JPH11165342A - ポリカーボネート成形品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ポリカーボネート共重合体の溶融成形時の熱
酸化劣化を抑制し、且つ成形品中の塩素化合物の量を少
くし得る方法の提供。 【解決手段】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８
０モル％が、（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
ａ）及び（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロ
ピリデン）ジフェノール及び２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパンから選ばれた少く
とも一種の芳香族ジヒドロキシ成分（成分ｂ）からなり
且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：
８０のポリカーボネート共重合体の粉粒体を押出成形す
るに当り、該粉粒体をガス供給口及び排気口を設けた貯
蔵容器に収納し、排気口から貯蔵容器内のガスを吸引除
去した後ガス供給口から該粉粒体に対して不活性なガス
を封入して不活性ガス処理した後押出機に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
成形品の製造方法に関する。更に詳しくは、溶融成形時
の熱酸化劣化を十分に抑制し、熱安定性が良好で、且つ
塩素化合物の量が極めて少い光学用材料に適したポリカ
ーボネート成形品の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８
０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
ａ）及び（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロ
ピリデン）ジフェノール（成分ｂ）からなり且つ成分ａ
と成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲
で構成されたポリカーボネート共重合体は、光学用材料
に適した優れた透明性、機械物性、成形性及び熱安定性
等を有すると共に低複屈折という特徴を有している（特
開平８−８１５４９号公報、特開平８−２９３１２８号
公報）。しかしながら、このポリカーボネート共重合体
は、溶融成形する際に酸素が混入又は共存吸着した場
合、熱酸化劣化が激しく引起されることが明らかになっ
た。従来、ビスフェノールＡ系ポリカーボネートの粉粒
体をベント付押出機によって溶融成形する際に、酸素等
熱酸化劣化を誘発する物質をベントから脱揮する方法や
不活性ガス充填法が知られている（特開昭６０−１８４
８１３号公報、特開昭６０−１８４８１４号公報、特開
平９−３１２０８号公報）。しかしながら、この方法を
上記ポリカーボネート共重合体に適用しても、熱酸化劣
化を十分に抑制、改善することはできなかった。

【０００３】一方、ポリカーボネートの製造法として最
も多用されている溶液法においては、溶媒としてハロゲ
ン系の有機溶媒、特に塩化メチレンが用いられており、
ポリカーボネートは塩化メチレンの溶液として得られ、
この溶液から塩化メチレンを分離除去する必要がある。
しかしながら、塩化メチレンはポリカーボネートとの親
和性が強いため、これの十分な分離除去は極めて困難で
ある。上記ポリカーボネート共重合体を溶融成形する際
に、塩化メチレン等のハロゲン系化合物が混入又は共存
吸着した場合、熱分解が誘発され易い。また、ポリカー
ボネートを光学ディスク基板として使用する際に、塩化
メチレン等の残存溶媒が金属膜を腐食するなど光学ディ
スクに悪影響を与えることがある。さらに、近年環境や
安全等の問題の高まりから、ポリカーボネート成形品中
の塩化メチレンの残存量の規制が厳しくなり、特に米国
規格では、ポリカーボネートボトルに保存した水中の塩
素溶出容認量は０．００５ｐｐｍ以下という極めて厳し
い規制がなされている。従来、ポリカーボネートの脱溶
媒を容易にするために、種々の方法が提案されている
（特開平１−１４９８２７号公報、特開平７−２６０２
４号公報）が、いずれも脱溶媒は不十分である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
ポリカーボネート共重合体の溶融成形時の熱酸化劣化を
十分に抑制し且つその成形品中の塩素化合物の量を極め
て少くし得る方法を提供することにある。

【０００５】本発明者は、上記課題を達成せんとして上
記ポリカーボネート共重合体の溶融成形について鋭意研
究を重ねた結果、上記ポリカーボネート共重合体の粉粒
体を溶融成形するに当り、予めこの粉粒体をガス吹込口
及び排気口を設けた貯蔵容器に収納し、排気口から貯蔵
容器内のガスを吸引除去した後ガス吹込口からこの粉粒
体に対して不活性なガスを封入して貯蔵容器内の粉粒体
に含有されている空気の少なくとも一部を不活性ガスで
置換した後押出機に供給することによって、溶融成形す
る際の熱酸化劣化を大幅に抑制し、熱安定性が良好で、
且つ塩素化合物の量が極めて少いポリカーボネート成形
品が得られることを知った。

【０００６】この知見に基づいて更に研究を重ねたとこ
ろ、貯蔵容器内において不活性ガス置換処理を施した粉
粒体を押出機に供給し、粉粒体が押出機内の非溶融ゾー
ンに存在する間に、不活性ガスを圧入し、脱揮するこ
と、上記ポリカーボネート共重合体が押出機内の溶融ゾ
ーンに存在する間に、水を注入添加し、脱揮することに
よって上記効果が更に増強されることを見出し、本発明
を完成したものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、全芳香族ジヒ
ドロキシ成分の少くとも８０モル％が、（ａ）１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン（成分ａ）及び（ｂ）４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール及
び２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンから選ばれた少くとも一種の芳香族ジヒド
ロキシ成分（成分ｂ）からなり且つ成分ａと成分ｂの割
合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲で構成された
ポリカーボネート共重合体の粉粒体を押出機によって成
形するに当り、該粉粒体をガス供給口及び排気口を設け
た貯蔵容器に収納し、排気口から貯蔵容器内のガスを吸
引除去した後ガス供給口から該粉粒体に対して不活性な
ガスを封入して不活性ガス処理をした後、後押出機に供
給することを特徴とするポリカーボネート成形品の製造
方法である。

