JPH11149165A

JPH11149165A - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH11149165A
Application number: JP31704897A
Authority: JP
Inventors: Hirokazu Takada; 宏和高田
Original assignee: Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 1997-11-18
Filing date: 1997-11-18
Publication date: 1999-06-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ｐｎ接合による電位障壁を利用した電子写真
用感光体において、ｎ型半導体層内のキャリア移動度を
大きくし、ｎ型半導体層の膜厚を大きくした場合や低温
環境下および帯電・露光を繰り返した後であっても、画
像欠陥および感度低下がなく、印字環境および導電性支
持体の表面状態に影響され難い高品質の電子写真用感光
体を提供する。【解決手段】導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸
送層を積層してなる感光層を有する電子写真用感光体に
おいて、電荷発生層がｐ型半導体顔料を樹脂に分散して
なるとともに、導電性支持体と電荷発生層との間にｎ型
半導体顔料を樹脂に分散してなり、支持体と電気的に非
整流的な接合状態を示すｎ型半導体層を有し、ｎ型半導
体層が下記一般式で示されるトリフェニルメタン化合物
を含有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真用感光体に
関し、さらに詳しくはｐ型半導体層である電荷発生層に
対してｐｎ接合をするｎ型半導体層を電荷発生層と導電
性支持体との間に設けることによって、電子写真特性を
大幅に改善した電子写真用感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に電子写真用感光体は、導電性支持
体上に、感光層を形成することにより構成されている
が、特に感光層が電荷発生層と電荷輸送層からなる機能
分離型の積層型電子写真用感光体が用いられることが多
い。このような電子写真用感光体では、導電性支持体と
電荷発生層の間の電気的な接合状態によって、その特性
が大きく変化することが知られている。

【０００３】例えば、通常の電流と電界が比例的関係に
あるような、非整流型（いわゆるオーミック型）の場合
においては、帯電時に導電性支持体から常に電荷が注入
されることにより、表面電位が減衰し、電子写真用感光
体の帯電能が著しく低下する。この場合、感光層と導電
性支持体との間に電気的なバリアー層を設けて導電性支
持体からの電荷の注入を阻止することによって、帯電能
を上げることができることが知られている。

【０００４】これに対して、例えば、アルミニウムのよ
うな仕事関数の小さい金属を導電性支持体とし、フタロ
シアニン化合物を電荷発生材料とした場合の組み合わせ
にみられるように、いわゆるショットキー型の接合を持
つ場合は、その整流作用によって、導電性支持体からの
電荷の注入が制限され、特にバリアー層を設けなくても
比較的優れた帯電能を示すことが知られている。

【０００５】しかしながら、この場合においても導電性
支持体上に点在する欠陥、不純物の晶出、塗膜中の不純
物等が原因となり、局所的な電位の落ち込みが生じ、特
に反転現像方式において画像上に欠陥として現れること
が知られており、その対策としてさらにバリアー層を設
けることが一般的である。

【０００６】従来の技術において、バリアー層を利用し
て機能向上を図った電子写真用感光体では、例えば、バ
リアー層に電気絶縁性の高分子重合体を用いたもので
は、適度のバリアー性と接着性、上層を塗布する際に溶
解しないといった条件を満足する必要性から、バリアー
層として使用できる材料がかなり限定されており、さら
に膜厚の設定が大きい場合には感光層から導電性支持体
への電荷注入が阻害され、感度低下や残留電位の増加を
もたらしたり、吸水によるバリアー性の変化による電子
写真特性の劣化や、感光層との密着性の不足等がしばし
ば問題となっていた。

【０００７】また、バリアー層にＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂等
の絶縁性無機化合物膜を用いたものでは、化学処理、あ
るいは真空蒸着、スパッタリング等の手段を必要とする
ため、成膜に時間がかかったり、コストが大きくなる等
の問題があり、さらに樹脂塗膜型のバリアー層と同様に
感度の低下や残留電位の増加といった問題が未解決であ
った。

【０００８】さらに、バリアー層にＴｉＯ₂やＺｎＯ等
の白色無機粉末を樹脂分散させた層を用いる技術も知ら
れているが、この方法でも基本的には樹脂塗膜型と同様
な問題点を持っており、実用的な電子写真用感光特性を
得るためには材料の純度、粒径、表面状態、樹脂との配
合比との調整が非常に面倒であった。

