JPH11167213A - 電子写真感光体及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を有し、デジタ
ル式の電子写真法に好適で、高性能かつ高寿命で実用性
能に優れた電子写真感光体の提供。 【解決手段】 帯電電位を５０％減衰させるのに要する
露光量（Ｅ５０％）と、１０％減衰させるのに要する露
光量（Ｅ１０％）との比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）が５未
満であり、暗電荷量が０．５ｍＣ／ｍ² 以下であること
を特徴とする電子写真感光体である。前記比が３未満で
ある態様、前記暗電荷量が０．２ｍＣ／ｍ ² 以下である
態様、導電性支持体上に、電荷発生層と、電荷発生材料
を含まずかつ電気的不活性マトリックス中に電荷輸送性
ドメインが分散されてなる不均一電荷輸送層とを有する
態様、前記不均一電荷輸送層が、互いに非相溶性である
電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックとを含む相分離性
のブロック共重合体及びグラフト共重合体のいずれかを
含んでなる態様などが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓ字型の光誘起電
位減衰特性を有し、デジタル式の電子写真法に好適であ
り、高性能かつ高寿命で実用性能に優れた電子写真感光
体、及び該Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を有する電子写
真感光体を用いることにより、耐久性に優れ、高品質な
画質を形成できるデジタル式の電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真技術は、高速、高印字品
質が得られる等の利点を有するために、複写機、プリン
ター、ファクシミリ等の分野において、中心的役割を果
たしている。電子写真技術において用いられる電子写真
感光体としては、従来からセレン、セレン−テルル合
金、セレン−ヒ素合金等の無機光導電性材料を用いた無
機系電子写真感光体が広く知られている。一方、これら
の無機系電子写真感光体に比べ、コスト、製造性、廃棄
性等の点で優れた利点を有する有機光導電性材料を用い
た有機系電子写真感光体の研究も活発化し、現在では前
記無機系電子写真感光体を凌駕するに至っている。

【０００３】特に、光電導の素過程である光電荷発生と
電荷輸送とをそれぞれ別々の層に担わせる機能分離型積
層構造の電子写真感光体が開発されたことにより、材料
選択の自由度が増し、著しい性能の向上を遂げ、現在で
はこの機能分離型積層構造の有機系電子写真感光体が主
流となっている。というのも、電荷発生能と電荷輸送能
との両方に優れた材料は希有であり、また、そのような
材料の設計開発も困難であったが、一方のみ優れた材料
ならば設計開発も容易であり、各機能に優れた材料を併
用して機能分離型積層構造とすることで、高性能な電子
写真感光体を得ることが可能となったからである。

【０００４】前記機能分離型積層構造の電子写真感光体
は、電荷発生層と電荷輸送層とを有するが、前記電荷発
生層としては、例えば、キノン系顔料、ペリレン系顔
料、アゾ系顔料、フタロシアニン系顔料、セレン等の電
荷発生能に優れた顔料を蒸着等により直接成膜したも
の、あるいは高濃度で結着樹脂中に分散したものなどが
実用化されている。

【０００５】一方、前記電荷輸送層に含まれる電荷輸送
材料としては、ポリビニルカルバゾールが古くから知ら
れているが、これは、機械的強度が弱い、電荷移動度が
小さい、電荷注入性が低い、等の実用面における本質的
な問題を有していた。この本質的な問題を解決するた
め、前記電荷輸送層に要求される機能である電荷輸送能
と、成膜性、可撓性、強度等の機械的特性とを機能的に
分離することが考えられている。具体的には、前記電荷
輸送能と前記機械的特性とを、それぞれ別々の材料に担
わせ、例えば、トリアリールアミン系化合物、ヒドラゾ
ン系化合物、ベンジジン系化合物、ベンジジン系化合
物、スチルベン系化合物等の高い電荷輸送能を有する電
荷輸送性低分子化合物と、成膜性、可撓性、強度党の機
械的特性に優れたポリカーボネート等のバインダー樹脂
とからなる分子分散樹脂系複合材料を前記電荷輸送層と
して用いるのである。このような機能分離型の複合材料
は、近時、前記電荷輸送層の主流となってきている。

【０００６】ところで、従来の光学的に原稿を電子写真
感光体上に結像させて露光するアナログ方式の電子写真
式複写機に用いる電子写真感光体としては、濃度階調に
よる中間調の再現性を良好にするために、図１に示すよ
うな光誘起電位減衰特性を有すること、即ち、露光量に
対し比例的に電位減衰を起こす特性を有することが必要
とされていた。なお、このような「Ｊ」字型の光誘起電
位減衰特性を有する電子写真感光体は、「Ｊ字型の電子
写真感光体」と称されることがある。上述の無機系電子
写真感光体、機能分離型積層構造の有機系電子写真感光
体などは、総てこの「Ｊ字型の電子写真感光体」の範疇
に属する光誘起電位減衰特性を示す。

【０００７】しかしながら、近年の高画質化、高付加価
値化、ネットワーク化等の要請に伴い盛んに研究開発が
行われているデジタル方式の電子写真装置では、一般に
ドット等の面積率で階調を達成する面積階調方式を採用
するため、むしろ図２に示すような、ある露光量に達す
るまでは電位減衰せず、その露光量を越えると急峻な電
位減衰を示す光誘起電位減衰特性を有する電子写真感光
体を使用する方が、画素の鮮鋭度が高められる等の点か
ら好ましいと言える。なお、このような「Ｓ」字型の光
誘起電位減衰特性を有する電子写真感光体は、「Ｓ字型
の電子写真感光体」と称されることがある。

【０００８】前記Ｓ字型の光誘起電位減衰特性は、Ｚｎ
Ｏ等の無機顔料あるいはフタロシアニン等の有機顔料を
樹脂中に粒子分散してなる単層構造の電子写真感光体に
おいては公知の現象である［例えば、Ｒ．Ｍ．Ｓｃｈａ
ｆｆｅｒｔ：「Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｇｒａｐｈ
ｙ」，Ｆｏｃａｌ Ｐｒｅｓｓ，ｐ．３４４（１９７
５）、Ｊ．Ｗ．Ｗｅｉｇｌ，Ｊ．Ｍａｍｍｉｎｏ，Ｇ．
Ｌ．Ｗｈｉｔｔａｋｅｒ，Ｒ．Ｗ．Ｒａｄｌｅｒ，Ｊ．
Ｆ．Ｂｙｒｎｅ：「Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｒｏｂｌｅｍｓ
ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｙ」，Ｗ
ａｌｔｅｒ ｄｅＧｒｕｙｔｅｒ，ｐ．２８７（１９７
２）］。特に、現在多用されている半導体レーザーの発
信波長である近赤外域に光感度を有するフタロシアニン
系顔料を、樹脂中に分散してなるレーザ露光用の単層構
造の電子写真感光体が、多数提案されている［例えば、
グエン・チャン・ケー，相沢；日本化学会誌，ｐ．３９
３（１９８６）、特開平１−１６９４５４号公報、同２
−２０７２５８、同３−３１８４７、同５−３１３３８
７］。

【０００９】しかしながら、これらの単層構造の電子写
真感光体では、以下のような問題がある。即ち、単一の
材料で電荷発生と電荷輸送との両機能を担わなければな
らない。前記両機能が共に優れた材料は、稀有であり、
実用に耐え得るものは未だ得られていないのが現状であ
る。特に顔料粒子は、一般的に多くのトラップレベルを
有するため、電荷輸送能が低かったり、電荷が残留する
等の欠点があり、これに電荷輸送能を担わせるのは不適
当である。

【００１０】したがって、これらの問題を根本的に解決
し、材料選択の自由度を上げ、ひいては総合的な電子写
真感光体の特性を向上させるためには、前記Ｓ字型の電
子写真感光体においても、機能分離型積層構造の導入が
不可欠である。

【００１１】Ｄ．Ｍ．Ｐａｉ等は、電荷発生層と電荷輸
送層とからなる積層構造の電子写真感光体において、前
記電荷輸送層として、少なくとも２つの電荷輸送領域及
び１つの電気的不活性領域を含み、該電荷輸送領域が互
いに接触して回旋状電荷輸送路を形成してなる不均一電
荷輸送層を用いることにより、任意の電荷発生層との組
み合わせにおいても前記Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を
実現できることを報告している（特開平６−８３０７７
号公報（米国特許第５３０６５８６号明細書）参照）。
また、本発明者らは、電荷発生層、不均一電荷輸送層及
び均一電荷輸送層の３層構造の電子写真感光体が、前記
Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を示すことを報告してい
る。

【００１２】光誘起電位減衰特性をＳ字型にする（以下
「Ｓ字型化」と称することがある）機能を担う不均一電
荷輸送層の具体例としては、例えば、特開平６−８３０
７７号公報において、フタロシアニン顔料による顔料樹
脂分散膜及びポリ（ビニルカルバゾール−ｂ−ドデシル
メタクリレート）相分離系ブロック共重合体が開示され
ている。また、特開平９−９６９１４号公報において、
六方晶セレン顔料による顔料樹脂分散膜が更に開示され
ている。

