JPH11145256A - 薄型基板検出装置 - Google Patents
薄型基板検出装置Info
- Publication number
- JPH11145256A JPH11145256A JP21323298A JP21323298A JPH11145256A JP H11145256 A JPH11145256 A JP H11145256A JP 21323298 A JP21323298 A JP 21323298A JP 21323298 A JP21323298 A JP 21323298A JP H11145256 A JPH11145256 A JP H11145256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- thin substrate
- light receiving
- lens
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 25
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 照射手段の構成の簡素化を図ること。
【解決手段】 照射手段１１は、発光源１１ａと、発光
源１１ａの光Ｌ１が入射され、薄型基板２の厚さ方向ｔ
に集束しかつ薄型基板２の幅方向ｗに発散する扇形状の
光線束Ｌ２を生成し、この光線束Ｌ２によって薄型基板
外縁端面２１を照射するレンズ１１ｂとを備える。受光
手段１２は、照射手段１１を挟んで配置される一対の受
光部１２Ａ、１２Ａからなる。
源１１ａの光Ｌ１が入射され、薄型基板２の厚さ方向ｔ
に集束しかつ薄型基板２の幅方向ｗに発散する扇形状の
光線束Ｌ２を生成し、この光線束Ｌ２によって薄型基板
外縁端面２１を照射するレンズ１１ｂとを備える。受光
手段１２は、照射手段１１を挟んで配置される一対の受
光部１２Ａ、１２Ａからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ又は
ガラス基板等薄型基板の有無を検出する薄型基板検出装
置に関する。
ガラス基板等薄型基板の有無を検出する薄型基板検出装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】搬送ロボットを用いて薄型基板を搬送す
るシステムの一例として、薄型基板の外縁端面を照射す
る照射手段と、薄型基板外縁端面の反射光を受光可能な
受光手段とを備え、受光手段における反射光の受光の有
無に基づいて薄型基板の有無を検出する薄型基板検出装
置を用い、この薄型基板検出装置によって搬送すべき薄
型基板の存在を確認した上で、搬送ロボットによる当該
薄型基板の搬送を実行するシステムが知られている。
るシステムの一例として、薄型基板の外縁端面を照射す
る照射手段と、薄型基板外縁端面の反射光を受光可能な
受光手段とを備え、受光手段における反射光の受光の有
無に基づいて薄型基板の有無を検出する薄型基板検出装
置を用い、この薄型基板検出装置によって搬送すべき薄
型基板の存在を確認した上で、搬送ロボットによる当該
薄型基板の搬送を実行するシステムが知られている。
【０００３】ここで、従来の薄型基板検出装置は、照射
手段及び受光手段が二組からなり、一方の照射手段によ
って薄型基板外縁端面の所定位置を照射しこのときの薄
型基板外縁端面の反射光を一方の受光手段によって受光
するとともに、他方の照射手段によって薄型基板外縁端
面の上記所定位置とは異なる所定位置を照射しこのとき
の薄型基板外縁端面の反射光を他方の受光手段によって
受光するよう構成されている。
手段及び受光手段が二組からなり、一方の照射手段によ
って薄型基板外縁端面の所定位置を照射しこのときの薄
型基板外縁端面の反射光を一方の受光手段によって受光
するとともに、他方の照射手段によって薄型基板外縁端
面の上記所定位置とは異なる所定位置を照射しこのとき
の薄型基板外縁端面の反射光を他方の受光手段によって
受光するよう構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄型基板検出装置によると、照射手段に、薄型基板外縁
端面の互いに異なる二つの位置を照射する機能を与えて
いることから、照射手段の構成が煩雑になり易いという
問題がある。
薄型基板検出装置によると、照射手段に、薄型基板外縁
端面の互いに異なる二つの位置を照射する機能を与えて
いることから、照射手段の構成が煩雑になり易いという
問題がある。
【０００５】本発明は、上記問題点にかんがみ、照射手
段の構成の簡素化を図ることができる薄型基板検出装置
を提供することを主な目的とする。
段の構成の簡素化を図ることができる薄型基板検出装置
を提供することを主な目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄型基板検出装
置は、薄型基板の外縁端面を照射する照射手段と、前記
薄型基板外縁端面の反射光を受光可能な受光手段とを備
え、前記受光手段における前記反射光の受光の有無に基
づいて薄型基板の有無を検出する薄型基板検出装置にお
いて、前記照射手段は、発光源と、前記発光源の光が入
