JPH11145267A - 基板収納容器および基板処理方法 - Google Patents
基板収納容器および基板処理方法Info
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- JPH11145267A JPH11145267A JP9305218A JP30521897A JPH11145267A JP H11145267 A JPH11145267 A JP H11145267A JP 9305218 A JP9305218 A JP 9305218A JP 30521897 A JP30521897 A JP 30521897A JP H11145267 A JPH11145267 A JP H11145267A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子製造基板を汚染から防ぎ、収納し
た半導体素子製造基板上に形成させた半導体素子の静電
気破壊を防止する基板収納容器を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１を収納する基板収納容器
を構成するスロットプレート（Ａ）２の構成材料とし
て、アルミニウム合金母材（Ａ）４に、抵抗値１０6〜
１０10（Ω／ｓｑ．）に制御した半導電性セラミックス
膜５を被覆し、さらに、半導体ウエハ１と直接接触する
部位に、耐摩耗材料で且つ半導電性セラミックス膜５よ
り導電性を有するＳｉＣ膜６を被覆する。
た半導体素子製造基板上に形成させた半導体素子の静電
気破壊を防止する基板収納容器を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１を収納する基板収納容器
を構成するスロットプレート（Ａ）２の構成材料とし
て、アルミニウム合金母材（Ａ）４に、抵抗値１０6〜
１０10（Ω／ｓｑ．）に制御した半導電性セラミックス
膜５を被覆し、さらに、半導体ウエハ１と直接接触する
部位に、耐摩耗材料で且つ半導電性セラミックス膜５よ
り導電性を有するＳｉＣ膜６を被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子製造に
用いる半導体基板若しくは液晶基板等を収納する容器に
係わり、特に真空中で使用する基板収納容器に関する。
用いる半導体基板若しくは液晶基板等を収納する容器に
係わり、特に真空中で使用する基板収納容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空中で用いられる基板収納容器とし
て、化学蒸着（ＣＶＤ）によりダイヤモンドコーティン
グし、耐熱性及び耐薬品性を向上させたウエハキャリヤ
が特開平5-198664号公報に開示されている。
て、化学蒸着（ＣＶＤ）によりダイヤモンドコーティン
グし、耐熱性及び耐薬品性を向上させたウエハキャリヤ
が特開平5-198664号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイヤモンドコ
ーティングの基板収納装置は、電気的に絶縁物であり、
湿度が４５％前後と低い値で管理されているクリーンル
ーム内において数ｋＶに静電気帯電する。
ーティングの基板収納装置は、電気的に絶縁物であり、
湿度が４５％前後と低い値で管理されているクリーンル
ーム内において数ｋＶに静電気帯電する。
【０００４】この静電気帯電した基板収納容器に半導体
基板若しくは液晶基板を収納すると、基板が数ｋＶに帯
電し、帯電に伴う異物の付着や静電気放電電流による半
導体素子破壊の問題が生じる。
基板若しくは液晶基板を収納すると、基板が数ｋＶに帯
電し、帯電に伴う異物の付着や静電気放電電流による半
導体素子破壊の問題が生じる。
【０００５】一方、静電気帯電を防止する目的でポリプ
ロピレン、パーフロロ・アルコキシ・ビニル・エーテル
（ＰＦＡ）、高密度ポリエチレン、ポリ・エーテル・エ
ーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性材料を用いた
樹脂製基板収納容器に導電性カーボンパウダーを配合し
た基板収納容器が月刊誌『電子材料』１９９５年３月号
Ｐ１６３〜Ｐ１６７に記載されている。しかしながら導
電性カーボンを配合した樹脂製のものは、１０-5Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空状態にあるスパッタリング装置等のロー
ドロック室中で不純物ガスが放出され、基板に付着して
汚染をする。また、射出成型法で成型されるため、表面
に数十μｍレベルの凹凸があり、異物が蓄積される原因
となる。
ロピレン、パーフロロ・アルコキシ・ビニル・エーテル
（ＰＦＡ）、高密度ポリエチレン、ポリ・エーテル・エ
ーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性材料を用いた
樹脂製基板収納容器に導電性カーボンパウダーを配合し
た基板収納容器が月刊誌『電子材料』１９９５年３月号
Ｐ１６３〜Ｐ１６７に記載されている。しかしながら導
電性カーボンを配合した樹脂製のものは、１０-5Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空状態にあるスパッタリング装置等のロー
ドロック室中で不純物ガスが放出され、基板に付着して
汚染をする。また、射出成型法で成型されるため、表面
に数十μｍレベルの凹凸があり、異物が蓄積される原因
となる。
【０００６】また、高電圧下の処理で、数ｋＶに帯電し
た半導体基板若しくは液晶基板を、導電性の基板収納容
器に収納すると、基板と基板収納容器間で瞬時に放電
し、放電電流が数Ａに達するため、基板上の素子が静電
気破壊を起こす。
た半導体基板若しくは液晶基板を、導電性の基板収納容
器に収納すると、基板と基板収納容器間で瞬時に放電
し、放電電流が数Ａに達するため、基板上の素子が静電
気破壊を起こす。
【０００７】本発明の目的は、真空中で半導体基板若し
くは液晶基板を汚染から防止すると共に、半導体基板若
しくは液晶基板に帯電した静電気による素子の破壊を防
止することができる基板収納容器を提供することにあ
る。
くは液晶基板を汚染から防止すると共に、半導体基板若
しくは液晶基板に帯電した静電気による素子の破壊を防
止することができる基板収納容器を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、融点が３０
０℃以上の金属若しくは導電性セラミックで構成された
母材と、収納される基板が接触する母材の部位に樹脂材
料ではない半導電性材料が被覆された基板収納容器によ
り達成される。なお、この半導電性の耐磨耗性材料は、
抵抗値を１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０10（Ω／ｓｑ．）
に制御したものである。これにより、帯電した基板を収
納しても、放電電流が百数十ｍＡ以下に制御された状態
で除放電されるため、基板上の素子破壊が防止できる。
また、基板収納容器が静電気帯電することがない。
０℃以上の金属若しくは導電性セラミックで構成された
母材と、収納される基板が接触する母材の部位に樹脂材
料ではない半導電性材料が被覆された基板収納容器によ
り達成される。なお、この半導電性の耐磨耗性材料は、
抵抗値を１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０10（Ω／ｓｑ．）
に制御したものである。これにより、帯電した基板を収
納しても、放電電流が百数十ｍＡ以下に制御された状態
で除放電されるため、基板上の素子破壊が防止できる。
また、基板収納容器が静電気帯電することがない。
【０００９】さらにこの耐磨耗性の半導電性材料とし
て、母材の金属若しくは導電性セラミックよりも硬い材
料を選ぶことにより、半導体基板若しくは液晶基板を収
納する際の擦れによる発塵を防止することができるの
で、基板を汚染することがない。
て、母材の金属若しくは導電性セラミックよりも硬い材
料を選ぶことにより、半導体基板若しくは液晶基板を収
納する際の擦れによる発塵を防止することができるの
で、基板を汚染することがない。
【００１０】上記材料としては、無機材質である金属材
料、セラミックスおよびＳｉＣ等の高剛性材料を用いる
ことができる。好ましくは面粗度をＲmax＝０．１μｍ
以下とすることにより、異物の蓄積が低減されるので、
基板の汚染を防止できる。
料、セラミックスおよびＳｉＣ等の高剛性材料を用いる
ことができる。好ましくは面粗度をＲmax＝０．１μｍ
以下とすることにより、異物の蓄積が低減されるので、
基板の汚染を防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】（実施例１）図２は本発明の一実
施例である基板収納容器の概略構成を示す斜視図、また
図１に図２の基板収納容器の部分拡大断面図を示す。図
１及び図２は、基板収納容器におけるウエハ接触部位に
半導電性膜と耐摩耗性を有する導電膜の二層膜が形成さ
れる。
施例である基板収納容器の概略構成を示す斜視図、また
図１に図２の基板収納容器の部分拡大断面図を示す。図
１及び図２は、基板収納容器におけるウエハ接触部位に
半導電性膜と耐摩耗性を有する導電膜の二層膜が形成さ
れる。
【００１２】図２は半導体ウエハ１を５枚収納する基板
収納容器を示し、半導体ウエハ１を出し入れする案内溝
であるウエハガイドスロット２０と半導体ウエハ１を収
納する際に、ウエハガイドスロット２０内で半導体ウエ
