JPH11145263A

JPH11145263A - 処理装置

Info

Publication number: JPH11145263A
Application number: JP9305692A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Sakai; 光広坂井; Tsutae Omori; 伝大森; Kazuhiko Murata; 和彦村田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1997-11-07
Filing date: 1997-11-07
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】レジスト膜の膜厚が不均一になるという塗膜
不良を生じることのない塗布装置を提供する。【解決手段】ガラス基板Ｇを保持しながら回転するチ
ャック８０の保持面８０ａ上において、この保持面８０
ａの同心円上の正方形の４つの頂点の位置に吸引孔８１
を配設し、ガラス基板Ｇに対して吸引力の作用する部分
を４箇所に分散配置させた。その結果、一つの吸引孔８
１の直径を小さくすることができる。また、これに伴な
い、一つの吸引孔８１について吸引力の影響による温度
の低下が抑えられた結果、レジスト膜の膜厚が吸引孔８
１の位置だけ部分的に厚くなることが防止され、膜厚の
不均一化という塗膜不良が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤの製
造工程においてＬＣＤ用ガラス基板などの被処理基板を
保持しながら洗浄する洗浄装置や、被処理基板上にレジ
スト液を滴下、塗布する塗布装置などの被処理基板を保
持して処理する処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より塗布現像装置では、キャリアカ
セット内に収容されたＬＣＤ用ガラス基板（以下、「ガ
ラス基板」と略記す）などの被処理基板を取り出して洗
浄、乾燥、レジスト塗布、乾燥、露光、現像など各種の
処理を施しており、これら各種工程を行なうための処理
ユニットをいくつも搭載している。

【０００３】ところで、上記処理ユニットの中には洗浄
装置やレジスト塗布装置など被処理基板を回転させなが
ら処理を行なうものがあり、これらの処理ユニットで
は、被処理体を保持しながらチャックの保持面上に被処
理体を吸着保持する構造となっている。

【０００４】図１１は従来の塗布装置や洗浄装置に用い
られるチャックの構造を示した垂直断面図である。

【０００５】図１１に示すように、チャック１００の保
持面の中心には貫通した吸引孔１０１が設けられてい
る。この吸引孔１０１はチャック１００の内部に設けら
れた吸引路１０２と接続され、吸引路１０２の他端側は
図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプによ
り真空引きされてチャック１００上に載置された被処理
基板を保持板上に吸着保持するようになっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示したような従来型のチャック１００では、被処理基
板のうち、チャック１００上の吸引孔１０１の真上の位
置の一点に吸引力が作用する。吸引されて気圧が下がっ
た吸引路１０２内の温度は低下するため、被処理基板の
うち、吸引孔１０１の真上の位置の一点の温度が他の部
分より低くなり、レジスト塗布工程において他の部分よ
り塗布液が多量に付着して塗膜が厚くなる。その結果、
塗膜が不均一になるという塗膜不良を生じるという問題
がある。

【０００７】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、レジスト膜の膜厚が不均一になると
いう塗膜不良を生じることのない塗布装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載の本発明の処理装置は、被処理基板保
持面に露出する複数の吸引孔を分散配置し、この面で被
処理基板を保持するチャックと、前記吸引孔に連通する
吸引路と、前記吸引路から吸引する手段と、を具備す
る。

【０００９】請求項２記載の本発明の処理装置は、請求
項１に記載の処理装置であって、前記吸引口は、被処理
基板の温度変化を抑制する大きさに形成されていること
を特徴とする。

【００１０】請求項３記載の本発明の処理装置は、請求
項１に記載の処理装置であって、前記吸引孔が、直径１
ｍｍの丸孔であることを特徴とする。

【００１１】請求項４記載の本発明の処理装置は、請求
項１〜３のいずれかに記載の処理装置であって、前記吸
引孔が、チャックの保持面の同心円上の位置に複数設け
られていることを特徴とする。

【００１２】請求項５記載の本発明の処理装置は、請求
項１〜３のいずれかに記載の処理装置であって、前記吸
引孔が、チャックの保持面の同心円上の位置に複数箇所
及び面の中心に設けられていることを特徴とする。

【００１３】請求項６記載の本発明の処理装置は、請求
項１〜３のいずれかに記載の処理装置であって、前記吸
引孔が、チャックの保持面の同心円上かつ正方形をなす
４箇所の位置に設けられていることを特徴とする。