【０００８】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
の粉粒体の貯蔵容器には、ガス供給口及び排気口が設け
られている。ガス供給口には供給ガスの圧力を調整する
ための圧力調整バルブを設けておくのが好ましく、また
排気口には吸引脱揮するための真空ポンプを設けておく
のが好ましい。貯蔵容器の形状、材質、厚さ、大きさに
ついては特に制限する必要はなく、吸引脱揮処理及びガ
ス封入処理に耐え得るものであれば特に問題はない。そ
の容積については、吸引脱揮の効率の観点から真空ポン
プの排気能力に対して５０倍程度までが好ましく、更に
好ましくは０．３〜３ｍ³である。

【０００９】貯蔵容器における吸引脱揮処理は、貯蔵容
器内の粉粒体に含有される空気や塩素化合物を除去する
ための処理であり、通常排気口に連結した真空ポンプに
よって行われる。吸引力は５０Ｔｏｒｒ以下の真空度に
するのが好ましく、１０Ｔｏｒｒ以下の真空度にするの
が特に好ましい。吸引時間は所定の真空度に通常１分以
上、好ましくは５分間程度、この状態を維持する。

【００１０】吸引脱揮処理した後に行うガス封入処理
は、ポリカーボネート共重合体の粉粒体に対して不活性
なガスを、ガス供給口から封入して貯蔵容器内を常圧あ
るいは若干の加圧状態にすることが好ましく、通常１．
１気圧程度の圧力が望ましい。この不活性ガスの封入速
度は特に制限する必要はないが、粉粒体の粒径を保持す
る観点から、少くとも０．０５〜１ｍ³／分程度が好ま
しい。この貯蔵容器における吸引脱揮処理とガス封入処
理の一連の操作は少くとも１回、好ましくは２〜５回、
より好ましくは３〜５回程度繰返す。

【００１１】また、吸引脱揮処理とガス封入処理を連続
して行なう処理方法として、該粉粒体はガス供給口、排
気口および定量連続排出が可能な装置を設けた貯蔵容器
内に移送され、ここで前記の吸引脱揮処理をロータリー
バルブを用いてシーケンス制御することにより、連続的
に処理することもできる。

【００１２】貯蔵容器における吸引脱揮処理とガス封入
処理が終了した後は、貯蔵容器内の粉粒体を押出工程に
供するまで不活性ガスの封入状態を保持するのが好まし
く、この間必要に応じて不活性ガスを供給するのが好ま
しい。封入処理に用いるガスは、ポリカーボネート共重
合体の粉粒体に対して不活性なガスであればよく、例え
ば窒素ガス、炭酸ガス、希ガス等が用いられ、特に窒素
ガスが好ましく用いられる。また、異物の混入防止の点
から目開きが０．５〜０．１μｍ程度のフィルターによ
って清浄にして用いるのが好ましい。このように、貯蔵
容器における吸引脱揮処理とガス封入処理することによ
り、ポリカーボネート共重合体の粉粒体に含有されてい
る空気や塩素化合物は不活性ガスで置換され、次に行う
押出機における溶融成形時の熱酸化劣化を十分に抑制す
ることができ且つ得られる成形品中の塩素化合物の量を
少くすることができる。

【００１３】本発明で用いる押出機としては、非溶融ゾ
ーンに少くとも一箇所のベントとこのベントの前に押出
機用注入口を設けた二軸押出機が好ましく、押出機に供
給された粉粒体に対して不活性なガスを、非溶融ゾーン
の少くとも一箇所の押出機用注入口から圧入すると共に
該注入口のうしろの最も近いベントから脱揮する。こう
することによって、押出機における溶融成形時の熱酸化
劣化を更に十分に抑制することができ且つ得られる成形
品中の塩素化合物の量を更に少くすることができる。こ
の非溶融ゾーンにおける押出機用注入口１箇所当りの不
活性ガスの圧入量は、押出機の空間容積に対して１〜１
００倍／分になる量が好ましく、またそのうしろのベン
トからの脱揮吸引力は、５０Ｔｏｒｒ以下の真空度にす
るのが好ましく、１０Ｔｏｒｒ以下の真空度にするのが
特に好ましい。この非溶融ゾーン内のベントからの脱揮
によって、含酸素ガスの流入がなく且つ粉粒体が押出機
外に放出されることが無い安定な押出運転が維持され
る。この非溶融ゾーンにおける不活性ガスの圧入とベン
トからの脱揮吸引は各一回行うことによって十分な効果
が得られる。ここで圧入する不活性ガスとしては、上述
したものと同様であり、清浄処理を施した不活性ガスが
好ましい。

