JPH11237747A

JPH11237747A - 電子写真感光体及びそれを用いる電子写真装置

Info

Publication number: JPH11237747A
Application number: JP4023998A
Authority: JP
Inventors: Taketoshi Hoshizaki; 武敏星崎; Fumiaki Taho; 文明田甫; Yasuhiro Yamaguchi; 康浩山口; Taketoshi Azuma; 武敏東
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1998-02-23
Filing date: 1998-02-23
Publication date: 1999-08-31

Abstract

(57)【要約】【課題】電子写真特性に優れた高性能のＳ字型電子写
真感光体を安価に容易に提供する。【解決手段】導電性基体上に、少なくとも電荷発生層
及び電荷輸送層を設けた電子写真感光体において、その
電荷輸送層には、電荷輸送性の相と電気的不活性の相と
が相分離状態の不均一電荷輸送層が設けられており、そ
の不均一電荷輸送層が、電荷輸送性ブロックと絶縁性ブ
ロックとのブロック共重合体又はグラフト共重合体に、
電荷輸送性の相に相溶する高分子化合物及び／又は電気
的不活性の相に相溶する高分子化合物を混合して形成さ
れてＳ字型電位減衰特性を示す感光体を得るものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不均一電荷輸送層
を有する電子写真感光体に関し、特にデジタル電子写真
法に好適な電子写真感光体に関する。また、本発明は、
その電子写真感光体を用いるデジタル式電子写真装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真技術は、高品質の画像が
高速で得られる等の利点を有するために、複写機、プリ
ンター、ファクシミリ等の分野において、中心的役割を
果たしている。電子写真技術に使用される電子写真感光
体は、従来からセレン、セレン−テルル合金、セレン−
ヒ素合金等の無機光導電性材料を用いたものが広く知ら
れている。一方、これらの無機系感光体に比べて、コス
ト、製造性、廃棄性等の点で優れた利点を有する有機光
導電性材料を用いた電子写真感光体の研究も活発に行わ
れ、現在では無機系感光体を凌駕するに至っている。特
に、光電導の素過程である光電荷の発生と電荷の輸送と
を、それぞれ別々の層に担わせる機能分離型積層構成か
らなる感光体の開発に伴い、材料選択の自由度が拡大し
て、著しい性能の向上が成し遂げられ、現在では、機能
分離積層型の有機感光体が、電子写真感光体の主流とな
っている。

【０００３】その有機感光体の電荷発生層としては、キ
ノン系顔料、ぺリレン系顔料、アゾ系顔料、フタロシア
ニン系顔料又はセレン等の電荷発生能を有する顔料を、
蒸着等により直接成膜したもの或いは高濃度で結着樹脂
中に分散したものが実用されている。一方、電荷輸送層
としては、ヒドラゾン系化合物、ベンジジン系化合物、
アミン系化合物又はスチルベン系化合物等の電荷輸送能
を有する低分子化合物を絶縁性樹脂中に分子分散したも
のが用いられている。

【０００４】ところで、従来、光学的に原稿を感光体上
に結像させて露光するアナログ方式の電子写真式複写機
に用いる感光体には、濃度階調による中間調の再現性を
良好にするために、図１に示すような光誘起電位減衰特
性を持つ感光体、すなわち、露光量に比例して電位減衰
を起こす感光体（以下、「Ｊ字型感光体」という。）が
要求される。上記した無機系感光体及び機能分離型の積
層型有機感光体は、いずれもこの範疇に入る光誘起電位
減衰特性を示すものである。

【０００５】しかしながら、近年の高画質化、高付加価
値化、ネットワーク化等の要請に伴って盛んに研究開発
が行われているデジタル方式の電子写真装置では、一般
にドット等の面積率で階調を出す面積階調方式が採用さ
れるため、むしろ、図２に示すように、ある露光量に達
するまでは電位減衰することなく、その一定の露光量を
越えると急峻な電位減衰が起こる、いわゆるＳ字型の光
誘起電位減衰特性を示す感光体（以下、「Ｓ字型感光
体」という。）を使用する方が、画素の鮮鋭度が高めら
れる等の点から望ましい。

【０００６】Ｓ字型光誘起電位減衰特性については、Ｚ
ｎＯ等の無機顔料又はフタロシアニン等の有機顔料を樹
脂中に粒子分散した単層型感光体において広く知られて
いることであるが、単層型感光体は、単一材料で電荷発
生と電荷輸送の両機能を担う必要があり、両機能共に優
れた性能を有する材料は稀有であり、実用に耐え得るも
のは未だ得られていない。特に、顔料粒子は、一般に多
くのトラップレベルを有するために、電荷輸送能が低か
ったり電荷が残留する等の欠点があり、電荷輸送を担わ
せるには不適当である。これらの観点から、Ｓ字型感光
体においても、材料選択の自由度を向上させ、ひいては
総合的な感光体特性を向上させるために、機能分離型の
層構成の導入が望まれる。

【０００７】上記の課題について、Ｄ．Ｍ．Ｐａｉ等
は、電荷発生層と電荷輸送層からなる積層型感光体にお
いて、電荷輸送層として少なくとも２つの電荷輸送領域
及び１つの電気的不活性領域を含み、該電荷輸送領域が
互いに接触して回旋状電荷輸送路を形成する不均一電荷
輸送層を用い、これに任意の電荷発生層を組合せてＳ字
型光誘起電位減衰特性が実現できることを報告している
｛特開平６−８３０７７号公報（米国特許第５３０６５
８６号明細書）｝。

【０００８】この報告によれば、電荷輸送領域が互いに
接触して回旋状電荷輸送路を形成する不均一電荷輸送層
の製造方法として、電荷輸送が可能な無機又は有機粒子
又は微結晶が絶縁性重合体中に浸漬された不均一な電荷
輸送層を形成する方法、重合体バインダー中の電荷輸送
分子の固溶体から電荷輸送層を生成した後、例えば、相
の一方を結晶化させて形成する方法、又は、電荷輸送ブ
ロックが、不輸送ブロックに包囲されているブロック共
重合体を用いて形成する方法が提案されている。

【０００９】しかしながら、電荷輸送が可能な無機粒
子、有機粒子又はそれらの微結晶は、通常、多くのトラ
ップレベルを有するため、それらの粒子又は微結晶が絶
縁性重合体中に浸漬された不均一な電荷輸送層を製造す
る方法では、電荷輸送能が低かったり、電荷が残留する
等の欠点がある。また、重合体バインダー中の電荷輸送
分子の固溶体から電荷輸送層を生成した後、相の一方を
結晶化させることにより製造する方法では、上記条件を
満たす化合物が稀であるから、実用に耐え得る感光体を
設計するには大きな障害がある。また、電荷輸送ブロッ
クが、不輸送ブロックに包囲されているブロック共重合
体より製造する方法は、上記のような問題はないもの
の、電荷輸送路の確保による電荷輸送速度の向上、残留
電位の低下及び繰り返し安定性等の特性と、Ｓ字性の確
保とを両立させるためには、電荷輸送ブロックと不輸送
ブロックとの比率の最適な範囲は狭くなり、この比率の
範囲のものを合成することは困難である。

【００１０】そこで、従来、比率の異なる複数の共重合
体をそれぞれ合成し、それらの共重合体を適量ずつ混合
して最適な比率となるように調整されていた。しかし、
この方法は、必要以上の共重合体の合成及び保管を行う
ことが不可欠であり、コストアップ要因となっていた。
また、Ｓ字性を確保するために、分子量を大きくするこ
とは有利であるが、合成上の困難さとともにコストアッ
プの問題があった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における上記のような事情に鑑みなされたものであっ
て、上記のような問題を解消できる新規なＳ字型電子写
真感光体を提供するものである。すなわち、本発明の目
的は、電子写真特性に優れた高性能のＳ字型電子写真感
光体を安価に容易に提供することにある。また、本発明
の他の目的は、高性能のＳ字型電子写真感光体を利用し
たデジタル式電子写真装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、導電性基体上
に、少なくとも電荷発生層及び電荷輸送層を設けた電子
写真感光体において、該電荷輸送層が、電荷輸送性の相
と電気的不活性の相との相分離状態にある不均一電荷輸
送層を設けてなり、該不均一電荷輸送層は、電荷輸送性
ブロックと絶縁性ブロックよりなるブロック共重合体又
はグラフト共重合体と、電荷輸送性の相に相溶する高分
子化合物及び／又は電気的不活性の相に相溶する高分子
化合物とを含むことを特徴とする。

