JPH11148095A - 洗浄溶液組成物 - Google Patents
洗浄溶液組成物Info
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- JPH11148095A JPH11148095A JP9328680A JP32868097A JPH11148095A JP H11148095 A JPH11148095 A JP H11148095A JP 9328680 A JP9328680 A JP 9328680A JP 32868097 A JP32868097 A JP 32868097A JP H11148095 A JPH11148095 A JP H11148095A
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- cleaning
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- cleaning solution
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、シリコンウェハ基板のよう
な電子部品材料に対して阻害性がなく、安定で、優れた
表面清浄性を示す、洗浄溶液組成物、特に、電子部品材
料用洗浄溶液組成物を提供することにある。 【解決手段】 本発明の洗浄溶液組成物は、２−オキシ
エタン−１−スルホン酸を含有してなることを特徴とす
る。
な電子部品材料に対して阻害性がなく、安定で、優れた
表面清浄性を示す、洗浄溶液組成物、特に、電子部品材
料用洗浄溶液組成物を提供することにある。 【解決手段】 本発明の洗浄溶液組成物は、２−オキシ
エタン−１−スルホン酸を含有してなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄溶液組成物、
特に、電子部品材料用洗浄溶液組成物に関し、更に詳細
には半導体集積回路(ＬＳＩ)の製造工程で使用されるシ
リコンウェハ、半導体素子(液晶素子を含む)、ハードデ
ィスク基板、液晶ディスプレイ基板、ファインセラミッ
クス等の表面を清浄化するための洗浄溶液組成物に関す
る。
特に、電子部品材料用洗浄溶液組成物に関し、更に詳細
には半導体集積回路(ＬＳＩ)の製造工程で使用されるシ
リコンウェハ、半導体素子(液晶素子を含む)、ハードデ
ィスク基板、液晶ディスプレイ基板、ファインセラミッ
クス等の表面を清浄化するための洗浄溶液組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子部品例えばＬＳＩの製造工程では、
シリコンウェハ等の表面に付着する微量メタル等の汚染
がデバイス特性を劣化させ、製品欠陥を起こし、歩留ま
り低下の大きな要因となる。このためシリコンウェハの
表面清浄度を上げ、保持する目的で、例えばクリーンル
ームを設けて工程管理した上で、超音波洗浄をかける等
の物理的洗浄法や、洗浄用薬剤(薬品)を使用する化学的
洗浄法(ウエット、ドライ)等の種々の清浄システムが使
用されている。
シリコンウェハ等の表面に付着する微量メタル等の汚染
がデバイス特性を劣化させ、製品欠陥を起こし、歩留ま
り低下の大きな要因となる。このためシリコンウェハの
表面清浄度を上げ、保持する目的で、例えばクリーンル
ームを設けて工程管理した上で、超音波洗浄をかける等
の物理的洗浄法や、洗浄用薬剤(薬品)を使用する化学的
洗浄法(ウエット、ドライ)等の種々の清浄システムが使
用されている。
【０００３】ＬＳＩ製造工程におけるシリコンウェハ等
の化学的(ウエット)酸洗浄法において、メタル汚染や有
機系付着物を除去するために、主として過酸化水素と無
機酸の組み合わせが採られており、無機酸としては例え
ば塩酸、硫酸、硝酸などが使用され、洗浄効果、薬品の
取り扱い作業性等から、硫酸との組み合わせが代表的で
ある。また、有機酸の場合は、シュウ酸、クエン酸等が
使用されている。
の化学的(ウエット)酸洗浄法において、メタル汚染や有
機系付着物を除去するために、主として過酸化水素と無
機酸の組み合わせが採られており、無機酸としては例え
ば塩酸、硫酸、硝酸などが使用され、洗浄効果、薬品の
取り扱い作業性等から、硫酸との組み合わせが代表的で
ある。また、有機酸の場合は、シュウ酸、クエン酸等が
使用されている。
【０００４】例えば、特開平５−６８８４号公報には、
塩酸、フッ化水素、過酸化水素及び水からなる処理液で
洗浄処理するシリコンウェハの洗浄方法が開示されてい
る。又、特開平６−１３３６４号公報には、酸性又はア
ルカリ性過酸化水素水溶液に、ノニオン型界面活性剤を
配合した、シリコンウェハ及び半導体素子の洗浄液が開
示されている。
塩酸、フッ化水素、過酸化水素及び水からなる処理液で
洗浄処理するシリコンウェハの洗浄方法が開示されてい
る。又、特開平６−１３３６４号公報には、酸性又はア
ルカリ性過酸化水素水溶液に、ノニオン型界面活性剤を
