JPH11171995A - ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体 - Google Patents

ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体

Info

Publication number
JPH11171995A
JPH11171995A JP10270389A JP27038998A JPH11171995A JP H11171995 A JPH11171995 A JP H11171995A JP 10270389 A JP10270389 A JP 10270389A JP 27038998 A JP27038998 A JP 27038998A JP H11171995 A JPH11171995 A JP H11171995A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
precursor
polybenzoxazole
polybenzothiazole
ocf
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10270389A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4220600B2 (ja
Inventor
Recai Sezi
ゼチ レカイ
Michael Keitmann
カイトマン ミヒャエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH11171995A publication Critical patent/JPH11171995A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4220600B2 publication Critical patent/JP4220600B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G75/32—Polythiazoles; Polythiadiazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/22—Polybenzoxazoles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Polyamides (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機溶媒および金属イオンを含まない水性ア
ルカリ現像剤に良好に溶解でき、光感性組成物に適し、
遠心技術によって加工できるポリベンゾオキサゾール前
駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体を提供する。 【解決手段】下記の部分構造式 【化1】 を含むポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾ
チアゾール前駆体によって解決される。この場合、下記
が成立する:A1 〜A7 は、相互に無関係であり、H,
F,CH3 ,CF3 ,OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH
3 、CF2 CF3 、OCH2 CH3 またはOCF2 CF
3 を表し;TはOまたはSを表し、mは0または1を表
し;Zは芳香族基または複素環基を表す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規のポリベンゾ
オキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体
ならびにこれらの前駆体を含むフォトレジスト溶液に関
する。
【0002】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスでは、保護層
および絶縁層として高温安定のポリマーが必要である。
この種のポリマーは、2つの金属平面(例えばマルチチ
ップ・モジュール、メモリチップ、論理チップ)の間の
誘電体として且つまたチップとそのケースとの間のバッ
ファ層(“バッファコート”)として使用できる。上記
ポリマーの若干(例えば芳香族ポリイミド(PI)の前
駆体およびポリベンズオキサゾール(PBO)の前駆
体)は、有機溶媒中で良好な溶解性およびフィルム形成
性を示し、経費的に妥当な遠心技術によって電子デバイ
ス上に施すことができる。次いで、熱処理によって前駆
体を環化し、即ち、対応するポリマーに移行させ、この
ようにして、その最終特性が得られる。
【化4】 ベンゾオキサゾール前駆体 ベンゾオキサゾール 環化時、PBO前駆体の誘電性および吸水性にマイナス
の影響を与える極性、親水性基(OH,NHおよびC
O)が消失する。これは、例えば、ポリイミド(特に、
ヒドロキシポリイミド)に対するポリベンゾオキサゾー
ルの重要な利点である。しかも環化は、良好な誘電性お
よび低い吸水性にとって重要であるのみならず、その高
い温度安定性にとっても重要である。
【0003】環化された最終生成品に対する要求は極め
て高い。即ち、例えばできる限り低い誘電率および高い
熱的安定性の外に、低い吸湿性が必要である。即ち、吸
収された水分は、電気的性質を劣化するだけでなく、金
属導体路の腐食を助成し、高温では気泡形成および剥離
を誘起する。
【0004】ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾール
は、他の多くの高温安定ポリマーに比して下記の利点を
有する。 −ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾールは、環化さ
れた最終生成品に比して、可溶の前駆体として基板上に
施し、次いで環化することができ、この場合溶解性が著
しく減少し、このようにして、溶媒および他の処理薬品
に対する感性が著しく減少する。この理由から例えば前
環化されたポリベンゾオキサゾールの加工が困難であ
る。 ー前駆体に適切な光活性成分を添加して光感性組成物を
製造でき、従って、コスト的に妥当な直接的な誘電体造
形が可能である。ポリベンゾオキサゾールは、ポリイミ
ドに比して、ポジモードで構造化できアルカリ水溶液で
現像できるという利点を有する(ヨーロッパ特許EP0
023662B1、EP0264678BおよびEP0
291779B1参照)。このため、使用されるPBO
前駆体は、好ましくは金属イオンを含まないアルカリ現
像剤に可溶でなければならない。 ー同様に加工できネガ構造化できるベンゾシクロブテン
(BCB)は、ポリイミドおよびポリベンゾオキサゾー
ルよりも著しく低い温度安定性を示す。
【0005】マイクロエレクトロニクスのデバイスのコ
スト的に妥当な製造に関連する他の重要な要求は、誘電
体のプレーナ形成能である。即ち、このようなデバイス
の製造の場合、各種の層を形成中に高低差が生じ、以降
の処理(例えば微細構造のリソグラフ形成)を困難とす
る。これに反して、フォトリソグラフ処理は、平坦化し
た基板においてより良い寸法精度およびより大きい公差
で実施できる。プレーナ形成能性の良い誘電体を使用す
れば、デバイスの製造時に経費のかかる研磨プロセス
(化学的機械的研磨=CMP)を回避できる。
【0006】感光組成物の製造に適するアルカリ可溶の
PBO前駆体は、例えばヨーロッパ特許EP00236
62B1、EP0264678B1、EP029177
9B1およびドイツ特許DE3716629C2から公
知である。上記の前駆体は、基板上で環化できる(これ
に関してはヨーロッパ特許EP0291778B1参
照)。しかしながら公知のポリマーは、環化(ポリベン
ゾオキサゾールへの移行)後、比較的大きい吸湿性(例
えば、1.7%)を示す(ヨーロッパ特許EP0291
778B1参照)。調製されたポリマーのプレーナ形成
能に関する指示はない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、有機
溶媒および金属イオンを含まない水性アルカリ現像剤に
良好に溶解でき、感光組成物に適し、遠心技術によって
加工できるポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベ
ンゾチアゾール前駆体を提供することにある。更に前駆
体は、基板上で問題なく環化できなければならず、環化
後、高い温度安定性の外に特に極めて低い吸湿性および
高いプレーナ形成度を有していなければならない。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明にも
とづき、下記の部分構造式
【化5】 を含むポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾ
チアゾール前駆体によって解決される。この場合、下記
が成立する:A1 〜A7 は、相互に無関係であり、H,
F,CH3 ,CF3 ,OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH
3 、CF2 CF3 、OCH2 CH3 またはOCF2 CF
3 を表し;TはOまたはSを表し,mは0または1を表
し;Zは下記の基の1つを表す:
【化6】 式中、Q=C−AまたはNであり、ここで、A=H,
F,(CH2 )p CH3 、(CF2 )p CF3 ,O(C
H2 )p CH3 、O(CF2 )p CF3 、CO(C
H2 )p CH3 、CO(CF2 )p CF3 (ここでp=
0〜8)(直鎖または分岐),OC(CH3 )3 ,OC
(CF3 )3 ,C6 H5 、C6 F5 ,OC6 H5、OC
6 F5 ,シクロペンチル、ペルフルオルシクロペンチ
ル、シクロヘキシルまたはペルフルオルシクロヘキシル
であり、ここで、分離された芳香族環には、環当り最大
3つのN原子が存在でき、2つのN原子は隣接してよ
く、多環系には、環当り最大2つのN原子が存在でき、 M=単一結合、(CH2 )n ,(CF2 )n ,CH(C
H3 ),CH(CF3 ),CF(CH3 ),CF(CF
3 ),C(CH3 )2 ,C(CF3 )2 ,CH(C6 H
5 )、CH(C6 F5 ),CF(C6 H5 )、CF(C
6 F5 ),C(CH3 )(C6 H5 )、C(CH3 )
(C6 F5 )、C(CF3 )(C6 H5 )、C(C
F3 )(C6 F5 )、C(C6 H5 )2 、C(C
6 F5 )2 、CO,SO 2 ,
【化7】 であり、ここで、Z=フェニレンの場合(Zに示した基
の最初の3つはQ=C−Aである)またはm=0の場
合、基A1 〜A7 の少なくとも1つは、≠Hでなければ
ならない。
【0009】上記の構造のポリマー前駆体は、対応する
o−アミノフェノールカルボン酸またはo−アミノチオ
フェノールカルボン酸の重合によって製造される。この
場合、適切な重合剤の存在の下で、有機溶媒中で、25
〜130℃の温度において、o−アミノフェノールカル
ボン酸またはo−アミノチオフェノールカルボン酸を重
合させる。重合剤は、例えば等モル量で使用される亜リ
ン酸トリフェニルである。反応溶液に、塩基(例えばピ
