JPH11148965A - Integrated circuit - Google Patents
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- JPH11148965A JPH11148965A JP9331127A JP33112797A JPH11148965A JP H11148965 A JPH11148965 A JP H11148965A JP 9331127 A JP9331127 A JP 9331127A JP 33112797 A JP33112797 A JP 33112797A JP H11148965 A JPH11148965 A JP H11148965A
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Abstract
Description
【産業上の利用分野】本発明は、LSI(集積回路)、
特に、LSIを応用回路に実装した際に必要な動作試験
をサポートする回路を内臓するLSIに関する。The present invention relates to an LSI (integrated circuit),
In particular, the present invention relates to an LSI incorporating a circuit that supports an operation test required when the LSI is mounted on an application circuit.
【従来の技術】近年、LSI(Large Scale Integratio
n)、VLSI(Very Large Scale Integration)等の集積
回路は小型化、高集積化が進んでいる。集積回路の集積
規模の拡大に伴い信号の入出力用の端子数が増大し、パ
ッケージの端子間距離が狭くなっている。集積回路を実
装したプリント配線基板等に対して、その製品検査段階
において、実装された集積回路の動作をテストする際に
は通常LSIテスタが用いられる。以下にLSIテスタ
を用いた、従来の多ピンの集積回路デバイスにおける動
作テストの方法について説明する。図1は、集積回路を
実装した装置の従来のテスト方法を示すものである。図
1において、41、42は集積回路の入力端子、43、
44は出力端子である。45はLSIテスタであり、L
SIテスタはプローブ47、48によりテスト対象の集
積回路の各端子と接続される。以上のように構成された
LSIテスタを用いた集積回路デバイスのテスト方法に
ついて、以下その動作について説明する。まず、LSI
テスタ45のテスト信号発生部45aによりテスト信号
を発生させ、発生したテスト信号をプローブ41を通し
て集積回路46の入力端子41に出力する。集積回路4
6では、入力された入力テスト信号に対する出力信号
を、出力端子43側に設置されたプローブ48を介して
LSIテスタ45のテスト結果信号参照部45bに入力
する。LSIテスタ45はテスト信号に対して予め用意
されたテスト結果予測信号とテスト結果信号とを参照し
て結果が一致するかを判定し、集積回路が正常に動作し
ている否かを判定する。2. Description of the Related Art In recent years, LSI (Large Scale Integratio)
n), integrated circuits such as VLSI (Very Large Scale Integration) are becoming smaller and more highly integrated. As the scale of integration of an integrated circuit increases, the number of signal input / output terminals increases, and the distance between the terminals of the package decreases. An LSI tester is usually used to test the operation of the mounted integrated circuit on a printed wiring board or the like on which the integrated circuit is mounted in a product inspection stage. An operation test method for a conventional multi-pin integrated circuit device using an LSI tester will be described below. FIG. 1 shows a conventional test method of a device mounting an integrated circuit. In FIG. 1, reference numerals 41 and 42 denote input terminals of an integrated circuit;
44 is an output terminal. 45 is an LSI tester, L
The SI tester is connected to terminals of an integrated circuit to be tested by probes 47 and 48. The operation of a test method of an integrated circuit device using the LSI tester configured as described above will be described below. First, LSI
A test signal is generated by a test signal generator 45 a of the tester 45, and the generated test signal is output to the input terminal 41 of the integrated circuit 46 through the probe 41. Integrated circuit 4
In step 6, the output signal corresponding to the input test signal is input to the test result signal reference section 45b of the LSI tester 45 via the probe 48 provided on the output terminal 43 side. The LSI tester 45 refers to a test result prediction signal and a test result signal prepared for the test signal to determine whether the results match, and determines whether the integrated circuit is operating normally.
