JPH1115431A - 電界放出型ディスプレイ装置 - Google Patents
電界放出型ディスプレイ装置Info
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- JPH1115431A JPH1115431A JP17197597A JP17197597A JPH1115431A JP H1115431 A JPH1115431 A JP H1115431A JP 17197597 A JP17197597 A JP 17197597A JP 17197597 A JP17197597 A JP 17197597A JP H1115431 A JPH1115431 A JP H1115431A
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000600 Ba alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アノード電源回路に高安定化電源を用いるこ
となく、アノード電源電圧変動の輝度に対する影響を補
償することを可能としたFED装置を提供する。 【解決手段】 ゲート電極により駆動される電界放出型
エミッタをもつ複数の画素Pijが行列配置され、行方向
の画素を共通駆動するゲート配線と列方向のエミッタを
共通駆動するエミッタ配線とが形成された表示基板、及
びこの表示基板に対向配置されてアノード電極と蛍光体
膜が形成された対向基板とを有するFED本体1と、ア
ノード電源回路2,ゲート駆動回路3及びエミッタ駆動
回路4を有し、アノード電源回路2から出力されるアノ
ード電源電圧の変動をモニターする電圧検知回路7を備
えて、ゲート電源回路6はそのゲート電源電圧が電圧検
知回路7の出力に応じてアノード電源電圧の変動と逆極
性の変動を生じるように可変制御されるようにした。
となく、アノード電源電圧変動の輝度に対する影響を補
償することを可能としたFED装置を提供する。 【解決手段】 ゲート電極により駆動される電界放出型
エミッタをもつ複数の画素Pijが行列配置され、行方向
の画素を共通駆動するゲート配線と列方向のエミッタを
共通駆動するエミッタ配線とが形成された表示基板、及
びこの表示基板に対向配置されてアノード電極と蛍光体
膜が形成された対向基板とを有するFED本体1と、ア
ノード電源回路2,ゲート駆動回路3及びエミッタ駆動
回路4を有し、アノード電源回路2から出力されるアノ
ード電源電圧の変動をモニターする電圧検知回路7を備
えて、ゲート電源回路6はそのゲート電源電圧が電圧検
知回路7の出力に応じてアノード電源電圧の変動と逆極
性の変動を生じるように可変制御されるようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、微小な電界放出
型エミッタを配列形成してなる表示基板を用いて構成さ
れる電界放出型ディスプレイ装置に関する。
型エミッタを配列形成してなる表示基板を用いて構成さ
れる電界放出型ディスプレイ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、フラットパネルディスプレイとし
て、微小エミッタを電子源として用いたFED(Field
Emission Display)が注目されている。FEDは、ゲー
ト電極により駆動される電界放出型エミッタを持つ複数
画素が配列形成された表示基板と、この表示基板に対向
配置されたアノード電極と蛍光体膜が形成された対向基
板とから構成される。表示基板と対向基板の間は真空排
気される。表示基板上の行方向の画素を共通駆動する複
数本のゲート配線と、列方向の画素の電界放出エミッタ
を共通駆動する複数本のエミッタ配線とは外部に取り出
される。そして例えば、ゲート配線を順次駆動しなが
ら、これに同期してエミッタ配線に1ラインずつの画像
データを与えることにより、いわゆる線順次駆動の画像
表示が行われる。
て、微小エミッタを電子源として用いたFED(Field
Emission Display)が注目されている。FEDは、ゲー
ト電極により駆動される電界放出型エミッタを持つ複数
画素が配列形成された表示基板と、この表示基板に対向
配置されたアノード電極と蛍光体膜が形成された対向基
板とから構成される。表示基板と対向基板の間は真空排
気される。表示基板上の行方向の画素を共通駆動する複
数本のゲート配線と、列方向の画素の電界放出エミッタ
を共通駆動する複数本のエミッタ配線とは外部に取り出
される。そして例えば、ゲート配線を順次駆動しなが
ら、これに同期してエミッタ配線に1ラインずつの画像
データを与えることにより、いわゆる線順次駆動の画像
表示が行われる。
【0003】ゲート配線には例えば、順次正のゲート電
圧パルス(例えば、+25V)を印加することにより、