射され、前記薄型基板の厚さ方向に集束しかつ前記薄型
基板の幅方向に発散する扇形状の光線束を生成し、この
光線束によって前記薄型基板外縁端面を照射するレンズ
とを備え、前記受光手段は、前記照射手段を挟んで配置
される複数の受光部からなることを特徴とする。
置は、薄型基板の外縁端面を照射する照射手段と、前記
薄型基板外縁端面の反射光を受光可能な受光手段とを備
え、前記受光手段における前記反射光の受光の有無に基
づいて薄型基板の有無を検出する薄型基板検出装置にお
いて、前記照射手段は、発光源と、前記発光源の光が入
射され、前記薄型基板の厚さ方向に集束しかつ前記薄型
基板の幅方向に発散する扇形状の光線束を生成し、この
光線束によって前記薄型基板外縁端面を照射するレンズ
とを備え、前記受光手段は、前記照射手段を挟んで配置
される複数の受光部からなることを特徴とする。
【０００７】ここで、前記薄型基板が、オリフラ又はノ
ッチを有する円板状の半導体ウエハである場合、前記照
射手段は、前記半導体ウエハに対し、その光軸が該半導
体ウエハの中心位置を通らないよう配置され、前記受光
手段の複数の受光部のうち両端の受光部は、前記半導体
ウエハのオリフラの一端が前記照射手段の光軸上に位置
する場合であっても、反射光の受光が可能な範囲に配置
されることが好ましい。
ッチを有する円板状の半導体ウエハである場合、前記照
射手段は、前記半導体ウエハに対し、その光軸が該半導
体ウエハの中心位置を通らないよう配置され、前記受光
手段の複数の受光部のうち両端の受光部は、前記半導体
ウエハのオリフラの一端が前記照射手段の光軸上に位置
する場合であっても、反射光の受光が可能な範囲に配置
されることが好ましい。
【０００８】また、当該薄型基板検出装置は、搬送ロボ
ットに設けられることが望ましい。
ットに設けられることが望ましい。
【０００９】
【発明の作用効果】本発明の薄型基板検出装置による
と、一つのレンズによって扇形状の光線束が生成されこ
の光線束が薄型基板外縁端面を照射するようになるた
め、照射手段の構成の簡素化を図ることができる。ま
た、薄型基板外縁端面を照射する光線束が薄型基板の幅
方向に広がりを有しているものであるため、薄型基板外
縁端面の反射光の広がり角度が大きく、このため、薄型
基板が基準位置から比較的大きくズレた位置にセットさ
れている場合であっても、受光手段が反射光を十分に受
光し得るようになり、検出率が増大する。さらに、薄型
基板外縁端面を照射する光線束が薄型基板の厚さ方向に
集束しているため、厚さ方向に隣接する他の薄型基板の
外縁端面を誤って照射し薄型基板を誤検出する不具合を
防止することができる。
と、一つのレンズによって扇形状の光線束が生成されこ
の光線束が薄型基板外縁端面を照射するようになるた
め、照射手段の構成の簡素化を図ることができる。ま
た、薄型基板外縁端面を照射する光線束が薄型基板の幅
方向に広がりを有しているものであるため、薄型基板外
縁端面の反射光の広がり角度が大きく、このため、薄型
基板が基準位置から比較的大きくズレた位置にセットさ
れている場合であっても、受光手段が反射光を十分に受
光し得るようになり、検出率が増大する。さらに、薄型
基板外縁端面を照射する光線束が薄型基板の厚さ方向に
集束しているため、厚さ方向に隣接する他の薄型基板の
外縁端面を誤って照射し薄型基板を誤検出する不具合を
防止することができる。
【００１０】また、薄型基板が、オリフラ又はノッチを
有する円板状の半導体ウエハである場合、照射手段を、
半導体ウエハに対し、その光軸が該半導体ウエハの中心
位置を通らないよう配置させる。これにより、照射手段
の光軸が半導体ウエハの中心位置を通るよう構成した場
合には、照射手段から発せられた光の多くが半導体ウエ
ハの外縁端面で反射されて照射手段に戻り受光手段の受
光量が減少するため検出率が低下する不具合が生じる
が、上記のように照射手段の光軸が半導体ウエハの中心
位置を通らないよう構成することにより、受光手段の受
光量が増大し、検出率の向上を図ることができる。特
に、半導体ウエハの外縁端面がＡｌ膜又はＳｉＯ2 膜等
でコーティングされ鏡面に近い状態にある場合に有効で
ある。
有する円板状の半導体ウエハである場合、照射手段を、
半導体ウエハに対し、その光軸が該半導体ウエハの中心
位置を通らないよう配置させる。これにより、照射手段
の光軸が半導体ウエハの中心位置を通るよう構成した場
合には、照射手段から発せられた光の多くが半導体ウエ
ハの外縁端面で反射されて照射手段に戻り受光手段の受
光量が減少するため検出率が低下する不具合が生じる
が、上記のように照射手段の光軸が半導体ウエハの中心
位置を通らないよう構成することにより、受光手段の受
光量が増大し、検出率の向上を図ることができる。特
に、半導体ウエハの外縁端面がＡｌ膜又はＳｉＯ2 膜等
でコーティングされ鏡面に近い状態にある場合に有効で
ある。
【００１１】また、受光手段の複数の受光部のうち両端
の受光部を、半導体ウエハのオリフラの一端が照射手段
の光軸上に位置する場合、換言すると、オリフラによっ
て受光手段の受光量が最小となり得る場合であっても、
反射光の受光が可能な範囲に配置させることにより、薄
