JPH11172003A - 架橋ポリカーボネート樹脂の製造法および架橋ポリカーボネート樹脂ならびに電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気・電子機器、光学機器などの分野で
有用性の高い架橋ボリカーボネート樹脂の製造に際し、
架橋工程においてボリカーボネート樹脂の性能低下を招
かない効果的な架橋を行い、殊に耐摩耗性に優れた成形
体を得ることのできる架橋ボリカーボネート樹脂の製造
方法と、その製法によって得られた架橋ボリカーボネー
ト樹脂、並びにこの架橋ボリカーボネート樹脂を用いた
耐久性に優れた電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 炭素−炭素不飽和結合を有するボリカー
ボネート樹脂を、分子内に珪素−水素結合を２つ以上持
つ珪素化合物によりヒドロシリル化する架橋ボリカーボ
ネート樹脂の製造方法、及び該方法により得られる架橋
ボリカーボネート樹脂、並びに該架橋ボリカーボネート
樹脂を含有する感光層を導電性基体上に設けてなる電子
写真感光体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、機械的性質や光学
的性質、電子写真特性に優れた架橋ポリカーボネート樹
脂を製造する方法、およびその方法で製造された架橋ポ
リカーボネート樹脂に関するものである。また、本発明
は、この架橋ポリカーボネート樹脂を感光層中のバイン
ダー樹脂として含有する耐久性に優れた電子写真感光体
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネート樹脂は、機械的性質や
熱的性質、電気的性質に優れていることから、様々な産
業分野において成形品の素材に用いられてきた。近年、
さらにこのポリカーボネート樹脂の光学的性質などをも
併せて利用した機能的な製品の分野においても多用され
ている。このような用途分野の拡大に伴って、ポリカー
ボネート樹脂に対する要求性能も多様化している。この
ような要請に応えるためには、従来から用いられてきた
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンや
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ンなどを原料とするポリカーボネート樹脂のみでは充分
な対応ができないことがあることから、様々な化学構造
を有するポリカーボネート樹脂が提案されてきている。
しかしながら、各種の用途毎に特有の要求特性があるこ
とから、それら要請を満足する性能を具備するポリカー
ボネート樹脂の開発が求められている。

【０００３】このような機能的な製品として、ポリカー
ボネート樹脂を有機電荷発生材料や電荷輸送材料用のバ
インダー樹脂とする感光層を導電性基体上に形成した有
機電子写真感光体がある。この電子写真感光体として
は、従来、セレンやα−シリコンなどの無機光導電性材
料を用いたものが使用されていたが、最近では、前記有
機電子写真感光体の性能が向上したことから、その使用
割合が拡大している。

【０００４】この有機電子写真感光体には、適用される
電子写真プロセスに応じて、所定の感度や電気特性、光
学特性を備えていることが要求される。この電子写真感
光体は、その感光層の表面に、コロナ帯電、トナー現
像、紙への転写、クリーニング処理などの操作が繰返し
行われるため、これら操作を行う度に電気的、機械的な
外力が加えられる。したがって、長期間にわたって電子
写真の画質を維持するためには、電子写真感光体の表面
に設けた感光層に、これら外力に対する耐久性が要求さ
れる。

【０００５】このような要請に応えるため、有機電子写
真感光体のバインダー樹脂としては、感光層に用いる電
荷輸送物質との相溶性がよく光学特性も良好なポリカー
ボネート樹脂が使用されてきた。しかしながら、従来、
このポリカーボネート樹脂として、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）プロパンや、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンなどを原料とする
ものが使用されてきたが、耐久性の点で充分に満足でき
なかった。このようなことから、例えば特開平４−２９
１３４８号公報では、バインダー樹脂として炭素−炭素
不飽和結合を有する架橋性のポリカーボネート樹脂を用
い、これを含む感光層を導電性基体に塗布した後に、該
架橋性ポリカーボネート樹脂を架橋させた電子写真感光
体が提案されている。ところで、この場合、該架橋性ポ
リカーボネート樹脂にラジカル開始剤を加えて架橋反応
を行うので、ここで発生したラジカルにより、ポリカー
ボネート樹脂の分子鎖が切断を受けたり、化学変化を受
けて黄変することがあるという問題がある。また、ここ
で発生したラジカルにより、このバインダー樹脂に含有
させてある電荷輸送物質が化学変化を受けて、その性能
の低下を招くという問題もある。したがって、これら分
子切断や化学変化に伴う電子写真感光体の性能や耐久性
の低下のため、充分に満足できるには至っていなかっ
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に基づいてなされてものであり、光学的性質や機械的性
質、ことに耐摩耗性に優れた成形品を得ることのできる
架橋ポリカーボネート樹脂とその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。さらに、この架橋ポリカー
ボネート樹脂を有機電子写真感光体用のバインダー樹脂
として用いた耐久性に優れた電子写真感光体を提供する
ことを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するために、鋭意研究を重ねた結果、炭素−炭素不
飽和結合を有するポリカーボネート樹脂に、分子内に２
つ以上の珪素−水素結合を有する珪素化合物を反応させ
ヒドロシリル化した架橋ポリカーボネート樹脂が、光学
的性質や機械的性質、ことに耐摩耗性に優れたものであ
ることを見出した。さらに、この架橋ポリカーボネート
樹脂を有機電子写真感光体用のバインダー樹脂に用いる
と、耐久性に優れた電子写真感光体が得られることを見
出し、これら知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。