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
LSIテスタによるテスト方法では、集積回路の高集積
化によりピン間距離が狭く、LSIテスタからの信号入
出力に用いるプローブのLSIの各ピンに対する設置が
難しかった。また、プローブの設置の際に他のピンにも
接触してしまう恐れがあり、そのために誤動作を生じる
などの問題を有していた。また、LSIテスタは非常に
高価であり、装置メーカにとってその購入の負担は非常
に大きいものであった。本発明は上記従来の問題を解決
するもので、高価なLSIテスタを用いることなく集積
回路の動作を簡単にテスト可能な集積回路を提供するこ
とを目的とする。However, in the above-described test method using the LSI tester, the distance between pins is narrow due to the high integration of the integrated circuit, and the probe used for inputting / outputting signals from the LSI tester is installed on each pin of the LSI. Was difficult. In addition, there is a possibility that another pin may come into contact with the probe when the probe is installed, which causes a problem such as malfunction. Also, the LSI tester is very expensive, and the burden of purchasing the device maker is very large. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide an integrated circuit capable of easily testing the operation of the integrated circuit without using an expensive LSI tester.
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の集積回路は以下の構成を備える。即ち、
集積回路の入出力端子の論理レベルのテストを補助する
補助手段を備える集積回路であって、前記補助手段は、
入出力端子を他駆動手段からの駆動を無効にして、所定
の論理レベルになるように駆動する駆動手段と、前記駆
動手段の駆動論理レベルを指定する指定手段とを備え
る。In order to achieve the above object, an integrated circuit according to the present invention has the following arrangement. That is,
An integrated circuit comprising auxiliary means for assisting a test of a logic level of an input / output terminal of the integrated circuit, wherein said auxiliary means includes:
Driving means for driving the input / output terminal to a predetermined logical level by disabling driving from the other driving means, and specifying means for specifying a driving logical level of the driving means.
【実施の形態】「第1の実施の形態」 以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しな
がら詳細に説明する。図2において、1は本発明の集積
回路デバイス、11は集積回路デバイス内の内部回路、
12はマルチプレクサ、13は制御信号入力端子、A
1、A2、..Anは入力信号制御回路、B1、B
2、..Bnは出力信号制御回路である。以上のように
構成された集積回路デバイスについて、図2及び図3を
用いてその動作を説明する。第1の実施の形態の集積回
路デバイス1は、内部回路11、内部回路11に対する
入力信号を制御する入力信号制御回路A1、A2、..
An、内部回路11から出力される信号を制御する出力
信号制御回路B1、B2、..Bn、入力信号制御回路
A1、A2、..Anと出力信号制御回路B1、B
2、..Bnでの動作を制御する動作モード制御信号を
生成するマルチプレクサ12を備える。入力信号は、入
力端子6を介して入力信号制御回路A1、A2、..A
nに入力される。また、出力信号は出力端子5を介して
出力信号制御回路B1、B2、..Bnから出力され
る。マルチプレクサ12は、入力端子13に入力される
選択信号をマルチプレクスして、入力信号制御回路A
1、A2、..An、出力信号制御回路B1、B
2、..BnのG1、G2端子に接続されたトランジス