型基板検出装置に対する半導体ウエハの位置関係がいか
なる場合、例えば、半導体ウエハと薄型基板検出装置と
の間の距離（ワーキングディスタンスＷ・Ｄ）やオリフ
ラの位置が一定でなくても、反射光を受光可能なため半
導体ウエハの有無の検出率を向上させることができる。
の受光部を、半導体ウエハのオリフラの一端が照射手段
の光軸上に位置する場合、換言すると、オリフラによっ
て受光手段の受光量が最小となり得る場合であっても、
反射光の受光が可能な範囲に配置させることにより、薄
型基板検出装置に対する半導体ウエハの位置関係がいか
なる場合、例えば、半導体ウエハと薄型基板検出装置と
の間の距離（ワーキングディスタンスＷ・Ｄ）やオリフ
ラの位置が一定でなくても、反射光を受光可能なため半
導体ウエハの有無の検出率を向上させることができる。
【００１２】また、当該薄型基板検出装置を搬送ロボッ
トに設けることにより、当該薄型基板検出装置を例えば
半導体ウエハを格納するカセット毎に設ける場合と比べ
次のような効果が生じる。すなわち、薄型基板検出装置
を半導体ウエハを格納するカセット毎に設ける場合に
は、カセットの個数に応じた数の薄型基板検出装置が必
要となり、設置スペースが拡大し、また、搬送すべき半
導体ウエハの位置に応じて薄型基板検出装置を移動させ
るための専用の駆動機構が必要となるが、当該薄型基板
検出装置を搬送ロボットに設けた場合には、当該薄型基
板検出装置を各カセットに対し共通に使用できることか
ら一つの薄型基板検出装置で足り、設置スペースが縮小
し、また、薄型基板検出装置を移動させるために搬送ロ
ボットの駆動機構を利用することができる。
トに設けることにより、当該薄型基板検出装置を例えば
半導体ウエハを格納するカセット毎に設ける場合と比べ
次のような効果が生じる。すなわち、薄型基板検出装置
を半導体ウエハを格納するカセット毎に設ける場合に
は、カセットの個数に応じた数の薄型基板検出装置が必
要となり、設置スペースが拡大し、また、搬送すべき半
導体ウエハの位置に応じて薄型基板検出装置を移動させ
るための専用の駆動機構が必要となるが、当該薄型基板
検出装置を搬送ロボットに設けた場合には、当該薄型基
板検出装置を各カセットに対し共通に使用できることか
ら一つの薄型基板検出装置で足り、設置スペースが縮小
し、また、薄型基板検出装置を移動させるために搬送ロ
ボットの駆動機構を利用することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１４】図１は、一実施形態に係る薄型基板検出装
置の基本的な構成を示す平面図、図２は、照射手段を示
す側面図である。
置の基本的な構成を示す平面図、図２は、照射手段を示
す側面図である。
【００１５】図１及び図２において、薄型基板検出装置
１は、薄型基板２（本実施例では半導体ウエハである
が、ガラス基板であってもよい）の外縁端面２１を照射
する照射手段１１と、薄型基板外縁端面２１の反射光を
受光可能な受光手段１２とを備え、受光手段１２におけ
る反射光の受光の有無に基づいて薄型基板２の有無を検
出するものである。
１は、薄型基板２（本実施例では半導体ウエハである
が、ガラス基板であってもよい）の外縁端面２１を照射
する照射手段１１と、薄型基板外縁端面２１の反射光を
受光可能な受光手段１２とを備え、受光手段１２におけ
る反射光の受光の有無に基づいて薄型基板２の有無を検
出するものである。
【００１６】照射手段１１は、発光源１１ａ（本実施例
では半導体レーザー）と、発光源１１ａの光Ｌ１が入射
され、薄型基板２の厚さ方向（図面に対し垂直な方向）
に集束しかつ薄型基板２の幅方向ｗに発散する扇形状の
光線束Ｌ２を生成し、この光線束Ｌ２によって薄型基板
外縁端面２１を照射するレンズ１１ｂ（本実施例では軸
線が水平面上かつ発光源１１ａの光Ｌ１の光軸に対し直
交するよう配された円柱形状のロッドレンズ）とを備え
る。また、照射手段１１は、不要な光をカットしノイズ
光を除去するための四角形状の絞り１１ｃを備える。
では半導体レーザー）と、発光源１１ａの光Ｌ１が入射
され、薄型基板２の厚さ方向（図面に対し垂直な方向）
に集束しかつ薄型基板２の幅方向ｗに発散する扇形状の
光線束Ｌ２を生成し、この光線束Ｌ２によって薄型基板
外縁端面２１を照射するレンズ１１ｂ（本実施例では軸
線が水平面上かつ発光源１１ａの光Ｌ１の光軸に対し直
交するよう配された円柱形状のロッドレンズ）とを備え
る。また、照射手段１１は、不要な光をカットしノイズ
光を除去するための四角形状の絞り１１ｃを備える。
【００１７】受光手段１２は、照射手段１１を挟んで配
置される複数の受光部１２Ａ、１２Ａからなり、各受光
部１２Ａは、反射光Ｌ３を集光する集光レンズ１２ａと
集光レンズ１２ａによって集光された光Ｌ４を受光し電
気信号に変換する受光素子１２ｂとにより構成される。
また、各受光部１２Ａは、半導体レーザー１１ａのレー
ザー波長と同一波長域の光のみを透過し外光を除去する
ためのフィルター１２ｃを備える。
置される複数の受光部１２Ａ、１２Ａからなり、各受光
部１２Ａは、反射光Ｌ３を集光する集光レンズ１２ａと
集光レンズ１２ａによって集光された光Ｌ４を受光し電
