JPH11154620A - 銀及び希土類金属を用いてドープしたバリウム−チタネートを含有する多層キャパシタ - Google Patents
銀及び希土類金属を用いてドープしたバリウム−チタネートを含有する多層キャパシタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウ
ム−チタネートを含有する誘電性セラミック組成物の誘
電体と少なくとも２つの電極とを備えるセラミックキャ
パシタであって、優れた有効寿命、確実な信頼性、高い
誘電率及び広い温度範囲にわたる誘電率の低い温度依存
性を有するセラミックキャパシタを提供する。 【解決手段】 次の組成 【化１】 （式中、Ａ＝Ａｇ，Ａ′＝Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ
Ｇａ；Ｄ ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；Ｄ′＝Ｎｂ，Ｍ
ｏ，０．１０≦ｘ≦０．２５，０≦μ≦０．０１，０≦
μ′≦０．０１，０≦ν≦０．０１，０≦ν′≦０．０
１，０＜δ≦０．０１０．９９５≦ｚ＜１及び０≦α≦
０．００５を示す）で表されるドープドバリウム−カル
シウム−ジルコニウム−チタネートを含む誘電性セラミ
ック組成物のセラミック誘電体と少なくとも２つの電極
とを備える。
ム−チタネートを含有する誘電性セラミック組成物の誘
電体と少なくとも２つの電極とを備えるセラミックキャ
パシタであって、優れた有効寿命、確実な信頼性、高い
誘電率及び広い温度範囲にわたる誘電率の低い温度依存
性を有するセラミックキャパシタを提供する。 【解決手段】 次の組成 【化１】 （式中、Ａ＝Ａｇ，Ａ′＝Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ
Ｇａ；Ｄ ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；Ｄ′＝Ｎｂ，Ｍ
ｏ，０．１０≦ｘ≦０．２５，０≦μ≦０．０１，０≦
μ′≦０．０１，０≦ν≦０．０１，０≦ν′≦０．０
１，０＜δ≦０．０１０．９９５≦ｚ＜１及び０≦α≦
０．００５を示す）で表されるドープドバリウム−カル
シウム−ジルコニウム−チタネートを含む誘電性セラミ
ック組成物のセラミック誘電体と少なくとも２つの電極
とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドープドバリウム
−カルシウム−ジルコニウム−チタネートを含有する誘
電性セラミック組成物の誘電体と少なくとも２つの電極
とを備えるキャパシタに関する。本発明は特に、卑金属
の内部電極を有する多層キャパシタに関する。
−カルシウム−ジルコニウム−チタネートを含有する誘
電性セラミック組成物の誘電体と少なくとも２つの電極
とを備えるキャパシタに関する。本発明は特に、卑金属
の内部電極を有する多層キャパシタに関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック多層キャパシタは、通常、誘
電体として用いる誘電性グリーンセラミック組成物の層
と内部電極として用いる金属スペースの層とが交互に他
方の上面上に設置されて成り、最終的にはかかるセラミ
ック層及び金属層の積層体を焼結処理して製造される。
電体として用いる誘電性グリーンセラミック組成物の層
と内部電極として用いる金属スペースの層とが交互に他
方の上面上に設置されて成り、最終的にはかかるセラミ
ック層及び金属層の積層体を焼結処理して製造される。
【０００３】セラミック多層キャパシタの質は、誘電体
として用いる材料の化学組成及び電極の化学組成、並び
に製造条件により決定される。製造プロセス中、特に焼
結条件は重要な部分を任う。焼結雰囲気に応じて、種々
の対抗する酸化反応及び還元反応が焼結の間に行なわれ
る。還元雰囲気で焼結が行なわれた場合には、バリウム
チタネート及びその誘導体、例えばドープドバリウム−
カルシウム−ジルコニウム−チタネートは、半導体とな
る。このような状態においては、誘電体として用いるこ
とができない。電極材料がロジウム、パラジウム又は白
金から成る場合には、多層キャパシタは酸化条件下で焼
結されることができる。しかし、ロジウム及び白金は極
めて高価である。即ち、製造コスト中に占めるこれらの
割合は、５０％程にもなる。従って、近年ではロジウム
と白金を、より安価なニッケル又はその合金と置き換え
る傾向にある。しかし、焼結を酸化条件下で実施した場
合には、ニッケルは酸化し、従って、ニッケル電極を備
える多層キャパシタは、不活性若しくは、わずかに還元
する雰囲気中で焼結されなければならない。原則では、
還元雰囲気中での焼結はバリウムチタネート中の４価の
チタンを３価のチタンに還元し、これによりキャパシタ
の絶縁抵抗をかなり減少させることとなる。しかし、一
方では、バリウムチタネート中のチタンの還元度は、Ｃ
ｒＯ3 ，ＣＯ 2 Ｏ3 又はＭｎＯのようなアクセプターで
ある添加剤により減少する。
として用いる材料の化学組成及び電極の化学組成、並び
に製造条件により決定される。製造プロセス中、特に焼
結条件は重要な部分を任う。焼結雰囲気に応じて、種々
の対抗する酸化反応及び還元反応が焼結の間に行なわれ
る。還元雰囲気で焼結が行なわれた場合には、バリウム
チタネート及びその誘導体、例えばドープドバリウム−
カルシウム−ジルコニウム−チタネートは、半導体とな
る。このような状態においては、誘電体として用いるこ
とができない。電極材料がロジウム、パラジウム又は白
金から成る場合には、多層キャパシタは酸化条件下で焼
結されることができる。しかし、ロジウム及び白金は極
めて高価である。即ち、製造コスト中に占めるこれらの
割合は、５０％程にもなる。従って、近年ではロジウム
と白金を、より安価なニッケル又はその合金と置き換え
る傾向にある。しかし、焼結を酸化条件下で実施した場
合には、ニッケルは酸化し、従って、ニッケル電極を備
える多層キャパシタは、不活性若しくは、わずかに還元
する雰囲気中で焼結されなければならない。原則では、
還元雰囲気中での焼結はバリウムチタネート中の４価の
チタンを３価のチタンに還元し、これによりキャパシタ
の絶縁抵抗をかなり減少させることとなる。しかし、一
方では、バリウムチタネート中のチタンの還元度は、Ｃ
ｒＯ3 ，ＣＯ 2 Ｏ3 又はＭｎＯのようなアクセプターで
