JPH11154756A - 電子部品、その製造方法、および静電容量型センサ - Google Patents
電子部品、その製造方法、および静電容量型センサInfo
- Publication number
- JPH11154756A JPH11154756A JP33814697A JP33814697A JPH11154756A JP H11154756 A JPH11154756 A JP H11154756A JP 33814697 A JP33814697 A JP 33814697A JP 33814697 A JP33814697 A JP 33814697A JP H11154756 A JPH11154756 A JP H11154756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fixed electrode
- conductive film
- electronic component
- pattern
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサチップ形成後の固定電極引出しパター
ンと導体膜の電気的ショートの発生を抑制し、良品率の
高い、電子部品、その製造方法、および、静電容量型セ
ンサを提供する。 【解決手段】 ガラス基板２０上に絶縁膜２５と導体膜
２４とを交互に積層してなる電子部品であって、導体膜
および絶縁膜形成のためのマスキングパターンの端部
に、導体膜および絶縁膜の端部に設けるテーパ部の捕角
となる角度の（逆）テーパを付けて、導体膜の端部にテ
ーパ部を設ける電子部品および静電容量型センサ。
ンと導体膜の電気的ショートの発生を抑制し、良品率の
高い、電子部品、その製造方法、および、静電容量型セ
ンサを提供する。 【解決手段】 ガラス基板２０上に絶縁膜２５と導体膜
２４とを交互に積層してなる電子部品であって、導体膜
および絶縁膜形成のためのマスキングパターンの端部
に、導体膜および絶縁膜の端部に設けるテーパ部の捕角
となる角度の（逆）テーパを付けて、導体膜の端部にテ
ーパ部を設ける電子部品および静電容量型センサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜を用いた積層
構造を有する電子部品とその製造方法、および、静電容
量型センサに関する。
構造を有する電子部品とその製造方法、および、静電容
量型センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜を用いた積層構造を有する電子部品
としては、薄膜フィルタ、薄膜インダクタ、薄膜キャパ
シタ、あるいは、静電容量型センサ等がある。静電容量
型センサである静電容量型圧力センサ（圧力センサ）を
例として、本発明に係わる従来の技術を説明する。
としては、薄膜フィルタ、薄膜インダクタ、薄膜キャパ
シタ、あるいは、静電容量型センサ等がある。静電容量
型センサである静電容量型圧力センサ（圧力センサ）を
例として、本発明に係わる従来の技術を説明する。
【０００３】従来の圧力センサを図３に示す。図３
（ａ）は、キャップをはずして内部を露出させて示した
圧力センサの斜視図であり、図３（ｂ）は圧力センサの
断面図である。
（ａ）は、キャップをはずして内部を露出させて示した
圧力センサの斜視図であり、図３（ｂ）は圧力センサの
断面図である。
【０００４】また、図４は、図３に示す圧力センサのセ
ンサチップの構造を示す図で、図４（ａ）はセンサチッ
プの分解斜視図であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）は、そ
れぞれ図４（ａ）のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、図４
（ｄ）は図４（ｂ）のＤ部を拡大した説明図である。
ンサチップの構造を示す図で、図４（ａ）はセンサチッ
プの分解斜視図であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）は、そ
れぞれ図４（ａ）のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、図４
（ｄ）は図４（ｂ）のＤ部を拡大した説明図である。
【０００５】圧力センサのセンサチップは、図４（ａ）
に示すように、シリコン基板１０上に、圧力に応じて変
形する可動電極として機能するダイアフラム部１１が形
成され、絶縁基板であるガラス基板２０上には固定電極
２１が形成されている。シリコン基板１０とガラス基板
２０とは、固定電極２１と可動電極であるダイアフラム
部１１とが対向するように、その一部において、温度３
５０℃から４５０℃で陽極接合されており、これによっ
てダイアフラム部１１の下側には、キャビティー部１２
［図３（ｂ）］が形成される。
に示すように、シリコン基板１０上に、圧力に応じて変
形する可動電極として機能するダイアフラム部１１が形
成され、絶縁基板であるガラス基板２０上には固定電極
２１が形成されている。シリコン基板１０とガラス基板
２０とは、固定電極２１と可動電極であるダイアフラム
部１１とが対向するように、その一部において、温度３
５０℃から４５０℃で陽極接合されており、これによっ
てダイアフラム部１１の下側には、キャビティー部１２
［図３（ｂ）］が形成される。
【０００６】シリコン基板１０とガラス基板２０よりな
るセンサチップ３０には、固定電極引出し用横穴１３が
設けられ、横穴１３を通じて、リフトオフ法、またはエ
ッチング法により形成された固定電極２１が、固定電極
と同じ方法で同時に形成された固定電極引出しパターン
２２を介してキャビティー部１２の外に、電気的に引き
出される。ダイアフラム部１１は、シリコン基板１０を
経てガラス基板２０上に設けられた可動電極パット２３
に圧着され、キャビティー部１２の外に、電気的に取り
出される［図４（ａ）］。
るセンサチップ３０には、固定電極引出し用横穴１３が
設けられ、横穴１３を通じて、リフトオフ法、またはエ
ッチング法により形成された固定電極２１が、固定電極
と同じ方法で同時に形成された固定電極引出しパターン
２２を介してキャビティー部１２の外に、電気的に引き
出される。ダイアフラム部１１は、シリコン基板１０を
経てガラス基板２０上に設けられた可動電極パット２３
に圧着され、キャビティー部１２の外に、電気的に取り
出される［図４（ａ）］。
【０００７】さらに、ダイアフラム部１１と固定電極２
１の周辺部より回り込む被検出圧力によって変化する寄
生容量、及び固定電極引出しパターン２２等により発生
する被検出圧力によって変化しない寄生容量を抑制する
ために、図４（ａ）に示すように、固定電極２１の周辺
部、固定電極引出しパターン２２、及び固定電極引出し
パターン２２を覆うように、導体膜２４が設けられてい
る。
１の周辺部より回り込む被検出圧力によって変化する寄
生容量、及び固定電極引出しパターン２２等により発生
する被検出圧力によって変化しない寄生容量を抑制する
ために、図４（ａ）に示すように、固定電極２１の周辺
部、固定電極引出しパターン２２、及び固定電極引出し
パターン２２を覆うように、導体膜２４が設けられてい
る。
【０００８】また、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すよう
に、固定電極引出しパターン２２と導体膜２４を電気的
に絶縁するめ、固定電極引出しパターン２２と導体膜２
４の間と、固定電極２１上及び導体膜２４の下部全面
に、絶縁膜２５が形成されている。
に、固定電極引出しパターン２２と導体膜２４を電気的
に絶縁するめ、固定電極引出しパターン２２と導体膜２
４の間と、固定電極２１上及び導体膜２４の下部全面
に、絶縁膜２５が形成されている。
【０００９】そして、図３に示すように、センサチップ
３０は、ベース部材としての台座４０上に接着される。
台座４０には、リード端子４４、４５、４６が設けられ
ており、リード端子４４，４５，４６と、ガラス基板２
０上の固定電極２１（固定電極２１は固定電極パターン
２２を介して）、可動電極パット２３、及び導体膜２４
とは、リードワイヤー３３，３４，３５によって電気的
に接続されている。
３０は、ベース部材としての台座４０上に接着される。
台座４０には、リード端子４４、４５、４６が設けられ
ており、リード端子４４，４５，４６と、ガラス基板２
０上の固定電極２１（固定電極２１は固定電極パターン
２２を介して）、可動電極パット２３、及び導体膜２４
とは、リードワイヤー３３，３４，３５によって電気的
に接続されている。
【００１０】ガラス基板２０および台座４０のそれぞれ
に、大気圧導入孔３１，４３が形成されており、これら
二つの大気圧導入孔３１，４３はつながっている。キャ
ビティー部１２とセンサチップ外部のキャップ内領域４
７とを隔離するため、固定電極引出し用横穴１３は、封
止剤３２によって封止される。そして、台座４０と被測
定圧力導入孔４２を設けたカバー部材としてのキャップ
４１とは、ハーメチックシールによってシールされ、圧
力センサが完成する。
に、大気圧導入孔３１，４３が形成されており、これら
二つの大気圧導入孔３１，４３はつながっている。キャ
ビティー部１２とセンサチップ外部のキャップ内領域４
７とを隔離するため、固定電極引出し用横穴１３は、封
止剤３２によって封止される。そして、台座４０と被測
定圧力導入孔４２を設けたカバー部材としてのキャップ
４１とは、ハーメチックシールによってシールされ、圧
力センサが完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の圧力センサを例
として説明した静電容量型センサのように、絶縁基板
（ガラス基板）上の電極パターンである固定電極と固定
電極引出しパターンを通常のリフトオフ法またはエッチ
ング法にて形成する、いわゆる、メタル電極構造の場
合、図４（ｄ）に示すように、固定電極、および固定電
極引出しパターン２２の断面のエッジ部がガラス基板２
０の平面に対し垂直に近くなり、あるいは、ばりが形成
され、その上に、絶縁膜２５を形成すると、固定電極、
および固定電極引出しパターン２２の端部で絶縁膜２５
による被覆が不完全な箇所が発生することがある。
として説明した静電容量型センサのように、絶縁基板
（ガラス基板）上の電極パターンである固定電極と固定
電極引出しパターンを通常のリフトオフ法またはエッチ
ング法にて形成する、いわゆる、メタル電極構造の場
合、図４（ｄ）に示すように、固定電極、および固定電
極引出しパターン２２の断面のエッジ部がガラス基板２
０の平面に対し垂直に近くなり、あるいは、ばりが形成
され、その上に、絶縁膜２５を形成すると、固定電極、
および固定電極引出しパターン２２の端部で絶縁膜２５
による被覆が不完全な箇所が発生することがある。
【００１２】そのために、固定電極引出しパターン、あ
るいは固定電極と導電膜間で電気的ショートが発生する
ことがある。前記電気的ショートは、各膜の積層後のシ
リコン基板と絶縁基板の陽極接合時の熱印加工程でより
多く発生し、圧力センサの機能を損ない、センサチップ
の良品率を低くするという欠点があった。
るいは固定電極と導電膜間で電気的ショートが発生する
ことがある。前記電気的ショートは、各膜の積層後のシ
リコン基板と絶縁基板の陽極接合時の熱印加工程でより
多く発生し、圧力センサの機能を損ない、センサチップ
の良品率を低くするという欠点があった。
【００１３】そこで、本発明の課題は、電気的ショート
の発生がなく、すなわち信頼性が高く、また、製造工程
における良品率の高い電子部品、その製造方法、および
静電容量型センサを提供することにある。
の発生がなく、すなわち信頼性が高く、また、製造工程
における良品率の高い電子部品、その製造方法、および
静電容量型センサを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上に
絶縁膜と導体膜とを交互に積層してなる電子部品であっ
て、導体膜の端部にテーパ部を有する電子部品である。
絶縁膜と導体膜とを交互に積層してなる電子部品であっ
て、導体膜の端部にテーパ部を有する電子部品である。
【００１５】また、本発明は、導体膜および絶縁膜形成
のためのマスキングパターンの端部に、導体膜および絶
縁膜の端部に設けるテーパ部の捕角となる角度の（逆）
テーパを付けて、導体膜の端部にテーパ部を有する上記
の電子部品の製造方法である。
のためのマスキングパターンの端部に、導体膜および絶
縁膜の端部に設けるテーパ部の捕角となる角度の（逆）
テーパを付けて、導体膜の端部にテーパ部を有する上記
の電子部品の製造方法である。
【００１６】さらに、本発明は、シリコン基板に形成さ
れる可動電極と、絶縁基板上に形成され、固定電極引出
しパターにより電気的に外部に引き出される固定電極を
有し、前記固定電極と、前記固定電極引出しパターンが
絶縁膜を介して寄生容量の発生を抑制する導体膜で覆わ
れていて、前記固定電極と、前記可動電極を対向させて
構成する静電容量型センサであって、前記固定電極と、
前記固定電極引出しパターンの端部にテーパ部を有する
静電容量型センサである。
れる可動電極と、絶縁基板上に形成され、固定電極引出
しパターにより電気的に外部に引き出される固定電極を
有し、前記固定電極と、前記固定電極引出しパターンが
絶縁膜を介して寄生容量の発生を抑制する導体膜で覆わ
れていて、前記固定電極と、前記可動電極を対向させて
構成する静電容量型センサであって、前記固定電極と、
前記固定電極引出しパターンの端部にテーパ部を有する
静電容量型センサである。
【００１７】
【発明の実施の形態】薄膜を用いた積層構造を有する電
子部品（薄膜フィルタ、薄膜インダクタ、薄膜キャパシ
タ、あるいは、静電容量型センサ等）のうち、静電容量
型センサである静電容量型圧力センサ（圧力センサ）を
例として、本発明の実施の形態を、図を用いて説明す
る。
子部品（薄膜フィルタ、薄膜インダクタ、薄膜キャパシ
タ、あるいは、静電容量型センサ等）のうち、静電容量
型センサである静電容量型圧力センサ（圧力センサ）を
例として、本発明の実施の形態を、図を用いて説明す
る。
【００１８】本発明の圧力センサの構成については、従
来の技術と同様の内容なので、説明を省略し、本発明の
ポイントとなるセンサチップについてのみ説明する。
来の技術と同様の内容なので、説明を省略し、本発明の
ポイントとなるセンサチップについてのみ説明する。
【００１９】図１は、本発明の圧力センサのセンサチッ
プの構造を示す図で、図１（ａ）は、分解斜視図であ
り、図１（ｂ）、図１（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）の
Ａ−Ａ断面図，Ｂ−Ｂの断面図で、図１（ｄ）は、図１
（ｂ）のＤ部を拡大した説明図である。
プの構造を示す図で、図１（ａ）は、分解斜視図であ
り、図１（ｂ）、図１（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）の
Ａ−Ａ断面図，Ｂ−Ｂの断面図で、図１（ｄ）は、図１
（ｂ）のＤ部を拡大した説明図である。
【００２０】図１（ａ）に示すように、センサチップの
シリコン基板１０には、ダイアフラム部１１が形成さ
れ、絶縁基板であるガラス基板２０上には固定電極２１
と、固定電極引出しパターン２２と、可動電極パッド２
３が形成されている。
シリコン基板１０には、ダイアフラム部１１が形成さ
れ、絶縁基板であるガラス基板２０上には固定電極２１
と、固定電極引出しパターン２２と、可動電極パッド２
３が形成されている。
【００２１】そして、図１（ｂ）、図１（ｃ）、図１
（ｄ）に示すように、固定電極引出しパターン２２上に
は絶縁膜２５と導体膜２４が積層されており、固定電極
引出しパターン２２の端部にはテーパ部を設けている。
これにより、固定電極引出しパターン２２の端部は、確
実に絶縁膜２５によって、絶縁被覆されている。
（ｄ）に示すように、固定電極引出しパターン２２上に
は絶縁膜２５と導体膜２４が積層されており、固定電極
引出しパターン２２の端部にはテーパ部を設けている。
これにより、固定電極引出しパターン２２の端部は、確
実に絶縁膜２５によって、絶縁被覆されている。
【００２２】図２に、ガラス基板上への固定電極引出し
パターン２２（または固定電極２１）の作製工程を示
す。図２は、リフトオフ法を用いて固定電極２１、固定
電極引出しパターン２２を形成する方法を示したもので
ある。ガラス基板２０上にフォトレジスト２６により固
定電極２１、および固定電極引出しパターン２２形成用
のパターンをパターニングした。
パターン２２（または固定電極２１）の作製工程を示
す。図２は、リフトオフ法を用いて固定電極２１、固定
電極引出しパターン２２を形成する方法を示したもので
ある。ガラス基板２０上にフォトレジスト２６により固
定電極２１、および固定電極引出しパターン２２形成用
のパターンをパターニングした。
【００２３】その際、図２（ａ）に示すように、画像反
転対応ポジ型フォトレジストを用い、露光量、現像時間
を制御して、マスキングパターンであるフォトレジスト
パターン２６の端部に、導体膜および絶縁膜の端部に設
けるテーパ部の捕角となる角度の（逆）テーパを付け
た。
転対応ポジ型フォトレジストを用い、露光量、現像時間
を制御して、マスキングパターンであるフォトレジスト
パターン２６の端部に、導体膜および絶縁膜の端部に設
けるテーパ部の捕角となる角度の（逆）テーパを付け
た。
【００２４】次に、固定電極２１、固定電極引出しパタ
ーン２２をスパッタまたは蒸着により成膜した［図２
（ｂ）］。次に、前記レジストを除去して、固定電極２
１、固定電極引出しパターン２２を形成した［図２
（ｃ）］。前述の工程において、レジストの断面形状
を、逆テーパ状にすることにより、固定電極２１、およ
び固定電極引出しパターン２２の端部には、ばりの無い
テーパ部を設けた。
ーン２２をスパッタまたは蒸着により成膜した［図２
（ｂ）］。次に、前記レジストを除去して、固定電極２
１、固定電極引出しパターン２２を形成した［図２
（ｃ）］。前述の工程において、レジストの断面形状
を、逆テーパ状にすることにより、固定電極２１、およ
び固定電極引出しパターン２２の端部には、ばりの無い
テーパ部を設けた。
【００２５】上記のようにして得られた本発明の静電容
量型センサは、電気的ショートの発生がなく、すなわち
信頼性が高く、また、製造工程における良品率も大幅に
向上した（９７％）。
量型センサは、電気的ショートの発生がなく、すなわち
信頼性が高く、また、製造工程における良品率も大幅に
向上した（９７％）。
【００２６】また、本発明によって、薄膜を用いた積層
構造を有する電子部品である薄膜フィルタ、薄膜インダ
クタ、および、薄膜キャパシタを製造したところ、同様
の効果が得られた。また、静電容量型センサである静電
容量型加速度センサに、本発明を用いても、その効果は
原理的に、変わらない。
構造を有する電子部品である薄膜フィルタ、薄膜インダ
クタ、および、薄膜キャパシタを製造したところ、同様
の効果が得られた。また、静電容量型センサである静電
容量型加速度センサに、本発明を用いても、その効果は
原理的に、変わらない。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、電気的ショートの発生
がなく、良品率の高い電子部品、その製造方法、および
静電容量型センサが得られる。
がなく、良品率の高い電子部品、その製造方法、および
静電容量型センサが得られる。
【図１】本発明の圧力センサのセンサチップの構造を示
す図で、図１（ａ）は、分解斜視図、図１（ｂ）、図１
（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ断面図，Ｂ−Ｂ
の断面図で、図１（ｄ）は、図１（ｂ）のＤ部を拡大し
た説明図。
す図で、図１（ａ）は、分解斜視図、図１（ｂ）、図１
（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ断面図，Ｂ−Ｂ
の断面図で、図１（ｄ）は、図１（ｂ）のＤ部を拡大し
た説明図。
【図２】ガラス基板上への固定電極引出しパターン（固
定電極）の作製工程を示す説明図。図２（ａ）、図２
（ｂ）、図２（ｃ）は工程順を示す。
定電極）の作製工程を示す説明図。図２（ａ）、図２
（ｂ）、図２（ｃ）は工程順を示す。
【図３】圧力センサを示す図で、図３（ａ）は圧力セン
サの斜視図であり、図３（ｂ）は圧力センサの断面図。
サの斜視図であり、図３（ｂ）は圧力センサの断面図。
【図４】圧力センサのセンサチップの構造を示す図で、
図４（ａ）はセンサチップの分解斜視図であり、図４
（ｂ）、図４（ｃ）は、それぞれ図４（ａ）のＡ−Ａ断
面図、Ｂ−Ｂ断面図、図４（ｄ）は、図４（ｂ）のＤ部
を拡大した説明図。
図４（ａ）はセンサチップの分解斜視図であり、図４
（ｂ）、図４（ｃ）は、それぞれ図４（ａ）のＡ−Ａ断
面図、Ｂ−Ｂ断面図、図４（ｄ）は、図４（ｂ）のＤ部
を拡大した説明図。
１０ シリコン基板 １１ ダイアフラム部（可動電極） １２ キャビティー部 １３ （固定電極引出し用）横穴 ２０ ガラス基板 ２１ 固定電極 ２２ 固定電極引出しパターン ２３ 可動電極パット ２４ 導体膜 ２５ 絶縁膜 ２６ （リフトオフ用）フォトレジストパターン ３０ センサチップ ３１ 大気圧導入孔 ３２ 封止剤 ３３，３４，３５ リードワイヤー ４０ 台座 ４１ キャップ ４２ 被測定圧導入孔 ４３ 大気圧導入孔 ４４，４５，４６ リード端子 ４７ ギャップ内領域
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板上に絶縁膜と導体膜とを交互に
積層してなる電子部品であって、導体膜の端部にテーパ
部を有することを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 導体膜および絶縁膜形成のためのマスキ
ングパターンの端部に、導体膜および絶縁膜の端部に設
けるテーパ部の捕角となる角度のテーパを付けて、導体
膜の端部にテーパ部を有することを特徴とする請求項１
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 シリコン基板に形成される可動電極と、
絶縁基板上に形成され、固定電極引出しパターンにより
電気的に外部に引き出される固定電極を有し、前記固定
電極と、前記固定電極引出しパターンが絶縁膜を介して
寄生容量の発生を抑制する導体膜で覆われていて、前記
固定電極と、前記可動電極を対向させて構成する静電容
量型センサであって、前記固定電極と、前記固定電極引
出しパターンの端部にテーパ部を有することを特徴とす
る静電容量型センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33814697A JPH11154756A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電子部品、その製造方法、および静電容量型センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33814697A JPH11154756A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電子部品、その製造方法、および静電容量型センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154756A true JPH11154756A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18315351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33814697A Pending JPH11154756A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 電子部品、その製造方法、および静電容量型センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11154756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013098250A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Keihin Corp | 電子部品の実装構造 |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP33814697A patent/JPH11154756A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013098250A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Keihin Corp | 電子部品の実装構造 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0156757B1 (en) | Capacitive pressure sensor with low parasitic capacitance | |
| JP3536722B2 (ja) | チップ形固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| CN101078663B (zh) | 制造使用soi晶片的压力传感器的方法 | |
| EP1722596A1 (en) | Electret capacitor microphone | |
| JPH08233672A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPS5873166A (ja) | 容量性圧力トランスジューサの製造方法 | |
| JPS60501177A (ja) | 圧力センサ | |
| US20100246088A1 (en) | Variable capacitor and method of making the same | |
| JP3205414B2 (ja) | 圧力マイクロセンサ | |
| JP2002101497A (ja) | エレクトレットコンデンサマイクロホン及びその製造方法 | |
| JP4419563B2 (ja) | エレクトレットコンデンサー | |
| JPH11154756A (ja) | 電子部品、その製造方法、および静電容量型センサ | |
| JPH1154706A (ja) | Ｍｉｍキャパシタ及びその製造方法 | |
| CN113697758A (zh) | 一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构及方法 | |
| JP3550467B2 (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP2001194254A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JP2008113057A (ja) | エレクトレットコンデンサー | |
| JP2017108226A (ja) | トランスデューサ装置及びその製造方法 | |
| JP3129284B2 (ja) | 半導集積回路装置の製造方法 | |
| JPH08247877A (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 | |
| JP2000121662A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH09304210A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその作製方法 | |
| JPH08201204A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JPS63174417A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JPH1062283A (ja) | 静電容量型圧力センサ |