JPH11157931A - 高周波用誘電体磁器および積層体 - Google Patents
高周波用誘電体磁器および積層体Info
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- JPH11157931A JPH11157931A JP10045233A JP4523398A JPH11157931A JP H11157931 A JPH11157931 A JP H11157931A JP 10045233 A JP10045233 A JP 10045233A JP 4523398 A JP4523398 A JP 4523398A JP H11157931 A JPH11157931 A JP H11157931A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】焼成温度をさらに低下させることができるとと
もに、収縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に
近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と
同時焼成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用
誘電体磁器および積層体を提供する。 【解決手段】低損失セラミックフィラー１００重量部
と、該低損失セラミックフィラー１００重量部に対し
て、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を
含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とからなる組成
物を焼成してなり、Ｑ値とその測定周波数との積で表さ
れるＱｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上のものである。
もに、収縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に
近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と
同時焼成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用
誘電体磁器および積層体を提供する。 【解決手段】低損失セラミックフィラー１００重量部
と、該低損失セラミックフィラー１００重量部に対し
て、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を
含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とからなる組成
物を焼成してなり、Ｑ値とその測定周波数との積で表さ
れるＱｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上のものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する高周波用
誘電体磁器および積層体に関するものであり、例えば、
マイクロ波やミリ波などの高周波領域において使用され
る種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電
体導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体
層等に用いることができる高周波用誘電体磁器および積
層体に関する。
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する高周波用
誘電体磁器および積層体に関するものであり、例えば、
マイクロ波やミリ波などの高周波領域において使用され
る種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電
体導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体
層等に用いることができる高周波用誘電体磁器および積
層体に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波
等の高周波領域において誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体
基板や導波路等に広く利用されている。そして、近年に
おいては、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発達
および普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料とし
て、誘電体セラミックスの需要が増大しつつある。
等の高周波領域において誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体
基板や導波路等に広く利用されている。そして、近年に
おいては、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発達
および普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料とし
て、誘電体セラミックスの需要が増大しつつある。
【０００３】電子回路基板や電子部品において、誘電体
セラミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従
来の誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上と
いう高温であったため、導体材料としては、比較的高融
点であるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。こ
れら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の
電子回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ
値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きく
なる等の問題があった。
セラミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従
来の誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上と
いう高温であったため、導体材料としては、比較的高融
点であるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。こ
れら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の
電子回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ
値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きく
なる等の問題があった。
【０００４】そこで、係る問題点を解決すべく、導通抵
抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼成の誘
電体セラミックスが提案されている。例えば、本出願人
が先１出願した特開平８−２０８３３０号公報に開示さ
れた誘電体磁器組成物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 と
Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 からなるものであり、９００〜