タのうち1つを選択して活性化する動作モード制御信号
を生成する。図3は、これらの入力信号制御回路A1、
A2、..Anの具体的な回路構成の例を示している。
ここで、X1は集積回路デバイス1の入力端子6に接続
される。バッファB1の出力Y1は、内部回路11(図
2)に接続される。電流制限抵抗R1、R2,MOS型
トランジスタTR1,TR2から成るプルアップ/プル
ダウン回路P1は、入力端子X1の電圧レベルを、トラ
ンジスタTR1,TR2のゲートに入力するゲート入力
信号G1,G2に基づいて制御する。電流制限抵抗R1
の一端は高レベル電源電圧ラインに接続されており、ト
ランジスタTR1がオンすると所定量の電流が電流制限
抵抗R1を介してトランジスタTR1のソース・ドレイ
ンに流れ、バッファB1の入力レベルを高レベル電圧に
引き上げる。一方、トランジスタTR2のソースには低
レベル電源電圧ラインに接続されており、トランジスタ
TR2がオンするとバッファB1の入力レベルを低レベ
ル電圧に引き下げる。尚、トランジスタTR1,TR2
は排他的に動作するようにゲート入力信号G1,G2が
入力される。尚、トランジスタTR1,TR2のいずれ
かがアクティブに駆動される時は、入力端子X1はハイ
インピーダンス状態になるように制御されている必要が
あることは言うまでもなく、これを実現するために、入
力端子X1に接続されている外部回路(不図示)は入力
端子X1をハイインピーダンスにする機能を持つことが
必要である。次に、図4を参照して、入力信号制御回路
A1、A2、..Anの別な回路構成例を示す。ここ
で、バッファB41の出力Y41は、内部回路11(図
2)に接続される。入力端子X41は、図2の集積回路
1の入力端子6に接続される。トランジスタTR41と
コンデンサC41の組み合わせでダイナミックメモリを
構成する。トランジスタTR41のゲートG1にマルチ
プレクサ12からトランジスタTR41をアクティブに
させるレベルの信号を入力すると、入力端子X41の電
圧レベルに対応して電流制限抵抗R41とトランジスタ
41を介してコンデンサC41を充電あるいは放電す
る。そして、トランジスタTR41のゲートG1にマル
チプレクサ12からトランジスタTR41をインアクテ
ィブにさせるレベルの信号を入力すると、トランジスタ
TR41は非活性化してコンデンサC41は充電/放電
した結果の電圧レベルを維持するメモリの機能を持つ。
従って、トランジスタTR41を活性化して、入力端子
X41に接続された不図示の外部回路から高レベルまた
は低レベル電圧を入力端子X41に印加することによ
り、対応する電圧レベルになる電荷がコンデンサC41
に充電/放電することになる。その後、上述の不図示の
外部回路が入力端子X41をハイインピーダンスとなる
ようにゲートG1をマルチプレクサ12を介して制御す
れば、トランジスタTR41をオンに制御することによ
り入力端子X41のレベルをコンデンサC41の電位に
することができる。尚、この構成例の場合、マルチプレ
クサ12からの制御信号はゲートG1に対する1本でよ
いことは言うまでもない。尚、図4の例では、コンデン
サの充電放電によるダイナミックメモリの構成とした
が、スタティックメモリの構成にしてもよいことは言う
までもない。次に、図5を参照して、出力信号制御回路
B1、B2、..Bnに共通の回路構成例を示す。入力
端子X50は、内部回路11からの出力端子と接続され
る。出力端子Y50は集積回路1(図2)の出力端子5
に接続される。トランジスタTR50のゲートG3とト
ランジスタTR51のゲートG4はそれぞれマルチプレ
クサ12の出力に接続される。トライステートバッファ
B50のトライステート制御端子Z1は集積回路1(図
2)の制御端子100に接続される。トライステートバ
ッファB50は、内部回路11(図2)から出力される
信号を出力端子Y50に伝達するか否かをトライステー
ト制御端子Z1に入力される制御信号に応じて制御す
る。このことによって、プルアップ/ダウン回路P50
からの出力を優先するか入力端子50から入力する信号
を優先させるかを選択することができる。電流制限抵抗
R50、R51、MOS型トランジスタTR50,TR
51から成るプルアップ/プルダウン回路P50は、出
力端子Y50の電圧レベルを、トランジスタTR50,
TR51のゲートにマルチプレクサ12(図2)から入
力する信号G3,G4に基づいて制御する。電流制限抵
抗R50の一端は高レベル電源電圧ラインに接続されて
おり、トランジスタTR50がオンすると所定量の電流
が電流制限抵抗R50を介してトランジスタTR50の
ソース・ドレインに流れ、出力端子Y50を高レベル電
圧に引き上げる。一方、トランジスタTR51のソース
には低レベル電源電圧ラインに接続されており、トラン
ジスタTR51がオンすると出力端子Y50を低レベル
電圧に引き下げる。尚、トランジスタTR50,TR5
1は排他的にオンするか、両方ともオフに成るようにゲ
ート入力信号G3,G4が入力される。尚、トランジス
タTR50,TR51のいずれかがオンに駆動される時
は、トライステートバッファB50は入力端子X50か
らの入力を遮断するように制御されている必要があるこ
とは言うまでもない。 「第2の実施の形態」次に、図6は、本発明に係る第2
の実施の形態の集積回路デバイス2を示す。図6の集積
回路デバイス2が、第1の実施の形態の集積回路デバイ
ス1と異なる点は、入力信号制御回路A1、A2、..