リジン、塩化リチウム、塩化カルシウム)を添加すれば
有利である(これに関しては、刊行物“Macromo
lecules”,Vol.18(1985),p61
6〜622参照)。しかしながら、トリフェニルホスフ
ィン(ドイツDE3716629C2参照)または塩化
オキサリルの存在下で重合を実施することもできる。次
いで、適切な沈殿剤を反応溶液に滴下して、生じたポリ
マーを沈殿させる。沈殿したポリマーは、濾過、乾燥す
れば直ちに使用できる。
【0010】本発明に係るポリベンゾオキサゾール前駆
体およびポリベンゾチアゾール前駆体の製造に使用する
o−アミノフェノールカルボン酸およびo−アミノチオ
フェノールカルボン酸は、下記の構造式を有する:
【化8】 上記前駆体は、同時に提出した下記のドイツ特許出願の
対象である。 −出願番号19742194.6−“o−アミノ(チ
オ)フェノールカルボン酸およびその製造方法” ー出願番号19742193.8−“o−アミノ(チ
オ)フェノールカルボン酸およびその製造方法”
【0011】更に、構造式の記号“A1 〜A3 ”および
“A4 〜A7 ”は、アミノフェニル基が基A1 、A2 お
よびA3 またはA4 ,A5 ,A6 およびA7 を有するこ
とを意味する。
【0012】この種のo−アミノフェノールカルボン酸
の例を以下に示す。 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)安息香
酸
【化9】 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)−4’
−(4−カルボキシフェノキシ)オクタフルオロビフェ
ニル
【化10】 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)−2−
(4−カルボキシフェノキシ)−3,5,6−トリフル
オロピリジン
【化11】 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)−2−
(4−カルボキシフェノキシ)−1−トリフルオロメチ
ル−3,5,6−トリフルオロベンゾール
【化12】 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−トリ
フルオロフェノキシ)安息香酸
【化13】 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−トリ
フルオロフェノキシ)−4’−(4−カルボキシフェノ
キシ)オクタフルオロビフェニル
【化14】 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−トリ
フルオロフェノキシ)−2−(4−カルボキシフェノキ
シ)−3,5,6−トリフルオロピリジン
【化15】
【0013】ポリマー合成体の特に好適な溶媒は、ジメ
チルアセトアミド、γ−ブチロラクトンおよびN−メチ
ルピロリドンである。しかしながら基本的に、出発化合
物を溶解できるすべての溶媒を使用できる。特に好適な
溶媒は、水および水と各種アルコール(例えばエタノー
ル、イソプロパノール)との混合物である。
【0014】本発明によるポリマー前駆体は、多数の有
機溶媒(例えばアセトン、シクロヘキサノン、ジエチレ
ングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、N−メチルピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、乳酸エチル、テトラヒドロフラン、酢酸エ
チルエステル)および金属イオンを含まない水性アルカ
リ現像液に良好に溶解し、遠心技術によって問題なく加
工できる。基板上の環化後、このようにして得られたポ
リベンゾオキサゾールおよびポリベンゾチアゾールは、
極めて低い吸湿性、高いプレーナ形成度および高い温度
安定性を有する。
【0015】本発明によるポリマー前駆体は、ジアゾケ
トンと共存でき、従って、溶媒に溶解したポリベンゾオ
キサゾール前駆体またはポリベンゾチアゾール前駆体お
よびジアゾケトン基の光活性成分を有するフォトレジス
ト溶液として好適である。この種の光活性組成物は、驚
くべきことには、大きい分解能および極めて良いフィル
ム品質を示す。フォトレジスト溶液において、ポリベン
ゾオキサゾール前駆体またはポリベンゾチアゾールとジ
アゾキノンとの重量比は、1:20〜20:1であれば
有利であり、1:10〜10:1であれば好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下に実施例を参照して本発明を
詳細に説明する。
【0017】実施例1 o−アミノフェノールカルボン酸の製造: 4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)−4´
−(4−カルボキシフェノキシ)オクタフルオロビフェ
ニル デカフルオロビフェニル37.4g(0.112モル)
をジメチルホルムアミド700mlに溶解し、冷却器に
よって−10℃に冷却し、次いで、ジメチルホルムアミ
ド300mlにカリウム−4−ベンジルオキシカルボニ
ルフェノラート29.8g(0.112モル)を溶解し
た溶液を2h以内に滴下した。−10℃において48h
後に、カリウム塩が反応した。次いで、回転蒸発器にお
いてジメチルホルムアミドを除去し、残渣を少量のテト
ラヒドロフランに受容し、シリカゲルカラムで濾過し
た。得られた透明な溶液を回転蒸発器で濃縮して白色の
固形物を沈殿させた。次いでこの固形物をn−ヘキサン
中で撹拌し、折畳濾紙で濾過し、次いで、真空ボックス