１０５０℃の比較的低温でＡｇ、Ｃｕ等の内部導体と同
時に焼成でき、誘電体磁器の比誘電率εｒが１８以上、
測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０００以上、かつ共振
周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた
特性を有し、高周波電子部品の小型化と高性能化を実現
できるものであった。
抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼成の誘
電体セラミックスが提案されている。例えば、本出願人
が先１出願した特開平８−２０８３３０号公報に開示さ
れた誘電体磁器組成物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 と
Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 からなるものであり、９００〜
１０５０℃の比較的低温でＡｇ、Ｃｕ等の内部導体と同
時に焼成でき、誘電体磁器の比誘電率εｒが１８以上、
測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０００以上、かつ共振
周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた
特性を有し、高周波電子部品の小型化と高性能化を実現
できるものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では焼結温度がまだ高く、さらに焼結における収縮開始
温度が８４５〜９６０℃と高温であるため、導体材料と
の収縮挙動のマッチングが悪く、焼成された基板や電子
部品が反る、歪む等の問題があった。
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
では焼結温度がまだ高く、さらに焼結における収縮開始
温度が８４５〜９６０℃と高温であるため、導体材料と
の収縮挙動のマッチングが悪く、焼成された基板や電子
部品が反る、歪む等の問題があった。
【０００６】即ち、導体としては、Ａｇおよび／または
Ｃｕを主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるい
はＡｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあるが、これらの導
体は、焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃
程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度
との差が大きく、これにより、基板等が変形する等の問
題があった。
Ｃｕを主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるい
はＡｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあるが、これらの導
体は、焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃
程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度
との差が大きく、これにより、基板等が変形する等の問
題があった。
【０００７】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
焼成温度をさらに低下させることができるとともに、収
縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に近づける
ことができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と同時焼成
した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用誘電体磁
器および積層体を提供することを目的とする。
焼成温度をさらに低下させることができるとともに、収
縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に近づける
ことができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と同時焼成
した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用誘電体磁
器および積層体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
磁器は、低損失セラミックフィラー１００重量部と、該
低損失セラミックフィラー１００重量部に対して、Ｂ、
アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する
粒界相形成成分５〜３０重量部とからなる組成物を焼成
してなり、Ｑ値とその測定周波数との積で表されるＱｆ
値が２００００〔ＧＨｚ〕以上のものである。
磁器は、低損失セラミックフィラー１００重量部と、該
低損失セラミックフィラー１００重量部に対して、Ｂ、
アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する
粒界相形成成分５〜３０重量部とからなる組成物を焼成
してなり、Ｑ値とその測定周波数との積で表されるＱｆ
値が２００００〔ＧＨｚ〕以上のものである。
【０００９】ここで、粒界相形成成分は、重量比による
組成式を、ａＢ2 Ｏ3 ・ｂＡ2 Ｏ・ｃＳｉＯ2 ・ｄＲＯ
と表した時、前記ａ、ｂ、ｃおよびｄが、４０≦ａ≦９
０、８≦ｂ≦２０、１≦ｃ≦２０、１≦ｄ≦２０、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足することが望ましい。ここ
で、Ａはアルカリ金属のうち少なくとも一種以上、Ｒは
アルカリ土類金属のうち少なくとも一種以上である。
組成式を、ａＢ2 Ｏ3 ・ｂＡ2 Ｏ・ｃＳｉＯ2 ・ｄＲＯ
と表した時、前記ａ、ｂ、ｃおよびｄが、４０≦ａ≦９
０、８≦ｂ≦２０、１≦ｃ≦２０、１≦ｄ≦２０、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足することが望ましい。ここ
で、Ａはアルカリ金属のうち少なくとも一種以上、Ｒは
アルカリ土類金属のうち少なくとも一種以上である。
【００１０】また、低損失セラミックフィラーは、単体
でのＱｆ値が３００００〔ＧＨｚ〕以上であることが望
ましい。さらに、低損失セラミックフィラーは、少なく
ともＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト型結晶粒子、
もしくはＢａＴｉ4 Ｏ9 粒子であることが望ましい。
でのＱｆ値が３００００〔ＧＨｚ〕以上であることが望
ましい。さらに、低損失セラミックフィラーは、少なく
ともＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト型結晶粒子、
もしくはＢａＴｉ4 Ｏ9 粒子であることが望ましい。
【００１１】さらに、モル比による組成式を、（１−
ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 と表した時、前記ｘ
が０≦ｘ≦０．２を満足する主成分と、該主成分１００
重量部に対して、ＢをＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、