Anと出力信号制御回路B1、B2、..Bnの回路構
成が異なり、さらに、入力信号制御回路A1、A
2、..Anと出力信号制御回路B1、B2、..Bn
の各々を制御するための制御入力が増えた点にある。以
下、図6を参照して、図1に対して異なる構成部分につ
いて説明する。選択回路30は、入力端子31から入力
される選択信号をデコードして、入力信号制御回路C
1、C2、..Cnと出力信号制御回路D1、D
2、..Dnのうちの1つを選択する信号を生成する。
マルチプレクサ12と選択回路30からの出力によっ
て、入力信号制御回路C1、C2、..Cnと出力信号
制御回路D1、D2、..Dnの動作が決定されること
になる。次に、図7を参照して、入力信号制御回路C
1、C2、..Cnの各々の回路構成例を説明する。こ
こで、X7は集積回路デバイス2(図6)の入力端子2
00に接続される。出力端子Y7は、内部回路11(図
6)に接続される。電流制限抵抗R7、R8、MOS型
トランジスタTR70,TR71から成るプルアップ/
プルダウン回路P70は、出力端子Y7の電圧レベル
を、トランジスタTR70,TR71のゲートに入力す
るゲート入力信号G5,G6に基づいて制御する。電流
制限抵抗R7の一端は高レベル電源電圧ラインに接続さ
れており、トランジスタTR70がオンすると所定量の
電流が電流制限抵抗R7を介してトランジスタTR70
のソース・ドレインに流れ、出力端子Y7を高レベル電
圧に引き上げる。一方、トランジスタTR71のソース
には低レベル電源電圧ラインに接続されており、トラン
ジスタTR71がオンすると出力端子Y7を低レベル電
圧に引き下げる。尚、トランジスタTR70,TR71
は排他的にオンするか、両方ともにオフするようにゲー
ト入力信号G5,G6が入力される。尚、トランジスタ
TR70,TR71のいずれかがオンに駆動される時
は、バッファB70の出力を遮断するように、バッファ
B70のトライステート制御入力端子Z3が制御されて
いる必要があることは言うまでもない。このようにバッ
ファB70が入力端子X7側に配置していることによっ
て、集積回路2(図6)の外部に接続された回路からの
出力を遮断して、内部回路11に特定レベルの信号を与
えることができ、テストを容易化することができる。 「第3の実施の形態」第3の実施の形態では、図3に示
した入力信号制御回路の別の構成例を示す。図3の構成
と異なる主な点は、図8の構成ではプルアップ/プルダ
ウンのレベルをフリップフロップFF1によって維持す
ることにある。従って、この構成では、外部でそのレベ
ルを保持する回路構成が不要になる。尚、図3の回路構
成で同様の構成部には同じ参照番号を付している。図8
を参照して、その回路構成を以下で説明する。X1は集
積回路デバイス1の入力端子6に接続される。バッファ
B1の出力Y1は、内部回路11(図2)に接続され
る。フリップフロップFF1は、制御端子100(図
2)からの入力論理レベルをマルチプレクサ12から選
択信号G2が入力されるタイミングでラッチする。その
ラッチされた出力はフリップフロップFF1のQ出力端
子から出力され、トライステートバッファB10に入力
される。そして、マルチプレクサ12からの選択信号が
入力されると、フリップフロップFF1からの入力論理
レベルに等しい論理レベル信号を電流制限抵抗R50を
介してX1のラインに出力する。尚、図8は、入力信号
制御回路の構成例を示したが、この論理レベルを保持す
るフリップフロップFF1を出力信号制御回路に適用し
てもよいことは言うまでもない。尚、上述した入力信号
制御回路と出力信号制御回路内のトランジスタは電界効
果型トランジスタであったが、バイポーラ型トランジス
タであってもよいことは言うまでもない。以上説明した
各実施の形態の集積回路を用いれば、高価なLSIテス
タを用いることなく集積回路の回路基盤に実装した時の
動作を簡単にテストできる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In FIG. 2, 1 is an integrated circuit device of the present invention, 11 is an internal circuit in the integrated circuit device,
12 is a multiplexer, 13 is a control signal input terminal, A
1, A2,. . An is an input signal control circuit, B1, B
2,. . Bn is an output signal control circuit. The operation of the integrated circuit device configured as described above will be described with reference to FIGS. The integrated circuit device 1 according to the first embodiment includes an internal circuit 11, input signal control circuits A1, A2,. .