【００１３】Ｄ．Ｍ．Ｐａｉ等及び本発明者等の発明の
ように、ポリ（ビニルカルバゾール−ｂ−ドデシルメタ
クリレート）相分離系ブロック共重合体を、前記不均一
電荷輸送層とするもの、及び、顔料樹脂分散膜を前記不
均一電荷輸送層としかつ均一電荷輸送層を併設したもの
は、従来における単層構造のＳ字型の光誘起電位減衰特
性を有する電子写真感光体に比べ、著しい安定性の向上
を達成しているのの、実用性能の更なる向上が望まれて
いる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来に
おける諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課
題とする。即ち、本発明は、Ｓ字型の光誘起電位減衰特
性を有し、デジタル式の電子写真法に好適であり、高性
能かつ高寿命で実用性能に優れた電子写真感光体を提供
することを目的とする。また、本発明は、該Ｓ字型の光
誘起電位減衰特性を有する電子写真感光体を用いること
により、耐久性に優れ、高品質な画質を形成できるデジ
タル式の電子写真装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段は以下の通りである。即ち、 ＜１＞ 帯電電位を５０％減衰させるのに要する露光量
（Ｅ５０％）と、１０％減衰させるのに要する露光量
（Ｅ１０％）との比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）が５未満で
あり、暗電荷量が０．５ｍＣ／ｍ² 以下であることを特
徴とする電子写真感光体である。 ＜２＞ 比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）が３未満である前記
＜１＞に記載の電子写真感光体である。 ＜３＞ 暗電荷量が０．２ｍＣ／ｍ² 以下である前記＜
１＞又は＜２＞に記載の電子写真感光体である。 ＜４＞ 導電性支持体上に、電荷発生層と、電荷発生材
料を含まずかつ電気的不活性マトリックス中に電荷輸送
性ドメインが分散されてなる不均一電荷輸送層とを有す
る前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電子写真感
光体である。 ＜５＞ 不均一電荷輸送層が、互いに非相溶性である電
荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックとを含む相分離性の
ブロック共重合体及びグラフト共重合体のいずれかを含
んでなる前記＜４＞に記載の電子写真感光体である。 ＜６＞ 電荷発生層がｎ型顔料を電荷発生物質として含
有し、不均一電荷輸送層がホール輸送性である前記＜４
＞又は＜５＞に記載の電子写真感光体である。 ＜７＞ 電荷発生層の厚みが０．３μｍ以下である前記
＜４＞から＜６＞のいずれかに記載の電子写真感光体で
ある。 ＜８＞ 導電性支持体と、電荷発生層及び不均一電荷輸
送層のいずれかとの間に下引き層を有する前記＜４＞か
ら＜７＞のいずれかに記載の電子写真感光体である。 ＜９＞ 前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の電子
写真感光体と、該電子写真感光体に対し、デジタル処理
された画像信号に基づき露光を行う露光手段とを少なく
とも備えたことを特徴とする電子写真装置である。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の電子写真感光体は、Ｓ字
型の光誘起電位減衰特性を有する電子写真感光体であ
る。

【００１７】Ｓ字型の光誘起電位減衰特性が発現する機
構に関しては、トラップ説（例えば、北村、小門：電子
写真学会誌，Vol. 20, P.60(1982) ）、回旋状電導説
（例えば、D.M.Pai 等の上記特許）等、幾つかの説が提
唱されているものの、未だ確立された説は存在しない。
これまでにＳ字型の光誘起電位減衰特性を有する電子写
真感光体として報告されている、前記従来における顔料
樹脂分散型単層構造の電子写真感光体、D.M.Pai 等の電
荷発生層及び均一電荷輸送層からなる積層構造の電子写
真感光体においては、少なくとも電荷発生領域に隣接す
る電荷輸送領域の電荷輸送路が電気的不活性マトリック
ス中に電荷輸送性ドメインが分散されてなる不均一な構
造を有するものであるという共通点がある。なお、ここ
でいう「電気的不活性」とは、その輸送エネルギーレベ
ルが、電荷輸送ドメインの輸送エネルギーレベルから大
きくかけ離れており、通常の電界強度で、実質的に輸送
電荷が注入されることがなく、輸送電荷にとって事実上
電気的絶縁状態にあることを意味する。

【００１８】D.M.Pai 等の回旋状電導説によれば、Ｓ字
型の光誘起電位減衰が起こる過程は、以下のように推測
される。即ち、先ず、不均一電荷輸送層では、電気的不
活性マトリックス中に分散された電荷輸送性ドメインが
互いに接触し、回旋状の電荷輸送路を形成しているもの
と考える。この場合、電子写真感光体が帯電され感光層
に高電界が印加されると、露光により電荷発生層で発生
した電荷は、電界によるクーロン力により該電界に沿っ
て該電荷発生層から前記不均一電荷輸送層に注入され、
前記電荷輸送性ドメイン中を電界方向に移動する。

【００１９】前記電荷は、電荷輸送性ドメインの末端凸
部に到達したところで、電気的不活性マトリックスの障
壁に出会い、電界により移動方向が規制されているた
め、ここで該電荷の移動は一端停止することになる。こ
の間の移動距離が感光層の全膜厚に対して十分小さけれ
ば、この間の電位減衰は無視できるものとなる。殆ど総
ての表面電荷に相当する電荷が注入された後は、該注入
電荷の近傍での表面に垂直な局部的電界は無視できる程
小さくなり、停止していた電荷は電界による束縛を逃
れ、表面に垂直な方向以外の方向に拡散することが可能
となり、回旋状に連なる連結路を辿って最初に電荷が停
止された所よりも深部に達する。この深部において、先
程と同様に電荷は、再び十分な高電界に晒され電荷輸送
性ドメイン内を電界方向に沿って電荷移動し、再び電気
的不活性マトリックスの障壁に出会い、移動を停止す
る。

【００２０】ところが、同様な他の電荷の移動で電界強
度は低下しているので、より多くの電荷が、回旋状電荷
輸送路を通り、次の障壁まで達する。このようにして、
前記電荷の移動は、カスケード的に起こり、Ｓ字型の光
誘起電位減衰特性が発現される。ここで、電界により移
動方向が規制された上記電荷輸送性ドメインの末端凸部
は、一種のトラップと捉えることができる（以下「構造
的トラップ」と称する）。一般のエネルギーレベル差に
起因するトラップ（以下「エネルギートラップ」と称す
る）では、電界強度の増大と共に該エネルギートラップ
からの脱出確率がプール−フランケル効果により増加す
るという特長を有するのに対し、前記構造的トラップで
は、上述の機構から、電界強度の低下と共に脱出確率が
増加するという特長を有する。

【００２１】また、上記機構から明らかな通り、Ｓ字型
の光誘起電位減衰特性を有する電子写真感光体において
は、暗電荷が存在すると、該暗電荷も前記構造トラップ
に捕獲され得るため、帯電時に該暗電荷が蓄積され、光
感度に影響を及ぼすことになる。なお、ここでいう「暗
電荷」とは、帯電時に電子写真感光体中に存在する電荷
のことをいい、熱及び／又は電界励起により発生した電
荷に加え、前回の露光時に発生し残存していた電荷、導
電性基板等から注入された電荷等をも含む。前記暗電荷
の蓄積量は、繰り返し使用や環境によって変動するた
め、暗電荷量が多い場合には、繰り返し安定性の低下、
環境安定性の低下、環境安定性等に大きな悪影響をもた
らすことになる。

【００２２】本発明の電子写真感光体は、暗電荷量が
０．５ｍＣ／ｍ² 以下である必要があり、０．２ｍＣ／
ｍ² 以下であるのが好ましく、０．１ｍＣ／ｍ² 以下で
あるのがより好ましい。前記暗電荷量が、０．５ｍＣ／
ｍ² を上回ると、上述の暗電荷に関する諸問題が発生す
ることがあり、特に０．８ｍＣ／ｍ² を上回ると顕著で
ある。一方、上述の暗電荷に関する諸問題は、前記暗電
荷量が、０．５ｍＣ／ｍ² 以下であれば顕在化し難く、
０．２ｍＣ／ｍ² 以下であれば確実に回避でき、更に
０．１ｍＣ／ｍ² 以下であればより効果的である点で好
ましい。なお、前記暗電荷量の下限値は小さい程好まし
く、０ｍＣ／ｍ² であるこのが好ましい。