ハ１を位置決めするウエハストッパ部２１を５本づつ設
けたスロットプレート（Ｌ）２２とスロットプレート
（Ｒ）２３から構成される。スロットプレート（Ｌ）２
２とスロットプレート（Ｒ）２３は、４本で構成されて
いるロッド２４により精密に組み立てられている。好ま
しくは、このロッド２４はアルミニウム合金で構成す
る。
収納容器を示し、半導体ウエハ１を出し入れする案内溝
であるウエハガイドスロット２０と半導体ウエハ１を収
納する際に、ウエハガイドスロット２０内で半導体ウエ
ハ１を位置決めするウエハストッパ部２１を５本づつ設
けたスロットプレート（Ｌ）２２とスロットプレート
（Ｒ）２３から構成される。スロットプレート（Ｌ）２
２とスロットプレート（Ｒ）２３は、４本で構成されて
いるロッド２４により精密に組み立てられている。好ま
しくは、このロッド２４はアルミニウム合金で構成す
る。
【００１３】スロットプレート（Ｌ）２２は、電気的に
アース接地端子２５に接続できる構成をしている。
アース接地端子２５に接続できる構成をしている。
【００１４】図１は図２に示すスロットプレート（Ｌ）
２２及びスロットプレート（Ｒ）２３のウエハガイドス
ロット２０の部分拡大断面図を示す。
２２及びスロットプレート（Ｒ）２３のウエハガイドス
ロット２０の部分拡大断面図を示す。
【００１５】図１の半導体ウエハ１を収納するスロット
プレート（Ａ）２は、アルミニウム合金母材（Ａ）４か
ら構成され、半導体ウエハ１を収納するウエハガイドス
ロット（Ａ）３が設けられ、その表面にはたとえば主成
分がＡｌ2Ｏ3，ＴｉＮで構成される抵抗値１０6（Ω／
ｓｑ．）〜１０10（Ω／ｓｑ．）の半導電性セラミック
膜５が被覆され、さらに、半導電性セラミック膜５上に
は、半導電性セラミック膜５より電気的に電気伝導性が
良く、耐摩耗性材料であるＳｉＣ膜６が被覆されてい
る。
プレート（Ａ）２は、アルミニウム合金母材（Ａ）４か
ら構成され、半導体ウエハ１を収納するウエハガイドス
ロット（Ａ）３が設けられ、その表面にはたとえば主成
分がＡｌ2Ｏ3，ＴｉＮで構成される抵抗値１０6（Ω／
ｓｑ．）〜１０10（Ω／ｓｑ．）の半導電性セラミック
膜５が被覆され、さらに、半導電性セラミック膜５上に
は、半導電性セラミック膜５より電気的に電気伝導性が
良く、耐摩耗性材料であるＳｉＣ膜６が被覆されてい
る。
【００１６】次に、図１、図２、図３により、基板収納
容器を製作する方法の一実施例について説明する。
容器を製作する方法の一実施例について説明する。
【００１７】最初に、型によるアルミダイキャスト製法
により、アルミニウム合金材料を用いて、アルミダイキ
ャストスロットプレート３０を製造する。
により、アルミニウム合金材料を用いて、アルミダイキ
ャストスロットプレート３０を製造する。
【００１８】このアルミダイキャストスロットプレート
３０は、図２に示すスロットプレート（Ｌ）２２，スロ
ットプレート（Ｒ）２３及び図１に示すアルミニウム合
金母材（Ａ）４の素材に相当するものであり、ウエハガ
イドスロット（Ｃ）３１，ウエハストッパ部（Ｃ）３
２，ロッド固定下穴３３より構成される。
３０は、図２に示すスロットプレート（Ｌ）２２，スロ
ットプレート（Ｒ）２３及び図１に示すアルミニウム合
金母材（Ａ）４の素材に相当するものであり、ウエハガ
イドスロット（Ｃ）３１，ウエハストッパ部（Ｃ）３
２，ロッド固定下穴３３より構成される。
【００１９】図３に示すアルミダイキャストスロットプ
レート３０を用いて、図１で示すスロットプレート
（Ａ）２を製作する一実施例を説明する。
レート３０を用いて、図１で示すスロットプレート
（Ａ）２を製作する一実施例を説明する。
【００２０】アルミダイダイキャストスロットプレート
３０のウエハガイドスロット（Ｃ）３１，ウエハストッ
パ部（Ｃ）３２，ロッド固定下穴３３等の各部分を機械
加工する。特に、ウエハガイドスロット（Ｃ）３１とウ
エハストッパ部（Ｃ）３２は、面粗度がＲmax＝０．１
μｍより大きな場合、面粗度がＲmax＝０．１μｍ以下
になるように加工を施す。
３０のウエハガイドスロット（Ｃ）３１，ウエハストッ
パ部（Ｃ）３２，ロッド固定下穴３３等の各部分を機械
加工する。特に、ウエハガイドスロット（Ｃ）３１とウ
エハストッパ部（Ｃ）３２は、面粗度がＲmax＝０．１
μｍより大きな場合、面粗度がＲmax＝０．１μｍ以下
になるように加工を施す。
【００２１】この精密鏡面加工されたウエハガイドスロ
ット（Ａ）３に、抵抗値１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０10
（Ω／ｓｑ．）に抑えた半導電性セラミックス膜（主成
分Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＮ）５を数十μｍ溶射し、同様に面粗