1ラインずつの選択が行われ、これに同期して各エミッ
タ配線には画像データに応じて負のエミッタ電圧パルス
(例えば、−25V)が印加される。ゲート配線に+2
5Vが印加され、エミッタ配線に−25Vが印加された
画素では、ゲート・エミッタ間電圧が50Vとなって電
子放出が生じ、この電子が正の高電圧500V〜6kV
が印加されたアノード電極側に加速されて蛍光体膜を叩
くことにより発光する。FEDの階調表示は、上述した
エミッタ電圧パルスをPWM(パルス幅変調)パルスと
して、そのパルス幅を制御することにより可能となる。
圧パルス(例えば、+25V)を印加することにより、
1ラインずつの選択が行われ、これに同期して各エミッ
タ配線には画像データに応じて負のエミッタ電圧パルス
(例えば、−25V)が印加される。ゲート配線に+2
5Vが印加され、エミッタ配線に−25Vが印加された
画素では、ゲート・エミッタ間電圧が50Vとなって電
子放出が生じ、この電子が正の高電圧500V〜6kV
が印加されたアノード電極側に加速されて蛍光体膜を叩
くことにより発光する。FEDの階調表示は、上述した
エミッタ電圧パルスをPWM(パルス幅変調)パルスと
して、そのパルス幅を制御することにより可能となる。
【0004】FEDのアノード電源回路には、例えばス
イッチング・インバータ形式の直流電源回路が用いられ
るが、アノード電源電圧が負荷に応じて変動すると、F
EDの表示性能に悪影響を与える。即ち、FEDの各画
素のエミッション電流はアノード電源電圧により加速さ
れてアノード電極上の蛍光体膜を叩き、表示しようとす
る画像に応じてアノード電流が0〜1mAの範囲で流れ
る。ところがアノード電流が流れることによりアノード
電源電圧が低下すると、必要な輝度が得られなくなる。
従って、アノード電源回路としては、負荷変動(即ちア
ノード電流変動)によらず一定の安定化出力電圧が得ら
れる高安定化電源が望まれる。
イッチング・インバータ形式の直流電源回路が用いられ
るが、アノード電源電圧が負荷に応じて変動すると、F
EDの表示性能に悪影響を与える。即ち、FEDの各画
素のエミッション電流はアノード電源電圧により加速さ
れてアノード電極上の蛍光体膜を叩き、表示しようとす
る画像に応じてアノード電流が0〜1mAの範囲で流れ
る。ところがアノード電流が流れることによりアノード
電源電圧が低下すると、必要な輝度が得られなくなる。
従って、アノード電源回路としては、負荷変動(即ちア
ノード電流変動)によらず一定の安定化出力電圧が得ら
れる高安定化電源が望まれる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、FEDのアノ
ード電源回路は前述のように500V〜6kVという高
電圧であるため、その二次側出力を一次側に帰還するフ
ィードバック回路を内蔵して高安定化電源回路を構成し
た場合、フィードバック回路の抵抗やコンデンサには高
耐圧の個別部品を用いなければならず、従ってアノード
電源回路が大型化するという問題がある。
ード電源回路は前述のように500V〜6kVという高
電圧であるため、その二次側出力を一次側に帰還するフ
ィードバック回路を内蔵して高安定化電源回路を構成し
た場合、フィードバック回路の抵抗やコンデンサには高
耐圧の個別部品を用いなければならず、従ってアノード
電源回路が大型化するという問題がある。
【0006】この発明は、アノード電源回路に高安定化
電源を用いることなく、アノード電源電圧変動の輝度に
対する影響を補償することを可能としたFED装置を提
供することを目的としている。
電源を用いることなく、アノード電源電圧変動の輝度に
対する影響を補償することを可能としたFED装置を提
供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係るFED装
置は、ゲート電極により駆動される電界放出型エミッタ
をもつ複数の画素が行列配置され、行方向の画素を共通
駆動する複数本のゲート配線と列方向の電界放出型エミ
ッタを共通駆動する複数本のエミッタ配線とが形成され
た表示基板、及びこの表示基板に対向配置されてアノー
ド電極と蛍光体膜が形成された対向基板を有するFED
装置本体と、前記アノード電極にアノード電源電圧を与
えるアノード電源回路と、前記複数本のゲート配線を選
択的に駆動するゲート駆動回路と、前記複数本のエミッ
タ配線を選択的に駆動するエミッタ駆動回路と、前記ア
ノード電源回路から出力されるアノード電源電圧の変動
をモニターする電圧検知手段と、前記ゲート駆動回路に
ゲート電源電圧を供給すると共に、このゲート電源電圧
が前記電圧検知手段の出力に応じて前記アノード電源電
圧の変動と逆極性の変動を生じるように可変制御される
ゲート電源回路とを備えたことを特徴とする。
置は、ゲート電極により駆動される電界放出型エミッタ
