JPH11170602A - 光書き込み装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素密度の切り換えの待ち時間を不要とし、
高速に画像データの書き込みを可能とする。 【解決手段】 光源（１０）より射出された光ビームを
外部からの画素密度指定信号に応じて画素密度を可変す
るように感光体（２６）上を走査することにより画像を
形成する光書き込み装置において、光ビームを感光体上
の主走査方向に偏向する第１の光ビーム偏向手段（１
６）と、光源から感光体に至る光路中に設けられた光ビ
ームを偏向させる第２の光ビーム偏向手段（１４）と、
指定された画素密度に応じて光ビームの走査線位置を１
ライン毎に副走査方向に変更可能に第２の光ビーム偏向
手段を駆動制御する制御手段（３０）とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光源より射出された
光ビームを外部からの画素密度指定信号に応じて画素密
度を可変するように感光体上を走査することにより画像
を形成する画像形成装置で使用される光書き込み装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザプリンタ、複写機、ファク
シミリ装置等の画像形成装置で使用される光書き込み装
置においては、画素密度を一定値に固定していたため
に、種々の画素密度の画像を形成することができないと
いう問題があった。この問題を解決すべく特開昭６３−
１１４３７１号公報では、外部からの画素密度指令に応
じて画素密度を切り換える画素密度切り換え手段を備え
て画素密度切り換えを行う技術が提案されている。この
画素密度切り換えは図９に示す構成により行われいてい
る。同図に示すようにこの光書き込み装置は、レーザダ
イオード等の半導体レーザ及びモニタ用センサからなる
発光器１００から射出されるレーザ光を絞り器１０２を
介して回転多面鏡１０４に入射し、この回転多面鏡１０
４の回転によってレーザ光を書き込みビームとなし、こ
の書き込みビームをＦθレンズ１０６を介して書き込み
面としての感光体１０８に入射することによって、感光
体１０８上に書き込み画像に応じた静電潜像を形成す
る。絞り器１０２は絞り径制御回路１２６の制御下にド
ライバ１２８を介して絞りモータ１３０により駆動さ
れ、その開口径が制御される。

【０００３】そして、書き込み制御回路１１０はホスト
から送られてくる書き込みデータＷＤＡＴＡ等に応じて
ビデオ信号ＶｌＤＥＯを変調回路１１８に出力し、また
書き込み制御のために主走査方向の書き込み開始位置と
しての同期位置を検知する同期検知センサからの検知信
号に基づいて画素同期クロックＷＣＬＫ、主走査方向の
有効画像領域を示すラインゲート信号ＬＧＡＴＥ、副走
査方向の有効画像領域を示すフレームゲート信号ＦＧＡ
ＴＥ、書き込み開始同期信号としてのライン同期信号Ｌ
ＳＹＮＣ、書き込み領域外レーザ光設定信号としてのイ
レース信号ＥＲＡＳＥ等を生成出力するとともに、ホス
トからの画像密度指令信号によって指令された画素密度
に対応して画素同期クロックＷＣＬＯＫの周波数、ライ
ンゲート信号ＬＧＡＴＥの画素数、フレームゲート信号
ＦＧＡＴＥの画素数を制御し、更に絞り制御データとし
ての分周比情報Ｄｌ１及び光出カデータとしての分周比
情報Ｄ１２並びに基準クロックＲＥＦＭを出力する。な
お、この書き込み制御回路１１０は周波数Ｆｘｔの基準
クロックを発生するための水晶振動子１１２を備えてい
る。

【０００４】光パワー制御回路１１４は書き込み制御回
路１１０からの分周比情報及びホストからの画素密度指
令信号並びに発光器１００の内部に設けたレーザ光を受
光するフォトダイオード等のモニタセンサからの検知信
号に応じてドライバ１１６を介して変調回路１１８に光
出力信号を与える。変調回路１１８は光パワー制御回路
１１４からの光出力信号に応じた電流を発光器１００の
半導体レーザに供給するとともに書き込み制御回路１１
０からのビデオ信号ＶｌＤＥＯに応じて発光器１００の
半導体レーザをオン・オフ制御して、発光器１００から
書き込み画像に応じたレーザ光を射出させる。