内で40℃/10mbarの窒素ガス中で48h乾燥し
た。 このようにして製造した4−(4−ベンジルオキ
シカルボニルフェノキシ)ノナフルオロビフェニル4
9.9g(0.092モル)およびカリウム−4−ニト
ロー3−ベンジルオキシフェノラート26.1g(0.
92モル)をジメチルホルムアミド400mlに溶解
し、溶液を80℃に加熱した。24h後、反応が完了し
た。次いで、回転蒸発器において溶媒を除去した。得ら
れた固形残渣をメタノールで3回洗浄し、ブフナー濾斗
で濾別し、次いで、真空ボックス内で40℃/10mb
arの窒素ガス中で48h乾燥した。このようにして製
造した4−(4−ニトロ−3−ベンジルオキシフェノキ
シ)−4’−(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキ
シ)オクタフルオロビフェニル49.9g(0.065
モル)をテトヒドロフランと酢酸エチルエステルの混合
物(容積比1:1)400mlに溶解し、溶液にPd/
C(パラジウム/炭素)5gを加えた。次いで、オート
クレーブ中で室温において、強く撹拌しながら、圧力1
barの水素を使用して水素添加した。3日後、反応が
終了した。黄色の溶液を回転蒸発器において1/2に濃
縮し、室温に一晩放置した。その際、反応生成物の結晶
が沈殿した。次いで、反応生成物を分離し、真空ボック
ス内で40℃/10mbarの窒素ガス中で48h乾燥
した。
【0018】実施例2 PBO前駆体の製造 実施例1に対応して調製した4−(4−アミノ−3−ヒ
ドロキシフェノキシ)−4’−(4−カルボキシフェノ
キシ)オクタフルオロビフェニル55.7g(0.1モ
ル)を、蒸留したN−メチルピロリドン370mlに溶
解した。0℃において、この溶液に、γ−ブチロラクト
ン85mlに塩化オキサリル13g(0.102モル)
を溶解した溶液をゆっくり滴下した。添加後、0℃にお
いて2h撹拌し、室温において18h撹拌した。次い
で、完全な反応のため、0℃において、N−メチルピロ
リドン100mlにピリジン20mlを溶解した溶液を
加え、室温において更に24h撹拌した。次いで、黄褐
色の溶液をブフナー濾斗で濾過し、強く撹拌しながらイ
ソプロパノールと水の混合物(1:3)に滴下した。こ
の場合、沈殿剤(イソプロパノール/水)の量は、反応
溶液の10倍に対応するよう選択した。沈殿したポリマ
ーをブフナー濾斗で濾別し、1%アンモニア溶液で3回
洗浄した。精製後、ポリマーを真空ボックス内で40℃
/10mbarの窒素ガス中で72h乾燥した。このよ
うにして製造したPBO前駆体は、溶媒(例えばN−メ
チルピロリドン、γ−ブチロラクトン、アセトン、テト
ラヒドロフラン、シクロペンタノン、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、乳酸エチル、エタノール)お
よび金属イオンを含まない市販の水性アルカリ現像液
(例えば、NMD−W(東京応化社製))に良好に溶解
する。
【0019】実施例3 吸湿性の測定 蒸留したN−メチルピロリドン12gに実施例2のPB
O前駆体4gを溶解した。前置フィルタを備えたプラス
チック製注射器によって、洗浄、乾燥し正確に秤量した
シリコン板(ウエハ)の形の基板上に溶液を塗布し、遠
心装置(タイプST146,Convac社製)によっ
て分離した。基板上に生じたフィルムを、まず、120
℃のホットプレート上で予備乾燥し、次いで環化のた
め、プログラミング可能な実験炉(“Sirius J
unior”,LP−Thermtech社製)におい
て窒素中で350℃に加熱し、上記温度に1h保持し、
次いで冷却した。加熱・冷却速度は、それぞれ、5℃/
minとした。乾燥剤として五酸化リンを含む密閉チャ
ンバを有する風袋補正微量天秤(タイプAT261 D
eltarange,Mettler Toledo社
製)に、被覆処理した基板を装入した。24h後に秤量
した全重量は、11,24863gであった。この数値
から、環化したポリマーについて0,16321gの重
量が得れる(純シリコン板の重量11.08542
g)。次いで、五酸化リンを飽和塩化ナトリウム溶液と
置換え、チャンバ内に相対湿度76%(23℃)を設定
した。更に24h貯蔵した後、フィルムの重量は、0.
16424gに増加した。これから、0,63%の吸湿
度が得られた。未被覆のシリコン板は、同一条件におい
て吸湿性を示さなかった。
【0020】実施例4 プレーナ形成度の測定 本発明による前駆体から環化によって基板上に製造した
ポリベンゾオキサゾールのプレーナ形成度を、高さ1.
2μmのアルミニウム構造体(プレーナウエハ)を有す
るシリコンウエハについて測定した。プレーナ形成度
は、周期的な5μm構造(=線幅およびトレンチ幅;交
互)について示す。プレーナ形成度の測定は、Soan
eほか著の刊行物“Polymers in Micr
oelectrics−Fundamental an
d Applications”,Elsevier出
版社,アムステルダム 1989,p189〜191に
もとづき行った。 実施例2のPBO前駆体を、実施例
3と同様に、プレーナウエハ(基板)上に被覆し、環化
した。環化したフィルムの厚さは、2.0μmであり、
プレーナ形成度は、75%であった。
【0021】実施例5 光構造化 実施例2のPBO前駆体4gを、ビスフェノールAおよ
びナフトキノジアジド−5スルホン酸(光活性成分)か
らなるジエステル1gとともに、N−メチルピロリドン
15gに溶解した。このフォトレジスト溶液を、前置フ
ィルタを備えたプラスチック製注射器によって、洗浄、
乾燥し正確に秤量したシリコン板(ウエハ)の形の基板