【０００８】すなわち、本発明の要旨は、下記のとおり
である。 （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂を、遷移金属触媒、塩基系触媒およびラジカル化学
種から選択される１種または２種以上の物質の存在下
に、同一分子内に珪素−水素結合を２つ以上持つ珪素化
合物と反応させてヒドロシリル化することを特徴とする
架橋ポリカーボネート樹脂の製造方法。 （２）前記炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネ
ート樹脂が、下記の一般式〔１〕で表される繰返し単位
（１）、または一般式〔１〕で表される繰返し単位
（１）および一般式〔２〕で表される繰返し単位（２）
を有するポリカーボネート樹脂である上記（１）記載の
架橋ポリカーボネート樹脂の製造方法。

【０００９】

【化６】

【００１０】〔式〔１〕中、Ａｒ¹ は、

【００１１】

【化７】

【００１２】（式〔１ａ〕中のＸ¹ は、単結合、−Ｏ
−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、−ＣＲ
³ Ｒ⁴ −（ただし、Ｒ³ 、Ｒ⁴ は各々独立に水素原子、
炭素数１〜１２のアルキル基、トリフルオロメチル基ま
たは炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリール基
である）、炭素数５〜１２の置換もしくは無置換のシク
ロアルキリデン基、炭素数２〜１２の置換もしくは無置
換のα，ω−アルキレン基、９，９−フルオレニリデン
基、１，８−メンタンジイル基、２，８−メンタンジイ
ル基、置換もしくは無置換のピラジリデン基、炭素数６
〜１２の置換もしくは無置換のアリーレン基または下記
一般式〔３〕、

【００１３】

【化８】

【００１４】（式〔３〕中のＲ⁵ は、各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜
１２のアルキル基、炭素数６〜１２の置換もしくは無置
換のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素
数６〜１２の置換もしくは無置換のアリールオキシ基で
あり、ｔは０〜６の整数である）で表される基であり、
式〔１ａ〕〜〔１ｃ〕中のＡは、−（ＣＨ₂ ）_h −、−
Ｏ−（ＣＨ₂ ）_h −、−ＣＯ−（ＣＨ₂ ）_h −、−ＣＯ
Ｏ−（ＣＨ₂ ）_h −で表される基（ただしｈは０〜６の
整数である）であり、ＦＧは、エチニル基またはビニル
基であり、ｐ¹ 、ｐ² は０〜４の整数（ただしｐ¹ ＋ｐ
² は１〜８の整数である）であり、ｑは１または２であ
り、ｓは１〜６の整数であり、式〔１ｄ〕中のＹは少な
くとも１つの炭素−炭素不飽和結合を持つ炭素数２〜１
２の鎖状または環状の炭化水素基を置換基として有する
炭素数５〜１２のシクロアルキリデン基であり、式〔１
ａ〕〜〔１ｇ〕中のＲ¹ は、水素原子、ハロゲン原子、
トリフルオロメチル基、炭素数１〜１２のアルキル基、
炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリール基、炭
素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２の置換も
しくは無置換のアリールオキシ基であり、Ｒ² はＲ¹ と
同一の基であるがＲ² 同士が炭素数１〜１０の炭化水素
基で結合されていてもよく、式〔１ｅ〕中のｃは０また
は１であり、式〔１ｆ〕〔１ｇ〕中のｅは１〜２００の
整数であり、かつｄ＋ｅの合計が１〜２００の整数であ
り、ｒは各々独立に０〜４の整数であり、ｔは各々独立
に０〜６の整数であり、ｇは０〜２００の整数である）
で表される二価の基であり、一般式〔２〕中のＡｒ
² は、

【００１５】

【化９】

【００１６】（式〔２ａ〕〜〔２ｄ〕中のＸ² 、Ｒ⁶ 、
ｒ、ｔ、ｇは、前記Ｘ¹ 、Ｒ¹ 、ｒ、ｔ、ｇと同じ意味
を有し、ｋは０〜６の整数である）で表される基であ
る。〕 （３）前記同一分子内に珪素−水素結合を２つ以上持つ
珪素化合物が、下記一般式〔４ａ〕〜〔４ｆ〕で表され
るものである上記（１）または（２）記載の架橋ポリカ
ーボネートの製造方法。