【０００５】ＰＬＬ制御回路１２０は書き込み制御回路
１１０からの基準クロックＲＥＦＭ及びホストからの画
素密度指令言号並びに回転多面鏡１０４を回転駆動する
ポリゴンモータ１２４からのフィードバック信号に応じ
てドライバ１２２を介してポリゴンモータ１２４を駆動
制御して回転多面鏡１０４を回転させることにより、画
素密度の切り換えを行っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の画素密度切り換え方式では、各画素密度ごとに
回転多面鏡の回転速度を可変制御するために回転多面鏡
を回転制御するための制御回路が複雑になり高価になる
という問題がある。

【０００７】また、設定された各画素密度ごとに回転多
面鏡の回転速度を切り換える必要が有るため、画素密度
の切り換えを開始してから回転多面鏡の回転数が安定す
るまでの時間が必要となる。したがって、同じ画素密度
で印字する場合はよいが、レーザプリンタとファクシミ
リなどが一体となった複合機の場合等では印字する画素
密度が異なるため、レーザプリンタとファクシミりのデ
ータ処理を一度に行おうとすると、それぞれ印字時間の
遅れが目立つという問題が発生する。

【０００８】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、異なる画素密度で画像データを書き込む場
合に画素密度の切り換えの待ち時間を必要とせず、高速
に画像データの書き込みを行うことができる光書き込み
装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、光源より射出された光ビ
ームを外部からの画素密度指定信号に応じて画素密度を
可変するように感光体上を走査することにより画像を形
成する光書き込み装置において、前記光ビームを前記感
光体上の主走査方向に偏向させる第１の光ビーム偏向手
段と、前記光源から感光体に至る光路中に設けられ前記
光ビームを副走査方向に偏向させる第２の光ビーム偏向
手段と、画素密度を指定する画素密度指定信号により指
定された画素密度に応じて前記光ビームの走査線位置を
１ライン毎に副走査方向に変更可能に前記光ビーム偏向
手段を駆動制御する制御手段と、を有することを特徴と
する。

【００１０】上記構成の光書き込み装置では、制御手段
は画素密度を指定する画素密度指定信号により指定され
た画素密度に応じて前記光ビームの走査線位置を１ライ
ン毎に副走査方向に変更可能に光源から感光体に至る光
路中に設けられた第２の光ビーム偏向手段を駆動制御
し、第２の光ビーム偏向手段は制御手段からの制御信号
に基づいて前記光ビームを副走査方向に偏向させる。

【００１１】請求項１に記載の発明によれば、画素密度
を切り換える際に感光体上に光ビームを走査させるため
の回転多面鏡の回転数を変化させずに、画素密度に応じ
て光ビームの走査線位置を１ライン毎に副走査方向に変
更可能に制御するようにしたので、異なる画素密度で画
像データを書き込む場合に画素密度の切り換えのための
時間が不要になり、画像データを高速に書き込むことが
可能となる。

【００１２】また請求項２に記載の発明は、請求項１に
記載の光書き込み装置において画素密度切り換え可能な
範囲は、光書き込み装置の最大の画素密度以下であるこ
とを特徴とする。

【００１３】また請求項３に記載の発明は、請求項２に
記載の光書き込み装置において画素密度×２≦最大画素
密度の関係を満たす場合において重ね書きするデータの
書き込み位置の間隔を副走査方向に狭めて同じ書き込み
データを２回、重ね書きすることを特徴とする。

