JPH11166935A - 光検出または照射用の光プローブと該プローブを備えた近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製造に用いる基板 - Google Patents
光検出または照射用の光プローブと該プローブを備えた近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製造に用いる基板Info
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- JPH11166935A JPH11166935A JP10272600A JP27260098A JPH11166935A JP H11166935 A JPH11166935 A JP H11166935A JP 10272600 A JP10272600 A JP 10272600A JP 27260098 A JP27260098 A JP 27260098A JP H11166935 A JPH11166935 A JP H11166935A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高密度に複数の光プローブを形成することが可
能であり、複数の光プローブを容易に試料に近づけるこ
とができ、光検出手段または発光手段との接続の容易な
近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製
造に用いる基板を提供する。 【解決手段】光プローブは、基板１と、該基板に形成さ
れた複数の光導波路用のスルーホール３からなる光検出
または照射用の光プローブであって、前記複数のスルー
ホールが前記基板の裏面に形成された凹部２内に設けら
れ、該スルーホールの基板裏面の開口径を基板表面の開
口径に比して大きくしたこと、また、光プローブの製造
方法は、基板１の裏面に凹部を形成する工程と、前記凹
部にエッチングによりスルーホール３を形成する工程
と、前記スルーホールの壁面に光透過防止膜５を形成す
る工程とを少なくとも有することを特徴とする。
能であり、複数の光プローブを容易に試料に近づけるこ
とができ、光検出手段または発光手段との接続の容易な
近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製
造に用いる基板を提供する。 【解決手段】光プローブは、基板１と、該基板に形成さ
れた複数の光導波路用のスルーホール３からなる光検出
または照射用の光プローブであって、前記複数のスルー
ホールが前記基板の裏面に形成された凹部２内に設けら
れ、該スルーホールの基板裏面の開口径を基板表面の開
口径に比して大きくしたこと、また、光プローブの製造
方法は、基板１の裏面に凹部を形成する工程と、前記凹
部にエッチングによりスルーホール３を形成する工程
と、前記スルーホールの壁面に光透過防止膜５を形成す
る工程とを少なくとも有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、近視野光学顕微鏡
に用いられるエバネッセント光検出または照射用の光プ
ローブ及びその製造方法とその製造に用いる基板に関す
るものである。
に用いられるエバネッセント光検出または照射用の光プ
ローブ及びその製造方法とその製造に用いる基板に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、導体の表面原子の電子構造を直接
観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下、「ＳＴＭ」と
いう）が開発されて（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，４９，５７（１９８
３））単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能で
測定ができるようになって以来、走査型プローブ顕微鏡
（以下、「ＳＰＭ」という）が材料の微細構造評価の分
野でさかんに研究されるようになってきた。ＳＰＭとし
ては、微小探針を有するプローブを評価する試料に近接
させることにより得られるトンネル電流、原子間力、磁
気力、光等を用いて表面の構造を検出する走査型トンネ
ル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、磁気
力顕微鏡（ＭＦＭ）等がある。また、ＳＴＭを発展させ
たものとして、尖鋭なプローブ先端の微小開口からしみ
出すエバネッセント光を試料表面から光プローブで検出
して試料表面を調べる走査型近接場光顕微鏡（以下ＳＮ
ＯＭと略す）［Ｄｕｒｉｇ他，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．５９，３３１８（１９８６）］が開発された。さら
に、試料裏面からプリズムを介して全反射の条件で光を
入射させ、試料表面へしみ出すエバネッセント光を試料
表面から光プローブで検出して試料表面を調べるＳＮＯ
Ｍの一種であるフォトンＳＴＭ（以下ＰＳＴＭと略す）
［Ｒｅｄｄｉｃｋ他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３９，７６
７（１９８９）］も開発された。
観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下、「ＳＴＭ」と
いう）が開発されて（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，４９，５７（１９８
３））単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能で
測定ができるようになって以来、走査型プローブ顕微鏡
（以下、「ＳＰＭ」という）が材料の微細構造評価の分
野でさかんに研究されるようになってきた。ＳＰＭとし
ては、微小探針を有するプローブを評価する試料に近接
させることにより得られるトンネル電流、原子間力、磁
気力、光等を用いて表面の構造を検出する走査型トンネ
ル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、磁気
力顕微鏡（ＭＦＭ）等がある。また、ＳＴＭを発展させ
たものとして、尖鋭なプローブ先端の微小開口からしみ
出すエバネッセント光を試料表面から光プローブで検出
して試料表面を調べる走査型近接場光顕微鏡（以下ＳＮ
ＯＭと略す）［Ｄｕｒｉｇ他，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．５９，３３１８（１９８６）］が開発された。さら
に、試料裏面からプリズムを介して全反射の条件で光を
入射させ、試料表面へしみ出すエバネッセント光を試料
表面から光プローブで検出して試料表面を調べるＳＮＯ
Ｍの一種であるフォトンＳＴＭ（以下ＰＳＴＭと略す）
［Ｒｅｄｄｉｃｋ他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３９，７６
７（１９８９）］も開発された。
【０００３】これらＳＮＯＭやＰＳＴＭは、従来の光学
顕微鏡では不可能とされたλ／２以下の位置分解能を、
微小なピンホールから放射されるエバネッセント光を利
用して、試料表面の微細パターン形状等を高い分解能で
非破壊にて計測するものである。また、ＳＮＯＭでは、
生体や細胞等の従来観察が困難であった材料を試料とし
て用いることが可能であり、観察可能な対象が多く、そ
の応用範囲も広い。上記ＳＮＯＭの分解能は光プローブ
の先端径により決定されるため、これまで様々な光プロ
ーブの作製方法が工夫されてきた。例えば、ＰＳＴＭで
は光プローブの先端に微小開口を設けず、光プローブと
して用いる光ファイバー端面の化学エッチング条件を最
適化することにより先端を尖鋭化し、分解能を向上させ
てきた。また、初期のＳＮＯＭにおいては、透明結晶の
劈開面の交点を金属でコーティングし、これを固い面に
押しつけ交点部分の金属を除去して交点を露出させ微小
開口を作製した（欧州特許ＥＰ０１１２４０２号）。そ
の後、微小開口をリソグラフィーの手法を用いて作製す
る方法も用いられている。また、微小開口と光導波路を
一体構成して光プローブを作製する方法も提案されてい
る（米国特許ＵＳ５３５４９８５号）。
顕微鏡では不可能とされたλ／２以下の位置分解能を、
微小なピンホールから放射されるエバネッセント光を利
用して、試料表面の微細パターン形状等を高い分解能で
非破壊にて計測するものである。また、ＳＮＯＭでは、
生体や細胞等の従来観察が困難であった材料を試料とし
て用いることが可能であり、観察可能な対象が多く、そ
の応用範囲も広い。上記ＳＮＯＭの分解能は光プローブ
の先端径により決定されるため、これまで様々な光プロ
ーブの作製方法が工夫されてきた。例えば、ＰＳＴＭで
は光プローブの先端に微小開口を設けず、光プローブと
して用いる光ファイバー端面の化学エッチング条件を最
適化することにより先端を尖鋭化し、分解能を向上させ
てきた。また、初期のＳＮＯＭにおいては、透明結晶の
劈開面の交点を金属でコーティングし、これを固い面に
押しつけ交点部分の金属を除去して交点を露出させ微小
開口を作製した（欧州特許ＥＰ０１１２４０２号）。そ
の後、微小開口をリソグラフィーの手法を用いて作製す
る方法も用いられている。また、微小開口と光導波路を
一体構成して光プローブを作製する方法も提案されてい
る（米国特許ＵＳ５３５４９８５号）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のうち、ＰＳＴＭの場合のように光プローブに微小