アルカリ金属をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量
部、ＳｉをＳｉＯ2 換算で０．０１〜５重量部、さらに
アルカリ土類金属をアルカリ土類金属酸化物換算で０．
１〜５重量部含有することが望ましい。主成分１００重
量部に対して、さらにＭｎをＭｎＯ2 換算で０．１〜３
重量部含有することが望ましい。
ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 と表した時、前記ｘ
が０≦ｘ≦０．２を満足する主成分と、該主成分１００
重量部に対して、ＢをＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、
アルカリ金属をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量
部、ＳｉをＳｉＯ2 換算で０．０１〜５重量部、さらに
アルカリ土類金属をアルカリ土類金属酸化物換算で０．
１〜５重量部含有することが望ましい。主成分１００重
量部に対して、さらにＭｎをＭｎＯ2 換算で０．１〜３
重量部含有することが望ましい。
【００１２】本発明の積層体は、誘電体層を複数積層し
てなる誘電基体の内部および／または表面に、Ａｇおよ
び／またはＣｕを主成分とする導体を有する積層体であ
って、前記誘電体層が上記高周波用誘電体磁器からなる
ものである。
てなる誘電基体の内部および／または表面に、Ａｇおよ
び／またはＣｕを主成分とする導体を有する積層体であ
って、前記誘電体層が上記高周波用誘電体磁器からなる
ものである。
【００１３】
【作用】本発明の高周波用誘電体磁器は、Ｂ、アルカリ
金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形
成成分により、低損失セラミックフィラー自体のＱｆ値
をそれほど低下させることなく、９２０℃以下の焼成温
度で焼成できるとともに、収縮開始温度を８３０℃以下
にでき、Ａｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時焼成しても変形
することがなく、さらに、Ｑ値とその測定周波数との積
で表される磁器のＱｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上と
なり、共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体
導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層
等に好適に用いることができる。
金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形
成成分により、低損失セラミックフィラー自体のＱｆ値
をそれほど低下させることなく、９２０℃以下の焼成温
度で焼成できるとともに、収縮開始温度を８３０℃以下
にでき、Ａｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時焼成しても変形
することがなく、さらに、Ｑ値とその測定周波数との積
で表される磁器のＱｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上と
なり、共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体
導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層
等に好適に用いることができる。
【００１４】また、粒界相形成成分が、重量比による組
成式をａＢ2 Ｏ3 ・ｂＡ2 Ｏ・ｃＳｉＯ2 ・ｄＲＯ（Ａ
はアルカリ金属のうち少なくとも一種、Ｒはアルカリ土
類金属のうち少なくとも一種）と表した時、ａ、ｂ、ｃ
およびｄが、４０≦ａ≦９０、８≦ｂ≦２０、１≦ｃ≦
２０、１≦ｄ≦２０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足す
ることにより、９２０℃以下の焼成温度で焼成できると
ともに、焼成収縮開始温度を８３０℃以下にすることが
でき、Ａｇおよび／またはＣｕを主成分とする導体の収
縮開始温度に近づけることができ、Ａｇ、Ｃｕを主成分
とする導体と同時焼成した場合でも、基板や電子部品の
反りや歪み等の発生を抑制することができ、さらに、共
振周波数の温度係数τｆを±４０ｐｐｍ／℃の範囲内と
することが可能となる。
成式をａＢ2 Ｏ3 ・ｂＡ2 Ｏ・ｃＳｉＯ2 ・ｄＲＯ（Ａ
はアルカリ金属のうち少なくとも一種、Ｒはアルカリ土
類金属のうち少なくとも一種）と表した時、ａ、ｂ、ｃ
およびｄが、４０≦ａ≦９０、８≦ｂ≦２０、１≦ｃ≦
２０、１≦ｄ≦２０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足す
ることにより、９２０℃以下の焼成温度で焼成できると
ともに、焼成収縮開始温度を８３０℃以下にすることが
でき、Ａｇおよび／またはＣｕを主成分とする導体の収
縮開始温度に近づけることができ、Ａｇ、Ｃｕを主成分
とする導体と同時焼成した場合でも、基板や電子部品の
反りや歪み等の発生を抑制することができ、さらに、共
振周波数の温度係数τｆを±４０ｐｐｍ／℃の範囲内と
することが可能となる。
【００１５】さらに、低損失セラミックフィラー単体で
のＱｆ値を３００００以上とすることにより、磁器のＱ
ｆ値を確実に２００００以上にできる。特に、低損失セ
ラミックフィラーを、少なくともＭｇとＴｉを含有する
ペロブスカイト型結晶粒子、もしくはＢａＴｉ4 Ｏ9 粒
子とすることにより、低損失セラミックフィラーのＱｆ
値を高くすることができ、磁器の高Ｑｆ値化を促進でき
る。
のＱｆ値を３００００以上とすることにより、磁器のＱ
ｆ値を確実に２００００以上にできる。特に、低損失セ
ラミックフィラーを、少なくともＭｇとＴｉを含有する
ペロブスカイト型結晶粒子、もしくはＢａＴｉ4 Ｏ9 粒
子とすることにより、低損失セラミックフィラーのＱｆ
値を高くすることができ、磁器の高Ｑｆ値化を促進でき
る。
【００１６】また、モル比による組成式（１−ｘ）Ｍｇ
ＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦０．２）で表され
る主成分に、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉ、アルカリ土類金
属を所定量含有することにより、比誘電率が１８〜４０
で、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上であり、かつ焼
成温度を９２０℃以下に、収縮開始温度を８３０℃以下
とすることが可能となる。
ＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦０．２）で表され
る主成分に、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉ、アルカリ土類金
属を所定量含有することにより、比誘電率が１８〜４０
で、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上であり、かつ焼
成温度を９２０℃以下に、収縮開始温度を８３０℃以下
とすることが可能となる。
【００１７】本発明の積層体では、上記したような誘電
体磁器を用いることにより、Ａｇ、Ｃｕを主成分とする
導体と同時焼成した場合でも、積層体のそり、歪み等の
発生を抑制でき、マイクロ波やミリ波等の高周波領域に
おいて、共振器、ＭＩＣ用基板、導波路用として好適に
使用できる。
体磁器を用いることにより、Ａｇ、Ｃｕを主成分とする
導体と同時焼成した場合でも、積層体のそり、歪み等の