【０００９】そこで、これらの問題点を解決する手段と
してｐｎ接合の電位障壁を利用し、帯電時における導電
性支持体からの電荷の注入を阻止し、感光体の帯電能を
上げる方法が、例えば、特開平７−１６００１０に記載
されている。

【００１０】すなわち、電子写真用感光体の電荷発生層
に多く用いられているチタニルフタロシアニン、無金属
フタロシアニン等のフタロシアニン系顔料はｐ型半導体
としての性質を有するが、このｐ型半導体顔料を樹脂に
分散してなる電荷発生層と導電性支持体との間に、導電
性支持体と非整流的な接合状態を示すｎ型半導体顔料を
樹脂に分散してなる層を設けるというものである。

【００１１】この場合、感光体に負帯電を行うと、形成
されたｐｎ接合に対しては逆バイアス電場となり、その
整流性により導電性支持体からの電荷（正孔）の注入は
阻止され、その結果、帯電能が向上する。

【００１２】ここで、電荷発生層に吸収を有する波長の
光がｐｎ接合型感光体に照射されると、電荷発生層内で
正孔と電子の対が発生し、このうち正孔はｐ型電荷発生
層から電荷輸送層に注入、輸送され表面電荷を中和す
る。一方、電子はｎ型半導体層を経て、導電性支持体に
注入される。

【００１３】また従来の電子写真用感光体においては、
導電性支持体と電荷発生層の間の、ショットキー接合で
代表される整流的接合、或いは独立したバリアー層の電
気抵抗によって電荷の注入を阻止しているため、導電性
支持体と感光層の間の微妙な接触状態により大きな特性
変化が生じ得る。

【００１４】例えば、導電性支持体上に汚れや欠陥があ
る場合、有効なバリアー形成が阻害され、画像上に欠陥
として出現する確率が非常に大きくなる。

【００１５】これに対し、上記のｐｎ接合を用いた電子
写真用感光体においては、導電性支持体と接するｎ型半
導体層と支持体との間はオーミックに接するため、バリ
アー形成のための微妙な条件設定は不必要となり、また
電荷の注入はｎ型半導体層とｐ型半導体層である電荷発
生層との界面という導電性支持体表面より離れた部分に
おいて阻止されるため、導電性支持体の影響を受けるこ
とが少なく、高品質な画像特性を得ることができる。

【００１６】しかし、顔料を樹脂に分散させてなるｎ型
半導体層においては層内におけるキャリアトラップの密
度が大きいこと、また高電気抵抗の樹脂に顔料を分散し
ている構造のためキャリアのホッピング伝導に必要なホ
ッピングサイトの密度が小さいといったことにより、キ
ャリアの移動度が小さいという問題がある。

【００１７】このため、ｎ型半導体層の膜厚が大きい場
合、もしくは低温環境下や帯電、露光を繰り返した場合
には、ｎ型半導体層のキャリア移動度の低下やキャリア
トラップによる空間電荷のため、感度の低下や残留電位
の増加、暗減衰の増加といった電子写真特性の劣化が現
れることがある。

【００１８】その結果、回転しながら印字を行うドラム
状の感光体の場合には露光を行っていないにも関わら
ず、前周の画像パターンが再び画像もしくは反転画像と
して現れる、メモリー現象と称される画像欠陥を生じ
る。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ｐｎ接合を
用いた電子写真用感光体におけるこれらの問題を解決
し、画像特性に優れ、更に繰り返し使用においても特性
が変化しない電子写真用感光体を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意検討を行
った結果、上記課題は以下の手段により解決されること
を見いだした。

【００２１】すなわち本発明は、導電性支持体上に少な
くとも電荷発生層及び電荷輸送層を積層してなる感光層
を有する電子写真用感光体において、該電荷発生層がｐ
型半導体顔料を樹脂に分散してなるとともに、該導電性
支持体と該電荷発生層との間にｎ型半導体顔料を樹脂に
分散してなり、該導電性支持体と電気的に非整流的な接
合状態を示すｎ型半導体層を有し、該ｎ型半導体層が下
記一般式で示されるトリフェニルメタン化合物を含有す
ることを特徴とする。