配合した、シリコンウェハ及び半導体素子の洗浄液が開
示されている。
【０００５】更に、特開平６−４１７７０号公報には、
フッ化水素酸、塩酸、硝酸、過酸化水素、酢酸、フッ化
アンモニウム、燐酸の少なくとも１種と界面活性剤を含
む処理液で、シリコンウェハ表面を処理する方法が開示
されている。そして、特開平７−５０２８１号公報に
は、シリコンウェハを硫酸又は塩酸を含む洗浄液で洗浄
した後、フッ化水素水溶液等で処理するシリコンウェハ
の洗浄方法が開示されている。
フッ化水素酸、塩酸、硝酸、過酸化水素、酢酸、フッ化
アンモニウム、燐酸の少なくとも１種と界面活性剤を含
む処理液で、シリコンウェハ表面を処理する方法が開示
されている。そして、特開平７−５０２８１号公報に
は、シリコンウェハを硫酸又は塩酸を含む洗浄液で洗浄
した後、フッ化水素水溶液等で処理するシリコンウェハ
の洗浄方法が開示されている。
【０００６】しかし、従来の硫酸等の無機酸と過酸化水
素を組み合わせた洗浄剤では、硫酸のアタックによるシ
リコンウェハ基板の腐食が避けられず、近年の大口径化
と高品位化が進むシリコンウェハ向けには、表面精度を
落とすなどの影響があって、その改善が求められてい
る。
素を組み合わせた洗浄剤では、硫酸のアタックによるシ
リコンウェハ基板の腐食が避けられず、近年の大口径化
と高品位化が進むシリコンウェハ向けには、表面精度を
落とすなどの影響があって、その改善が求められてい
る。
【０００７】従って、本発明の目的は、シリコンウェハ
基板のような電子部品材料に対して阻害性がなく、安定
で、優れた表面清浄性を示す、洗浄溶液組成物、特に、
電子部品材料用洗浄溶液組成物を提供することにある。
基板のような電子部品材料に対して阻害性がなく、安定
で、優れた表面清浄性を示す、洗浄溶液組成物、特に、
電子部品材料用洗浄溶液組成物を提供することにある。
【０００８】即ち、本発明の洗浄溶液組成物は、２−オ
キシエタン−１−スルホン酸を含有することを特徴とす
る。
キシエタン−１−スルホン酸を含有することを特徴とす
る。
【０００９】更に、本発明の電子部品材料用洗浄溶液組
成物は、２−オキシエタン−１−スルホン酸及び過酸化
水素を含有することを特徴とする。
成物は、２−オキシエタン−１−スルホン酸及び過酸化
水素を含有することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の電子部品材料用洗浄溶液
組成物に用いる２−オキシエタン−１−スルホン酸(イ
セチオン酸又は２−スルホエチルアルコールともいう)
は、一般に入手可能な固形分２０〜７０％のものを用い
ることができ、腐食による阻害性への効果に直接は関係
しないが、電子部品材料例えばシリコンウェハ清浄のた
めに供するためには、実際上は半導体グレードとして通
常使用されている薬品と同等程度にメタル分を精製した
ものを使用するのが好ましい。
組成物に用いる２−オキシエタン−１−スルホン酸(イ
セチオン酸又は２−スルホエチルアルコールともいう)
は、一般に入手可能な固形分２０〜７０％のものを用い
ることができ、腐食による阻害性への効果に直接は関係
しないが、電子部品材料例えばシリコンウェハ清浄のた
めに供するためには、実際上は半導体グレードとして通
常使用されている薬品と同等程度にメタル分を精製した
ものを使用するのが好ましい。
【００１１】また、本発明に用いる過酸化水素は、既に
半導体用の洗浄剤として使用されている高純度品を使用
できる。
半導体用の洗浄剤として使用されている高純度品を使用
できる。
【００１２】なお、本発明の電子部品材料用洗浄溶液組
成物において、２−オキシエタン−１−スルホン酸と過
酸化水素の好適な濃度は２−オキシエタン−１−スルホ
ン酸３〜１５重量％、過酸化水素１〜５重量％である。
ここで、２−オキシエタン−１−スルホン酸の濃度が３
重量％未満のときは、洗浄性がやや低くなるために好ま
しくなく、また、１５重量％を超えると、シリコンウェ
ハ等の電子部品材料表面の腐食がやや進む傾向にあるた
めに好ましくない。また、本発明の電子部品材料用洗浄
溶液組成物の洗浄性を高めるために、過酸化水素の濃度
を１〜５重量％の範囲内とすることが好ましい。
成物において、２−オキシエタン−１−スルホン酸と過
酸化水素の好適な濃度は２−オキシエタン−１−スルホ
ン酸３〜１５重量％、過酸化水素１〜５重量％である。
ここで、２−オキシエタン−１−スルホン酸の濃度が３
重量％未満のときは、洗浄性がやや低くなるために好ま
しくなく、また、１５重量％を超えると、シリコンウェ
ハ等の電子部品材料表面の腐食がやや進む傾向にあるた
めに好ましくない。また、本発明の電子部品材料用洗浄
溶液組成物の洗浄性を高めるために、過酸化水素の濃度
を１〜５重量％の範囲内とすることが好ましい。
【００１３】また、本発明の電子部品材料用洗浄溶液組
成物の使用方法は特に限定されるものではなく、例えば
浸漬法、スプレー法等のいずれの方法を使用することが
でき、要求される清浄度に併せて選択することができ
