JPH11144319A5 - - Google Patents

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JPH11144319A5
JPH11144319A5 JP1997304417A JP30441797A JPH11144319A5 JP H11144319 A5 JPH11144319 A5 JP H11144319A5 JP 1997304417 A JP1997304417 A JP 1997304417A JP 30441797 A JP30441797 A JP 30441797A JP H11144319 A5 JPH11144319 A5 JP H11144319A5
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Claims (10)

  1. 透明基板と、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｉ，及びＧｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む干渉層と、第１の保護層と、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、第２の保護層と、反射層とを順に積層した構成を具備することを特徴とする光学的情報記録媒体。
  2. 透明基板と、２００Ａ以下の厚さを有し、Ａｕ，Ａｇ，及びＣｕからなる群から選択される少なくとも１種を含む干渉層と、０．２ないし０．４５（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第１の保護層と、３５０Ａ以下の厚さを有し、ＧｅＳｂＴｅから実質的になり、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、０．０４ないし０．４（λ／ｎ）または０．５２ないし０．９２（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第２の保護層と、５００Ａ以上の厚さを有し、Ａｌ合金から実質的になる反射層とを順に積層した構成を具備することを特徴とする光学的情報記録媒体。
  3. 透明基板と、４００ないし７５０Ａの厚さを有し、Ｓｉ及びＧｅのうち１種を含む干渉層と、０．３ないし０．５（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第１の保護層と、３５０Ａ以下の厚さを有し、ＧｅＳｂＴｅから実質的になり、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、０．０４ないし０．４（λ／ｎ）、または０．５２ないし０．９２（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第２の保護層と、５００Ａ以上の厚さを有し、Ａｌ合金から実質的になる反射層とを順に積層した構成を具備することを特徴とする光学的情報記録媒体。
  4. ０．１４〜０．２λ／ｎ、または０．２５〜０．４λ／ｎの深さを有する渦巻き状または同心円状のグルーブ部と該グルーブ部間のランド部とから構成されるトラックを有する透明基板と、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｉ，及びＧｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む干渉層と、第１の保護層と、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、第２の保護層と、反射層とを順に積層した構成を具備し、前記ランド部と前記グルーブ部の反射率変化量が近付くよう前記干渉層及び前記第１の保護層の厚さが調整され、かつ相変化された部分と相変化されない部分の位相差が、±４５度以下であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
  5. ０．１４〜０．２λ／ｎ、または０．２５〜０．４λ／ｎの深さを有する渦巻き状または同心円状のグルーブ部と該グルーブ部間のランド部とから構成されるトラックを有する透明基板と、２００Ａ以下の厚さを有し、Ａｕ，Ａｇ，及びＣｕからなる群から選択される少なくとも１種を含む干渉層と、０．２ないし０．４５（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第１の保護層と、３５０Ａ以下の厚さを有し、ＧｅＳｂＴｅから実質的になり、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、０．０４ないし０．４（λ／ｎ）または０．５２ないし０．９２（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第２の保護層と、５００Ａ以上の厚さを有し、Ａｌ合金から実質的になる反射層とを順に積層した構成を具備し、前記ランド部と前記グルーブ部の反射率変化量が近付くよう前記干渉層及び前記第１の保護層の厚さが調整され、かつ相変化された部分と相変化されない部分の位相差が、±４５度以下であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
  6. ０．１４〜０．２λ／ｎ、または０．２５〜０．４λ／ｎの深さを有する渦巻き状または同心円状のグルーブ部と該グルーブ部間のランド部とから構成されるトラックを有する透明基板と、４００ないし７５０Ａの厚さを有し、Ｓｉ及びＧｅのうち１種を含む干渉層と、０．３ないし０．５（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第１の保護層と、３５０Ａ以下の厚さを有し、ＧｅＳｂＴｅから実質的になり、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、０．０４ないし０．４（λ／ｎ）、または０．５２ないし０．９２（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第２の保護層と、５００Ａ以上の厚さを有し、Ａｌ合金から実質的になる反射層とを順に積層した構成を具備し、前記ランド部と前記グルーブ部の反射率変化量が近付くよう前記干渉層及び前記第１の保護層の厚さが調整され、かつ相変化された部分と相変化されない部分の位相差が、±４５度以下であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
  7. 渦巻き状または同心円状のグルーブ部と該グルーブ部間のランド部とから構成されるトラックを有する透明基板と、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｉ，及びＧｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む干渉層と、第１の保護層と、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、第２の保護層と、反射層とを順に積層した構成を具備する光学的情報記録媒体を用い、記録用光ビーム照射により、該グルーブ部及び該ランド部に異なる長さの記録マークを記録し、記録された情報を再生することを特徴とする光学的情報の記録再生方法。
  8. 渦巻き状または同心円状のグルーブ部と該グルーブ部間のランド部とから構成されるトラックを有する透明基板と、２００Ａ以下の厚さを有し、Ａｕ，Ａｇ，及びＣｕからなる群から選択される少なくとも１種を含む干渉層と、０．２ないし０．４５（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第１の保護層と、３５０Ａ以下の厚さを有し、ＧｅＳｂＴｅから実質的になり、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、０．０４ないし０．４（λ／ｎ）または０．５２ないし０．９２（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第２の保護層と、５００Ａ以上の厚さを有し、Ａｌ合金から実質的になる反射層とを順に積層した構成を具備する記録媒体を用い、記録用光ビーム照射により、該ランド部及び該グルーブ部に異なる長さの記録マークを記録し、記録された情報を再生することを特徴とする光学的情報の記録再生方法。
  9. 渦巻き状または同心円状のグルーブ部と該グルーブ部間のランド部とから構成されるトラックを有する透明基板と、４００ないし７５０Ａの厚さを有し、Ｓｉ及びＧｅのうち１種を含む干渉層と、０．３ないし０．５（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第１の保護層と、３５０Ａ以下の厚さを有し、ＧｅＳｂＴｅから実質的になり、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、０．０４ないし０．４（λ／ｎ）、または０．５２ないし０．９２（λ／ｎ）の厚さを有し、ＺｎＳ：ＳｉＯ2 から実質的になる第２の保護層と、５００Ａ以上の厚さを有し、Ａｌ合金から実質的になる反射層とを順に積層した構成をもつ記録媒体を用い、該ランド部及び該グルーブ部に、記録用光ビーム照射により異なる長さの記録マークを記録し、記録された情報を再生することを特徴とする光学的情報の記録再生方法。
  10. ０．１４〜０．２λ／ｎ、または０．２５〜０．４λ／ｎの深さを有する渦巻き状または同心円状のグルーブ部と該グルーブ部間のランド部とから構成されるトラックを有する透明基板と、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｉ，及びＧｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む干渉層と、第１の保護層と、記録用光ビーム照射により原子配列の変化を生じてその光学的特性が変化し得る相変化型記録層と、第２の保護層と、反射層とを順に積層した構成を具備し、前記ランド部と前記グルーブ部の反射率変化量が近付くよう前記干渉層及び前記第１の保護層の厚さが調整され、かつ相変化された部分と相変化されない部分の位相差が、±４５度以下である記録媒体を用い、前記ランド部及びグルーブ部に、記録用光ビーム照射により異なる長さの記録マークを記録し、記録された情報を再生する光学的情報の記録再生方法。
JP30441797A 1997-11-06 1997-11-06 光学的情報記録媒体及び記録再生方法 Pending JPH11144319A (ja)

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