気信号に変換する受光素子１２ｂとにより構成される。
また、各受光部１２Ａは、半導体レーザー１１ａのレー
ザー波長と同一波長域の光のみを透過し外光を除去する
ためのフィルター１２ｃを備える。
【００１８】本実施形態に係る薄型基板検出装置１によ
ると、一つのレンズ１１ｂによって扇形状の光線束Ｌ２
が生成されこの光線束Ｌ２が薄型基板外縁端面２１を照
射するようになるため、照射手段１１の構成の簡素化を
図ることができる。また、薄型基板外縁端面２１を照射
する光線束Ｌ２が薄型基板２の幅方向ｗに広がりを有し
ているものであるため、薄型基板外縁端面２１の反射光
Ｌ３の広がり角度が大きく、このため、薄型基板２が基
準位置（図１において実線で示す位置）から比較的大き
くズレた位置（例えば図１において二点鎖線で示す位
置）にセットされている場合であっても、受光手段１２
が反射光Ｌ３を十分に受光し得るようになり、検出率が
増大する。さらに、薄型基板外縁端面２１を照射する光
線束Ｌ２が薄型基板２の厚さ方向ｔに集束しているた
め、厚さ方向ｔに隣接する他の薄型基板の外縁端面を誤
って照射し薄型基板を誤検出する不具合を防止すること
ができる。
ると、一つのレンズ１１ｂによって扇形状の光線束Ｌ２
が生成されこの光線束Ｌ２が薄型基板外縁端面２１を照
射するようになるため、照射手段１１の構成の簡素化を
図ることができる。また、薄型基板外縁端面２１を照射
する光線束Ｌ２が薄型基板２の幅方向ｗに広がりを有し
ているものであるため、薄型基板外縁端面２１の反射光
Ｌ３の広がり角度が大きく、このため、薄型基板２が基
準位置（図１において実線で示す位置）から比較的大き
くズレた位置（例えば図１において二点鎖線で示す位
置）にセットされている場合であっても、受光手段１２
が反射光Ｌ３を十分に受光し得るようになり、検出率が
増大する。さらに、薄型基板外縁端面２１を照射する光
線束Ｌ２が薄型基板２の厚さ方向ｔに集束しているた
め、厚さ方向ｔに隣接する他の薄型基板の外縁端面を誤
って照射し薄型基板を誤検出する不具合を防止すること
ができる。
【００１９】また、当該薄型基板検出装置１を搬送ロボ
ット（図示せず）に設けるようにすると、当該薄型基板
検出装置１を例えば半導体ウエハを格納するカセット毎
に設ける場合と比べ次のような効果が生じる。すなわ
ち、半導体ウエハを格納するカセット毎に薄型基板検出
装置１を設ける場合には、カセットの個数に応じた数の
薄型基板検出装置１が必要となり、設置スペースが拡大
し、また、搬送すべき半導体ウエハの位置に応じて薄型
基板検出装置１を移動させるための専用の駆動機構が必
要となるが、当該薄型基板検出装置１を搬送ロボットに
設けた場合には、当該薄型基板検出装置１を各カセット
に対し共通に使用できることから一つの薄型基板検出装
置１で足り、設置スペースが縮小され、また、薄型基板
検出装置１を移動させるために搬送ロボットの駆動機構
を利用することができる。
ット（図示せず）に設けるようにすると、当該薄型基板
検出装置１を例えば半導体ウエハを格納するカセット毎
に設ける場合と比べ次のような効果が生じる。すなわ
ち、半導体ウエハを格納するカセット毎に薄型基板検出
装置１を設ける場合には、カセットの個数に応じた数の
薄型基板検出装置１が必要となり、設置スペースが拡大
し、また、搬送すべき半導体ウエハの位置に応じて薄型
基板検出装置１を移動させるための専用の駆動機構が必
要となるが、当該薄型基板検出装置１を搬送ロボットに
設けた場合には、当該薄型基板検出装置１を各カセット
に対し共通に使用できることから一つの薄型基板検出装
置１で足り、設置スペースが縮小され、また、薄型基板
検出装置１を移動させるために搬送ロボットの駆動機構
を利用することができる。
【００２０】なお、上述した実施形態では、レンズ１１
ｂとして円柱形状をしたロッドレンズを用いたが、断面
半円形状の柱状レンズなど、上記扇形状の光線束Ｌ２を
生成可能なレンズであればその形状は円柱形状に限定さ
れるものではない。
ｂとして円柱形状をしたロッドレンズを用いたが、断面
半円形状の柱状レンズなど、上記扇形状の光線束Ｌ２を
生成可能なレンズであればその形状は円柱形状に限定さ
れるものではない。
【００２１】図３は、本発明の他の実施形態に係る薄型
基板検出装置の平面図を示す。
基板検出装置の平面図を示す。
【００２２】図３において、薄型基板検出装置１は、ハ
ウジング１００に照射手段１１及び受光手段１２を配設
して構成される。
ウジング１００に照射手段１１及び受光手段１２を配設
して構成される。
【００２３】照射手段１１は、図１に示した照射手段１
１と同様、発光源１１ａ（半導体レーザー）と、発光源
１１ａの前方に配置され、発光源１１ａの光が入射さ
れ、半導体ウエハ２の厚さ方向（図面に対し垂直な方
向）に集束しかつ半導体ウエハ２の幅方向に発散する扇
形状の光線束を生成し、この光線束によって半導体ウエ
ハ外縁端面２１を照射するロッドレンズ、シリンドリカ
ルレンズ又はトロイダルレンズなど特殊なレンズ１１ｂ
とを備える。また、照射手段１１は、不要な光をカット
しノイズ光を除去するための四角形状の絞り１１ｃを備
える。
