JPH11171995A - ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体 - Google Patents
ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体Info
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-
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Abstract
ルカリ現像剤に良好に溶解でき、光感性組成物に適し、
遠心技術によって加工できるポリベンゾオキサゾール前
駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体を提供する。 【解決手段】下記の部分構造式 【化1】 を含むポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾ
チアゾール前駆体によって解決される。この場合、下記
が成立する:A1 〜A7 は、相互に無関係であり、H,
F,CH3 ,CF3 ,OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH
3 、CF2 CF3 、OCH2 CH3 またはOCF2 CF
3 を表し;TはOまたはSを表し、mは0または1を表
し;Zは芳香族基または複素環基を表す。
Description
オキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体
ならびにこれらの前駆体を含むフォトレジスト溶液に関
する。
および絶縁層として高温安定のポリマーが必要である。
この種のポリマーは、2つの金属平面(例えばマルチチ
ップ・モジュール、メモリチップ、論理チップ)の間の
誘電体として且つまたチップとそのケースとの間のバッ
ファ層(“バッファコート”)として使用できる。上記
ポリマーの若干(例えば芳香族ポリイミド(PI)の前
駆体およびポリベンズオキサゾール(PBO)の前駆
体)は、有機溶媒中で良好な溶解性およびフィルム形成
性を示し、経費的に妥当な遠心技術によって電子デバイ
ス上に施すことができる。次いで、熱処理によって前駆
体を環化し、即ち、対応するポリマーに移行させ、この
ようにして、その最終特性が得られる。
の影響を与える極性、親水性基(OH,NHおよびC
O)が消失する。これは、例えば、ポリイミド(特に、
ヒドロキシポリイミド)に対するポリベンゾオキサゾー
ルの重要な利点である。しかも環化は、良好な誘電性お
よび低い吸水性にとって重要であるのみならず、その高
い温度安定性にとっても重要である。
て高い。即ち、例えばできる限り低い誘電率および高い
熱的安定性の外に、低い吸湿性が必要である。即ち、吸
収された水分は、電気的性質を劣化するだけでなく、金
属導体路の腐食を助成し、高温では気泡形成および剥離
を誘起する。
は、他の多くの高温安定ポリマーに比して下記の利点を
有する。 −ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾールは、環化さ
れた最終生成品に比して、可溶の前駆体として基板上に
施し、次いで環化することができ、この場合溶解性が著
しく減少し、このようにして、溶媒および他の処理薬品
に対する感性が著しく減少する。この理由から例えば前
環化されたポリベンゾオキサゾールの加工が困難であ
る。 ー前駆体に適切な光活性成分を添加して光感性組成物を
製造でき、従って、コスト的に妥当な直接的な誘電体造
形が可能である。ポリベンゾオキサゾールは、ポリイミ
ドに比して、ポジモードで構造化できアルカリ水溶液で
現像できるという利点を有する(ヨーロッパ特許EP0
023662B1、EP0264678BおよびEP0
291779B1参照)。このため、使用されるPBO
前駆体は、好ましくは金属イオンを含まないアルカリ現
像剤に可溶でなければならない。 ー同様に加工できネガ構造化できるベンゾシクロブテン