【００１４】請求項３に記載の発明によれば、重ね書き
する画像データの書き込み位置の間隔を副走査方向に狭
めて書き込みを行うようにしたので、請求項１に記載の
発明により得られる効果に加えて、通常、行われる画像
データの重ね書きよりも走査するラインのエッジ部を滑
らかにすることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して詳細に説明する。本発明の第１の実施の形態に係る
光書き込み装置の概略構成を図１に示す。同図におい
て、光書き込み装置は、レーザダイオード及びモニタ用
のフォトダイオード等を含んで構成されレーザビーム２
４を射出する光源１０を備えている。光源１０における
レーザビーム２４の射出側には、コリメータレンズ１
２、電気光学効果を利用した電気光学偏向器（以下、Ｅ
ＯＤと記す。）１４、本発明の第１の光ビーム偏向手段
としてのポリゴンミラー（回転多面鏡）１６が順に配置
されている。ＥＯＤ１４は本発明の第２の光ビーム偏向
手段に相当する。

【００１６】ポリゴンミラー１６の回転軸はポリゴンミ
ラーモータ２８の回転軸と連結されており、ポリゴンミ
ラーモータ２８は光書き込み装置全体の動作を制御する
主制御部３０に接続されている。ポリゴンミラーモータ
２８は、主制御部３０から入力されたモータ駆動信号に
応じてポリゴンミラー１６を回転させる。このポリゴン
ミラー１６の回転に伴って、ポリゴンミラー１６に入射
されたレーザービーム２４は所定方向（主走査方向）に
沿って偏向される。なお、図１では光源１０から射出さ
れたレーザビーム２４は、後述する平面ミラー２０に至
るまで直線で描かれているが、実際には上述したように
ポリゴンミラー１６により所定方向に反射され、感光体
２６の主走査方向に走査されている。

【００１７】また主制御部３０は、マイクロコンピュー
タ４０（図２参照）等を含んで構成されており、主制御
部３０は本発明の制御手段に相当する。

【００１８】一方、ＥＯＤ１４は、ＬｉＴａＯ₃ 等に代
表される電気光学部材から成る光学部材に対向電極（又
はくし型電極）が形成されて構成されており、光源１０
から射出されたレーザビーム２４が光学部材に入射され
るように配置されている。ＥＯＤ１４は、電極に電圧が
印加されていないときは光学部材に入射されたレーザビ
ーム２４をそのまま透過させるが、電極に電圧が印加さ
れると、電気光学効果により、入射されたレーザビーム
２４を、感光体２６の副走査方向に電極に印加された電
圧の大きさに応じた偏向量だけ偏向して射出する。

【００１９】ＥＯＤ１４の電極は主制御部３０に接続さ
れており、主制御部３０から後述するビーム位置制御信
号が入力される。ＥＯＤ１４の電極には、入力されたビ
ーム位置制御信号に応じた電圧が印加され、光学部材に
入力されたレーザビーム２４の偏向量が主制御部３０に
よって制御される。

【００２０】尚、本実施の形態では、ＥＯＤ１４の電極
にビーム位置制御信号に応じた電圧が印加されていない
状態においては、レーザビーム２４は図１の実線の方向
（通常の方向）にあり、ＥＯＤ１４の電極にビーム位置
制御信号に応じた電圧（極性が正の電圧）が印加された
場合に、印加された電圧の値に応じてレーザビーム２４
が破線で示す副走査方向に偏向される。また、極性が負
の電圧がＥＯＤ１４の電極に印加された場合は、極性が
正の電圧が印可された場合の逆方向にレーザビーム２４
は偏向される。

【００２１】本実施の形態ではビーム位置制御信号がロ
ウレベル（０Ｖ）の時はＥＯＤ１４の電極に電圧を印加
せずに、ビーム位置制御信号の出力があった場合に、そ
の出力信号に応じてＥＯＤ１４の電極に電圧を印加させ
ることにする。

【００２２】ポリゴンミラー１６におけるレーザビーム
２４の反射側には、Ｆθレンズ１８及び平面ミラー２０
が順に配置されている。更に平面ミラー２０におけるレ
ーザビーム２４の反射側にはシリンダミラー２２が、シ
リンダミラー２２におけるレーザビーム２４の反射側に
は感光体２６が、それぞれ配置されている。