る。
成物の使用方法は特に限定されるものではなく、例えば
浸漬法、スプレー法等のいずれの方法を使用することが
でき、要求される清浄度に併せて選択することができ
る。
【００１４】更に、本発明の電子部品材料用洗浄溶液組
成物でシリコンウェハや半導体素子を洗浄処理する場合
の処理温度は特に限定されるものではないが、一般に室
温ないし１００℃の温度範囲で充分である。また、処理
時間は洗浄液の濃度によっても変化するが、一般に１〜
２０分の範囲である。洗浄処理後、付着した洗浄溶液を
純水でリンスして常法で乾燥する。
成物でシリコンウェハや半導体素子を洗浄処理する場合
の処理温度は特に限定されるものではないが、一般に室
温ないし１００℃の温度範囲で充分である。また、処理
時間は洗浄液の濃度によっても変化するが、一般に１〜
２０分の範囲である。洗浄処理後、付着した洗浄溶液を
純水でリンスして常法で乾燥する。
【００１５】また、本発明の電子部品材料用洗浄溶液組
成物には、界面活性剤例えば非イオン界面活性剤、アニ
オン界面活性剤、その他の慣用の助剤、溶媒を添加する
ことは何ら差し支えない。
成物には、界面活性剤例えば非イオン界面活性剤、アニ
オン界面活性剤、その他の慣用の助剤、溶媒を添加する
ことは何ら差し支えない。
【００１６】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではないことを理
解されたい。 実施例１ 固形分７０％の２−オキシエタン−１−スルホン酸を純
水を用いて固形分７％に希釈し洗浄溶液とした。シリコ
ンウェハ(４インチ径、Ｐ型ＣＺ法を市販の研磨剤を用
いて研磨処理したもの)を３％のフッ酸液に３０分間浸
漬処理後、純水にてリンスして洗浄性測定用試料とし
た。上記洗浄溶液を使用して以下の条件で試料を浸漬洗
浄した： 洗浄温度 ４０℃ 洗浄時間 １５分 洗浄溶液 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水３００ｍｌを用いてシリコンウェハを
２段でリンスし、乾燥後の接触角を協和界面科学製測定
器により評価した結果、２９°の良好な濡れ性を示し
た。
が、本発明はこれらに限定されるものではないことを理
解されたい。 実施例１ 固形分７０％の２−オキシエタン−１−スルホン酸を純
水を用いて固形分７％に希釈し洗浄溶液とした。シリコ
ンウェハ(４インチ径、Ｐ型ＣＺ法を市販の研磨剤を用
いて研磨処理したもの)を３％のフッ酸液に３０分間浸
漬処理後、純水にてリンスして洗浄性測定用試料とし
た。上記洗浄溶液を使用して以下の条件で試料を浸漬洗
浄した： 洗浄温度 ４０℃ 洗浄時間 １５分 洗浄溶液 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水３００ｍｌを用いてシリコンウェハを
２段でリンスし、乾燥後の接触角を協和界面科学製測定
器により評価した結果、２９°の良好な濡れ性を示し
た。
【００１７】実施例２ 固形分４０％の２−オキシエタン−１−スルホン酸を純
水を用いて固形分１０％に希釈した。この溶液に非イオ
ン界面活性剤(商品名：アデカトールＳＯ−１３５：ア
ルコールエトキシレート)０.１％を添加し、均一になる
まで充分に撹拌して洗浄溶液組成物とした。この洗浄溶
液組成物を使用して以下の条件で実施例１に準じて浸漬
洗浄を行った： 洗浄温度 ６０℃ 洗浄時間 ５分、１５分 洗浄溶液組成物 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後の接触角測定も実施例１に準じて行い、洗浄
時間５分、１５分でそれぞれ１４°、１５°の良好な濡
れ性を示した。
水を用いて固形分１０％に希釈した。この溶液に非イオ
ン界面活性剤(商品名：アデカトールＳＯ−１３５：ア
ルコールエトキシレート)０.１％を添加し、均一になる
まで充分に撹拌して洗浄溶液組成物とした。この洗浄溶
液組成物を使用して以下の条件で実施例１に準じて浸漬
洗浄を行った： 洗浄温度 ６０℃ 洗浄時間 ５分、１５分 洗浄溶液組成物 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後の接触角測定も実施例１に準じて行い、洗浄
時間５分、１５分でそれぞれ１４°、１５°の良好な濡
れ性を示した。
【００１８】実施例３ 固形分７０％の２−オキシエタン−１−スルホン酸を純
水を用いて固形分５％に希釈した。この溶液にアニオン
界面活性剤(商品名：アデカホープＤＳ−２３：アルコ
ール硫酸エステルＮａ塩)０.０５％を添加し、均一にな
るまで充分に撹拌して洗浄溶液組成物とした。５ｃｍ×
１０ｃｍの無アルカリガラス板を洗浄性測定用試料とし
て、下記の条件により浸漬洗浄を行った： 洗浄温度 ８０℃ 洗浄時間 ５分、１５分 洗浄溶液組成物 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後の接触角測定は実施例１に準じて行い、洗浄
時間５分、１５分でそれぞれ９°、１０°の良好な濡れ
性を示した。
水を用いて固形分５％に希釈した。この溶液にアニオン
界面活性剤(商品名：アデカホープＤＳ−２３：アルコ
ール硫酸エステルＮａ塩)０.０５％を添加し、均一にな
るまで充分に撹拌して洗浄溶液組成物とした。５ｃｍ×
１０ｃｍの無アルカリガラス板を洗浄性測定用試料とし
て、下記の条件により浸漬洗浄を行った： 洗浄温度 ８０℃ 洗浄時間 ５分、１５分 洗浄溶液組成物 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後の接触角測定は実施例１に準じて行い、洗浄
時間５分、１５分でそれぞれ９°、１０°の良好な濡れ
性を示した。
【００１９】実施例４ 精製された固形分７０％の２−オキシエタン−１−スル
ホン酸を純水を用いて固形分７％に希釈した。この溶液
９０重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素１０重
量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して洗浄
溶液組成物とした。
ホン酸を純水を用いて固形分７％に希釈した。この溶液
９０重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素１０重
量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して洗浄
溶液組成物とした。
【００２０】この洗浄溶液組成物を使用して以下の条件
でシリコンウェハ(４インチ、Ｐ型ＣＺ法を市販の研磨
剤を用いて研磨処理したもの)を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ４０℃ 洗浄時間 ５分 溶液液量 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水３００ｍｌを用いてシリコンウェハを
２段でリンスし、乾燥後の重量減から腐食量を測定した
ところ、腐食による重量変化は見られず、シリコンウェ
ハ表面は良好な性状であった。又、洗浄前後のシリコン
ウェハ面のＴＸＲＦ(全反射蛍光Ｘ線)分析から、メタル
除去率(％)は下記の通りであった。 Ｋ：９８、Ｆｅ：１００、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：９９、
Ｎｉ：９８
でシリコンウェハ(４インチ、Ｐ型ＣＺ法を市販の研磨
剤を用いて研磨処理したもの)を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ４０℃ 洗浄時間 ５分 溶液液量 ４００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水３００ｍｌを用いてシリコンウェハを
２段でリンスし、乾燥後の重量減から腐食量を測定した
ところ、腐食による重量変化は見られず、シリコンウェ
ハ表面は良好な性状であった。又、洗浄前後のシリコン
ウェハ面のＴＸＲＦ(全反射蛍光Ｘ線)分析から、メタル
除去率(％)は下記の通りであった。 Ｋ：９８、Ｆｅ：１００、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：９９、
Ｎｉ：９８
【００２１】実施例５ 精製された固形分４０％の２−オキシエタン−１−スル
ホン酸を純水を用いて固形分１０％に希釈した。この溶
液９０重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１
０重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して
洗浄溶液組成物とした。
ホン酸を純水を用いて固形分１０％に希釈した。この溶
液９０重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１
０重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して
洗浄溶液組成物とした。
【００２２】この洗浄溶液組成物を使用して以下の条件
でシリコンウェハ(６インチ、Ｐ型ＣＺ法を市販の研磨
剤を用いて研磨処理したもの)を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ３０℃ 洗浄時間 １０分 溶液液量 １０００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水７００ｍｌを用いてシリコンウェハを
２段でリンスする他は、実施例４に準じ行った。上記洗
浄溶液組成物により洗浄したシリコンウェハは重量変化
が見られず、腐食はなく、シリコンウェハ表面は良好な
性状であった。又、洗浄前後のシリコンウェハ面のＴＸ
ＲＦ(全反射蛍光Ｘ線)分析から、メタル除去率(％)は下
記の通りであった。 Ｋ：９６、Ｆｅ：９９、Ｃｕ：９９、Ｃｒ：１００、Ｎ