【００１７】

【化１０】

【００１８】〔式〔４ａ〕〜〔４ｆ〕中のＲ⁷ は、前記
Ｒ¹ と同じ意味を有し、ｉは０〜２００の整数であり、
ｎは２〜１００の整数でかつｎ＋ｍが２〜２００の整数
であり、ｕ＋ｖが０〜２００の整数であり、ｗは０〜６
の整数である。〕 （４）前記遷移金属触媒が、鉄触媒、ルテニウム触媒、
コバルト触媒、ロジウム触媒、イリジウム触媒、ニッケ
ル触媒、パラジウム触媒および白金触媒から選択される
１種または２種以上の触媒である上記（１）〜（３）の
いずれかに記載の架橋ポリカーボネートの製造方法。 （５）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂を、遷移金属触媒、塩基系触媒およびラジカル化学
種から選択される１種または２種以上の物質の存在下
に、同一分子内に珪素−水素結合を２つ以上持つ珪素化
合物を反応させてヒドロシリル化してなる架橋ポリカー
ボネート樹脂。 （６）導電性基体上に少なくとも感光層を有する電子写
真感光体において、該感光層に上記（５）記載の架橋ポ
リカーボネート樹脂を含有していることを特徴とする電
子写真感光体。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の架橋ポリカーボネート樹
脂は、炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂に、同一分子内に珪素−水素結合を２つ以上持つ珪
素化合物を反応させることによって製造することができ
る。ここで用いる炭素−炭素不飽和結合を有するポリカ
ーボネート樹脂としては、ポリカーボネート樹脂を構成
する繰返し単位として、その主鎖、側鎖あるいは末端に
炭素−炭素不飽和結合を有するものであればよく、単独
重合体であっても共重合体であってもよい。また、その
重合体鎖は、直鎖状、分岐状、環状のいずれの構造を有
するものであってもよく、さらに、合成時に末端停止剤
や分岐剤を用いることにより、特殊な末端構造や特殊な
分岐構造が導入されたものであってもよい。

【００２０】このような炭素−炭素不飽和結合を有する
ポリカーボネート樹脂を製造する方法については、例え
ば、炭酸エステル形成性化合物としてホスゲンなどを用
い、適当な酸結合剤の存在下に、炭素−炭素不飽和結合
を持つ二価フェノールを単独で、あるいは炭素−炭素不
飽和結合を持つ二価フェノールと炭素−炭素不飽和結合
を持たない二価フェノールとを反応させる方法、あるい
は、炭酸エステル形成性化合物としてビスアリールカー
ボネートを用い、エステル交換反応を行う方法などを採
用すればよい。この炭素−炭素不飽和結合を持つ二価フ
ェノールは、１種単独でも２種以上を併用してもよく、
また炭素−炭素不飽和結合を持たない二価フェノールに
ついても１種単独でも２種以上を併用してもよい。これ
ら反応は、必要に応じて末端停止剤および／または分岐
剤の存在下で行われる。

【００２１】この炭素−炭素不飽和結合を持つ二価フェ
ノールとしては、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−
ジビニルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジアリルビフェニル、３，３’，５，５’−テト
ラアリル−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビス
（３−ビニル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス
（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス
（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメ
タン、１，１−ビス（３−ビニル−４−ヒドロキシフェ
ニル）エタン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、１，１−ビス（３−アリル−４
−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２
−ビス（３−ビニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−ビニル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ
−５−フェニルフェニル）プロパン、２，２−ビス〔３
−（３−ブテニル）−４−ヒドロキシフェニル〕プロパ
ン、２，２−ビス〔３−（４−ペンテニル）−４−ヒド
ロキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−（５−
ヘキセニル）−４−ヒドロキシフェニル〕プロパン、２
−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（３−アリル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，
５−ジアリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−ビニル−４−ヒドロキシフェニル）
ブタン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフ
ェニル）ブタン、３，３−ビス（３−ビニル−４−ヒド
ロキシフェニル）ペンタン、３，３−ビス（３−アリル
−４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、１，１−ビス
（３−ビニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、ビス（３−ビニル−４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル、ビス（３−アリル−４−ヒドロ
キシフェニル）エーテル、ビス（３−ビニル−４−ヒド
ロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−アリル−４−
ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−ビニル−
４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３−ア
リル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（３−ビニル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビ
ス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
３，３’−ジビニル−４，４’−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、３，３’−ジアリル−４，４’−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、４，４’−ジヒドロキシベンザルアセ
トフェノン、９，９−ビス（３−ビニル−４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アリル−
４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）
フルオレン、１，３−ビス〔２−（３−アリル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピル〕ベンゼン、１，４−ビス
〔２−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
ル〕ベンゼン、１，３−ジヒドロキシ−４−アリルベン
ゼン、４，４’−ジヒドロキシ−３−アリルビフェニ
ル、２，７−ジヒドロキシ−３，６−ジアリルナフタレ
ン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，６
−ヘプタジエン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３−ブテン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−２−プロペン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−２−ビニルシクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−２−アリルシクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−
（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサン、さらに次式
で表される化合物などが挙げられる。

【００２２】

【化１１】

【００２３】これら二価フェノールの中でも、好ましい
ものとしては、３，３’−ジアリル−４，４’−ジヒド
ロキシビフェニル、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アリ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、
２，７−ジヒドロキシ−３，６−ジアリルナフタレン、
１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン、２−アリル−１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサン、４，４’−ジヒドロ
キシベンザルアセトフェノンなどが挙げられる。