【００２３】ポリゴンミラー１６によって偏向されたレ
ーザビーム２４は、Ｆθレンズ１８を透過して平面ミラ
ー２０及びシリンダミラー２２によって反射され、感光
体２６上を走査する。

【００２４】主制御部３０には、更にに光センサ等で構
成される同期検知器３２が接続されており、感光体２６
上を走査するレーザビーム２４の走査開始位置を検知し
て、水平同期信号を主制御部３０に出力する。尚、本実
施の形態では、水平同期信号は同期検知器３２にレーザ
ビーム２４が入射されてない時にハイレベルとなり、入
射された時にはロウレベルとなる。

【００２５】更に、主制御部３０には上記光源１０が接
続されており、主制御部３０は光源１０からのレーザビ
ーム２４の射出を制御する。

【００２６】次に図２に主制御部３０に含まれるレーザ
ダイオード１０Ａの光量制御を行う光量制御回路５０の
構成を示す。

【００２７】この光量制御回路５０のデジタル／アナロ
グコンバータ（以下、ＤＡＣと記す。）５２の入力端は
マイクロコンピュータ４０の出力端に接続されている。
ＤＡＣ５２は、マイクロコンピュータ４０から入力され
たデジタル信号をアナログ信号に変換する。ＤＡＣ５２
の出力端は、電源電圧Vcc が印加された定電流源５４に
接続されている。定電流源５４は、ＤＡＣ５２から入力
されたアナログ信号に基づいて後述するレーザダイオー
ド１０Ａに流す電流値を設定して出力する。

【００２８】定電流源５４の出力端は、画像形成信号７
０がマイクロコンピュータ４０から入力される電流スイ
ッチング回路６０に接続され、電流スイッチング回路６
０の出力端は、光源１０におけるレーザダイオード１０
Ａのアノード端子に接続されている。電流スイッチング
回路６０は、定電流源５４から入力された電流を画像形
成信号７０に基づいてレーザダイオード１０Ａに供給す
る。画像形成信号７０は、形成すべき画像の画像データ
に基づいてマイクロコンピュータ４０により生成される
信号であり、この信号を用いてレーザダイオード１０Ａ
を点灯させることにより感光体２６上に画像を形成する
ためのレーザビーム２４を得ることができる。本実施の
形態では、画像形成信号７０がロウレベルの状態でレー
ザダイオード１０Ａを点灯させ、ハイレベルの状態でレ
ーザダイオード１０Ａを消灯させる。

【００２９】レーザダイオード１０Ａのカソード端子は
光源１０の内部でフォトダイオード１０Ｂのアノード端
子に接続されているとともに、レーザダイオード１０Ａ
とフォトダイオード１０Ｂの接続線は、グランド端子に
接続されている。尚、フォトダイオード１０Ｂは、レー
ザダイオード１０Ａが点灯した際のレーザビームの光量
を検知して、該レーザビームの光量に応じた電流を出力
する。

【００３０】フォトダイオード１０Ｂのカソードは、差
動アンプ５８の入力端子に接続されており、差動アンプ
５８の出力端はリニアアンプ５６の入力端に接続されて
いる。差動アンプ５８により、フォトダイオード１０Ｂ
から入力された電流を電圧に変換し、該電圧をリニアア
ンプ５６により増幅する。

【００３１】リニアアンプ５６の出力端は、マイクロコ
ンピュータ４０の入力端に接続されている。上記定電流
源５４、電流スイッチング回路６０、差動アンプ５８及
びリニアアンプ５６の部分８０はレーザ駆動ＩＣ（汎用
ＩＣ）としてワンチップ化されたものを利用することも
できる。