度がＲmax＝０．１μｍ以下になるように加工を施す。
ット（Ａ）３に、抵抗値１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０10
（Ω／ｓｑ．）に抑えた半導電性セラミックス膜（主成
分Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＮ）５を数十μｍ溶射し、同様に面粗
度がＲmax＝０．１μｍ以下になるように加工を施す。
【００２２】その上層に耐摩耗性であり、半導電性セラ
ミック膜よりも電気伝導度の高いＳｉＣ膜６を数μｍ、
溶射して膜付けし、面粗度がＲmax＝０．１μｍ以内に
なるように加工を施す。
ミック膜よりも電気伝導度の高いＳｉＣ膜６を数μｍ、
溶射して膜付けし、面粗度がＲmax＝０．１μｍ以内に
なるように加工を施す。
【００２３】本発明の基板収納容器は多くの利点を有す
る。まず、図１で示すスロットプレート（Ａ）２や、図
２で示すロッド２４の基板収納容器の母材が、アルミニ
ウム合金で構成されるため、樹脂製基板収納容器と異な
り、材質的にポーラスでなく、各種処理工程で不要な不
純物ガスが基板収納容器に吸着されることがない。
る。まず、図１で示すスロットプレート（Ａ）２や、図
２で示すロッド２４の基板収納容器の母材が、アルミニ
ウム合金で構成されるため、樹脂製基板収納容器と異な
り、材質的にポーラスでなく、各種処理工程で不要な不
純物ガスが基板収納容器に吸着されることがない。
【００２４】また、前記のごとく基板収納容器の母材
が、アルミニウム合金で構成されているため、拡散処理
装置等の熱処理装置において、２００℃前後に加熱され
た半導体ウエハを直接収納しても、樹脂製基板収納容器
と異なり、経時的な熱変形は生じない。
が、アルミニウム合金で構成されているため、拡散処理
装置等の熱処理装置において、２００℃前後に加熱され
た半導体ウエハを直接収納しても、樹脂製基板収納容器
と異なり、経時的な熱変形は生じない。
【００２５】さらに、基板収納容器に半導体ウエハ１を
収納する時に、半導体ウエハ１が基板収納容器に接触し
て擦れても、半導体ウエハ１が接触する部位が、耐摩耗
性材料のＳｉＣ膜６であり、摩耗発塵することがないた
め、半導体ウエハ１を出し入れ時に、基板収納容器から
摩耗欠落した物質が半導体ウエハ上に付着して半導体ウ
エハを汚染することはない。
収納する時に、半導体ウエハ１が基板収納容器に接触し
て擦れても、半導体ウエハ１が接触する部位が、耐摩耗
性材料のＳｉＣ膜６であり、摩耗発塵することがないた
め、半導体ウエハ１を出し入れ時に、基板収納容器から
摩耗欠落した物質が半導体ウエハ上に付着して半導体ウ
エハを汚染することはない。
【００２６】また、ウエハガイドスロット（Ａ）３の半
導体ウエハ１と接触する部位の表面面粗度がＲmax＝
０．１μｍ以下に仕上げられているため、樹脂製基板収
納容器の表面面粗度数十μｍに比較し、約２桁凹凸量が
少なく、各種処理工程で凹凸部に異物が蓄積されること
はなく、各種処理工程間で半導体ウエハ１に付着した異
物によるクロスコンタミネーションの問題は生じない。
導体ウエハ１と接触する部位の表面面粗度がＲmax＝
０．１μｍ以下に仕上げられているため、樹脂製基板収
納容器の表面面粗度数十μｍに比較し、約２桁凹凸量が
少なく、各種処理工程で凹凸部に異物が蓄積されること
はなく、各種処理工程間で半導体ウエハ１に付着した異
物によるクロスコンタミネーションの問題は生じない。
【００２７】一方、前述のごとく、基板収納容器の母材
が、アルミニウム合金で構成されるため、樹脂製基板収
納容器と異なり、導電性材質で構成され、静電気が蓄積
されることがない。このため、数ｋＶに静電気帯電した
半導体ウエハ１を、収納しても、図１及び図２で示すよ
うに、静電気帯電した半導体ウエハ１は導電性ＳｉＣ膜
６、半導電性セラミック膜５、アルミニウム合金母材
（Ａ）４ 、図２のアース接地端子２５を介し、電気的
に接続され、徐電される。特に、図１で示す半導電性セ
ラミック膜５は抵抗値が１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０10
（Ω／ｓｑ．）に抑えた半導電性膜であり、数ｋＶに静
電気帯電した半導体ウエハ１からの放電電流を百数十ｍ
Ａ以下に制御できる。
が、アルミニウム合金で構成されるため、樹脂製基板収
納容器と異なり、導電性材質で構成され、静電気が蓄積
されることがない。このため、数ｋＶに静電気帯電した
半導体ウエハ１を、収納しても、図１及び図２で示すよ
うに、静電気帯電した半導体ウエハ１は導電性ＳｉＣ膜
６、半導電性セラミック膜５、アルミニウム合金母材
（Ａ）４ 、図２のアース接地端子２５を介し、電気的