【００１４】請求項１の処理装置では、被処理基板とチ
ャックの保持面との間に吸引力を作用させるための吸引
孔を複数設け、チャックの保持面上に分散配置したの
で、被処理基板の温度が部分的に低下してレジスト膜の
膜厚が不均一になるという塗膜不良が防止される。

【００１５】請求項２の処理装置では、請求項１に記載
の処理装置において、前記吸引口が、被処理基板の温度
変化を抑制する大きさに形成されているので、吸引孔に
作用する吸引力の影響で起こる温度変化が抑制され、被
処理基板の温度が部分的に低下してレジスト膜の膜厚が
不均一になるという塗膜不良が防止される。

【００１６】請求項３の処理装置では、請求項１に記載
の処理装置において、吸引孔として、直径１ｍｍの丸孔
としたので、吸引孔に作用する吸引力の影響で温度低下
する割合が少なくなり、被処理基板の温度が部分的に低
下してレジスト膜の膜厚が不均一になるという塗膜不良
が防止される。

【００１７】請求項４の処理装置では、請求項１〜３の
いずれかに記載の処理装置において、吸引孔をチャック
の保持面の同心円の位置に複数設けたので、被処理基板
の温度が部分的に低下してレジスト膜の膜厚が不均一に
なるという塗膜不良が防止される。

【００１８】請求項５の処理装置では、請求項１〜３の
いずれかに記載の処理装置において、前記吸引孔が、チ
ャックの保持面の同心円上の位置に複数箇所及び面の中
心に設けたので、被処理基板の温度が部分的に低下して
レジスト膜の膜厚が不均一になるという塗膜不良が防止
される。

【００１９】請求項６の処理装置では、請求項１〜３の
いずれかに記載の処理装置において、前記吸引孔が、チ
ャックの保持面の同心円上かつ正方形をなす４箇所の位
置に設けたので、被処理基板の温度が部分的に低下して
レジスト膜の膜厚が不均一になるという塗膜不良が防止
される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態の詳細
を図面に基いて説明する。

【００２１】図１は本発明の一実施形態に係るＬＣＤ用
ガラス基板の塗布・現像装置１の斜視図である。

【００２２】この塗布・現像装置１では、その一端側に
カセットステーション３が設けられている。

【００２３】このカセットステーション３には長方形を
なす被処理体としてのＬＣＤ用ガラス基板Ｇを収容した
複数のカセット２が載置されている。

【００２４】カセットステーション３のカセット２の正
面側にはガラス基板Ｇの搬送及び位置決めを行うと共
に、ガラス基板Ｇを保持してメインアーム４との間で受
け渡しを行うための補助アーム５が設けられている。二
機のメインアーム４は、塗布・現像装置１の中央部を長
手方向に移動可能に直列に配置されており、その搬送路
の両側には、ガラス基板Ｇに対して各処理を行うための
各種処理ユニットが配置されている。

【００２５】この塗布・現像装置１では、カセットステ
ーション３側の側方には、ガラス基板Ｇをブラシ洗浄す
るためのブラシスクラバ７及び高圧ジェット水により洗
浄を施すための高圧ジェット洗浄ユニット８等が並設さ
れている。

【００２６】また、メインアーム４の搬送路を挟んで反
対側に二機の現像ユニット６が並設され、その隣りに二
機の加熱ユニット９が積み重ねて設けられている。

【００２７】これら各機器の側方には、接続用インタフ
ェースユニット１０を介して、ガラス基板Ｇにレジスト
を塗布する前にガラス基板Ｇを疎水処理するアドヒージ
ョンユニット１１が設けられ、このアドヒージョンユニ
ット１１の下方には冷却ユニット１２が配置されてい
る。また、これらアドヒージョンユニット１１及び冷却
ユニット１２の側方に４個の加熱ユニット１３が二列に
二個づつ積み重ねて配置される。メインアーム４の搬送
路を挟んで反対側にはガラス基板Ｇにレジストを塗布す
ることによってガラス基板Ｇの表面にレジスト膜（感光
膜）を形成するレジスト塗布ユニット１４が配置されて
いる。