(BCB)は、ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾー
ルよりも著しく低い温度安定性を示す。
スト的に妥当な製造に関連する他の重要な要求は、誘電
体のプレーナ形成能である。即ち、このようなデバイス
の製造の場合、各種の層を形成中に高低差が生じ、以降
の処理(例えば微細構造のリソグラフ形成)を困難とす
る。これに反して、フォトリソグラフ処理は、平坦化し
た基板においてより良い寸法精度およびより大きい公差
で実施できる。プレーナ形成能性の良い誘電体を使用す
れば、デバイスの製造時に経費のかかる研磨プロセス
(化学的機械的研磨=CMP)を回避できる。
PBO前駆体は、例えばヨーロッパ特許EP00236
62B1、EP0264678B1、EP029177
9B1およびドイツ特許DE3716629C2から公
知である。上記の前駆体は、基板上で環化できる(これ
に関してはヨーロッパ特許EP0291778B1参
照)。しかしながら公知のポリマーは、環化(ポリベン
ゾオキサゾールへの移行)後、比較的大きい吸湿性(例
えば、1.7%)を示す(ヨーロッパ特許EP0291
778B1参照)。調製されたポリマーのプレーナ形成
能に関する指示はない。
溶媒および金属イオンを含まない水性アルカリ現像剤に
良好に溶解でき、感光組成物に適し、遠心技術によって
加工できるポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベ
ンゾチアゾール前駆体を提供することにある。更に前駆
体は、基板上で問題なく環化できなければならず、環化
後、高い温度安定性の外に特に極めて低い吸湿性および
高いプレーナ形成度を有していなければならない。
とづき、下記の部分構造式
チアゾール前駆体によって解決される。この場合、下記
が成立する:A1 〜A7 は、相互に無関係であり、H,
F,CH3 ,CF3 ,OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH
3 、CF2 CF3 、OCH2 CH3 またはOCF2 CF
3 を表し;TはOまたはSを表し,mは0または1を表
し;Zは下記の基の1つを表す:
F,(CH2 )p CH3 、(CF2 )p CF3 ,O(C
H2 )p CH3 、O(CF2 )p CF3 、CO(C
H2 )p CH3 、CO(CF2 )p CF3 (ここでp=
0〜8)(直鎖または分岐),OC(CH3 )3 ,OC
(CF3 )3 ,C6 H5 、C6 F5 ,OC6 H5、OC
6 F5 ,シクロペンチル、ペルフルオルシクロペンチ
ル、シクロヘキシルまたはペルフルオルシクロヘキシル
であり、ここで、分離された芳香族環には、環当り最大
3つのN原子が存在でき、2つのN原子は隣接してよ
く、多環系には、環当り最大2つのN原子が存在でき、 M=単一結合、(CH2 )n ,(CF2 )n ,CH(C
H3 ),CH(CF3 ),CF(CH3 ),CF(CF
3 ),C(CH3 )2 ,C(CF3 )2 ,CH(C6 H
5 )、CH(C6 F5 ),CF(C6 H5 )、CF(C
6 F5 ),C(CH3 )(C6 H5 )、C(CH3 )
(C6 F5 )、C(CF3 )(C6 H5 )、C(C
F3 )(C6 F5 )、C(C6 H5 )2 、C(C
6 F5 )2 、CO,SO 2 ,
の最初の3つはQ=C−Aである)またはm=0の場
合、基A1 〜A7 の少なくとも1つは、≠Hでなければ
ならない。
o−アミノフェノールカルボン酸またはo−アミノチオ
フェノールカルボン酸の重合によって製造される。この
場合、適切な重合剤の存在の下で、有機溶媒中で、25
〜130℃の温度において、o−アミノフェノールカル
ボン酸またはo−アミノチオフェノールカルボン酸を重
合させる。重合剤は、例えば等モル量で使用される亜リ
ン酸トリフェニルである。反応溶液に、塩基(例えばピ
リジン、塩化リチウム、塩化カルシウム)を添加すれば
有利である(これに関しては、刊行物“Macromo
lecules”,Vol.18(1985),p61