【００２４】また、前記の炭素−炭素不飽和結合を持た
ない二価フェノールとしては、例えば、４，４’−ジヒ
ドロキシビフェニル、３，３’−ジフルオロ−４，４’
−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキ
シ−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジシクロヘキシルビフェニルなどの
４，４’−ジヒドロキシビフェニル類；ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）フェニルメタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、ビス（３−ノニル−４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−フルオロ
−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタ
ン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、２−ヒド
ロキシフェニル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビ
ス（２−ヒドロキシ−４メチルフェニル）メタン、ビス
（２−ヒドロキシ−４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシ−４，６−ジ
メチルフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−メチルフェニル）−１−フェニルエタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニ
ル）−１−フェニルエタン、２−（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタ
ン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−
ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ヒド
ロキシ−４−メチルフェニル）エタン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３
−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチ
ルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３，５−ジフルオロフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−
クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（２−ヒドロキシ−４−ｓ
ｅｃ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−
ヒドロキシ−４，６−ジメチルフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチル
プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−２−メチルプロパ
ン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−
メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタ
ン、１，１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−
ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル）ブタン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）ブタ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３−メチルブタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３−メチルブタン、３，３−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（２−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）
ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オ
クタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノナ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シ−３，５−ジメチルフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−フェニル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキ
サンなどのビス（ヒドロキシフェニル）アルカン類；ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−フ
ルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテルなどのビス
（４−ヒドロキシフェニル）エーテル類；ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）スルフィドなどのビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド類；ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）スルホキシド、ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホキシドなどのビス（４−ヒド
ロキシフェニル）スルホキシド類；ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルホン、ビス（３−フェニル−４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホンなどのビス（４−ヒドロキ
シフェニル）スルホン類；４，４’−ジヒドロキシベン
ゾフェノンなどのビス（４−ヒドロキシフェニル）ケト
ン類；９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオ
レン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニル−４−
ヒドロキシフェニル）フルオレンなどのビス（ヒドロキ
シフェニル）フルオレン類；４，４”−ジヒドロキシ−
ｐ−ターフェニルなどのジヒドロキシ−ｐ−ターフェニ
ル類；４，４’’’−ジヒドロキシ−ｐ−クォーターフ
ェニルなどのジヒドロキシ−ｐ−クォーターフェニル
類；２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ピラジ
ン、２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，６
−ジメチルピラジン、２，５−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２，６−ジエチルピラジンなどのビス（ヒド
ロキシフェニル）ピラジン類；１，８−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）メンタン、２，８−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メンタン、１，８−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）メンタン、１，８−ビス（４
−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メンタンな
どのビス（ヒドロキシフェニル）メンタン類；１，４−
ビス〔２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピ
ル〕ベンゼン、１，３−ビス〔２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−プロピル〕ベンゼンなどのビス〔２−
（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン
類；１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒド
ロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、
２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキ
シナフタレンなどのジヒドロキシナフタレン類；レゾル
シン、ヒドロキノン、カテコールなどのジヒドロキシベ
ンゼン類；α，ω−ジヒドロキシポリジメチルシロキサ
ン、α，ω−ビス〔３−（２−ヒドロキシフェニル）プ
ロピル〕ポリジメチルシロキサンなどのポリシロキサン
類；１，１，８，８−テトラヒドロ−１，８−ジヒドロ
キシパーフルオロオクタン、１，１，６，６−テトラヒ
ドロ−１，６−ジヒドロキシパーフルオロヘキサンなど
のジヒドロパーフルオロアルカン類などが挙げられる。

【００２５】これら各種の二価フェノール類の中でも、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フ
ェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−フェニルフェニル）プロパン、４，４’−ジヒ
ドロキシビフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルホン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、３，３−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ペンタン、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−メチルフェニル）フルオレン、ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）エーテル、４，４’−ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
トキシフェニル）１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパン、α，ω−ビス〔３−（２−ヒドロキシフ
ェニル）プロピル〕ポリジメチルシロキサン、レゾルシ
ン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどが好ましく、
特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
が好ましい。

【００２６】前記末端停止剤としては、一価のカルボン
酸とその誘導体や、一価のフェノールを用いることがで
きる。例えば、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェノール、ｐ
−フェニルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−パ
ーフルオロノニルフェノール、ｐ−（パーフルオロノニ
ルフェニル）フェノール、ｐ−（パーフルオロキシルフ
ェニル）フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチ
ルフェノール、１−（Ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフ
ルオロデカン、ｐ−〔２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ
トリドデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキ
サフルオロプロピル〕フェノール、３，５−ビス（パー
フルオロヘキシルオキシカルボニル）フェノール、ｐ−
ヒドロキシ安息香酸パーフルオロドデシル、ｐ−（１
Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオキシ）フェノール、
２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パーフルオロノナン酸、１，１，
１，３，３，３−テトラフロロ−２−プロパノールなど
が好適に用いられる。これら末端停止剤の添加割合は、
共重合組成比として、１〜３０モル％、さらに好ましく
は１〜１０モル％であり、この割合が３０モル％を超え
ると機械的強度の低下を招くことがあり、１モル％未満
であると成形性の低下を招くことがある。

【００２７】また、分岐剤の具体例としては、フロログ
リシン、ピロガロール、４，６−ジメチル−２，４，６
−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、
２，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）−３−ヘプテン、２，４−ジメチル−２，
４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、
１，３，５−トリス（２−ヒドロキシフェニル）ベンゼ
ン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベ
ンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）フェニ
ルメタン、２，２−ビス〔４，４−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキシル〕プロパン、２，４−ビス
〔２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピ
ル〕フェノール、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−
メチルベンジル）−４−メチルフェノール、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフ
ェニル）プロパン、テトラキス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、テトラキス〔４−（４−ヒドロキシフェニ
ルイソプロピル）フェノキシ〕メタン、２，４−ジヒド
ロキシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸、３，３−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オ
キソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４
−ヒドロキシアリール）オキシインドール、５−クロロ
イサチン、５，７−ジクロロイサチン、５−ブロモイサ
チンなどが挙げられる。