開口を用いない場合、試料表面の凹凸による散乱光等エ
バネッセント光以外の迷光を検出してしまい、分解能が
低下してしまうことがあった。また、光ファイバーをエ
ッチングする方法では、光プローブを集積化・小型化し
て作製することが難しかった。さらに、ＰＳＴＭの検出
速度を向上するための光プローブのアレイ化が困難であ
った。光ファイバーを用いた場合には、ＳＮＯＭやＰＳ
ＴＭでは、光ファイバーと発光素子または受光素子との
光軸合わせが必要であり、アレイ化はさらに困難とな
る。また、試料表面に複数のファイバーを近づけるため
の複数の駆動手段が必要となり、高密度に光プローブを
配置することが困難であった。
来例のうち、ＰＳＴＭの場合のように光プローブに微小
開口を用いない場合、試料表面の凹凸による散乱光等エ
バネッセント光以外の迷光を検出してしまい、分解能が
低下してしまうことがあった。また、光ファイバーをエ
ッチングする方法では、光プローブを集積化・小型化し
て作製することが難しかった。さらに、ＰＳＴＭの検出
速度を向上するための光プローブのアレイ化が困難であ
った。光ファイバーを用いた場合には、ＳＮＯＭやＰＳ
ＴＭでは、光ファイバーと発光素子または受光素子との
光軸合わせが必要であり、アレイ化はさらに困難とな
る。また、試料表面に複数のファイバーを近づけるため
の複数の駆動手段が必要となり、高密度に光プローブを
配置することが困難であった。
【０００５】また、フォトリソグラフィーを用いた微小
開口形成方法においては、基板表面をフォトリソグラフ
ィとエッチングにより加工し形成するために、加工装置
の精度の限界から、１００ｎｍ程度の直径の開口が限界
で、１０ｎｍ程度の直径の微小開口を作製することが難
しかった。したがって、ＳＮＯＭ装置としての分解能に
限界を生じた。また、工程も複雑になってしまい、時間
も要しコスト的にも高価になるという問題点があった。
ＥＢ加工装置や、ＦＩＢ加工装置を用いれば、１００ｎ
ｍ以下の開口形成も原理的には可能であるが、位置合わ
せ制御も複雑で、ばらつきが生じ易く、かつ、一点一点
の加工法であるため、歩留まりが良くなく、スループッ
トも低いという問題があった。
開口形成方法においては、基板表面をフォトリソグラフ
ィとエッチングにより加工し形成するために、加工装置
の精度の限界から、１００ｎｍ程度の直径の開口が限界
で、１０ｎｍ程度の直径の微小開口を作製することが難
しかった。したがって、ＳＮＯＭ装置としての分解能に
限界を生じた。また、工程も複雑になってしまい、時間
も要しコスト的にも高価になるという問題点があった。
ＥＢ加工装置や、ＦＩＢ加工装置を用いれば、１００ｎ
ｍ以下の開口形成も原理的には可能であるが、位置合わ
せ制御も複雑で、ばらつきが生じ易く、かつ、一点一点
の加工法であるため、歩留まりが良くなく、スループッ
トも低いという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、上記従来技術の有する
課題を解決し、高密度に複数の光プローブを形成するこ
とが可能であり、複数の光プローブを容易に試料に近づ
けることができ、また、光プローブの開口形状が均一か
つ該開口が微小であり、これにより分解能を小さくでき
て、光検出手段または発光手段との接続の容易な光検出
または照射用の光プローブと該プローブを備えた近視野
光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製造に用
いる基板を提供することを目的としている。
課題を解決し、高密度に複数の光プローブを形成するこ
とが可能であり、複数の光プローブを容易に試料に近づ
けることができ、また、光プローブの開口形状が均一か
つ該開口が微小であり、これにより分解能を小さくでき
て、光検出手段または発光手段との接続の容易な光検出
または照射用の光プローブと該プローブを備えた近視野
光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製造に用
いる基板を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、光検出または照射用の光プローブと該プロ
ーブを備えた近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造
方法とその製造に用いる基板を、つぎのように構成した
ことを特徴としている。すなわち、本発明の光プローブ
は、基板と、該基板に形成された複数の光導波路用のス
ルーホールからなる光検出または照射用の光プローブで
あって、前記複数のスルーホールが前記基板の裏面に形
成された凹部内に設けられ、該スルーホールの基板裏面
の開口径を基板表面の開口径に比して大きくしたことを
特徴としている。また、本発明の光プローブは、前記基
板表面の開口径が、１００［ｎｍ］以下であることを特
徴としている。また、本発明の光プローブは、前記スル
ーホールは、その壁面に光透過防止膜が形成されている
ことを特徴としている。また、本発明の光プローブは、
前記基板が、単結晶シリコンよりなることを特徴として
いる。また、本発明の光プローブは、光検出手段を有す
る光プローブであって、該光プローブが前記した本発明
のいずれかの光プローブからなり、該光プローブの基板
裏面に前記光検出手段が設けられていることを特徴とし
ている。また、本発明の光プローブは、前記光検出手段
が、前記プローブの複数のスルーホールを通った光を夫
々独立に検出する複数の光検出手段からなり、該複数の
光検出手段が前記複数のスルーホールの位置に対応して
対向配置されてなることを特徴としている。また、本発
明の光プローブは、前記光検出手段が、前記基板裏面の
凹部に配置されていることを特徴としている。また、本
発明の光プローブは、前記光検出手段が、ＣＣＤからな
ることを特徴としている。また、本発明の光プローブ
は、光照射手段を有する光プローブであって、該光プロ
ーブが前記した本発明のいずれかの光プローブからな
り、該光プローブの基板裏面に前記光照射手段が設けら
れていることを特徴としている。また、本発明の光プロ
ーブは、前記発光手段が、複数のスルーホールに夫々独
立に光を照射する複数の発光手段からなり、前記複数の
発光手段が前記複数のスルーホールの位置に対応して対
向配置されてなることを特徴としている。また、本発明
の光プローブは、前記発光手段が、前記基板裏面の凹部
に配置されていることを特徴としている。また、本発明
の光プローブは、前記発光手段が、面発光レーザーより
なることを特徴としている。また、本発明の近視野光学
顕微鏡は、試料面内で該試料面と対向する垂直な方向に
プローブと該試料とを相対移動させ、該プローブにより
光の強度を検出するようにした近視野光学顕微鏡におい
て、前記した本発明のいずれかの光プローブを備え、該
プローブ先端におもて面を対向して配置された試料の裏
面から光照射して、該プローブのスルーホールにより形
成された基板表面の微小開口を通った光の強度を、前記
光プローブの光検出手段によって検出することを特徴と
している。また、本発明の光検出または照射用の光プロ
ーブの製造方法は、（ａ）基板の裏面に凹部を形成する
工程と、（ｂ）前記凹部にエッチングによりスルーホー
ルを形成する工程と、（ｃ）前記スルーホールの壁面に
光透過防止膜を形成する工程と、を少なくとも有するこ
とを特徴としている。また、本発明の上記製造方法にお
いて、前記基板には、凹部を形成するためのエッチング
停止層が形成されていることを特徴としている。また、
本発明の上記製造方法において、前記エッチング停止層
には、その一部にスルーホール形成用の開口部が設けら
れていることを特徴としている。また、本発明の上記製
造方法において、前記基板が、単結晶シリコンよりなる
ことを特徴としている。また、本発明の上記製造方法に
おいて、前記エッチングが、結晶軸異方性エッチングで
あることを特徴としている。また、本発明の上記製造方
法において、前記光透過防止膜が、金属よりなることを
特徴としている。また、本発明の上記製造方法における
（ｂ）の工程が、エッチングによりピラミッド状のピッ
トを形成した後に、基板の表面をエッチングしスルーホ
ールの微小開口を開ける工程を含むことを特徴としてい
る。また、本発明の上記製造方法において、前記基板の
表面のエッチングが、基板を酸化ガスを用いて酸化し、
二酸化シリコンを形成し、該二酸化シリコンをエッチン
グする犠牲エッチングを用いることにより行うことを特
徴としている。また、本発明の光検出または照射用のプ
ローブの製造に用いる基板は、該基板が単結晶シリコン
よりなり、前記基板がスルーホール形成用の開口部を有
する埋込み層と、該埋め込み層の上部にスルーホールが
形成されるエピタキシャル層を設けたことを特徴として
いる。また、本発明の上記基板は、前記埋め込み層が、
高濃度ｐ型不純物を拡散して形成されており、該不純物
の濃度が１０19（ｃｍ-3）以上であることを特徴として
いる。
決するため、光検出または照射用の光プローブと該プロ
ーブを備えた近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造
方法とその製造に用いる基板を、つぎのように構成した
ことを特徴としている。すなわち、本発明の光プローブ
は、基板と、該基板に形成された複数の光導波路用のス
ルーホールからなる光検出または照射用の光プローブで
あって、前記複数のスルーホールが前記基板の裏面に形
成された凹部内に設けられ、該スルーホールの基板裏面