上に溶液を塗布し、遠心装置(タイプST146,Co
nvac社製)によって分離した。基板上に生じたレジ
ストフィルムを、まず、120℃のホットプレート上で
予備乾燥し、次いで、露光装置(タイプ121,Kar
lSuess社製)においてマスクを介して露光した。
水性アルカリ現像剤(NMD−W,東京応化社製、水で
1:1に希釈)で現像し、実施例3に対応して350℃
において(基板上で)環化した後、層厚2μmで分解能
2μmの高温安定レジスト構造が得られた。
【0022】実施例6 PBO前駆体の製造および特性の測定 実施例2と同様に、PBO前駆体を製造した。但し、他
は同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸と
して、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)
−2−(4−カルボキシフェノキシ)−3,5,6−ト
リフルオロピリジン(0.1モル、即ち39.2g)を
使用した。o−アミノフェノールカルボン酸は、実施例
1と同様に、ペンタフルオロピリジン、カリウム−4−
ベンジルオキシカルボニルフェノラートおよびカリウム
−4−ニトロー3−ベンジルオキシフェノラートから調
製した。得られたPBO前駆体は、実施例2に記載した
溶媒に良好に溶解した。上記の前駆体について、吸湿度
0,75%(実施例3参照)およびプレーナ形成度77
%(実施例4参照)が測定された。実施例5に対応して
実施した光構造化および基板上の環化によって、層厚
1.9μmで分解能2μmの高温安定レジスト構造が得
られた。
【0023】実施例7 PBO前駆体の製造および特性の測定 実施例2と同様に、PBO前駆体を製造した。但し他は
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)−
2−(4−カルボキシフェノキシ)−1−トリフルオロ
メチル−3,5,6−トリフルオロベンゾール(0.1
モル、即ち45.9g)を使用した。o−アミノフェノ
ールカルボン酸は、実施例1と同様に、オクタフルオロ
トルエン、カリウム−4−ベンジルオキシカルボニルフ
ェノラートおよびカリウム−4−ニトロー3−ベンジル
オキシフェノラートから製造した。得られたPBO前駆
体は、実施例2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記
前駆体について、吸湿度0.71%(実施例3参照)お
よびプレーナ形成度82%(実施例4参照)が測定され
た。実施例6に対応して実施した光造形および基板上の
環化によって、層厚2.1μmで分解能2μmの高温安
定レジスト構造が得られた。
【0024】実施例8 PBO前駆体の製造および特性の測定 実施例2と同様に、PBO前駆体を製造した。但し他は
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)安
息香酸(0.1モル、即ち、24,5g)を使用した。
o−アミノフェノールカルボン酸は、4−(4−ニトロ
ー3−ベンジルオキシフェノキシ)安息香酸ベンジルエ
ステルを介して5−フルオロ−2−ニトロフェニルベン
ジルエーテルおよび4−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエ
ステルのカリウム塩から製造した(実施例1参照)。得
られたPBO前駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好
に溶解する。上記前駆体について、吸湿度0.76%
(実施例3参照)およびプレーナ形成度82%(実施例
4参照)が測定された。実施例6に対応して実施した光
構造化および基板上の環化によって、層厚2μmで分解
能2μmの高温安定レジスト構造が得られた。
【0025】実施例9 PBO前駆体の製造および特性の測定 実施例2と同様に、PBO前駆体を製造した。但し他は
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−
トリフルオロフェノキシ)安息香酸(0.1モル、即ち
29.9g)を使用した。o−アミノフェノールカルボ
ン酸は、ー4−(4−ニトロー3−ヒドロキシ−2,
5,6−トリフルオロフェノキシ)安息香酸ベンジルエ
ステルを介してーペンタフルオロニトロベンゾールおよ
び4−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエステルから製造し
た(実施例1参照)。得られたPBO前駆体は、実施例
2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記前駆体につい
て、吸湿度0.71%(実施例3参照)およびプレーナ
形成度83%(実施例4参照)が測定された。実施例6
に対応して実施した光構造化および基板上の環化によっ
て、層厚2.2μmで分解能2μmの高温安定レジスト
構造が得られた。
【0026】実施例10 PBO前駆体の製造および特性の測定 実施例2と同様に、PBO前駆体を製造した。但し他は
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−
トリフルオロフェノキシ)−4’−(4−カルボキシフ
ェノキシ)オクタフルオロビフェニル(0.1モル、即
ち、61.1g)を使用した。o−アミノフェノールカ
ルボン酸は、デカフルオロビフェニルおよびカリウム−
4−ベンジルオキシカルボニルフェノラートから製造し
た4−(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキシ)ノ