発生を抑制でき、マイクロ波やミリ波等の高周波領域に
おいて、共振器、ＭＩＣ用基板、導波路用として好適に
使用できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用誘電体磁器は、
低損失セラミックフィラー１００重量部と、該低損失セ
ラミックフィラー１００重量部に対して、Ｂ、アルカリ
金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形
成成分５〜３０重量部とからなる組成物を焼成してな
り、Ｑ値とその測定周波数との積で表されるＱｆ値が２
００００〔ＧＨｚ〕以上のものである。
低損失セラミックフィラー１００重量部と、該低損失セ
ラミックフィラー１００重量部に対して、Ｂ、アルカリ
金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形
成成分５〜３０重量部とからなる組成物を焼成してな
り、Ｑ値とその測定周波数との積で表されるＱｆ値が２
００００〔ＧＨｚ〕以上のものである。
【００１９】ここで、低損失セラミックフィラーとして
は、フィラー単独でのＱｆ値が３００００〔ＧＨｚ〕以
上であることが望ましい。例えば、モル比による組成式
（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦
０．２）で表される少なくともＭｇとＴｉを含有するペ
ロブスカイト型結晶粒子や、ＢａＴｉ4 Ｏ9 粒子が望ま
しい。
は、フィラー単独でのＱｆ値が３００００〔ＧＨｚ〕以
上であることが望ましい。例えば、モル比による組成式
（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦
０．２）で表される少なくともＭｇとＴｉを含有するペ
ロブスカイト型結晶粒子や、ＢａＴｉ4 Ｏ9 粒子が望ま
しい。
【００２０】Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土
類金属を含有する粒界相形成成分を用いたのは、これら
の成分を用いることにより、焼成温度を９２０℃以下と
することができるとともに、焼成収縮開始温度を８３０
℃以下とでき、磁器としてのＱｆ値を２００００〔ＧＨ
ｚ〕以上とすることができるからである。
類金属を含有する粒界相形成成分を用いたのは、これら
の成分を用いることにより、焼成温度を９２０℃以下と
することができるとともに、焼成収縮開始温度を８３０
℃以下とでき、磁器としてのＱｆ値を２００００〔ＧＨ
ｚ〕以上とすることができるからである。
【００２１】粒界相形成成分量を、低損失セラミックフ
ィラー１００重量部に対して５〜３０重量部としたの
は、５重量部未満の場合には、焼成温度を低下させる効
果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時
焼成ができなくなり、逆に３０重量部を越える場合に
は、誘電体磁器の共振周波数の温度係数τｆがプラス側
に大きくなりすぎてしまう。とりわけ誘電体磁器の焼結
性と共振周波数の温度係数τｆの観点から添加量は、１
５〜２５重量部が好ましい。
ィラー１００重量部に対して５〜３０重量部としたの
は、５重量部未満の場合には、焼成温度を低下させる効
果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時
焼成ができなくなり、逆に３０重量部を越える場合に
は、誘電体磁器の共振周波数の温度係数τｆがプラス側
に大きくなりすぎてしまう。とりわけ誘電体磁器の焼結
性と共振周波数の温度係数τｆの観点から添加量は、１
５〜２５重量部が好ましい。
【００２２】粒界相形成成分としては、重量比による組
成式をａＢ2 Ｏ3 ・ｂＡ2 Ｏ・ｃＳｉＯ2 ・ｄＲＯ（Ａ
はアルカリ金属の少なくとも一種、Ｒはアルカリ土類金
属の少なくとも一種）と表した時、ａ、ｂ、ｃおよびｄ
が、４０≦ａ≦９０、８≦ｂ≦２０、１≦ｃ≦２０、１
≦ｄ≦２０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足することが
望ましい。
成式をａＢ2 Ｏ3 ・ｂＡ2 Ｏ・ｃＳｉＯ2 ・ｄＲＯ（Ａ
はアルカリ金属の少なくとも一種、Ｒはアルカリ土類金
属の少なくとも一種）と表した時、ａ、ｂ、ｃおよびｄ
が、４０≦ａ≦９０、８≦ｂ≦２０、１≦ｃ≦２０、１
≦ｄ≦２０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００を満足することが
望ましい。
【００２３】ここで、Ｂ2 Ｏ3 量ａを４０≦ａ≦９０と
したのは、ａが４０重量％未満の場合は焼成温度を低下
させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導
体と同時焼成ができなくなり、逆に９０重量％を越える
場合には、焼結体中のガラス相の割合が増加してＱ値が
低下するからである。よって、焼結性を維持し、高いＱ
値を得るという観点から６０≦ａ≦７５重量％が望まし
い。
したのは、ａが４０重量％未満の場合は焼成温度を低下
させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導
体と同時焼成ができなくなり、逆に９０重量％を越える
場合には、焼結体中のガラス相の割合が増加してＱ値が
低下するからである。よって、焼結性を維持し、高いＱ
値を得るという観点から６０≦ａ≦７５重量％が望まし
い。
【００２４】また、Ａ2 Ｏ量ｂを８≦ｂ≦２０重量％と
したのは、ｂが８重量％未満の場合には、焼成温度を低
下させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする
導体と同時焼成ができなくなり、逆に２０重量％を越え
る場合には、結晶相が変化してＱ値が低下するからであ
る。誘電体磁器のＱ値の観点から１３≦ｂ≦１８重量％
が望ましい。ここで、Ａはアルカリ金属のうち少なくと
も一種であり、アルカリ金属としてはＬｉ、Ｎａ、Ｋが
あるが、特にＬｉが望ましい。
したのは、ｂが８重量％未満の場合には、焼成温度を低
下させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする
導体と同時焼成ができなくなり、逆に２０重量％を越え
る場合には、結晶相が変化してＱ値が低下するからであ
る。誘電体磁器のＱ値の観点から１３≦ｂ≦１８重量％
が望ましい。ここで、Ａはアルカリ金属のうち少なくと
も一種であり、アルカリ金属としてはＬｉ、Ｎａ、Ｋが
あるが、特にＬｉが望ましい。
【００２５】さらに、ＳｉＯ2 量ｃを１≦ｃ≦２０重量
％としたのは、ｃが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、添加効果が得られないからである。一方、２０重
量％を越えると誘電体磁器の比誘電率εｒあるいはＱ値
が低下するからである。誘電体磁器の比誘電率εｒある
いはＱ値の観点からは、ｃは４≦ｃ≦８重量％が望まし
い。
％としたのは、ｃが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、添加効果が得られないからである。一方、２０重
量％を越えると誘電体磁器の比誘電率εｒあるいはＱ値
が低下するからである。誘電体磁器の比誘電率εｒある
いはＱ値の観点からは、ｃは４≦ｃ≦８重量％が望まし
い。
【００２６】さらにまた、ＲＯ量ｄを１≦ｄ≦２０重量
％としたのは、ｄが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、添加効果が得られない。一方、２０重量％を越え
ると誘電体磁器の共振周波数の温度係数τｆがプラス側
に大きくなりすぎてしまう。とりわけ誘電体磁器の焼結
性と共振周波数の温度係数τｆの観点からはｄは、５≦
ｄ≦１５重量％が好ましい。ここで、Ｒはアルカリ土類
金属のうち少なくとも一種であり、アルカリ土類金属と
してはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等があるが、この
うちＢａが望ましい。
％としたのは、ｄが１重量％未満の場合には誘電体磁器
の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く
なり、添加効果が得られない。一方、２０重量％を越え
ると誘電体磁器の共振周波数の温度係数τｆがプラス側
に大きくなりすぎてしまう。とりわけ誘電体磁器の焼結
性と共振周波数の温度係数τｆの観点からはｄは、５≦
ｄ≦１５重量％が好ましい。ここで、Ｒはアルカリ土類
金属のうち少なくとも一種であり、アルカリ土類金属と
してはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等があるが、この
うちＢａが望ましい。
【００２７】本発明の高周波用誘電体磁器は、主成分
が、モル比による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘ
ＣａＴｉＯ3 と表した時、ｘが０≦ｘ≦０．２を満足す
ることが望ましい。ここで、ｘを０≦ｘ≦０．２とした
のは、ｘが０．２モルを越える場合には、共振周波数の
温度係数τｆがプラス側に大きくなりすぎてしまうから
である。とりわけ誘電体磁器の共振周波数の温度係数τ
ｆの観点からはｘは０．０３≦ｘ≦０．１３が好まし
い。また、ＭｇＴｉＯ3 とＣａＴｉＯ3 において、Ｍｇ
／Ｔｉ比またはＣａ／Ｔｉ比が０．９〜１．１の範囲で
あれば、本発明の磁器の主成分として使用できる。
が、モル比による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘ
ＣａＴｉＯ3 と表した時、ｘが０≦ｘ≦０．２を満足す
ることが望ましい。ここで、ｘを０≦ｘ≦０．２とした
のは、ｘが０．２モルを越える場合には、共振周波数の
温度係数τｆがプラス側に大きくなりすぎてしまうから
である。とりわけ誘電体磁器の共振周波数の温度係数τ
ｆの観点からはｘは０．０３≦ｘ≦０．１３が好まし
い。また、ＭｇＴｉＯ3 とＣａＴｉＯ3 において、Ｍｇ
／Ｔｉ比またはＣａ／Ｔｉ比が０．９〜１．１の範囲で
あれば、本発明の磁器の主成分として使用できる。
【００２８】そして、本発明の高周波用誘電体磁器で
は、上記主成分１００重量部に対して、ＢをＢ2 Ｏ3 換
算で３〜２０重量部、アルカリ金属をアルカリ金属炭酸
塩換算で１〜１０重量部、ＳｉをＳｉＯ2 換算で０．０
１〜５重量部、さらにアルカリ土類金属をアルカリ土類
金属酸化物換算で０．１〜５重量部含有するものであ
る。
は、上記主成分１００重量部に対して、ＢをＢ2 Ｏ3 換
算で３〜２０重量部、アルカリ金属をアルカリ金属炭酸
塩換算で１〜１０重量部、ＳｉをＳｉＯ2 換算で０．０
１〜５重量部、さらにアルカリ土類金属をアルカリ土類
金属酸化物換算で０．１〜５重量部含有するものであ
る。
【００２９】ここで、ＢをＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量
部含有したのは、Ｂが３重量部未満の場合には１１００
℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と
同時焼成ができなくなり、逆に２０重量部を越える場合
には焼結体中のガラス相の割合が増加してＱ値が低下す
るからである。よって、焼結性を維持し、高いＱ値を得
るという観点からＢ2 Ｏ3 換算で５〜１５重量部含有す
ることが望ましい。Ｂ含有化合物としては、金属硼素、
Ｂ2 Ｏ3 、コレマイト、ＣａＢ2 Ｏ4 、ホウケイ酸ガラ
ス、ホウケイ酸アルカリガラス、ホウケイ酸アルカリ土
類ガラス等がある。
部含有したのは、Ｂが３重量部未満の場合には１１００
℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と
同時焼成ができなくなり、逆に２０重量部を越える場合
には焼結体中のガラス相の割合が増加してＱ値が低下す
るからである。よって、焼結性を維持し、高いＱ値を得
るという観点からＢ2 Ｏ3 換算で５〜１５重量部含有す
ることが望ましい。Ｂ含有化合物としては、金属硼素、
Ｂ2 Ｏ3 、コレマイト、ＣａＢ2 Ｏ4 、ホウケイ酸ガラ
ス、ホウケイ酸アルカリガラス、ホウケイ酸アルカリ土
類ガラス等がある。
【００３０】また、アルカリ金属をアルカリ金属炭酸塩
換算で１〜１０重量部含有したのは、含有量が１重量部
未満の場合には１１００℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣ
ｕを主成分とする導体と同時焼成ができなくなり、逆に
１０重量部を越える場合には結晶相が変化してＱ値が低
下するからである。誘電体磁器のＱ値の観点から４〜９
重量部が望ましい。アルカリ金属としてはＬｉ、Ｎａ、
Ｋを例示することができ、この中でもＬｉが特に望まし
い。アルカリ金属含有化合物としては、上記アルカリ金
属の炭酸塩、酸化物等を例示することができる。
換算で１〜１０重量部含有したのは、含有量が１重量部
未満の場合には１１００℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣ
ｕを主成分とする導体と同時焼成ができなくなり、逆に
１０重量部を越える場合には結晶相が変化してＱ値が低
下するからである。誘電体磁器のＱ値の観点から４〜９
重量部が望ましい。アルカリ金属としてはＬｉ、Ｎａ、
Ｋを例示することができ、この中でもＬｉが特に望まし
い。アルカリ金属含有化合物としては、上記アルカリ金
属の炭酸塩、酸化物等を例示することができる。
【００３１】さらに、ＳｉをＳｉＯ2 換算で０．０１〜
５重量部含有したのは、含有量が０．０１重量部未満の
場合には、誘電体磁器の焼結過程における収縮開始温度
が約８４０℃と高く、添加効果が得られないからであ
る。一方、５重量部を越えると比誘電率εｒあるいはＱ
値が低下するからである。誘電体磁器の比誘電率εｒあ
るいはＱ値の観点から０．５〜３重量部が望ましい。Ｓ
ｉ含有化合物としてはＳｉＯ2 、ＭｇＳｉＯ3 等があ
る。
５重量部含有したのは、含有量が０．０１重量部未満の
場合には、誘電体磁器の焼結過程における収縮開始温度
が約８４０℃と高く、添加効果が得られないからであ
る。一方、５重量部を越えると比誘電率εｒあるいはＱ
値が低下するからである。誘電体磁器の比誘電率εｒあ
るいはＱ値の観点から０．５〜３重量部が望ましい。Ｓ
ｉ含有化合物としてはＳｉＯ2 、ＭｇＳｉＯ3 等があ
る。
【００３２】また、アルカリ土類金属をアルカリ土類金
属酸化物換算で０．１〜５重量部含有するものである。
これらが０．１重量部未満の場合には誘電体磁器の焼結
過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く、添加
効果が得られない。一方、５重量部を越えると誘電体磁
器の共振周波数の温度係数τｆがプラス側に大きくなり
すぎてしまう。とりわけ誘電体磁器の焼結性と共振周波
数の温度係数τｆの観点からは合計０．５〜３．５重量
部が好ましい。
属酸化物換算で０．１〜５重量部含有するものである。
これらが０．１重量部未満の場合には誘電体磁器の焼結
過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高く、添加
効果が得られない。一方、５重量部を越えると誘電体磁
器の共振周波数の温度係数τｆがプラス側に大きくなり
すぎてしまう。とりわけ誘電体磁器の焼結性と共振周波
数の温度係数τｆの観点からは合計０．５〜３．５重量
部が好ましい。
【００３３】アルカリ土類金属としては、Ｍｇ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｂａがあり、このなかでもＢａが望ましい。アル
カリ土類金属含有化合物としては、上記アルカリ金属の
炭酸塩、酸化物等を例示することができる。
Ｓｒ、Ｂａがあり、このなかでもＢａが望ましい。アル
カリ土類金属含有化合物としては、上記アルカリ金属の
炭酸塩、酸化物等を例示することができる。
【００３４】さらに、本発明の高周波用誘電体磁器で
は、焼結性を改善する点から、主成分１００重量部に対
して、さらにＭｎをＭｎＯ2 換算で０．１〜３重量部含
有することが望ましい。ＭｎをＭｎＯ2 換算で０．１〜
３重量部含有せしめたのは、０．１重量部よりも少ない
場合にはその添加効果がなく、さらに３重量部よりも多
い場合には誘電特性が悪化するからである。ＭｎはＭｎ
Ｏ2 換算で１．２〜１．８重量部含有することが望まし
い。
は、焼結性を改善する点から、主成分１００重量部に対
して、さらにＭｎをＭｎＯ2 換算で０．１〜３重量部含
有することが望ましい。ＭｎをＭｎＯ2 換算で０．１〜
３重量部含有せしめたのは、０．１重量部よりも少ない
場合にはその添加効果がなく、さらに３重量部よりも多
い場合には誘電特性が悪化するからである。ＭｎはＭｎ
Ｏ2 換算で１．２〜１．８重量部含有することが望まし
い。
【００３５】本発明の高周波用誘電体磁器は、原料粉末
として、例えば、ＭｇＴｉＯ3 粉末、ＣａＴｉＯ3 粉
末、およびＢ2 Ｏ3 粉末、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2
粉末、ＭｎＯ2 粉末、さらにアルカリ土類金属酸化物
（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）粉末を準備し、こ
れらを上記組成比となるように秤量し、ＺｒＯ2 ボール
により粉砕混合し、この混合粉末を６５０〜８５０℃で
仮焼した後、再度ＺｒＯ2ボールにより粉砕粒径が２．
５μｍ以下になるまで粉砕混合し、この仮焼粉末をプレ
ス成形やドクターブレード法等の公知の方法により所定
形状に成形し、大気中または酸素雰囲気中または窒素雰
囲気等の非酸化性雰囲気において９２０℃以下、特に８
７０〜９２０℃で０．５〜２時間焼成することにより得
られる。原料粉末は、焼成により酸化物を生成する水酸
化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いても良い。
として、例えば、ＭｇＴｉＯ3 粉末、ＣａＴｉＯ3 粉
末、およびＢ2 Ｏ3 粉末、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2
粉末、ＭｎＯ2 粉末、さらにアルカリ土類金属酸化物
（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）粉末を準備し、こ
れらを上記組成比となるように秤量し、ＺｒＯ2 ボール
により粉砕混合し、この混合粉末を６５０〜８５０℃で
仮焼した後、再度ＺｒＯ2ボールにより粉砕粒径が２．
５μｍ以下になるまで粉砕混合し、この仮焼粉末をプレ
ス成形やドクターブレード法等の公知の方法により所定
形状に成形し、大気中または酸素雰囲気中または窒素雰
囲気等の非酸化性雰囲気において９２０℃以下、特に８
７０〜９２０℃で０．５〜２時間焼成することにより得
られる。原料粉末は、焼成により酸化物を生成する水酸
化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いても良い。
【００３６】アルカリ土類金属は、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉを含
むガラスフリットとして添加することが焼結性向上の点
から望ましい。この場合には、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉ量は、ガ
ラスフリットに含有される量と、粉末として添加される
量の合計量となる。
むガラスフリットとして添加することが焼結性向上の点
から望ましい。この場合には、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉ量は、ガ
ラスフリットに含有される量と、粉末として添加される
量の合計量となる。
【００３７】本発明の高周波用誘電体磁器では、原料の
混合粉砕工程等の製造過程で、Ｚｒ、Ａｌ等が混入した
り、原料の不可避不純物として、Ａｌ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓ
ｎ等が含まれることもある。
混合粉砕工程等の製造過程で、Ｚｒ、Ａｌ等が混入した
り、原料の不可避不純物として、Ａｌ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓ
ｎ等が含まれることもある。
【００３８】また、本発明の高周波用誘電体磁器では、
例えば、結晶相として、ＭｇＴｉＯ3 とＣａＴｉＯ3 を
主結晶相とし、（Ｍｇ，Ｔｉ）2 （ＢＯ3 ）Ｏが析出す
ることもある。尚、アルカリ土類金属は、ＭｇＴｉＯ3
とＣａＴｉＯ3 のＡサイトに固溶したり、あるいはガラ
ス成分となって、焼結性を向上させることになる。ま
た、Ｓｉはガラス相として存在する。さらに、本発明の
高周波用誘電体磁器では平均結晶粒径が１〜５μｍのも
のである。
例えば、結晶相として、ＭｇＴｉＯ3 とＣａＴｉＯ3 を
主結晶相とし、（Ｍｇ，Ｔｉ）2 （ＢＯ3 ）Ｏが析出す
ることもある。尚、アルカリ土類金属は、ＭｇＴｉＯ3
とＣａＴｉＯ3 のＡサイトに固溶したり、あるいはガラ
ス成分となって、焼結性を向上させることになる。ま
た、Ｓｉはガラス相として存在する。さらに、本発明の
高周波用誘電体磁器では平均結晶粒径が１〜５μｍのも
のである。
【００３９】
【実施例】実施例１ 原料として純度９９％以上の、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 、ＳｉＯ2 粉末、さらにアルカリ土類酸化物として
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ粉末を用い、表１に示
す割合となるように秤量し、純水を媒体とし、モル比
０．９５ＭｇＴｉＯ3・０．０５ＣａＴｉＯ3 （Ｑｆ値
１０００００）またはＢａＯ・４．０ＴｉＯ2（Ｑｆ値
５００００）で表される低損失セラミックフィラー成分
と、ＺｒＯ2 ボールを用いたボ−ルミルにて２０時間湿
式混合した。次にこの混合物を乾燥（脱水）し、８００
℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．０
μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料と
して直径１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ
2 の圧力でプレス成形し、これを表１に示す温度で２時
間焼成し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状の試料を得
た。この際、熱収縮の測定により、収縮開始温度を測定
した。
Ｏ3 、ＳｉＯ2 粉末、さらにアルカリ土類酸化物として
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ粉末を用い、表１に示
す割合となるように秤量し、純水を媒体とし、モル比
０．９５ＭｇＴｉＯ3・０．０５ＣａＴｉＯ3 （Ｑｆ値
１０００００）またはＢａＯ・４．０ＴｉＯ2（Ｑｆ値
５００００）で表される低損失セラミックフィラー成分
と、ＺｒＯ2 ボールを用いたボ−ルミルにて２０時間湿
式混合した。次にこの混合物を乾燥（脱水）し、８００
℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．０
μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料と
して直径１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ
2 の圧力でプレス成形し、これを表１に示す温度で２時
間焼成し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状の試料を得
た。この際、熱収縮の測定により、収縮開始温度を測定
した。
【００４０】誘電特性の評価は、前記試料を用いて誘電
体円柱共振器法にて周波数８ＧＨｚにおける比誘電率と
Ｑ値を測定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される
Ｑｆ値を表１に記載した。さらに、−４０〜＋８５℃の
温度範囲における共振周波数の温度係数τｆ〔ｐｐｍ／
℃〕を測定した。その結果を表１に記載した。
体円柱共振器法にて周波数８ＧＨｚにおける比誘電率と
Ｑ値を測定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される
Ｑｆ値を表１に記載した。さらに、−４０〜＋８５℃の
温度範囲における共振周波数の温度係数τｆ〔ｐｐｍ／
℃〕を測定した。その結果を表１に記載した。
【００４１】
【表１】
【００４２】この表１から、本発明の誘電体磁器は、比
誘電率が１８〜４０、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以
上、かつ、共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／
℃以内の優れた誘電特性を有するとともに、７６０〜８
３０℃で焼結収縮が開始し、９２０℃以下で焼成が可能
な優れた焼結性を有していることが判る。
誘電率が１８〜４０、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以
上、かつ、共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／
℃以内の優れた誘電特性を有するとともに、７６０〜８
３０℃で焼結収縮が開始し、９２０℃以下で焼成が可能
な優れた焼結性を有していることが判る。
【００４３】尚、アルカリ金属としては、試料Ｎo.４で
Ｎａを、Ｎo.８でＫを用い、その他はＬｉを用いた。ま
た、アルカリ土類金属としては、試料Ｎo.１０でＣａ
を、Ｎo.１１でＭｇを、Ｎo.１２でＢａを、Ｎo.１３で
Ｓｒを用い、その他ではＢａとＣａを用いた。この際Ｂ
ａＯとＣａＯの重量比を１：１とした。
Ｎａを、Ｎo.８でＫを用い、その他はＬｉを用いた。ま
た、アルカリ土類金属としては、試料Ｎo.１０でＣａ
を、Ｎo.１１でＭｇを、Ｎo.１２でＢａを、Ｎo.１３で
Ｓｒを用い、その他ではＢａとＣａを用いた。この際Ｂ
ａＯとＣａＯの重量比を１：１とした。
【００４４】実施例２ 原料として純度９９％以上の、ＭｇＴｉＯ3 粉末、Ｃａ
ＴｉＯ3 粉末、Ｂ2 Ｏ3 粉末、アルカリ金属炭酸塩粉末
（Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 ）、ＳｉＯ
2 粉末、ＭｎＯ2 粉末、さらにアルカリ土類酸化物粉末
（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）を、表２に示す割
合となるように秤量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボー
ルを用いたボールミルにて２０時間湿式混合した。次に
この混合物を乾燥（脱水）し、８００℃で１時間仮焼し
た。
ＴｉＯ3 粉末、Ｂ2 Ｏ3 粉末、アルカリ金属炭酸塩粉末
（Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 ）、ＳｉＯ
2 粉末、ＭｎＯ2 粉末、さらにアルカリ土類酸化物粉末
（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）を、表２に示す割
合となるように秤量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボー
ルを用いたボールミルにて２０時間湿式混合した。次に
この混合物を乾燥（脱水）し、８００℃で１時間仮焼し
た。
【００４５】この仮焼物を、粉砕粒径が１．０μｍ以下
になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料として直径
１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力
でプレス成形し、これを表３に示す温度で３時間焼成
し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状の試料を得た。
になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料として直径
１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力
でプレス成形し、これを表３に示す温度で３時間焼成
し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状の試料を得た。
【００４６】誘電特性の評価は、前記試料を用いて誘電
体円柱共振器法にて周波数８ＧＨｚにおける比誘電率と
Ｑ値を測定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される
Ｑｆ値を表３に記載した。さらに、−４０〜＋８５℃の
温度範囲における共振周波数の温度係数τｆ〔ｐｐｍ／
℃〕を測定した。その結果を表３に記載した。
体円柱共振器法にて周波数８ＧＨｚにおける比誘電率と
Ｑ値を測定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される
Ｑｆ値を表３に記載した。さらに、−４０〜＋８５℃の
温度範囲における共振周波数の温度係数τｆ〔ｐｐｍ／
℃〕を測定した。その結果を表３に記載した。
【００４７】
【表２】
【００４８】
【表３】
【００４９】これらの表２、３から、本発明の誘電体磁
器組成物は、比誘電率が１８〜２０、Ｑｆ値が２０００
０〔ＧＨｚ〕以上、かつ、共振周波数の温度係数τｆが
±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた誘電特性を有するととも
に、７６０〜８３０℃で焼結収縮が開始し、９２０℃以
下で焼成が可能な優れた焼結性を有していることが判
る。
器組成物は、比誘電率が１８〜２０、Ｑｆ値が２０００
０〔ＧＨｚ〕以上、かつ、共振周波数の温度係数τｆが
±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた誘電特性を有するととも
に、７６０〜８３０℃で焼結収縮が開始し、９２０℃以
下で焼成が可能な優れた焼結性を有していることが判
る。
【００５０】尚、表１のアルカリの欄において、Ｌｉ、
Ｎａ、Ｋと記載したが、これはＬｉ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 の意味であり、また、アルカリ土類の
欄において、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒと記載したが、こ