の開口径を基板表面の開口径に比して大きくしたことを
特徴としている。また、本発明の光プローブは、前記基
板表面の開口径が、１００［ｎｍ］以下であることを特
徴としている。また、本発明の光プローブは、前記スル
ーホールは、その壁面に光透過防止膜が形成されている
ことを特徴としている。また、本発明の光プローブは、
前記基板が、単結晶シリコンよりなることを特徴として
いる。また、本発明の光プローブは、光検出手段を有す
る光プローブであって、該光プローブが前記した本発明
のいずれかの光プローブからなり、該光プローブの基板
裏面に前記光検出手段が設けられていることを特徴とし
ている。また、本発明の光プローブは、前記光検出手段
が、前記プローブの複数のスルーホールを通った光を夫
々独立に検出する複数の光検出手段からなり、該複数の
光検出手段が前記複数のスルーホールの位置に対応して
対向配置されてなることを特徴としている。また、本発
明の光プローブは、前記光検出手段が、前記基板裏面の
凹部に配置されていることを特徴としている。また、本
発明の光プローブは、前記光検出手段が、ＣＣＤからな
ることを特徴としている。また、本発明の光プローブ
は、光照射手段を有する光プローブであって、該光プロ
ーブが前記した本発明のいずれかの光プローブからな
り、該光プローブの基板裏面に前記光照射手段が設けら
れていることを特徴としている。また、本発明の光プロ
ーブは、前記発光手段が、複数のスルーホールに夫々独
立に光を照射する複数の発光手段からなり、前記複数の
発光手段が前記複数のスルーホールの位置に対応して対
向配置されてなることを特徴としている。また、本発明
の光プローブは、前記発光手段が、前記基板裏面の凹部
に配置されていることを特徴としている。また、本発明
の光プローブは、前記発光手段が、面発光レーザーより
なることを特徴としている。また、本発明の近視野光学
顕微鏡は、試料面内で該試料面と対向する垂直な方向に
プローブと該試料とを相対移動させ、該プローブにより
光の強度を検出するようにした近視野光学顕微鏡におい
て、前記した本発明のいずれかの光プローブを備え、該
プローブ先端におもて面を対向して配置された試料の裏
面から光照射して、該プローブのスルーホールにより形
成された基板表面の微小開口を通った光の強度を、前記
光プローブの光検出手段によって検出することを特徴と
している。また、本発明の光検出または照射用の光プロ
ーブの製造方法は、（ａ）基板の裏面に凹部を形成する
工程と、（ｂ）前記凹部にエッチングによりスルーホー
ルを形成する工程と、（ｃ）前記スルーホールの壁面に
光透過防止膜を形成する工程と、を少なくとも有するこ
とを特徴としている。また、本発明の上記製造方法にお
いて、前記基板には、凹部を形成するためのエッチング
停止層が形成されていることを特徴としている。また、
本発明の上記製造方法において、前記エッチング停止層
には、その一部にスルーホール形成用の開口部が設けら
れていることを特徴としている。また、本発明の上記製
造方法において、前記基板が、単結晶シリコンよりなる
ことを特徴としている。また、本発明の上記製造方法に
おいて、前記エッチングが、結晶軸異方性エッチングで
あることを特徴としている。また、本発明の上記製造方
法において、前記光透過防止膜が、金属よりなることを
特徴としている。また、本発明の上記製造方法における
（ｂ）の工程が、エッチングによりピラミッド状のピッ
トを形成した後に、基板の表面をエッチングしスルーホ
ールの微小開口を開ける工程を含むことを特徴としてい
る。また、本発明の上記製造方法において、前記基板の
表面のエッチングが、基板を酸化ガスを用いて酸化し、
二酸化シリコンを形成し、該二酸化シリコンをエッチン
グする犠牲エッチングを用いることにより行うことを特
徴としている。また、本発明の光検出または照射用のプ
ローブの製造に用いる基板は、該基板が単結晶シリコン
よりなり、前記基板がスルーホール形成用の開口部を有
する埋込み層と、該埋め込み層の上部にスルーホールが
形成されるエピタキシャル層を設けたことを特徴として
いる。また、本発明の上記基板は、前記埋め込み層が、
高濃度ｐ型不純物を拡散して形成されており、該不純物
の濃度が１０19（ｃｍ-3）以上であることを特徴として
いる。
【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明における光プロー
ブの一つの実施形態について説明する。図１はその光プ
ローブの断面図であり、基板１裏面に凹部２を設けて凹
部内に裏面よりスルーホール３を形成して基板表面に微
小開口４を形成し、スルーホールの壁面には光透過防止
層５が設けてある。スルーホールの長さが凹部と基板の
表面間の厚みにより決まるため、その厚みを薄くするこ
とで、凹部に設けたスルーホール同士の間隔を狭めるこ
とが可能となり高密度に微小開口を基板表面に形成でき
る。また、複数の微小開口を平坦な基板表面に形成でき
ることにより、複数の光プローブを容易に、同時に試料
表面に近づけることが可能となる。本発明の光プローブ
は平坦な基板に直接形成したことにより、基板表面に光
導波路を設けた場合に比べて、基板端面ではなく平面で
直接スルーホールに光検出手段や光照射手段を接続する
ことができ、光接続が容易となる。これにより、容易に
平面に２次元アレイ状に形成できる光検出手段であるＣ
ＣＤや、光照射手段である面発光レーザーや面発光ダイ
オード等を光プローブの裏面に接合することができる。
このような２次元アレイの光検出手段や光照射手段をス
ルーホールとを一対一対応して配置することで、各々の
微小開口からの入射光や照射光を独立に同時に検出また
は照射することが可能となる。凹部に光検出手段や光照
射手段を設けることでこれらの手段を有する光プローブ
のサイズをさらに薄型化することができる。
ブの一つの実施形態について説明する。図１はその光プ
ローブの断面図であり、基板１裏面に凹部２を設けて凹
部内に裏面よりスルーホール３を形成して基板表面に微
小開口４を形成し、スルーホールの壁面には光透過防止
層５が設けてある。スルーホールの長さが凹部と基板の
表面間の厚みにより決まるため、その厚みを薄くするこ
とで、凹部に設けたスルーホール同士の間隔を狭めるこ
とが可能となり高密度に微小開口を基板表面に形成でき
る。また、複数の微小開口を平坦な基板表面に形成でき
ることにより、複数の光プローブを容易に、同時に試料
表面に近づけることが可能となる。本発明の光プローブ
は平坦な基板に直接形成したことにより、基板表面に光
導波路を設けた場合に比べて、基板端面ではなく平面で
直接スルーホールに光検出手段や光照射手段を接続する
ことができ、光接続が容易となる。これにより、容易に
平面に２次元アレイ状に形成できる光検出手段であるＣ
ＣＤや、光照射手段である面発光レーザーや面発光ダイ
オード等を光プローブの裏面に接合することができる。
このような２次元アレイの光検出手段や光照射手段をス
ルーホールとを一対一対応して配置することで、各々の
微小開口からの入射光や照射光を独立に同時に検出また
は照射することが可能となる。凹部に光検出手段や光照
射手段を設けることでこれらの手段を有する光プローブ
のサイズをさらに薄型化することができる。
【０００９】また、基板に面方位が（１００）面の単結
晶シリコンを用い、結晶異方性エッチングを用いてスル
ーホールを形成し、光プローブの開口形状が均一かつ該
開口が微小な光プローブを形成できる。スルーホールの
形成工程を以下に詳細に説明する。シリコン基板の裏面
に使用するエッチング液に耐性の有るマスクを形成し裏
面よりエッチングを行い凹部を形成する。シリコン基板
のエッチングは、結晶軸異方性エッチングとなるエッチ
ング液により行い、ＫＯＨ、ＥＤＰ、ＴＭＡＨ、ヒドラ
ジン等の結晶面によるエッチング速度差を生じるエッチ
ング液が用いられる。マスクとなる材料としては、たと
えばＣｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、ＴｉＣ等を用いることが
可能である、窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜等が半
導体プロセスとの互換性に優れており好ましい。凹部の
深さの制御にはエッチング停止層６をシリコン基板に設
けて行う。エッチング停止層としては、高濃度のｐ型拡
散層を用いる。不純物濃度が７×ｌ０19（ｃｍ-3）以上
のｐ型拡散層にて結晶軸異方性エッチング液でエッチン
グされない性質を利用する。スルーホールはｐ型拡散層
上に成長したエピタキシャル層に形成する。ｐ型拡散層
の一部をパターニングしておくことにより、そのパター
ニング部をスルーホールの裏面側の開口部とするスルー
ホールをエピタキシャル層に形成する。エピタキシャル
層の厚みを調節することで、基板表面の微小開口の寸法
を制御する。
晶シリコンを用い、結晶異方性エッチングを用いてスル
ーホールを形成し、光プローブの開口形状が均一かつ該
開口が微小な光プローブを形成できる。スルーホールの
形成工程を以下に詳細に説明する。シリコン基板の裏面
に使用するエッチング液に耐性の有るマスクを形成し裏
面よりエッチングを行い凹部を形成する。シリコン基板
のエッチングは、結晶軸異方性エッチングとなるエッチ
ング液により行い、ＫＯＨ、ＥＤＰ、ＴＭＡＨ、ヒドラ
ジン等の結晶面によるエッチング速度差を生じるエッチ
ング液が用いられる。マスクとなる材料としては、たと
えばＣｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、ＴｉＣ等を用いることが