【００２２】

【化２】

【００２３】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、水素原
子、もしくは、置換基を有していても良いアルキル基、
アリール基を表し、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷は水素原子、ハロゲ
ン原子、もしくは、置換基を有しても良いアルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アミノ基を表す。）

【００２４】好ましくは、上記一般式で示されるトリフ
ェニルメタン化合物において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ
⁵、Ｒ⁷が水素原子、もしくはメチル基、Ｒ⁶が水素原子
もしくはメチル置換基を有していても良いアミノ基であ
る電子写真用感光体である。

【００２５】また、好ましくは上記ｎ型半導体顔料がペ
リレン系顔料からなり、さらに好ましくは上記ｐ型半導
体顔料がチタニルフタロシアニン系顔料または無金属フ
タロシアニン系顔料からなる群より選ばれる顔料である
電子写真用感光体である。

【００２６】本発明により、ｐｎ接合型電子写真用感光
体において問題となっていた低温環境下での使用時や帯
電、露光を繰り返した際の感度の低下や残留電位の上
昇、暗減衰の増加といった問題が解決され、環境および
使用状態に影響されず、安定した良質な画像が得られる
電子写真用感光体を提供することが可能となる。

【００２７】ｎ型半導体顔料を樹脂に分散させてなるｎ
型半導体層に上記のトリフェニルメタン化合物を添加す
ることにより、ｎ型半導体層における光キャリアのドリ
フト移動度が大きくなることが過渡光電流（ＴＯＦ）測
定により観測される。このことよりｎ型半導体層におけ
るキャリアの輸送効率が向上し、感光層内における空間
電荷の生成が抑えられることにより上記のような問題が
解決されるものと考えられる。

【００２８】これらのトリフェニルメタン化合物のう
ち、特にロイコ化合物は電子輸送性が大きく、ｎ型半導
体層に添加することでキャリア輸送効率は顕著に増加す
る。これらのロイコ化合物の例としてはマゼンタ、メチ
ルバイオレット、クリスタルバイオレット、マラカイト
グリーン等のトリフェニルメタン染料のロイコ塩基が挙
げられる。このうち、ロイコマラカイトグリーンは特に
キャリア輸送効率の向上に対する効果が大きく、特に好
ましい。

【００２９】本発明において、ｎ型半導体層に添加する
トリフェニルメタン化合物の添加量は、ｎ型半導体層の
顔料に対し１〜２５重量パーセントの範囲が特に好まし
く、この範囲でキャリアの移動度の向上に効果が特に顕
著である。

【００３０】さらに、ｎ型半導体層の膜厚は０．５μｍ
以上がｐｎ接合による十分な整流性を得ることができる
が、特に膜厚を５〜２０μｍの範囲とすることにより、
導電性支持体表面の欠陥、汚染等に起因する画像上の欠
陥を効果的に改善することができる。

【００３１】本発明におけるｎ型半導体層に用いること
のできる顔料としては、例えば、ジスアゾ系顔料、ペリ
レン系顔料、アンザンスロン系顔料、ペリノン系顔料等
の有機顔料や、硫化カドミウム、硫化亜鉛等の無機顔料
が挙げられる。これらのうち、特にペリレン系顔料は電
子輸送能が大きく、また本発明におけるトリフェニルメ
タン化合物の添加によりさらに電子輸送効率が向上し、
良好なｐｎ接合型感光体を得ることができる。

【００３２】一方、ｐ型電荷発生層に用いることのでき
る顔料としてはフタロシアニン系顔料、メロシアニン系
色素等の有機顔料や、六方晶セレン等の無機顔料が挙げ
られる。これらのうち、フタロシアニン系顔料、特にチ
タニルフタロシアニン系顔料および無金属フタロシアニ
ン系顔料は、量子収率が大きく、高感度の感光体が得ら
れるとともに、ペリレン系顔料よりｎ型半導体層と良好
なｐｎ接合を形成するため特に好ましい。

【００３３】本発明の電子写真用感光体で使用するこれ
らのｐ型およびｎ型半導体物質は、ここに挙げたものに
限定されるものではなく、また２種類以上のｐ型もしく
はｎ型半導体物質を混合して用いることができる。