ナフルオロビフェニルを4ーニトロテトラフルオロフェ
ノールと反応させて得た4−(4−ニトロー3−ヒドロ
キシ−2,5,6−トリフルオロフェノキシ)−4’−
(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキシ)オクタフ
ルオロビフェニルを介して製造した。得られたPBO前
駆体は、実施例2に記載した溶媒に良好に溶解した。上
記の前駆体について、吸湿度0.61%(実施例3参
照)およびプレーナ形成度74%(実施例4参照)が測
定された。実施例6に対応して実施した光構造化および
基板上の環化によって、層厚1.8μmで分解能2μm
の高温安定レジスト構造が得られた。
【0027】実施例11 PBO前駆体の製造および特性の測定 実施例2と同様に、PBO前駆体を製造した。但し他は
同一条件として、o−アミノフェノールカルボン酸とし
て、4−(4−アミノ−3−ヒドロキシ−2,5,6−
トリフルオロフェノキシ)−2−(4−カルボキシフェ
ノキシ)−3,5,6−トリフルオロピリジン(0.1
モル、即ち44.6g)を使用した。o−アミノフェノ
ールカルボン酸は、ペンタフルオロピリジンおよびカリ
ウム−4−ベンジルオキシカルボニルフェノラートから
製造した2−(4−ベンジルオキシフェノキシ)ー3,
4,5,6−テトラフルオロピリジンを4−ニトロテト
ラフルオロフェノールと反応させて得た4−(4−ニト
ロー3−ヒドロキシ−2,5,6−トリフルオロフェノ
キシ)−2−(4−ベンジルオキシカルボニルフェノキ
シ)−3,5,6−トリフルオロピリジン介して製造し
た(実施例1参照)。得られたPBO前駆体は、実施例
2に記載した溶媒に良好に溶解した。上記の前駆体につ
いて、吸湿度0.73%(実施例3参照)およびプレー
ナ形成度75%(実施例4参照)が測定された。実施例
6に対応して実施した光構造化および基板上の環化によ
って、層厚2μmで分解能2μmの高温安定レジスト構
造が得られた。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の部分構造式[式中、A1 〜A
    7 は、相互に無関係であり、H,F,CH3 ,CF3 ,
    OCH3 ,OCF3 ,CH2 CH3 、CF2 CF 3 、O
    CH2 CH3 またはOCF2 CF3 を表し;TはOまた
    はSを表し,mは0または1を表し;Zは下記の基(式
    中、Q=C−AまたはNであり、ここでA=H,F,
    (CH2)p CH3 、(CF2 )p CF3 ,O(C
    H2 )p CH3 、O(CF2 )p CF 3 、CO (CH
    2 )p CH3 、CO(CF2 )p CF3 (ここでp=0
    〜8)(直鎖または分岐),OC(CH3 )3 ,OC
    (CF3 )3 ,C6 H5 、C6 F 5 ,OC6 H5 、OC
    6 F5 ,シクロペンチル、ペルフルオルシクロペンチ
    ル、シクロヘキシルまたはペルフルオルシクロヘキシル
    であり、ここで分離された芳香族環には、環当り最大3
    つのN原子が存在でき、2つのN原子は隣接してよく、
    多環系には、環当り最大2つのN原子が存在でき、M=
    単一結合、(CH2 )n ,(CF2 )n ,CH(C
    H3 ),CH(CF3 ),CF(CH3 ),CF(CF
    3 ),C(CH3 )2 ,C(CF3 )2 ,CH(C6 H
    5 )、CH(C6 F5 ),CF(C6 H5 )、CF(C
    6 F5 ),C(CH3 )(C6 H5 )、C(CH3 )
    (C6 F5 )、C(CF3 )(C6 H5 )、C(C
    F3 )(C6 F5 )、C(C6 H5 )2 、C(C
    6 F5 )2 、CO,SO 2 , 【化1】 であり、ここでZ=フェニレンの場合またはm=0の場
    合、基A1 〜A7 の少なくとも1つは≠Hでなければな
    らず 【化2】 の1つを表す] 【化3】 のポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチア
    ゾール前駆体。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のポリベンゾオキサゾール
    前駆体またはポリベンゾチアゾール前駆体および光活性
    成分としてのジアゾケトンを有機溶媒に溶解した形で含
    むことを特徴とするフォトレジスト溶液。
  3. 【請求項3】 ポリベンゾオキサゾール前駆体またはポ
    リベンゾチアゾール前駆体とジアゾケトンとの重量比
    が、1:20〜20:1(好ましくは、1:10〜1
    0:1)であることを特徴とする請求項2記載のフォト
    レジスト溶液。
JP27038998A 1997-09-24 1998-09-24 ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体 Expired - Fee Related JP4220600B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19742191 1997-09-24
DE19742191.1 1997-09-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11171995A true JPH11171995A (ja) 1999-06-29
JP4220600B2 JP4220600B2 (ja) 2009-02-04