可能である、窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜等が半
導体プロセスとの互換性に優れており好ましい。凹部の
深さの制御にはエッチング停止層６をシリコン基板に設
けて行う。エッチング停止層としては、高濃度のｐ型拡
散層を用いる。不純物濃度が７×ｌ０19（ｃｍ-3）以上
のｐ型拡散層にて結晶軸異方性エッチング液でエッチン
グされない性質を利用する。スルーホールはｐ型拡散層
上に成長したエピタキシャル層に形成する。ｐ型拡散層
の一部をパターニングしておくことにより、そのパター
ニング部をスルーホールの裏面側の開口部とするスルー
ホールをエピタキシャル層に形成する。エピタキシャル
層の厚みを調節することで、基板表面の微小開口の寸法
を制御する。
【００１０】また、エピタキシャル層の厚みを最終的な
スルーホールの長さより厚くしてもよく、裏面に結晶異
方性エッチングにより形成したピラミッド状のピットを
形成した後に、基板表面からエッチングを行いピット先
端に開口を開けることにより微小開口を形成することが
できる。エッチングの方法としては、反応性エッチング
ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、イオ
ンミーニング（ＩｏｎＭｉｌｌｉｎｇ）、エッチング液
によりウエットエッチング等を利用すればよい。凹部を
設けスルーホールを形成する層の厚みを薄くすること
で、基板表面からピットに微小開口を形成するに必要な
エッチング時間を短くでき、基板面内のエッチング不均
一性を低減し、エッチングの再現性を高めることができ
る。基板の表面を酸化ガスを用いて二酸化シリコンを形
成しフッ酸水溶液により該二酸化シリコンをエッチング
する犠牲エッチングを用いることにより、基板面内にエ
ッチング深さの均一性の良い、さらに再現性の高いエッ
チングを行うことができる。前記パターニング部は基板
にｐ型拡散層を形成する際に、不純物イオンのイオン注
入時にマスクを設け未注入部を形成することにより形成
できる。
スルーホールの長さより厚くしてもよく、裏面に結晶異
方性エッチングにより形成したピラミッド状のピットを
形成した後に、基板表面からエッチングを行いピット先
端に開口を開けることにより微小開口を形成することが
できる。エッチングの方法としては、反応性エッチング
ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、イオ
ンミーニング（ＩｏｎＭｉｌｌｉｎｇ）、エッチング液
によりウエットエッチング等を利用すればよい。凹部を
設けスルーホールを形成する層の厚みを薄くすること
で、基板表面からピットに微小開口を形成するに必要な
エッチング時間を短くでき、基板面内のエッチング不均
一性を低減し、エッチングの再現性を高めることができ
る。基板の表面を酸化ガスを用いて二酸化シリコンを形
成しフッ酸水溶液により該二酸化シリコンをエッチング
する犠牲エッチングを用いることにより、基板面内にエ
ッチング深さの均一性の良い、さらに再現性の高いエッ
チングを行うことができる。前記パターニング部は基板
にｐ型拡散層を形成する際に、不純物イオンのイオン注
入時にマスクを設け未注入部を形成することにより形成
できる。
【００１１】他のエッチング停止層としては、ｐｎ接合
エッチングの方法を利用して、シリコン基板にｐ型に形
成したｎ型拡散層を用いることができる。ｎ型拡散層上
にｐ型のエピタキシャル層を設け、該エピタキシャル層
上にスルーホールを形成する。スルーホールの裏面開口
部はｎ型拡散層を形成する際に、不純物イオンのイオン
注入時にマスクを設け未注入部を形成することにより形
成できる。以上ではスルーホールを形成する層にエピタ
キシャル層を使用した例を説明した。他の層としてＳＯ
Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を使
用することが可能である。この場合、絶縁層をエッチン
グ停止層として用いる。ＳＯＩを支持する基板（ハンド
ルウエハ）としては、ガラス、サファイア、シリコン等
いずれも使用することができる。この構成の場合、ハン
ドルウエハ裏面より凹部を形成した後に、ＳＯＩのシリ
コン層にスルーホールを設けることとなる。このよう
に、スルーホールは、後工程にて凹部が形成される基板
上に形成する層に設られる。単結晶シリコンは、ＫＯＨ
やＴＭＡＨ等のアルカリ水溶液により異方性エッチング
することが可能であり、形状の揃ったスルーホールを形
成可能であり、スルーホールを形成する層として好適で
ある。更に、スルーホールを形成する層としては、スル
ーホールの微小開口を形成する上で、層厚を制御するこ
とが可能な方法で作製できるのもであればシリコン以外
の材料で微小開口が形成できるものであれば、有機材
料、無機材料等の何れの材料を使用しても良い。たとえ
ば、有機材料としてポリイミド膜をこの層として用いる
場合を説明する。まず、シリコン基板上にポリイミド膜
を形成し、シリコン基板を裏面よりエッチングし凹部を
形成し、裏面凹部にポリイミドを露出させる。次に、ス
ルーホールを形成する際のマスクを設け、エッチングす
ることでスルーホールを設けることが可能である。マス
クとしては凹部を形成した後のシリコン基板の裏面側に
金属膜を成膜し該金属膜をフォトリソグラフィによりパ
ターニングし一部を除去したものを用いる。ポリイミド
ヘのスルーホールのエッチング方法として、酸素を用い
た反応性イオンエッチングを利用することができる。酸
素を用いた反応性イオンエッチングは、ポリイミド以外
の有機材料に使用できる。以上のようにして形成したス
ルーホールの壁面に光透過防止層を設け、光の取り込
み、照射時のＳＮを向上させる。光透過防止層としては
検出または照射する光の波長領域で光を透過しない材料
をもちいればよく、光反射率の高い金属材料はより好ま
しい。基板の凹部は薄膜化されているが、凹部以外の基
板の部分はスターティング材料であるシリコン基板の厚
みとなっており、近接場光学顕微鏡に使用する場合の取
り付けの際の光プローブのハンドリングが容易となって
いる。
エッチングの方法を利用して、シリコン基板にｐ型に形
成したｎ型拡散層を用いることができる。ｎ型拡散層上
にｐ型のエピタキシャル層を設け、該エピタキシャル層
上にスルーホールを形成する。スルーホールの裏面開口
部はｎ型拡散層を形成する際に、不純物イオンのイオン
注入時にマスクを設け未注入部を形成することにより形
成できる。以上ではスルーホールを形成する層にエピタ
キシャル層を使用した例を説明した。他の層としてＳＯ
Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を使
用することが可能である。この場合、絶縁層をエッチン
グ停止層として用いる。ＳＯＩを支持する基板（ハンド
ルウエハ）としては、ガラス、サファイア、シリコン等
いずれも使用することができる。この構成の場合、ハン
ドルウエハ裏面より凹部を形成した後に、ＳＯＩのシリ
コン層にスルーホールを設けることとなる。このよう
に、スルーホールは、後工程にて凹部が形成される基板
上に形成する層に設られる。単結晶シリコンは、ＫＯＨ
やＴＭＡＨ等のアルカリ水溶液により異方性エッチング
することが可能であり、形状の揃ったスルーホールを形
成可能であり、スルーホールを形成する層として好適で
ある。更に、スルーホールを形成する層としては、スル
ーホールの微小開口を形成する上で、層厚を制御するこ
とが可能な方法で作製できるのもであればシリコン以外
の材料で微小開口が形成できるものであれば、有機材
料、無機材料等の何れの材料を使用しても良い。たとえ
ば、有機材料としてポリイミド膜をこの層として用いる
場合を説明する。まず、シリコン基板上にポリイミド膜
を形成し、シリコン基板を裏面よりエッチングし凹部を
形成し、裏面凹部にポリイミドを露出させる。次に、ス
ルーホールを形成する際のマスクを設け、エッチングす
ることでスルーホールを設けることが可能である。マス
クとしては凹部を形成した後のシリコン基板の裏面側に
金属膜を成膜し該金属膜をフォトリソグラフィによりパ
ターニングし一部を除去したものを用いる。ポリイミド
ヘのスルーホールのエッチング方法として、酸素を用い
た反応性イオンエッチングを利用することができる。酸
素を用いた反応性イオンエッチングは、ポリイミド以外
の有機材料に使用できる。以上のようにして形成したス
ルーホールの壁面に光透過防止層を設け、光の取り込
み、照射時のＳＮを向上させる。光透過防止層としては
検出または照射する光の波長領域で光を透過しない材料
をもちいればよく、光反射率の高い金属材料はより好ま
しい。基板の凹部は薄膜化されているが、凹部以外の基
板の部分はスターティング材料であるシリコン基板の厚
みとなっており、近接場光学顕微鏡に使用する場合の取
り付けの際の光プローブのハンドリングが容易となって
いる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］実施例１は、本発明の第１の形態の光プロ
ーブの製造方法について実施したものであり、図２及び
図３は、その製造方法の工程の断面図である。以下にそ
の製造工程を説明する。基板厚みが５２５μｍで結晶方
位面が＜１００＞のｎ型で抵抗率が１〜１０Ω・ｃｍの
シリコン基板１１上にフォトリソグラフィプロセスを用
いて図２（ａ）に示すフォトレジスト１２のパターンを
形成する。パターン寸法は２０μｍ角とした。該フォト
レジスト１２をマスクとして、イオン注入装置を用いて
ボロン（Ｂ）をシリコン基板表面に注入し、フォトレジ