【００２８】これら分岐剤の添加量は、共重合組成比で
３０モル％以下、好ましくは５モル％以下であり、これ
が３０モル％を超えると成形性の低下を招くことがあ
る。炭酸エステル形成性化合物としては、ホスゲンなど
の各種ジハロゲン化カルボニルや、クロロホーメートな
どのハロホーメート、炭酸エステル化合物などを用い、
酸結合剤の存在下に重縮合を行う反応は、通常、溶媒中
で行う。ホスゲンなどのガス状の炭酸エステル形成性化
合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法が好
適に採用できる。この炭酸エステル形成性化合物の使用
割合は、反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜調整
すればよい。

【００２９】酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウム
などのアルカリ金属水酸化物や、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、ピリジンなどの有
機塩基、あるいはこれらの混合物を用いることができ
る。この酸結合剤の使用割合も反応の化学量論比（当
量）を考慮して適宜調整すればよい。具体的には、原料
の二価フェノールの水酸基１モル当たり、１当量もしく
はそれより過剰量、好ましくは１〜５当量の酸結合剤を
使用すればよい。

【００３０】ここで用いる溶媒としては、トルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素や、塩化メチレン、クロロ
ホルム、１．１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエ
タン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−ト
リクロロエタン、１，１，１，２−テトラクロロエタ
ン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ペンタクロ
ロエタン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、
アセトフェノンなどが好適なものとして挙げられる。こ
れら溶媒は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組
み合わせて用いてもよい。さらに、互いに混ざり合わな
い２種の溶媒を用いて界面重縮合反応を行ってもよい。

【００３１】また、前記触媒としては、トリメチルアミ
ンや、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルシクロヘキシルアミン、ピリジン、ジメチルア
ニリンなどの三級アミン、トリメチルベンジルアンモニ
ウムクロライド、トリエチルベンジルアンモニウムクロ
ライド、トリブチルベンジルアンモニウムクロライド、
トリオクチルメチルアンモニウムクロライド、テトラブ
チルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウ
ムブロマイドなどの四級アンモニウム塩、テトラブチル
ホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムブ
ロマイドなどの四級ホスホニウム塩などが好適である。

【００３２】さらに、所望により、この反応系に亜硫酸
ナトリウムやハイドロサルファイドなどの酸化防止剤を
少量添加してもよい。つぎに、前記重縮合反応を行う際
の反応条件については、反応温度は、通常、０〜１５０
℃、好ましくは５〜４０℃であり、反応圧力は減圧、常
圧、加圧のいずれでもよいが、通常は常圧もしくは反応
系の自圧程度の加圧下に行うことができる。反応時間に
ついては、反応温度により左右されるが、０．５分間〜
１０時間、好ましくは１分間〜２時間程度である。

【００３３】得られるポリカーボネート樹脂の分子量の
調節をするには、例えば前記反応条件の選択、前記末端
停止剤や分岐剤の使用量の増減などにより行うことがで
きる。また、場合によっては、得られた重合体に適宜物
理的処理（混合、分画など）および／または化学的処理
（ポリマー反応、部分分解処理など）を施して所望の分
子量範囲のものを得るようにしてもよい。

【００３４】このポリカーボネート樹脂の製造法は、様
々な態様で実施可能であり、例えば炭素−炭素不飽和結
合を有する二価フェノールおよび／または炭素−炭素不
飽和結合を有さない二価フェノールとホスゲンなどを反
応させて、ポリカーボネートオリゴマーを製造し、つい
でこのポリカーボネートオリゴマーに、上記の炭素−炭
素不飽和結合を有する二価フェノールおよび／または炭
素−炭素不飽和結合を有さない二価フェノールを、前記
溶媒および酸結合剤のアルカリ水溶液の混合液の存在下
に反応させる方法を採用してもよい。また、前記の炭素
−炭素不飽和結合を有する二価フェノールおよび／また
は炭素−炭素不飽和結合を有さない二価フェノールとホ
スゲンを、前記溶媒とアルカリ水溶液との混合液中で反
応させる方法を採用してもよい。通常は、前者の、予め
ポリカーボネートオリゴマーを製造する方法が効率的で
あることから好ましい。

【００３５】ポリカーボネートオリゴマーを製造するに
は、まず、アルカリ水溶液に炭素−炭素不飽和結合を有
する二価フェノールおよび／または炭素−炭素不飽和結
合を有さない二価フェノール（必要に応じて分岐剤を含
めて）を溶解し、二価フェノールのアルカリ水溶液を調
製する。ついで、このアルカリ水溶液と塩化メチレンな
どの有機溶媒との混合液に、ホスゲンを導入して反応さ
せ、炭素−炭素不飽和結合を有する二価フェノールおよ
び／または炭素−炭素不飽和結合を有さない二価フェノ
ールのポリカーボネートオリゴマーを合成する。つい
で、反応溶液を水相と有機相とに分離し、ポリカーボネ
ートオリゴマーを含む有機相を得る。この際、アルカリ
水溶液のアルカリ濃度は、１〜１５重量％の範囲が好ま
しく、また有機相と水相との容積比は、１０：１〜１：
１０、好ましくは５：１〜１：５の範囲である。反応温
度は、冷却下に通常０〜７０℃、好ましくは５〜６５℃
であり、反応時間は１５分間〜４時間、好ましくは３０
分間〜３時間程度である。このようにして得られるポリ
カーボネートオリゴマーの平均分子量は２０００以下、
重合度は，通常２０以下、好ましくは２〜１０量体のも
のである。

【００３６】このようにして得られるポリカーボネート
オリゴマーを含む有機相に、前記炭素−炭素不飽和結合
を有する二価フェノールおよび／または炭素−炭素不飽
和結合を有さない二価フェノールを加えて反応させる。
反応温度は、通常１０〜５０℃、好ましくは２０〜４０
℃であり、反応時間は、通常３０分間〜２時間程度であ
る。この反応にあたって、炭素−炭素不飽和結合を有す
る二価フェノールおよび／または炭素−炭素不飽和結合
を有さない二価フェノールは有機溶媒溶液および／また
はアルカリ水溶液として添加するのが望ましい。その添
加順序については、特に制限はない。。なお、触媒、末
端停止剤および分岐剤などは、上記の製造法において、
必要に応じ、ポリカーボネートオリゴマーの製造時、そ
の後の高分子量化の反応時のいずれか、またはその両方
において添加して用いることができる。

【００３７】このようにして得られる炭素−炭素不飽和
結合を有するポリカーボネート樹脂は、前記一般式
〔１〕で表される繰返し単位（１）からなる単独重合体
あるいは前記一般式〔１〕で表される繰返し単位（１）
および一般式〔２〕で表される繰返し単位（２）とから
なる共重合体である。これら式〔１〕および〔２〕で表
されるポリカーボネート樹脂について、さらに具体的に
述べると、前記式〔１〕〜〔４ｆ〕において示すＸ¹ 〜
Ｘ² 、Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ が表わす炭素数１〜１０のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基、ｔ−
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル
基などが挙げられ、また炭素数６〜１２のアリール基と
しては、フェニル基、トリル基、スチリル基、ビフェニ
リル基、ナフチル基などが挙げられ、炭素数１〜１２の
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキ
シ基、２−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキ
シ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられ、炭素数
６〜１２の置換もしくは無置換のアリールオキシ基とし
ては、フェノキシ基、トリルオキシ基、スチリルオキシ
基、ナフチルオキシ基、ビフェニルオキシ基などが挙げ
られる。また、Ｙが表わす少なくとも１つの炭素−炭素
不飽和結合を持つ炭素数２〜１２の鎖状または環状の炭
化水素基を置換基として有する炭素数５〜１２のシクロ
アルキリデン基としては、２−ビニル−１，１−シクロ
ヘキシリデン基、２−アリル−１，１−シクロヘキシリ
デン基、２−（１−シクロヘキセニル）−１，１−シク
ロヘキシリデン基、２−ビニル−１，１−シクロペンチ
リデン基、２−アリル−１，１−シクロペンチリデン
基、２−（１−シクロヘキセニル）−１，１−シクロペ
ンチリデン基などが挙げられる。

【００３８】前記炭素−炭素不飽和結合を有するポリカ
ーボネート樹脂が、前記繰返し単位（１）と繰返し単位
（２）からなる共重合体である場合には、繰返し単位
（１）のモル比〔（１）／（（１）＋（２））〕が、
０．０１以上、好ましくは０．０５〜０．３である。こ
のモル比が、０．０１未満では、これを架橋させた際の
架橋密度が低く、機械的強度の向上効果の発現が充分に
得られないことがある。

【００３９】また、このポリカーボネート樹脂には、本
発明の目的達成を阻害しない範囲でこれら繰返し単位
（１）および（２）のほか、前記式〔２〕、〔３〕で規
定した以外の構造単位を有するポリカーボネート単位
や、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリ
シロキサン構造を有する単位を含有しているものであっ
てもよい。

【００４０】そして、このポリカーボネート樹脂は、塩
化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／デシリットルの濃
度、２０℃の温度で測定した還元粘度〔η_SP／ｃ〕が
０．０１〜１０デシリットル／ｇであるものが好まし
い。この還元粘度〔η_SP／ｃ〕が、０．０１デシリット
ル／ｇ未満であると、架橋後の機械的強度が充分でない
ことがある。また、１０デシリットル／ｇを超えるもの
では成形加工性が充分でないことがあり、また、溶液と
した際の粘度が上昇して、後述の電子写真感光体のバイ
ンダー樹脂として用いる際には、塗工液の塗布による電
子写真感光体の製造が困難になることがある。