【００３４】これらの電荷発生層、ｎ型半導体層はそれ
ぞれ、ｐ型及びｎ型半導体顔料を適当なバインダー樹脂
に分散した状態で形成されるのが一般的である。これら
のｐ型及びｎ型半導体顔料を分散させるバインダー樹脂
としては、フィルム形成可能な高分子重合体が好まし
い。

【００３５】このような高分子重合体としては、例え
ば、ポリカーボネート、ポリエステル、メタクリル樹
脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、スチレン−
ブタジエン共重合体、塩化ビニリデンーアクリロニトリ
ル重合体、塩化ビニルー酢酸ビニル共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹
脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムア
ルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、
ポリビニルアルコール、エチルセルロース、フェノール
樹脂、ポリアミド、カルボキシ−メチルセルロース、塩
化ビニリデン系ポリマーラテックス、ポリウレタン等が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【００３６】これらのバインダー樹脂は、単独又は２種
類以上を混合して用いられる。特に、これらの樹脂の電
気抵抗の大きさにより電荷発生層とｎ型半導体層との間
のｐｎ接合状態、またｎ型半導体層におけるキャリア移
動度が変化し、帯電能、感度、画像特性等に影響を及ぼ
すため、適度な抵抗値が得られるとともに、吸湿による
電気抵抗変化の小さい樹脂を選択することがより好まし
い。

【００３７】本発明の電子写真用感光体における導電性
支持体としては、例えば、アルミニウム、銅、亜鉛、ス
テンレス、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウ
ム、インジウム、金、白金等の金属又は合金を用いた金
属板、、金属ドラム、ベルト、あるいは導電性ポリマ
ー、酸化インジウム等の導電性化合物やアルミニウム、
パラジウム、金等の金属又は合金や導電性カーボン等を
塗布、蒸着、あるいはラミネートした紙、プラスチック
フィルム、板、ドラム、ベルト等が挙げられる。

【００３８】これらの導電性支持体はｎ型半導体層と非
整流的な接合状態を示すことが必要であるが、これらが
非整流的に接合する条件は、導電性支持体の材質と導電
性支持体に接する半導体層に使用する顔料の組み合わせ
によって決定される。

【００３９】例えばペリレン系顔料をｎ型半導体層に用
いた場合、アルミニウムのような仕事関数の小さい材料
を導電性支持体に用いることにより、ｎ型半導体層と導
電性支持体との間に非整流的な接合が実現され、特に好
ましい。

【００４０】本発明における電荷輸送層は正孔輸送型で
あることが好ましい。正孔輸送物質としては、低分子化
合物では、例えばピレン系化合物、カルバゾール系化合
物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、ピラゾ
リン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、トリフェ
ニルメタン系化合物、ベンジジン系化合物、ブタジエン
系化合物等が挙げられる。

【００４１】また、高分子化合物としては、例えば、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
スラセン、ポリビニルアクリジン、ピレン−ホルムアル
デヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹
脂、トリフェニルメタンポリマー、ポリシラン等が挙げ
られる。これらの電荷輸送物質はここに挙げたものに限
定されるものではなく、その使用に際しては、単独、或
いは２種以上混合して用いることができる。

【００４２】本発明における電子写真用感光体の構成の
一例を、図１に示す。導電性支持体１上にｎ型半導体層
２を形成させ、電荷発生層３および電荷輸送層４を順次
形成させたものであるが、バインダー樹脂を溶剤に溶解
した上で、ｎ型半導体物質、ｐ型半導体物質、電荷輸送
物質をそれぞれ分散もしくは溶解させた塗料を塗布する
ことにより、各層を形成するのが一般的である。

【００４３】塗布方法としては浸積塗工、ロールコーテ
ィング、スプレーコーティング等の方法が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。

【００４４】また、ｎ型半導体層および電荷発生層に関
しては、蒸着等の物理的な膜形成方法を選択することも
可能である。

【００４５】

【実施例】以下、実施例および比較例を用い本発明を更
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。尚、実施例中「部」とあるのは
「重量部」を表す。