ｉ：９７
でシリコンウェハ(６インチ、Ｐ型ＣＺ法を市販の研磨
剤を用いて研磨処理したもの)を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ３０℃ 洗浄時間 １０分 溶液液量 １０００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水７００ｍｌを用いてシリコンウェハを
２段でリンスする他は、実施例４に準じ行った。上記洗
浄溶液組成物により洗浄したシリコンウェハは重量変化
が見られず、腐食はなく、シリコンウェハ表面は良好な
性状であった。又、洗浄前後のシリコンウェハ面のＴＸ
ＲＦ(全反射蛍光Ｘ線)分析から、メタル除去率(％)は下
記の通りであった。 Ｋ：９６、Ｆｅ：９９、Ｃｕ：９９、Ｃｒ：１００、Ｎ
ｉ：９７
【００２３】実施例６ 精製された固形分７０％の２−オキシエタン−１−スル
ホン酸を純水を用いて固形分５％に希釈した。この溶液
８７重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１３
重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して洗
浄溶液組成物とした。洗浄法等は実施例５の方法に準じ
た。上記洗浄溶液組成物により洗浄したシリコンウェハ
は重量変化が見られず、腐食はなく、シリコンウェハ表
面は良好な性状であった。又、メタル除去率(％)は下記
の通りであった。 Ｋ：９８、Ｆｅ：９９、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：９９、Ｎ
ｉ：９６
ホン酸を純水を用いて固形分５％に希釈した。この溶液
８７重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１３
重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して洗
浄溶液組成物とした。洗浄法等は実施例５の方法に準じ
た。上記洗浄溶液組成物により洗浄したシリコンウェハ
は重量変化が見られず、腐食はなく、シリコンウェハ表
面は良好な性状であった。又、メタル除去率(％)は下記
の通りであった。 Ｋ：９８、Ｆｅ：９９、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：９９、Ｎ
ｉ：９６
【００２４】実施例７ 精製された固形分７０％の２−オキシエタン−１−スル
ホン酸を純水を用いて固形分５％に希釈した。この溶液
８８重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１２
重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して洗
浄溶液組成物とした。この洗浄溶液組成物を使用して以
下の条件でＳＯＩ基板(６インチシリコンウェハ上に熱
酸化ＳｉＯ2を厚さ１００ｎｍ成膜)を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ３０℃ 洗浄時間 １０分 溶液液量 １０００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水７００ｍｌを用いてＳＯＩ基板を２段
でリンスする他は、実施例４に準じ行った。上記洗浄溶
液組成物により洗浄したＳＯＩ基板は重量変化が見られ
ず、腐食はなく、基板表面は良好であった。又、金属除
去率(％)は下記の通りであった。 Ｋ：９８、Ｆｅ：１００、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：１０
０、Ｎｉ：９８
ホン酸を純水を用いて固形分５％に希釈した。この溶液
８８重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１２
重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して洗
浄溶液組成物とした。この洗浄溶液組成物を使用して以
下の条件でＳＯＩ基板(６インチシリコンウェハ上に熱
酸化ＳｉＯ2を厚さ１００ｎｍ成膜)を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ３０℃ 洗浄時間 １０分 溶液液量 １０００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水７００ｍｌを用いてＳＯＩ基板を２段
でリンスする他は、実施例４に準じ行った。上記洗浄溶
液組成物により洗浄したＳＯＩ基板は重量変化が見られ
ず、腐食はなく、基板表面は良好であった。又、金属除
去率(％)は下記の通りであった。 Ｋ：９８、Ｆｅ：１００、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：１０
０、Ｎｉ：９８
【００２５】実施例８ 精製された固形分４０％の２−オキシエタン−１−スル
ホン酸を純水を用いて固形分１０％に希釈した。この溶
液９０重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１
０重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して
洗浄溶液組成物とした。この洗浄溶液組成物を使用して
以下の条件でｐ−シリコン埋め込み素子基板(６インチ)
を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ３０℃ 洗浄時間 １０分 溶液液量 １０００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水７００ｍｌを用いて前記素子基板を２
段でリンスする他は、実施例４に準じ行った。上記洗浄
溶液組成物により洗浄した素子基板は重量変化が見られ
ず、腐食はなく、基板表面は良好であった。又、金属除
去率(％)は下記の通りであった。 Ｋ：９７、Ｆｅ：９９、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：１００、
Ｎｉ：９５
ホン酸を純水を用いて固形分１０％に希釈した。この溶
液９０重量部に半導体グレードの３５％過酸化水素を１
０重量部の割合で加え、均一になるまで充分に撹拌して
洗浄溶液組成物とした。この洗浄溶液組成物を使用して
以下の条件でｐ−シリコン埋め込み素子基板(６インチ)
を浸漬洗浄した。 洗浄温度 ３０℃ 洗浄時間 １０分 溶液液量 １０００ｍｌ 浸漬洗浄後、純水７００ｍｌを用いて前記素子基板を２
段でリンスする他は、実施例４に準じ行った。上記洗浄
溶液組成物により洗浄した素子基板は重量変化が見られ
ず、腐食はなく、基板表面は良好であった。又、金属除
去率(％)は下記の通りであった。 Ｋ：９７、Ｆｅ：９９、Ｃｕ：１００、Ｃｒ：１００、
Ｎｉ：９５
【００２６】比較例１ 精製された固形分９８％の濃硫酸を純水を用いて固形分
１０％に希釈し、酸洗浄溶液とした。洗浄試験は実施例
１の方法に準じて行った結果、接触角は５２°であっ
た。
１０％に希釈し、酸洗浄溶液とした。洗浄試験は実施例
１の方法に準じて行った結果、接触角は５２°であっ
た。
【００２７】比較例２ 精製された固形分９８％の濃硫酸を純水を用いて固形分
１０％に希釈した後、この溶液に非イオン界面活性剤
(商品名：アデカトールＳＯ−１３５)０.１％を添加
し、均一になるまで充分に撹拌して洗浄溶液とした。洗
浄試験は実施例２の方法に準じて行った結果、洗浄時間
５分、１５分の接触角はそれぞれ１７°、３２°であっ
た。
１０％に希釈した後、この溶液に非イオン界面活性剤
(商品名：アデカトールＳＯ−１３５)０.１％を添加
し、均一になるまで充分に撹拌して洗浄溶液とした。洗
浄試験は実施例２の方法に準じて行った結果、洗浄時間
５分、１５分の接触角はそれぞれ１７°、３２°であっ
た。
【００２８】比較例３ シュウ酸を純水を用いて固形分５％に希釈し、酸洗浄溶
液とした後、この溶液にアニオン界面活性剤(商品名：
アデカホープＤＳ−２３)０.０５％を添加し、均一にな
るまで充分に撹拌して洗浄溶液とした。洗浄試験は実施
例３の方法に準じて行った結果、洗浄時間５分、１５分
の接触角はそれぞれ２５°、３４°であった。
液とした後、この溶液にアニオン界面活性剤(商品名：
アデカホープＤＳ−２３)０.０５％を添加し、均一にな
るまで充分に撹拌して洗浄溶液とした。洗浄試験は実施
例３の方法に準じて行った結果、洗浄時間５分、１５分
の接触角はそれぞれ２５°、３４°であった。
【００２９】比較例４ 半導体グレード固形分９８％の硫酸を純水を用いて固形
分７％に希釈した。この溶液９０重量部に半導体グレー
ドの３５％過酸化水素を１０重量部の割合で加え、均一
になるまで充分に撹拌して洗浄剤とし、洗浄試験は実施
例５の方法に準じた。この試験の結果、重量減による腐
食量は６１１Å／分を示し、シリコンウェハへの阻害が
見られた。又、メタル除去率(％)は以下の通りであっ
た。 Ｋ：９５、Ｆｅ：１００、Ｃｕ：９９、Ｃｒ：９９、Ｎ
ｉ：９５
分７％に希釈した。この溶液９０重量部に半導体グレー
ドの３５％過酸化水素を１０重量部の割合で加え、均一
になるまで充分に撹拌して洗浄剤とし、洗浄試験は実施
例５の方法に準じた。この試験の結果、重量減による腐
食量は６１１Å／分を示し、シリコンウェハへの阻害が
見られた。又、メタル除去率(％)は以下の通りであっ
た。 Ｋ：９５、Ｆｅ：１００、Ｃｕ：９９、Ｃｒ：９９、Ｎ
ｉ：９５
【００３０】
【発明の効果】本発明の効果は、精密電子部品材料向け
の安定性に優れ、高性能な表面清浄度を持つ酸性硬表面
洗浄溶液組成物を提供したことにある。また、本発明の
効果は、洗浄後に阻害性がなくウェハ表面清浄度に優れ
た高性能電子部品材料用洗浄溶液組成物を提供したこと
にある。
の安定性に優れ、高性能な表面清浄度を持つ酸性硬表面
洗浄溶液組成物を提供したことにある。また、本発明の