【００４１】本発明の方法においては、前記炭素−炭素
不飽和結合を有するポリカーボネート樹脂を、遷移金属
触媒、塩基系触媒およびラジカル化学種から選択される
１種または２種以上の物質の存在下、同一分子内に珪素
−水素結合を２つ以上持つ珪素化合物と反応させてヒド
ロシリル化する。ここで用いる珪素化合物は、前記式
〔４ａ〕〜〔４ｆ〕で表される化合物であり、具体的な
化合物としては、例えばジメチルシラン、ジエチルシラ
ン、ジフェニルシラン、１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニルジシロ
キサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルトリシ
ロキサン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメ
チルテトラシロキサン、１，１，１，３，５，７，７，
７−オクタメチルテトラシロキサン、１，４−ビス（ジ
メチルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（ジメチルシリ
ル）ベンゼン、１，１，３，３−テトラメチルジシラザ
ン、１，２−ビス（１，１，３，３−テトラメチルジシ
ロキサニル）エタン、α，ω−ジヒドロポリジメチルシ
ロキサン、ポリフェニルメチルハイドロジェンシロキサ
ン、メチルトリス（ジメチルシロキシ）シランなどが挙
げられる。

【００４２】これらシラン化合物の添加量については、
前記ポリカーボネート樹脂中の炭素−炭素不飽和結合の
モル数に対して、シラン化合物中の珪素−水素結合のモ
ル数が０．０１〜１００当量、好ましくは０．５〜２当
量の範囲となる配合比を選定するのがよい。この配合比
が０．０１当量未満となる添加量では、ポリカーボネー
ト樹脂の架橋による機械的物性の向上が不充分であり、
また、１００当量を超える配合比で添加すると、過剰に
存在するシラン化合物の一部がポリカーボネート結合と
反応してその重合体鎖が切断されるようになり、架橋に
伴う機械的物性の向上効果が低減することがある。

【００４３】また、前記ヒドロシリル化反応に用いる触
媒としては、上記のとおり遷移金属触媒、塩基系触媒お
よびラジカル化学種を用いることができるが、これらの
中でも、遷移金属触媒が反応の収率、副反応の少なさな
らびに触媒添加量の少なさから最も好ましい。この遷移
金属触媒の中ても、周期律表の第ＶＩＩ族〜第Ｘ族の遷
移金属触媒が好ましく、具体的には、鉄触媒〔Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）₅ 〕、ルテニウム触媒〔ＲｕＣｌ₃ 〕、コバルト触
媒〔Ｃｏ₂ （ＣＯ）₈ 〕、ロジウム触媒〔（Ｐｈ₃ Ｐ）
₃ ＲｈＣｌ、（Ｒｈ（Ｃ₂ Ｈ₄ ）₂ Ｃｌ）₂ 〕、イリジ
ウム触媒〔ＩｒＣｌ₃ 〕、ニッケル触媒〔（Ｐｈ₃ Ｐ）
₂ Ｎｉ、（Ｐｈ₃ Ｐ）₂ ＮｉＣｌ₂ 〕、パラジウム触媒
〔（Ｐｈ₃ Ｐ）₄ Ｐｄ、（Ｐｈ₃ Ｐ）₂ ＰｄＣｌ₂ 〕、
白金触媒〔Ｈ₂ ＰｔＣｌ₆ ・６Ｈ₂ Ｏ、（Ｐｈ₃ Ｐ）₄
Ｐｔ、（Ｐｔ（Ｃ₂ Ｈ₄ ）Ｃｌ₂）₂ 、（Ｐｈ₃ Ｐ）₂
ＰｔＣｌ₂ 、Ｐｔ（Ｃ₂ Ｈ₄ ）（Ｐｈ₃ Ｐ）Ｃｌ₂ 、
（ＰｈＣＮ）₂ ＰｔＣｌ₂ 、Ｋ₂ ＰｔＣｌ₄ 、Ｐｔ−Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 、Ｐｔ−Ｃ、白金−１，１，３，３−テトラメ
チル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体、白金カルボ
ニル錯体、白金−シクロビニルメチルシロキサン錯体〕
などが挙げられる。これらの中でも、Ｓｐｅｉｅｒ触媒
（Ｈ₂ ＰｔＣｌ₆ ・６Ｈ₂ Ｏ−イソプロパノール溶液）
および白金−１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジビニルジシロキサン錯体がとくに好ましい。

【００４４】また、塩基系触媒としては、例えばトリメ
チルアミンやトリエチルアミンなどの各種トリアルキル
アミンを用いることができる。さらに、ラジカル化学種
としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、２，４
−ジクロロベンゾイルパーオキシド、アゾビスイソブチ
ロニトリルなどのパーオキサイドを用いることができ
る。

【００４５】そして、これら触媒の添加量は、前記ポリ
カーボネート樹脂の炭素−炭素不飽和結合に対し、１ｗ
ｔＰＰＭ〜１ｗｔ％、好ましくは１００〜１０００ｗｔ
ＰＰＭの範囲において、反応性を考慮して適宜選択す
る。この触媒の添加量が、１ｗｔＰＰＭ未満であると反
応速度が遅く、架橋反応が進行しないことがある。また
これが１ｗｔ％を超えると得られる製品が着色するおそ
れがあるので、上記範囲内とするのが適当である。