【００４６】（実施例１）ブチラール樹脂（商品名「エ
スレックＢＨ−３」積水化学（株）製）４部、ポリアミ
ド樹脂（商品名「ＣＭ−８０００」東レ（株）製）１部
を、混合溶剤（塩化メチレン５０％、メタノール５０
％）１００部に溶解した。これにｎ型半導体顔料である
下記構造式

【００４７】

【化３】

【００４８】で表されるペリレン顔料（商品名「PALIOG
EN Maroon L3820」ＢＡＳＦ社製）１０部を加え、サン
ドグラインダーを用いて分散させて、塗料を作製した。
この塗料に下記構造式

【００４９】

【化４】

【００５０】で表されるロイコマラカイトグリーン（p、
p'-Benzylidenebis(N、N-dimethylaniline）、関東化学
（株）製）０．５部を加え、ｎ型半導体層用の塗料とし
た。

【００５１】次に、ブチラール樹脂１部を塩化メチレン
１００部に溶解し、ｐ型半導体顔料であるα型チタニル
フタロシアニン２部を加え、振動ミルを用いて分散させ
て電荷発生層用の塗料を得た。

【００５２】さらに、正孔輸送物質である下記構造式

【００５３】

【化５】

【００５４】で表されるヒドラゾン系化合物４部および
ポリカーボネート樹脂（商品名「パンライトＣ−１４０
０」帝人化成（株）製）５部を塩化メチレン４０部に溶
解して電荷輸送層用の塗料を得た。

【００５５】次に、アルミニウム板に乾燥後の膜厚が５
μｍとなるように、作製したｎ型半導体層用塗料をバー
コーターを用いて塗布し、乾燥を行った。次に同様に乾
燥後の膜厚が０．４μｍとなるように、ｎ型半導体層の
上に電荷発生層用塗料を塗布し乾燥後、さらに乾燥後の
膜厚が２５μｍとなるように、電荷輸送層用の塗料を塗
布することによって感光体を作製した。

【００５６】（実施例２）実施例１と同様のブチラール
樹脂２部、ポリアミド樹脂３部を、混合溶剤１００部に
溶解し、これに下記構造式

【００５７】

【化６】

【００５８】で表されるペリレン顔料（商品名「PALIOG
EN Red L3910」ＢＡＳＦ社製）１０部を加え、サンドグ
ラインダーを用いて分散させて、これにロイコマラカイ
トグリーン１部を加えた。これをｎ型半導体層用の塗料
とし、実施例１と同様に塗布し、これに実施例１と同様
の電荷発生層、電荷輸送層を順次積層し、感光体を作製
した。

【００５９】（実施例３）実施例１において電荷発生層
に用いるｐ型半導体顔料としてＸ型無金属フタロシアニ
ンを用いた以外は実施例１と同様にして電子写真用感光
体を作製した。

【００６０】（比較例）ロイコマラカイトグリーンを添
加しないこと以外は実施例１と同様のｎ型半導体層用の
塗料を作製し、これを実施例１と同様の方法で塗布、さ
らに実施例１と同様の電荷発生層、電子輸送層を順次積
層することにより感光体を作製した。

【００６１】（電気的特性）各実施例及び比較例で得た
感光体の電子写真特性を評価するために静電気帯電試験
装置ＭｏｄｅｌＥＰＡ−８１００（（株）川口電機製
作所製）を用いて電子写真特性を測定した。

【００６２】測定は２３℃で行い、まず電子写真用感光
体を暗所で印加電圧−６ｋＶのコロナ放電により帯電さ
せ、この直後の表面電位を初期電位Ｖ₀として電子写真
感光体の帯電能の評価に用いた。次に１０秒間、暗所
に放置した後の電位を測定し、Ｖ₁₀とした。ここで比Ｖ
₁₀／Ｖ₀によって電位保持能を評価した。