6〜622参照)。しかしながら、トリフェニルホスフ
ィン(ドイツDE3716629C2参照)または塩化
オキサリルの存在下で重合を実施することもできる。次
いで、適切な沈殿剤を反応溶液に滴下して、生じたポリ
マーを沈殿させる。沈殿したポリマーは、濾過、乾燥す
れば直ちに使用できる。
体およびポリベンゾチアゾール前駆体の製造に使用する
o−アミノフェノールカルボン酸およびo−アミノチオ
フェノールカルボン酸は、下記の構造式を有する:
対象である。 −出願番号19742194.6−“o−アミノ(チ
オ)フェノールカルボン酸およびその製造方法” ー出願番号19742193.8−“o−アミノ(チ
オ)フェノールカルボン酸およびその製造方法”
“A4 〜A7 ”は、アミノフェニル基が基A1 、A2 お
よびA3 またはA4 ,A5 ,A6 およびA7 を有するこ
とを意味する。
の例を以下に示す。 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)安息香
酸
−(4−カルボキシフェノキシ)オクタフルオロビフェ
ニル
(4−カルボキシフェノキシ)−3,5,6−トリフル
オロピリジン
(4−カルボキシフェノキシ)−1−トリフルオロメチ
ル−3,5,6−トリフルオロベンゾール
フルオロフェノキシ)安息香酸
フルオロフェノキシ)−4’−(4−カルボキシフェノ
キシ)オクタフルオロビフェニル
フルオロフェノキシ)−2−(4−カルボキシフェノキ
シ)−3,5,6−トリフルオロピリジン
チルアセトアミド、γ−ブチロラクトンおよびN−メチ
ルピロリドンである。しかしながら基本的に、出発化合
物を溶解できるすべての溶媒を使用できる。特に好適な
溶媒は、水および水と各種アルコール(例えばエタノー
ル、イソプロパノール)との混合物である。
機溶媒(例えばアセトン、シクロヘキサノン、ジエチレ
ングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、N−メチルピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、乳酸エチル、テトラヒドロフラン、酢酸エ
チルエステル)および金属イオンを含まない水性アルカ
リ現像液に良好に溶解し、遠心技術によって問題なく加
工できる。基板上の環化後、このようにして得られたポ
リベンゾオキサゾールおよびポリベンゾチアゾールは、
極めて低い吸湿性、高いプレーナ形成度および高い温度
安定性を有する。
トンと共存でき、従って、溶媒に溶解したポリベンゾオ
キサゾール前駆体またはポリベンゾチアゾール前駆体お
よびジアゾケトン基の光活性成分を有するフォトレジス
ト溶液として好適である。この種の光活性組成物は、驚
くべきことには、大きい分解能および極めて良いフィル
ム品質を示す。フォトレジスト溶液において、ポリベン
ゾオキサゾール前駆体またはポリベンゾチアゾールとジ
アゾキノンとの重量比は、1:20〜20:1であれば
有利であり、1:10〜10:1であれば好ましい。
詳細に説明する。
−(4−カルボキシフェノキシ)オクタフルオロビフェ
ニル デカフルオロビフェニル37.4g(0.112モル)
をジメチルホルムアミド700mlに溶解し、冷却器に
よって−10℃に冷却し、次いで、ジメチルホルムアミ
ド300mlにカリウム−4−ベンジルオキシカルボニ
ルフェノラート29.8g(0.112モル)を溶解し
た溶液を2h以内に滴下した。−10℃において48h
後に、カリウム塩が反応した。次いで、回転蒸発器にお
いてジメチルホルムアミドを除去し、残渣を少量のテト
ラヒドロフランに受容し、シリカゲルカラムで濾過し
た。得られた透明な溶液を回転蒸発器で濃縮して白色の
固形物を沈殿させた。次いでこの固形物をn−ヘキサン
中で撹拌し、折畳濾紙で濾過し、次いで、真空ボックス
内で40℃/10mbarの窒素ガス中で48h乾燥し
た。 このようにして製造した4−(4−ベンジルオキ
シカルボニルフェノキシ)ノナフルオロビフェニル4
9.9g(0.092モル)およびカリウム−4−ニト
ロー3−ベンジルオキシフェノラート26.1g(0.