【００１４】また、溶融ゾーンに少くとも一箇所のベン
トと少くとも一箇所のベントの前に特にその直前に押出
機用注入口を設けた二軸押出機を用い、供給された粉粒
体１００重量部当り０．２〜４重量部になる量の水を、
少くとも一箇所の押出機用注入口から注入添加すると共
にこの注入口のうしろの最も近いベントから５０Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度で脱揮すると、押出機における溶融成形
時の熱酸化劣化を更に十分に抑制することができ、且つ
得られる成形品中の塩素化合物の量を更に少くすること
ができるので好ましい。特に２〜３箇所の押出機用注入
口から注入添加すると共に、夫々の注入口のうしろの最
も近い夫々のベントから５０Ｔｏｒｒ以下の真空度で脱
揮するのが好ましく、また夫々の脱揮を１０Ｔｏｒｒ以
下の真空度で行うのが特に好ましい。

【００１５】特に二軸押出機を用い、上記の非溶融ゾー
ンにおける不活性ガスの圧入とベントからの脱揮吸引を
行い、更に上記の溶融ゾーンにおける２〜３箇所からの
水の注入添加とベントからの脱揮吸引を併用すること
は、押出機における溶融成形時の熱酸化劣化を更に十分
に抑制することができ且つ得られる成形品中の塩素化合
物の量を更に十分に少くすることができるので好まし
い。

【００１６】なお、ベント数をあまりに多くすると押出
機が長くなり、樹脂のヤケ等の悪影響が発生し易くなる
ので、ベント数は合計で３〜５程度が適当である。ま
た、本発明で用いるポリカーボネート共重合体の粉粒体
の貯蔵容器と押出機間の輸送ラインは、不活性ガスで充
満させているのが好ましい。

【００１７】本発明で対象とするポリカーボネートは、
構成する芳香族ジヒドロキシ成分として、成分ａとして
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサン及び成分ｂとして４，４′
−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ−ル
と２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンから選ばれた少くとも一種の芳香族ジヒド
ロキシ成分が全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８０
モル％、好ましくは少くとも９０モル％であるのが有利
であり、典型的には、成分ａ及び成分ｂによって実質的
に形成されたポリカーボネート共重合体であるのが望ま
しい。この成分ａ及び成分ｂの割合が８０モル％未満の
場合、光学用材料としては不満足な性質になり好ましく
ない。

【００１８】成分ａと成分ｂとの割合は、モル比で９
９：１〜２０：８０の範囲であり、８０：２０〜２０：
８０の範囲が好ましく、８０：２０〜３０：７０の範囲
が更に好ましい。成分ａの割合が９９モル％より多く、
成分ｂの割合が１モル％より少くなると、得られる共重
合体の溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好
な成形品が得られ難くなる。また、成分ａの割合が２０
モル％より少く、成分ｂの割合が８０モル％より多くな
ると、得られる共重合体の光弾性定数が大きくなり、ま
たガラス転移温度も低下する傾向にあるので好ましくな
い。

【００１９】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
において、成分ａ及び成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ成
分の少くとも８０モル％、好ましくは少くとも９０モル
％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分
（成分ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％
以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特に差
支えない。かかる成分ｃとしては、通常ポリカーボネー
トのジヒドロキシ成分として用いられている、成分ａ及
び成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハイドロキノ
ン、レゾルシノール、４，４′−ビフェノール、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペ
ンタン、４，４′−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノール、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン等が挙げら
れ、なかでも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン及び９，９−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）フルオレンが好ましい。

【００２０】ポリカーボネート共重合体は、その０．７
ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定
した比粘度が０．２〜０．５のものが好ましく、０．２
５〜０．４の範囲のものがより好ましい。比粘度が０．
２未満では成形品が脆くなり、０．５より高くなると溶
融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成形
品が得られ難くなる。

【００２１】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
は、ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０によって測定した吸水率
が、０．２重量％以下であることが好ましく、０．１８
量％以下であることがより好ましい。吸水率が０．２重
量％を超えると、本発明のポリカーボネート共重合体が
好適に用いられる光ディスク基板の表面上に金属膜を形
成させた光ディスクが吸水によって反りを生じ易くな
り、トラッキングエラーを起し易くなるので好ましくな
い。特に好ましい吸水率は０．１５重量％以下である。

【００２２】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
は、オリゴマー含量が１０％以下であることが好まし
く、７％以下がより好ましく、特に５％以下が好まし
い。このオリゴマー含量の値は下記方法及びカラムを用
いて測定された値である。即ち、東ソー（株）製、ＴＳ
ＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各
１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用
い、流量０．７ｍｌ／分で安定化した後、ポリカーボネ
ート共重合体のクロロホルム溶液を注入する方法で測定
したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降
のオリゴマーピーク面積の合計の全ピーク面積に対する
割合がオリゴマー含量であり、この値が１０％以下であ
ることが好ましく、７％以下であることがより好まし
い。オリゴマー含量が７％、殊に１０％を越えると、成
形時に金型表面を汚染することがあるので好ましくな
く、その汚染はオリゴマー含量が多くなる程顕著になる
傾向がある。一方、オリゴマーはポリカーボネート共重
合体の製造過程で生じるものであり、完全に零（０）に
することはできない。

