回折スペクトルにおいて少なくともブラ
ッグ角2θの主要ピークが少なくとも7.5°±0.2
°、25.3°±0.2°及び28.6°±0.2°に
ある結晶形を有するものであることを特徴とする請求項
1に記載の電子写真方法。 - 【請求項4】 チタニルフタロシアニンが、Cu−Kα
線に対するX線回折スペクトルにおいて少なくともブラ
ッグ角2θの主要ピークが少なくとも9.3°±0.2
°、13.1°±0.2°及び26.2°±0.2°に
ある結晶形を有するものであることを特徴とする請求項
1に記載の電子写真方法。 - 【請求項5】 少なくとも帯電手段、画像露光手段、現
像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段及び電
子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、該
電子写真感光体がオキシチタニルフタロシアニンを含有
し、かつ請求項1に記載された関係を有する電子写真方
法を用いる電子写真装置。 - 【請求項6】 少なくとも電子写真感光体を具備してな
る電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電
子写真感光体がオキシチタニルフタロシアニンを含有
し、かつ請求項1に記載された関係を有する電子写真方
法を用いる電子写真用プロセスカートリッジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9233275A JPH1165143A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9233275A JPH1165143A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1165143A true JPH1165143A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=16952546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9233275A Pending JPH1165143A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1165143A (ja) |
-
1997
- 1997-08-15 JP JP9233275A patent/JPH1165143A/ja active Pending
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