をもつ複数の画素が行列配置され、行方向の画素を共通
駆動する複数本のゲート配線と列方向の電界放出型エミ
ッタを共通駆動する複数本のエミッタ配線とが形成され
た表示基板、及びこの表示基板に対向配置されてアノー
ド電極と蛍光体膜が形成された対向基板を有するFED
装置本体と、前記アノード電極にアノード電源電圧を与
えるアノード電源回路と、前記複数本のゲート配線を選
択的に駆動するゲート駆動回路と、前記複数本のエミッ
タ配線を選択的に駆動するエミッタ駆動回路と、前記ア
ノード電源回路から出力されるアノード電源電圧の変動
をモニターする電圧検知手段と、前記ゲート駆動回路に
ゲート電源電圧を供給すると共に、このゲート電源電圧
が前記電圧検知手段の出力に応じて前記アノード電源電
圧の変動と逆極性の変動を生じるように可変制御される
ゲート電源回路とを備えたことを特徴とする。
【0008】この発明においては、ゲート駆動回路にゲ
ート電源電圧を与えるためのゲート電源回路として、出
力電圧が可変制御される可変電圧源を用いて、アノード
電源変動をモニターしながら、アノード電源電圧変動と
は逆極性の変動をゲート電源電圧に与えるようにしてい
る。従ってこの発明によれば、負荷電流に応じてアノー
ド電源電圧が変動したときに、その変動に応じてゲート
電源電圧の制御によるエミッション特性が制御され、こ
れによりアノード電源電圧の変動によるFEDの輝度へ
の影響が相殺されるようにしている。この発明による
と、アノード電源回路としてフィードバック回路内蔵の
高安定化電源を用いる必要がなく、FEDの電源回路の
小型化やASIC化,低コスト化が図られる。
ート電源電圧を与えるためのゲート電源回路として、出
力電圧が可変制御される可変電圧源を用いて、アノード
電源変動をモニターしながら、アノード電源電圧変動と
は逆極性の変動をゲート電源電圧に与えるようにしてい
る。従ってこの発明によれば、負荷電流に応じてアノー
ド電源電圧が変動したときに、その変動に応じてゲート
電源電圧の制御によるエミッション特性が制御され、こ
れによりアノード電源電圧の変動によるFEDの輝度へ
の影響が相殺されるようにしている。この発明による
と、アノード電源回路としてフィードバック回路内蔵の
高安定化電源を用いる必要がなく、FEDの電源回路の
小型化やASIC化,低コスト化が図られる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図1は、一実施例によるFED装
置の全体構成を示し、図2はそのFED本体1の表示基
板10側の4画素分のレイアウトを示し、図3はそのA
−A′位置でのFED本体1の断面構造を示している。
の実施例を説明する。図1は、一実施例によるFED装
置の全体構成を示し、図2はそのFED本体1の表示基
板10側の4画素分のレイアウトを示し、図3はそのA
−A′位置でのFED本体1の断面構造を示している。
【0010】FED本体1は、図3に示すように表示基
板10とこれに対向配置された対向基板20とから構成
される。表示基板10は例えば、シリコン基板11を用
いて構成されて、図1に示すように複数の画素Pij(i
=1〜m,j=1〜n)が行列配置される。表示基板1
0の各画素Pijに対応する位置に先鋭な先端を持つ電界
放出型エミッタ(以下、単にエミッタと称する)12
が、例えば4個ずつ形成される。図3では、便宜上各画
素に一つのエミッタ12しか示していない。またフルカ
ラー画像表示を行う場合には、各画素がR,G,Bドッ
トにより構成され、各ドット領域にエミッタ12が形成
される。
板10とこれに対向配置された対向基板20とから構成
される。表示基板10は例えば、シリコン基板11を用
いて構成されて、図1に示すように複数の画素Pij(i
=1〜m,j=1〜n)が行列配置される。表示基板1
0の各画素Pijに対応する位置に先鋭な先端を持つ電界
放出型エミッタ(以下、単にエミッタと称する)12
が、例えば4個ずつ形成される。図3では、便宜上各画
素に一つのエミッタ12しか示していない。またフルカ
ラー画像表示を行う場合には、各画素がR,G,Bドッ
トにより構成され、各ドット領域にエミッタ12が形成
される。
【0011】列方向のエミッタ12を共通駆動するエミ
ッタ配線13は、絶縁膜16により互いに分離されて、
1画素毎に1本(フルカラーの場合であれば、各画素に
R,G,B用の3本ずつ)配設されて、外部にエミッタ
端子E(E1,E2,…)として取り出される。行方向
の各エミッタ12を共通駆動するゲート配線(電極)1
4は、基板11上に絶縁膜17を介して形成されて、各
エミッタ12が露出する孔15が加工されている。各ゲ
ート配線14は、外部にゲート端子G(G1,G2,
…)として取り出される。
ッタ配線13は、絶縁膜16により互いに分離されて、