【００６３】次いで、７８０ｎｍの干渉フィルタを通し
たタングステンランプの光を、強度が１μＷ／ｃｍ²に
なるように設定し、感光層に光照射を１５秒間行い、表
面電位の減衰曲線を記録した。ここで１５秒後の表面電
位を測定し、それを残留電位Ｖ_Rとした。また光照射に
より表面電位がＶ₁₀の１／２に減少するまでの露光量を
求め、半減露光量Ｅ_1/2（ｍＪ／ｍ²）として感度を評価
した。その後、３０００ルクスの白色光を０．１秒間照
射して除電した。さらに、これらの帯電、露光、除電の
行程を１００回繰り返した後の特性変化を測定した。こ
れらの結果を表１に示した。

【００６４】

【表１】

【００６５】表１から明らかなように、実施例１〜４の
電子写真用感光体は本発明におけるトリフェニルメタン
化合物をｎ型半導体層に含有しない比較例の電子写真用
感光体と比較して、残留電位が小さく、また帯電・露光
を繰り返しによる暗減衰の劣化も少なかった。

【００６６】（画像特性）外径３０ｍｍ、表面粗度０．
３μｍのアルミドラム上に浸漬塗工法によって、実施例
１〜４および比較例の電子写真感光体を同一膜厚条件と
なるように塗布、乾燥させてドラム上電子写真感光体を
作製した。画像特性の評価には市販のレーザープリンタ
（商品名「Laser Jet 4」 Hewlett Packard社製）に
作製したドラム状電子写真用感光体を装着して、１０
℃、２０％ＲＨ、２３℃、５０％ＲＨ、３５℃、８５％
ＲＨの３種類の温湿度環境条件で印字試験を行い、その
評価を行った。

【００６７】この結果、実施例１〜４の電子写真用感光
体はどの環境条件においても、いずれも鮮明で地汚れの
ない画像が得られ、また１万枚を連続で印字を行った後
も初期の品質を保持していた。

【００６８】一方、比較例の電子写真用感光体では、１
０℃、２０％ＲＨの環境で印字試験を行うと、露光を行
っていないにも関わらず、ドラムの前周の画像パターン
が反転画像として現れるメモリー現象が認められた。

【００６９】また、２３℃、５０％ＲＨの環境での印字
試験の初期ではこの様なメモリー現象は見られなかった
が、連続印字を約１５００回繰り返すと、今度はドラム
の前周の画像パターンが正転画像として現れるメモりー
現象が認められた。

【００７０】

【発明の効果】本発明におけるトリフェニルメタン化合
物をｐｎ接合型電子写真用感光体におけるｎ型半導体層
に含有させることにより、ｎ型半導体層内のキャリア移
動度が大きくなり、ｎ型半導体層の膜厚を大きくした場
合であっても低温環境下および帯電・露光を繰り返した
際の感度の低下や、メモリー現象といった画像欠陥を防
止することができ、印字環境や導電性支持体の表面状態
に影響され難く、さらには繰り返し使用においても特性
が変化しない高品質の電子写真用感光体を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真用感光体の層構成の一例を示
す模式断面図である。

【符号の説明】

１導電性支持体２ｎ型半導体層３電荷発生層４電荷輸送層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に少なくとも電荷発生層
及び電荷輸送層を積層してなる感光層を有する電子写真
用感光体において、該電荷発生層がｐ型半導体顔料を樹
脂に分散してなるとともに、該導電性支持体と該電荷発
生層との間にｎ型半導体顔料を樹脂に分散してなり、該
導電性支持体と電気的に非整流的な接合状態を示すｎ型
半導体層を有し、該ｎ型半導体層が下記一般式で示され
るトリフェニルメタン化合物を含有することを特徴とす
る電子写真用感光体。【化１】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、水素原子、もしくは、
置換基を有していても良いアルキル基、アリール基を表
し、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷は水素原子、ハロゲン原子、もしく
は、置換基を有していても良いアルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アミノ基を表す。）
【請求項２】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁷が水素原
子もしくはメチル基、Ｒ⁶が水素原子もしくはメチル置
換基を有していても良いアミノ基であることを特徴とす
る請求項１記載の電子写真用感光体。
【請求項３】ｎ型半導体顔料がペリレン系顔料からな
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子
写真用感光体。
【請求項４】ｐ型半導体顔料がチタニルフタロシアニ
ン系顔料または無金属フタロシアニン系顔料からなる群
より選ばれる顔料であることを特徴とする請求項１、請
求項２または請求項３記載の電子写真用感光体。