【００２３】オリゴマーは、前記含量以下であればよ
く、その値を満足する限り、少割合含有していても差支
えない。０．１％以上、より好ましくは０．１５％以上
の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下の
ものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に好
ましいオリゴマー含量は０．１５〜４％の範囲である。
ポリカーボネート共重合体中のオリゴマー含量を前記範
囲に制御するには、大量のオリゴマーが共重合体中に含
まれないように重合を充分に完結することが必要であ
り、また触媒及び重合条件を適宣選択することが要求さ
れる。オリゴマー含量が前記範囲を越えている場合に
は、例えばオリゴマーを抽出等の手段により除去する処
置が採用される。この抽出はポリカーボネート共重合体
の溶液（例えば塩化メチレン溶液）を、その共重合体の
貧溶剤又は非溶剤（例えばアセトン又はメタノール）中
に滴下する方法、又は共重合体を貧溶剤又は非溶剤に浸
漬して、オリゴマーを抽出する方法等の手段によって実
施することができる。

【００２４】ポリカーボネート共重合体は光学的材料、
殊に光ディスク基板として好適に用いられるため、その
中に未溶解粒子が或る一定量以上存在しないことが好ま
しい。即ち、ポリカーボネート共重合体は、その２０ｇ
を塩化メチレン１リットルに溶解した溶液をハイアック
ロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１００
を用いたレーザーセンサー法にて、散乱光をラテックス
粒子の散乱光に換算する方法で求めた径０．５μｍ以上
の未溶解粒子が、ポリカーボネート共重合体１ｇ当り好
ましくは４０，０００個以下、より好ましくは２５，０
００個以下、さらに好ましくは１５，０００個以下、特
に好ましくは１０，０００個以下である。また、１μｍ
以上の未溶解粒子が９００個以下のものが好ましく、５
００個以下のものがより好ましい。また、１０μｍ以上
の未溶解粒子は実質的に存在しないことが好ましい。こ
れらの未溶解粒子数が少ないポリカーボネート共重合体
は、光ディスクに書込まれた情報ピットに悪影響を及ぼ
すことが少なくエラーレートが減少し好ましい。

【００２５】ポリカーボネート共重合体中における未溶
解粒子の量を前記範囲にするためには、重合過程及び造
粒過程において、未溶解粒子が混入しないか又は除去し
得る手段を採用すべきである。そのような手段として
は、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未溶解粒
子の除去装置の付いた造粒装置を用いること（例えば軸
受け部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダー
等）又は摺動部分に樹脂粒子が触れない構造の装置（例
えばスプレードライヤー形式の造粒機）で造粒すること
等がある。また、未溶解粒子を除去する他の手段とし
て、樹脂の溶液を目開きの小さいフィルター（０．５〜
１μｍ）により濾過する方法又は樹脂を溶融した後、金
属フィルター（１０〜４０μｍ）により固体粒子を除去
する方法等が採用される。

【００２６】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
は、通常のポリカーボネートを製造するそれ自体公知の
反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホスゲンや
炭酸ジエステル等のカーボネート前駆物質を反応させる
方法により製造される。次にこれらの製造方法について
基本的な手段を簡単に説明する。カーボネート前駆物質
として例えばホスゲンを用いる反応では、通常酸結合剤
及び溶媒の存在下に反応を行う。酸結合剤としては例え
ば水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属
水酸化物又はピリジン等のアミン化合物が用いられる。
溶媒としては例えば塩化メチレンやクロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のた
めに例えば第三級アミンや第四級アンモニウム塩等の触
媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜
４０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。

【００２７】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所
定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加
熱しながら撹拌して、生成するアルコール又はフェノー
ル類を留出させる方法により行われる。反応温度は生成
するアルコール又はフェノール類の沸点等により異なる
が、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応はその初
期から減圧にして生成するアルコール又はフェノール類
を留出させながら反応を完結させる。また、反応を促進
するために通常エステル交換反応に用いられる触媒を用
いることもできる。前記エステル交換反応に用いられる
炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカーボネー
ト、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カー
ボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネー
ト、ジブチルカーボネート等が挙げられる。これらのう
ち特にジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２８】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
は、前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、成
分ａと成分ｂ、必要であれば成分ｃの混合物を用い、そ
れ自体公知のポリカーボネート形成の反応に従って製造
することができる。その重合反応において、末端停止剤
として通常用いられる単官能フェノール類を用いること
ができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを
用いる反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤と
して分子量調節のために一般的に用いられ、また得られ
るポリカーボネート共重合体は、末端が単官能フェノー
ル類に基づく基によって封鎖されているので、そうでな
いものと比べて熱安定性に優れている。かかる単官能フ
ェノール類としては、ポリカーボネートの末端停止剤と
して用いられるものであればよく、一般にはフェノール
又は低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式
で表される単官能フェノール類を示すことができる。

【００２９】

【化１】

【００３０】［式中、Ａは水素原子又は炭素数１〜９、
好ましくは１〜８の脂肪族炭化水素基であり、ｒは１〜
５、好ましくは１〜３の整数である。］

【００３１】前記単官能フェノール類の具体例として
は、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｐ−クミルフェノール及びイソオクチルフェノール
が挙げられる。

【００３２】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基又は脂肪族ポリエステル基を置換基と
して有するフェノール類又は安息香酸クロライド類、又
は長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を用いること
ができ、これらを用いてポリカーボネート共重合体の末
端を封鎖すると、これらは末端停止剤又は分子量調節剤
として機能するのみならず、樹脂の溶融流動性が改良さ
れ、成形加工が容易になるばかりでなく、基板としての
物性も改良される。特に樹脂の吸水率を低くする効果が
あり、また、基板の複屈折が低減される効果もあり好ま
しく用いられる。これらは下記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ
−ｈ］で表される。

【００３３】

【化２】

【００３４】

【化３】

【００３５】

【化４】

【００３６】

【化５】

【００３７】

【化６】

【００３８】

【化７】

【００３９】

【化８】

【００４０】

【化９】

【００４１】［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−
Ｏ−又は−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−であり、ここでＲは単結合又
は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭
化水素基であり、Ｔは単結合又は上記Ｘと同様の結合で
あり、ｎは１０〜５０の整数である。Ｑはハロゲン原子
又は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族
炭化水素基であり、ｐは０〜４の整数てあり、Ｙは炭素
数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素
基であり、Ｗ¹は水素原子、−ＣＯ−Ｒ¹³、−ＣＯ−Ｏ
−Ｒ¹⁴又はＲ¹⁵であり、ここでＲ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は夫
々炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭
化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂
環族炭化水素基又は炭素数６〜１５、好ましくは６〜１
２の一価の芳香族炭化水素基を示す。ａは４〜２０、好
ましくは５〜１０の整数であり、ｍは１〜１００、好ま
しくは３〜６０、特に好ましくは４〜５０の整数であ
り、Ｚは単結合又は炭素数１〜１０、好ましくは１〜５
の二価の脂肪族炭化水素基であり、Ｗ²は水素原子、炭
素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水
素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂環族
炭化水素基又は炭素数６〜１５、好ましくは６〜１２の
一価の芳香族炭化水素基である。］

【００４２】これらのうち好ましいのは［Ｉ−ａ］及び
［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類である。この［Ｉ−ａ］
の置換フェノール類としては、ｎが１０〜３０、特に１
０〜２６のものが好ましく、その具体例としては例えば
デシルフェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフ
ェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェ
ノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノール及
びトリアコンチルフェノール等を挙げることができる。
また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類としてはＸが−Ｒ
−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合物が適当で
あり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好適で
あって、その具体例としては例えばヒドロキシ安息香酸
デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息
香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、
ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ド
コシル及びヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げら
れる。前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置
換フェノール類又は置換安息香酸クロライドにおいて置
換基の位置は、ｐ位又はｏ位が一般的に好ましく、その
両者の混合物が好ましい。前記単官能フェノール類は、
得られるポリカーボネート共重合体の全末端に対して少
くとも５モル％、好ましくは少くとも１０モル％末端に
導入されることが望ましく、また単官能フェノール類は
単独で又は２種以上混合して用いてもよい。

【００４３】また、本発明で用いるポリカーボネート共
重合体において、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンが、全芳
香族ヒドロキシ成分の８０モル％以上である場合は、樹
脂の流動性が低下することがあり、そのため前記一般式
［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置換フェノール類又
は置換安息香酸クロライド類を末端停止剤として用いる
ことが好ましい。

【００４４】ポリカーボネート共重合体としては、その
光弾性定数の値が６０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下、好
ましくは５０×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ以下のものが有利
に用いられる。光弾性定数の値が前記値よりも大きい場
合光学用材料、殊に光ディスクとして適さなくなる。

【００４５】ポリカーボネート共重合体は、そのガラス
転移点が１２０℃以上が好ましく、１３０℃以上がより
好ましく、１４５℃以上が更に好ましい。ガラス転移点
が低くなると光学用材料、殊にディスク基板としての耐
熱性が不足する。

【００４６】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを用い、また
溶媒として塩化メチレン等の塩素系溶媒を用いた場合、
塩素化合物が少からず残存している。この塩素化合物の
含有量が多いと成形金型が腐食したり、ポリカーボネー
ト共重合体の熱安定性が低下したり、また光ディスク基
板として用いた場合、その金属膜の腐食が起こったりす
るので好ましくない。従って、塩素化合物の含量は１０
ｐｐｍ以下、好ましくは７ｐｐｍ以下、特に好ましくは
５ｐｐｍ以下であるのが推奨される。ここでいう塩素化
合物の含量とは、ポリカーボネート共重合体を三菱化学
（株）製全有機ハロゲン分析装置ＴＯＸ１０型を用いて
燃焼法により測定された値を意味するものとする。

【００４７】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
にはリン化合物を配合して、ポリカーボネート共重合体
の熱安定性を向上し、成形時における分子量の低下や色
相の悪化を防止することができる。かかるリン化合物と
しては亜リン酸、リン酸、亜ホスホン酸、ホスホン酸及
びこれらのエステルよりなる群から選択される少くとも
１種のリン化合物であり、好ましくは下記一般式［１］
〜［４］

【００４８】

【化１０】

【００４９】

【化１１】

【００５０】

【化１２】

【００５１】

【化１３】

【００５２】よりなる群から選択される少くとも１種の
リン化合物である。ここで、Ｒ¹〜Ｒ¹²は夫々独立して
水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシ
ル、ヘキサデシル、オクタデシル等の炭素数１〜２０の
アルキル基、フェニル、トリル、ナフチル等の炭素数６
〜１５のアリール基又はベンジル、フェネチル等の炭素
数７〜１８のアラルキル基を表している。また、１つの
化合物中に２つのアルキル基が存在する場合は、その２
つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよ
い。