An, output signal control circuits B1, B2,. . Bn, input signal control circuits A1, A2,. . An and output signal control circuits B1, B
2,. . A multiplexer 12 for generating an operation mode control signal for controlling the operation in Bn is provided. The input signals are supplied to input signal control circuits A1, A2,. . A
n. The output signals are output via output terminals 5 to output signal control circuits B1, B2,. . Output from Bn. The multiplexer 12 multiplexes the selection signal input to the input terminal 13 to generate an input signal control circuit A
1, A2,. . An, output signal control circuits B1, B
2,. . An operation mode control signal for selecting and activating one of the transistors connected to the G1 and G2 terminals of Bn is generated. FIG. 3 shows these input signal control circuits A1,
A2,. . An example of a specific circuit configuration of An is shown.
Here, X1 is connected to the input terminal 6 of the integrated circuit device 1. Output Y1 of buffer B1 is connected to internal circuit 11 (FIG. 2). A pull-up / pull-down circuit P1 composed of current limiting resistors R1, R2 and MOS transistors TR1, TR2 controls the voltage level of input terminal X1 based on gate input signals G1, G2 input to the gates of transistors TR1, TR2. I do. Current limiting resistor R1
Is connected to a high-level power supply voltage line. When the transistor TR1 is turned on, a predetermined amount of current flows to the source / drain of the transistor TR1 via the current limiting resistor R1, and the input level of the buffer B1 is changed to a high-level voltage. Pull up. On the other hand, the source of the transistor TR2 is connected to a low-level power supply voltage line, and when the transistor TR2 is turned on, the input level of the buffer B1 is reduced to a low-level voltage. The transistors TR1 and TR2
Input the gate input signals G1 and G2 so as to operate exclusively. When any one of the transistors TR1 and TR2 is driven to be active, the input terminal X1 needs to be controlled to be in a high impedance state. An external circuit (not shown) connected to X1 needs to have a function of making input terminal X1 high impedance. Next, referring to FIG. 4, input signal control circuits A1, A2,. . Another circuit configuration example of An is shown. Here, the output Y41 of the buffer B41 is connected to the internal circuit 11 (FIG. 2). The input terminal X41 is connected to the input terminal 6 of the integrated circuit 1 in FIG. A dynamic memory is constituted by a combination of the transistor TR41 and the capacitor C41. When a signal for activating the transistor TR41 is input from the multiplexer 12 to the gate G1 of the transistor TR41, the capacitor C41 is charged or discharged via the current limiting resistor R41 and the transistor 41 in accordance with the voltage level of the input terminal X41. When a signal of a level for inactivating the transistor TR41 is input from the multiplexer 12 to the gate G1 of the transistor TR41, the transistor TR41 is inactivated, and the capacitor C41 has a memory function of maintaining the voltage level as a result of charging / discharging. Have.
Therefore, by activating the transistor TR41 and applying a high-level or low-level voltage to the input terminal X41 from an external circuit (not shown) connected to the input terminal X41, the charge having the corresponding voltage level is changed to the capacitor C41.
Charge / discharge. Thereafter, if the external circuit (not shown) controls the gate G1 via the multiplexer 12 so that the input terminal X41 becomes high impedance, the level of the input terminal X41 is controlled by turning on the transistor TR41. Potential. In the case of this configuration example, it goes without saying that the control signal from the multiplexer 12 may be one for the gate G1. In the example shown in FIG. 4, the dynamic memory is configured by charging and discharging the capacitor. However, it is needless to say that a static memory may be configured. Next, referring to FIG. 5, output signal control circuits B1, B2,. . Bn shows an example of a common circuit configuration. Input terminal X50 is connected to an output terminal from internal circuit 11. Output terminal Y50 is output terminal 5 of integrated circuit 1 (FIG. 2).