【００２３】前記暗電荷量は、例えば、以下のようにし
て測定することができる。即ち、前記電子写真感光体を
搭載する電子写真装置における画像形成サイクルと同じ
タイミングにて、該電子写真感光体への帯電、除電等を
繰り返し行う。ここで、帯電電位のみを変化させ、その
時の現像位置における電位と電子写真感光体への流し込
み電荷量とを測定する。そして、電位（Ｖ）を縦軸と
し、電荷量（Ｑ）を横軸として、結果をプロットした時
（以下、該プロットを「Ｑ−Ｖカーブ」と称することが
ある。）、帯電電位が立ち上がる電荷量が「暗電荷量」
に相当する（該プロットの直線部分の横軸への外挿点と
して求める。）。

【００２４】図８に、暗電荷量が多い、単層構造のＳ字
型感光体において観られる前記Ｑ−Ｖカーブと、それか
ら暗電荷量を求める方法を示す。このＱ−Ｖカーブにお
いては、およそ０．８ｍＣ／ｍ² から帯電電位が立ち上
がっており、直線領域の横軸への外挿点として、暗電荷
量は０．８１ｍＣ／ｍ² と決定される。

【００２５】なお、前記光誘起電位減衰特性のＳ字性の
尺度には、例えば、帯電電位を５０％減衰させるのに要
する露光量（Ｅ５０％）と、１０％減衰させるのに要す
る露光量（Ｅ１０％）との比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）を
用いることができる。理想的なＪ字型の電子写真感光体
では、電界強度の低下に伴い、電荷発生効率及び／又は
電荷輸送能が低下するため、前記比（Ｅ５０％／Ｅ１０
％）の値は、５を越える値を示す。一方、究極のＳ字型
の光誘起電位減衰曲線では、即ち、特定の露光量までは
全く電位減衰せず、該特定の露光量において一気に残留
電位レベルまで電位が減衰する階段状の光誘起電位減衰
曲線では、前記比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）の値は１とな
る。したがって、Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を有する
電子写真感光体は、前記比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）の値
が１以上５未満であり、前記比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）
の値が１に近づく程、Ｓ字性が高くなることを意味す
る。

【００２６】本発明の電子写真感光体は、Ｓ字型の光誘
起電位減衰特性を有する電子写真感光体であるので、帯
電電位を５０％減衰させるのに要する露光量（Ｅ５０
％）と、１０％減衰させるのに要する露光量（Ｅ１０
％）との比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）が５未満であること
が必要であり、３未満であるのが好ましい。

【００２７】本発明の電子写真感光体は、前記比（Ｅ５
０％／Ｅ１０％）が５未満であり、前記暗電荷量が０．
５ｍＣ／ｍ² 以下である限り、他の構成等については特
に制限はなく、本発明の目的を害しない範囲において適
宜選択することができる。

【００２８】但し、前記暗電荷量を０．５ｍＣ／ｍ² 以
下とするには、従来における単層構造の電子写真感光体
で用いる材料では容易ではなく、前記暗電荷量の少ない
顔料、前記暗電荷量を低減させる添加剤等の開発・改良
を行い、これらを用いることが必要となる。また、フタ
ロシアニン顔料樹脂分散膜又は六方晶セレン顔料樹脂分
散膜を不均一電荷輸送層とする、従来における積層構造
の電子写真感光体も同様に、前記暗電荷量の少ない顔料
等を開発・改良し、それを用いるか、あるいは均一電荷
発生層を設けると共に不均一電荷輸送層の厚みを極端に
薄くすることが必要がある。

【００２９】更に、従来における、Ｓ字型の光誘起電位
減衰特性を有する積層構造の電子写真感光体であって、
ポリ（ビニルカルバゾール−ｂ−ドデシルメタクリレー
ト）相分離系ブロック共重合体を不均一電荷輸送層に用
いた電子写真感光体の場合でも、該ポリ（ビニルカルバ
ゾール−ｂ−ドデシルメタクリレート）相分離系ブロッ
ク共重合体自身は、暗電荷を持たず有利であるが、電荷
輸送を担うポリ（ビニルカルバゾールブロックのイオン
化ポテンシャルが非常に大きい。このため、一般の電荷
発生材料からの電荷注入には、エネルギー障壁が存在
し、前回の画像形成サイクルにおける露光及び／又は除
電光による発生電荷が界面に蓄積し、実効の暗電荷が
０．５ｍＣ／ｍ² を越えてしまうため、該ポリ（ビニル
カルバゾール−ｂ−ドデシルメタクリレート）相分離系
ブロック共重合体もではない。

【００３０】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
上に感光層を有してなり、更に必要に応じて本発明の目
的を害しない範囲内において適宜選択した下引き層、保
護層、中間層等のその他の層を有してなる。前記感光層
は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよ
いが、本発明においては機能分離型の積層構造の方が好
ましい。前記感光層が前記積層構造の場合、該感光層
は、電荷発生層と、不均一電荷輸送層とを少なくとも有
するのが好ましく、更に均一電荷輸送層を有していても
よい。

【００３１】前記不均一電荷輸送層の材料としては、前
記電荷発生層に含まれる電荷発生材料のイオン化ポテン
シャルに近いイオン化ポテンシャル値を有する、相分離
性の電荷輸送性ブロック共重合体及び／又はグラフト共
重合体が、前記暗電荷量を低くする観点からは好まし
い。

【００３２】前記相分離性のブロック共重合体及びグラ
フト共重合体は、互いに非相溶性である電荷輸送性ブロ
ックと絶縁性ブロックとを含む。

【００３３】前記電荷輸送性ブロックとしては、電荷輸
送性を有し、かつ前記電荷発生層からの電荷注入に大き
な障壁がない限り特に制限はないが、繰り返し構造単位
中に、アリールアミン構造、アリールヒドラゾン構造、
アルコキシアントラセン構造、アリールブタジエン構
造、シリレン構造、フラーレン構造、ジフェノキノン構
造、ニトロフルオレノン構造、芳香族イミド構造、フル
オレノマロノニトリル構造等の電荷輸送活性を有する構
造を含むのが好ましい。

【００３４】前記絶縁性ブロックとしては、輸送電荷に
対し、絶縁性である限り特に制限はないが、機械的強
度、可撓性、可視光及び赤外光透過性、化学的安定性、
絶縁性等の点で、特に下記一般式（１）で表されるビニ
ル系モノマーの少なくとも１種を重合して得られたもの
が好ましい。

【００３５】 Ｒ¹ Ｒ² Ｃ＝ＣＲ³ Ｒ⁴ ・・・一般式（１） 一般式（１）において、Ｒ¹ 〜Ｒ³ は、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、又は、置
換若しくは未置換のアリール基を表す。前記置換若しく
は未置換のアルキル基、及び、前記置換若しくは未置換
のアリール基の具体例としては、メチル基、エチル基、
トリル基、フェニル基などが挙げられる。

【００３６】Ｒ⁴ は、水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアリ
ール基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若し
くは未置換のアルコキシカルボニル基、置換若しくは未
置換のアシル基、又は、置換若しくは未置換のアシルオ
キシ基を表す。前記アルキル基、前記アルコキシ基、前
記アルコキシカルボニル基、前記アシル基及び前記アシ
ルオキシ基の炭素数としては１〜１８個が好ましい。前
記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ピレ
ニル等が挙げられる。また、置換基としては、例えば、
メチル基、エチル基、フェニル基、トリル基、メトキシ
基、エトキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ
基、アルコキシシリル基などが挙げられる。

【００３７】前記相分離性のブロック共重合体及びグラ
フト共重合体の好ましい具体例としては、特願平９−１
５５５１８号明細書に記載したものが挙げられる。

【００３８】前記相分離性のブロック共重合体はブロッ
ク共重合体でればよく、前記グラフト共重合体はグラフ
ト共重合体であればよく、これらの構成ブロックの連結
形式には特に制限はない。即ち、前記電荷輸送性ブロッ
クを「Ａ」とし、前記絶縁性ブロックを「Ｂ」とする
と、前記ブロック共重合体の場合には、ＡＢ型、ＡＢＡ
型、ＢＡＢ型、（ＡＢ）_n 型、（ＡＢ）_n Ａ型、Ｂ（Ａ
Ｂ）_n 型などのいずれであってもよいし、前記グラフト
共重合体の場合には、前記絶縁性ブロックを主鎖とし前
記電荷輸送性ブロックを側鎖とするもの、前記電荷輸送
性ブロックを主鎖とし前記絶縁性ブロックを側鎖とする
もの、前記ＡＢＡ型のブロック共重合体にＡ及び／又は
Ｂをグラフト化したブロック−グラフト共重合体、など
が挙げられる。

【００３９】前記相分離性のブロック共重合体及びグラ
フト共重合体の合成方法としては、例えば、「第４版
実験化学講座２８ 高分子合成（丸善、1992）」、「マ
クロモノマーの化学と工業（アイピーシー、1990) 」、
「高分子の相溶化と評価技術（技術情報協会、1992)
」、「高分子新素材 One Point 12 ポリマーアロイ
（共立、1988）」、「Angew. Macromol. Chem.,143,pp1
-9(1986)」、「日本接着学会誌,26. pp.112-118(1990)
」、「Macromolecules, 28, pp.4893-4898(1995)」、
「J. Am. Chem. Soc.,111,pp.7641-7643(1989)」、特開
平６−８３０７７号公報、「新素材, pp.37-41(1987)」
などの文献に記載されているブロック共重合体又はグラ
フト共重合体の合成法などが挙げられる。

【００４０】前記相分離性のブロック共重合体及びグラ
フト共重合体の具体的な合成としては、例えば、以下の
通りである。即ち、予め電荷輸送性重合体と絶縁性重合
体とを合成し、それらの重合体同士を反応させ結合させ
ることによって所望のブロック共重合体を得ることがで
きる。また、電荷輸送性ブロックを形成するモノマー
と、絶縁性ブロックを形成するモノマーとの重合形式が
同じであり、かつ両者の反応性が大きく異なる場合に
は、単にそれらのモノマー混合物を重合させることで、
まず、反応性が高い方のモノマーが重合し、該モノマー
が消費された後、反応性が低い方のモノマーが重合し、
所望のブロック共重合体を得ることができる。また、予
め一方のモノマーの重合物を合成し、該重合物の末端及
び／又は側鎖にアゾ、過酸エステル、パーオキシ、ジチ
オカルバメート、アルカリ金属アルコラート、アルカリ
金属アルカリ等の重合開始能を有する基を含むマクロ重
合開始剤を導入し、該マクロ重合開始剤により、他方の
モノマーを重合させることで所望のブロック共重合体又
はグラフト共重合体を得ることができる。この方法によ
れば、重縮合又は重付加系重合体と、付加重合又は開環
重合系重合体からなるブロック共重合体又はグラフト共
重合体が容易に得ることができる。

【００４１】また、分子中にアゾ、過酸エステル、パー
オキシ等の重合開始能を有する基を複数含む化合物を用
い、先ず一部の重合開始基から、一方のモノマーを重合
させ、次に残りの重合開始基から、他方のモノマーを重
合させることにより所望のブロック共重合体を得ること
ができる。この場合、特に重合開始温度が異なる重合開
始基を有するモノマーを重合させ、未反応のモノマーを
除去した後、次に他方のモノマーを添加し、温度を上昇
させ、より高温度で重合を開始する重合開始基によっ
て、該モノマーを重合させることによって所望のブロッ
ク共重合体を得ることができる。

【００４２】また、カチオンリビング重合法、アニオン
リビング重合法、アジカルリビング重合法等のリビング
重合法により、各モノマーを逐次重合させることによっ
て所望のブロック共重合体を得ることができる。このリ
ビング重合法の場合、各ブロックの分子量を容易に制御
することができ、かつ分子量分布の狭い重合体を得るこ
とができる利点がある。また、イモータル重合法、Inif
erter 法等により、各モノマーを逐次重合させることに
よって所望のブロック共重合体を得ることができる。更
に、予め、一方のモノマーの重合物の末端に他方のモノ
マーを導入したマクロモノマーを合成し、該マクロモノ
マーを重合することによって所望のグラフト共重合体を
得ることができる。

【００４３】前記相分離性のブロック共重合体及びグラ
フト共重合体の分子量としては、本発明の目的を害しな
い範囲内であれば特に制限はないが、通常２，０００以
上であり、成膜性、相分離性等の高分子特性を発揮させ
る観点からは１０，０００以上が好ましく、２０，００
０以上がより好ましい。前記分子量の上限値としては、
特に制限はないが、湿式塗布法により成膜を行う場合に
は、塗布液に適当な溶液粘度を付与する観点から５，０
００，０００程度が好ましい。

【００４４】前記相分離性のブロック共重合体及びグラ
フト共重合体は、サブミクロン以下の微細なドメインか
らなる相分離状態になっている（ミクロ相分離）。これ
は、ポリマーブレンド、ポイリマーアロイの分野におい
てよく知られているように、異なる高分子同士は一般に
非相溶であり、それらの混合物及びブロック共重合体又
はグラフト共重合体は、数μｍ以上のマクロなドメイン
からなる相分離状態になっている（マクロ相分離）こと
と同様である。前記相分離性のブロック共重合体及びグ
ラフト共重合体における相分離のスケールは、一般的に
前記電荷輸送性ブロック及び前記絶縁性ブロックの平均
長と同程度であり、分子量にほぼ比例する。なお、相分
離性は、一般的に分子量が大きい程、また互いの溶解度
パラメーターの差が大きい程、高くなる。前記相分離性
のブロック共重合体及びグラフト共重合体は、熱励起に
よる暗電荷を殆ど有さない点で特に好ましい。

【００４５】図３〜図６は、本発明の電子写真感光体の
一例を示す断面概略説明図である。図３に示す電子写真
感光体は、導電性支持体１上に光電荷発生を担う電荷発
生層２を有し、電荷発生層２上に前記Ｓ字型化のための
不均一電荷輸送層３を有してなる。図４に示す電子写真
感光体は、導電性支持体１上に光電荷発生を担う電荷発
生層２を有し、電荷発生層２上に前記Ｓ字型化のための
不均一電荷輸送層３を有し、不均一電荷輸送層３上にス
ムーズな電荷輸送を担う均一電荷輸送層４を有してな
り、不均一電荷輸送層３と均一電荷輸送層４とによって
電荷輸送層が形成されている。

【００４６】図５に示す電子写真感光体は、導電性支持
体１上に不均一電荷輸送層３を有し、不均一電荷輸送層
３上に電荷発生層２を有してなる。図６に示す電子写真
感光体は、導電性支持体１上に均一電荷輸送層４を有
し、均一電荷輸送層４上に不均一電荷輸送層３を有し、
不均一電荷輸送層３上に電荷発生層２を有してなり、均
一電荷輸送層４と不均一電荷輸送層３とによって電荷輸
送層が形成されている。

【００４７】上述したように、前記電荷発生層で発生し
た電荷が不均一電荷輸送層における電気的不活性マトリ
ックスの障害に出会い最初に一時停止するまでの間の移
動距離が、前記感光層の全層厚に対して十分小さけれ
ば、その間の電位減衰は無視できるものとなり、より理
想的なＳ字型の光誘起電位減衰特性を有する電子写真感
光体となる。つまり、前記電荷発生層と前記Ｓ字型化の
ための不均一電荷輸送層とは、互いに近接している方が
より良いＳ字型の光誘起電位減衰特性が得られる。

【００４８】ただし、本発明においては、電荷の注入や
電荷の発生を助ける等の目的のために、前記電荷発生層
と前記不均一電荷輸送層との間に中間層等を設けること
もできる。また、所望とする不完全なＳ字型の光誘起電
位減衰特性を得るために、前記電荷発生層と前記不均一
電荷輸送層との間に均一電荷輸送層を挿入することも可
能である。この場合、該均一電荷輸送層の厚みを変化さ
せることにより、前記比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）を１以
上〜５未満の任意の値にすることができる。

【００４９】前記不均一電荷輸送層は、ホール輸送性で
あり、前記Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を有し、電気的
不活性マトリックス中に電荷輸送性ドメインが分散され
てなる不均一構造を特長とする電荷輸送路を形成してい
る層である。

【００５０】前記不均一電荷輸送層は、適宜選択した手
法を採用することができるが、例えば、以下のようにし
て形成することができる。即ち、適当な溶剤中に絶縁性
結着樹脂を溶解させた溶液に、電荷輸送能を有する微粒
子（以下「電荷輸送性微粒子」と称することがある）を
分散させ、浸漬コーティング法等により塗布した後、乾
燥させることにより形成することができる。また、予め
電荷輸送性微粒子を、熱硬化性樹脂あるいはシランカッ
プリング剤等の架橋性化合物により被覆し不溶化したも
のを、適当な溶剤中に絶縁性の結着樹脂を溶解させた溶
液に分散させ、浸漬コーティング法等により塗布した
後、乾燥させることにより形成することができる。ま
た、絶縁性の結着樹脂中に電荷輸送性物質を均一に分散
させたものに加熱処理、溶剤処理等を施すことにより電
荷輸送材料の微結晶を析出させることにより形成するこ
ともできる。更に、前記絶縁性ブロックと前記電荷輸送
性ブロックとからなるブロック共重合体又はグラフト共
重合体を用いて形成することもできる。この場合、前記
絶縁性ブロックが前記電気的不活性マトリックスにな
り、電荷輸送性ブロックが前記電荷輸送性ドメインにな
るミクロ相分離状態をなしている。

【００５１】前記不均一電荷輸送層における回旋状電荷
輸送路は、前記電荷輸送性ドメイン同士の確率的な接触
に依存する。前記電荷輸送路は、前記確率が高すぎると
回旋状とならずＳ字性が低下し、一方、前記確率が低す
ぎると該不均一電荷輸送層全体を貫き、連続した電荷輸
送路が形成できなくなり、残留電位の増大を招く。前記
電荷輸送性ドメインの互いの接触は、必ずしも直接であ
る必要はなく、前記電荷輸送性ドメイン間の非常に薄い
絶縁層は、電荷がそのギャップを飛び越えることがで
き、かつそこでの捕獲が無視できるならば、その存在は
許容される。なお、ここでいう、回旋状電荷輸送路と
は、電荷の移動が層厚方向に対して１回以上逆行するよ
うに形成されている電荷輸送路を意味する。

【００５２】前記不均一電荷輸送層の材料として用いら
れる電荷輸送性共重合体中の前記電荷輸送性ドメインと
前記電気的不活性マトリックスとの体積比は、１０／１
〜１／１０の範囲内で任意に設定され、好ましくは２／
１〜１／２である。前記体積比が、上記範囲より多い
と、前記電荷輸送性ドメインが蜜に接触してしまい、あ
るいは前記電荷輸送性ブロックがマトリックスとなって
しまい、実質的に均一な構造の電荷輸送路を形成し、前
記Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を発現するのに不可欠
な、電荷輸送路の不均一構造が消失し、Ｓ字性が失われ
る傾向にある。一方、上記範囲より少ないと、電荷輸送
路が分断され、残留電位の増大、応答速度の低下等の障
害を招く傾向にある。

【００５３】前記不均一電荷輸送層の相分離構造として
は、前記回旋状電荷輸送路が形成されている限り特に制
限はないが、良好なＳ字性が得られる点で、前記電荷輸
送性ブロックからなる相が球状又は棒状等の島、前記絶
縁性ブロックからなる相が海、となる海島構造である場
合、スピノーダル分解により得られる変調構造である場
合、入り組んだラメラ構造である場合、などが好まし
い。

【００５４】前記相分離構造は、前記電荷輸送性ブロッ
ク及び前記絶縁性ブロックの種類、分子量等に応じて、
熱力学的に最も安定な構造が存在し、一般的には、Ａブ
ロック、Ｂブロックからなる共重合体では、連結形式に
は依らず、Ａ／Ｂ比にのみ依存する。前記Ａ／Ｂ比の増
加に伴い、Ａが球状ドメインでＢがマトリックス、Ａが
棒状ドメインでＢがマトリックス、Ａ／Ｂ交互層、Ｂが
棒状ドメインでＡがマトリックス、Ｂが球状ドメインで
Ａがマトリッス、へと系統的に変化する。

【００５５】ただし、前記相分離構造は、前記不均一電
荷輸送層を前記湿式塗布法により形成する場合には、用
いる溶媒の種類、乾燥速度等により制御することができ
る。例えば、前記Ａ／Ｂ比が大きく、熱力学的にはＢが
球状でＡがマトリックスとなる場合であっても、塗布溶
媒としてＢの良溶媒でありかつＡの貧溶媒である溶媒を
選択すれば、Ａが球状でＢがマトリックスとなる相分離
構造にすることができる。また、Ａ及びＢの両方に良溶
媒である溶媒を用い、急速に溶媒を除去すると、スピノ
ーダル分解状態で凍結した相分離構造（変調構造）を得
ることができる。また、前記Ａ／Ｂ比が大きく、熱力学
的にはＢが球状でＡがマトリックスとなる相分離構造を
とる共重合体に、Ｂのみと相溶性のある重合体を添加す
ると、Ａが球状でＢがマトリックスとなる相分離構造に
することができる。

【００５６】前記不均一電荷輸送層の厚みとしては、
０．１〜５０μｍが好ましく、０．２〜１５μｍがより
好ましく、０．５〜５μｍが特に好ましい。前記厚み
は、０．１μｍ未満であるとＳ字性が低下する傾向にあ
る。前記厚みの上限値は、前記Ｓ字型の光誘起電位減衰
特性を有する電荷輸送層の電荷輸送能により制限され、
応答速度、残留電位等が許容される範囲内で設定される
が、５０μｍ程度であれば問題はない。

【００５７】前記電荷輸送性ドメインの平均粒径として
は、０．００５〜３μｍが好ましく、０．０１〜１μｍ
がより好ましく、０．０２〜０．５μｍが特に好まし
い。前記電荷輸送性ドメインの平均粒径が、３μｍより
も大きいと、好ましい層厚の範囲内でのＳ字型化に必要
な電荷輸送路の不均一構造の形成が確率的に低くなり、
Ｓ字性が低下することになる。一方、０．００５μｍ未
満であると、前記電荷輸送路が均一な構造に近づき、Ｓ
字性が低下することがある。

【００５８】本発明においては、前記不均一電荷輸送層
中に、主たる輸送電荷と逆極性の電荷のみを輸送し得る
化合物を添加することにより、残留電位の低下、繰り返
し安定性の向上等の効果を得ることもできる。また、前
記不均一電荷輸送層中に、電荷輸送性高分子及び／又は
絶縁性高分子を添加することもできる。前記電荷輸送性
高分子を添加する場合、前記相分離性のブロック共重合
体及びグラフト共重合体における前記電荷輸送性ブロッ
クが相溶性を有することが好ましい。また、前記絶縁性
高分子を添加する場合、前記相分離性のブロック共重合
体及びグラフト共重合体における前記絶縁性ブロックが
相溶性を有することが好ましい。

【００５９】前記不均一電荷輸送層の前記湿式塗布法に
よる塗布の具体的な方法としては、ブレードコーティン
グ法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコティン
グ法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エ
アーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等
の通常の方法が挙げられる。なお、前記湿式塗布法によ
る塗布に用いる塗布液としては特に制限はないが、均一
溶液、ミセル溶液などが挙げられる。

【００６０】−導電性支持体− 前記導電性支持体としては、電子写真感光体の導電性支
持体として公知のものの中から選択することができ、例
えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼
等の金属類、及び、アルミニウム、チタン、ニッケル、
クロム、ステンレス、金、バナジウム、酸化錫、酸化イ
ンジウム、ＩＴＯ等の薄膜を設けたプラスチックフィル
ム、ガラス等、あるいは導電性付与剤を塗布又は含浸さ
せた紙、プラスチックフィルム及びガラス等が挙げられ
る。

【００６１】前記導電性支持体は、不透明であってもよ
いし、実質的に透明であってもよい。前記導電性支持体
の形状としては、特に制限はなく、例えば、ドラム状、
シート状、プレート状、ベルト状等の適宜の形状が挙げ
られる。

【００６２】前記導電性支持体には、目的に応じてその
表面に、画質に影響のない範囲で各種の処理を行うこと
ができる。前記処理としては、例えば、酸化処理、薬品
処理、着色処理、あるいは砂目立て処理、ホーニング処
理、荒切削処理等の機械的粗面化処理などが挙げられ
る。これらの処理を行うと、該導電性支持体を粗面化す
るのみならず、その上に塗布される層の表面形状をも制
御することができ、露光用光源としてレーザー等の可干
渉光源を用いた場合に問題となる導電性支持体表面及び
／又は積層界面での正反射による干渉縞の発生を防止す
ることができる点で有利である。

【００６３】−下引き層− 本発明においては、前記導電性支持体と前記感光層との
間に、一層又は複数層の下引き層を設けてもよい。この
下引き層は、前記感光層の帯電時における、前記導電性
支持体から該感光層への電荷の注入を阻止すると共に、
該感光層を前記導電性支持体に対して一体的に接着保持
させる接着層としての作用、あるいは場合によっては干
渉縞の原因となる光の正反射を防止する作用等を示すと
共に、前記感光層の帯電時における、前記導電性支持体
から該感光層への電荷の注入を阻止する効果を有する。

【００６４】前記下引き層としては、公知の材料で形成
することができ、例えば、ポリエチレン樹脂、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニ
リデン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、水溶
性ポリエステル樹脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、
ニトロセルロース、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミ
ン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリア
クリル酸、ポリアクリルアミド等の樹脂及びこれらの共
重合体、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアル
コキシド化合物、シランカップリング剤等の硬化性金属
有機化合物などを用いて形成することができる。なお、
これらの材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以
上を併用してもよい。また、本発明においては、前記下
引き層の材料としては、帯電極性と同極性の電荷のみを
輸送し得る材料を使用してもよい。

【００６５】前記下引き層の厚みとしては、０．０１〜
１０μｍ程度が適当であり、０．０５〜５μｍが好まし
い。前記下引き層を塗布形成する場合の塗布方法として
は、例えば、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコ
ーティング法、スプレーコティング法、浸漬コーティン
グ法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティン
グ法、カーテンコーティング法等が挙げられる。

【００６６】−電荷発生層− 前記電荷発生層は、電荷発生材料を少なくとも含有して
なる。前記電荷発生材料としては、特に制限はなく、従
来のＪ字型の光誘起電位減衰特性を有する積層構造の電
子写真感光体に用いられている公知のものを使用するこ
とができる。具体的には、例えば、非晶質セレン、セレ
ン−テルル合金、セレン−ヒ素合金、その他セレン化合
物及びセレン合金、酸化亜鉛、酸化チタン、α−Ｓｉ、
α−ＳｉＣ等の無機系光導電性材料、フタロシアニン
系、スクアリウム系、アントアントロン系、ペリレン
系、アゾ系、アントラキノン系、ピレン系、ピリリウム
塩、チアピリリウム塩等の有機のｎ型顔料及び染料など
が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、
２種以上を併用してもよい。

【００６７】本発明においては、これの電荷発生材料の
中でも、デジタル式の電子写真装置に光源として現在好
まれて使用されているＬＥＤ及びレーザーダイオードの
発信波長である６００〜８５０ｎｍに優れた光感度を有
する点で、フタロシアニン系化合物が特に好ましい。前
記フタロシアニン系化合物としては、例えば、無金属フ
タロシアニン、金属フタロシアニン、及びそれらのダイ
マ−などが挙げられる。

【００６８】前記金属フタロシアニンの中心金属として
は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｖ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｐｂ
等が挙げられる。また、これら中心金属の酸化物、水酸
化物、ハロゲン化物、アルキル化物、アルコキシ化物等
も使用できる。具体的には、無金属フタロシアニン、チ
タニルフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニ
ン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、１，２−ジ
（オキソガリウムフタロシアニニル）エタン、バナジル
フタロシアニン、クロロインジウムフタロシアニン、ジ
クロロ錫フタロシアニン、銅フタロシアニンなどが挙げ
られる。また、これらのフタロシアニン環に任意の置換
基を含むものも使用することができる。更にまた、これ
らのフタロシアニン環中の任意の炭素原子が窒素原子で
置換されたものも有効である。これらフタロシアニン系
化合物の形態としては、アルモルファス又は公知の総て
の結晶多形のものが使用可能である。これらフタロシア
ニン系化合物は、１種単独で使用してもよいし、２種以
上を併用してもよい。

【００６９】これらフタロシアニン系化合物の中でも、
チタニルフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニ
ン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、１，２−ジ
（オキソガリウムフタロシアニニル）エタン、無金属フ
タロシアニン、バナジルフタロシアニン、及びジクロロ
錫フタロシアニンは、特に優れた光感度を有している点
で特に好ましい。

【００７０】また、殆どのフタロシアニン系化合物が正
孔を主たる輸送電荷とするｐ型半導体の性質を有してい
るのに対し、ジクロロ錫フタロシアニン、電子吸引基を
有するフタロシアニン類及びアザフタロシアニン類は、
電子を主たる輸送電荷とするｎ型半導体である性質を有
している。そのため、前記電荷発生材料として、これら
のフタロシアニン系化合物を含む電荷発生層と、ホール
輸送性の不均一電荷輸送層とを、導電性基体上に順次積
層してなるＳ字型の光誘起電位減衰特性を有する電子写
真感光体は、それを負帯電で使用した場合、高感度でか
つ導電性支持体からのホールの注入が抑えられ、暗電荷
量が非常に低いレベルに抑えられるという利点を有す
る。

【００７１】前記電荷発生層は、前記電荷発生材料を導
電性支持体上に真空蒸着法により層形成するか、あるい
は、前記電荷発生材料を結着樹脂中に分散乃至溶解して
前記導電性支持体上に塗布し、乾燥することににより形
成することができる。

【００７２】前記電荷発生層に結着樹脂を用いる場合、
該結着樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、部
分変性ポリビニルアセタール樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル
樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、
ポリ酢酸ビニル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹
脂、ポリビニルカルバゾール樹脂等が挙げられる。これ
らの結着樹脂は、ブロック共重合体、ランダム共重合体
又は交互共重合体であってもよく、また、１種単独で使
用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、前
記相分離性のブロック共重合体及びグラフト共重合体
を、前記電荷発生層用の結着樹脂として使用してもよ
い。

【００７３】前記電荷発生材料と前記結着樹脂との配合
比（体積比）としては、１０：１〜１：１０が好まし
く、３：１〜１：１がより好ましい。前記電荷発生材料
の前記結着樹脂に対する配合比が、前記範囲より多い
と、前記湿式塗布法では均質な層を形成することが困難
になり、前記範囲より少ないと、光感度の低下、残留電
位の増大等の障害が起きる。

【００７４】前記電荷発生層の厚みとしては、０．０５
〜３μｍ程度が適当であり、０．１〜１μｍが好まし
く、０．１〜０．３μｍがより好ましい。前記厚みが、
３μｍよりも厚いと、一般的に暗電荷量が増加する傾向
にある。このため、暗電荷密度の高い電荷発生材料を用
いる場合、前記厚みを０．３μｍ以下にするのが好まし
い。

【００７５】前記電荷発生層を前記湿式塗布法により形
成する場合における塗布方法としては、特に制限はない
が、例えば、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコ
ーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
ング法、カーテンコーティング法、リングコーティング
法等の通常の方法が挙げられる。

【００７６】−均一電荷輸送層− なお、本発明においては、均一電荷輸送層を前記不均一
電荷輸送層と併用することができる。前記均一電荷輸送
層としては、当業界でＪ字型の光誘起電位減衰特性を有
する積層構造の電子写真感光体における電荷輸送層とし
て知られている公知のものが挙げられる。該均一電荷輸
送層は、例えば、ベンジジン系化合物、トリアリールア
ミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合
物、ジフェノキノン系化合物等の電荷輸送材料を用いて
形成することができる。これらの電荷輸送材料は、１種
単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

【００７７】前記均一電荷輸送層は、例えば、絶縁性樹
脂（例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリ
エステル、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート
等）中に前記電荷輸送材料が均一に分子分散した固溶膜
として形成され、あるいは、それ自身電荷輸送能を有す
る高分子化合物等により形成される。また、前記均一電
荷輸送層は、例えば、セレン、ａ−Ｓｉ、ａ−ＳｉＣ等
の電荷輸送能を有する無機物質を用いて形成することも
できる。なお、前記電荷輸送能を有する高分子化合物と
しては、例えば、特開平２−３０４４５６号公報等に開
示されているような、電荷輸送能を有する基を主鎖に含
む高分子化合物、ポリシリレン等が挙げられる。

【００７８】本発明のＳ字型の光誘起電位減衰特性を有
する電子写真感光体における均一電荷輸送層としては、
特に製造上、前記電荷輸送能を有する高分子化合物を用
いるのが好ましい。前記不均一電荷輸送層と前記均一電
荷輸送層とを積層して形成する場合、該均一電荷輸送層
に前記電荷輸送性低分子化合物を用いると、該電荷輸送
性低分子化合物が前記不均一電荷輸送層中に混入してし
まい、前記不均一電荷輸送層の電気的不活性マトリック
スの主たる電荷に対する絶縁性が低下することによりＳ
字性が損なわれたり、あるいは前記不均一電荷輸送層中
に混入した前記電荷輸送性低分子が不均一電荷輸送層中
で電荷トラップとなり、残留電位の増大、輸送能の低下
及び光感度の低下等の障害が発生する。この問題は、特
に前記湿式塗布法により、各層を形成する場合に顕著に
なる（もちろん、これらの問題は、上層の塗布溶剤とし
て下層を溶解乃至膨潤し難いものを選択する、あるい
は、前記不均一電荷輸送層を架橋硬化性のものとし、上
層塗布溶剤による溶解乃至膨潤が起こらないようにする
等により、回避することが可能である）。

【００７９】ところが、上述したように高分子同士は相
溶することなく相分離を起こすことが一般的であること
が知られており、前記均一電荷輸送層として、前記電荷
輸送能を有する高分子化合物を用いた場合、前記不均一
電荷輸送層樹脂と相溶することなく相分離するため、上
記のような混入の問題は殆ど発生せず、材料及び製造方
法の選択に当たっての制約が解消されるという利点を有
する。

【００８０】なお、前記均一電荷輸送層中には、電荷輸
送性マトリックスに囲まれるような電気的不活性な領域
が存在してもよい。例えば、表面摩擦力の低減、磨耗の
低減、表面への異物付着の低減等を目的として低表面エ
ネルギーの絶縁性粒子等を含有させることができる。ま
た、前記均一電荷輸送層には、電荷輸送能の向上等を目
的に、電荷輸送性微粒子を添加することもできる。

【００８１】また、電荷輸送性共重合体の中でも、電荷
輸送性ブロックと絶縁性ブロックとが相溶性であるもの
は、前記均一電荷輸送層として有効に利用できる。更
に、上述したように、前記均一電荷輸送層中には、電荷
輸送性マトリックスに囲まれるような電気的不活性な領
域が存在してもよいため、本発明においては、これらの
中でも、前記電荷輸送性ブロックがマトリックスとな
り、前記絶縁性ブロックがドメインとなるミクロ相分離
状態であるものも、前記均一電荷輸送層として用いるこ
とができる。

【００８２】本発明の電子写真感光体において、前記均
一電荷輸送層が最表層となる場合には、機械的強度の観
点から、該均一電荷輸送層を架橋硬化性材料を用いて形
成するのが好ましい。前記均一電荷輸送層の厚みとし
て、５０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ま
しい。前記均一電荷輸送層を前記湿式塗布方法により塗
布形成する場合、該塗布の方法としては、特に制限はな
く、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、
ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、
カーテンコーティング法、リングコーティング法等の通
常の方法が挙げられる。また、セレン等の気相成膜可能
なものを用いて前記均一電荷輸送層を形成する場合に
は、真空蒸着法等により直接成膜することもできる。

【００８３】本発明において、前記不均一電荷輸送層及
び前記均一電荷輸送層を含む電荷輸送層全体の厚みとし
ては、５〜５０μｍが適当であり、１０〜４０μｍが好
ましく、１５〜３５μｍがより好ましい。

【００８４】前記電荷輸送層が、前記電荷発生層と露光
光源との間に存在する場合、実効の光感度の低下を防ぐ
上で、該電荷輸送層は、露光波長の光に対し事実上透明
であることが好ましい。具体的には、該電荷輸送層にお
ける露光に用いる光の透過率は５０％以上であるのが好
ましく、７０％以上であるのがより好ましく、９０％以
上であるのが特に好ましい。但し、低感度での使用が望
まれる場合には、露光波長の光に対し吸収のある物質を
添加し、実効的な光感度を調製することもできる。

【００８５】−保護層− 本発明の電子写真感光体は、前記感光層の上に、必要に
応じて保護層を有していてもよく、該保護層は、帯電部
材から発生するオゾンや酸化性ガス等、紫外光等の化学
的ストレス、あるいは現像剤、紙、クリーニング部材等
との接触に起因する機械的ストレス、などから感光層を
保護し、該感光層の実質の寿命を改善するために有効で
ある。特に、薄膜の電荷発生層を上層に用いる層構成を
有する電子写真感光体において、その効果が顕著であ
る。

【００８６】前記保護層は、前記導電性材料を適当な結
着樹脂中に含有させて形成することができる。前記導電
性材料としては、特に制限はないが、例えば、ジメチル
フェロセン等のメタロセン化合物、酸化アンチモン、酸
化スズ、酸化チタン、酸化インジウム、ＩＴＯ等の金属
酸化物等の材料を用いることができる。前記結着樹脂と
しては、特に制限はないが、例えば、ポリアミド、ポリ
ウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリアクリルアミド、シリコーン樹脂、メラミン
樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の公知の樹脂を
用いることができる。また、アモルファスカーボン等の
半導電性無機膜も前記保護層として用いることができ
る。

【００８７】これらの抵抗制御型の保護層の電気抵抗値
としては、１０⁹ 〜１０¹⁴Ω・ｃｍの範囲内にあること
が必要である。前記電気抵抗値が、前記数値範囲の上限
を超えると残留電位が増加し、他方、前記数値範囲の下
限値を下回ると沿面方向での電荷漏洩が無視できなくな
り、解像度の低下が生じてしまう。前記保護層の厚みと
しては、０．５〜２０μｍが適当であり、１〜１０μｍ
が好ましい。

【００８８】本発明においては、前記保護層を設けた場
合、必要に応じて、前記感光層と該保護層との間に、該
保護層から前記感光層への電荷の漏洩を阻止するブロッ
キング層を設けることができる。このブロッキング層と
しては、保護層の場合と同様に公知のものを用いること
ができる。

【００８９】本発明の電子写真感光体においては、電子
写真装置中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは、
光、熱による感光体の劣化を防止する目的で、各層又は
最上層中に、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等を添加
することができる。これらの添加剤は、単に添加混合す
る以外に、前記相分離性のブロック共重合体及びグラフ
ト共重合体における絶縁性ブロックの構成成分として組
み込んでもよい。

【００９０】前記酸化防止剤としては、公知のものを用
いることができ、例えば、ヒンダードフェノール、ヒン
ダードアミン、パラフェニレンジアミン、ハイドロキノ
ン、スピロクロマン、スピロインダノンおよびそれらの
誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等が挙げられ
る。前記光安定剤としては、公知のものを用いることが
でき、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、
ジチオカルバメート、テトラメチルピペリジン等の誘導
体、及び光励起状態をエネルギー移動あるいは電荷移動
により失活し得る電子吸引性化合物又は電子供与性化合
物等が挙げられる。

【００９１】更に、本発明においては、表面磨耗の低
減、転与性の向上、クリーニング性の向上等を目的とし
て、最表面層にフッ素樹脂等の低表面エネルギーの絶縁
性粒子を分散させてもよい。

【００９２】−電子写真装置− 本発明の電子写真装置は、前記本発明の電子写真感光体
を搭載することを必須とする外は、電子写真法を用いる
ものであれば特に制限はなく、公知の電子写真装置と同
様の構成にすることができるが、特にデジタル処理され
た画像信号に基づき露光を行う電子写真装置が好まし
い。前記デジタル処理された画像信号に基づき露光を行
う電子写真装置とは、レーザー又はＬＥＤ等の光源を用
い、２値化又はパルス幅変調や強度変調を行い多値化さ
れた光により露光を行う電子写真装置を意味し、その例
としては、ＬＥＤプリンター、レーザープリンター、レ
ザー露光式デジタル複写機などが挙げられる。

【００９３】また、本発明の電子写真装置は、現像後の
感光体の初期化あるいは電子写真特性の安定化等の目的
で、画像形成用の露光光源とは別に、光源を併用するこ
とができ、その光源の発光域としては、少なくとも前記
電荷発生層まで光が届く方が好ましい。

【００９４】本発明の電子写真装置の好ましい一例を図
７に模式的に示した。この電子写真装置は、デジタルレ
ーザープリンターであり、この電子写真感光体には、本
発明の電子写真感光体による感光体ドラム６の周りに露
光用光源（赤色ＬＥＤ）７、帯電用スコロトロン８、露
光用レーザー光学系９、現像器１０、転写用コロトロン
１１、及びクリーニングブレード１２がプロセスの順序
に順次配置されている。露光用レーザー光学系９は、発
信波長７８０ｎｍの露光用レーザーダイオードを備えて
おり、デジタル処理された画像信号に基づき発光する。
発光したレーザー光は、ポリゴンミラーと複数のレン
ズ、ミラー等とにより走査されながら感光体ドラム６を
露光するよう設計されている。なお、ここで１３は用紙
を示す。

【００９５】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではな
い。 （実施例１） −下引き層の形成− ジルコニウムアルコキシド化合物（オルガチックスＺＣ
５４０、マツモト製薬社製）２０重量部、シランカップ
リング剤（Ａ１１００、日本ユニカー社製）２重量部、
ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水
化学社製）１重量部、イソプロパノール２０重量部、及
びｎ−ブタノール３０重量部を含有する下引き層用液
を、ドラム状のアルミニウム製支持体上に浸漬コーティ
ング法に従って浸漬塗布した。その後、１７０℃で１５
分間加熱乾燥し、厚みが１．０μｍの下引き層を前記ア
ルミニウム製支持体上に形成した。

【００９６】−電荷発生層の形成− 次に、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおい
て、ブラッグ角度（２θ±０．２°）、８．３°、１
３．７°及び２８．３°に強い回折ピークを有するジク
ロロ錫フタロシアニン結晶７重量部を、ポリビニルブチ
ラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）３重
量部及びクロロベンゼン１９０重量部と混合し、ステン
レスビーズと共にペイントシューク法に従って４時間分
散処理することにより、電荷発生層用液を調製した。こ
うして得られた電荷発生層用液を浸漬コーティング法に
従って前記下引き層上に浸漬塗布した。その後、１００
℃で１０分間加熱乾燥して、厚みが０．３μｍの電荷発
生層を前記下引き層上に形成した。

【００９７】−不均一電荷輸送層の形成− 次に、重合開始温度の異なる２種の重合開始基を有する
２官能重合開始剤を用いる方法によって合成した下記構
造を有する電荷輸送性ブロック共重合体（１）１０重量
部を、クロロベンゼン９０重量部に溶解させた不均一電
荷発生層用塗布液を前記電荷発生層上に浸漬コーティン
グ法に従って浸漬塗布した。その後、１１５℃で１０分
間加熱乾燥させて、厚みが５μｍの不均一電荷輸送層を
前記電荷発生層上に形成した。前記電荷輸送性ブロック
共重合体（１）は、互いに非相溶性である電荷輸送性ブ
ロックと絶縁性ブロックとを含む相分離性のブロック共
重合体である。この不均一電荷輸送層は、ＲｕＯ₄ 染色
によるＴＥＭ観察にてその構造を確認したところ、電気
的不活性マトリックス中に電荷輸送性ドメインが分散さ
れてなる構造を有していた。また、不均一電荷輸送層
は、ホール輸送性であった。また、電荷輸送性ブロック
と絶縁性ブロックとの重量組成比は４：６であった。電
荷輸送性ブロック共重合体（１）