【００５３】上記［１］式で示されるリン化合物として
は、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオク
チルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフ
ェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイ
ト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチル
ジフェニルホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビ
ス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペ
ンタエリスリトールジホスファイト等が挙げられ、上記
［２］式で示されるリン化合物としては、例えばトリブ
チルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェ
ニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニ
ルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェ
ート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフ
ェート等が挙げられ、上記［３］式で示されるリン化合
物としてはテトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイト等が挙
げられ、また上記［４］式で示される化合物としては、
例えばベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン
酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピル等が挙げら
れる。

【００５４】なかでもトリスノニルフェニルホスファイ
ト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
ホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホ
スファイト、トリメチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、ベンゼンホスホン酸ジメチルが好ましく用い
られる。かかるリン化合物の配合量は、ポリカーボネー
ト共重合体に対して０．０００１〜０．０５重量％が好
ましく、０．０００５〜０．０２重量％がより好まし
く、０．００１〜０．０１重量％が特に好ましい。配合
量がかかる範囲内であるとより熱安定性に優れたポリカ
ーボネート共重合体が得られる。

【００５５】また、本発明で用いるポリカーボネート共
重合体には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤
を配合することができる。その例としてはフェノール系
酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエ
チレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル
−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロピオネート］、ペンタエリスリトール−テトラキス
［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，
４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレ
ンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチ
ルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３，９−
ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピ
オニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テトラオ
キサスピロ（５，５）ウンデカン等が挙げられる。これ
ら酸化防止剤の好ましい配合量はポリカーボネート共重
合体に対して０．０００１〜０．０５重量％である。

【００５６】更に、本発明で用いるポリカーボネート共
重合体には、必要に応じて一価又は多価アルコールの高
級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価又は
多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合することに
より、ポリカーボネート共重合体の成形時の金型からの
離型性が改良され、ディスク基板の成形においては、離
型荷重が少く、離型不良によるディスク基板の変形、ピ
ットずれを防止できる。また、ポリカーボネート共重合
体の溶融流動性が改善される利点もある。かかる高級脂
肪酸エステルとしては、炭素原子数１〜２０の一価又は
多価アルコールと炭素原子数１０〜３０の飽和脂肪酸と
の部分エステル又は全エステルであるのが好ましい。

【００５７】また、かかる一価又は多価アルコールと飽
和脂肪酸との部分エステル又は全エステルとしてはステ
アリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテー
ト、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトール
モノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステア
レート、プロピレングリコールモノステアレート、ステ
アリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチル
ステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパルミ
テート、２−エチルヘキシルステアレート等が挙げら
れ、なかでもステアリン酸モノグリセリド、ペンタエリ
スリトールテトラステアレートが好ましく用いられる。
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量
は、ポリカーボネート共重合体に対して０．０１〜２重
量％であり、０．０１５〜０．５重量％が好ましく、
０．０２〜０．２重量％がより好ましい。配合量がかか
る範囲内であるとポリカーボネート共重合体の成形時の
金型からの離型性が改良され、また、金型表面の汚れも
なく好ましい。

【００５８】本発明で用いるポリカーボネート共重合体
には、更に光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添
加剤を透明性を損なわない範囲で加えることができる。
また、他のポリカーボネート、熱可塑性樹脂を本発明の
目的を損なわない範囲で少割合添加することもできる。

【００５９】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明する。な
お、実施例中の部及び％は重量部及び重量％であり、評
価は下記の方法によった。

【００６０】（１）比粘度：ポリマー０．７ｇを１００
ｍｌの塩化メチレンに溶解し２０℃で測定した。

【００６１】（２）塩化メチレン未溶解粒子：ポリカー
ボネート２０ｇを塩化メチレン１リットルに溶解した溶
液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンター
モデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて散乱光
をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。

【００６２】（３）全光線透過率：ＡＳＴＭ Ｄ−１０
０３に従って日本電色シグマ８０を用いて測定した。

【００６３】（４）熱安定性（色相及び比粘度の変
化）：試料のペレットを１２０℃で５時間乾燥した後、
射出成形機［住友重機（株）製ＳＧ−１５０］を用い、
シリンダー温度３４０℃で１０分間滞留させたものとさ
せないものの試験片（縦７０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚み２
ｍｍ）を夫々作成し、その比粘度の変化（△η_SP）及び
色相の変化（△Ｅ）を測定した。色相の変化はＪＩＳ
Ｚ−８７３０に従って日本電色（株）モデルＺ−１００
１ＤＰを用いて夫々のＬ、ａ、ｂ値を測定して次式によ
り算出した。

【００６４】

【数１】

【００６５】（５）塩素化合物の含有量：三菱化学
（株）製の塩素イオン分析装置ＴＳＸ１０型を用いて燃
焼法により測定した。

【００６６】［実施例１］ （Ａ）温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオ
ン交換水９２９．２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液
６１．３部を仕込み、これに１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン（以下“ビスフェノールＴＭＣ”と略称することがあ
る）３９部、４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピ
リデン）ジフェノール（以下“ビスフェノールＭ”と略
称することがある）４３．６部及びハイドロサルファイ
ト０．１７部を溶解した後、塩化メチレン６３７．９部
を加え、撹拌下１５〜２０℃でホスゲン３２．４部を４
０分を要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール１．５１部及び４８％水酸化ナ
トリウム水溶液１５．６部を加え、攪拌して乳化させた
後トリエチルアミン０．０９部を加え、２８〜３３℃で
１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液
を多孔板付遠心抽出機［（株）日立製作所製ウルトレッ
クスＥＰ−０２］にてイオン交換水流量１，０００ｍｌ
／分、反応生成物溶液流量１，５００ｍｌ／分、３，５
００ｒｐｍの条件で遠心分離した後、塩化メチレン相を
塩酸酸性にし、更に同様の条件で遠心分離操作を繰返
し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったと
ころで、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニ
ーダーにより塩化メチレンを蒸発してビスフェノールＴ
ＭＣとビスフェノールＭの割合がモル比で５０：５０、
比粘度が０．２８３である粉粒状の無色のポリマー７
５．７部（収率９７％）を得た。

【００６７】（Ｂ）この粉粒状のポリマーを１２０℃で
５時間乾燥した後、貯蔵容器に移送し、真空排気装置に
より６．６Ｔｏｒｒの真空度を維持しながら３０分間吸
引脱揮処理した後、目開き０．２μｍのフィルターによ
って清浄にした圧力２ｋｇｆ／ｃｍ²の窒素ガスを圧入
充填して常圧に戻し、続いて窒素ガスを少量圧入充填し
ながら１０分間常圧に保持した。更に、この吸引脱揮処
理と窒素ガス圧入充填処理を夫々交互に４回実施した。
次いで、かかる粉粒体を４ベント式の４６ｍｍφ二軸押
出機（原料供給口に最も近接しているベントをベント
Ａ、以下順次押出口に向かってベントＢ〜Ｄとし、各ベ
ント直前の押出機用注入口を夫々押出機用注入口Ａ〜Ｄ
とする。ベントＡ及び押出機用注入口Ａは非溶融ゾーン
にあり、残りのベントＢ〜Ｄ及び押出機用注入口Ｂ〜Ｄ
はいずれも溶融ゾーンにある）に４０ｋｇ／時の速度で
供給した。押出機用注入口Ａから表１記載の量（リット
ル／時）の目開き０．２μｍのフィルターによって清浄
にした窒素ガスを圧入し、次に、押出機用注入口Ａの後
に付設した非溶融ゾーンにある添加剤注入口よりポリマ
ーに対してトリス（ノニルフェニル）ホスファイトを
０．００３％、トリメチルホスフェートを０．００５％
及びステアリン酸モノグリセリドを０．０４５％となる
量加えた。続いて、押出機用注入口Ｂ〜Ｄから表１記載
の量（部／ポリマー１００部）のイオン交換水を注入
し、且つベントＡ〜Ｄから表１記載の真空度（Ｔｏｒ
ｒ）で減圧に引きながら押出してペレット化した。得ら
れたペレットの評価結果を表２に示した。

【００６８】［実施例２〜６］実施例１（Ｂ）におい
て、吸引脱揮処理と窒素ガス圧入処理の実施回数および
その際の真空度、注入口Ａからの窒素ガスの圧入、注入
口Ｂ〜Ｄから注入するイオン交換水量、ベントＡ〜Ｄの
真空度を表１記載のように代える以外は実施例１と同様
に行ない、ペレットを得た。得られたペレットの評価結
果を表２に示した。

【００６９】［比較例１］実施例１（Ｂ）における貯蔵
容器内での吸引脱揮処理と窒素ガス圧入処理を施さず、
また多段ベント付二軸押出機における窒素ガス圧入、水
注入添加も行わないで、ベントＡ〜Ｄから表１記載の真
空度（Ｔｏｒｒ）で減圧に引きながら押出してペレット
化した。得られたペレットの評価結果を表２に示した。

【００７０】［比較例２］実施例１（Ｂ）における貯蔵
容器内での吸引脱揮処理と窒素ガス圧入処理を施さず、
また多段ベント付二軸押出機における窒素ガス圧入も行
わないで、押出機用注入口Ｂ〜Ｄから表１記載の量のイ
オン交換水注入添加すると同時にベントＡ〜Ｄから表１
記載の真空度での減圧に引きながら押出してペレット化
した。得られたペレットの評価結果を表２に示した。

【００７１】［実施例７］ （Ａ）温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオ
ン交換水９６５．１部、４８％水酸化ナトリウム水溶液
６３．６部を仕込み、これに１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン（ビスフェノールＴＭＣ）２４．３部、２，２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下“ビスフェノールＣ”と略称することがある）４６．
９部及びハイドロサルファイト０．１８部を溶解した
後、塩化メチレン６６２．５部を加え、撹拌下１５〜２
５℃でホスゲン３２．４部を４０分を要して吹込んだ。
ホスゲン吹込み終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール
２部及び４８％水酸化ナトリウム水溶液１６．２部を加
え、攪拌して乳化させた後トリエチルアミン０．０９部
を加え、２８〜３３℃で１時間撹拌して反応を終了し
た。反応終了後生成物溶液を塩化メチレンで希釈して水
洗した後塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン
交換水と殆ど同じになったところで塩化メチレンを蒸発
してビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの割合が
モル比で３０：７０、比粘度が０．２９５である粉粒状
の無色のポリマー７５．７部（収率９７％）を得た。こ
の粉粒状のポリマーを用いて実施例１（Ｂ）と同様にし
てペレット化した。得られたペレットの評価結果を表２
に示した。