に接続され、徐電される。特に、図１で示す半導電性セ
ラミック膜５は抵抗値が１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０10
（Ω／ｓｑ．）に抑えた半導電性膜であり、数ｋＶに静
電気帯電した半導体ウエハ１からの放電電流を百数十ｍ
Ａ以下に制御できる。
【００２８】さらに、万が一、ＳｉＣ膜６が摩耗発塵し
ても、発塵量が微量で、且つ、ＳｉＣ膜６に含まれてい
る元素成分であり、半導体ウエハ１上に形成された半導
体素子特性を阻害する金属成分が微量で、半導体ウエハ
１上に付着する金属元素成分の表面濃度を１０9（ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2）以下に抑えることができるため、本発
明の基板収納容器は、半導体ウエハイオン打ち込み処
理、また拡散処理、さらに酸化処理等の半導体ウエハ１
に金属汚染をさせたくない処理工程においても、極めて
有効である。
ても、発塵量が微量で、且つ、ＳｉＣ膜６に含まれてい
る元素成分であり、半導体ウエハ１上に形成された半導
体素子特性を阻害する金属成分が微量で、半導体ウエハ
１上に付着する金属元素成分の表面濃度を１０9（ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2）以下に抑えることができるため、本発
明の基板収納容器は、半導体ウエハイオン打ち込み処
理、また拡散処理、さらに酸化処理等の半導体ウエハ１
に金属汚染をさせたくない処理工程においても、極めて
有効である。
【００２９】（実施例２）図４は本発明の第２の実施例
であるウエハ接触部位に電気特性制御機能を有する耐摩
耗性膜の一層膜を形成した基板収納容器の部分拡大図を
示す。ウエハガイドスロット（Ｃ）４１をアルミニウム
合金母材（Ｃ）４２で構成し、半導体ウエハ１と接触す
るウエハガイドスロット（Ｃ）４１部分に、プラズマＣ
ＶＤ法やイオンビーム法により、電気的に絶縁性で耐摩
耗性材料であるダイヤモンドライクカーボン膜４３をコ
ーテイングする。
であるウエハ接触部位に電気特性制御機能を有する耐摩
耗性膜の一層膜を形成した基板収納容器の部分拡大図を
示す。ウエハガイドスロット（Ｃ）４１をアルミニウム
合金母材（Ｃ）４２で構成し、半導体ウエハ１と接触す
るウエハガイドスロット（Ｃ）４１部分に、プラズマＣ
ＶＤ法やイオンビーム法により、電気的に絶縁性で耐摩
耗性材料であるダイヤモンドライクカーボン膜４３をコ
ーテイングする。
【００３０】次に、図４により、本実施例の機能につい
て説明する。
て説明する。
【００３１】図４に示す、ダイヤモンドライクカーボン
膜４３の膜厚、膜面積及び膜質仕様は、半導体ウエハ１
⇒ダイヤモンドライクカーボン膜４３⇒アルミニウム合
金母材（Ｃ）４２⇒アース接地端子２５の電気回路系で
構成される電気抵抗値と、コンデンサー電気容量値から
決定する。
膜４３の膜厚、膜面積及び膜質仕様は、半導体ウエハ１
⇒ダイヤモンドライクカーボン膜４３⇒アルミニウム合
金母材（Ｃ）４２⇒アース接地端子２５の電気回路系で
構成される電気抵抗値と、コンデンサー電気容量値から
決定する。
【００３２】これにより、特に高電圧に静電気帯電した
半導体ウエハ１を基板収納容器に収納した際にも、スロ
ットプレート（Ｃ）４０を介して、放電する放電電流を
百数十ｍＡ以下に制御することができる。
半導体ウエハ１を基板収納容器に収納した際にも、スロ
ットプレート（Ｃ）４０を介して、放電する放電電流を
百数十ｍＡ以下に制御することができる。
【００３３】（実施例３）図５は本発明の第３の実施例
であるウエハ接触部位に半導電性膜の一層膜を形成した
基板収納容器の部分拡大図を示す。
であるウエハ接触部位に半導電性膜の一層膜を形成した
基板収納容器の部分拡大図を示す。
【００３４】半導体ウエハ１を収納するスロットプレー
ト（Ｄ）５０は、半導体ウエハ１を収納するウエハガイ
ドスロット（Ｄ）５１を象るのに、チタン合金材料を用
いて真空鋳造法によりチタン合金母材５２を製造し、ウ
エハガイドスロット（Ｄ）５１部表面を精密鏡面加工を
施す。
ト（Ｄ）５０は、半導体ウエハ１を収納するウエハガイ
ドスロット（Ｄ）５１を象るのに、チタン合金材料を用
いて真空鋳造法によりチタン合金母材５２を製造し、ウ
エハガイドスロット（Ｄ）５１部表面を精密鏡面加工を
施す。
【００３５】この精密鏡面加工が施されたウエハガイド
スロット（Ｄ）５１面に、Ａｌ2Ｏ3を主成分とした耐摩
耗性材料にＴｉＣの導電性付与媒体を含有させた半導電
性セラミックス膜（Ｄ）５３を溶射し、その表面を精密
鏡面加工を施し、抵抗値を１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０
10、（Ω／ｓｑ．）に制御したものである。