１と同様、発光源１１ａ（半導体レーザー）と、発光源
１１ａの前方に配置され、発光源１１ａの光が入射さ
れ、半導体ウエハ２の厚さ方向（図面に対し垂直な方
向）に集束しかつ半導体ウエハ２の幅方向に発散する扇
形状の光線束を生成し、この光線束によって半導体ウエ
ハ外縁端面２１を照射するロッドレンズ、シリンドリカ
ルレンズ又はトロイダルレンズなど特殊なレンズ１１ｂ
とを備える。また、照射手段１１は、不要な光をカット
しノイズ光を除去するための四角形状の絞り１１ｃを備
える。
【００２４】照射手段１１は、図３に示すように、扇形
状の光線束の光軸Ｌ２O が半導体ウエハ２の中心位置Ｏ
を通らないよう配置されている。これにより、照射手段
１１の光軸Ｌ２O が半導体ウエハ２の中心位置Ｏを通る
よう構成した場合には、照射手段１１から発せられた光
の多くが半導体ウエハ２の外縁端面２１で反射されて照
射手段１１に戻り受光手段１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１
２Ｄ、１２Ｅの受光量が減少するため検出率が低下する
不具合が生じるが、上記のように照射手段１１の光軸Ｌ
２O が半導体ウエハ２の中心位置Ｏを通らないよう構成
することにより、受光手段１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１
２Ｄ、１２Ｅの受光量が増大し、検出率の向上を図るこ
とができる。特に、半導体ウエハ２の外縁端面２１がＡ
ｌ膜又はＳｉＯ2 膜等でコーティングされ鏡面に近い状
態にある場合に有効となる。
状の光線束の光軸Ｌ２O が半導体ウエハ２の中心位置Ｏ
を通らないよう配置されている。これにより、照射手段
１１の光軸Ｌ２O が半導体ウエハ２の中心位置Ｏを通る
よう構成した場合には、照射手段１１から発せられた光
の多くが半導体ウエハ２の外縁端面２１で反射されて照
射手段１１に戻り受光手段１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１
２Ｄ、１２Ｅの受光量が減少するため検出率が低下する
不具合が生じるが、上記のように照射手段１１の光軸Ｌ
２O が半導体ウエハ２の中心位置Ｏを通らないよう構成
することにより、受光手段１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１
２Ｄ、１２Ｅの受光量が増大し、検出率の向上を図るこ
とができる。特に、半導体ウエハ２の外縁端面２１がＡ
ｌ膜又はＳｉＯ2 膜等でコーティングされ鏡面に近い状
態にある場合に有効となる。
【００２５】受光手段１２は、照射手段１１を挟んで配
置される複数の受光部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２
Ｄ、１２Ｅからなり、各受光部１２Ａ、１２Ｂ、１２
Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅは、反射光Ｌ３を集光する集光レン
ズ１２ａと集光レンズ１２ａによって集光された光Ｌ４
を受光し電気信号に変換する受光素子１２ｂとにより構
成される。また、各受光部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１
２Ｄ、１２Ｅは、必要に応じて、半導体レーザー１１ａ
のレーザー波長と同一波長域の光のみを透過し外光を除
去するためのフィルター１２ｃ（図１）を備える。
置される複数の受光部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２
Ｄ、１２Ｅからなり、各受光部１２Ａ、１２Ｂ、１２
Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅは、反射光Ｌ３を集光する集光レン
ズ１２ａと集光レンズ１２ａによって集光された光Ｌ４
を受光し電気信号に変換する受光素子１２ｂとにより構
成される。また、各受光部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１
２Ｄ、１２Ｅは、必要に応じて、半導体レーザー１１ａ
のレーザー波長と同一波長域の光のみを透過し外光を除
去するためのフィルター１２ｃ（図１）を備える。
【００２６】ここで、受光手段１２の複数の受光部１２
Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅのうち両端の受光
部１２Ａ、１２Ｅは、半導体ウエハ２のオリフラ２２の
一端２２ａが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に位置する場
合であっても、反射光Ｌ３の受光が可能な範囲に配置さ
れる。
Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅのうち両端の受光
部１２Ａ、１２Ｅは、半導体ウエハ２のオリフラ２２の
一端２２ａが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に位置する場
合であっても、反射光Ｌ３の受光が可能な範囲に配置さ
れる。