【００３２】次に図３乃至図５を参照して第１の実施の
形態に係る光書き込み装置の画素密度切り換え時の動作
について説明する。図３（Ａ）は、画素密度を６００ｓ
ｐｉ（ｓｐｏｔ／ｉｎｃｈ）として印字した場合の１ラ
インごとの走査ラインの軌跡を示しており、図３（Ｂ）
は画素密度が４８０ｓｐｉで印字した場合の１ラインご
との走査ラインの軌跡を画素密度が６００ｓｐｉの場合
の走査ラインの軌跡に対比して示している。図３（Ａ）
は６００ｓｐｉの画素密度で走査線Ｌ１〜Ｌ５により画
像データＤ１〜Ｄ５が書き込む状態を示している。

【００３３】一方、回転多面鏡１６と感光体２６は画素
密度が６００ｓｐｉの場合と同じ速度で回転しているた
め、感光体２６上を走査するレーザビーム２４の副走査
方向に対する位置を可変しなければ、画素密度は６００
ｓｐｉであるが、画素密度が６００ｓｐｉのもので、４
８０ｓｐｉの画素密度の印字を行うためには、６００ｓ
ｐｉで５ライン印字するうちの４ライン分だけを使用し
て印字すれば可能である。すなわち、本実施の形態では
図３（Ｂ）に示すように６００ｓｐｉから４８０ｓｐｉ
の画素密度に切り換えて印字を行う場合には４８０ｓｐ
ｉの画素密度で走査時の１ライン目の走査は６００ｓｐ
ｉの１ライン目の走査線Ｌ１と同じ走査線位置（走査線
Ｌ１’上）で画像データＤ１を書き込み、４８０ｓｐｉ
の画素密度で走査時の２ライン目の走査は画素密度が６
００ｓｐｉ時の２ライン目の走査線Ｌ２に対して１／３
ライン下側に走査線位置をずらした走査線Ｌ２’上を走
査して画像データＤ２を書き込む。

【００３４】次に４８０ｓｐｉの画素密度で走査時の３
ライン目の走査は画素密度が６００ｓｐｉ時の３ライン
目の走査線Ｌ３に対して２／３ライン下側に走査線位置
をずらした走査線Ｌ３’上を走査して画像データＤ３を
書き込む。

【００３５】更に４８０ｓｐｉの画素密度で走査時の４
ライン目の走査は画素密度が６００ｓｐｉ時の４ライン
目の走査線Ｌ４（走査線Ｌ４’）に画像データを書き込
まないで走査し、４８０ｓｐｉの画素密度で走査時の５
ライン目の走査は画素密度が６００ｓｐｉ時の５ライン
目の走査線Ｌ５（走査線Ｌ５’）上を走査し、画像デー
タＤ４を書き込む。このように走査線Ｌ１’〜Ｌ５’ま
での書き込み動作を繰り返すことによって、副走査方向
の画素密度を切り換えることが可能となる。

【００３６】尚、主走査方向の画素密度はレーザダイオ
ード１０Ａの点灯時間を可変させれば対応可能なため特
に本実施の形態では説明を行わないこととする。

【００３７】次に第１の実施の形態に係る光書き込み装
置における図３で示した画素密度切り換え時の具体的動
作を図５を参照して説明する。同図において、画素密度
が６００ｓｐｉで走査する場合には、同期検知器３２に
より主制御部３０に出力される水平同期信号ＨＳＹＮＣ
に同期させて画像データＤ１，Ｄ２，…を出力して６０
０ｓｐｉに応じて設定された走査線間隔で各走査線毎に
印字していく（図５（Ａ），（Ｂ））。この時、各走査
線の位置は変更する必要はないので主制御部３０よりＥ
ＯＤ１４に出力されるビーム位置制御信号ＢＰはロウレ
ベル（０Ｖ）のままである（図５（Ｃ））。