1画素毎に1本(フルカラーの場合であれば、各画素に
R,G,B用の3本ずつ)配設されて、外部にエミッタ
端子E(E1,E2,…)として取り出される。行方向
の各エミッタ12を共通駆動するゲート配線(電極)1
4は、基板11上に絶縁膜17を介して形成されて、各
エミッタ12が露出する孔15が加工されている。各ゲ
ート配線14は、外部にゲート端子G(G1,G2,
…)として取り出される。
【0012】対向基板20は、ガラス等の透明基板21
を用いて作られ、その表面にはITO等の透明導電膜に
よるアノード電極22が形成され、アノード電極22上
には、各画素に対応して蛍光体膜23が形成されてい
る。アノード電極22は、外部にアノード端子Aとして
取り出される。表示基板10と対向基板20の間は、図
示しないが、低融点ガラス等の封止材により真空封止さ
れる。この場合好ましくは、FED本体1の内部にはバ
リウム合金或いはジルコニウム合金等のゲッター材が封
入される。
を用いて作られ、その表面にはITO等の透明導電膜に
よるアノード電極22が形成され、アノード電極22上
には、各画素に対応して蛍光体膜23が形成されてい
る。アノード電極22は、外部にアノード端子Aとして
取り出される。表示基板10と対向基板20の間は、図
示しないが、低融点ガラス等の封止材により真空封止さ
れる。この場合好ましくは、FED本体1の内部にはバ
リウム合金或いはジルコニウム合金等のゲッター材が封
入される。
【0013】この様に構成されたFED本体1の駆動回
路として、図1に示すように、ゲート端子Gに順次ゲー
ト電圧パルスを供給するゲート駆動回路3と、このゲー
ト駆動回路3と同期してエミッタ端子Eに画像データに
対応するエミッタ電圧パルスを供給するエミッタ駆動回
路4とが設けられる。これらのゲート駆動回路3及びエ
ミッタ駆動回路4の同期制御を行うのが、コントローラ
5である。通常、線順次による画像表示を行う場合、エ
ミッタ駆動回路4には1ラインずつの画像データが順次
送り込まれ、n本のエミッタ端子Eには1ラインを構成
する画像データが同時に与えられ、ゲート駆動回路3に
よって一つのゲート端子Gが選択駆動されて1ラインの
画像表示がなされ、以下順次、1ラインずつの画像デー
タに対してゲート端子Gが選択駆動される。
路として、図1に示すように、ゲート端子Gに順次ゲー
ト電圧パルスを供給するゲート駆動回路3と、このゲー
ト駆動回路3と同期してエミッタ端子Eに画像データに
対応するエミッタ電圧パルスを供給するエミッタ駆動回
路4とが設けられる。これらのゲート駆動回路3及びエ
ミッタ駆動回路4の同期制御を行うのが、コントローラ
5である。通常、線順次による画像表示を行う場合、エ
ミッタ駆動回路4には1ラインずつの画像データが順次
送り込まれ、n本のエミッタ端子Eには1ラインを構成
する画像データが同時に与えられ、ゲート駆動回路3に
よって一つのゲート端子Gが選択駆動されて1ラインの
画像表示がなされ、以下順次、1ラインずつの画像デー
タに対してゲート端子Gが選択駆動される。
【0014】アノード電源回路2は、アノード端子Aに
数100V〜数kV程度の正の直流高電圧を印加するも
のであり、ゲート電源回路6は、ゲート駆動回路3に与
える数10Vの正の直流電圧を与えるものである。この
実施例においては、ゲート電源回路6は可変電圧源であ
って、アノード電源回路2の出力電圧の変動を検知する
電圧変動検知回路7が設けられて、この電圧変動検知回
路7の出力によりゲート電源回路6の出力電圧が可変制
御されるようになっている。
数100V〜数kV程度の正の直流高電圧を印加するも
のであり、ゲート電源回路6は、ゲート駆動回路3に与
える数10Vの正の直流電圧を与えるものである。この
実施例においては、ゲート電源回路6は可変電圧源であ
って、アノード電源回路2の出力電圧の変動を検知する
電圧変動検知回路7が設けられて、この電圧変動検知回
路7の出力によりゲート電源回路6の出力電圧が可変制
御されるようになっている。
【0015】図4は、上述のアノード電源回路2、電圧
変動検知回路7及びゲート電源回路6の部分の具体的な
構成を示している。アノード電源回路2は、スイッチン
グインバータ41とこれにつながるトランス42、及び
その二次側に設けられた整流平滑回路43により構成さ
れている。出力安定化のためのフィードバック回路は設
けられていない。電圧変動検知回路7は、抵抗R1,R
2を直列接続した抵抗分圧回路である。例えば、R1=
6GΩ,R2=6MΩとして、1μA程度の微小電流に
より、アノード電源電圧変動を検知できるようにしてい
る。
変動検知回路7及びゲート電源回路6の部分の具体的な
構成を示している。アノード電源回路2は、スイッチン
グインバータ41とこれにつながるトランス42、及び
その二次側に設けられた整流平滑回路43により構成さ
れている。出力安定化のためのフィードバック回路は設
けられていない。電圧変動検知回路7は、抵抗R1,R
2を直列接続した抵抗分圧回路である。例えば、R1=
6GΩ,R2=6MΩとして、1μA程度の微小電流に
より、アノード電源電圧変動を検知できるようにしてい
る。
【0016】ゲート電源回路6は、アノード電源回路2
の一次側を共有して、トランス二次側の中間タップ出力
を整流平滑する整流平滑回路44と、その整流平滑出力
を基準として電圧変動検知回路7から得られた出力によ
り出力電圧値が可変制御される可変電圧源45と、更に
その出力を対数変換するlogアンプ46とから構成さ
れる。可変電圧源45は、その出力電圧が、アノード電
源回路2の出力電圧変動の極性(従って電圧変動検知回
路7の出力電圧の変動極性)とは逆極性の変動を示すよ
うに設計されている。
の一次側を共有して、トランス二次側の中間タップ出力
を整流平滑する整流平滑回路44と、その整流平滑出力
を基準として電圧変動検知回路7から得られた出力によ
り出力電圧値が可変制御される可変電圧源45と、更に
その出力を対数変換するlogアンプ46とから構成さ
れる。可変電圧源45は、その出力電圧が、アノード電
源回路2の出力電圧変動の極性(従って電圧変動検知回
路7の出力電圧の変動極性)とは逆極性の変動を示すよ
うに設計されている。
【0017】アノード端子Aに与えられる電圧の負荷変
動による変動と、ゲート端子Gにパルスで与えられる電
圧の変動の具体的な関係は示さないが、アノード端子A
の電圧変動に起因するFEDの輝度変化が、ゲート端子
Gに与えられる電圧の変動によるエミッション特性の変
化により丁度相殺されるように、可変電圧源45の可変
利得が設計される。一方、アノード端子Aに与えられる
電圧の負荷変動による変動と輝度変化とは直線関係にあ
るのに対し、ゲート端子Gに与えられる電圧の変動とエ
ミッション電流との関係は指数関数で表される。そこ
で、可変電圧源45の出力をlogアンプ46を通すこ
とによって、ゲート端子Gに与えられる電圧の変動とエ
ミッション電流との直線関係を保持するようにしてい
る。
動による変動と、ゲート端子Gにパルスで与えられる電
圧の変動の具体的な関係は示さないが、アノード端子A
の電圧変動に起因するFEDの輝度変化が、ゲート端子
Gに与えられる電圧の変動によるエミッション特性の変
化により丁度相殺されるように、可変電圧源45の可変
利得が設計される。一方、アノード端子Aに与えられる
電圧の負荷変動による変動と輝度変化とは直線関係にあ
るのに対し、ゲート端子Gに与えられる電圧の変動とエ
ミッション電流との関係は指数関数で表される。そこ
で、可変電圧源45の出力をlogアンプ46を通すこ
とによって、ゲート端子Gに与えられる電圧の変動とエ
ミッション電流との直線関係を保持するようにしてい
る。
【0018】以上のようにこの実施例によれば、アノー
ド電源回路2には高安定化電源を用いることなく、負荷
変動によるアノード電圧変動変動の輝度に対する影響を
ゲート電圧の調整によって補償することができる。即
ち、負荷電流によりアノード電圧が低下して輝度が低く
なろうとすると、ゲート駆動電圧が高くなってエミッシ
ョン電流が増大させられ、輝度低下が補償される。そし
てこの実施例によれば、高電圧を扱うアノード電源回路
2に出力安定化のためのフィードバック回路を設ける必
要がないため、電源回路の小型化やASIC化等が容易
であり、またFEDの低コスト化が図られる。
ド電源回路2には高安定化電源を用いることなく、負荷
変動によるアノード電圧変動変動の輝度に対する影響を
ゲート電圧の調整によって補償することができる。即
ち、負荷電流によりアノード電圧が低下して輝度が低く
なろうとすると、ゲート駆動電圧が高くなってエミッシ
ョン電流が増大させられ、輝度低下が補償される。そし
てこの実施例によれば、高電圧を扱うアノード電源回路
2に出力安定化のためのフィードバック回路を設ける必
要がないため、電源回路の小型化やASIC化等が容易
であり、またFEDの低コスト化が図られる。
【0019】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、ア
ノード電源回路としてフィードバック回路内蔵の高安定
化電源を用いることなく、負荷電流によるアノード電源
電圧変動の輝度への影響を補償できるようにして、小型
化及び低コスト化を図ったFEDを得ることができる。
ノード電源回路としてフィードバック回路内蔵の高安定
化電源を用いることなく、負荷電流によるアノード電源
電圧変動の輝度への影響を補償できるようにして、小型
化及び低コスト化を図ったFEDを得ることができる。
【図1】 この発明の一実施例によるFED装置の構成
を示す。
を示す。
【図2】 同実施例のFED本体の表示基板側の要部レ
イアウトを示す。
イアウトを示す。
【図3】 同実施例のFED本体の要部断面構造を示
す。
す。
【図4】 同実施例のアノード及びゲート電源回路部の
構成を示す。
構成を示す。
1…FED本体、2…アノード電源回路、3…ゲート駆
動回路、4…エミッタ駆動回路、5…コントローラ、6
…ゲート電源回路、7…電圧変動検知回路、Pij…画
素、G…ゲート端子、E…エミッタ端子。
動回路、4…エミッタ駆動回路、5…コントローラ、6
…ゲート電源回路、7…電圧変動検知回路、Pij…画
素、G…ゲート端子、E…エミッタ端子。
Claims (1)
- 【請求項1】 ゲート電極により駆動される電界放出型
エミッタをもつ複数の画素が行列配置され、行方向の画
素を共通駆動する複数本のゲート配線と列方向の電界放
出型エミッタを共通駆動する複数本のエミッタ配線とが
形成された表示基板、及びこの表示基板に対向配置され
てアノード電極と蛍光体膜が形成された対向基板を有す
るディスプレイ装置本体と、 前記アノード電極にアノード電源電圧を与えるアノード
電源回路と、 前記複数本のゲート配線を選択的に駆動するゲート駆動
回路と、 前記複数本のエミッタ配線を選択的に駆動するエミッタ
駆動回路と、 前記アノード電源回路から出力されるアノード電源電圧
の変動をモニターする電圧検知手段と、 前記ゲート駆動回路にゲート電源電圧を供給すると共
に、このゲート電源電圧が前記電圧検知手段の出力に応
じて前記アノード電源電圧の変動と逆極性の変動を生じ
るように可変制御されるゲート電源回路とを備えたこと
を特徴とする電界放出型ディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17197597A JPH1115431A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 電界放出型ディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17197597A JPH1115431A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 電界放出型ディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1115431A true JPH1115431A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15933221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17197597A Pending JPH1115431A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 電界放出型ディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1115431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000267622A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-29 | Futaba Corp | 電界放出型表示装置の輝度補償回路 |
| JP2001324955A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Futaba Corp | 輝度調整装置及び電界放出形表示素子 |
| JP2006073500A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出ディスプレイ装置 |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP17197597A patent/JPH1115431A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000267622A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-29 | Futaba Corp | 電界放出型表示装置の輝度補償回路 |
| JP2001324955A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Futaba Corp | 輝度調整装置及び電界放出形表示素子 |
| JP2006073500A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出ディスプレイ装置 |
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