Family

ID=7843500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27038998A Expired - Fee Related JP4220600B2 (ja) 1997-09-24 1998-09-24 ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6120970A (ja)
EP (1) EP0905170B1 (ja)
JP (1) JP4220600B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006265224A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 芳香族化合物およびその誘導体

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG104255A1 (en) * 1998-09-29 2004-06-21 Sumitomo Bakelite Co Polybenzoxazole resin and precursor thereof
DE10011604A1 (de) * 2000-03-10 2001-10-04 Infineon Technologies Ag Polybenzoxazol-Vorstufen
DE10137375A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verwendung von Polybenzoxazolen (PBO) zum Kleben
DE10147927B8 (de) * 2001-09-28 2004-07-08 Infineon Technologies Ag Poly-o-hydroxyamide, Polybenzoxazole, elektronisches Bauteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1602009A4 (en) * 2003-03-11 2010-03-17 Fujifilm Electronic Materials NOVEL LIGHT-SENSITIVE RESIN COMPOSITIONS
KR20060023520A (ko) * 2003-03-11 2006-03-14 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 신규한 감광성 수지 조성물들
EP1606326A2 (en) * 2003-03-11 2005-12-21 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Novel photosensitive resin compositions
EP1856577B1 (en) * 2005-02-02 2015-05-27 Kolon Industries, Inc. Positive dry film photoresist and composition for preparing the same
JP2008546204A (ja) * 2005-06-03 2008-12-18 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 前処理組成物