【００９８】

【化１】

【００９９】−均一電荷輸送層の形成− 次に、高分子電荷輸送材料である重量平均分子量が５万
の下記構造式（１）で表される繰り返し単位を有する化
合物１５重量部を、クロロベンゼン８５重量部に溶解し
た均一電荷輸送層用塗布液を、ブレードコーティング法
に従って塗布し、１３５℃で６０分間加熱乾燥させて、
厚みが１５μｍの均一電荷輸送層を前記不均一電荷輸送
層上に形成した。 構造式（１）

【０１００】

【化２】

【０１０１】以上により、図４に示す層構成を有する電
子写真用感光体を製造した。得られた電子写真用感光体
の特性について、常温常湿（２０℃、４０％ＲＨ）の環
境下で、静電複写紙試験装置（エレクトロスタティック
アナライザーＥＰＡ−８１００、川口電機製作所社製）
を用いて評価した。具体的には、コロナ放電電圧を調整
し、前記電子写真感光体の表面を−７５０Ｖに帯電させ
た後、干渉フィルターを通し、７５０ｎｍに単色化した
ハロゲンランプ光を該電子写真感光体上で１ｍＷ／ｍ²
の光強度になるように調整し、７秒間照射したところ、
該電子写真感光体の光誘起電位減衰特性を示す曲線は、
図２のようにＳ字型になり、前記比（Ｅ５０％／Ｅ１０
％）の値が１．９であった。

【０１０２】次に、得られた電子写真感光体を、一部改
良を加えたデジタルレーザープリンター（Ｌａｓｅｒ
Ｐｒｅｓｓ ４１０５、富士ゼロックス社製）に搭載
し、Ｑ−Ｖカーブ及び印字試験の測定を行った。なお、
このデジタルレーザープリンターにおいては、デジタル
処理された画像信号に基づいて露光が行われるようにな
っている。

【０１０３】前記Ｑ−Ｖカーブの測定に際しては、現像
器の位置に表面電位計を配し、前記電子写真感光体の表
面電位を測定し、一方、該電子写真感光体におけるドラ
ム状のアルミニウム製支持体とアースとの間に接続した
電流計にて帯電時の流れ込み電流を測定し、該電流値を
積算することによって暗電荷量を決定した。得られたＱ
−Ｖカーブを図８に示す。このＱ−Ｖカーブにおいて、
直線部分の横軸への外挿点から、暗電荷量は０．０６ｍ
Ｃ／ｍ² と決定された。

【０１０４】前記印字試験に際しては、最適な露光量を
得るため、レーザー光の光路にＮＤフィルターを入れ
た。なお、印字試験の評価は、プリント１枚目の印字サ
ンプルと、プリント５０００枚連続印字後の印字サンプ
ルとについて、目視にて行った。また、前記レーザープ
リンターにおける前記電子写真感光体の回転速度は３０
ｒｐｍであり、除電用光源は、中心波長が６３０ｎｍで
強度が１５０ｍＷのＬＥＤである。

【０１０５】（比較例１）Ｘ型無金属フタロシアニン微
結晶４重量部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート
（ＰＣ−Ｚ、三菱瓦斯化学社製）８重量部、クロロベン
ゼン４４重量部、及びテトラヒドロフラン４４重量部
を、ガラスビーズと共にペイントシューク法に従って６
時間分散処理して得られた塗工液を、ドラム状のアルミ
ニウム製支持体上に浸漬コーティング法に従って浸漬塗
布し、１３５℃で４０分間加熱乾燥し、厚みが２０μｍ
である単層構造の電子写真感光体を作製した。

【０１０６】得られた電子写真感光体の特性について、
帯電電位を７５０Ｖに変更した外は実施例１と同様にし
て評価したところ、該電子写真感光体の光誘起電位減衰
特性を示す曲線は、図２のようにＳ字型になり、前記比
（Ｅ５０％／Ｅ１０％）の値は１．２であった。

【０１０７】また、得られた電子写真感光体について、
実施例１と同様にしてＱ−Ｖカーブの測定及び印字試験
を行った。得られたＱ−Ｖカーブを図９に示す。このＱ
−Ｖカーブにおいて、直線部分の横軸への外挿点から、
暗電荷量は０．８１ｍＣ／ｍ² と決定された。印字試験
の結果、比較例１で得られた印字の品質を、実施例１で
得られた印字の品質と比べたところ、実施例１の方が細
線の再現性等の点で優れていた。

【０１０８】（比較例２）実施例１において、前記不均
一電荷輸送層を形成しないことの外は実施例１と同様に
して電子写真感光体を作製した。得られた電子写真感光
体の電子写真特性を、実施例１と同様にして評価したと
ころ、該電子写真感光体の光誘起電位減衰特性を示す曲
線は、図１のようにＪ字型になり、前記比（Ｅ５０％／
Ｅ１０％）の値が５．２であった。また、比較例２で得
られた印字の品質を、実施例１で得られた品質と比べた
ところ、プリント１枚目の印字品質は同等であったが、
プリント連続５０００枚後の印字品質を比べると、比較
例２では地肌被りを生じ、かつ細線の再現性が著しく低
下しているのに対し、実施例１では１枚目と同等の印字
品質が得られた。

【０１０９】

【発明の効果】本発明によると、前記従来における諸問
題を解決することができる。また、本発明によると、Ｓ
字型の光誘起電位減衰特性を有し、デジタル式の電子写
真法に好適であり、高性能かつ高寿命で実用性能に優れ
た電子写真感光体を提供することができる。また、本発
明によると、該Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を有する電
子写真感光体を用いることにより、耐久性に優れ、高品
質な画質を形成できるデジタル式の電子写真装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、Ｊ字型の光誘起電位減衰特性を有する
電子写真感光体における、露光量と表面電位との関係を
示すグラフである。

【図２】図２は、Ｓ字型の光誘起電位減衰特性を有する
電子写真感光体における、露光量と表面電位との関係を
示すグラフである。

【図３】図３は、本発明の電子写真感光体の一例を示す
断面概略説明図である。

【図４】図４は、本発明の電子写真感光体の一例を示す
断面概略説明図である。

【図５】図５は、本発明の電子写真感光体の一例を示す
断面概略説明図である。

【図６】図６は、本発明の電子写真感光体の一例を示す
断面概略説明図である。

【図７】図７は、本発明の電子写真装置の一例を示す概
略説明図である。

【図８】図８は、実施例１の電子写真感光体のＱ−Ｖカ
ーブを示す図である。

【図９】図９は、比較例１の電子写真感光体のＱ−Ｖカ
ーブを示す図である。

【符号の説明】

１ 導電性支持体 ２ 電荷発生層 ３ 不均一電荷輸送層（Ｓ字型光誘起電位減衰特性を
示す電荷輸送層） ４ 均一電荷輸送層 ６ 感光体ドラム ７ 露光用光源（赤色ＬＥＤ） ８ 帯電用スコロトロン ９ 露光用レーザー光学系 １０ 現像器 １１ 転写用コロトロン １２ クリーニングブレード １３ 用紙

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 泰生 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 帯電電位を５０％減衰させるのに要する
   露光量（Ｅ５０％）と、１０％減衰させるのに要する露
   光量（Ｅ１０％）との比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）が５未
   満であり、暗電荷量が０．５ｍＣ／ｍ² 以下であること
   を特徴とする電子写真感光体。
2. 【請求項２】 比（Ｅ５０％／Ｅ１０％）が３未満であ
   る請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 暗電荷量が０．２ｍＣ／ｍ² 以下である
   請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 導電性支持体上に、電荷発生層と、電荷
   発生材料を含まずかつ電気的不活性マトリックス中に電
   荷輸送性ドメインが分散されてなる不均一電荷輸送層と
   を有する請求項１から３のいずれかに記載の電子写真感
   光体。
5. 【請求項５】 不均一電荷輸送層が、互いに非相溶性で
   ある電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックとを含む相分
   離性のブロック共重合体及びグラフト共重合体のいずれ
   かを含んでなる請求項４に記載の電子写真感光体。
6. 【請求項６】 電荷発生層がｎ型顔料を電荷発生物質と
   して含有し、不均一電荷輸送層がホール輸送性である請
   求項４又は５に記載の電子写真感光体。
7. 【請求項７】 電荷発生層の厚みが０．３μｍ以下であ
   る請求項４から６のいずれかに記載の電子写真感光体。
8. 【請求項８】 導電性支持体と、電荷発生層及び不均一
   電荷輸送層のいずれかとの間に下引き層を有する請求項
   ４から７のいずれかに記載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 請求項１から８のいずれかに記載の電子
   写真感光体と、該電子写真感光体に対し、デジタル処理
   された画像信号に基づき露光を行う露光手段とを少なく
   とも備えたことを特徴とする電子写真装置。