【００２７】すなわち、図４に実線で示すように、一方
の受光部１２Ａは、半導体ウエハ２のオリフラ２２の一
端２２ａが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に位置すると
き、該オリフラ２２の端部２２ａから垂直に伸ばした仮
想線ＶＬと受光部１２Ａの光軸Ｌ３とのなす角度θ1
が、該仮想線ＶＬと照射手段１１の光軸Ｌ２O とのなす
角度θ2 と一致するよう配置され、また、他方の受光部
１２Ｅは、図４に破線で示すように、半導体ウエハ２の
オリフラ２２の一端２２ｂが照射手段１１の光軸Ｌ２O
上に位置するとき、該オリフラ２２の端部２２ｂから垂
直に伸ばした仮想線ＶＬと受光部１２Ｅの光軸Ｌ３との
なす角度θ1 ’が、該仮想線ＶＬと照射手段１１の光軸
Ｌ２O とのなす角度θ2 ’と一致するよう配置される。
の受光部１２Ａは、半導体ウエハ２のオリフラ２２の一
端２２ａが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に位置すると
き、該オリフラ２２の端部２２ａから垂直に伸ばした仮
想線ＶＬと受光部１２Ａの光軸Ｌ３とのなす角度θ1
が、該仮想線ＶＬと照射手段１１の光軸Ｌ２O とのなす
角度θ2 と一致するよう配置され、また、他方の受光部
１２Ｅは、図４に破線で示すように、半導体ウエハ２の
オリフラ２２の一端２２ｂが照射手段１１の光軸Ｌ２O
上に位置するとき、該オリフラ２２の端部２２ｂから垂
直に伸ばした仮想線ＶＬと受光部１２Ｅの光軸Ｌ３との
なす角度θ1 ’が、該仮想線ＶＬと照射手段１１の光軸
Ｌ２O とのなす角度θ2 ’と一致するよう配置される。
【００２８】このように両端の受光部１２Ａ、１２Ｅを
配置させることにより、半導体ウエハ２のオリフラ２２
の一端２２ａ、２２ｂが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に
位置する場合、換言すると、オリフラ２２によって受光
手段１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅ全体とし
ての受光量が最小となり得る場合であっても、半導体ウ
エハ２の有無を検出可能となり、また、オリフラ２２の
端部２２ａ、２２ｂが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に位
置していない場合には、両端の受光部１２Ａ、１２Ｅの
内側に位置する他の受光部１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄの受
光量が増大するため、これらの受光部１２Ｂ、１２Ｃ、
１２Ｄによって半導体ウエハ２の有無を検出できる。
配置させることにより、半導体ウエハ２のオリフラ２２
の一端２２ａ、２２ｂが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に
位置する場合、換言すると、オリフラ２２によって受光
手段１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅ全体とし
ての受光量が最小となり得る場合であっても、半導体ウ
エハ２の有無を検出可能となり、また、オリフラ２２の
端部２２ａ、２２ｂが照射手段１１の光軸Ｌ２O 上に位
置していない場合には、両端の受光部１２Ａ、１２Ｅの
内側に位置する他の受光部１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄの受
光量が増大するため、これらの受光部１２Ｂ、１２Ｃ、
１２Ｄによって半導体ウエハ２の有無を検出できる。
【図１】本発明の一実施形態に係る薄型基板検出装置の
基本的な構成を示す平面図である。
基本的な構成を示す平面図である。
【図２】照射手段の構成を示す側面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る薄型基板検出装置
の平面図である。
の平面図である。
【図４】同装置において、半導体ウエハと両端の受光部
との位置関係を説明するための説明図である。
との位置関係を説明するための説明図である。
１ 薄型基板検出装置 １１ 照射手段 １１ａ 発光源（半導体レーザー） １１ｂ レンズ １１ｃ 絞り １２ 受光手段 １２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１２Ｅ 受光部 １２ａ 集光レンズ １２ｂ 受光素子 １２ｃ フィルタ ２ 薄型基板（半導体ウエハ又はガラス基板） ２１ 外縁端面 ２２ オリフラ ２２ａ、２２ｂ 端部 Ｌ１ 発光源の光 Ｌ２ 扇形状の光線束 Ｌ２O 光軸 Ｌ３ 反射光 Ｌ４ 集光レンズにより集光された光 Ｏ 半導体ウエハの中心位置 ＶＬ 仮想線 θ1 、θ1 ’ オリフラの端部から垂直に伸ばした仮
想線と受光部の光軸とのなす角度 θ2 、θ2 ’ 仮想線と照射手段の光軸とのなす角度 ｗ 薄型基板の幅方向 ｔ 薄型基板の厚さ方向