ある添加剤により減少する。
【０００４】しかし、これらの添加剤を用いるドーピン
グは、還元雰囲気中での焼結の間での結晶内の酸素空孔
の形成を防止することはできない。この酸素空孔はキャ
パシタの有効寿命を極端に低減する。該酸素空孔は、結
晶格子中で高い移動度を示し、電圧及び温度の影響を受
けて移動する。その結果、絶縁抵抗は、時がたつにつれ
て減少する。
グは、還元雰囲気中での焼結の間での結晶内の酸素空孔
の形成を防止することはできない。この酸素空孔はキャ
パシタの有効寿命を極端に低減する。該酸素空孔は、結
晶格子中で高い移動度を示し、電圧及び温度の影響を受
けて移動する。その結果、絶縁抵抗は、時がたつにつれ
て減少する。
【０００５】還元雰囲気中で焼結した後に、キャパシタ
をわずかに酸化する雰囲気中、６００〜１１００℃の温
度範囲で焼戻す場合には、酸素空孔の形成は部分的には
なされない。かかる処理中で、格子中の酸素空孔は再び
充填される。前記焼戻し処理の欠点は、誘電率εの明ら
かな低減と、ΔＣ／Δｔ曲線、即ち誘電率の温度依存性
に悪影響を及ぼすことである。
をわずかに酸化する雰囲気中、６００〜１１００℃の温
度範囲で焼戻す場合には、酸素空孔の形成は部分的には
なされない。かかる処理中で、格子中の酸素空孔は再び
充填される。前記焼戻し処理の欠点は、誘電率εの明ら
かな低減と、ΔＣ／Δｔ曲線、即ち誘電率の温度依存性
に悪影響を及ぼすことである。
【０００６】卑金属電極を備えるセラミックキャパシタ
の製造におけるこのような複雑な問題を解決するため
に、米国特許第5,319,517 号には、内部電極と誘電体層
とを備えるセラミック多層チップキャパシタであって、
その誘電体材料には次の組成： ［（Ｂａ1-x-y Ｃａx Ｓｒy ）Ｏ］m （Ｔｉ1-x Ｚ
ｒx ）０2 、 （式中、０≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．０５、０．１
≦ｚ≦０．３及び１．０００≦ｍ≦１．０２０を示す）
で表される誘電体酸化物を含み、更にこの材料には、酸
化マンガン及び／又は焼成中に酸化物に転化する化合物
を酸化物（ＭｎＯ）に換算して０．０１〜０．５重量％
の範囲の量で、酸化イットリウム及び／又は焼成中に酸
化物に転化する化合物を酸化物（Ｙ2 Ｏ3 ）に換算して
０．０５〜０．５重量％の範囲の量で、酸化バナジウム
及び／又は焼成中に酸化物に転化する化合物を酸化物
（Ｖ2 Ｏ5 ）に換算して０．００５〜０．３重量％の範
囲で、酸化タングステン及び／又は焼成中に酸化物に転
化する化合物を酸化物に換算して０．００５〜０．３重
量％の範囲で添加されているものからなる誘電体と、ニ
ッケル又はニッケル合金を内部電極用の材料として備え
るキャパシタを開示している。しかし、これらのキャパ
シタによっても、有効寿命と信頼性を増大させること
は、未だ実現されていない。
の製造におけるこのような複雑な問題を解決するため
に、米国特許第5,319,517 号には、内部電極と誘電体層
とを備えるセラミック多層チップキャパシタであって、
その誘電体材料には次の組成： ［（Ｂａ1-x-y Ｃａx Ｓｒy ）Ｏ］m （Ｔｉ1-x Ｚ
ｒx ）０2 、 （式中、０≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．０５、０．１
≦ｚ≦０．３及び１．０００≦ｍ≦１．０２０を示す）
で表される誘電体酸化物を含み、更にこの材料には、酸
化マンガン及び／又は焼成中に酸化物に転化する化合物
を酸化物（ＭｎＯ）に換算して０．０１〜０．５重量％
の範囲の量で、酸化イットリウム及び／又は焼成中に酸
化物に転化する化合物を酸化物（Ｙ2 Ｏ3 ）に換算して
０．０５〜０．５重量％の範囲の量で、酸化バナジウム
及び／又は焼成中に酸化物に転化する化合物を酸化物
（Ｖ2 Ｏ5 ）に換算して０．００５〜０．３重量％の範
囲で、酸化タングステン及び／又は焼成中に酸化物に転
化する化合物を酸化物に換算して０．００５〜０．３重
量％の範囲で添加されているものからなる誘電体と、ニ
ッケル又はニッケル合金を内部電極用の材料として備え
るキャパシタを開示している。しかし、これらのキャパ
シタによっても、有効寿命と信頼性を増大させること
は、未だ実現されていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウム−チ
タネートを含有する誘電性セラミック組成物の誘電体と
少なくとも２つの電極とを備えるセラミックキャパシタ
であって、優れた有効寿命、確実な信頼性、高い誘電率
及び広い温度範囲にわたる誘電率の低い温度依存性を有
するセラミックキャパシタを提供するにある。
は、ドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウム−チ
タネートを含有する誘電性セラミック組成物の誘電体と
少なくとも２つの電極とを備えるセラミックキャパシタ
であって、優れた有効寿命、確実な信頼性、高い誘電率
及び広い温度範囲にわたる誘電率の低い温度依存性を有
するセラミックキャパシタを提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、かか
る目的は、次の組成
る目的は、次の組成
【化６】 （式中、Ａ＝Ａｇ，Ａ′＝Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ
Ｇａ；Ｄ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；Ｄ′＝Ｎｂ，Ｍ
ｏ，0.10≦ｘ≦0.25, ０≦μ≦0.01, ０≦μ′≦0.01；
０≦ν≦0.01, ０≦ν′≦0.01, ０＜δ≦0.01および0.
995 ≦ｚ＜１，０≦α≦0.05を示す）で表わされる組成
のドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウム−チタ
ネートを含む誘電性セラミック組成物の誘電体と少なく
とも２個の電極とを備えるキャパシタにより達成され
る。
Ｇａ；Ｄ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；Ｄ′＝Ｎｂ，Ｍ
ｏ，0.10≦ｘ≦0.25, ０≦μ≦0.01, ０≦μ′≦0.01；
０≦ν≦0.01, ０≦ν′≦0.01, ０＜δ≦0.01および0.