【００１３】従来の電荷輸送ブロックと絶縁性ブロック
の含有比が最適な範囲のブロック共重合体又はグラフト
共重合体の合成が困難とされていた課題は、本発明にお
いては、合成後に電荷輸送性の相に相溶する高分子化合
物及び／又は電気的不活性の相に相溶する高分子化合物
を適宜添加することにより調整できるため、所望の電荷
輸送ブロックと絶縁性ブロックとの含有比から離れた共
重合体も使用可能とすることにより解決することができ
る。これらの高分子化合物を添加して調整できる理由
は、添加する高分子化合物が共重合体と相溶することか
ら、目的とする含有比の共重合体の相分離の構造と同じ
相分離の構造のものが実現されることによるものと想定
される。

【００１４】また、本発明の電子写真感光体は、不均一
電荷輸送層中に電荷輸送性の相に相溶する高分子化合物
を１〜５０重量％の範囲で含有させることによりＳ字性
が向上する。このことは、以下のような理由によるもの
と考えられる。一般に、Ｓ字性は、電荷輸送性部分と電
気的不活性部分よりなる不均一電荷輸送層内に空間的ト
ラップが形成されることにより現れる。空間的トラップ
とは、電荷輸送部分が電荷の輸送される方向に対して凸
となっている部分であり、電場が印加されているときに
限りトラップとして作用する。この空間的トラップの深
さは、Ｓ字性を発揮させるための重要な因子であり、凸
部分の長さが短い（浅い）と電場による束縛から電荷が
逃れ易くなってＳ字性は悪化する。

【００１５】電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックより
なるブロック共重合体又はグラフト共重合体により不均
一電荷輸送層が形成されていると、電荷輸送性ブロック
と絶縁性ブロックとが相分離して電荷輸送性部分と絶縁
性部分が形成される。空間的トラップの深さは、電荷輸
送性ブロックにより形成される電荷輸送部分のサイズに
大きく依存しており、電荷輸送部分のサイズが大きいと
空間的トラップは深くなるのに対し、そのサイズが小さ
いと空間的トラップは浅くなる。Ｓ字性が不十分な場
合、空間的トラップの深度を向上させるには、電荷輸送
性部分のサイズを大きくすることが有効な手段となる。

【００１６】一般に、ブロック共重合体の相分離のサイ
ズは、分子量の２／３乗に比例するとされているから、
電荷輸送性部分のサイズを大きくするには、電荷輸送性
ブロックの分子量を大きくすることが一つの解決策であ
る。しかし、その分子量を大きくすることは、必ずしも
容易なことではなく、その合成のコストアップに繋がる
とともに、塗布液の高粘度化等の問題を引き起される。

【００１７】本発明においては、共重合体のブロックが
形成する相と相溶する高分子化合物を混合すると、その
ブロックが形成する相に高分子化合物が相溶して、相の
サイズが大きくなるから、電荷輸送ブロックと同一構造
を含む高分子化合物を混合することにより電荷輸送性部
分のサイズが大きくなり、空間的トラップの深さが大き
くなってＳ字性が改善されるものと考えられる。さら
に、上記の電子写真感光体を用いることにより、画質の
良好で安定な、デジタル処理された画像信号にもとづき
露光を行う露光手段を有する電子写真装置を提供するこ
とができる。

【００１８】光誘起電位減衰曲線のＳ字型の尺度には、
例えば、帯電電位を５０％減衰させるに要する露光量Ｅ
50％と１０％減衰させるに要する露光量Ｅ10％との比
（Ｅ50％／Ｅ10％）が用いられる。

【００１９】理想的なＪ字型感光体は、電位減衰が露光
量に比例していると、Ｅ50％／Ｅ10％値は５となる。と
ころが、一般のＪ字型感光体は、電界強度の低下に伴っ
て電荷発生効率及び／又は電荷輸送能が低下するため
に、Ｅ50％／Ｅ10％は５を越える値になる。一方、Ｓ字
型感光体では、ある露光量までは全く電位減衰せず、そ
の露光量で急激に残留電位レベルまで電位減衰する完全
な階段状の光誘起電位減衰曲線を示すものは、Ｅ50％／
Ｅ10％値は１となる。したがって、Ｓ字型とはＥ50％／
Ｅ10％値が１〜５の範囲内にあるものとして規定され
る。

【００２０】また、以下、電荷輸送性の相と電気的不活
性の相よりなる相分離状態にあり、かつ、電荷輸送性ブ
ロックと絶縁性ブロックよりなるブロック共重合体又は
グラフト共重合体と、電荷輸送性の相に相溶する高分子
化合物及び／又は電気的不活性の相に相溶する高分子化
合物との混合物を含む不均一電荷輸送層を「不均一電荷
輸送層」と略記する。また、電荷輸送マトリックスより
なる電荷輸送層を均一電荷輸送層を「均一電荷輸送層」
と略記する。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、本発明の電子写真感光体を構成する各層及
びその機能について説明する。図３〜図６は、本発明の
電子写真感光体の層構成を示す模式的断面図である。図
３においては、導電性支持体３上に、光電荷発生を担う
電荷発生層１が設けられ、その上にＳ字化のための不均
一電荷輸送層５が設けられている。図４においては、導
電性支持体３上に、光電荷発生を担う電荷発生層１が設
けられ、その上に不均一電荷輸送層５が設けられ、さら
にその上に、スムーズな電荷の注入と電荷輸送を担う均
一電荷輸送層６が設けられ、これらにより電荷輸送層２
が形成されている。図５及び図６においては、さらに、
導電性支持体３と電荷発生層１の間に下引き層４が設け
られている。

【００２２】図７〜図１０は、本発明の他の形態の電子
写真感光体の層構成を示す模式的断面図である。図７に
おいては、導電性支持体３上に、不均一電荷輸送層５が
設けられ、その上に電荷発生層１が設けられている。図
８においては、導電性支持体３上に、均一電荷輸送層６
が設けられ、その上に不均一電荷輸送層５が設けられ、
さらに、その上に電荷発生層１が設けられている。図９
及び図１０においては、さらに、導電性支持体３と均一
電荷輸送層６の間に、下引き層４が設けられている。

【００２３】図１１及び図１２は、本発明の他の形態の
電子写真感光体の層構成を示す模式的断面図である。図
１１においては、導電性支持体３上に、電荷発生層１が
設けられ、その上に均一電荷輸送層６が設けられ、さら
にその上に、不均一電荷輸送層５が設けられ、これらに
よって電荷輸送層２が形成されている。図１２において
は、さらに、導電性支持体３と電荷発生層１の間に下引
き層４が設けられている。本発明の電子写真感光体に
は、さらに所望により保護層及び／又は乱反射層等を適
宜設けることができる。

【００２４】一般に、電荷発生層で発生した電荷が不均
一電荷輸送層で一時停止するまでの間の移動距離が、感
光層の全膜厚に比べて充分小さければ、その間の電位減
衰は無視できるものとなり、より理想的なＳ字型感光体
となる。つまり、電荷発生層とＳ字化のための不均一電
荷輸送層とは、近接している方がより良いＳ字性を与え
ることができる。ただし、電荷の注入や電荷の発生を補
助すること等を目的として、電荷発生層と不均一電荷輸
送層との間に中間層を設けることもできる。また、所望
の不完全なＳ字性を得るために又は電荷の注入を改善す
るために、電荷発生層と不均一電荷輸送層の間に、さら
に均一電荷輸送層を挿入することも可能である。

【００２５】本発明の電子写真感光体において、導電性
支持体としては、感光体の支持体として公知のものから
選択することができ、不透明なもの又は実質的に透明な
ものも使用することができ、具体的には、アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、アル
ミニウム、チタン、ニッケル、クロム、ステンレス、
金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ等の
薄膜を設けたプラスチックフィルム、ガラス等又は導電
性付与剤を塗布するか含浸させた紙、プラスチックフィ
ルム又はガラス等が挙げられる。これらの導電性支持体
の形状は、ドラム状、シート状、プレート状等のものが
使用されるが、これらに限定されるものではない。さら
に必要に応じて、それらの支持体の表面には、画質に影
響のない範囲で各種の処理を行うことができ、例えば、
表面の酸化処理や薬品処理、着色処理等又は砂目立て等
の乱反射処理等を行うことができる。

【００２６】導電性支持体と感光層の間に、一層又は複
数層の下引き層を設けてもよい。この下引き層は、感光
層の帯電時において導電性支持体から感光層への電荷の
注入を阻止すると共に、感光層を導電性支持体に一体的
に接着保持する接着層としての作用又は場合により導電
性支持体からの光の反射防止作用等を示すものである。
下引き層としては、公知の材料を用いることができ、例
えば、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレ
タン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリ
ビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリビニルアルコール樹脂、水溶性ポリエステル樹
脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、ニトロセルロー
ス、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、ス
ターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアクリル酸、ポリ
アクリルアミド等の樹脂及びこれらの共重合体又はジル
コニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合
物、シランカップリング剤等の硬化性金属有機化合物
を、単独で又は２種以上を混合して用いることができ
る。また、帯電極性と同極性の電荷のみを輸送し得る材
料も使用可能である。