【００７２】

【表１】

【００７３】

【表２】

【００７４】

【発明の効果】本発明によれば優れた透明性、機械物
性、成形性及び熱安定性等を有すると共に低複屈折とい
う特徴を有している全芳香族ジヒドロキシ成分の少くと
も８０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成
分ａ）及び（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプ
ロピリデン）ジフェノール（成分ｂ）からなり且つ成分
ａと成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範
囲で構成されたポリカーボネート共重合体の溶融成形時
の熱酸化劣化を十分に抑制し且つその成形品中の塩素化
合物の量を極めて少くすることを可能にしたものであ
り、光学ディスク基板として好適に用いられ、その奏す
る工業的効果は格別なものである。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 全芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも８
   ０モル％が、（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
   ニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
   ａ）及び（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロ
   ピリデン）ジフェノール及び２，２−ビス（３−メチル
   −４−ヒドロキシフェニル）プロパンから選ばれた少く
   とも一種の芳香族ジヒドロキシ成分（成分ｂ）からなり
   且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：
   ８０の範囲で構成されたポリカーボネート共重合体の粉
   粒体を押出機によって成形するに当り、該粉粒体をガス
   供給口及び排気口を設けた貯蔵容器に収納し、排気口か
   ら貯蔵容器内のガスを吸引除去した後ガス供給口から該
   粉粒体に対して不活性なガスを封入して不活性ガス処理
   をした後、押出機に供給することを特徴とするポリカー
   ボネート成形品の製造方法。
2. 【請求項２】 貯蔵容器内のガスを除去する吸引力が、
   ５０Ｔｏｒｒ以下の真空度である請求項１記載のポリカ
   ーボネート成形品の製造方法。
3. 【請求項３】 貯蔵容器に封入する不活性ガスの量が、
   貯蔵容器内の圧力を少くとも常圧に保持する量である請
   求項１又は２記載のポリカーボネート成形品の製造方
   法。
4. 【請求項４】 貯蔵容器におけるガスの吸引除去及び不
   活性ガスの封入を交互に夫々少くとも２回繰返す請求項
   １〜３のいずれか１項記載のポリカーボネート成形品の
   製造方法。
5. 【請求項５】 押出機として非溶融ゾーンに少くとも一
   箇所のベントと該ベントの前に押出機用注入口を設けた
   押出機を用い、供給された粉粒体に対して不活性なガス
   を、非溶融ゾーンの少くとも一箇所の押出機用注入口か
   ら圧入すると共に該注入口のうしろの最も近いベントか
   ら脱揮する請求項１〜４のいずれか１項記載のポリカー
   ボネート成形品の製造方法。
6. 【請求項６】 押出機が、二軸押出機である請求項５記
   載のポリカーボネート成形品の製造方法。
7. 【請求項７】 押出機の非溶融ゾーンにおける押出機用
   注入口１箇所当りの不活性ガスの圧入量が、押出機の空
   間容積に対して１〜１００倍／分である請求項５又は６
   記載のポリカーボネート成形品の製造方法。
8. 【請求項８】 押出機の非溶融ゾーンにおけるベントか
   らの脱揮吸引力が、５０Ｔｏｒｒ以下の真空度である請
   求項５〜７のいずれか１項記載のポリカーボネート成形
   品の製造方法。
9. 【請求項９】 押出機として溶融ゾーンに少くとも一箇
   所のベントと少くとも一箇所のベントの前に押出機用注
   入口を設けた押出機を用い、供給された粉粒体１００重
   量部当り０．２〜４重量部になる量の水を少くとも一箇
   所の押出機用注入口から注入添加すると共に該注入口の
   うしろの最も近いベントから５０Ｔｏｒｒ以下の真空度
   で脱揮する請求項１〜８のいずれか１項記載のポリカー
   ボネート成形品の製造方法。
10. 【請求項１０】 押出機として溶融ゾーンに少くとも二
    箇所のベントと少くとも二箇所のベントの前に押出機用
    注入口を設けた押出機を用い、供給された粉粒体１００
    重量部当り０．２〜４重量部になる量の水を少くとも二
    箇所の押出機用注入口の夫々から注入添加すると共に夫
    々の注入口のうしろの最も近いベントから５０Ｔｏｒｒ
    以下の真空度で脱揮する請求項１〜８のいずれか１項記
    載のポリカーボネート成形品の製造方法。
11. 【請求項１１】 ポリカボネート共重合体の分子量が、
    その０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液
    の２０℃において測定された比粘度で０．２〜０．５の
    範囲である請求項１〜１０のいずれか１項記載のポリカ
    ーボネート成形品の製造方法。
12. 【請求項１２】 ポリカボネート共重合体の塩化メチレ
    ン溶液中で測定された未溶解粒子が、ポリカーボネート
    共重合体１ｇ当り、粒子換算直径０．５μｍ以上のもの
    が４００００個以下である請求項１〜１１のいずれか１
    項記載のポリカーボネート成形品の製造方法。