JPH1116888A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534363B2 (en) 2002-12-13 2009-05-19 Lam Research Corporation Method for providing uniform removal of organic material
US7169231B2 (en) 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US6942816B2 (en) * 2003-02-12 2005-09-13 Lam Research Corporation Methods of reducing photoresist distortion while etching in a plasma processing system
JP4550507B2 (ja) 2004-07-26 2010-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4559202B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置
US20060042754A1 (en) 2004-07-30 2006-03-02 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus
JP4502198B2 (ja) * 2004-10-21 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
JP4502199B2 (ja) 2004-10-21 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
JP4701776B2 (ja) * 2005-03-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP4819411B2 (ja) * 2005-06-22 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2007005592A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法、高速プラズマエッチング装置
JP5119580B2 (ja) * 2005-08-26 2013-01-16 パナソニック株式会社 プラズマ処理方法
JP4849247B2 (ja) * 2006-12-22 2012-01-11 三菱マテリアル株式会社 比抵抗値の面内バラツキの小さい複合シリコン電極およびその製造方法
KR101437522B1 (ko) * 2007-09-05 2014-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
JP4963694B2 (ja) * 2008-09-29 2012-06-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9540731B2 (en) * 2009-12-04 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Reconfigurable multi-zone gas delivery hardware for substrate processing showerheads
JP5689294B2 (ja) * 2010-11-25 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
CN102231360B (zh) * 2011-05-27 2013-05-15 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法
TW202038326A (zh) 2019-01-11 2020-10-16 日商索尼半導體解決方案公司 氧化物半導體膜之蝕刻方法
US11150120B2 (en) * 2019-09-22 2021-10-19 Applied Materials, Inc. Low temperature thermal flow ratio controller

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