【００２７】下引き層の膜厚としては、０．０１〜１０
μｍが適当であり、好ましくは０．０５〜５μｍの範囲
である。その形成用塗布液の塗布には、ブレードコーテ
ィング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコー
ティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング
法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティン
グ法等の公知の方法を用いることができる。

【００２８】電荷発生層における電荷発生材料として
は、従来のＪ字型積層感光体に電荷発生層として用いら
れている公知のものを使用することができる。例えば、
非晶質セレン、セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合
金、その他のセレン化合物及びセレン合金、酸化亜鉛、
酸化チタン、ａ−Ｓｉ、ａ−ＳｉＣ等の無機系光導電性
材料、フタロシアニン系、スクアリウム系、アントアン
トロン系、ペリレン系、アゾ系、アントラキノン系、ピ
レン系、ピリリウム塩、チアピリリウム塩等の有機顔料
及び染料が使用できるが、これらに限定されるものでは
ない。また、これらの有機顔料及び染料は、単独で又は
２種以上を混合して用いることができる。

【００２９】なかでも、フタロシアニン系化合物は、デ
ジタル式の電子写真装置に光源として現在広く使用され
ているＬＥＤ及びレーザーダイオードの発信波長である
６００〜８５０ｎｍに優れた光感度を有するため、本発
明の電荷発生材料として特に好ましい。フタロシアニン
系化合物としては、無金属フタロシアニン、金属フタロ
シアニン又はそれらのダイマ−が使用できる。その金属
フタロシアニンの中心金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚ
ｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｖ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、
Ｉｎ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｐｂ等が挙げられ、またこれら中心
金属の酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、アルキル化
物、アルコキシ化物等も使用でき、具体的には、無金属
フタロシアニン、チタニルフタロシアニン、クロロガリ
ウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン、１，２−ジ（オキソガリウムフタロシアニル）エタ
ン、バナジルフタロシアニン、クロロインジウムフタロ
シアニン、ジクロロ錫フタロシアニン、銅フタロシアニ
ン等を挙げることができる。また、これらのフタロシア
ニン環に任意の置換基を含むものも使用することができ
る。さらにまた、これらのフタロシアニン環中の任意の
炭素原子が窒素原子で置換されたものも有効である。こ
れらフタロシアニン系化合物の形態としては、アルモル
ファス又は公知の全ての結晶多形のものが使用可能であ
る。これらフタロシアニン系化合物は、単独で又は２種
以上を混合して用いることができる。

【００３０】これらのフタロシアニン系化合物の中で、
本発明においては、チタニルフタロシアニン、クロロガ
リウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシア
ニン、１，２−ジ（オキソガリウムフタロシアニル）エ
タン、無金属フタロシアニン、バナジルフタロシアニン
及びジクロロ錫フタロシアニンは、特に優れた光感度を
有しているから、電荷発生材料として特に好ましい。な
お、特に好ましい結晶系は、無金属フタロシアニンにお
いてはＸ型であり、バナジルフタロシアニンにおいては
α型である。

【００３１】チタニルフタロシアニン結晶としては、Ｃ
ｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルのブラッグ角度
（２θ±０．２°）が、少なくとも９．２°、１３．１
°、２０．７°、２６．２°及び２７．１°に強い回折
ピークを有するもの、少なくとも７．６°、１２．３
°、１６．３°、２５．３°及び２８．７°に強い回折
ピークを有するもの又は少なくとも９．５°、１１．７
°、１５．０°、２３．５°及び２７．３°に強い回折
ピークを有する水和物を挙げることができる。

【００３２】また、クロロガリウムフタロシアニン結晶
としては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルの
ブラッグ角度（２θ±０．２°）が、少なくとも１３．
４°及び２７．０°に強い回折ピークを有するもの又は
少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°及び２
８．３°に強い回折ピークを有するものが挙げられる。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶としては、Ｃｕ
Ｋαを線源とするＸ線回折スペクトルのブラッグ角度
（２θ±０．２°）が、少なくとも７．５°、９．９
°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°
及び２８．３°に強い回折ピークを有するものが挙げら
れる。１，２−ジ（オキソガリウムフタロシアニル）エ
タン結晶においては、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折ス
ペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が、少なく
とも６．９°、１３．０°、１５．９°、２５．６°及
び２６．１°に強い回折ピークを有するものが挙げられ
る。

【００３３】ジクロロ錫フタロシアニン結晶としては、
ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルのブラッグ角
度（２θ±０．２°）が、少なくとも８．３°、１３．
７°及び２８．３°に強い回折ピークを有するもの、少
なくとも８．５°、１１．２°、１４．５°及び２７．
２°に強い回折ピークを有するもの又は少なくとも９．
２°、１２．２°、１３．４°、１４．６°、１７．０
°及び２５．３°に強い回折ピークを有するものが挙げ
られる。

【００３４】一般に、フタロシアニン系化合物は、通
常、正孔を主たる輸送電荷とするｐ型半導体の性質を有
しているものであるが、ジクロロ錫フタロシアニンにつ
いては、電子を主たる輸送電荷とするｎ型半導体の性質
を有しているため、電荷発生材料としてジクロロ錫フタ
ロシアニンを含み、導電性基体上に電荷発生層と電荷輸
送層とが順次積層されたＳ字型感光体は、それを負帯電
で使用した場合、高感度でかつ導電性支持体からの正電
荷の注入が抑えられ、暗減衰が小さく帯電性の高い良好
な電子写真特性を示すことができる。

【００３５】電荷発生層は、前記電荷発生材料を真空蒸
着法により直接成膜するか、前記電荷発生材料を結着樹
脂中に分散又は溶解することにより形成される。電荷発
生層に用いる結着樹脂としては、ポリビニルブチラール
樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、部分変性ポリビニル
アセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル
樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は、
ブロック、ランダム又は交互共重合体であることができ
る。また、これらの結着樹脂は、単独で又は２種以上を
混合して用いることができる。

【００３６】電荷発生材料と結着樹脂との配合比（重量
比）は、１０：１〜１：１０の範囲が好ましい。より好
ましくは３：１〜１：１の範囲に設定される。電荷発生
材料の結着樹脂に対する配合比が前記範囲より多いと、
暗減衰を増大し機械的特性を悪化させる。一方、前記範
囲より少ないと光感度の低下、残留電位の増大等の障害
が起きる。また、本発明に用いる電荷発生層の膜厚は、
通常、０．０５〜５μｍが適当であり、好ましくは０．
１〜２．０μｍの範囲に設定される。電荷発生層形成用
塗布液を塗布するには、ブレードコーティング法、ワイ
ヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸
漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイ
フコーティング法、カーテンコーティング法等の公知の
方法を用いることができる。

【００３７】本発明の電子写真感光体における電荷輸送
層には、電荷輸送性の相と電気的不活性の相との相分離
状態にある不均一電荷輸送層が設けられており、かつ、
その不均一電荷輸送層は、電荷輸送性ブロックと絶縁性
ブロックよりなるブロック共重合体又はグラフト共重合
体と、電荷輸送性の相に相溶する高分子化合物及び／又
は電気的不活性の相に相溶する高分子化合物とを含むこ
とを特徴とする電荷輸送路を形成する層であって、絶縁
性ブロックと電荷輸送性ブロックを含むブロック共重合
体又はグラフト共重合体と電荷輸送性の相に相溶する高
分子化合物及び／又は、電気的不活性の相に相溶する高
分子化合物を溶解した液を塗布することにより形成され
る。

【００３８】本発明において、不均一電荷輸送層の電荷
輸送性の相は、電荷輸送性ブロックにより又は電荷輸送
性ブロックと電荷輸送性の相と相溶する高分子化合物に
より形成され、また、電気的不活性の相は、絶縁性ブロ
ックにより又は絶縁性ブロックと電気的不活性の相と相
溶する高分子化合物により形成される。

【００３９】電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックより
なるブロック共重合体又はグラフト共重合体としては、
公知の電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックよりなるブ
ロック共重合体又はグラフト共重合体を使用することが
できる。使用可能なブロック又はグラフト共重合体とし
ては、例えば、米国特許第３，９９４，９９４号明細書
に記載されているビニルカルバゾールとドデシルメタク
リレートの共重合により製造されたマルチブロック共重
合体が挙げられる。その他に、米国特許第４，６１８，
５５１号、第４，８０６，４４３号、第４，８１８，６
５０号、第４，９３５，４８７号又は第４，９５６，４
４０号の各明細書に記載されているもの、低分子量のポ
リシロキサン、脂肪族又は芳香族ポリエステル、ポリウ
レタン単位を含み、縮合により製造されるブロック共重
合体も使用できる。また、電荷輸送性ブロックとしてポ
リシランを含むものでもよい。しかし、ポリシランは機
械的特性や紫外線に対する耐性等に問題があり、電荷輸
送性ブロックとしては、炭素原子、酸素原子又は窒素原
子等を主とした骨格により形成される高分子化合物の方
が好ましい。また、これらの共重合体は、架橋により分
子構造が３次元化されていてもよい。

【００４０】さらに、本発明の不均一電荷輸送層に用い
る共重合体の電荷輸送性ブロックとしては、トリアリー
ルアミン構造を繰り返し単位として含有する共重合体
が、高い電荷輸送能を有するから好ましく、なかでも、
トリアリールアミン構造が下記一般式（１）又は（２）
で表される構造の少なくとも１種を繰り返し単位として
含有するものが特に好ましい。

【００４１】

【化１】（式中、Ａｒ₁及びＡｒ₂は、それぞれ独立に、置換も
しくは未置換のアリール基を示し、Ｘ₁は芳香族環構造
を有する２価の炭化水素基又はヘテロ原子含有炭化水素
基を示し、Ｘ₂及びＸ₃は、それぞれ独立に、置換もし
くは未置換のアリーレン基を示し、Ｌ₁は枝分れもしく
は環構造を含んでもよい２価の炭化水素基又はヘテロ原
子含有炭化水素基を示し、ｍ及びｎは、それぞれ０又は
１である。）

【化２】（式中、Ａｒ₃及びＡｒ₄は、それぞれ独立に、置換も
しくは未置換のアリール基を示し、Ｌ₂は芳香族環構造
を有する３価の炭化水素基又はヘテロ原子含有炭化水素
基を示す。）

【００４２】上記一般式（１）において、Ａｒ₁及びＡ
ｒ₂は、それぞれ独立に置換もしくは未置換のアリール
基から選ばれるものであり、そのアリール基の具体例と
しては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ピレ
ニル基等が挙げられる。また、置換基としては、メチル
基、エチル基、メトキシ基、ハロゲン原子等が挙げられ
る。Ｘ₁は、芳香族環構造を有する２価の炭化水素基又
はヘテロ原子含有炭化水素基から選ばれる。具体例とし
ては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン
基、ナフチレン基、メチレンジフェニル基、シクロヘキ
シリデンジフェニル基、オキシジフェニル基、チオジフ
ェニル基等又はこれらのメチル置換体、エチル置換体、
メトキシ置換体或いはハロゲン置換体等が挙げられ、こ
れらの中で、特に置換もしくは未置換のビフェニレン基
が電荷輸送性の点で、特に好ましい。Ｘ₂及びＸ₃は、
それぞれ独立に置換もしくは未置換のアリーレン基から
選ばれ、具体的には、フェニレン基、ビフェニレン基、
ターフェニレン基、ナフチレン基等又はこれらのメチル
置換体、エチル置換体、メトキシ置換体或いはハロゲン
置換体等が挙げられる。

【００４３】Ｌ₁は、枝分れもしくは環構造を含んでも
よい２価の炭化水素基又はヘテロ原子含有炭化水素基か
ら選ばれ、上記の好ましい特性の少なくとも１つを発揮
するかぎり任意であるが、エーテル結合、エステル結
合、カーボネート結合、シロキサン結合等から選ばれる
結合基を含み、かつ炭素数が２０以下のものが好まし
い。その具体例としては、以下のものが挙げられる。

【化３】

【００４４】上記一般式（２）において、Ａｒ₃及びＡ
ｒ₄は、それぞれ独立に置換もしくは未置換のアリール
基から選ばれ、そのアリール基の具体例としては、フェ
ニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ピレニル基等が挙
げられる。また、置換基としては、炭素数１〜１２個の
アルキル基又はアルコキシ基、ジアリールアミノ基、ハ
ロゲン原子等が挙げられる。

【００４５】Ｌ₂は、芳香族環構造を有する３価の炭化
水素基又はヘテロ原子含有炭化水素基から選ばれ、上記
の好ましい特性の少なくとも１つを発揮する限り任意で
あるが、炭素数が２０以下のものが好ましい。その具体
例としては、以下のものが挙げられる。

【化４】

【００４６】また、本発明に用いる共重合体を構成する
絶縁性ブロックとしては、絶縁性を示すモノマーの重合
体であれば如何なるものでもよく、その具体例として
は、ポリビニルアセタール、ポリアルキルメタクリレー
ト、ポリアルキルアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリアルキルビニルエーテ
ル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリシロキサン
等又はこれらのブロック、グラフト、ランダム又は交互
共重合体等が挙げられる。しかし、良好な機械的強度、
可撓性、可視光及び赤外光透過性、化学的安定性、絶縁
性等を示すビニル系モノマーの重合物からなるものが好
ましく、特に下記一般式（３）で示されるビニルモノマ
ーの少なくとも１種の重合により得られるものが好まし
い。

【００４７】

【化５】上記一般式（３）中、Ｒ¹〜Ｒ³は、それぞれ独立に水
素原子、ハロゲン原子、又は置換もしくは未置換のアル
キル基又はアリール基から選ばれる。置換もしくは未置
換のアルキル基又はアリール基の具体的としては、メチ
ル基、エチル基、メトキシ基、クロロメチル基、フェニ
ル基、トリル基等が挙げられる。Ｒ⁴は、置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシ
ル基、アシルオキシ基又はアルコキシカルボニル基から
選ばれる。アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシ
ルオキシ基及びアルコキシカルボニル基の炭素数は、い
ずれも１〜１８個の範囲のものが好ましい。また、アリ
ール基としては、フェニル基、ナフチル基、ピレニル基
等が挙げられ、その置換基としては、ハロゲン原子、フ
ェニル基、ヒドロキシ基、アミノ基、イソシアネート
基、エポキシ基、アルコキシシリル基等が挙げられる。

【００４８】本発明に用いる共重合体において、電荷輸
送性ブロック中の繰り返し単位として含有する上記一般
式（１）で表される構造式の具体例を、表１〜表４に示
す。

【表１】

【００４９】

【表２】

【００５０】

【表３】

【００５１】

【表４】

【００５２】また、上記一般式（２）で表される構造式
の具体例を、表５に示す。

【表５】

【００５３】また、共重合体を構成する絶縁性ブロック
中の繰り返し単位として含有する上記一般式（３）で表
される構造式の具体例を表６〜表８に示すが、本発明は
これらに限られない。

【表６】

【００５４】

【表７】

【００５５】

【表８】

【００５６】本発明に用いる共重合体中の絶縁性ブロッ
クの抵抗値としては、１０¹³Ω・ｃｍ以上のものが好ま
しく、より好ましくは１０¹⁴Ω・ｃｍ以上である。上記
抵抗値が、その範囲より低い絶縁性ブロックを用いる
と、そのブロックにより形成される電気的不活性の相の
電気絶縁性が損なわれてＳ字性が失われる傾向にある。
なお、共重合体中の電気抵抗値は、直接測定することが
困難であるから、絶縁性ブロックと同一構造の高分子化
合物の電気抵抗率で代用することができる。

【００５７】本発明に用いる共重合体は、ブロック共重
合体又はグラフト共重合体である限り、その構成ブロッ
クの連結形式は如何なるものでも構わない。すなわち、
電荷輸送性ブロックをＡ、絶縁性ブロックをＢで表した
とき、ＡＢ型、ＡＢＡ型、ＢＡＢ型、（ＡＢ）ｎ型、
（ＡＢ）ｎＡ型、及びＢ（ＡＢ）ｎ型のブロック共重合
体、電荷輸送性ブロックを主鎖として絶縁性ブロックを
側鎖とするグラフト共重合体、絶縁性ブロックを主鎖と
して電荷輸送性ブロックを側鎖とするグラフト共重合体
又はＡＢＡ型等のブロック共重合体の側鎖にＡ及び／又
はＢをグラフト化したブロック−グラフト共重合体等が
挙げられる。また、本発明においては、電荷輸送性ブロ
ック及び絶縁性ブロックともに、２種類以上の構造単位
を含むものも使用可能である。

【００５８】本発明に用いる電気的に不活性の相と相溶
する高分子化合物としては、電気的に絶縁性のものであ
り、その抵抗値は、１０¹³Ω・ｃｍ以上のものであるこ
とが好ましく、１０¹⁴Ω・ｃｍ以上がより好ましい。電
荷を輸送する高分子化合物では、電気的不活性の相の電
気的不活性を破壊して電荷輸送性にするために使用でき
ないが、主な輸送電荷に対し、逆極性の電荷輸送性を有
する高分子化合物は使用可能である。また、電荷輸送性
ブロックと相溶する高分子化合物としては、電荷輸送性
であることが好ましいが、電荷輸送性の相の電荷輸送性
を顕著に低下させない添加量範囲であれば絶縁性のもの
でもよい。なお、絶縁性の高分子化合物を用いる場合に
は、電荷輸送性ブロックより少量であることが好まし
い。

【００５９】電荷輸送性の相に相溶する高分子化合物と
しては、電荷輸送性の相と相溶性の高分子化合物であれ
ば如何なるものも使用でき、例えば、ポリビニルカルバ
ゾール等の電荷輸送能を有する基を側鎖に含む高分子化
合物、トリアリールアミン構造を繰り返し単位として含
有する共重合体、ポリシラン等の電荷輸送性高分子化合
物、ポリビニルアセタール、ポリアルキルメタクリレー
ト、ポリアルキルアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリアルキルビニルエーテ
ル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリシロキサン
等、又はこれらのブロック、グラフト、ランダム或いは
交互共重合体等の絶縁性高分子化合物が挙げられる。な
かでも、良好な相溶性を有するものとして、使用する共
重合体の電荷輸送性ブロックと同一の構造を含む高分子
化合物が好ましく、より好ましくは同一構造の高分子化
合物である。また、電荷輸送性の相に相溶する高分子化
合物としては、前記の電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロ
ックとのブロック共重合体又はグラフト共重合体の電荷
輸送性ブロック及び絶縁性ブロックとして例示したもの
と同一構造の高分子化合物を使用することが好ましい。

【００６０】電気的不活性の相に相溶する高分子化合物
としては、電気的不活性の相と相溶性の高分子化合物で
あれば如何なるものも使用でき、例えば、ポリビニルア
セタール、ポリアルキルメタクリレート、ポリアルキル
アクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢
酸ビニル、ポリアルキルビニルエーテル、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリシロキサン等、又はこれらの
ブロック、グラフト、ランダム或いは交互共重合体等が
挙げられる。なかでも、良好な相溶性を有するものとし
て、使用する共重合体の絶縁性ブロックと同一の構造を
含む高分子化合物が好ましく、より好ましくは同一の構
造の高分子化合物である。

【００６１】また、共重合体と混合する高分子化合物の
分子量については、特に制限されるものではないが、共
重合体のブロックの分子量より大きいか同じ程度のもの
では、ブロックが形成する相と相溶することができず
に、共重合体と相分離してホモポリマーのみの相を形成
する場合がある。相溶性を良くするには、電荷輸送性の
相に相溶する高分子化合物の分子量は、電荷輸送性ブロ
ックの分子量より小さい方が好ましく、また、電気的不
活性の相に相溶する高分子化合物の分子量は、絶縁性ブ
ロックの分子量より小さい方が好ましく、より好ましく
は２／３倍以下、さらに好ましくは１／２倍以下のもの
である。

【００６２】電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロックとの
ブロック共重合体又はグラフト共重合体と、電荷輸送性
の相に相溶する高分子化合物及び／又は電気的不活性の
相に相溶する高分子化合物との混合物を得るには、それ
らの共重合体と高分子化合物とを混合してもよく、共重
合体の合成の前又は合成時に高分子化合物を添加しても
よく、また、共重合時に一部共重合させないでホモポリ
マーを残してもよく、さらには、共重合体の合成時にホ
モポリマーを生成させてもよい。しかし、共重合の反応
制御の困難性、共重合反応時における生成物の汚染や分
解の発生等から共重合後に高分子化合物を混合する方が
好ましい。

【００６３】電荷輸送性ブロックと電荷輸送性の相と相
溶する高分子化合物との和に対する絶縁性ブロックと電
気的不活性の相と相溶する高分子化合物との和の重量比
は、９／１〜１／９の範囲で任意に設定されるが、８／
２〜２／８の範囲が好ましく、より好ましくは７／３〜
３／７の範囲である。電荷輸送性ブロックと電荷輸送性
の相と相溶する高分子化合物との和の重量比が、上記範
囲より多いとＳ字性が低下し、一方、それより少ないと
電荷輸送性が低下し、光感度の低下や残留電位の増加等
が発生する。

【００６４】また、共重合体又はそれと相溶する高分子
化合物を架橋する際には、架橋剤を添加することができ
る。架橋剤としては、例えば、硫黄系化合物、有機過酸
化物、多価フェノール樹脂、多価アミノ樹脂、多価ハロ
ゲン化合物、多価アミン化合物、多価アゾ化合物、多価
イソシアネート化合物、多価シリルイソシアネート化合
物、多価エポキシ化合物、シラン化合物、チタネート化
合物、多価カルボン酸化合物、酸無水物等が挙げられ
る。これら架橋剤は、共重合体と予め混合したものを塗
布し架橋させるか、共重合体を予め塗布した上にスプレ
ーや浸漬、蒸気への暴露により接触させて架橋させる。

【００６５】電荷輸送性部分の相のサイズは０．０１〜
１μｍが好ましく、より好ましくは０．０２〜０．５μ
ｍ、特に好ましくは０．０５〜０．２μｍの範囲であ
る。電荷輸送性の相のサイズが上記範囲より大きいと、
好ましい膜厚の範囲内でＳ字化に必要な空間的トラップ
の形成が確率的に低くなり、Ｓ字性が失われることにな
る。他方、電荷輸送性の相のサイズが上記範囲より小さ
いと、空間的トラップが浅くなりすぎ、Ｓ字性が失われ
る傾向にある。

【００６６】本発明に用いる共重合体は、その各ブロッ
クの分子量によって相のサイズを制御することができ
る。ブロックの分子量が大きくなると、相のサイズも大
きくなり、ブロックの分子量が小さくなると、相の厚さ
も小さくなる。各ブロックの分子量は２０００〜２００
００００の範囲が適当である。各ブロックの分子量が２
０００未満では相のサイズが小さすぎ、２００００００
以上では相のサイズが大きすぎる。なお、ここにいう分
子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）である。

【００６７】本発明においては、前記のように電荷輸送
性の相に相溶する高分子化合物を混合することにより電
荷輸送性の相のサイズを大きくすることができる。電荷
輸送性の相に相溶する高分子化合物の不均一電荷輸送層
中の含有量としては、１〜５０重量％の範囲が好まし
く、より好ましくは２〜３０重量％であり、さらに好ま
しくは５〜２０重量％である。

【００６８】また、溶剤の選択、混合溶剤の利用、溶剤
の蒸発速度の調整、冷却速度等によっても相のサイズの
多少の調整は可能である。また、各ブロックと同構成の
電荷輸送性高分子化合物と絶縁性高分子化合物の溶解度
パラメーターは、相分離を容易に行わせるために共通溶
剤のある範囲で離れている方が好ましい。

【００６９】本発明に用いる不均一電荷輸送層の膜厚
は、均一電荷輸送層と組み合わすことなく電荷輸送層を
不均一電荷輸送層のみで形成する場合、５〜１００μｍ
の範囲であり、好ましくは１０〜５０μｍの範囲に設定
される。

【００７０】また、本発明における不均一電荷輸送層の
膜厚は、均一電荷輸送層と組合せる場合、０．１〜５０
μｍの範囲であり、好ましくは０．２〜２０μｍ、さら
に好ましくは０．５〜１０μｍの範囲に設定される。上
記範囲より薄いとＳ字性が失われる傾向にある。膜厚の
上限に関しては、用いるＳ字型電荷輸送層の電荷輸送能
により制限され、応答速度、残留電位等が許容される範
囲内で設定される。

【００７１】電荷輸送性の相の電荷移動度は、電子写真
感光体の応答速度を支配する一因子であり、移動度が高
いもの程、高速の電子写真装置に好適に用いられる。

【００７２】本発明の電子写真装置においては、少なく
とも現像に用いる電界強度域において、電荷移動度は１
０^-6ｃｍ²／Ｖｓ以上であることが好ましく、より好ま
しくは５×１０^-6ｃｍ²／Ｖｓ以上である。電荷輸送性
の相の電荷移動度を、直接測定することは困難であり、
電荷輸送性の相を形成する電荷輸送性高分子の単独又は
電荷輸送性ブロックと同一構造の電荷輸送性高分子の電
荷移動度で代用することができる。移動度の測定は、当
業界における常法である、Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈ
ｔ法により行うことができ、電界強度５Ｖ／μｍでの値
で代表される。また、不均一電荷輸送層中に、主な輸送
電荷と逆極性の電荷のみを輸送できる化合物を添加する
ことにより、残留電位の低下、繰り返し安定性の向上等
の効果を得ることもでき、その化合物は絶縁性高分子化
合物の相中に含まれていることが好ましい。また、不均
一電荷輸送層形成用の塗布液を塗布するには、従来公知
のブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビ
ードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カ
ーテンコーティング法等を用いる。

【００７３】均一電荷輸送層、すなわち、電荷輸送性マ
トリックスよりなる層としては、従来のＪ字型積層感光
体の電荷輸送層に用いられている従来公知のものを使用
することができる。例えば、ベンジジン系化合物、アミ
ン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合
物、カルバゾール系化合物等のホール輸送性低分子化合
物又はフルオレノン系化合物、マロンニトリル系化合
物、ジフェノキノン系化合物等の電子輸送性低分子化合
物を、単独で又は２種以上を混合して、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポ
リメチルメタクリレート等の絶縁性樹脂中に均一分子分
散した固溶膜又はそれ自体が電荷輸送能を有する高分子
化合物等を用いることができる。また、セレン、アモル
ファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイト等の
電荷輸送能を有する無機物質を用いることもできる。電
荷輸送性高分子化合物としては、ポリビニカルバゾール
等の電荷輸送能を有する基を側鎖に含む高分子化合物、
特開平５−２３２７２７号公報等に開示されているよう
な電荷輸送能を有する基を主鎖に含む高分子化合物及び
ポリシラン等を用いることができる。

【００７４】本発明における均一電荷輸送層には、特に
製造上から電荷輸送性高分子化合物を用いることが好ま
しい。すなわち、不均一電荷輸送層と均一電荷輸送層を
積層製膜する場合、均一電荷輸送層に電荷輸送性低分子
化合物を用いると、その低分子化合物が不均一電荷輸送
層に混入することにより、不均一電荷輸送層の電気的不
活性相の主要な電荷に対して絶縁性が低下する。その結
果、Ｓ字性が損なわれたり、或いは混入分子が電荷トラ
ップとなり残留電位の増大、輸送能の低下及び光感度の
低下等の障害が発生する。これらの問題は、湿式塗布法
によって各層を成膜する場合に顕著に現れるが、これら
は、上層の塗布溶剤として下層を溶解及び膨潤し難いも
のを選択するか又は絶縁性ブロックとして電荷輸送性低
分子化合物と相溶しないものを選択する等により、回避
することが可能である。ところが、異なる高分子を混合
すると、高分子同士が相溶することは稀であり、相分離
を起こすことが一般的であることが知られており、均一
電荷輸送層に電荷輸送性高分子化合物を用いると、不均
一電荷輸送層の電気的不活性相と相溶することなく相分
離するため、上記のような混入の問題は殆ど発生せず、
材料及び製造法の選択時の制約が解消されるという利点
がある。また、上記の理由から、電荷輸送性高分子を用
いる均一電荷輸送層の場合には、分子量１０００以下の
電荷輸送性化合物が層中に５％以上含まれないことが望
ましい。

【００７５】さらに、均一電荷輸送層の電荷輸送性高分
子化合物として、前記一般式（１）又は（２）で表され
る構造の少なくとも１種以上を繰り返し単位として含有
する電荷輸送性樹脂を用いると、高い電荷輸送能を有
し、機械的特性にも優れているので特に好ましい。

【００７６】また、均一電荷輸送層中には、電荷輸送性
マトリックスに囲まれるような電気的不活性な領域が存
在してもよい。例えば、表面摩擦の低減、磨耗の低減又
は表面付着物の低減等を目的として、絶縁性粒子等を含
有させることができる。また、均一電荷輸送層は、輸送
能の向上等を目的として、電荷輸送性微粒子等を含むこ
とができる。また、均一電荷輸送層形成用の塗布液を塗
布するには、従来公知のブレードコーティング法、ワイ
ヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸
漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイ
フコーティング法、カーテンコーティング法等を用いる
ことができ、また、気相成膜可能なものは、真空蒸着法
等により直接成膜することもできる。

【００７７】本発明に用いる均一電荷輸送層の膜厚は１
〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍに設定される。
また、電荷輸送層の全体の厚さは、通常、５〜１００μ
ｍの範囲であり、好ましくは１０〜５０μｍの範囲に設
定される。

【００７８】電荷発生層と電荷輸送層よりなる感光層の
上には、さらに必要に応じて保護層を設けてもよい。こ
の保護層は、帯電部材から発生するオゾンや酸化性ガス
等、紫外光等の化学的ストレス或いは現像剤、紙、クリ
ーニング部材等との接触に起因する機械的ストレスから
感光層を保護し、感光層の寿命の実質的な改善に有効で
ある。特に、薄層の電荷発生層を上層に用いる層構成に
おいては、特に効果が顕著である。保護層は、導電性材
料を適当な結着樹脂中に含有させて形成される。導電性
材料としては、ジメチルフェロセン等のメタロセン化合
物、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化チタン、酸化イン
ジウム、ＩＴＯ等の金属酸化物等の材料を用いることが
できるが、これらに限定されるものではない。結着樹脂
としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアクリルアミ
ド、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂等の公知の樹脂が用いられ、また、アモル
ファスカーボン等の導電性無機膜も保護層として用いる
ことができる。

【００７９】保護層の電気抵抗としては１０⁹〜１０¹⁴
Ω・ｃｍの範囲が好ましい。電気抵抗がこの範囲以上に
なると残留電位が増加し、他方、この範囲以下になると
沿面方向において電荷漏洩が無視できなくなり、解像力
の低下が生じてしまう。

【００８０】保護層の膜厚は０．５〜２０μｍの範囲で
あり、好ましくは１〜１０μｍの範囲に設定される。ま
た、保護層を設ける際、必要に応じて、感光層と保護層
との間に、保護層から感光層への電荷の漏洩を阻止する
ブロッキング層を設けることができる。このブロッキン
グ層には、保護層と同様に公知のものを用いることがで
きる。

【００８１】本発明の電子写真感光体には、電子写真装
置中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは、光、熱
による感光体の劣化を防止する目的で、各層又は最上層
中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等を添加すること
ができる。酸化防止剤としては、公知のものを用いるこ
とができ、例えば、ヒンダードフェノール、ヒンダード
アミン、パラフェニレンジアミン、ハイドロキノン、ス
ピロクロマン、スピロインダノン又はそれらの誘導体、
有機硫黄化合物、有機燐化合物等が挙げられる。また、
光安定剤としては、公知のものを用いることができ、例
えば、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、ジチオカ
ルバメート、テトラメチルピペリジン等の誘導体又は光
励起状態をエネルギー移動或いは電荷移動により失活し
得る電子吸引性化合物又は電子供与性化合物等が挙げら
れる。さらに、表面磨耗の低減、転写性の向上、クリー
ニング性の向上等を目的として、最表面層にフッ素樹脂
等の絶縁性粒子を分散させてもよい。

【００８２】本発明の電子写真感光体を搭載する電子写
真装置としては、電子写真法を用いるものであれば如何
なるものでもよいが、特に、デジタル処理された画像信
号に基づいて露光を行う電子写真装置が好適である。デ
ジタル処理された画像信号に基づいて露光を行う電子写
真装置とは、レーザー又はＬＥＤ等の光源を用いて、２
値化又はパルス幅変調や強度変調を行うことによって多
値化された光により露光する電子写真装置であり、具体
例として、ＬＥＤプリンター、レーザープリンター、レ
ーザー露光式デジタル複写機等が挙げられる。また、電
子写真感光体とともにクリーニング手段、帯電手段、現
像手段等の１つ以上と組み合せて装置ユニットとしても
よい。また、使用するＳ字型電子写真感光体のＥ50％／
Ｅ10％値としては５以下のものであり、好ましいデジタ
ル特性を発揮するには、Ｅ50％／Ｅ10％値が３未満のも
のが好ましく、より好ましくは２未満のものである。

【００８３】

【実施例】以下、実施例等により本発明を具体的に説明
するが、本発明は、下記の実施例に限定されるものでは
なく、当業者は電子写真技術における公知の知見から、
これらの実施例に適宜変更を加えることが可能である。合成例１反応性重合開始剤の４，４′−アゾビス（４−シアノ吉
草酸クロリド）の合成塩化チオニル１４０ｍｌを氷冷し、これに４，４′−ア
ゾビス（４−シアノ吉草酸）４８ｇを徐々に添加した
後、３０℃において６時間加熱し、次に、過剰の塩化チ
オニルを減圧下に留去した。その残留物をクロロホルム
により再結晶させて４，４′−アゾビス（４−シアノ吉
草酸クロリド）結晶２２ｇを得た。

【００８４】合成例２両末端にアゾ型重合開始剤を有する電荷輸送性重合体の
合成３，３′−ジメチル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｐ，ｍ−ジメチ
ルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス［４−（２−メトキシカ
ルボニルエチル）フェニル］−［１，１′−ビフェニ
ル］−４，４′−ジアミン１００ｇ、エチレングリコー
ル２００ｇ及びテトラブトキシチタン５ｇを、窒素気流
下に３時間加熱還流した。そのジアミンが消費されたこ
とを確認した後、０．５ｍｍＨｇに減圧してエチレング
リコールを留去させながら２３５℃に加熱し、さらに６
時間反応を続けた。得られた反応生生物を室温まで冷却
し、次に塩化メチレンを加えて不溶分を溶解させ、さら
にアセトンから再沈殿することにより、下記構造式
（１）で示される繰り返し単位を有し、両末端にヒドロ
キシ基を有する電荷輸送性重合体９０ｇを得た。この重
合体の重量平均分子量は７．５×１０⁴であった。