想線と受光部の光軸とのなす角度 θ2 、θ2 ’ 仮想線と照射手段の光軸とのなす角度 ｗ 薄型基板の幅方向 ｔ 薄型基板の厚さ方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 征之助 愛知県尾西市北今字定納28番地 株式会社 メックス内
Claims (7)
- 【請求項１】 薄型基板の外縁端面を照射する照射手段
と、前記薄型基板外縁端面の反射光を受光可能な受光手
段とを備え、前記受光手段における前記反射光の受光の
有無に基づいて薄型基板の有無を検出する薄型基板検出
装置において、 前記照射手段は、発光源と、前記発光源の光が入射さ
れ、前記薄型基板の厚さ方向に集束しかつ前記薄型基板
の幅方向に発散する扇形状の光線束を生成し、この光線
束によって前記薄型基板外縁端面を照射するレンズとを
備え、 前記受光手段は、前記照射手段を挟んで配置される複数
の受光部からなることを特徴とする薄型基板検出装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記薄型基板は、オリフラ又はノッチを有する円板状の
半導体ウエハであり、 前記照射手段は、前記半導体ウエハに対し、その光軸が
該半導体ウエハの中心位置を通らないよう配置され、 前記受光手段の複数の受光部のうち両端の受光部は、前
記半導体ウエハのオリフラの一端が前記照射手段の光軸
上に位置する場合であっても、反射光の受光が可能な範
囲に配置されることを特徴とする薄型基板検出装置。 - 【請求項３】 請求項２において、 前記受光手段の複数の受光部のうち両端の受光部は、前
記半導体ウエハのオリフラの一端が前記照射手段の光軸
上に位置するとき、該オリフラの端部から垂直に伸ばし
た仮想線と受光部の光軸とのなす角度が、該仮想線と前
記照射手段の光軸とのなす角度と一致するよう配置され
ることを特徴とする薄型基板検出装置。 - 【請求項４】 請求項１、請求項２、請求項３のいずれ
かにおいて、当該薄型基板検出装置は搬送ロボットに設
けられることを特徴とする薄型基板検出装置。 - 【請求項５】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４のいずれかにおいて、前記発光源は半導体レーザーに
より構成され、前記レンズはロッドレンズにより構成さ
れ、前記各受光部は、前記反射光を集光する集光レンズ
と前記集光レンズによって集光された光を受光し電気信
号に変換する受光素子とにより構成されることを特徴と
する薄型基板検出装置。 - 【請求項６】 請求項５において、前記受光部は、前記
半導体レーザーのレーザー波長と同一波長域の光のみを
透過可能なフィルターを備えることを特徴とする薄型基
板検出装置。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６において、前記照
射手段は、四角形状の絞りを備えることを特徴とする薄
型基板検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21323298A JPH11145256A (ja) | 1997-09-08 | 1998-07-28 | 薄型基板検出装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24299897 | 1997-09-08 | ||
| JP9-242998 | 1997-09-08 | ||
| JP21323298A JPH11145256A (ja) | 1997-09-08 | 1998-07-28 | 薄型基板検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145256A true JPH11145256A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=26519674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21323298A Pending JPH11145256A (ja) | 1997-09-08 | 1998-07-28 | 薄型基板検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145256A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6130437A (en) * | 1998-04-24 | 2000-10-10 | Hama Sensors, Inc. | Sensor and detection system having wide diverging beam optics |
| US6346988B1 (en) | 1997-08-01 | 2002-02-12 | Hama Sensors, Inc. | Laser position array optical measuring system and method |
| JP2002098586A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-05 | Sunx Ltd | 反射型センサ |