【００２８】図示はしないが、レジスト塗布ユニット１
４の側部には、ガラス基板Ｇ上に形成された感光膜に所
定の微細パターンを露光するための露光装置等が設けら
れる。メインアーム４は、図示されたＸ軸、Ｙ軸、Ｚ
軸の各方向に移動するためのＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機
構、およびＺ軸駆動機構を備えており、更に、Ｚ軸を中
心に回転するθ回転駆動機構を備えている。このメイン
アーム４が塗布・現像装置１の中央通路に沿って適宜走
行して、各処理ユニット６，９，１１〜１４の間でガラ
ス基板Ｇを搬送する。メインアーム４は、各処理ユニッ
ト６，９，１１〜１４内に処理前のガラス基板Ｇを搬入
し、また、各処理ユニット６，９，１１〜１４内から処
理後のガラス基板Ｇを搬出する。

【００２９】図２はレジスト塗布ユニット１４をＸ方向
に平行な平面で切断した場合の垂直断面図、図３はレジ
スト塗布ユニット１４の平面図である。

【００３０】次に、本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット１４について説明する。

【００３１】このレジスト塗布ユニット１４の中央部に
は環状の塗布部本体４９と、その内側にカップＣΡが配
設され、カップＣΡの内側にはチャック８０が配置され
ている。チャック８０は真空吸着によってガラス基板Ｇ
を固定保持した状態で駆動モータ５１によって回転駆動
される。

【００３２】駆動モータ５１は、歯車列８２を介して回
転軸８１に回転駆動力を伝達するようになっており、回
転軸８１は昇降機構８２により図中上下方向に昇降する
ようになっている。また、回転軸の内部には真空引きす
るための配管（図示省略）が配設されており、この配管
の上端はチャック表面に配設した吸引孔と連通してい
る。一方、この配管の下端は真空ポンプなどの吸引機構
と接続されており、この下端側から真空引きすることに
よりチャック表面の吸引孔から真空を作用させることが
できるようになっている。

【００３３】ガラス基板Ｇ表面に塗布液としてのレジス
ト液を吐出するためのレジストノズル６０は、レジスト
ノズルスキャンアーム６１の先端部にノズル保持体（図
示省略）を介して取り付けられている。このレジストノ
ズルスキャンアーム６１は、ユニット底板５０の上に配
設された旋回機構６３，６４を介して配設されており、
これらの旋回機構６３，６４により水平面内を旋回でき
るようになっている。

【００３４】図３は、本実施形態に係るレジスト塗布ユ
ニット１４の概略平面図である。

【００３５】レジストノズルスキャンアーム６１は、レ
ジストノズル待機部６５に収納できるようになってい
る。

【００３６】さらに、レジストノズル待機部６５ではレ
ジストノズル６０の吐出口が溶媒雰囲気室に挿入され、
中で溶媒の雰囲気に晒されることで、レジストノズル６
０先端のレジスト液が固化または劣化しないようになっ
ている。

【００３７】また、図２に示すように、レジストノズル
６０は、レジスト供給管６６を介してレジスト塗布ユニ
ット１４の下方室内に配設されたレジスト液供給機構に
接続されている。

【００３８】図４は本実施形態に係るチャック８０の平
面図である。

【００３９】図４に示すように、チャック８０の保持面
８０ａ、即ち上面には４つの吸引孔８１が設けられてい
る。これらの吸引孔８１はチャック８０の保持面８０ａ
の同心円上にあり、かつ、４つの吸引孔８１はそれぞれ
正方形の４つの頂点に設けられている。

【００４０】これらの吸引孔８１の直径はいずれも１ｍ
ｍとなっており、紙面に垂直に設けられ、かつ、保持面
を貫通するように設けられている。

【００４１】図５は本実施形態に係るチャック８０の垂
直断面図である。

【００４２】図５に示すように、このチャック８０では
保持板８２にスリーブＳが取り付けられた構造となって
おり、このスリーブＳはボルト８３を介して保持板８２
の下面に固定されている。