【００８５】

【化６】

【００８６】次に、得られた電荷輸送性重合体４３ｇと
トリエチルアミン０．５ｇをジクロロメタン１２０ｍｌ
に溶解させて０℃に冷却した。この溶液に、合成例１で
得られた４，４′−アゾビス（４−シアノ吉草酸クロリ
ド）５．６ｇをジクロロメタン２０ｍｌに溶解させた溶
液を滴下し、室温において１時間反応させた後、３０℃
に加温し、さらに４時間反応させた。この反応液から溶
媒を留去した後、テトラヒドロフランを加えて溶解させ
た溶液をメタノールに滴下し、これを１時間撹拌した後
に濾別し、この再沈殿操作をさらに２回繰り返した。生
成した残渣を乾燥させることにより、両末端にアゾ型重
合開始剤を有する電荷輸送性重合体４１ｇを得た。

【００８７】合成例３下記構造式（２）で示されるブロック共重合体の合成合成例２で得られた両末端にアゾ型重合開始剤を有する
電荷輸送性重合体２０ｇとｔｅｒｔ−ブチルメタクリレ
ート２８ｇをトルエン４００ｍｌに溶解させて窒素置換
した後、６５℃において１００時間加熱反応させた。こ
の反応液をヘキサンに滴下させて１時間撹拌した後に濾
別した。ここから溶媒を除去した後、テトラヒドロフラ
ンを加えた溶液をメタノールに滴下し、１時間撹拌した
後に濾別した。さらに、トルエンとヘキサンの混合溶剤
（混合比１５：８５）による再沈殿操作を２回繰り返し
た。得られた残査を減圧乾燥して、下記構造式（２）で
示される重量平均分子量１５万のブロック共重合体３０
ｇを得た。なお、式中の括弧は、繰り返し単位を意味す
る。得られた共重合体の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルの各ブ
ロックに帰属するプロトンの積分強度比から、電荷輸送
性ブロックと絶縁性ブロックの重量組成比は、約４９／
５１と計算される。また、本例のブロック共重合体の絶
縁性ブロックと同一の構造を持つポリ（ｔｅｒｔ−ブチ
ルメタクリレート）の体積抵抗率は１０¹⁴Ω・ｃｍ以上
であった。

【００８８】

【化７】

【００８９】合成例４合成例３において、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの
添加量を３０ｇに変えたこと以外は、合成例３と同様に
して構造式（２）で示されるブロック共重合体３１ｇを
得た。得られた共重合体の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルの各
ブロックに帰属するピークから、電荷輸送性ブロックと
絶縁性ブロックの重量組成比は、約４５：５５と計算さ
れる。

【００９０】合成例５合成例３において、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの
添加量を４０ｇに変えたこと以外は、合成例３と同様に
して構造式（２）で示されるブロック共重合体３５ｇを
得た。得られた共重合体の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルの各
ブロックに帰属するピークから、電荷輸送性ブロックと
絶縁性ブロックの重量組成比は、約３９：６１と計算さ
れる。

【００９１】実施例１アルミニウム基板上に、ジルコニウムアルコキシド化合
物（商品名：オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬
社製）１０重量部及びシラン化合物（商品名：Ａ１１１
０、日本ユニカー社製）１重量部とイソプロパノール４
０重量部及びブタノール２０重量部からなる溶液を浸漬
コーティング法で塗布し、１５０℃において１０分間加
熱乾燥し、膜厚０．１μｍの下引き層を形成した。次
に、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルのブラッ
グ角度（２θ±０．２°）が、少なくとも７．４°、１
６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピーク
を有するクロロガリウムフタロシアニン微結晶４重量部
を、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＵＣＡ
Ｒソリューションビニル樹脂ＶＭＣＨ、ユニオンカーバ
イド社製）２重量部、キシレン６７重量部及び酢酸ブチ
ル３３重量部と混合し、ガラスビーズとともにペイント
シェーク法で２時間分散処理させて得られた塗布液を用
いて、浸漬塗布法で上記の下引き層上に塗布し、１００
℃において１０分間加熱乾燥し、膜厚０．５μｍの電荷
発生層を形成した。

【００９２】次に、合成例３で得られた電荷輸送性ブロ
ックと絶縁性ブロックを有するブロック共重合体１８．
４重量部と、この共重合体の絶縁性ブロックと同一構造
を有するポリ（ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート）（重
量平均分子量５万）１．６重量部をトルエン８０重量部
に溶解させた塗布液を用いて、浸漬塗布法で上記の電荷
発生層上に塗布し、１１５℃において３０分間加熱乾燥
させて、膜厚２０μｍの不均一電荷輸送層を形成するこ
とにより、図５に示す層構成の電子写真感光体を作製し
た。この感光体において、不均一電荷輸送層中の電荷輸
送ブロックの重量比率は４５％であった。

【００９３】得られた感光体を、一部を改造した静電複
写紙試験装置（エレクトロスタティックアナライザーＥ
ＰＡ−８１００、川口電機製作所社製）に装填し、常温
常湿（２０℃、４０％ＲＨ）の環境下に電子写真特性の
評価を行った。コロナ放電の電圧を調整して感光体表面
を−７５０Ｖに帯電させた後、干渉フィルターを通して
７５０ｎｍに単色化したハロゲンランプ光が、感光体表
面上で１ｍＷ／ｍ²の光強度になるように調整し、７秒
間照射したところ、図１３に示すＳ字型の光誘起電位減
衰を示した。また、光照射後の電位を残留電位とした。
この光誘起電位減衰曲線からＥ50％値は３．０ｍＪ／ｍ
²であり、Ｅ50％／Ｅ10％値は１．９と算出された。ま
た、残留電位は−２５Ｖであった。この感光体の断面を
ルテニューム酸で染色し、透過型電子顕微鏡により観察
したところ、濃い部分と薄い部分とからなる海島構造が
見られた。これは、電荷輸送性の相と電気的不活性の相
とが相分離しており、片方の相がルテニューム酸で染色
されたものと推定される。また、その島を形成している
部分が電荷輸送性の相と推定され、その相のサイズ（島
の径）は約０．０７μｍであった。

【００９４】比較例１〜４比較例１〜４は、いずれも不均一電荷輸送層を、実施例
１のものに代えて表９に示す各々の合成例で得られた共
重合体を用いて形成したこと以外は、実施例１と同様に
して電子写真感光体を作製した。また、得られた各々の
感光体の電子写真特性について、実施例１と同様に評価
した。実施例１と同様に不均一電荷輸送層の断面を観察
したところ、比較例１により得られた感光体のみは、実
施例１と同様の海島構造が見られ、また、その島の径は
０．０７μｍであった。

【００９５】実施例１及び比較例１〜４で得られた感光
体の不均一電荷輸送層の構成及び評価結果を表９に示
す。

【表９】

【００９６】表９の結果によると、不均一電荷輸送層中
の電荷輸送性の相の構成材料について、電荷輸送性ブロ
ツク共重合体に、これと相溶する高分子化合物を混合す
ることにより、電荷輸送性の相中に占める電荷輸送性ブ
ロツク共重合体の含有割合を減少させても、電荷輸送性
ブロツク共重合体のみのものと同様に良好な電気特性を
示すことが判明する。また、実施例１の感光体におい
て、電気的不活性の相と相溶する高分子化合物を混合し
ても電荷輸送性の相の大きさが変化しないのは、電気的
不活性の相が海を構成していることに起因すると考えら
れる。

【００９７】実施例２実施例１において、不均一電荷輸送層を、合成例５で得
られたブロック共重合体１８重量部と、この共重合体の
電荷輸送性ブロックと同一構造の下記構造式（３）で示
される繰り返し単位よりなる高分子化合物（分子量５
万）２重量部を用いて形成したこと以外は、実施例１と
同様にして電子写真感光体を作製した。

【００９８】

【化８】得られた感光体の電子写真特性について、実施例１と同
様に評価したところ、その光誘起電位減衰特性は、Ｅ50
％値が３．３ｍＪ／ｍ²であり、Ｅ50％／Ｅ10％値が
１．７のＳ字型であった。また、その残留電位は−３０
Ｖであった。この感光体の断面について実施例１と同様
に観察したところ、不均一電荷輸送層は実施例１と同様
の海島構造が見られた。その相のサイズ（島の径）は、
約０．０９μｍであり、実施例１よりも大きくなってい
た。

【００９９】実施例３実施例１において、不均一電荷輸送層を、合成例４で得
られたブロック共重合体１６重量部と、ポリ（ｔｅｒｔ
−ブチルメタクリレート）（分子量５万）２．２重量部
と、この共重合体の電荷輸送性ブロックと同一構造の構
造式（３）で示される繰り返し単位よりなる高分子化合
物（分子量５万）１．８重量部を用いて形成したこと以
外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し
た。得られた感光体の電子写真特性を実施例１と同様に
評価したところ、その光誘起電位減衰特性は、Ｅ50％値
が３．５ｍＪ／ｍ²であり、Ｅ50％／Ｅ10％値が１．７
のＳ字型であった。また、その残留電位は−３０Ｖであ
った。この感光体の断面を実施例１と同様に観察したと
ころ、不均一電荷輸送層は実施例１と同様の海島構造が
見られた。その相のサイズ（島の径）は、約０．０９μ
ｍであり、実施例１よりも大きくなっていた。

【０１００】実施例４実施例２において、不均一電荷輸送層の膜厚を５μｍと
したこと以外は実施例２と同様に作製した感光体上に、
さらに、電荷輸送材料として構造式（３）で示される繰
り返し単位よりなる高分子化合物（分子量５万）２０重
量部をトルエン８０重量部に溶解させた塗布液をアプリ
ケータにて塗布し、１１５℃において１時間加熱乾燥さ
せて、膜厚１５μｍの均一電荷輸送層を形成し、図６に
示す層構成の電子写真感光体を作製した。得られた電子
写真感光体を、実施例１と同様にして評価したところ、
その光誘起電位減衰特性は、Ｅ50％値が３．３ｍＪ／ｍ
²であり、Ｅ50％／Ｅ10％値が１．６のＳ字型であっ
た。また、その残留電位は−１５Ｖであった。

【０１０１】実施例５アルミニウム基板の代わりに、表面を粗面化処理したア
ルミニウムドラムを使用したこと以外は、実施例２と同
様にして電子写真感光体を作製し、これをレーザープリ
ンター（ＬａｓｅｒＰｒｅｓｓ４１０５、富士ゼロ
ックス社製）に搭載し、印字試験を行った。この際、最
適な露光量を得るため、レーザー光の光路にＮＤフィル
ターを入れた。

【０１０２】本実施例に用いたレーザープリンターの概
略の構成図を図１４に示す。図１４において、感光体ド
ラム１１は、帯電用スコロトロン１３及びクリーニング
ブレード１７等とともに装置ユニットとしてレーザープ
リンターに装着されているものであり、感光体ドラム１
１の周りには、前露光用光源（赤色ＬＥＤ）１２、帯電
用スコロトロン１３、露光用レーザー光学系１４、現像
器１５、転写用コロトロン１６及びクリーニングブレー
ド１７が、それぞれプロセスの順序に配置されている。
露光用レーザー光学系１４は、発信波長７８０ｎｍの露
光用レーザーダイオードを備えており、デジタル処理さ
れた画像信号に基づいて発光する。発光したレーザー光
１４ａは、ポリゴンミラーと複数のレンズ、ミラーによ
りスキャンされながら感光体ドラム１１上を露光するよ
うに構成されている。なお、感光体ドラム１１と転写用
コロトロン１６との間を用紙１８が通過する。

【０１０３】比較例５実施例１と同様にして、アルミニウム基板上に電荷発生
層まで形成し、その電荷発生層の上に、高分子電荷輸送
材料として構造式（３）で示される繰り返し単位よりな
る高分子化合物（分子量５万）２０重量部をトルエン８
０重量部に溶解した塗布液を用いて浸漬塗布法により塗
布し、１１５℃において１時間加熱乾燥させて、膜厚２
０μｍの均一電荷輸送層を形成することにより電子写真
感光体を作製した。得られた電子写真感光体を、実施例
１と同様にして評価したところ、その光誘起電位減衰特
性は、Ｅ50％値が２．１ｍＪ／ｍ²であり、Ｅ50％／Ｅ
10％値が５．２のＪ字型であった。また、その残留電位
は−１５Ｖであった。

【０１０４】また、印字画像の評価は、上記のアルミニ
ウム基板の代わりに、表面を粗面化したアルミニウムド
ラムを用い、上記と同じ下引き層、電荷発生層及び均一
電荷輸送層を順次積層した電子写真感光体ドラムを作製
し、実施例５と同様にレーザープリンターを用いて印字
試験を行った。実施例５と比較例５で得られた印字画像
を比較したところ、実施例５の方が細線の再現性等の点
で、印字品質が優れていた。

【０１０５】

【発明の効果】本発明は、電荷輸送性の相と電気的不活
性の相とが相分離状態にある不均一電荷輸送層によりＳ
字型光誘起電位減衰特性を示す電子写真感光体であっ
て、不均一電荷輸送層には、電荷輸送性ブロックと絶縁
性ブロックよりなるブロック共重合体またはグラフト共
重合体に、電荷輸送性の相に相溶する高分子化合物及び
／又は電気的不活性の相に相溶する高分子化合物を混合
することによって、高い光感度及び大きな電荷輸送速度
を持つとともに、残留電位が低いという優れた電子写真
特性を有する良好なＳ字性を示す電子写真感光体を低コ
ストで容易に提供することができる。また、本発明のＳ
字型電子写真感光体を使用した電子写真装置は、デジタ
ル処理された画像信号に基づく露光により、長期に亘っ
て高画質の画像を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｊ字型電子写真感光体における露光量と表面
電位の関係を示すグラフである。

【図２】Ｓ字型電子写真感光体における露光量と表面
電位の関係を示すグラフである。

【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示
す模式的断面図である。

【図４】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一例
を示す模式的断面図である。

【図５】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一例
を示す模式的断面図である。

【図６】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一例
を示す模式的断面図である。

【図７】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一例
を示す模式的断面図である。

【図８】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一例
を示す模式的断面図である。

【図９】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一例
を示す模式的断面図である。

【図１０】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一
例を示す模式的断面図である。

【図１１】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一
例を示す模式的断面図である。

【図１２】本発明の電子写真感光体の層構成の他の一
例を示す模式的断面図である。

【図１３】実施例１の光誘起電位減衰特性を示すグラ
フである。

【図１４】実施例に用いたレーザープリンターの概略
構成図である。

【符号の説明】

１…電荷発生層、２…電荷輸送層、３…導電性支持体、
４…下引き層、５…不均一電荷輸送層、６…均一電荷輸
送層、１１…感光体ドラム、１２…前露光用光源、１３
…帯電用スコロトロン、１４…露光用レーザー光学系、
１４ａ…レーザー光、１５…現像器、１６…転写用コロ
トロン、１７…クリーニングブレード、１８…用紙。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者東武敏神奈川県南足柄市竹松1600番地富士ゼロックス株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基体上に、少なくとも電荷発生層
及び電荷輸送層を設けた電子写真感光体において、該電
荷輸送層が、電荷輸送性の相と電気的不活性の相との相
分離状態にある不均一電荷輸送層を設けてなり、該不均
一電荷輸送層は、電荷輸送性ブロックと絶縁性ブロック
よりなるブロック共重合体又はグラフト共重合体と、電
荷輸送性の相に相溶する高分子化合物及び／又は電気的
不活性の相に相溶する高分子化合物とを含むことを特徴
とする電子写真感光体。
【請求項２】不均一電荷輸送層が、電荷輸送性ブロッ
クと相溶する高分子化合物を１〜５０重量％の範囲で含
むことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】電荷輸送性の相に相溶する高分子化合物
又は電気的不活性の相に相溶する高分子化合物が、前記
共重合体を構成している電荷輸送性ブロック又は絶縁性
ブロックと同一構造を含む高分子化合物であることを特
徴とする請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】電荷輸送性の相に相溶する高分子化合物
の分子量が、前記共重合体を構成している電荷輸送性ブ
ロックの分子量より小さいこと及び／又は電気的不活性
の相に相溶する高分子化合物の分子量が前記共重合体を
構成している絶縁性ブロックの分子量より小さいことを
特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写
真感光体。
【請求項５】前記共重合体中の電荷輸送性ブロック
が、トリアリールアミン構造を繰り返し単位として含有
することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
載の電子写真感光体。
【請求項６】前記絶縁性ブロックが、ビニル系モノマ
ーの重合物からなることを特徴とする請求項１〜５のい
ずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】５０％電位減衰に要する露光量が、１０
％電位減衰に要する露光量の５倍以下であることを特徴
とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感
光体。
【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載の電
子写真感光体とデジタル処理された画像信号にもとづき
露光を行う露光手段を有することを特徴とする電子写真
装置。