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1811588C3 (de) * 1967-12-04 1973-01-04 Toray Industries, Inc., Tokio Verfahren zur Herstellung eines thermisch stabilen Films aus Polymermaterial
DE2647004C3 (de) * 1976-10-18 1981-09-10 Aleksej Jakovlevič Černichov Verfahren zur Herstellung von Polybenzoxazolen
DE2931297A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Siemens Ag Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen
SU1205518A1 (ru) * 1983-10-24 1986-09-30 Отделение Нефтехимии Института Физико-Органической Химии И Углехимии Ан Усср Бис(3-амино-4-оксифенокси)перфторарилены в качестве мономеров дл получени полибензоксазолов с повышенной термической и гидролитической устойчивостью
GB2188936B (en) * 1986-03-06 1988-12-21 Central Glass Co Ltd Aromatic polyamides and polybenoxazoles having diphenylhexafluoropropane units
US5077378A (en) * 1986-10-02 1991-12-31 Hoechst Celanese Corporation Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group
DE3773110D1 (de) * 1986-10-02 1991-10-24 Hoechst Celanese Corp Polyamide mit hexafluorisopropyliden-gruppen, diese enthaltende positiv arbeitende lichtempfindliche gemische und damit hergestellte aufzeichnungsmaterialien.
EP0291779B1 (de) * 1987-05-18 1994-07-27 Siemens Aktiengesellschaft Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen
DE3888390D1 (de) * 1987-05-18 1994-04-21 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Dielektrika.
DE3716629C2 (de) * 1987-05-18 1997-06-12 Siemens Ag Wärmebeständige positiv arbeitende strahlungsempfindliche Gemische und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen
US5194562A (en) * 1989-02-22 1993-03-16 The Dow Chemical Company Nucleophilic displacement method for synthesis of non-rigid PBZ polymers
DE69131529T2 (de) * 1990-05-29 2000-01-20 Sumitomo Bakelite Co. Ltd., Tokio/Tokyo Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung
DE59208963D1 (de) * 1991-05-07 1997-11-20 Siemens Ag Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen
DE59600371D1 (de) * 1995-03-23 1998-09-03 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Polybenzoxazol-Vorstufen und entsprechender Resistlösungen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006265224A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 芳香族化合物およびその誘導体

Also Published As

Publication number Publication date
US6120970A (en) 2000-09-19
JP4220600B2 (ja) 2009-02-04
EP0905170A2 (de) 1999-03-31
EP0905170A3 (de) 2000-01-12
EP0905170B1 (de) 2013-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11171994A (ja) ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体
US8269358B2 (en) Bis(aminophenol) derivative, process for producing same, polyamide resin, positive photosensitive resin composition, protective film, interlayer dielectric film, semiconductor device, and display element
KR102011388B1 (ko) 폴리아릴렌 수지
JP4220600B2 (ja) ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾチアゾール前駆体
US20100062273A1 (en) Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, semiconductor device and display device using the same
US5807969A (en) Preparation of poly-O-hydroxyamides and poly O-mercaptoamides
JP2001181249A (ja) アミドフェノール化合物
KR20030047821A (ko) 폴리이미드 전구체 및 그 제조 방법, 및, 이 폴리이미드전구체를 사용한 수지 조성물
US20090068584A1 (en) Positive photosensitive resin composition, cured layer, protecting layer, insulating layer and semiconductor device and display therewith
JP2003121998A (ja) 感光性重合体組成物及びパターン製造法及び電子部品
JP3681554B2 (ja) o−アミノ(チオ)フェノールカルボン酸およびその製造方法
TW201326270A (zh) 光敏性酚醛樹脂及包含該樹脂之正型光敏性樹脂組成物
KR19990044959A (ko) 신규한 광활성 화합물을 갖는 감광성 내식막
JP4507658B2 (ja) 環状アミノフェノール化合物、環状熱硬化性樹脂、その製造法、絶縁膜用材料、絶縁膜用コーティングワニス、及び、これらを用いた絶縁膜並びに半導体装置
US5783654A (en) Preparation of poly-O-hydroxyamides and poly O-mercaptoamides
JP5625549B2 (ja) 感光性重合体組成物、パターンの製造方法及び電子部品
JP3093630B2 (ja) ポリベンズオキサゾール前駆体及びレジスト溶液の製造方法
JP4437345B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
US5760162A (en) Preparation of poly-o-hydroxyamides and poly-o-mercaptoamides
KR100618023B1 (ko) 1,2-나프토퀴논-2-디아지드술폰산 에스테르계 감광제,감광제의 제조방법, 및 포토레지스트 조성물
JP2003176355A (ja) ポリイミド前駆体及びそれを用いた新規感光性樹脂組成物
US5696218A (en) Preparation of poly-o-hydroxyamides and poly-o-mercaptoamides
TW201013318A (en) Positive-working photosensitive resin composition, cured film, protecting film, insulating film, and semiconductor device and display device using them
JPH11158129A (ja) ビスーo−アミノ(チオ)フェノールおよびその製造方法
JP2010215594A (ja) ナフトキノンジアジド化合物及びアミドフェノール化合物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050715

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070927

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071226

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080104

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080121

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080424

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080805

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081016

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081114

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees