JPH11160352A - 半導体加速度センサの検査装置及びその検査方法 - Google Patents
半導体加速度センサの検査装置及びその検査方法Info
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- JPH11160352A JPH11160352A JP9323453A JP32345397A JPH11160352A JP H11160352 A JPH11160352 A JP H11160352A JP 9323453 A JP9323453 A JP 9323453A JP 32345397 A JP32345397 A JP 32345397A JP H11160352 A JPH11160352 A JP H11160352A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 73
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 重り部に加速度が加わらず、梁部に応力がか
からない状態での特性検査の行える半導体加速度センサ
の検査装置及びその検査方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１により外周をなす支持部１
０と重り部８と両者を接続する梁部１１とを形成し、梁
部１１には、重り部８に加わる加速度により抵抗値の変
化する歪み検出部２が形成されてなる半導体加速度セン
サの特性を検査するための検査装置において、半導体加
速度センサを乗せるウエハステージ２０の上面に、半導
体加速度センサの電極４と対向する位置に電極１５を形
成するとともに、重り部８を水平に保つための支持突起
１７を形成したプロ−ブカード１２を備え、プロ−ブカ
ード１２上に、半導体加速度センサの電極形成面を下に
して、半導体加速度センサの電極４とプロ−ブカード１
２の電極１５とが対向するようにして設置した状態で特
性の検査を行うようにした。
からない状態での特性検査の行える半導体加速度センサ
の検査装置及びその検査方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１により外周をなす支持部１
０と重り部８と両者を接続する梁部１１とを形成し、梁
部１１には、重り部８に加わる加速度により抵抗値の変
化する歪み検出部２が形成されてなる半導体加速度セン
サの特性を検査するための検査装置において、半導体加
速度センサを乗せるウエハステージ２０の上面に、半導
体加速度センサの電極４と対向する位置に電極１５を形
成するとともに、重り部８を水平に保つための支持突起
１７を形成したプロ−ブカード１２を備え、プロ−ブカ
ード１２上に、半導体加速度センサの電極形成面を下に
して、半導体加速度センサの電極４とプロ−ブカード１
２の電極１５とが対向するようにして設置した状態で特
性の検査を行うようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板により
形成された重り部に加わる加速度を、梁部に形成された
歪み検出部の抵抗値の変化として検出するようにした半
導体加速度センサの特性を検査するための検査装置及び
その検査方法に関するものである。
形成された重り部に加わる加速度を、梁部に形成された
歪み検出部の抵抗値の変化として検出するようにした半
導体加速度センサの特性を検査するための検査装置及び
その検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、加速度検出用のセンサとしては、
圧電セラミック、有機薄膜、シリコン単結晶等、様々な
材料を用いた多種多様の加速度センサが開発され、商品
化されている。これらの加速度センサは、ヒステリシ
ス、クリープ、疲労等がなく、また、構造が簡単で、電
圧感度が極めて高い、容易に増幅できる、使い勝手が優
れている等の利点があり、様々な分野で広く用いられて
いる。
圧電セラミック、有機薄膜、シリコン単結晶等、様々な
材料を用いた多種多様の加速度センサが開発され、商品
化されている。これらの加速度センサは、ヒステリシ
ス、クリープ、疲労等がなく、また、構造が簡単で、電
圧感度が極めて高い、容易に増幅できる、使い勝手が優
れている等の利点があり、様々な分野で広く用いられて
いる。
【０００３】これらの加速度センサの中でも特に、シリ
コン単結晶を用いた半導体加速度センサは、シリコン自
体の格子欠陥が極めて少ないために理想的な弾性体とな
ることと、半導体プロセス技術をそのまま転用すること
ができることから、特に、近年注目されている。
コン単結晶を用いた半導体加速度センサは、シリコン自
体の格子欠陥が極めて少ないために理想的な弾性体とな
ることと、半導体プロセス技術をそのまま転用すること
ができることから、特に、近年注目されている。
【０００４】この半導体加速度センサの製造方法の一例
を図３に示す。まず、図３（ａ）に示すように、半導体
基板１の表面側に、イオン注入や熱拡散により、歪み検
出部としてのピエゾ抵抗２により構成されたブリッジ回
路を形成し、半導体基板１の裏面側を異方性エッチング
することにより薄膜部３を形成する。次に、図３（ｂ）
に示すように、半導体基板１の表面側に電極４や配線５
等を形成した後、ＲＩＥ等により空隙部７を形成するこ
とにより重り部８が形成される。さらに、図３（ｃ）に
示すように、半導体基板１の両面側からガラス製等の台
座６、９を陽極接合等により接合する。なお、図４は、
半導体加速度センサの台座６，９等を省略した状態を示
す外観図である。
を図３に示す。まず、図３（ａ）に示すように、半導体
基板１の表面側に、イオン注入や熱拡散により、歪み検
出部としてのピエゾ抵抗２により構成されたブリッジ回
路を形成し、半導体基板１の裏面側を異方性エッチング
することにより薄膜部３を形成する。次に、図３（ｂ）
に示すように、半導体基板１の表面側に電極４や配線５
等を形成した後、ＲＩＥ等により空隙部７を形成するこ
とにより重り部８が形成される。さらに、図３（ｃ）に
示すように、半導体基板１の両面側からガラス製等の台
座６、９を陽極接合等により接合する。なお、図４は、
半導体加速度センサの台座６，９等を省略した状態を示
す外観図である。
【０００５】ここで、重り部８は、薄膜部３の残った部
分により周囲の支持部１０と接続されており、この残っ
た部分が梁部１１となる。つまり、重り部８は梁部１１
の弾性により支持部１０に支えられているのである。そ
して、梁部１１にはピエゾ抵抗２が形成されており、重
り部８に加えられた加速度は、梁部１１の歪みとなり、
ピエゾ抵抗２の抵抗値の変化として検出されるのであ
る。
分により周囲の支持部１０と接続されており、この残っ
た部分が梁部１１となる。つまり、重り部８は梁部１１
の弾性により支持部１０に支えられているのである。そ
して、梁部１１にはピエゾ抵抗２が形成されており、重
り部８に加えられた加速度は、梁部１１の歪みとなり、
ピエゾ抵抗２の抵抗値の変化として検出されるのであ
る。
【０００６】通常、半導体素子の場合、パッケージに組
み込む前にウエハの状態で特性の検査が行われる。プロ
ーブ検査装置を用い、ウエハステージにウエハを自動搬
送し、ボンディングパッドへプロービングすることによ
り、電気的特性の計測を行い、不良のチップにマーキン
グを行うのである。
み込む前にウエハの状態で特性の検査が行われる。プロ
ーブ検査装置を用い、ウエハステージにウエハを自動搬
送し、ボンディングパッドへプロービングすることによ
り、電気的特性の計測を行い、不良のチップにマーキン
グを行うのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような半導体加速度センサでは、ウエハの状態でプロー
ビングにより特性を検査する場合、半導体基板１の下面
の台座６がなく、ウエハステージの上面と同一面に水平
にウエハがセットされるので、ウエハに形成されている
半導体加速度センサの重り部８に加速度が加わり、加速
度がかかっていない状態での特性の計測ができないとい
う問題があった。
ような半導体加速度センサでは、ウエハの状態でプロー
ビングにより特性を検査する場合、半導体基板１の下面
の台座６がなく、ウエハステージの上面と同一面に水平
にウエハがセットされるので、ウエハに形成されている
半導体加速度センサの重り部８に加速度が加わり、加速
度がかかっていない状態での特性の計測ができないとい
う問題があった。
【０００８】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、重り部に加速度が加わ
らず、梁部に応力がかからない状態での特性検査の行え
る半導体加速度センサの検査装置及びその検査方法を提
供することにある。
あり、その目的とするところは、重り部に加速度が加わ
らず、梁部に応力がかからない状態での特性検査の行え
る半導体加速度センサの検査装置及びその検査方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体基板により、外周をなす支持部と重り部と両者を
接続する梁部とを形成し、前記梁部には、重り部に加わ
る加速度により抵抗値の変化する歪み検出部が形成され
てなる半導体加速度センサの特性を検査するための検査
装置であって、前記半導体加速度センサを乗せるウエハ
ステージの上面に、半導体加速度センサの電極と対向す
る位置に電極を形成するとともに、前記重り部を水平に
保つための支持突起を形成したプロ−ブカードを備えた
ことを特徴とするものである。
半導体基板により、外周をなす支持部と重り部と両者を
接続する梁部とを形成し、前記梁部には、重り部に加わ
る加速度により抵抗値の変化する歪み検出部が形成され
てなる半導体加速度センサの特性を検査するための検査
装置であって、前記半導体加速度センサを乗せるウエハ
ステージの上面に、半導体加速度センサの電極と対向す
る位置に電極を形成するとともに、前記重り部を水平に
保つための支持突起を形成したプロ−ブカードを備えた
ことを特徴とするものである。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体加速度センサの検査装置において、前記プロ−ブカ
ードの前記半導体加速度センサの周辺部と対向する位置
に貫通孔を設けたことを特徴とするものである。
導体加速度センサの検査装置において、前記プロ−ブカ
ードの前記半導体加速度センサの周辺部と対向する位置
に貫通孔を設けたことを特徴とするものである。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２記載の半導体加速度センサの特性検査装置を用い、
前記ウエハステージに備えたプロ−ブカード上に、半導
体加速度センサの電極形成面を下にして、半導体加速度
センサの電極と前記プロ−ブカードの電極とが対向する
ようにして設置し、前記貫通孔を介して減圧することに
より、プロ−ブカードに半導体加速度センサを吸着した
状態で検査を行うようにしたことを特徴とするものであ
る。
項２記載の半導体加速度センサの特性検査装置を用い、
前記ウエハステージに備えたプロ−ブカード上に、半導
体加速度センサの電極形成面を下にして、半導体加速度
センサの電極と前記プロ−ブカードの電極とが対向する
ようにして設置し、前記貫通孔を介して減圧することに
より、プロ−ブカードに半導体加速度センサを吸着した
状態で検査を行うようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係るプローブカードの模式図であり、（ａ）は
全体を示し、（ｂ）は（ａ）における中央部を拡大した
図を示す。図２は、半導体加速度センサをプローブカー
ド１２を設置したウエハステージ２０に乗せた状態の断
面を示す模式図である。本実施形態に係る半導体加速度
センサは、従来例として説明した図３、図４のものと同
等であるので、同一個所には同一符号を付して説明を省
略する。本実施形態に係る半導体加速度センサは、図
３、図４で示した半導体加速度センサにおいて、半導体
基板１の上面側の台座９を設置する前のウエハ状態のも
のを示している。
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係るプローブカードの模式図であり、（ａ）は
全体を示し、（ｂ）は（ａ）における中央部を拡大した
図を示す。図２は、半導体加速度センサをプローブカー
ド１２を設置したウエハステージ２０に乗せた状態の断
面を示す模式図である。本実施形態に係る半導体加速度
センサは、従来例として説明した図３、図４のものと同
等であるので、同一個所には同一符号を付して説明を省
略する。本実施形態に係る半導体加速度センサは、図
３、図４で示した半導体加速度センサにおいて、半導体
基板１の上面側の台座９を設置する前のウエハ状態のも
のを示している。
【００１３】本実施形態の半導体加速度センサの検査装
置に係るプローブカード１２は、図１に示すように、半
導体加速度センサウエハと同等以上の大きさのガラスエ
ポキシ板１３に銅配線１４が形成されており、銅配線１
４の一端にはガラスエポキシ板１３の中央付近に電極１
５が形成され、他端はガラスエポキシ板１３の外周部で
フレキシブルプリント配線１６に接続されている。電極
１５は金バンプによって形成されており、半導体加速度
センサをセットしたときに、半導体加速度センサの電極
４と接触する位置に配置されている。電極１５の高さは
十数μｍから百数十μｍである。また、半導体加速度セ
ンサの重り部８と対向する位置を含む所定個所には、重
り部８を水平に保持するための支持突起１７が金バンプ
によって形成されている。さらには、ガラスエポキシ板
１３の周縁部には貫通孔１８が形成されており、半導体
加速度センサを検査装置にセットする際に、貫通孔１８
を介して減圧することにより、半導体加速度センサを検
査装置のプローブカード１２に吸着固定されるようにす
るのである。なお、支持突起１７の内、貫通孔１８の上
部に対応する位置に形成されるものには、貫通孔１８に
通じる貫通孔１７ａが形成される。
置に係るプローブカード１２は、図１に示すように、半
導体加速度センサウエハと同等以上の大きさのガラスエ
ポキシ板１３に銅配線１４が形成されており、銅配線１
４の一端にはガラスエポキシ板１３の中央付近に電極１
５が形成され、他端はガラスエポキシ板１３の外周部で
フレキシブルプリント配線１６に接続されている。電極
１５は金バンプによって形成されており、半導体加速度
センサをセットしたときに、半導体加速度センサの電極
４と接触する位置に配置されている。電極１５の高さは
十数μｍから百数十μｍである。また、半導体加速度セ
ンサの重り部８と対向する位置を含む所定個所には、重
り部８を水平に保持するための支持突起１７が金バンプ
によって形成されている。さらには、ガラスエポキシ板
１３の周縁部には貫通孔１８が形成されており、半導体
加速度センサを検査装置にセットする際に、貫通孔１８
を介して減圧することにより、半導体加速度センサを検
査装置のプローブカード１２に吸着固定されるようにす
るのである。なお、支持突起１７の内、貫通孔１８の上
部に対応する位置に形成されるものには、貫通孔１８に
通じる貫通孔１７ａが形成される。
【００１４】本実施形態の半導体加速度センサの検査装
置により特性検査を行う場合、図２に示すように、ウエ
ハステージ２０上に備えたプロ−ブカード１２上に、半
導体加速度センサをその電極４形成面を下にして、半導
体加速度センサの電極４とプロ−ブカード１２のバンプ
による電極１５とが接触するようにして設置した状態に
て、ピエゾ抵抗やオフセット電圧等の電気的特性の計測
を行う。ここで、貫通孔１８を介して減圧することによ
り、プロ−ブカードに半導体加速度センサを吸着固定し
た状態で検査を行うことができる。
置により特性検査を行う場合、図２に示すように、ウエ
ハステージ２０上に備えたプロ−ブカード１２上に、半
導体加速度センサをその電極４形成面を下にして、半導
体加速度センサの電極４とプロ−ブカード１２のバンプ
による電極１５とが接触するようにして設置した状態に
て、ピエゾ抵抗やオフセット電圧等の電気的特性の計測
を行う。ここで、貫通孔１８を介して減圧することによ
り、プロ−ブカードに半導体加速度センサを吸着固定し
た状態で検査を行うことができる。
【００１５】本実施形態によれば、半導体加速度センサ
の重り部８が支持突起１７により水平に支持された状態
で特性の計測が行えるので、重り部８に加速度が加わら
ない状態、つまり、梁部１１に応力がかからない状態で
の特性検査が可能となる。また、貫通孔１８を介して減
圧することにより、プロ−ブカード１２に半導体加速度
センサを吸着した状態で検査を行うようにすれば、プロ
−ブカード１２への半導体加速度センサの固定が容易に
なる。
の重り部８が支持突起１７により水平に支持された状態
で特性の計測が行えるので、重り部８に加速度が加わら
ない状態、つまり、梁部１１に応力がかからない状態で
の特性検査が可能となる。また、貫通孔１８を介して減
圧することにより、プロ−ブカード１２に半導体加速度
センサを吸着した状態で検査を行うようにすれば、プロ
−ブカード１２への半導体加速度センサの固定が容易に
なる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、請求項１乃至請求項３記
載の発明によれば、半導体基板により、外周をなす支持
部と重り部と両者を接続する梁部とを形成し、前記梁部
には、重り部に加わる加速度により抵抗値の変化する歪
み検出部が形成されてなる半導体加速度センサの特性を
検査するための検査装置において、前記半導体加速度セ
ンサを乗せるウエハステージの上面に、半導体加速度セ
ンサの電極と対向する位置に電極を形成するとともに、
前記重り部を水平に保つための支持突起を形成したプロ
−ブカードを備え、前記ウエハステージに備えたプロ−
ブカード上に、半導体加速度センサの電極形成面を下に
して、半導体加速度センサの電極と前記プロ−ブカード
の電極とが対向するようにして設置した状態で特性の検
査を行うことにより、半導体加速度センサの重り部が支
持突起により水平に支持された状態で特性の計測が行え
るので、重り部に加速度が加わらない状態、つまり、梁
部に応力がかからない状態での特性検査が可能となる。
さらに、前記プロ−ブカードの前記半導体加速度センサ
の周辺部と対向する位置に貫通孔を設け、前記貫通孔を
介して減圧することにより、プロ−ブカードに半導体加
速度センサを吸着した状態で検査を行うようにすれば、
プロ−ブカードへの半導体加速度センサの固定が容易に
なる。
載の発明によれば、半導体基板により、外周をなす支持
部と重り部と両者を接続する梁部とを形成し、前記梁部
には、重り部に加わる加速度により抵抗値の変化する歪
み検出部が形成されてなる半導体加速度センサの特性を
検査するための検査装置において、前記半導体加速度セ
ンサを乗せるウエハステージの上面に、半導体加速度セ
ンサの電極と対向する位置に電極を形成するとともに、
前記重り部を水平に保つための支持突起を形成したプロ
−ブカードを備え、前記ウエハステージに備えたプロ−
ブカード上に、半導体加速度センサの電極形成面を下に
して、半導体加速度センサの電極と前記プロ−ブカード
の電極とが対向するようにして設置した状態で特性の検
査を行うことにより、半導体加速度センサの重り部が支
持突起により水平に支持された状態で特性の計測が行え
るので、重り部に加速度が加わらない状態、つまり、梁
部に応力がかからない状態での特性検査が可能となる。
さらに、前記プロ−ブカードの前記半導体加速度センサ
の周辺部と対向する位置に貫通孔を設け、前記貫通孔を
介して減圧することにより、プロ−ブカードに半導体加
速度センサを吸着した状態で検査を行うようにすれば、
プロ−ブカードへの半導体加速度センサの固定が容易に
なる。
【図１】本発明の一実施形態に係る検査装置のプロ−ブ
カードを示す模式図である。
カードを示す模式図である。
【図２】同上のプロ−ブカードに半導体加速度センサを
セットした状態の断面を示す模式図である。
セットした状態の断面を示す模式図である。
【図３】半導体加速度センサの製造工程を示す模式図で
ある。
ある。
【図４】半導体加速度センサの外観の概略を示す模式図
である。
である。
１ 半導体基板 ２ ピエゾ抵抗 ４ 電極 ５ 配線 ６ 台座 ７ 空隙部 ８ 重り部 ９ 台座 １０ 支持部 １１ 梁部 １２ プロ−ブカード １３ ガラスエポキシ板 １４ 銅配線 １５ 電極 １６ フレキシブルプリント基板 １７ 支持突起 １７ａ 貫通孔 １８ 貫通孔 ２０ ウエハステージ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｋ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板により、外周をなす支持部と
重り部と両者を接続する梁部とを形成し、前記梁部に
は、重り部に加わる加速度により抵抗値の変化する歪み
検出部が形成されてなる半導体加速度センサの特性を検
査するための検査装置であって、前記半導体加速度セン
サを乗せるウエハステージの上面に、半導体加速度セン
サの電極と対向する位置に電極を形成するとともに、前
記重り部を水平に保つための支持突起を形成したプロ−
ブカードを備えたことを特徴とする半導体加速度センサ
の検査装置。 - 【請求項２】 前記プロ−ブカードの前記半導体加速度
センサの周辺部と対向する位置に貫通孔を設けたことを
特徴と請求項１記載の半導体加速度センサの検査装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の半導体加速
度センサの検査装置を用い、前記ウエハステージに備え
たプロ−ブカード上に、半導体加速度センサの電極形成
面を下にして、半導体加速度センサの電極と前記プロ−
ブカードの電極とが対向するようにして設置し、前記貫
通孔を介して減圧することにより、プロ−ブカードに半
導体加速度センサを吸着した状態で検査を行うようにし
たことを特徴とする半導体加速度センサの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323453A JPH11160352A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体加速度センサの検査装置及びその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323453A JPH11160352A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体加速度センサの検査装置及びその検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160352A true JPH11160352A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18154849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9323453A Pending JPH11160352A (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 半導体加速度センサの検査装置及びその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11160352A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001252899A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-18 | Akebono Brake Ind Co Ltd | マイクロマシニングセンサエレメント及びウェッジワイヤボンディング取付け方法 |
| JP2005268758A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-09-29 | General Electric Co <Ge> | 薄く形成されたカンチレバー構造を備えた微小機械装置及び関連の方法 |
| JPWO2006106876A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-09-11 | 株式会社オクテック | 微小構造体のプローブカード、微小構造体の検査装置、検査方法およびコンピュータプログラム |
-
1997
- 1997-11-25 JP JP9323453A patent/JPH11160352A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001252899A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-18 | Akebono Brake Ind Co Ltd | マイクロマシニングセンサエレメント及びウェッジワイヤボンディング取付け方法 |
| JP2005268758A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-09-29 | General Electric Co <Ge> | 薄く形成されたカンチレバー構造を備えた微小機械装置及び関連の方法 |
| JPWO2006106876A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-09-11 | 株式会社オクテック | 微小構造体のプローブカード、微小構造体の検査装置、検査方法およびコンピュータプログラム |
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