【００３８】これに対して画素密度を６００ｓｐｉから
４８０ｓｐｉに切り換えた場合は、上述したように１ラ
イン目から３ライン目までは水平同期信号ＨＳＹＮＣに
同期させてそのまま画像データＤ１〜Ｄ３を出力させ、
４ライン目は画像データを出力せず、５ライン目には画
像データＤ４を出力させるように画像データの出力を制
御すると共に、走査線の間隔は６００ｓｐｉのままであ
るので画素密度を４８０ｓｐｉに変更するように図３
（Ｂ）上で２ライン目の走査線を１／３ライン、３ライ
ン目の走査線を２／３ライン、それぞれ下側に移動させ
るのに必要なレベルＶ１，Ｖ２（Ｖ２＝Ｖ１）のビーム
位置制御信号ＢＰが同期検出器より出力される水平同期
信号ＨＳＹＮＣに同期して主制御部３０よりＥＯＤ１４
に出力され、ビーム位置制御信号ＢＰの信号レベルに応
じて副走査方向にレーザビーム２４の走査線位置が変更
される。

【００３９】このように走査線の１ラインごとに副走査
方向に対するレーザビーム２４の移動量を制御すること
で、画素密度が６００ｓｐｉに設定されている状態でポ
リゴンミラー１６の回転数を変更せずに４８０ｓｐｉの
画素密度に切り換えることができる。

【００４０】この他にも、図４に示すように画素密度を
６００ｓｐｉに設定した状態で副走査方向に光ビームの
走査線位置を制御すれば、２４０ｓｐｉ、３００ｓｐ
ｉ、４００ｓｐｉ、４８０ｓｐｉといった画素密度に切
り換えることができる。同図において、例えば、画素密
度が３００ｓｐｉのとき「６００ｓｐｉの２ライン中１
ライン」とは画素密度が６００ｓｐｉのときの隣接する
走査線２本のうち１本を使用して画像データの書き込み
を行うことを意味している。また画素密度が３００ｓｐ
ｉのとき、備考に「６００ｓｐｉの重ね書き」とは画素
密度が６００ｓｐｉで同一の画像データを２回、重ね書
きすることにより３００ｓｐｉの画素密度を得ることを
意味している。

【００４１】第１の実施の形態では、最大の画素密度を
６００ｓｐｉとしたので、６００ｓｐｉ以下の画素密度
の切り換えについてしか触れていないが、最大の画素密
度を１２００ｓｐｉとすれば、画素密度（整数）≦最大
画素密度の範囲内で１２００ｓｐｉ以下の画素密度に切
り換えることが可能である。

【００４２】以上に説明したように本発明の第１の実施
の形態に係る光書き込み装置によれば、画素密度を切り
換える際に感光体上に光ビームを走査させるための回転
多面鏡の回転数を変化させずに、画素密度に応じて光ビ
ームの走査線位置を１ライン毎に副走査方向に変更可能
に制御するようにしたので、レーザプリンタとファクシ
ミリ装置が一体となった複合システム等の場合において
異なる画素密度で画像データを書き込む必要がある場合
に画素密度の切り換えのための待ち時間が不要になり、
画像データを高速に印字することが可能となる。

【００４３】次に本発明の第２の実施の形態に係る光書
き込み装置について図６乃至図８を参照して説明する。
尚、第２の実施の形態に係る光書き込み装置の構成は第
１の実施の形態に係る光書き込み装置と基本的に同じで
ある。

【００４４】本実施の形態は、画素密度（整数）×２≦
最大画素密度の関係を満たす場合において重ね書きする
データの間隔を副走査方向に狭めて同じ書き込みデータ
を２回、重ね書きするようにしたものである。

【００４５】切り換え後の画素密度が画素密度×２≦量
大画素密度の範囲に該当する場合、たとえば、画素密度
を６００ｓｐｉから３００ｓｐｉに切り換えるような場
合は、第１の実施の形態では画素密度が６００ｓｐｉで
走査時の走査線の１ラインおきに画像データを出力させ
て印字させることになる。

【００４６】本実施の形態では図６（Ｂ）に示すように
同一の画像データを２回、繰り返し出力させ、かつ図６
（Ａ）に示すように画素密度が６００ｓｐｉで走査時の
走査線Ｌ１〜Ｌ５のうち例えば、走査線Ｌ１（３００ｓ
ｐｉの走査線Ｌ１’に相当する。）では走査線位置を変
化させず、そのまま走査して画像データＤ１を書き込
み、次いで走査線Ｌ２に対して走査線間隔をＰとして
（１／３）Ｐ図上、上方に走査線位置を移動させるよう
にレーザビーム２４を偏向させた走査線位置（３００ｓ
ｐｉの走査線Ｌ２’に相当する。）て画像データＤ１を
重ね書きするように走査して印字する。走査線Ｌ３，Ｌ
４についても同様である。

【００４７】このように１／３Ｐ程度、第１の実施の形
態とは反対側にレーザビーム２４を移動させて画像デー
タを書き込むことにより、図７に示すように普通に画像
データの重ね書きを行って画素密度を切り換える方法
（図７（Ａ））よりも、書き込み走査するデータライン
のエッジ部が滑らかになり（図７（Ｂ））、印字品質を
向上させることができるという効果がある。尚、図７
（Ａ）はレーザビームの副走査方向の走査線位置を制御
しない通常の重ね書きの例を示し、図７（Ｂ）はレーザ
ビームの副走査方向の走査線位置を制御して書き込みデ
ータの書き込み間隔を狭めて重ね書きを行う例を示して
いる。

【００４８】次に第２の実施の形態に係る光書き込み装
置における図６で示した画素密度切り換え時の具体的動
作を図８を参照して説明する。同図において、画素密度
が６００ｓｐｉで走査する場合には、同期検知器３２に
より主制御部３０に出力される水平同期信号ＨＳＹＮＣ
に同期させて画像データＤ１，Ｄ２，…を出力して６０
０ｓｐｉに応じて設定された走査線間隔で各走査線毎に
印字していく（図８（Ａ），（Ｂ））。この時、各走査
線の位置は変更する必要はないので主制御部３０よりＥ
ＯＤ１４に出力されるビーム位置制御信号ＢＰはロウレ
ベル（０Ｖ）のままである（図８（Ｃ））。

【００４９】これに対して画素密度を６００ｓｐｉから
３００ｓｐｉに切り換えて重ね書きを行う場合には、上
述したように隣接する２つの走査線、例えば、１ライン
目、２ライン目には画像データＤ１を、３ライン目、４
ライン目には画像データＤ２を、５ライン目、６ライン
目には画像データＤ３を、というように水平同期信号Ｈ
ＳＹＮＣに同期させて同一の画像データを隣接する走査
線に２回、繰り返し出力すると共に、同一の画像データ
を２回目に走査する走査線の位置、具体的には図７
（Ｅ）の例で２ライン目、４ライン目の走査線を（１／
３）Ｐだけ図６（Ｂ）上で上方に移動させるようにレー
ザビーム２４を偏向させて走査し、画像データの重ね書
きを行うことにより、３００ｓｐｉの画素密度における
重ね書きが可能となる。この場合に図６（Ｂ）上で２ラ
イン目、４ライン目の走査線を（１／３）Ｐだけ、それ
ぞれ上方に移動させるのに必要なレベル−Ｖ１のビーム
位置制御信号ＢＰが同期検出器より出力される水平同期
信号ＨＳＹＮＣに同期して主制御部３０よりＥＯＤ１４
に出力され、ビーム位置制御信号ＢＰの信号レベルに応
じて副走査方向にレーザビーム２４の走査線位置が変更
される。

【００５０】図４に示す画素密度が２４０ｓｐｉで画像
データを書き込む場合においても、第２の実施の形態に
おける画素密度が４８０ｓｐｉ時の画像データの重ね書
きと、第１の実施の形態における変更後の画素密度（４
８０ｓｐｉ）に応じて画素密度切り換え前の画素密度
（６００ｓｐｉ）の走査線を移動させることにより画素
密度（４８０ｓｐｉ）に切り換える技術とを併用するこ
とにより可能となる。