【００４３】スリーブＳの内側側面８６には係合部（図
示省略）が形成されており、この係合部を介してスリー
ブＳとスピンドル８４とが係合するようになっている。

【００４４】スピンドル８４は図示しないモータの駆動
軸と結合しており、モータの回転駆動力をチャック８０
へ伝達する。

【００４５】スリーブＳとスピンドル８４とはスピンド
ル８４の回転方向に関して自由度がなく、スピンドルの
回転に伴なってスリーブＳ、ひいてはチャック８０全体
が回転するようになっている。一方、スリーブＳとスピ
ンドル８４の図中上下方向には自由度があり、保持板８
２にスリーブＳが固定されたチャック８０はスピンドル
８４に対して着脱可能に取り付けられている。

【００４６】保持部材８２の中心付近に設けられた吸引
孔８１の下には空間８５が形成されており、この空間８
５を介して４つの吸引孔８１は互いに連通している。

【００４７】この空間８５は保持部材８２の下面中央
部、スリーブＳの内面上部、及びスピンドル８４の上部
端面とで構成される。

【００４８】スピンドル８４には、上部端面の中心から
図中上下方向にわたって管状路８６が設けられており、
この管状路８６の上端は上記空間８５と連通している。
一方、この管状路８６のもう一方の端には図示しない真
空ポンプへと続く配管が接続されている。

【００４９】このため、上記４つの吸引孔８１は空間８
５、管状路８６を介して、真空ポンプへと続く配管と接
続されており、真空ポンプを作動させると、管状路８
６、空間８５内の空気が吸引されて真空に近い状態とな
り、上記吸引孔８１に吸引力が作用するようになってい
る。

【００５０】次に上記のように構成された塗布現像装置
１の動作を説明する。

【００５１】本実施形態のレジスト塗布ユニット１４を
備えた塗布現像装置１を起動すると、カセット２からガ
ラス基板Ｇが取り出され、メインアーム４により搬送さ
れ、レジスト塗布ユニット１４内のチャック８０上に載
置される。それと同時に図示しない真空ポンプが作動を
開始して真空配管内の空気を抜いてゆく。すると真空配
管内の気圧が下がり、スピンドル８４内の管状路８６、
空間８５、ひいては吸引孔８１に吸引力が作用して保持
面８０ａ上に載置されたガラス基板Ｇを吸着して保持面
８０ａ上に固定する。

【００５２】この状態で以下のレジスト塗布操作が行わ
れる。

【００５３】まず、チャック８０が回転してガラス基板
Ｇを回転させ始めると同時に図示しないシンナー吐出機
構が作動してガラス基板Ｇのほぼ中心真上の位置からシ
ンナーをガラス基板Ｇに吐出する。滴下されたシンナー
は遠心力によりガラス基板Ｇ表面全体に広がり、余分の
シンナーは遠心力で振り切られ除去される。

【００５４】次いで、レジストノズルスキャンアーム６
１が旋回してレジストノズル６０をガラス基板Ｇのほぼ
中心の真上の位置まで移動させ、この位置でレジストノ
ズル６０からレジスト液が滴下される。滴下されたレジ
スト液は前記シンナーと同様に遠心力によりガラス基板
Ｇ表面全体に広がり、余分のレジスト液は遠心力で振り
切られ除去される。

【００５５】次いで、ガラス基板Ｇはレジスト塗布ユニ
ット１４から取り出され、後続の処理ユニット、例えば
乾燥ユニットへと搬送される。

【００５６】本実施形態に係るレジスト塗布ユニットで
は、ガラス基板Ｇを保持しながら回転するチャック８０
の保持面８０ａ上において、この保持面８０ａの同心円
上の正方形の４つの頂点の位置に吸引孔８１を配設し、
ガラス基板Ｇに対して吸引力の作用する部分を４箇所に
分散配置させたので、一つの吸引孔８１の直径を小さく
することができる。また、これに伴ない、一つの吸引孔
８１について吸引力の影響による温度の低下が抑えられ
た結果、レジスト膜の膜厚が吸引孔８１の位置だけ部分
的に厚くなることが防止され、膜厚の不均一化という塗
膜不良が防止される。

【００５７】以下、上記実施形態に係る塗布現像装置で
レジスト塗布を行なった場合の具体的な実験の結果につ
いて説明する。

【００５８】上記実施形態の塗布ユニットを備えた塗布
現像装置でレジスト塗布を行なって得られたレジスト膜
の膜厚測定を行なった。

【００５９】図６は測定した膜厚データを表したチャー
トである。

【００６０】チャートの横軸はガラス基板Ｇの水平方向
の位置を表し、以下の測定ではガラス基板Ｇの直径方向
に沿って中心から左右両側に１０ｍｍずつ離れた範囲に
わたって膜厚を測定した。縦軸の膜厚の単位はオングス
トロームである。

【００６１】従って、チャート横軸の左端は中心から左
方向に１０ｍｍ離れた位置に対応し、図中矢印は中心
に、右端は中心から右方向に１０ｍｍ離れた位置にそれ
ぞれ対応する。

【００６２】図６のチャートから分かるように、測定範
囲の膜厚値の分布の幅は狭く、膜厚の最小値から最大値
までが１６８．２オングストロームの範囲内に収まって
いる。次に、比較のため、保持面の中心に直径２ｍｍ
の吸引孔が一つだけ設けられた従来のチャックを備えた
塗布ユニットを上記実施形態の塗布現像装置の塗布ユニ
ットと取換えて、上記実験と同じ条件でレジスト塗布を
行ない、得られたレジスト膜の膜厚測定を行なった。

【００６３】図７は測定した膜厚データを表したチャー
トである。

【００６４】図７のチャートから分かるように、測定範
囲の膜厚値の分布の幅は広く、膜厚の最小値から最大値
までが３９９．１オングストロームの範囲にわたってい
る。特に、矢印で示した中心部分での膜厚が最大とな
り、中心から離れるにつれて膜厚が薄くなっていること
が分かる。

【００６５】次に、本発明に係る塗布ユニットの変形例
１及び２についてそれぞれ説明する。図８は本発明の
塗布ユニットの変形例１に係るチャック９０の平面図で
ある。この変形例１では、チャックとして、保持面９
０ａの中心に直径２ｍｍの吸引孔９２を備え、保持面９
０ａの同心円上の正方形の４頂点の位置にそれぞれ直径
１ｍｍの吸引孔９２を備え、全体として５つの吸引孔を
有するチャック９０を備えた塗布ユニットを使用した以
外は上記実施形態の塗布現像装置と同じ装置でレジスト
塗布を行ない、得られたレジスト膜の膜厚測定を行なっ
た。

【００６６】図９は測定した膜厚データを表したチャー
トである。

【００６７】図９のチャートから分かるように、ガラス
基板Ｇ中心近傍での膜厚値の分布の幅は狭く、矢印で示
した中心の膜厚と、この中心の図中右側に隣接する膜厚
の薄い部分（チャート上の谷の部分）の膜厚の差が３３
３オングストロームの範囲内に収まっており、中心部分
だけが極端に膜厚が厚くなるのが防止されている。

【００６８】次に、変形例２では、チャックとして、保
持面の中心に設けた直径２ｍｍの吸引孔に多孔質の詰め
物をして中心の吸引孔を不完全な状態に塞いだものを用
いた以外は上記変形例１と同じ塗布現像装置でレジスト
塗布を行ない、得られたレジスト膜の膜厚測定を行なっ
た。

【００６９】図１０は測定した膜厚データを表したチャ
ートである。

【００７０】図１０のチャートから分かるように、測定
範囲の膜厚値の分布幅は上記従来のチャックを用いたも
のより狭く、膜厚の最小値から最大値までが３４２．３
オングストロームの範囲内に収まっている。

【００７１】また、上記変形例１の結果と比較するとチ
ャート全体の起伏が少なくなり、膜厚がより均一化され
ていることが分かる。

【００７２】なお、本発明は上述した実施形態には限定
されない。

【００７３】例えば、上記実施形態や実施例では、チャ
ックとして吸引孔を４つまたは５つ設けたものを用いた
が、６つ以上の吸引孔を設けたものでもよく、正方形の
頂点以外の位置に設けてもよい。

【００７４】また、上記実施形態では、一つの吸引路８
６に対して複数の吸引孔８１を配設したものについて説
明したが、吸引路も複数備え、各吸引孔８１に対して吸
引路を一つずつ接続した構造のものであってもよい。

【００７５】更に、上記実施形態や実施例では、塗布ユ
ニットを例にして説明したが、洗浄装置などの被処理基
板を固定保持するユニットであれば適用可能である。

【００７６】また、本発明は、ＬＣＤ用ガラス基板Ｇ以
外の被処理基板、例えば半導体ウエハにレジスト液やそ
の他の処理液を塗布する処理ユニットや洗浄するユニッ
トにも適用可能である。