995 ≦ｚ＜１，０≦α≦0.05を示す）で表わされる組成
のドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウム−チタ
ネートを含む誘電性セラミック組成物の誘電体と少なく
とも２個の電極とを備えるキャパシタにより達成され
る。
【０００９】前記キャパシタは、高い誘電率Ｋとキャパ
シタンス値の高い安定性、長い有効寿命、低い損失ファ
クター、高い絶縁抵抗及び低い電圧依存性のキャパシタ
ンスを有することにより特徴づけられる。誘電率Ｋの温
度依存性は、ＥＩＡ−スタンダードＹ５Ｖに対応する。
適用分野には、特に、結合及び減結合、並びに低電圧適
用での妨害抑制（インターフェアレンス サプレッショ
ン）が含まれる。適当に配分された量のドナーＤ，Ｄ′
及びアクセプターＡ，Ａ′を有するこの組成は、低いイ
オン移動度、従って高温での極めて長い有効寿命と達成
されるべき電界を可能にする。
シタンス値の高い安定性、長い有効寿命、低い損失ファ
クター、高い絶縁抵抗及び低い電圧依存性のキャパシタ
ンスを有することにより特徴づけられる。誘電率Ｋの温
度依存性は、ＥＩＡ−スタンダードＹ５Ｖに対応する。
適用分野には、特に、結合及び減結合、並びに低電圧適
用での妨害抑制（インターフェアレンス サプレッショ
ン）が含まれる。適当に配分された量のドナーＤ，Ｄ′
及びアクセプターＡ，Ａ′を有するこの組成は、低いイ
オン移動度、従って高温での極めて長い有効寿命と達成
されるべき電界を可能にする。
【００１０】一方、卑金属電極を備える多層キャパシタ
を焼結する間に行なわれるレドックス反応を制御するた
めに、そして制御された粒成長を達成するために、アク
セプター濃度は充分に高い。
を焼結する間に行なわれるレドックス反応を制御するた
めに、そして制御された粒成長を達成するために、アク
セプター濃度は充分に高い。
【００１１】本発明において、ドープドバリウム−カル
シウム−ジルコニウム−チタネートは次の組成
シウム−ジルコニウム−チタネートは次の組成
【化７】 （式中、Ａ' ＝Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ；Ｄ＝Ｎ
ｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；0.10≦ｘ≦0.25, ０≦μ′≦0.
01, ０≦ν≦0.01, ０＜δ≦0.01および0.995 ≦ｚ＜１
を示す）で表わされる組成を有することが好ましい。か
かる組成のバリウム−カルシウム−ジルコニウム−チタ
ネートは、最適の粒成長と高い最大の誘電率を有するこ
とを確実なものとする。
ｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；0.10≦ｘ≦0.25, ０≦μ′≦0.
01, ０≦ν≦0.01, ０＜δ≦0.01および0.995 ≦ｚ＜１
を示す）で表わされる組成を有することが好ましい。か
かる組成のバリウム−カルシウム−ジルコニウム−チタ
ネートは、最適の粒成長と高い最大の誘電率を有するこ
とを確実なものとする。
【００１２】代わりに、好ましくは、ドープドバリウム
−カルシウム−ジルコニウム−チタネートは、次の組成
−カルシウム−ジルコニウム−チタネートは、次の組成
【化８】 （式中、Ａ＝Ａｇ，Ｄ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；0.10
≦ｘ≦0.25, ０≦μ≦0.01, ０≦ν≦0.01, ０＜δ≦0.
01および0.995 ≦ｚ＜１を示す）で表される組成を有す
ることも好ましい。
≦ｘ≦0.25, ０≦μ≦0.01, ０≦ν≦0.01, ０＜δ≦0.
01および0.995 ≦ｚ＜１を示す）で表される組成を有す
ることも好ましい。
【００１３】更に、ドープドバリウム−カルシウム−ジ
ルコニウム−チタネートは、次の組成
ルコニウム−チタネートは、次の組成
【化９】 （式中、Ａ＝Ａｇ，Ｄ′＝Ｎｂ，Ｍｏ，0.10≦ｘ≦0.2
5；０≦μ≦0.01, ０≦ν′≦0.01, ０＜δ≦0.01およ
び0.995 ≦ｚ＜１を示す）で表される組成を有すること
も好ましい。
5；０≦μ≦0.01, ０≦ν′≦0.01, ０＜δ≦0.01およ
び0.995 ≦ｚ＜１を示す）で表される組成を有すること
も好ましい。
【００１４】本発明において、ドープドバリウム−カル
シウム−ジルコニウム−チタネートは、次の組成
シウム−ジルコニウム−チタネートは、次の組成
【化１０】 （式中、0.18≦ｘ≦0.22及び0.995 ≦ｚ≦0.999 を示
す）で表される組成を有することが特に好ましい。
す）で表される組成を有することが特に好ましい。
【００１５】本発明においては、電極に用いる材料はニ
ッケル又はニッケル合金であることが好ましい。キャパ
シタは、ニッケル又はニッケル合金の内部電極を備える
多層キャパシタであることが特に好ましい。他に、誘電
性セラミック組成物は０．１〜１重量％の焼結助剤を含
むことが好ましい。
ッケル又はニッケル合金であることが好ましい。キャパ
シタは、ニッケル又はニッケル合金の内部電極を備える
多層キャパシタであることが特に好ましい。他に、誘電
性セラミック組成物は０．１〜１重量％の焼結助剤を含
むことが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のセラミック多層キャパシ
タは、２〜２０μｍの範囲の厚みを有する多数の酸化誘
電体層から成るセラミック誘電体１と、該誘電体中に層
状に横たわりかつ該誘電体の２つの対向する端面に交互
に延在する多数の内部電極２とを備える。セラミック誘
電体の端面には、金属の接触電極３が設けられ、これは
対応する金属の内部電極と接続される外部接続部位とし
て作用する。
タは、２〜２０μｍの範囲の厚みを有する多数の酸化誘
電体層から成るセラミック誘電体１と、該誘電体中に層
状に横たわりかつ該誘電体の２つの対向する端面に交互
に延在する多数の内部電極２とを備える。セラミック誘
電体の端面には、金属の接触電極３が設けられ、これは
対応する金属の内部電極と接続される外部接続部位とし
て作用する。
【００１７】セラミックキャパシタを製造するのに通常
用いられる製造技術は、本発明のキャパシタを製造する
にも用いることができ、これにより、所望する形状及び
寸法、必要とされる精度と適用分野に応じて、多くの変
形体の製造が可能となる。
用いられる製造技術は、本発明のキャパシタを製造する
にも用いることができ、これにより、所望する形状及び
寸法、必要とされる精度と適用分野に応じて、多くの変
形体の製造が可能となる。
【００１８】セラミック誘電体に用いる材料は、次の組
成
成
【化１１】 （式中、Ａ＝Ａｇ，Ａ' ＝Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ
Ｇａ；Ｄ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；Ｄ' ＝Ｎｂ，Ｍ
ｏ，0.10≦ｘ≦0.25；０≦μ≦0.01, ０≦μ' ≦0.01,
０≦ν≦0.01, ０≦ν' ≦0.01, ０＜δ≦0.01および0.
995 ≦ｚ＜１，０≦α≦0.005 を示す）で表される組成
のドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウムチタネ
ートを含む誘電性セラミック組成物である。かかるバリ
ウム−カルシウム−ジルコニウム−チタネートは、一般
組成ＡＢＯ3 のペロブスカイト構造を有し、その中で、
大きいイオン半径を有する希土類金属Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ
及びＧｄはＡサイトに配置され、小さいイオン半径を有
する希土類金属Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ及びＧａは
Ｂサイトに配置される。ペロブスカイト材料は、アクセ
プターイオンＡｇ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ又はＹｂとド
ナーイオンＮｂ，Ｍｏ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ及びＧｄを、
異なるローカルシンメトリーを有する格子サイトに含有
する。ドナー及びアクセプターは、本発明のバリウム−
カルシウム−ジルコニウム−チタネートの格子構造中に
ドナー−アクセプターコンプレックスを形成する。これ
らの添加剤はキュリー温度Ｔｃを低減せしめる。キュリ
ー温度は更に、キュリー温度は更にバリウム−カルシウ
ム−ジルコニウム−チタネートのジルコニウム含量を決
定する。
Ｇａ；Ｄ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ；Ｄ' ＝Ｎｂ，Ｍ
ｏ，0.10≦ｘ≦0.25；０≦μ≦0.01, ０≦μ' ≦0.01,
０≦ν≦0.01, ０≦ν' ≦0.01, ０＜δ≦0.01および0.
995 ≦ｚ＜１，０≦α≦0.005 を示す）で表される組成
のドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウムチタネ
ートを含む誘電性セラミック組成物である。かかるバリ
ウム−カルシウム−ジルコニウム−チタネートは、一般
組成ＡＢＯ3 のペロブスカイト構造を有し、その中で、
大きいイオン半径を有する希土類金属Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ
及びＧｄはＡサイトに配置され、小さいイオン半径を有
する希土類金属Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ及びＧａは
Ｂサイトに配置される。ペロブスカイト材料は、アクセ
プターイオンＡｇ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ又はＹｂとド
ナーイオンＮｂ，Ｍｏ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ及びＧｄを、
異なるローカルシンメトリーを有する格子サイトに含有
する。ドナー及びアクセプターは、本発明のバリウム−
カルシウム−ジルコニウム−チタネートの格子構造中に
ドナー−アクセプターコンプレックスを形成する。これ
らの添加剤はキュリー温度Ｔｃを低減せしめる。キュリ
ー温度は更に、キュリー温度は更にバリウム−カルシウ
ム−ジルコニウム−チタネートのジルコニウム含量を決
定する。
【００１９】好ましくは、誘電性セラミック組成物は、
ＳｉＯ2 を焼結助剤として０．１２５重量％〜０．２５
重量％の量で含有する。この標準焼結助剤の代わりに、
酸化リチムウ０．１６〜０．９モル、ＣａＯ，ＭｇＯ，
ＢａＯ及びＳｒＯから成る群より選ばれる１又はそれ以
上の酸化物０．００４〜０．３９モル並びに酸化ケイ素
０．２〜０．８モルの混合物から成る焼結助剤を０．１
〜１重量％の量で、前記誘電性セラミック組成物に添加
してもよい。この焼結助剤は焼結温度を１２００℃以下
に低減することを可能とする。
ＳｉＯ2 を焼結助剤として０．１２５重量％〜０．２５
重量％の量で含有する。この標準焼結助剤の代わりに、
酸化リチムウ０．１６〜０．９モル、ＣａＯ，ＭｇＯ，
ＢａＯ及びＳｒＯから成る群より選ばれる１又はそれ以
上の酸化物０．００４〜０．３９モル並びに酸化ケイ素
０．２〜０．８モルの混合物から成る焼結助剤を０．１
〜１重量％の量で、前記誘電性セラミック組成物に添加
してもよい。この焼結助剤は焼結温度を１２００℃以下
に低減することを可能とする。
【００２０】電極用に用いることができる材料は特に限
定されず、従って金属又は２若しくはそれ以上の通常用
いられる金属の組み合わせを利用することができる。電
極は、白金、パラジウム、金又は銀のような貴金属から
構成されることができる。これらには更に、クロム、ジ
ルコニウム、バナジウム、亜鉛、銅、すず、鉛、マンガ
ン、モリブデン、タングステン、チタン又はアルミニウ
ムを含むこともできる。電極は、ニッケル、鉄、コバル
ト及びこれらの合金から成る群より選ばれる卑金属から
成ることが好ましい。
定されず、従って金属又は２若しくはそれ以上の通常用
いられる金属の組み合わせを利用することができる。電
極は、白金、パラジウム、金又は銀のような貴金属から
構成されることができる。これらには更に、クロム、ジ
ルコニウム、バナジウム、亜鉛、銅、すず、鉛、マンガ
ン、モリブデン、タングステン、チタン又はアルミニウ
ムを含むこともできる。電極は、ニッケル、鉄、コバル
ト及びこれらの合金から成る群より選ばれる卑金属から
成ることが好ましい。
【００２１】誘電性セラミック組成物は、混合酸化物工
程、共沈、噴霧乾燥、ゾル／ゲル工程、熱水工程又はア
ルコキシド工程のような従来の粉末製造プロセスにより
製造することができる。好ましくは、混合酸化物工程を
用いる。この場合、出発酸化物又は、カーボネート、水
酸化物、オキサレート若しくはアセテートのような出発
熱分解性化合物を混合し、粉砕する。次いで、該出発粉
末を１０００℃〜１４００℃の温度範囲で焼成する。
程、共沈、噴霧乾燥、ゾル／ゲル工程、熱水工程又はア
ルコキシド工程のような従来の粉末製造プロセスにより
製造することができる。好ましくは、混合酸化物工程を
用いる。この場合、出発酸化物又は、カーボネート、水
酸化物、オキサレート若しくはアセテートのような出発
熱分解性化合物を混合し、粉砕する。次いで、該出発粉
末を１０００℃〜１４００℃の温度範囲で焼成する。
【００２２】前記出発粉末を付形してグリーンボディを
得るために、やはり従来の方法を用いることができる。
セラミック多層キャパシタを付形するために、まず第１
に、焼成した粉末から懸濁液を調製する。この懸濁液に
は、粉末の他に、溶媒、バインダー、そして必要に応じ
て軟化剤及び分散剤が含まれる。溶媒には、例えば、
水、アルコール、トルオール、キシロール又はトリクロ
ロエチレンを用いることができる。通常、バインダーに
は、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチレート又は
ポリメチルメタクリレートのような有機ポリマーを用い
る。軟化剤には、グリセリン、ポリグリコール又はフタ
レートを用いることができる。更に、アルキルアリール
ポリエーテルアルコール、ポリエチレングリコールエチ
ルエーテル又はオクチルフェノキシエタノールのような
分散剤を懸濁液に添加することができる。
得るために、やはり従来の方法を用いることができる。
セラミック多層キャパシタを付形するために、まず第１
に、焼成した粉末から懸濁液を調製する。この懸濁液に
は、粉末の他に、溶媒、バインダー、そして必要に応じ
て軟化剤及び分散剤が含まれる。溶媒には、例えば、
水、アルコール、トルオール、キシロール又はトリクロ
ロエチレンを用いることができる。通常、バインダーに
は、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチレート又は
ポリメチルメタクリレートのような有機ポリマーを用い
る。軟化剤には、グリセリン、ポリグリコール又はフタ
レートを用いることができる。更に、アルキルアリール
ポリエーテルアルコール、ポリエチレングリコールエチ
ルエーテル又はオクチルフェノキシエタノールのような
分散剤を懸濁液に添加することができる。
【００２３】次いで、好適な方法を用いて、箔−キャス
ティング工程により懸濁液からグリーンセラミック箔を
製造する。かかる箔−キャスティング工程において、懸
濁液は、移動性のベアリング表面上に注がれる。バイン
ダー系に依存して、多から少なかれフレキシブルな箔
が、溶媒を蒸発させた後に残存する。この箔を切断し、
内部電極のパターンに金属ペーストをプリントし、そし
て積層する。個々の多層キャパシタを積層体から切断す
る。前記多層キャパシタは、まず最初に、わずかに還元
する雰囲気中、１１００〜１４００℃の温度範囲内で焼
結され、その後ずかに酸化する雰囲気中、６００〜１１
００℃の温度範囲内で焼戻しされる。わずかに還元する
雰囲気には、０．５〜２容量％の水素を混合した、水蒸
気で飽和された窒素を用いることができ、またわずかに
酸化した雰囲気には、５ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの酸素を
含む窒素を用いることができる。
ティング工程により懸濁液からグリーンセラミック箔を
製造する。かかる箔−キャスティング工程において、懸
濁液は、移動性のベアリング表面上に注がれる。バイン
ダー系に依存して、多から少なかれフレキシブルな箔
が、溶媒を蒸発させた後に残存する。この箔を切断し、
内部電極のパターンに金属ペーストをプリントし、そし
て積層する。個々の多層キャパシタを積層体から切断す
る。前記多層キャパシタは、まず最初に、わずかに還元
する雰囲気中、１１００〜１４００℃の温度範囲内で焼
結され、その後ずかに酸化する雰囲気中、６００〜１１
００℃の温度範囲内で焼戻しされる。わずかに還元する
雰囲気には、０．５〜２容量％の水素を混合した、水蒸
気で飽和された窒素を用いることができ、またわずかに
酸化した雰囲気には、５ｐｐｍ〜１００ｐｐｍの酸素を
含む窒素を用いることができる。
【００２４】外部電極を形成するためには、例えばニッ
ケルを含有する金属ペーストをキャパシタの端面に設け
て焼成する。外部電極は、代わりに、例えば金のような
金属層の蒸着によっても設けることができる。
ケルを含有する金属ペーストをキャパシタの端面に設け
て焼成する。外部電極は、代わりに、例えば金のような
金属層の蒸着によっても設けることができる。
【００２５】焼結されたセラミック誘電体は、粒子サイ
ズが５μｍ以下の均一な微細構造を有する。
ズが５μｍ以下の均一な微細構造を有する。
【００２６】本発明のキャパシタを特徴づけるにあた
り、次の測定を従来の方法で実施した：２５℃での誘電
率εと損失ファクターｔｇδである。有効寿命τは、３
５０℃及び９００Ｖという極めて促進された寿命試験
（ＨＡＬＴ）で測定した。かかる目的のために、電極に
接しかつ直径が５ｍｍで層厚みが０．０５ｍｍの試験ペ
レットを製造し、３５０℃で加熱し、１８００Ｖ／ｍの
電圧にさらした。電流を測定し、その値を絶縁抵抗を計
算するのに用いた。試験の当初では、絶縁抵抗値は高
く、高レベルでほぼ一定のままである。ある特定の減衰
時間の後でなければ、絶縁抵抗は減少を開始しない。漏
れ電流は、これまでの測定プロセスの継続時間と比較す
ると、短時間で、いくつかの大きさのオーダーで増大す
る。有効寿命τは、漏れ電流が大きさで１オーダー増加
した時間により規定される。
り、次の測定を従来の方法で実施した：２５℃での誘電
率εと損失ファクターｔｇδである。有効寿命τは、３
５０℃及び９００Ｖという極めて促進された寿命試験
（ＨＡＬＴ）で測定した。かかる目的のために、電極に
接しかつ直径が５ｍｍで層厚みが０．０５ｍｍの試験ペ
レットを製造し、３５０℃で加熱し、１８００Ｖ／ｍの
電圧にさらした。電流を測定し、その値を絶縁抵抗を計
算するのに用いた。試験の当初では、絶縁抵抗値は高
く、高レベルでほぼ一定のままである。ある特定の減衰
時間の後でなければ、絶縁抵抗は減少を開始しない。漏
れ電流は、これまでの測定プロセスの継続時間と比較す
ると、短時間で、いくつかの大きさのオーダーで増大す
る。有効寿命τは、漏れ電流が大きさで１オーダー増加
した時間により規定される。
【００２７】
【実施例】本発明の次の実施例により説明する。実施例１ 次の組成（Ｂａ0.9575Ｎｄ0.0025Ｃａ0.04）［Ｔｉ
0.815 Ｙ0.0025Ｚｒ0.18Ｍｎ0.0025］0.997 Ｏ3 を有す
るセラミック誘電体と、焼結助剤としての０．１２５重
量％のＳｉＯ2 とを含む多層キャパシタを製造するにあ
たり、１８８．９６ｇのＢａＣＯ3 （ｄ50＝１．１μ
ｍ、ＢＥＴ：2.1 ｍ2/ｇ、０．８４１ｇのＮｄ 2 Ｏ3 、
４．００４ｇのＣａＣＯ3 （ｄ50＝0.8 μｍ）、６４．
７２７ｇのＴｉＯ2 （ｄ50＝0.48μｍ、ＢＥＴ：７ｍ2/
ｇ）、２２．０５６ｇのＺｒＯ2 （ｄ50＝0.12μｍ、Ｂ
ＥＴ：21.9ｍ2/ｇ）、０．２８６ｇのＭｎＣＯ3 、０．
９８５ｇのＹ2 Ｏ3 および０．３６ｇのＳｉＯ2 （コロ
イド状、２２ｎｍ）を遊星形ボールミル中で２時間粉砕
して混合した。粉砕液にはシクロヘキサンを用い、粉砕
ボールはメノウを用いた。次いで、この混合物を２４時
間、イソプロパノール中２ｍｍのＹＴＺ−ボールで粉砕
した。遊星ボールミル中で粉砕した後、該混合物を空気
中、表面蒸発器下で乾燥し、次いで１２５０℃で６時間
焼成した。その後、この粉末化された材料を、バインダ
ーとして用いるポリビニルアルコールと、そして表面活
性剤、分散剤及び水と混合して、スラリーを形成した。
このスラリーをドクターコーター中で処理して、２０μ
ｍの厚みを有するグリーンセラミック箔を形成した。
0.815 Ｙ0.0025Ｚｒ0.18Ｍｎ0.0025］0.997 Ｏ3 を有す
るセラミック誘電体と、焼結助剤としての０．１２５重
量％のＳｉＯ2 とを含む多層キャパシタを製造するにあ
たり、１８８．９６ｇのＢａＣＯ3 （ｄ50＝１．１μ
ｍ、ＢＥＴ：2.1 ｍ2/ｇ、０．８４１ｇのＮｄ 2 Ｏ3 、
４．００４ｇのＣａＣＯ3 （ｄ50＝0.8 μｍ）、６４．
７２７ｇのＴｉＯ2 （ｄ50＝0.48μｍ、ＢＥＴ：７ｍ2/
ｇ）、２２．０５６ｇのＺｒＯ2 （ｄ50＝0.12μｍ、Ｂ
ＥＴ：21.9ｍ2/ｇ）、０．２８６ｇのＭｎＣＯ3 、０．
９８５ｇのＹ2 Ｏ3 および０．３６ｇのＳｉＯ2 （コロ
イド状、２２ｎｍ）を遊星形ボールミル中で２時間粉砕
して混合した。粉砕液にはシクロヘキサンを用い、粉砕
ボールはメノウを用いた。次いで、この混合物を２４時
間、イソプロパノール中２ｍｍのＹＴＺ−ボールで粉砕
した。遊星ボールミル中で粉砕した後、該混合物を空気
中、表面蒸発器下で乾燥し、次いで１２５０℃で６時間
焼成した。その後、この粉末化された材料を、バインダ
ーとして用いるポリビニルアルコールと、そして表面活
性剤、分散剤及び水と混合して、スラリーを形成した。
このスラリーをドクターコーター中で処理して、２０μ
ｍの厚みを有するグリーンセラミック箔を形成した。
【００２８】前記グリーン箔を、箔カードに切断し、こ
の上に内部電極のパターンをニッケルペーストによりプ
リントし、その後前記カードを積み重ねて圧し、個々の
キャパシタに分割した。前記キャパシタを１３２０℃の
温度で焼結した。加熱速度は１０００℃での保持時間ま
で３００℃／時とし、その後加熱速度は１３２０℃まで
３００℃／時であった。焼結処理の間、９９％Ｎ2 と１
％Ｈ2 を含むガス混合物を炉に通過させる。このガス混
合物は水蒸気で飽和されている。冷却を３００℃／時で
行なった。焼結の後、キャパシタを１０００℃の温度で
焼戻し炉中で焼戻した。前記焼戻し処理の間は、窒素及
び５０〜１００ｐｐｍの酸素を該炉に通過させた。
の上に内部電極のパターンをニッケルペーストによりプ
リントし、その後前記カードを積み重ねて圧し、個々の
キャパシタに分割した。前記キャパシタを１３２０℃の
温度で焼結した。加熱速度は１０００℃での保持時間ま
で３００℃／時とし、その後加熱速度は１３２０℃まで
３００℃／時であった。焼結処理の間、９９％Ｎ2 と１
％Ｈ2 を含むガス混合物を炉に通過させる。このガス混
合物は水蒸気で飽和されている。冷却を３００℃／時で
行なった。焼結の後、キャパシタを１０００℃の温度で
焼戻し炉中で焼戻した。前記焼戻し処理の間は、窒素及
び５０〜１００ｐｐｍの酸素を該炉に通過させた。
【００２９】外部電極には、減圧蒸発された６ｍｍ厚の
ＣｒＮｉ層で０．１５μｍのＡｕで被覆されたものを用
いる。
ＣｒＮｉ層で０．１５μｍのＡｕで被覆されたものを用
いる。
【００３０】
【表１】
【図１】本発明の多層キャパシタの好適例の断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ セラミック誘電体 ２ 内部電極 ３ 接触電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ
Claims (8)
- 【請求項１】 次の組成 【化１】 （式中、Ａ＝Ａｇ， Ａ′＝Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，ＹｂＧａ； Ｄ ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ； Ｄ′＝Ｎｂ，Ｍｏ， ０．１０≦ｘ≦０．２５， ０≦μ≦０．０１， ０≦μ′≦０．０１， ０≦ν≦０．０１， ０≦ν′≦０．０１， ０＜δ≦０．０１ ０．９９５≦ｚ＜１及び０≦α≦０．００５を示す）で
表されるドープドバリウム−カルシウム−ジルコニウム
−チタネートを含む誘電性セラミック組成物のセラミッ
ク誘電体と少なくとも２つの電極とを備えるキャパシ
タ。 - 【請求項２】 ドープドバリウム−カルシウム−ジルコ
ニウム−チタネートは、次の組成 【化２】 （式中、Ａ′＝Ｄｙ，Ｅｒ，Ｈｏ，Ｙ，Ｙｂ； Ｄ ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ； ０．１０≦ｘ≦０．２５； ０≦μ′≦０．０１， ０≦ν≦０．０１， ０＜δ≦０．０１及び ０．９９５≦ｚ＜１を示す）で表される組成を有するこ
とを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。 - 【請求項３】 ドープドバリウム−カルシウム−ジルコ
ニウム−チタネートは、次の組成 【化３】 （式中、Ａ＝Ａｇ， Ｄ ＝Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ； ０．１０≦ｘ≦０．２５； ０≦μ≦０．０１， ０≦ν≦０．０１， ０＜δ≦０．０１及び ０．９９５≦ｚ＜１を示す）で表される組成を有するこ
とを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。 - 【請求項４】 ドープドバリウム−カルシウム−ジルコ
ニウム−チタネートは、次の組成 【化４】 （式中、Ａ＝Ａｇ， Ｄ′＝Ｎｂ，Ｍｏ， ０．１０≦ｘ≦０．２５， ０≦μ≦０．０１， ０≦ν′≦０．０１， ０＜δ≦０．０１及び ０．９９５≦ｚ＜１を示す）で表される組成を有するこ
とを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。 - 【請求項５】 ドープドバリウム−カルシウム−ジルコ
ニウム−チタネートは、次の組成 【化５】 （式中、0.18＜ｘ＜0.22及び0.995 ≦ｚ≦0.999 を示
す）で表される組成を有することを特徴とする請求項１
記載のキャパシタ。 - 【請求項６】 電極に用いる材料はニッケル又はニッケ
ル合金であることを特徴とする請求項１記載のキャパシ
タ。 - 【請求項７】 キャパシタは、ニッケル又はニッケル合
金の内部電極を備える多層キャパシタであることを特徴
とする請求項１記載のキャパシタ。 - 【請求項８】 誘電性セラミック組成物は０．１〜１重
量％の焼結助剤を含有することを特徴とする請求項１記
載のキャパシタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19737324A DE19737324A1 (de) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | Vielschichtkondensator mit silber- und seltenerdmetalldotiertem Bariumtitanat |
| DE19737324:0 | 1997-08-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154620A true JPH11154620A (ja) | 1999-06-08 |
| JP3592097B2 JP3592097B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=7840329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24363198A Expired - Fee Related JP3592097B2 (ja) | 1997-08-28 | 1998-08-28 | 銀及び希土類金属を用いてドープしたバリウム−チタネートを含有する多層キャパシタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078494A (ja) |
| EP (1) | EP0899756B1 (ja) |
| JP (1) | JP3592097B2 (ja) |
| DE (2) | DE19737324A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548437B2 (en) | 2000-06-20 | 2003-04-15 | Tdk Corporation | Dielectric ceramics and electronic component |
| JP2009528974A (ja) * | 2006-03-07 | 2009-08-13 | イーストー，インコーポレイティド | 複数のキレート前駆体を用いたセラミック粉末の製造方法 |
| JP2010098109A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2017228737A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法 |
| KR20190106699A (ko) * | 2018-03-06 | 2019-09-18 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 세라믹 원료 분말 |
| US11961674B2 (en) | 2018-03-06 | 2024-04-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and ceramic material powder |
| US12080482B2 (en) | 2019-06-18 | 2024-09-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device including a rare earth element solid-solved in barium titanate of dielectric layers |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3391268B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| EP1024122B1 (en) * | 1999-01-28 | 2004-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Barium titanate particles with surface deposition of rare earth element |
| US6181200B1 (en) * | 1999-04-09 | 2001-01-30 | Integra Technologies, Inc. | Radio frequency power device |
| JP3348081B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2002-11-20 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| DE19939483A1 (de) * | 1999-08-20 | 2001-03-08 | Philips Corp Intellectual Pty | Passives Bauelement mit Verbundwerkstoff |
| DE19952134A1 (de) * | 1999-10-29 | 2001-05-03 | Philips Corp Intellectual Pty | Kondensator mit BCZT-Dielektrikum |
| JP4153206B2 (ja) * | 1999-11-02 | 2008-09-24 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層コンデンサ |
| KR100738760B1 (ko) * | 2000-02-16 | 2007-07-12 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서와 그 제조 방법 |
| JP3734662B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2006-01-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP2002050536A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| US6377440B1 (en) | 2000-09-12 | 2002-04-23 | Paratek Microwave, Inc. | Dielectric varactors with offset two-layer electrodes |
| US7033406B2 (en) * | 2001-04-12 | 2006-04-25 | Eestor, Inc. | Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries |
| US7729811B1 (en) | 2001-04-12 | 2010-06-01 | Eestor, Inc. | Systems and methods for utility grid power averaging, long term uninterruptible power supply, power line isolation from noise and transients and intelligent power transfer on demand |
| US7595109B2 (en) * | 2001-04-12 | 2009-09-29 | Eestor, Inc. | Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries |
| DE60224710T2 (de) * | 2001-11-28 | 2008-06-05 | Nxp B.V. | Halbleiterbauelement, karte, verfahren zur initialisierung und zur prüfung ihrer authentizität und ihrer identität |
| KR20040060993A (ko) * | 2001-11-28 | 2004-07-06 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 반도체 장치, 시스템, 카드, 반도체 장치 초기화 방법,반도체 장치 신뢰성 조사 방법, 반도체 장치 식별 방법 |
| EP1631987A2 (en) * | 2003-05-26 | 2006-03-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device, method of authentifying and system |
| US7466536B1 (en) | 2004-08-13 | 2008-12-16 | Eestor, Inc. | Utilization of poly(ethylene terephthalate) plastic and composition-modified barium titanate powders in a matrix that allows polarization and the use of integrated-circuit technologies for the production of lightweight ultrahigh electrical energy storage units (EESU) |
| US20110170232A1 (en) * | 2004-08-13 | 2011-07-14 | Eestor, Inc. | Electrical energy storage unit and methods for forming same |
| US7277269B2 (en) | 2004-11-29 | 2007-10-02 | Kemet Electronics Corporation | Refractory metal nickel electrodes for capacitors |
| US7054137B1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-05-30 | Kemet Electronic Corporation | Refractory metal nickel electrodes for capacitors |
| US7230817B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-06-12 | Ferro Corporation | Y5V dielectric composition |
| US7795663B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-09-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Acceptor doped barium titanate based thin film capacitors on metal foils and methods of making thereof |
| US7648687B1 (en) | 2006-06-15 | 2010-01-19 | Eestor, Inc. | Method of purifying barium nitrate aqueous solution |
| US8853116B2 (en) * | 2006-08-02 | 2014-10-07 | Eestor, Inc. | Method of preparing ceramic powders |
| US7993611B2 (en) * | 2006-08-02 | 2011-08-09 | Eestor, Inc. | Method of preparing ceramic powders using ammonium oxalate |
| US8145362B2 (en) | 2006-08-04 | 2012-03-27 | Eestor, Inc. | Utility grid power averaging and conditioning |
| US7867471B2 (en) * | 2008-04-03 | 2011-01-11 | Sachem, Inc. | Process for preparing advanced ceramic powders using onium dicarboxylates |
| CN102333724A (zh) * | 2009-02-27 | 2012-01-25 | 埃斯托股份有限公司 | 用于氧化物粉末的湿化学共沉淀的反应管以及水热处理 |
| US20100285316A1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-11-11 | Eestor, Inc. | Method of Preparing Ceramic Powders |
| US8845993B2 (en) * | 2010-01-20 | 2014-09-30 | Eestor, Inc. | Purification of barium ion source |
| JP5978553B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2016-08-24 | Tdk株式会社 | 六方晶系チタン酸バリウム粉末、その製造方法、誘電体磁器組成物、電子部品および電子部品の製造方法 |
| WO2016007255A1 (en) | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Ferro Corporation | Mid-k ltcc compositions and devices |
| US9287701B2 (en) | 2014-07-22 | 2016-03-15 | Richard H. Sherratt and Susan B. Sherratt Revocable Trust Fund | DC energy transfer apparatus, applications, components, and methods |
| US10388458B2 (en) * | 2014-12-08 | 2019-08-20 | Eestor, Inc. | Enhanced stacking for improved capacitance |
| JP6502092B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-04-17 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP6438594B2 (ja) | 2015-02-27 | 2018-12-19 | フエロ コーポレーション | 低誘電率及び中誘電率ｌｔｃｃ誘電体組成物及び装置 |
| CN104941539B (zh) * | 2015-06-12 | 2020-09-18 | 南方科技大学 | 钙钛矿型复合氧化物纳米晶体胶的制备方法 |
| TWI634092B (zh) | 2015-07-23 | 2018-09-01 | 菲洛公司 | 與鎳電極倂用之ｃｏｇ介電組成物及形成電子組件之方法 |
| KR102059804B1 (ko) | 2015-08-05 | 2019-12-27 | 페로 코포레이션 | 고유전 상수-k ltcc 유전성 조성물 및 장치 |
| JP6795422B2 (ja) | 2017-02-16 | 2020-12-02 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US20180315547A1 (en) * | 2017-05-01 | 2018-11-01 | Eestor, Inc. | Capacitor and method of making |
| CN107500754B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-01-14 | 厦门松元电子有限公司 | 一种用于高容高压mlcc的陶瓷介质材料及其制备方法 |
| CN107640970B (zh) * | 2017-10-26 | 2019-12-03 | 陕西师范大学 | 低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法 |
| CN107746271B (zh) * | 2017-10-26 | 2019-12-17 | 陕西师范大学 | 低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法 |
| KR102762893B1 (ko) * | 2018-12-12 | 2025-02-07 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| CN114133238B (zh) * | 2021-11-02 | 2022-09-16 | 广东省先进陶瓷材料科技有限公司 | 一种陶瓷介质材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0825791B2 (ja) * | 1986-05-27 | 1996-03-13 | 京セラ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH0766895B2 (ja) * | 1989-05-11 | 1995-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2529410B2 (ja) * | 1989-09-25 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP2952062B2 (ja) * | 1991-02-18 | 1999-09-20 | ティーディーケイ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| US5319517A (en) * | 1992-03-27 | 1994-06-07 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic chip capacitor |
| US5335139A (en) * | 1992-07-13 | 1994-08-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic chip capacitor |
| US5337209A (en) * | 1992-09-10 | 1994-08-09 | Martin Marietta Corporation | High energy density lead magnesium niobate-based dielectric ceramic and process for the preparation thereof |
| DE19635406B4 (de) * | 1996-08-31 | 2005-09-01 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Kondensator und Vielschichtkondensator mit einem Dielektrium aus wolframhaltiger BCZT-Keramik |
-
1997
- 1997-08-28 DE DE19737324A patent/DE19737324A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-07-22 US US09/120,627 patent/US6078494A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-25 EP EP98202850A patent/EP0899756B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-25 DE DE59813328T patent/DE59813328D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 JP JP24363198A patent/JP3592097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548437B2 (en) | 2000-06-20 | 2003-04-15 | Tdk Corporation | Dielectric ceramics and electronic component |
| JP2009528974A (ja) * | 2006-03-07 | 2009-08-13 | イーストー，インコーポレイティド | 複数のキレート前駆体を用いたセラミック粉末の製造方法 |
| JP2010098109A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2017228737A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法 |
| KR20190106699A (ko) * | 2018-03-06 | 2019-09-18 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 세라믹 원료 분말 |
| JP2019161217A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびセラミック原料粉末 |
| JP2023021997A (ja) * | 2018-03-06 | 2023-02-14 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびセラミック原料粉末 |
| US11961674B2 (en) | 2018-03-06 | 2024-04-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and ceramic material powder |
| US12080482B2 (en) | 2019-06-18 | 2024-09-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device including a rare earth element solid-solved in barium titanate of dielectric layers |
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