ストを除去した後に、熱拡散し不純物濃度が１×１０20
（ｃｍ-3）のｐ型拡散層であるエッチング停止層６を形
成した（図２（ｂ））。後工程にてスルーホールを形成
するモノシランガスを用いて誘導加熱式エピタキシャル
成長装置によりエピタキシャル層１３を１５μｍ形成し
た。次に、酸素と水素の混合ガスを用いて、エピタキシ
ャル層及びシリコン基板裏面に二酸化シリコン膜１４を
１μｍ成膜し、裏面の二酸化シリコンをフォトリソグラ
フィプロセスとバッファード弗酸によるエッチングにて
一部を除去しシリコンを露出させマスク１５を形成した
（図２（ｃ））。この後、濃度２２％のＴＭＡＨ水溶液
にて液温度８０℃で基板を結晶軸異方性エッチングし、
（１１１）の結晶面からなる面で囲まれた台形状の凹部
２を形成した（図２（ｄ））。さらに、異方性エッチン
グを続けることにより、エッチング停止層中の未注入部
からエピタキシャル層をエッチングし、図２（ｅ）のピ
ット１６を形成した。ピット先端上部にはエピタキシャ
ル層がある。ピットは（１１１）の結晶面にて囲まれた
ピラミッド形状をしている。エッチング停止層は高濃度
のｐ型拡散層で形成されているため、異方性エッチング
の際にエッチングはされない。ピットを形成する時間は
凹部を形成する時間に比べて４０分の１程度の時間であ
り、長時間のエッチングに伴う（１１１）面のエッチン
グによるピット寸法が拡大することを低減できている。
ーブの製造方法について実施したものであり、図２及び
図３は、その製造方法の工程の断面図である。以下にそ
の製造工程を説明する。基板厚みが５２５μｍで結晶方
位面が＜１００＞のｎ型で抵抗率が１〜１０Ω・ｃｍの
シリコン基板１１上にフォトリソグラフィプロセスを用
いて図２（ａ）に示すフォトレジスト１２のパターンを
形成する。パターン寸法は２０μｍ角とした。該フォト
レジスト１２をマスクとして、イオン注入装置を用いて
ボロン（Ｂ）をシリコン基板表面に注入し、フォトレジ
ストを除去した後に、熱拡散し不純物濃度が１×１０20
（ｃｍ-3）のｐ型拡散層であるエッチング停止層６を形
成した（図２（ｂ））。後工程にてスルーホールを形成
するモノシランガスを用いて誘導加熱式エピタキシャル
成長装置によりエピタキシャル層１３を１５μｍ形成し
た。次に、酸素と水素の混合ガスを用いて、エピタキシ
ャル層及びシリコン基板裏面に二酸化シリコン膜１４を
１μｍ成膜し、裏面の二酸化シリコンをフォトリソグラ
フィプロセスとバッファード弗酸によるエッチングにて
一部を除去しシリコンを露出させマスク１５を形成した
（図２（ｃ））。この後、濃度２２％のＴＭＡＨ水溶液
にて液温度８０℃で基板を結晶軸異方性エッチングし、
（１１１）の結晶面からなる面で囲まれた台形状の凹部
２を形成した（図２（ｄ））。さらに、異方性エッチン
グを続けることにより、エッチング停止層中の未注入部
からエピタキシャル層をエッチングし、図２（ｅ）のピ
ット１６を形成した。ピット先端上部にはエピタキシャ
ル層がある。ピットは（１１１）の結晶面にて囲まれた
ピラミッド形状をしている。エッチング停止層は高濃度
のｐ型拡散層で形成されているため、異方性エッチング
の際にエッチングはされない。ピットを形成する時間は
凹部を形成する時間に比べて４０分の１程度の時間であ
り、長時間のエッチングに伴う（１１１）面のエッチン
グによるピット寸法が拡大することを低減できている。
【００１３】次に、図２（ｅ）の基板の両面の二酸化シ
リコンをバファード弗酸により除去し、その後に酸素と
水素の混合ガスにより、ピット先端に形成された二酸化
シリコン１７とエピタキシャル層の上部二酸化シリコン
１７が接するまで熱酸化する（図３（ｆ））。二酸化シ
リコン１７をバファード弗酸にて除去し（図３
（ｇ））、スルーホール３を形成することで基板表面に
微小開口４が形成できる。基板の表面を酸化ガスを用い
て二酸化シリコンを形成しフッ酸水溶液により該二酸化
シリコンをエッチングする犠牲エッチングを用いること
により、基板表面を均一にエッチングすることができ
た。最後に、基板の裏面に光透過防止層５となるＰｔを
１０ｎｍスッパタ法により成膜し複数の微小開口を有す
る光プローブを形成した（図３（ｈ））。本実施例では
微小開口を１次元に３個配列した光プローブを作製し
た。作製した光プローブの各開口の大きさを、走査型電
子顕微鏡により観察測定したところ、全ての微小開口の
開口径は２０ｎｍ以下であった。
リコンをバファード弗酸により除去し、その後に酸素と
水素の混合ガスにより、ピット先端に形成された二酸化
シリコン１７とエピタキシャル層の上部二酸化シリコン
１７が接するまで熱酸化する（図３（ｆ））。二酸化シ
リコン１７をバファード弗酸にて除去し（図３
（ｇ））、スルーホール３を形成することで基板表面に
微小開口４が形成できる。基板の表面を酸化ガスを用い
て二酸化シリコンを形成しフッ酸水溶液により該二酸化
シリコンをエッチングする犠牲エッチングを用いること
により、基板表面を均一にエッチングすることができ
た。最後に、基板の裏面に光透過防止層５となるＰｔを
１０ｎｍスッパタ法により成膜し複数の微小開口を有す
る光プローブを形成した（図３（ｈ））。本実施例では
微小開口を１次元に３個配列した光プローブを作製し
た。作製した光プローブの各開口の大きさを、走査型電
子顕微鏡により観察測定したところ、全ての微小開口の
開口径は２０ｎｍ以下であった。
【００１４】さて、上述のようにして作製したプローブ
を応用した例を以下に説明する。図４は本発明の複数の
ＳＮＯＭプローブとなる微小開口を有し、さらに光検出
手段を有した光プローブを、近視野光学顕微鏡に用い、
マルチＳＮＯＭを構成した例である。図４において、６
０１、６０２、６０３は本発明のＳＮＯＭプローブ１、
２、３である。複数のＳＮＯＭプローブ１、２、３から
のエバネッセント光１（６１１）、２（６１２）、３
（６１３）は光プローブの凹部内に取り付けた光検出手
段であるＣＣＤ６２０のフォトセンサ６２１、６２２、
６２３に入射し独立に光強度が検出される。各々のフォ
トセンサ間の光のもれを防止する為にＣＣＤと光プロー
ブとの間には隔壁がもうけてある。ＣＣＤのフォトセン
サはＳＮＯＭプローブと一対一に対応し対向位置する位
置に設計されて形成されている。ＣＣＤの外周と光プロ
ーブとをエポキシ樹脂系接着剤にて接着し、ＣＣＤを固
定した。複数の微小開口を平坦な基板表面に形成できる
ことにより、複数のＳＮＯＭプローブを容易に、同時に
試料表面に近づけることが可能であった。
を応用した例を以下に説明する。図４は本発明の複数の
ＳＮＯＭプローブとなる微小開口を有し、さらに光検出
手段を有した光プローブを、近視野光学顕微鏡に用い、
マルチＳＮＯＭを構成した例である。図４において、６
０１、６０２、６０３は本発明のＳＮＯＭプローブ１、
２、３である。複数のＳＮＯＭプローブ１、２、３から
のエバネッセント光１（６１１）、２（６１２）、３
（６１３）は光プローブの凹部内に取り付けた光検出手
段であるＣＣＤ６２０のフォトセンサ６２１、６２２、
６２３に入射し独立に光強度が検出される。各々のフォ
トセンサ間の光のもれを防止する為にＣＣＤと光プロー
ブとの間には隔壁がもうけてある。ＣＣＤのフォトセン
サはＳＮＯＭプローブと一対一に対応し対向位置する位
置に設計されて形成されている。ＣＣＤの外周と光プロ
ーブとをエポキシ樹脂系接着剤にて接着し、ＣＣＤを固
定した。複数の微小開口を平坦な基板表面に形成できる
ことにより、複数のＳＮＯＭプローブを容易に、同時に
試料表面に近づけることが可能であった。
【００１５】本発明のプローブでは、探針の微小開口と
逆側は微小開口径よりも大きな（〜数μｍ）開口を有し
ている。このため、微小開口の背後にスペースをとるこ
とができ、光導波路等を用いることなく、光検出機構を
近傍に配置することができるため、光検出分解能を低下
させることのない光検出機構とのハイブリッド化が可能
となった。また、凹部にＣＣＤを挿入できるため、近視
野光学顕微鏡を、ＣＣＤの厚み及び光プローブの厚みに
比べさらに薄型化することが可能となった。被測定試料
６３１は透明基板６３２上に設けられている。透明基板
６３２を通して試料６３１の背後から試料６３１の表面
において全反射の条件になるような角度で光６３３を入
射する。このとき、光は試料６３１表面から図中、上方
向に透過しないが、試料６３１表面からの距離が０．１
［μｍ］以下のごく近傍にはエバネッセント光と呼ばれ
る光がにじみ出している。
逆側は微小開口径よりも大きな（〜数μｍ）開口を有し
ている。このため、微小開口の背後にスペースをとるこ
とができ、光導波路等を用いることなく、光検出機構を
近傍に配置することができるため、光検出分解能を低下
させることのない光検出機構とのハイブリッド化が可能
となった。また、凹部にＣＣＤを挿入できるため、近視
野光学顕微鏡を、ＣＣＤの厚み及び光プローブの厚みに
比べさらに薄型化することが可能となった。被測定試料
６３１は透明基板６３２上に設けられている。透明基板
６３２を通して試料６３１の背後から試料６３１の表面
において全反射の条件になるような角度で光６３３を入
射する。このとき、光は試料６３１表面から図中、上方
向に透過しないが、試料６３１表面からの距離が０．１
［μｍ］以下のごく近傍にはエバネッセント光と呼ばれ
る光がにじみ出している。
【００１６】このとき、複数のＳＮＯＭプローブ１〜３
（６０１〜６０３）の探針先端が試料に接触するように
配置すると、このエバネッセント光１（６１１）、２
（６１２）、３（６１３）がＳＮＯＭプローブの微小開
口を通って背後のフォトセンサ１〜３（６２１、６２
２、６２３）で検出される。検出されたエバネッセント
光電流信号をＣＣＤ内のＩ／Ｖ変換回路で電圧信号に変
換し、各々のフォトセンサからの信号をマルチＳＮＯＭ
信号として出力する。図中、不図示であるがｘｙアクチ
ュエータを用い、複数ＳＮＯＭプローブ１〜３に対し試
料６３１を試料面内方向（図中ｘｙ方向）に２次元の相
対走査を行い、ｘｙ面内の各位置におけるＳＮＯＭ信号
の大きさをプロットすることにより、試料６３１表面の
ＳＮＯＭ観測像が得られた。
（６０１〜６０３）の探針先端が試料に接触するように
配置すると、このエバネッセント光１（６１１）、２
（６１２）、３（６１３）がＳＮＯＭプローブの微小開
口を通って背後のフォトセンサ１〜３（６２１、６２
２、６２３）で検出される。検出されたエバネッセント
光電流信号をＣＣＤ内のＩ／Ｖ変換回路で電圧信号に変
換し、各々のフォトセンサからの信号をマルチＳＮＯＭ
信号として出力する。図中、不図示であるがｘｙアクチ
ュエータを用い、複数ＳＮＯＭプローブ１〜３に対し試
料６３１を試料面内方向（図中ｘｙ方向）に２次元の相
対走査を行い、ｘｙ面内の各位置におけるＳＮＯＭ信号
の大きさをプロットすることにより、試料６３１表面の
ＳＮＯＭ観測像が得られた。
【００１７】［実施例２］実施例２においては、実施例
１に示す光プローブにより、凹部に微小開口を１０×１
０のマトリックにて１００個作製した。各開口の大きさ
を、走査型電子顕微鏡により観察測定したところ、微小
開口の開口径は１０から３０ｎｍの間に全て収まってい
た。基板の表面を酸化ガスを用いて二酸化シリコンを形
成しフッ酸水溶液により該二酸化シリコンをエッチング
する犠牲エッチングを用いることにより、基板表面を均
一にエッチングすることができた。
１に示す光プローブにより、凹部に微小開口を１０×１
０のマトリックにて１００個作製した。各開口の大きさ
を、走査型電子顕微鏡により観察測定したところ、微小
開口の開口径は１０から３０ｎｍの間に全て収まってい
た。基板の表面を酸化ガスを用いて二酸化シリコンを形
成しフッ酸水溶液により該二酸化シリコンをエッチング
する犠牲エッチングを用いることにより、基板表面を均
一にエッチングすることができた。
【００１８】［実施例３］実施例３である光照射手段を
有する光プローブの応用について以下に説明する。図５
は本発明の複数のプローブとなる微小開口を有し、さら
に光照射手段を有した光プローブを、情報記録装置に用
い構成した例を示している。光プローブは光磁気記録用
の光記録ヘッドとして用いた。図５において、７０１、
７０２、７０３は本発明の実施例１で作製した微小開口
からなるプローブ１、２、３である。光プローブの凹部
内に取り付けた光照射手段である単一基板上に形成した
面発光レーザーアレイ７２０の各面発光レーザー７２
１、７２２、７２３から放射した光は、複数のプローブ
１、２、３からエバネッセント光１（７１１）、２（７
１２）、３（７１３）がにじみでる。面発光レーザーの
光のもれを防止する為に面発光レーザーアレイ表面と光
プローブの凹部との間には隔壁がもうけてある。面発光
レーザーアレイの面発光レーザーは、プローブと一対一
に対応し対向位置する位置に設計されて形成されてい
る。面発光レーザーアレイの外周と光プローブとをエポ
キシ樹脂系接着剤にて接着し、面発光レーザーアレイを
固定した。
有する光プローブの応用について以下に説明する。図５
は本発明の複数のプローブとなる微小開口を有し、さら
に光照射手段を有した光プローブを、情報記録装置に用
い構成した例を示している。光プローブは光磁気記録用
の光記録ヘッドとして用いた。図５において、７０１、
７０２、７０３は本発明の実施例１で作製した微小開口
からなるプローブ１、２、３である。光プローブの凹部
内に取り付けた光照射手段である単一基板上に形成した
面発光レーザーアレイ７２０の各面発光レーザー７２
１、７２２、７２３から放射した光は、複数のプローブ
１、２、３からエバネッセント光１（７１１）、２（７
１２）、３（７１３）がにじみでる。面発光レーザーの
光のもれを防止する為に面発光レーザーアレイ表面と光
プローブの凹部との間には隔壁がもうけてある。面発光
レーザーアレイの面発光レーザーは、プローブと一対一
に対応し対向位置する位置に設計されて形成されてい
る。面発光レーザーアレイの外周と光プローブとをエポ
キシ樹脂系接着剤にて接着し、面発光レーザーアレイを
固定した。
【００１９】本発明のプローブでは、探針の微小開口と
逆側は微小開口径よりも大きな（〜数μｍ）開口を有し
ている。このため、微小開口の背後にスペースをとるこ
とができ、光導波路等を用いることなく、面発光レーザ
ー等光検出機構を近傍に配置することができるため、光
検出機構とのハイブリッド化が可能となった。また、凹
部に面発光レーザーアレイを挿入できるため、光記録ヘ
ッドを、薄型化することが可能となった。記録媒体７３
１は透明基板７３２上に設けられている。記録媒体は光
により加熱され、磁界を印加することで磁化方向を任意
に変化することが可能な光磁気記録材料からなる。プロ
ーブ１、２、３裏面の面発光レーザー１、２、３（７１
１、７１２、７１３）から放射したレーザー光はプロー
ブ１、２、３を通じて、光プローブの基板表面から０．
１μｍ以下のごく近傍にエバネッセント光と呼ばれる光
がにじみ出している。
逆側は微小開口径よりも大きな（〜数μｍ）開口を有し
ている。このため、微小開口の背後にスペースをとるこ
とができ、光導波路等を用いることなく、面発光レーザ
ー等光検出機構を近傍に配置することができるため、光
検出機構とのハイブリッド化が可能となった。また、凹
部に面発光レーザーアレイを挿入できるため、光記録ヘ
ッドを、薄型化することが可能となった。記録媒体７３
１は透明基板７３２上に設けられている。記録媒体は光
により加熱され、磁界を印加することで磁化方向を任意
に変化することが可能な光磁気記録材料からなる。プロ
ーブ１、２、３裏面の面発光レーザー１、２、３（７１
１、７１２、７１３）から放射したレーザー光はプロー
ブ１、２、３を通じて、光プローブの基板表面から０．
１μｍ以下のごく近傍にエバネッセント光と呼ばれる光
がにじみ出している。
【００２０】このとき、複数のプローブ１〜３（７０１
〜７０３）の基板表面が記録媒体に接触するように配置
すると、このエバネッセント光１（７１１）、２（７１
２）、３（７１３）が記録媒体表面を加熱する。図には
示されていないが、透明基板７３２の下部に設けたコイ
ルにより磁界を発生させることにより、エバネッセント
光により加熱された部分の記録媒体の磁化方向が磁界に
揃い記録ピットが形成される。コイルからの磁界の方向
を反転させることにより磁化方向が反転できる。外部か
らの記録信号を面発光レーザーアレイに入力し、面発光
レーザー１、２、３を個別に発振し、レーザー光を独立
に放射することで、エバネッセント光を放射するマルチ
の光記録ヘッドとなる光プローブを作製することが可能
となった。
〜７０３）の基板表面が記録媒体に接触するように配置
すると、このエバネッセント光１（７１１）、２（７１
２）、３（７１３）が記録媒体表面を加熱する。図には
示されていないが、透明基板７３２の下部に設けたコイ
ルにより磁界を発生させることにより、エバネッセント
光により加熱された部分の記録媒体の磁化方向が磁界に
揃い記録ピットが形成される。コイルからの磁界の方向
を反転させることにより磁化方向が反転できる。外部か
らの記録信号を面発光レーザーアレイに入力し、面発光
レーザー１、２、３を個別に発振し、レーザー光を独立
に放射することで、エバネッセント光を放射するマルチ
の光記録ヘッドとなる光プローブを作製することが可能
となった。
【００２１】また、複数の微小開口を平坦な基板表面に
形成できることにより、複数のプローブを容易に、同時
に記録媒体表面に近づけることが可能であった。図中、
不図示であるがｘｙアクチュエータを用い、複数プロー
ブ１〜３に対し記録媒体７３１を試料面内方向（図中ｘ
ｙ方向）に２次元の相対走査を行い、試料７３１表面に
記録ピットを形成することができた。実施例１の図４に
示した近視野光学顕微鏡を用いて透明基板７３２に、実
施例１と同様に背後から記録媒体７３１の表面において
全反射の条件になるような角度で光を入射し記録媒体７
３１表面からのエバネッセント光を観察したところ、記
録ピットが形成できていることを確認した。
形成できることにより、複数のプローブを容易に、同時
に記録媒体表面に近づけることが可能であった。図中、
不図示であるがｘｙアクチュエータを用い、複数プロー
ブ１〜３に対し記録媒体７３１を試料面内方向（図中ｘ
ｙ方向）に２次元の相対走査を行い、試料７３１表面に
記録ピットを形成することができた。実施例１の図４に
示した近視野光学顕微鏡を用いて透明基板７３２に、実
施例１と同様に背後から記録媒体７３１の表面において
全反射の条件になるような角度で光を入射し記録媒体７
３１表面からのエバネッセント光を観察したところ、記
録ピットが形成できていることを確認した。
【００２２】［実施例４］実施例４は、本発明の第２の
形態の光プローブの製造方法について実施したものであ
り、その製造方法を図６、図７を用いて説明する。基板
厚みが５２５μｍで結晶方位面が＜１００＞のｐ型で抵
抗率が１〜１０Ω・ｃｍのシリコン基板３１上にフォト
リソグラフィプロセスを用いて図６（ａ）に示すフォト
レジスト３２のパターンを形成する。パターン寸法は２
０μｍ角とした。該フォトレジスト３２をマスクとし
て、イオン注入装置を用いて燐（Ｐ）をシリコン基板表
面に注入し、フォトレジストを除去した後に、熱拡散し
不純物濃度が１×１０18（ｃｍ-3）のｎ型拡散層である
エッチング停止層２６を形成した（図６（ｂ））。ｎ型
拡散層とｐ型シリコン基板との界面にはｐｎ接合が形成
された。後工程にてスルーホールを形成するモノシラン
ガスとジボランガスを用いて誘導加熱式エピタキシャル
成長装置によりｐ型のエピタキシャル層３３を１５μｍ
形成した。次に、酸素と水素の混合ガスを用いて、エピ
タキシャル層及びシリコン基板裏面に二酸化シリコン膜
３４を１μｍ成膜し、裏面の二酸化シリコンをフォトリ
ソグラフィプロセスとバッファード弗酸によるエッチン
グにて一部を除去しシリコンを露出させマスク３５を形
成した（図６（ｃ））。この後、濃度２２％のＴＭＡＨ
水溶液にて液温度８０℃で、ｎ型拡散層にプラスの直流
電圧を印加した状態で基板を結晶軸異方性エッチングす
る、所謂ｐｎ接合エッチングを行った。電圧を印加する
ことにより結晶異方性エッチングではｎ型拡散層はエッ
チングされない。これにより（１１１）の結晶面からな
る面で囲まれた台形状の凹部２２を形成した（図６
（ｄ））。さらに、異方性エッチングを続けることによ
り、エッチング停止層中の未注入部からエピタキシャル
層をエッチングし、図６（ｅ）のピット３６を形成し
た。ピット先端上部にはエピタキシャル層がある。ピッ
トは（１１１）の結晶面にて囲まれたピラミッド形状を
している。ピットを形成する時間は凹部を形成する時間
に比べて４０分の１程度の時間であり、長時間のエッチ
ングに伴う（１１１）面のエッチングによるピット寸法
が拡大することを低減できている。
形態の光プローブの製造方法について実施したものであ
り、その製造方法を図６、図７を用いて説明する。基板
厚みが５２５μｍで結晶方位面が＜１００＞のｐ型で抵
抗率が１〜１０Ω・ｃｍのシリコン基板３１上にフォト
リソグラフィプロセスを用いて図６（ａ）に示すフォト
レジスト３２のパターンを形成する。パターン寸法は２
０μｍ角とした。該フォトレジスト３２をマスクとし
て、イオン注入装置を用いて燐（Ｐ）をシリコン基板表
面に注入し、フォトレジストを除去した後に、熱拡散し
不純物濃度が１×１０18（ｃｍ-3）のｎ型拡散層である
エッチング停止層２６を形成した（図６（ｂ））。ｎ型
拡散層とｐ型シリコン基板との界面にはｐｎ接合が形成
された。後工程にてスルーホールを形成するモノシラン
ガスとジボランガスを用いて誘導加熱式エピタキシャル
成長装置によりｐ型のエピタキシャル層３３を１５μｍ
形成した。次に、酸素と水素の混合ガスを用いて、エピ
タキシャル層及びシリコン基板裏面に二酸化シリコン膜
３４を１μｍ成膜し、裏面の二酸化シリコンをフォトリ
ソグラフィプロセスとバッファード弗酸によるエッチン
グにて一部を除去しシリコンを露出させマスク３５を形
成した（図６（ｃ））。この後、濃度２２％のＴＭＡＨ
水溶液にて液温度８０℃で、ｎ型拡散層にプラスの直流
電圧を印加した状態で基板を結晶軸異方性エッチングす
る、所謂ｐｎ接合エッチングを行った。電圧を印加する
ことにより結晶異方性エッチングではｎ型拡散層はエッ
チングされない。これにより（１１１）の結晶面からな
る面で囲まれた台形状の凹部２２を形成した（図６
（ｄ））。さらに、異方性エッチングを続けることによ
り、エッチング停止層中の未注入部からエピタキシャル
層をエッチングし、図６（ｅ）のピット３６を形成し
た。ピット先端上部にはエピタキシャル層がある。ピッ
トは（１１１）の結晶面にて囲まれたピラミッド形状を
している。ピットを形成する時間は凹部を形成する時間
に比べて４０分の１程度の時間であり、長時間のエッチ
ングに伴う（１１１）面のエッチングによるピット寸法
が拡大することを低減できている。
【００２３】次に、図６（ｅ）の基板の両面の二酸化シ
リコンをバファード弗酸により除去した。ＣＦ4を用い
た反応性イオンエッチングにより基板表面よりエッチン
グを行い図７（ｆ）のスルーホール２３を形成すること
で基板表面に微小開口２４が形成できた。最後に、基板
の裏面に光透過防止層２５となるＡｌを１０ｎｍスッパ
タ法により成膜し複数の微小開口を有する光プローブを
形成した（図７（ｇ））。本実施例では微小開口を１次
元に３個配列した光プローブを作製した。作製した光プ
ローブの各開口の大きさを、走査型電子顕微鏡により観
察測定したところ、全ての微小開口の開口径は４０ｎｍ
以下であった。
リコンをバファード弗酸により除去した。ＣＦ4を用い
た反応性イオンエッチングにより基板表面よりエッチン
グを行い図７（ｆ）のスルーホール２３を形成すること
で基板表面に微小開口２４が形成できた。最後に、基板
の裏面に光透過防止層２５となるＡｌを１０ｎｍスッパ
タ法により成膜し複数の微小開口を有する光プローブを
形成した（図７（ｇ））。本実施例では微小開口を１次
元に３個配列した光プローブを作製した。作製した光プ
ローブの各開口の大きさを、走査型電子顕微鏡により観
察測定したところ、全ての微小開口の開口径は４０ｎｍ
以下であった。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、以上のように、複数のスルー
ホールを該スルーホールの開口径に比して大きい開口径
を有する基板裏面の凹部内に設け、このスルーホールに
より基板表面に微小開口を形成することによって、この
凹部内に設けたスルーホール同士の間隔を狭めることが
可能となり高密度に微小開口を基板表面に形成すること
ができる。また、本発明は、上記した構成により、複数
の微小開口を平坦な基板表面に形成することができ、複
数の光プローブを容易に、同時に試料表面に近づけるこ
とが可能となる。また、本発明は、上記した構成によ
り、スルーホールの裏面に光検出手段や光照射手段を直
接接続することができ、光接続が容易となる。また、本
発明は、上記した構成により、凹部に光検出手段や光照
射手段を設け光プローブのサイズを薄型化することがで
きる。また、本発明の光プローブの製造方法において、
基板に単結晶シリコンを用い、結晶異方性エッチングを
用いる手段を採用することにより、スルーホールを形成
し、光プローブの開口形状が均一かつ該開口が微小な光
プローブを形成することができる。また、本発明の光プ
ローブの製造方法において、凹部の深さの制御に、エッ
チング停止層を設ける手段を採用することにより、基板
表面の微小開口の寸法を精度よく作製することが可能と
なる。また、本発明の光プローブの製造方法において、
エッチングによりピラミッド状のピットを形成した後
に、基板の表面をエッチングしスルーホールの微小開口
を開ける手段を採用することにより、再現性の高い微小
開口アレイを形成することが可能となる。また、本発明
の光プローブを用いて、独立に光検出が可能な光検出手
段を有する光プローブを形成することができ、それによ
りマルチのＳＮＯＭプローブを有する近接場光顕微鏡を
構成することができる。また、本発明の光プローブを用
いて、独立にエバネッセント光照射が可能な光プローブ
を形成することができる。
ホールを該スルーホールの開口径に比して大きい開口径
を有する基板裏面の凹部内に設け、このスルーホールに
より基板表面に微小開口を形成することによって、この
凹部内に設けたスルーホール同士の間隔を狭めることが
可能となり高密度に微小開口を基板表面に形成すること
ができる。また、本発明は、上記した構成により、複数
の微小開口を平坦な基板表面に形成することができ、複
数の光プローブを容易に、同時に試料表面に近づけるこ
とが可能となる。また、本発明は、上記した構成によ
り、スルーホールの裏面に光検出手段や光照射手段を直
接接続することができ、光接続が容易となる。また、本
発明は、上記した構成により、凹部に光検出手段や光照
射手段を設け光プローブのサイズを薄型化することがで
きる。また、本発明の光プローブの製造方法において、
基板に単結晶シリコンを用い、結晶異方性エッチングを
用いる手段を採用することにより、スルーホールを形成
し、光プローブの開口形状が均一かつ該開口が微小な光
プローブを形成することができる。また、本発明の光プ
ローブの製造方法において、凹部の深さの制御に、エッ
チング停止層を設ける手段を採用することにより、基板
表面の微小開口の寸法を精度よく作製することが可能と
なる。また、本発明の光プローブの製造方法において、
エッチングによりピラミッド状のピットを形成した後
に、基板の表面をエッチングしスルーホールの微小開口
を開ける手段を採用することにより、再現性の高い微小
開口アレイを形成することが可能となる。また、本発明
の光プローブを用いて、独立に光検出が可能な光検出手
段を有する光プローブを形成することができ、それによ
りマルチのＳＮＯＭプローブを有する近接場光顕微鏡を
構成することができる。また、本発明の光プローブを用
いて、独立にエバネッセント光照射が可能な光プローブ
を形成することができる。
【図１】本発明の光プローブの断面図である。
【図２】本発明の実施例１の第１の光プローブの作製工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例１の第１の光プローブの作製工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図４】本発明の光検出手段を有する光プローブを用い
た近視野光学顕微鏡を説明する構成図である。
た近視野光学顕微鏡を説明する構成図である。
【図５】本発明の光照射手段を有する光プローブを用い
た情報記録装置を説明する構成図である。
た情報記録装置を説明する構成図である。
【図６】本発明の実施例４である第２の光プローブの作
製工程を示す断面図である。
製工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例４である第２の光プローブの作
製工程を示す断面図である。
製工程を示す断面図である。
１：基板 ２、２２：凹部 ３、２３：スルーホール ４、２４：微小開口 ５、２５：光透過防止層 ６、２６：エッチング停止層 １１、３１：シリコン基板 １２、３２：フォトレジスト １３、３３：エピタキシャル層 １４、３４：二酸化シリコン膜 １５、３５：マスク層 １６、３６：ピット １７：二酸化シリコン ６０１、６０２、６０３：ＳＮＯＭプローブ１、２、３ ６１１、６１２、６１３：エバネッセント光１、２、３ ６２０：ＣＣＤ ６２１、６２２、６２３：フォトセンサ１、２、３ ６２４：隔壁 ６３１：試料 ６３２：透明基板 ６３３：光 ７０１、７０２、７０３：プローブ１、２、３ ７１１、７１２、７１３：レーザー光１、２、３ ７２０：面発光レーザーアレイ ７２１、７２２、７２３：面発光レーザー１、２、３ ７２４：隔壁 ７４１、７４２、７４３：エバネッセント光１、２、３ ７３１：記録媒体 ７３２：透明基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 勉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (23)
- 【請求項１】基板と、該基板に形成された複数の光導波
路用のスルーホールからなる光検出または照射用の光プ
ローブであって、前記複数のスルーホールが前記基板の
裏面に形成された凹部内に設けられ、該スルーホールの
基板裏面の開口径を基板表面の開口径に比して大きくし
たことを特徴とする光プローブ。 - 【請求項２】前記基板表面の開口径が、１００［ｎｍ］
以下であることを特徴とする請求項１に記載の光プロー
ブ。 - 【請求項３】前記スルーホールは、その壁面に光透過防
止膜が形成されていることを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の光プローブ。 - 【請求項４】前記基板が、単結晶シリコンよりなること
を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載
の光プローブ。 - 【請求項５】光検出手段を有する光プローブであって、
該光プローブが請求項１〜請求項４のいずれか１項に記
載の光プローブからなり、該光プローブの基板裏面に前
記光検出手段が設けられていることを特徴とする光プロ
ーブ。 - 【請求項６】前記光検出手段が、前記プローブの複数の
スルーホールを通った光を夫々独立に検出する複数の光
検出手段からなり、該複数の光検出手段が前記複数のス
ルーホールの位置に対応して対向配置されてなることを
特徴とする請求項５に記載の光プローブ。 - 【請求項７】前記光検出手段が、前記基板裏面の凹部に
配置されていることを特徴とする請求項６に記載の光プ
ローブ。 - 【請求項８】前記光検出手段が、ＣＣＤからなることを
特徴とする請求項６または請求項７に記載の光プロー
ブ。 - 【請求項９】光照射手段を有する光プローブであって、
該光プローブが請求項１〜請求項４のいずれか１項に記
載の光プローブからなり、該光プローブの基板裏面に前
記光照射手段が設けられていることを特徴とする光プロ
ーブ。 - 【請求項１０】前記発光手段が、複数のスルーホールに
夫々独立に光を照射する複数の発光手段からなり、該複
数の発光手段が前記複数のスルーホールの位置に対応し
て対向配置されてなることを特徴とする請求項９に記載
の光プローブ。 - 【請求項１１】前記発光手段が、前記基板裏面の凹部に
配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の光
プローブ。 - 【請求項１２】前記発光手段が、面発光レーザーよりな
ることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載
の光プローブ。 - 【請求項１３】試料面内で該試料面と対向する垂直な方
向にプローブと該試料とを相対移動させ、該プローブに
より光の強度を検出するようにした近視野光学顕微鏡に
おいて、前記プローブが請求項５〜請求項８のいずれか
１項に記載の光プローブを備え、該プローブ先端におも
て面を対向して配置された試料の裏面から光照射して、
該プローブのスルーホールにより形成された基板表面の
微小開口を通った光の強度を、前記光プローブの光検出
手段によって検出することを特徴とする近視野光学顕微
鏡。 - 【請求項１４】光検出または照射用の光プローブの製造
方法であって、 （ａ）基板の裏面に凹部を形成する工程と、 （ｂ）前記凹部にエッチングによりスルーホールを形成
する工程と、 （ｃ）前記スルーホールの壁面に光透過防止膜を形成す
る工程と、 を少なくとも有することを特徴とする光プローブの製造
方法。 - 【請求項１５】前記基板には、凹部を形成するためのエ
ッチング停止層が形成されていることを特徴とする請求
項１４に記載の光プローブの製造方法。 - 【請求項１６】前記エッチング停止層には、その一部に
スルーホール形成用の開口部が設けられていることを特
徴とする請求項１５に記載の光プローブの製造方法。 - 【請求項１７】前記基板が、単結晶シリコンよりなるこ
とを特徴とする請求項１４〜請求項１６のいずれか１項
に記載の光プローブの製造方法。 - 【請求項１８】前記エッチングが、結晶軸異方性エッチ
ングであることを特徴とする請求項１７に記載の光プロ
ーブの製造方法。 - 【請求項１９】前記光透過防止膜が、金属よりなること
を特徴とする請求項１４に記載のプローブの製造方法。 - 【請求項２０】請求項１４に記載の（ｂ）の工程が、エ
ッチングによりピラミッド状のピットを形成した後に、
基板の表面をエッチングしスルーホールの微小開口を開
ける工程を含むことを特徴とする請求項１８に記載の光
プローブの製造方法。 - 【請求項２１】前記基板の表面のエッチングが、基板を
酸化ガスを用いて酸化し、二酸化シリコンを形成し、該
二酸化シリコンをエッチングする犠牲エッチングを用い
ることにより行うことを特徴とする請求項２０に記載の
光プローブの製造方法。 - 【請求項２２】光検出または照射用のプローブの製造に
用いる基板であって、該基板が単結晶シリコンよりな
り、前記基板がスルーホール形成用の開口部を有する埋
込み層と、該埋め込み層の上部にスルーホールが形成さ
れるエピタキシャル層を設けたことを特徴する光検出ま
たは照射用の光プローブに用いる基板。 - 【請求項２３】前記埋め込み層が、高濃度ｐ型不純物を
拡散して形成されており、該不純物の濃度が１０19（ｃ
ｍ-3）以上であることを特徴とする請求項２２に記載の
光検出または照射用のプローブの製造に用いる基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272600A JPH11166935A (ja) | 1997-09-25 | 1998-09-09 | 光検出または照射用の光プローブと該プローブを備えた近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製造に用いる基板 |
| US09/158,494 US6215114B1 (en) | 1997-09-25 | 1998-09-23 | Optical probe for detecting or irradiating light and near-field optical microscope having such probe and manufacturing method of such probe |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27828497 | 1997-09-25 | ||
| JP9-278284 | 1997-09-25 | ||
| JP10272600A JPH11166935A (ja) | 1997-09-25 | 1998-09-09 | 光検出または照射用の光プローブと該プローブを備えた近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製造に用いる基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11166935A true JPH11166935A (ja) | 1999-06-22 |
| JPH11166935A5 JPH11166935A5 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=26550286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10272600A Withdrawn JPH11166935A (ja) | 1997-09-25 | 1998-09-09 | 光検出または照射用の光プローブと該プローブを備えた近視野光学顕微鏡、及該光プローブの製造方法とその製造に用いる基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6215114B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11166935A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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