【００７７】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の本
発明によれば、被処理基板とチャックの保持面との間に
吸引力を作用させるための吸引孔を複数設け、チャック
の保持面上に分散配置したので、被処理基板の温度が部
分的に低下してレジスト膜の膜厚が不均一になるという
塗膜不良が防止される。

【００７８】請求項２記載の本発明によれば、請求項１
に記載の処理装置において、前記吸引口が、被処理基板
の温度変化を抑制する大きさに形成されているので、吸
引孔に作用する吸引力の影響で起こる温度変化が抑制さ
れ、被処理基板の温度が部分的に低下してレジスト膜の
膜厚が不均一になるという塗膜不良が防止される。

【００７９】請求項３記載の本発明によれば、請求項１
に記載の処理装置において、吸引孔として、直径１ｍｍ
の丸孔としたので、吸引孔に作用する吸引力の影響で温
度低下する割合が少なくなり、被処理基板の温度が部分
的に低下してレジスト膜の膜厚が不均一になるという塗
膜不良が防止される。

【００８０】請求項４記載の本発明によれば、請求項１
〜３のいずれかに記載の処理装置において、吸引孔をチ
ャックの保持面の同心円の位置に複数設けたので、被処
理基板の温度が部分的に低下してレジスト膜の膜厚が不
均一になるという塗膜不良が防止される。

【００８１】請求項５記載の本発明によれば、請求項１
〜３のいずれかに記載の処理装置において、前記吸引孔
が、チャックの保持面の同心円上の位置に複数箇所及び
面の中心に設けたので、被処理基板の温度が部分的に低
下してレジスト膜の膜厚が不均一になるという塗膜不良
が防止される。

【００８２】請求項６記載の本発明によれば、請求項１
〜３のいずれかに記載の処理装置において、前記吸引孔
が、チャックの保持面の同心円上かつ正方形をなす４箇
所の位置に設けたので、被処理基板の温度が部分的に低
下してレジスト膜の膜厚が不均一になるという塗膜不良
が防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
を備えた塗布現像装置の平面図である。

【図２】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
の断面図である。

【図３】本発明の実施形態に係るレジスト塗布ユニット
の平面図である。

【図４】本発明の実施形態に係るチャックの平面図であ
る。

【図５】本発明の実施形態に係るチャックの垂直断面図
である。

【図６】本発明の実施形態に係る塗布現像装置で得られ
たレジスト膜の膜厚データを表したチャートである。

【図７】従来のチャックを備えた塗布現像装置で得られ
たレジスト膜の膜厚データを表したチャートである。

【図８】本発明の塗布ユニットの変形例１に係るチャッ
クの平面図である。

【図９】本発明の実施形態の変形例１に係る塗布現像装
置で得られたレジスト膜の膜厚データを表したチャート
である。

【図１０】本発明の実施形態の変形例２に係る塗布現像
装置で得られたレジスト膜の膜厚データを表したチャー
トである。

【図１１】従来のチャックの構造を示した垂直断面図で
ある。

【符号の説明】

Ｇガラス基板８０チャック８１吸引孔８５空間８６管状路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者村田和彦熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４東京エレクトロン九州株式会社大津事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板保持面に露出する複数の吸引
孔を分散配置し、この面で被処理基板を保持するチャッ
クと、前記吸引孔に連通する吸引路と、前記吸引路から吸引する手段と、を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の処理装置であって、前記吸引口は、被処理基板の温度変化を抑制する大きさ
に形成されていることを特徴とする処理装置。
【請求項３】請求項１に記載の処理装置であって、前記吸引孔が、直径１ｍｍの丸孔であることを特徴とす
る処理装置。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の処理装
置であって、前記吸引孔が、チャックの保持面の同心円上の位置に複
数設けられていることを特徴とする処理装置。
【請求項５】請求項１〜３のいずれかに記載の処理装
置であって、前記吸引孔が、チャックの保持面の同心円上の位置に複
数箇所及び面の中心に設けられていることを特徴とする
処理装置。
【請求項６】請求項１〜３のいずれかに記載の処理装
置であって、前記吸引孔が、チャックの保持面の同心円上かつ正方形
をなす４箇所の位置に設けられていることを特徴とする
処理装置。