効果は、洗浄後に阻害性がなくウェハ表面清浄度に優れ
た高性能電子部品材料用洗浄溶液組成物を提供したこと
にある。
Claims (3)
- 【請求項１】 ２−オキシエタン−１−スルホン酸を含
有してなる洗浄溶液組成物。 - 【請求項２】 ２−オキシエタン−１−スルホン酸及び
過酸化水素を含有してなる電子部品材料用洗浄溶液組成
物。 - 【請求項３】 ２−オキシエタン−１−スルホン酸３〜
１５重量％及び過酸化水素１〜５重量％を含有する、請
求項２記載の電子部品材料用洗浄溶液組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32868097A JP3753404B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-11-28 | 電子部品材料用洗浄溶液組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-246892 | 1997-09-11 | ||
| JP24689297 | 1997-09-11 | ||
| JP32868097A JP3753404B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-11-28 | 電子部品材料用洗浄溶液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11148095A true JPH11148095A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3753404B2 JP3753404B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=26537959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32868097A Expired - Fee Related JP3753404B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-11-28 | 電子部品材料用洗浄溶液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3753404B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009057570A (ja) * | 2008-10-23 | 2009-03-19 | Kao Corp | リンス剤組成物 |
| JP2023133294A (ja) * | 2018-03-28 | 2023-09-22 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 洗浄用組成物 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613364A (ja) * | 1991-07-12 | 1994-01-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | シリコンウエハーおよび半導体素子洗浄液 |
| JPH06330092A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-11-29 | Kao Corp | 液体漂白剤組成物 |
| JPH07115077A (ja) * | 1993-10-19 | 1995-05-02 | Nippon Steel Corp | シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液 |
| JPH07166189A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-27 | Kao Corp | 固形洗浄剤組成物 |
| JPH0827484A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-01-30 | Kao Corp | 漂白洗浄剤組成物 |
| JPH08264499A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Kanto Chem Co Inc | シリコンウェーハ用洗浄液及び洗浄方法 |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP32868097A patent/JP3753404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3753404B2 (ja) | 2006-03-08 |
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