Connected to. The gate G3 of the transistor TR50 and the gate G4 of the transistor TR51 are connected to the output of the multiplexer 12, respectively. Tristate control terminal Z1 of tristate buffer B50 is connected to control terminal 100 of integrated circuit 1 (FIG. 2). Tristate buffer B50 controls whether to transmit a signal output from internal circuit 11 (FIG. 2) to output terminal Y50 according to a control signal input to tristate control terminal Z1. This allows the pull-up / down circuit P50
It is possible to select whether to give priority to the output from the input terminal or to give priority to the signal input from the input terminal 50. Current limiting resistors R50, R51, MOS transistors TR50, TR
51, the pull-up / pull-down circuit P50 changes the voltage level of the output terminal Y50 to the transistors TR50,
Control is performed based on signals G3 and G4 input to the gate of TR51 from the multiplexer 12 (FIG. 2). One end of the current limiting resistor R50 is connected to a high-level power supply voltage line. When the transistor TR50 is turned on, a predetermined amount of current flows to the source / drain of the transistor TR50 via the current limiting resistor R50, and the output terminal Y50 is set to a high level. Increase to voltage. On the other hand, the source of the transistor TR51 is connected to a low-level power supply voltage line, and when the transistor TR51 is turned on, the output terminal Y50 is lowered to a low-level voltage. The transistors TR50, TR5
The gate input signals G3 and G4 are input so that 1 is exclusively turned on or both are turned off. Needless to say, when one of the transistors TR50 and TR51 is driven to be turned on, the tristate buffer B50 needs to be controlled so as to cut off the input from the input terminal X50. Second Embodiment Next, FIG. 6 shows a second embodiment according to the present invention.
1 shows an integrated circuit device 2 according to the embodiment. The difference between the integrated circuit device 2 of FIG. 6 and the integrated circuit device 1 of the first embodiment is that the input signal control circuits A1, A2,. .
An and output signal control circuits B1, B2,. . Bn has a different circuit configuration, and further has input signal control circuits A1 and A1.
2,. . An and output signal control circuits B1, B2,. . Bn
In that the number of control inputs for controlling each of the above has increased. Hereinafter, with reference to FIG. 6, a description will be given of components different from those of FIG. The selection circuit 30 decodes the selection signal input from the input terminal 31 and outputs the selected signal to the input signal control circuit C.
1, C2,. . Cn and output signal control circuits D1, D
2,. . A signal for selecting one of Dn is generated.
According to the outputs from the multiplexer 12 and the selection circuit 30, the input signal control circuits C1, C2,. . Cn and the output signal control circuits D1, D2,. . The operation of Dn will be determined. Next, referring to FIG. 7, the input signal control circuit C
1, C2,. . An example of each circuit configuration of Cn will be described. Here, X7 is the input terminal 2 of the integrated circuit device 2 (FIG. 6).
00 is connected. Output terminal Y7 is connected to internal circuit 11 (FIG. 6). A pull-up comprising current limiting resistors R7, R8 and MOS transistors TR70, TR71
The pull-down circuit P70 controls the voltage level of the output terminal Y7 based on the gate input signals G5 and G6 input to the gates of the transistors TR70 and TR71. One end of the current limiting resistor R7 is connected to a high-level power supply voltage line, and when the transistor TR70 is turned on, a predetermined amount of current flows through the transistor TR70 via the current limiting resistor R7.
And the output terminal Y7 is pulled up to a high level voltage. On the other hand, the source of the transistor TR71 is connected to a low-level power supply voltage line, and when the transistor TR71 turns on, the output terminal Y7 is lowered to a low-level voltage. The transistors TR70 and TR71
Are turned on exclusively, or gate input signals G5 and G6 are input so that both are turned off. It is needless to say that the tri-state control input terminal Z3 of the buffer B70 needs to be controlled so as to cut off the output of the buffer B70 when any one of the transistors TR70 and TR71 is driven to be turned on. By arranging the buffer B70 on the input terminal X7 side, an output from a circuit connected to the outside of the integrated circuit 2 (FIG. 6) is cut off, and a signal of a specific level is given to the internal circuit 11. Testing can be facilitated. Third Embodiment In the third embodiment, another configuration example of the input signal control circuit shown in FIG. 3 will be described. The main difference from the configuration of FIG. 3 is that the flip-flop FF1 maintains the pull-up / pull-down level in the configuration of FIG. Therefore, this configuration eliminates the need for a circuit configuration that externally holds the level. Note that, in the circuit configuration of FIG. 3, similar components are denoted by the same reference numerals. FIG.