92モル)をジメチルホルムアミド400mlに溶解
し、溶液を80℃に加熱した。24h後、反応が完了し
た。次いで、回転蒸発器において溶媒を除去した。得ら
れた固形残渣をメタノールで3回洗浄し、ブフナー濾斗
で濾別し、次いで、真空ボックス内で40℃/10mb
arの窒素ガス中で48h乾燥した。このようにして製
造した4−(4−ニトロ−3−ベンジルオキシフェノキ
シ)−4’−(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニル49.9g(0.065
モル)をテトヒドロフランと酢酸エチルエステルの混合
物(容積比1:1)400mlに溶解し、溶液にPd/
C(パラジウム/炭素)5gを加えた。次いで、オート
クレーブ中で室温において、強く撹拌しながら、圧力1
barの水素を使用して水素添加した。3日後、反応が
終了した。黄色の溶液を回転蒸発器において1/2に濃
縮し、室温に一晩放置した。その際、反応生成物の結晶
が沈殿した。次いで、反応生成物を分離し、真空ボック
ス内で40℃/10mbarの窒素ガス中で48h乾燥
した。
ドロキシフェノキシ)−4’−(4−カルボキシフェノ
キシ)オクタフルオロビフェニル55.7g(0.1モ
ル)を、蒸留したN−メチルピロリドン370mlに溶
解した。0℃において、この溶液に、γ−ブチロラクト
ン85mlに塩化オキサリル13g(0.102モル)
を溶解した溶液をゆっくり滴下した。添加後、0℃にお
いて2h撹拌し、室温において18h撹拌した。次い
で、完全な反応のため、0℃において、N−メチルピロ
リドン100mlにピリジン20mlを溶解した溶液を
加え、室温において更に24h撹拌した。次いで、黄褐
色の溶液をブフナー濾斗で濾過し、強く撹拌しながらイ
ソプロパノールと水の混合物(1:3)に滴下した。こ
の場合、沈殿剤(イソプロパノール/水)の量は、反応
溶液の10倍に対応するよう選択した。沈殿したポリマ
ーをブフナー濾斗で濾別し、1%アンモニア溶液で3回
洗浄した。精製後、ポリマーを真空ボックス内で40℃
/10mbarの窒素ガス中で72h乾燥した。このよ
うにして製造したPBO前駆体は、溶媒(例えばN−メ
チルピロリドン、γ−ブチロラクトン、アセトン、テト
ラヒドロフラン、シクロペンタノン、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、乳酸エチル、エタノール)お
よび金属イオンを含まない市販の水性アルカリ現像液
(例えば、NMD−W(東京応化社製))に良好に溶解
する。
O前駆体4gを溶解した。前置フィルタを備えたプラス
チック製注射器によって、洗浄、乾燥し正確に秤量した
シリコン板(ウエハ)の形の基板上に溶液を塗布し、遠
心装置(タイプST146,Convac社製)によっ
て分離した。基板上に生じたフィルムを、まず、120
℃のホットプレート上で予備乾燥し、次いで環化のた
め、プログラミング可能な実験炉(“Sirius J
unior”,LP−Thermtech社製)におい
て窒素中で350℃に加熱し、上記温度に1h保持し、
次いで冷却した。加熱・冷却速度は、それぞれ、5℃/
minとした。乾燥剤として五酸化リンを含む密閉チャ
ンバを有する風袋補正微量天秤(タイプAT261 D
eltarange,Mettler Toledo社
製)に、被覆処理した基板を装入した。24h後に秤量
した全重量は、11,24863gであった。この数値
から、環化したポリマーについて0,16321gの重
量が得れる(純シリコン板の重量11.08542
g)。次いで、五酸化リンを飽和塩化ナトリウム溶液と
置換え、チャンバ内に相対湿度76%(23℃)を設定
した。更に24h貯蔵した後、フィルムの重量は、0.
16424gに増加した。これから、0,63%の吸湿
度が得られた。未被覆のシリコン板は、同一条件におい
て吸湿性を示さなかった。
ポリベンゾオキサゾールのプレーナ形成度を、高さ1.
2μmのアルミニウム構造体(プレーナウエハ)を有す
るシリコンウエハについて測定した。プレーナ形成度
は、周期的な5μm構造(=線幅およびトレンチ幅;交
互)について示す。プレーナ形成度の測定は、Soan
eほか著の刊行物“Polymers in Micr
oelectrics−Fundamental an
d Applications”,Elsevier出
版社,アムステルダム 1989,p189〜191に
もとづき行った。 実施例2のPBO前駆体を、実施例
3と同様に、プレーナウエハ(基板)上に被覆し、環化
した。環化したフィルムの厚さは、2.0μmであり、
プレーナ形成度は、75%であった。
びナフトキノジアジド−5スルホン酸(光活性成分)か
らなるジエステル1gとともに、N−メチルピロリドン
15gに溶解した。このフォトレジスト溶液を、前置フ
ィルタを備えたプラスチック製注射器によって、洗浄、
乾燥し正確に秤量したシリコン板(ウエハ)の形の基板
上に溶液を塗布し、遠心装置(タイプST146,Co
nvac社製)によって分離した。基板上に生じたレジ
ストフィルムを、まず、120℃のホットプレート上で
予備乾燥し、次いで、露光装置(タイプ121,Kar
lSuess社製)においてマスクを介して露光した。
水性アルカリ現像剤(NMD−W,東京応化社製、水で
1:1に希釈)で現像し、実施例3に対応して350℃
において(基板上で)環化した後、層厚2μmで分解能
2μmの高温安定レジスト構造が得られた。
は同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸と
して、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)
−2−(4−カルボキシフェノキシ)−3,5,6−ト
リフルオロピリジン(0.1モル、即ち39.2g)を
使用した。o−アミノフェノールカルボン酸は、実施例
1と同様に、ペンタフルオロピリジン、カリウム−4−
ベンジルオキシカルボニルフェノラートおよびカリウム
−4−ニトロー3−ベンジルオキシフェノラートから調
製した。得られたPBO前駆体は、実施例2に記載した
溶媒に良好に溶解した。上記の前駆体について、吸湿度
0,75%(実施例3参照)およびプレーナ形成度77
%(実施例4参照)が測定された。実施例5に対応して
実施した光構造化および基板上の環化によって、層厚
1.9μmで分解能2μmの高温安定レジスト構造が得
られた。
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)−
2−(4−カルボキシフェノキシ)−1−トリフルオロ
メチル−3,5,6−トリフルオロベンゾール(0.1
モル、即ち45.9g)を使用した。o−アミノフェノ
ールカルボン酸は、実施例1と同様に、オクタフルオロ
トルエン、カリウム−4−ベンジルオキシカルボニルフ
ェノラートおよびカリウム−4−ニトロー3−ベンジル
オキシフェノラートから製造した。得られたPBO前駆
体は、実施例2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記
前駆体について、吸湿度0.71%(実施例3参照)お
よびプレーナ形成度82%(実施例4参照)が測定され
た。実施例6に対応して実施した光造形および基板上の
環化によって、層厚2.1μmで分解能2μmの高温安
定レジスト構造が得られた。
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)安
息香酸(0.1モル、即ち、24,5g)を使用した。
o−アミノフェノールカルボン酸は、4−(4−ニトロ
ー3−ベンジルオキシフェノキシ)安息香酸ベンジルエ
ステルを介して5−フルオロ−2−ニトロフェニルベン
ジルエーテルおよび4−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエ
ステルのカリウム塩から製造した(実施例1参照)。得
られたPBO前駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好
に溶解する。上記前駆体について、吸湿度0.76%
(実施例3参照)およびプレーナ形成度82%(実施例
4参照)が測定された。実施例6に対応して実施した光
構造化および基板上の環化によって、層厚2μmで分解
能2μmの高温安定レジスト構造が得られた。
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−
トリフルオロフェノキシ)安息香酸(0.1モル、即ち
29.9g)を使用した。o−アミノフェノールカルボ
ン酸は、ー4−(4−ニトロー3−ヒドロキシ−2,
5,6−トリフルオロフェノキシ)安息香酸ベンジルエ
ステルを介してーペンタフルオロニトロベンゾールおよ
び4−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエステルから製造し
た(実施例1参照)。得られたPBO前駆体は、実施例
2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記前駆体につい
て、吸湿度0.71%(実施例3参照)およびプレーナ
形成度83%(実施例4参照)が測定された。実施例6
に対応して実施した光構造化および基板上の環化によっ
て、層厚2.2μmで分解能2μmの高温安定レジスト
構造が得られた。
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−
トリフルオロフェノキシ)−4’−(4−カルボキシフ
ェノキシ)オクタフルオロビフェニル(0.1モル、即
ち、61.1g)を使用した。o−アミノフェノールカ
ルボン酸は、デカフルオロビフェニルおよびカリウム−
4−ベンジルオキシカルボニルフェノラートから製造し
た4−(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキシ)ノ
ナフルオロビフェニルを4ーニトロテトラフルオロフェ
ノールと反応させて得た4−(4−ニトロー3−ヒドロ
キシ−2,5,6−トリフルオロフェノキシ)−4’−
(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキシ)オクタフ
ルオロビフェニルを介して製造した。得られたPBO前
駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好に溶解した。上
記の前駆体について、吸湿度0.61%(実施例3参
照)およびプレーナ形成度74%(実施例4参照)が測
定された。実施例6に対応して実施した光構造化および
基板上の環化によって、層厚1.8μmで分解能2μm
の高温安定レジスト構造が得られた。
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−
トリフルオロフェノキシ)−2−(4−カルボキシフェ
ノキシ)−3,5,6−トリフルオロピリジン(0.1
モル、即ち44.6g)を使用した。o−アミノフェノ
ールカルボン酸は、ペンタフルオロピリジンおよびカリ
ウム−4−ベンジルオキシカルボニルフェノラートから
製造した2−(4−ベンジルオキシフェノキシ)ー3,
4,5,6−テトラフルオロピリジンを4−ニトロテト
ラフルオロフェノールと反応させて得た4−(4−ニト
ロー3−ヒドロキシ−2,5,6−トリフルオロフェノ
キシ)−2−(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキ
シ)−3,5,6−トリフルオロピリジン介して製造し
た(実施例1参照)。得られたPBO前駆体は、実施例
2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記の前駆体につ
いて、吸湿度0.73%(実施例3参照)およびプレー
ナ形成度75%(実施例4参照)が測定された。実施例
6に対応して実施した光構造化および基板上の環化によ
って、層厚2μmで分解能2μmの高温安定レジスト構
造が得られた。
Claims (3)
- 【請求項1】 下記の部分構造式[式中、A1 〜A
7 は、相互に無関係であり、H,F,CH3 ,CF3 ,
OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH3 、CF2 CF 3 、O
CH2 CH3 またはOCF2 CF3 を表し;TはOまた
はSを表し,mは0または1を表し;Zは下記の基(式
中、Q=C−AまたはNであり、ここでA=H,F,
(CH2)p CH3 、(CF2 )p CF3 ,O(C
H2 )p CH3 、O(CF2 )p CF 3 、CO (CH
2 )p CH3 、CO(CF2 )p CF3 (ここでp=0
〜8)(直鎖または分岐),OC(CH3 )3 ,OC
(CF3 )3 ,C6 H5 、C6 F 5 ,OC6 H5 、OC
6 F5 ,シクロペンチル、ペルフルオルシクロペンチ
ル、シクロヘキシルまたはペルフルオルシクロヘキシル
であり、ここで分離された芳香族環には、環当り最大3
つのN原子が存在でき、2つのN原子は隣接してよく、
多環系には、環当り最大2つのN原子が存在でき、M=
単一結合、(CH2 )n ,(CF2 )n ,CH(C
H3 ),CH(CF3 ),CF(CH3 ),CF(CF
3 ),C(CH3 )2 ,C(CF3 )2 ,CH(C6 H
5 )、CH(C6 F5 ),CF(C6 H5 )、CF(C
6 F5 ),C(CH3 )(C6 H5 )、C(CH3 )
(C6 F5 )、C(CF3 )(C6 H5 )、C(C
F3 )(C6 F5 )、C(C6 H5 )2 、C(C
6 F5 )2 、CO,SO 2 , 【化1】 であり、ここでZ=フェニレンの場合またはm=0の場
合、基A1 〜A7 の少なくとも1つは≠Hでなければな
らず 【化2】 の1つを表す] 【化3】 のポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチア
ゾール前駆体。 - 【請求項2】 請求項1記載のポリベンゾオキサゾール
前駆体またはポリベンゾチアゾール前駆体および光活性
成分としてのジアゾケトンを有機溶媒に溶解した形で含
むことを特徴とするフォトレジスト溶液。 - 【請求項3】 ポリベンゾオキサゾール前駆体またはポ
リベンゾチアゾール前駆体とジアゾケトンとの重量比
が、1:20〜20:1(好ましくは、1:10〜1
0:1)であることを特徴とする請求項2記載のフォト
レジスト溶液。
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