| US6423978B1 (en) | 1999-07-16 | 2002-07-23 | Sunx Limited | System for detecting disk-shaped object such as semiconductor wafer or magnetic disk |
-
1998
- 1998-07-28 JP JP21323298A patent/JPH11145256A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346988B1 (en) | 1997-08-01 | 2002-02-12 | Hama Sensors, Inc. | Laser position array optical measuring system and method |
| US6130437A (en) * | 1998-04-24 | 2000-10-10 | Hama Sensors, Inc. | Sensor and detection system having wide diverging beam optics |
| US6392247B1 (en) | 1998-04-24 | 2002-05-21 | Hama Sensors, Inc. | Sensor and detection system having wide diverging beam optics |
| US6423978B1 (en) | 1999-07-16 | 2002-07-23 | Sunx Limited | System for detecting disk-shaped object such as semiconductor wafer or magnetic disk |
| JP2002098586A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-05 | Sunx Ltd | 反射型センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5185756B2 (ja) | 基板検出装置および方法 | |
| JP2012154806A (ja) | レーザレーダおよび受光装置 | |
| US6384944B1 (en) | Integral transmitter-receiver optical communication apparatus | |
| US6392247B1 (en) | Sensor and detection system having wide diverging beam optics | |
| US5523844A (en) | Displacement detection apparatus | |
| JP4303120B2 (ja) | 半導体ウェハキャリア用マッピングセンサ | |
| JPH11145256A (ja) | 薄型基板検出装置 | |
| JP4127579B2 (ja) | 光波距離計 | |
| JP2003065711A (ja) | 基板の検出装置及び半導体製造装置 | |
| JPH08194061A (ja) | 光レーダ装置及び光レーダ装置の調整方法 | |
| JP4421252B2 (ja) | レーザ光送受光装置 | |
| JP4426130B2 (ja) | 透過型光電センサ | |
| JP4473497B2 (ja) | 光学式間隔スイッチならびに該光学式間隔スイッチを使用して構成素子を基板に取り付けるための取り付けヘッド、自動取り付け機械および方法 | |
| CN114858705A (zh) | 用于改进对准的光学检测系统 | |
| JPS60149985A (ja) | 光波測距装置 | |
| JPH11145254A (ja) | 基板角度位置検出装置 | |
| JPH10135306A (ja) | 基板検出装置とそれを用いた基板搬送用アーム | |
| JP2003114148A (ja) | 光検出装置 | |
| CN112119324A (zh) | 距离测定装置 | |
| JP2576711B2 (ja) | 半導体ウェーハ有無識別装置 | |
| JP2005251682A (ja) | 反射型光電スイッチの配置方法 | |
| US20220146672A1 (en) | Laser radar | |
| JP4277458B2 (ja) | ウェハ検出用センサ | |
| JP2000284210A (ja) | 光走査装置 | |
| JP2783806B2 (ja) | 光出力モニタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040916 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040916 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041117 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041117 |