The circuit configuration will be described below with reference to FIG. X1 is connected to the input terminal 6 of the integrated circuit device 1. Output Y1 of buffer B1 is connected to internal circuit 11 (FIG. 2). The flip-flop FF1 latches the input logic level from the control terminal 100 (FIG. 2) at the timing when the selection signal G2 is input from the multiplexer 12. The latched output is output from the Q output terminal of the flip-flop FF1, and is input to the tri-state buffer B10. Then, when the selection signal from the multiplexer 12 is input, a logic level signal equal to the input logic level from the flip-flop FF1 is output to the line X1 via the current limiting resistor R50. Although FIG. 8 shows an example of the configuration of the input signal control circuit, it goes without saying that the flip-flop FF1 holding this logic level may be applied to the output signal control circuit. Although the transistors in the input signal control circuit and the output signal control circuit described above are field effect transistors, it goes without saying that they may be bipolar transistors. By using the integrated circuits of the embodiments described above, the operation when mounted on the circuit board of the integrated circuit can be easily tested without using an expensive LSI tester.
【発明の効果】以上説明した各実施の形態の集積回路を
用いれば、高価なLSIテスタを用いることなく集積回
路の回路基盤に実装した時の動作を簡単にテストでき
る。By using the integrated circuits of the embodiments described above, the operation when mounted on a circuit board of the integrated circuit can be easily tested without using an expensive LSI tester.
【図1】従来の集積回路のテスト構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a test configuration of a conventional integrated circuit.
【図2】第1の実施の形態の集積回路の構成を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of an integrated circuit according to a first embodiment.
【図3】第1の実施の形態の入力制御回路の構成を示す
図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an input control circuit according to the first embodiment.
【図4】第1の実施の形態の別の入力制御回路の構成を
示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of another input control circuit according to the first embodiment.
【図5】第1の実施の形態の出力制御回路の構成を示す
図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of an output control circuit according to the first embodiment.
【図6】第2の実施の形態の集積回路の構成を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an integrated circuit according to a second embodiment;
【図7】第2の実施の形態の入力制御回路の構成を示す
図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of an input control circuit according to a second embodiment;
【図8】第3の実施の形態の入力制御回路の構成を示す
図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of an input control circuit according to a third embodiment.
1 集積回路デバイス 11 内部回路 12 マルチプレクサ 13 制御信号入力端子 31 集積回路デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Integrated circuit device 11 Internal circuit 12 Multiplexer 13 Control signal input terminal 31 Integrated circuit device
Claims (6)
ストを補助する補助手段を備える集積回路であって、前
記補助手段は、入出力端子を他駆動手段からの駆動を無
効にして、所定の論理レベルになるように駆動する駆動
手段と、前記駆動手段の駆動論理レベルを指定する指定
手段とを備えることを特徴とする集積回路。1. An integrated circuit comprising auxiliary means for assisting a test of a logic level of an input / output terminal of an integrated circuit. An integrated circuit, comprising: a driving unit that drives to a logical level of the following; and a specifying unit that specifies a driving logical level of the driving unit.
理レベルに駆動する第1のトランジスタと前記入出力端
子を低論理レベルに駆動する第2のトランジスタを備え
ることを特徴とする請求項1に記載の集積回路。2. The device according to claim 1, wherein said driving means includes a first transistor for driving said input / output terminal to a high logic level and a second transistor for driving said input / output terminal to a low logic level. 2. The integrated circuit according to 1.
あるいはドレインの一方に電流制限抵抗が接続されてい
ることを特徴とする請求項2に記載の集積回路。3. The integrated circuit according to claim 2, wherein a current limiting resistor is connected to one of a source and a drain of the first and second transistors.
持する保持手段をさらに備えることを特徴とする請求項
2に記載の集積回路。4. The integrated circuit according to claim 2, wherein said driving means further comprises holding means for holding a desired driving level.
ルで構成されることを特徴とする請求項4に記載の集積
回路。5. The integrated circuit according to claim 4, wherein said holding means comprises a dynamic memory cell.
のトランジスタをオンにさせる制御信号を出力するマル
チプレクサを備えることを特徴とする請求項1に記載の
集積回路。6. The method according to claim 1, wherein the specifying unit is configured to perform the first or second
2. The integrated circuit according to claim 1, further comprising: a multiplexer that outputs a control signal for turning on said transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331127A JPH11148965A (en) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331127A JPH11148965A (en) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11148965A true JPH11148965A (en) | 1999-06-02 |
Family
ID=18240180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9331127A Pending JPH11148965A (en) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11148965A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162295A (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Nec Electronics Corp | Semiconductor integrated circuit |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP9331127A patent/JPH11148965A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162295A (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Nec Electronics Corp | Semiconductor integrated circuit |
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