【００５１】本実施の形態では、印字する１ページ内に
異なる画素密度のデータが存在する場合、たとえば、文
字は３００ｓｐｉで印字し、写真などは６００ｓｐｉで
印字するような場合においても１ぺージ内で画素密度を
切り換えて印字することが可能である。

【００５２】本発明の第２の実施の形態に係る光書き込
み装置によれば、重ね書きする画像データの書き込み位
置の間隔を副走査方向に狭めて書き込みを行うようにし
たので、通常、行われるデータの重ね書きよりも走査す
るラインのエッジ部を滑らかにすることができ、印字品
質の向上が図れる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載の発
明によれば、画素密度を切り換える際に感光体上に光ビ
ームを走査させるための回転多面鏡の回転数を変化させ
ずに、画素密度に応じて光ビームの走査線位置を１ライ
ン毎に副走査方向に変更可能に制御するようにしたの
で、異なる画素密度で画像データを書き込む場合に画素
密度の切り換えのための時間が不要になり、画像データ
を高速に書き込むことが可能となる。

【００５４】また請求項２、３に記載の発明によれば、
重ね書きするデータの書き込み位置の間隔を副走査方向
に狭めて書き込みを行うようにしたので、請求項１に記
載の発明により得られる効果に加えて、通常、行われる
画像データの重ね書きよりも走査するラインのエッジ部
を滑らかにすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光書き込み装
置の概略構成を示すブロック図。

【図２】図１における主制御部に含まれるレーザダイオ
ードの光量制御を行う光量制御回路の構成を示すブロッ
ク図。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る光書き込み装
置の画素密度切り換え時の動作を概念的に示す説明図。

【図４】本発明の実施の形態に係る光書き込み装置にお
ける画素密度切り換え時に設定される画素密度とその時
に使用される画素密度切り換え前の画素密度における走
査線との関係を示す説明図。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る光書き込み装
置における図３で示した画素密度切り換え時の具体的動
作を示すタイミングチャート。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光書き込み装
置の画素密度切り換え時の動作を概念的に示す説明図。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る光書き込み装
置の画像データの重ね書きを通常の画像データの重ね書
きと対比して示す説明図。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る光書き込み装
置における図６で示した画素密度切り換え時の具体的動
作を示すタイミングチャート。

【図９】従来の光書き込み装置の構成を示すブロック
図。

【符号の説明】

１０ 光源 １４ 電気光学偏向器（第２の光ビーム偏向手段） １６ ポリゴンミラー（第１の光ビーム偏向手段） ２６ 感光体 ２８ ポリゴンミラーモータ ３０ 主制御部（制御手段） ３２ 同期検知器 ４０ マイクロコンピュータ ５０ 光量制御回路

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源より射出された光ビームを外部から
   の画素密度指定信号に応じて画素密度を可変するように
   感光体上を走査することにより画像を形成する光書き込
   み装置において、 前記光ビームを前記感光体上の主走査方向に偏向させる
   第１の光ビーム偏向手段と、 前記光源から感光体に至る光路中に設けられ前記光ビー
   ムを副走査方向に偏向させる第２の光ビーム偏向手段
   と、 画素密度を指定する画素密度指定信号により指定された
   画素密度に応じて前記光ビームの走査線位置を１ライン
   毎に副走査方向に変更可能に前記光ビーム偏向手段を駆
   動制御する制御手段と、 を有することを特徴とする光書き込み装置。
2. 【請求項２】 画素密度切り換え可能な範囲は、光書き
   込み装置の最大の画素密度以下であることを特徴とする
   請求項１に記載の光書き込み装置。
3. 【請求項３】 画素密度×２≦最大画素密度の関係を満
   たす場合において重ね書きするデータの書き込み位置の
   間隔を副走査方向に狭めて同じ書き込みデータを２回、
   重ね書きすることを特徴とする請求項２に記載の光書き
   込み装置。