スロット（Ｄ）５１面に、Ａｌ2Ｏ3を主成分とした耐摩
耗性材料にＴｉＣの導電性付与媒体を含有させた半導電
性セラミックス膜（Ｄ）５３を溶射し、その表面を精密
鏡面加工を施し、抵抗値を１０6（Ω／ｓｑ．）〜１０
10、（Ω／ｓｑ．）に制御したものである。
【００３６】なお、半導電性セラミックスを手段得ると
して、導電性付与媒体は第１の実施例に示すＴｉＮの他
に、ホウ化物（ＴｉＢ2，ＺｒＢ2，ＴａＢ2，ＭｏＢ，
ＬａＢ6），炭化物（Ｃｒ2Ｃ3，ＷＣ，ＺｒＣ，Ｎｂ
Ｃ），窒化物（ＴａＮ，ＺｒＮ），ケイ化物（ＭｏＳｉ
2，ＷＳｉ2）を用いてもよい。
して、導電性付与媒体は第１の実施例に示すＴｉＮの他
に、ホウ化物（ＴｉＢ2，ＺｒＢ2，ＴａＢ2，ＭｏＢ，
ＬａＢ6），炭化物（Ｃｒ2Ｃ3，ＷＣ，ＺｒＣ，Ｎｂ
Ｃ），窒化物（ＴａＮ，ＺｒＮ），ケイ化物（ＭｏＳｉ
2，ＷＳｉ2）を用いてもよい。
【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を脱しない範囲内
で種々の変更が可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を脱しない範囲内
で種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００３８】例えば、基板収納容器の構成母材はアルミ
ニウム合金に限定されることなく、導電性セラミックで
もよい。これにより、全体の質量を軽くすることができ
る。
ニウム合金に限定されることなく、導電性セラミックで
もよい。これにより、全体の質量を軽くすることができ
る。
【００３９】
【発明の効果】本発明によって得られる代表的な効果を
以下に説明する。
以下に説明する。
【００４０】（１）半導体基板若くは液晶基板等は、半
導電性膜→母材、又は導電膜→半導電膜→母材、若しく
は絶縁膜→コンデンサ→母材を通して接地端子に電気的
に接続されている。この結果、数ｋＶに静電気帯電した
半導体若くは液晶基板を基板収納容器に収納しても、放
電電流を百数十ｍＡ以下に制御して、徐放電され、静電
気放電による半導体素子破壊が防止できる。
導電性膜→母材、又は導電膜→半導電膜→母材、若しく
は絶縁膜→コンデンサ→母材を通して接地端子に電気的
に接続されている。この結果、数ｋＶに静電気帯電した
半導体若くは液晶基板を基板収納容器に収納しても、放
電電流を百数十ｍＡ以下に制御して、徐放電され、静電
気放電による半導体素子破壊が防止できる。
【００４１】（２）母材がアルミニウム合金等の金属で
構成され、且つ、アース接地されるため、静電気が蓄積
されることがなく、静電気により、浮遊塵埃が収納容器
に付着し、基板収納容器を汚染することがない。
構成され、且つ、アース接地されるため、静電気が蓄積
されることがなく、静電気により、浮遊塵埃が収納容器
に付着し、基板収納容器を汚染することがない。
【００４２】（３）基板収納容器が静電気帯電せず、且
つ浮遊塵埃等の異物が付着していないため、半導体基板
若くは液晶基板等を収納しても、半導体基板若くは液晶
基板等が帯電することなく且つ、異物付着することもな
い。
つ浮遊塵埃等の異物が付着していないため、半導体基板
若くは液晶基板等を収納しても、半導体基板若くは液晶
基板等が帯電することなく且つ、異物付着することもな
い。
【００４３】（４）半導体ウエハ若くは液晶等の基板収
納容器の母材を、アルミ合金等の融点が３００℃以上の
金属材料または導電性セラミックで構成することによ
り、例えば２００℃前後の温度に加熱された半導体基板
若くは液晶基板が収納されても、経時的な熱変形は生じ
ない。
納容器の母材を、アルミ合金等の融点が３００℃以上の
金属材料または導電性セラミックで構成することによ
り、例えば２００℃前後の温度に加熱された半導体基板
若くは液晶基板が収納されても、経時的な熱変形は生じ
ない。
【００４４】また、常に基板収納容器が変形しない状態
で、半導体基板若くは液晶基板等の処理装置にセッティ
ングされるため、基板収納容器から半導体基板若くは液
晶基板等を取り出し、且つ、基板収納容器に半導体基板
若くは液晶基板等を収納する際に、収納容器に半導体基
板若くは液晶基板等が当たることにより、半導体基板若
くは液晶基板が割れたり、装置が故障したりする不具合
は生じない。
で、半導体基板若くは液晶基板等の処理装置にセッティ
ングされるため、基板収納容器から半導体基板若くは液
晶基板等を取り出し、且つ、基板収納容器に半導体基板
若くは液晶基板等を収納する際に、収納容器に半導体基
板若くは液晶基板等が当たることにより、半導体基板若
くは液晶基板が割れたり、装置が故障したりする不具合
は生じない。
【００４５】（５）収納容器の母材及び表面に被覆され
る膜の材質を、セラミックス等の緻密な無機材料とする
ことにより、従来の樹脂製収納容器に比較しポーラスで
なく、各種処理工程で不要な不純物ガスを吸着すること
はない。
る膜の材質を、セラミックス等の緻密な無機材料とする
ことにより、従来の樹脂製収納容器に比較しポーラスで
なく、各種処理工程で不要な不純物ガスを吸着すること
はない。
【００４６】（６）収納する半導体基板若くは液晶基板
等が接触する部位の材料を、耐摩耗性被膜で構成するこ
といより、半導体基板若くは液晶基板等を収納容器から
出し入れするとき、収納容器から摩耗欠落して、半導体
基板若くは液晶基板等に不要異物として付着し汚染する
ことがない。
等が接触する部位の材料を、耐摩耗性被膜で構成するこ
といより、半導体基板若くは液晶基板等を収納容器から
出し入れするとき、収納容器から摩耗欠落して、半導体
基板若くは液晶基板等に不要異物として付着し汚染する
ことがない。
【００４７】（７）実施例１に示す本発明の基板収納容
器において、収納する半導体基板若くは液晶基板が接触
する部位の材料を金属成分が含まないＳｉＣ膜等の耐摩
耗性被膜で構成すると、万が一に、ＳｉＣ膜等が摩耗
し、半導体基板若くは液晶基板欠落しても、半導体素子
特性を阻害する金属成分の付着表面濃度を１０9（ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2）以下に抑えることができ、半導体基板
若くは液晶基板上の半導体素子特性を阻害することがな
い。
器において、収納する半導体基板若くは液晶基板が接触
する部位の材料を金属成分が含まないＳｉＣ膜等の耐摩
耗性被膜で構成すると、万が一に、ＳｉＣ膜等が摩耗
し、半導体基板若くは液晶基板欠落しても、半導体素子
特性を阻害する金属成分の付着表面濃度を１０9（ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ2）以下に抑えることができ、半導体基板
若くは液晶基板上の半導体素子特性を阻害することがな
い。
【００４８】（８）収納する半導体基板若くは液晶基板
と接触部位の表面面粗度をＲmax＝０．１μｍ以下にす
ることにより、半導体基板若くは液晶基板等の各種処理
工程で、収納容器の表面凹凸部に異物が蓄積することが
ない。万が一に、収納容器表面に異物が付着しても、容
易に洗浄により除去できる。
と接触部位の表面面粗度をＲmax＝０．１μｍ以下にす
ることにより、半導体基板若くは液晶基板等の各種処理
工程で、収納容器の表面凹凸部に異物が蓄積することが
ない。万が一に、収納容器表面に異物が付着しても、容
易に洗浄により除去できる。
【００４９】（９）収納容器による半導体基板若くは液
晶基板等の各種処理工程間での持ち込み異物によるクロ
スコンタミネーションの問題が生じない。
晶基板等の各種処理工程間での持ち込み異物によるクロ
スコンタミネーションの問題が生じない。
【図１】本発明の一実施例であるウエハ接触部位に半導
電性膜と耐摩耗性膜二層膜を形成した基板収納容器の部
分拡大図。
電性膜と耐摩耗性膜二層膜を形成した基板収納容器の部
分拡大図。
【図２】本発明の一実施例である基板収納容器の概略構
成図。
成図。
【図３】アルミダイキャスト法により製作したスロット
プレートの概略構成図。
プレートの概略構成図。
【図４】本発明の他の実施例であるウエハ接触部位に電
気特性制御機能を有する耐摩耗性膜の一層膜を形成した
基板収納容器の部分拡大図。
気特性制御機能を有する耐摩耗性膜の一層膜を形成した
基板収納容器の部分拡大図。
【図５】本発明の他の実施例であるウエハ接触部位に半
導電性膜の一層膜を形成した基板収納容器の部分拡大
図。
導電性膜の一層膜を形成した基板収納容器の部分拡大
図。
１…半導体ウエハ ２…スロットプレート（Ａ） ３…ウエハガイドスロット（Ａ） ４…アルミニウム合金母材（Ａ） ５…半導電性セラミック膜 ６…ＳｉＣ膜 ２０…ウエハガイドスロット ２１…ウエハストッパ部 ２２…スロットプレート（Ｌ） ２３…スロットプレート（Ｒ） ２４…ロッド ２５…アース接地端子 ３０…アルミダイカストスロットプレート ３１…ウエハガイドスロット（Ｂ） ３２…ウエハストッパ部 ３３…ロット固定下穴 ４０…スロットプレート（Ｃ） ４１…ウエハガイドスロット（Ｃ） ４２…アルミニウム合金母材（Ｃ） ４３…ダイヤモンド構造カーボン膜 ５０…スロットプレート（Ｄ） ５１…ウエハガイドスロット（Ｄ） ５２…チタン合金母材 ５３…半導電性セラミックス（Ｄ）。
Claims (10)
- 【請求項１】半導体素子若しくは液晶の基板を収納する
基板収納容器であって、融点が３００℃以上の導電性の
無機材料を用いて形成された部材と、前記部材の表面に
形成され、抵抗値が１０6〜１０10（Ω/sq.）である半
導電膜とを有することを特徴とする基板収納容器。 - 【請求項２】前記半導電性膜の面粗度はＲmax＝０．１
μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の基板収
納容器。 - 【請求項３】融点が３００℃以上の導電性の無機材料を
用いて形成された部材と、前記部材の表面に形成され、
抵抗値が１０6〜１０10（Ω/sq.）である半導電性膜
と、前記半導電性膜上に形成された耐磨耗性膜を有する
ことを特徴とする基板収納容器。 - 【請求項４】前記耐磨耗性膜の表面の面粗度はＲmax＝
０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の
基板収納容器。 - 【請求項５】前記耐磨耗性膜の材料は、前記半導電性膜
の材料よりも導電率が高いことを特徴とする請求項３記
載の基板収納容器。 - 【請求項６】前記部材は、電気的接地端子を有すること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板収納容
器。 - 【請求項７】融点が３００℃以上の導電性の無機材料で
形成された部材と、前記部材上に形成された絶縁性膜
と、前記部材の一部に形成された電気的接地端子とを有
することを特徴とする基板収納容器。 - 【請求項８】前記導電性の無機材料は、金属若しくは導
電性セラミックであることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の基板収納容器。 - 【請求項９】半導体素子若しくは液晶の基板を収納する
請求項１乃至８の何れかに記載の基板収納容器に基板を
収納する工程と、真空装置内に前記収納容器を挿入する
工程と、前記収納容器から前記基板を取り出して前記基
板を真空中で処理する工程と、処理された前記基板を前
記収納容器に納める工程と、前記収納容器を前記真空装
置から取り出す工程とを有することを特徴とする基板処
理方法。 - 【請求項１０】半導体素子若しくは液晶の基板を収納す
る請求項１乃至８の何れかに記載の基板収納容器に基板
を収納する工程と、熱処理装置内に前記収納容器を挿入
する工程と、前記収納容器から前記基板を取り出して前
記基板を２００℃〜３００℃の温度で処理する工程と、
熱処理された前記基板を前記収納容器に納める工程と、
前記収納容器を前記熱処理装置から取り出す工程とを有
することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9305218A JPH11145267A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 基板収納容器および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9305218A JPH11145267A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 基板収納容器および基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145267A true JPH11145267A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17942472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9305218A Pending JPH11145267A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 基板収納容器および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145267A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1538662A3 (en) * | 2003-12-02 | 2008-12-10 | Miraial Co., Ltd. | Thin-plate supporting container |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP9305218A patent/JPH11145267A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1538662A3 (en) * | 2003-12-02 | 2008-12-10 | Miraial Co., Ltd. | Thin-plate supporting container |
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