れは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの意味である。
さらに、表１の試料Ｎo.２４、２５については、Ｍｇ／
Ｔｉ、Ｃａ／Ｔｉ比がそれぞれ１．１、０．９の原料粉
末を用いた。
Ｎａ、Ｋと記載したが、これはＬｉ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 の意味であり、また、アルカリ土類の
欄において、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒと記載したが、こ
れは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの意味である。
さらに、表１の試料Ｎo.２４、２５については、Ｍｇ／
Ｔｉ、Ｃａ／Ｔｉ比がそれぞれ１．１、０．９の原料粉
末を用いた。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、焼成温度を９２０℃以
下に、収縮開始温度を８３０℃以下とすることが可能と
なるため、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成でき、
その際導体金属の収縮挙動のミスマッチから発生する基
板の反りや歪みが抑制されるとともに、高周波領域にお
いて２００００以上のＱｆ値を有するため、電子部品や
基板の小型・高性能化が実現できる。
下に、収縮開始温度を８３０℃以下とすることが可能と
なるため、ＡｇやＣｕ等の導体金属と同時に焼成でき、
その際導体金属の収縮挙動のミスマッチから発生する基
板の反りや歪みが抑制されるとともに、高周波領域にお
いて２００００以上のＱｆ値を有するため、電子部品や
基板の小型・高性能化が実現できる。
Claims (7)
- 【請求項１】低損失セラミックフィラー１００重量部
と、該低損失セラミックフィラー１００重量部に対し
て、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を
含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とからなる組成
物を焼成してなり、Ｑ値とその測定周波数との積で表さ
れるＱｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上であることを特
徴とする高周波用誘電体磁器。 - 【請求項２】粒界相形成成分は、重量比による組成式
を、 ａＢ2 Ｏ3 ・ｂＡ2 Ｏ・ｃＳｉＯ2 ・ｄＲＯ と表した時、前記ａ、ｂ、ｃおよびｄが、 ４０≦ａ≦９０ ８≦ｂ≦２０ １≦ｃ≦２０ １≦ｄ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ Ａはアルカリ金属のうち少なくとも一種 Ｒはアルカリ土類金属のうち少なくとも一種 を満足することを特徴とする請求項１記載の高周波用誘
電体磁器。 - 【請求項３】低損失セラミックフィラーは、単体でのＱ
ｆ値が３００００〔ＧＨｚ〕以上であることを特徴とす
る請求項１または２記載の高周波用誘電体磁器。 - 【請求項４】低損失セラミックフィラーは、少なくとも
ＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト型結晶粒子、もし
くはＢａＴｉ4 Ｏ9 粒子であることを特徴とする請求項
１乃至３のいずれかに記載の高周波用誘電体磁器。 - 【請求項５】モル比による組成式を、 （１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 と表した時、前記ｘが０≦ｘ≦０．２を満足する主成分
と、該主成分１００重量部に対して、ＢをＢ2 Ｏ3 換算
で３〜２０重量部、アルカリ金属をアルカリ金属炭酸塩
換算で１〜１０重量部、ＳｉをＳｉＯ2 換算で０．０１
〜５重量部、さらにアルカリ土類金属をアルカリ土類金
属酸化物換算で０．１〜５重量部含有することを特徴と
する請求項１乃至４のいずれかに記載の高周波用誘電体
磁器。 - 【請求項６】主成分１００重量部に対して、さらにＭｎ
をＭｎＯ2 換算で０．１〜３重量部含有することを特徴
とする請求項５記載の高周波用誘電体磁器。 - 【請求項７】誘電体層を複数積層してなる誘電基体の内
部および／または表面に、Ａｇおよび／またはＣｕを主
成分とする導体を有する積層体であって、前記誘電体層
が、請求項１乃至６のいずれかに記載の高周波用誘電体
磁器からなることを特徴とする積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04523398A JP3631607B2 (ja) | 1997-09-26 | 1998-02-26 | 高周波用誘電体磁器および積層体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-262400 | 1997-09-26 | ||
| JP26240097 | 1997-09-26 | ||
| JP04523398A JP3631607B2 (ja) | 1997-09-26 | 1998-02-26 | 高周波用誘電体磁器および積層体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004317998A Division JP4249690B2 (ja) | 1997-09-26 | 2004-11-01 | 高周波用誘電体磁器および積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11157931A true JPH11157931A (ja) | 1999-06-15 |
| JP3631607B2 JP3631607B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=26385207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04523398A Expired - Fee Related JP3631607B2 (ja) | 1997-09-26 | 1998-02-26 | 高周波用誘電体磁器および積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3631607B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002068828A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-08 | Kyocera Corp | 低温焼成磁器組成物 |
| JP2002193662A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Kyocera Corp | 誘電体磁器及びその製造方法 |
| CN118930228A (zh) * | 2024-10-15 | 2024-11-12 | 新化县顺达电子陶瓷有限公司 | 一种5g通信基站用高抗弯陶瓷材料及其制备方法 |
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1998
- 1998-02-26 JP JP04523398A patent/JP3631607B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3631607B2 (ja) | 2005-03-23 |
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