【００４６】さらに、この反応時の温度は、２０〜２０
０℃、好ましくは５０〜１５０℃において行うのが適し
ている。反応温度を２０℃よりも低くすると、反応速度
が低下し、またこれを２００℃以上で行ってもそれに見
合う効果はなく、かえって不経済である。反応時間につ
いては、１秒間〜２４時間、好ましくは１分間〜１２時
間である。この反応時間を１秒間未満としたのでは充分
に反応が進行しないことがあり、また２４時間を超える
時間をかけるのは経済的でない。

【００４７】このようにして得られる本発明の架橋ポリ
カーボネート樹脂は、例えば、前記同一分子内に珪素−
水素結合を２つ以上持つ珪素化合物において、１つの珪
素−水素結合が、前記炭素−炭素不飽和結合を有するポ
リカーボネート樹脂の分子鎖中の炭素−炭素不飽和結合
と結合し、また、２つ目以降の珪素−水素結合が、別の
ポリカーボネート分子鎖中の炭素−炭素不飽和結合と結
合した形態の結合部位を有し、このような結合部位が数
多くのポリカーボネート分子鎖の間に形成されている。

【００４８】本発明の架橋ポリカーボネート樹脂の架橋
構造は、架橋に用いる炭素−炭素不飽和結合を有するポ
リカーボネート樹脂の化学構造、とくに不飽和結合のポ
リカーボネート分子鎖への結合部位とその数、前記珪素
化合物の化学構造によって、様々な形態を有するものと
なっている。本発明の架橋ポリカーボネート樹脂の構造
について、具体例を示すと、たとえば下記のものがあ
る。

【００４９】

【化１２】

【００５０】

【化１３】

【００５１】

【化１４】

【００５２】

【化１５】

【００５３】

【化１６】

【００５４】

【化１７】

【００５５】

【化１８】

【００５６】〔上記式中、Ａｒ² 、Ｘ¹ 、Ｒ¹ 、Ｒ² 、
ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｃ、ｄ、ｅ、ｔは、前記式〔１〕〜
〔２ｄ〕におけるものと同じ意味を有し、Ｗは、

【００５７】

【化１９】

【００５８】（式中、Ｒ⁷ 、ｉ、ｍ、ｎ、ｔ、ｕ、ｖ、
ｗは、前記式〔２ｄ〕〜〔４ｆ〕におけるものと同じ意
味を有する）で表される基である。〕 このようにして反応させてヒドロシリル化した本発明の
架橋ポリカーボネート樹脂は、高い透明性を保持してい
るので、高度の透明性の要求される素材に適している。
また、耐熱性や耐衝撃性、耐摩耗性などの機械的性質、
さらに電気絶縁性に優れていることから、このような諸
性質を兼ね備えていることが要求される電気機器、電子
機器、光学機器などの構成部材や部品、自動車部品、金
属あるいは木工製品のコート材、塗料など広い産業分野
において、有用性の高い素材として利用することができ
る。

【００５９】つぎに、本発明の電子写真感光体は、導電
性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、そ
の感光層が上記架橋ポリカーボネート樹脂を含有する表
面層を有するものである。本発明の電子写真感光体は、
このような感光層が導電性基体上に形成されたものであ
る限り、その構造に特に制限はなく、単層型、積層型な
どの公知の種々の形式の電子写真感光体はもとより、ど
のようなものとしてもよい。通常は、感光層が少なくと
も１層の電荷発生層と、表面層を形成する少なくとも１
層の電荷輸送層を有する積層型電子写真感光体が好まし
く、少なくとも１層の電荷輸送層中に、上記架橋ポリカ
ーボネート樹脂がバインダー樹脂としておよび／または
前記表面層として用いられていることが好ましい。

【００６０】本発明の電子写真感光体において、上記架
橋ポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂として用いる
場合、この架橋ポリカーボネート樹脂を１種のみまたは
２種以上を組合せて用いてもよいし、また、所望に応じ
て本発明の目的達成を阻害しない範囲で、他のポリカー
ボネート樹脂などの樹脂成分と併用してもよい。本発明
の電子写真感光体に用いられる導電性基体としては、公
知のものなど各種のものを使用することができ、具体的
には、アルミニウムやニッケル、クロム、パラジウム、
チタン、モリブデン、インジウム、金、白金、銀、銅、
亜鉛、真鍮、ステンレス、酸化鉛、酸化錫、酸化インジ
ウム、ＩＴＯもしくはグラファイトからなる板やドラ
ム、シート、ならびに蒸着、スパッタリング、塗布など
によりコーティングするなどして導電処理したガラス、
布、紙もしくはプラスチックのフィルム、シートおよび
シームレスベルト、ならびにアルミニウムなどの金属箔
を積層したプラスチックのフィルム、シートおよびシー
ムレスベルトならびに金属板のフィルム状シートおよび
シームレスベルト、ならびに電極酸化などにより金属酸
化処理した金属ドラムなどを使用することができる。

【００６１】積層型電子写真感光体の電荷発生層は、少
なくとも電荷発生物質を含むものであり、この電荷発生
層はその下地となる基体上に、真空蒸着法や化学蒸着
法、スパッタリング法によって、電荷発生物質の層を形
成するか、またはその下地となる層上に電荷発生物質を
バインダー樹脂を用いて結着してなる層を形成せしめる
ことによって得ることができる。バインダー樹脂を用い
る電荷発生層の形成方法としては公知の方法など、各種
の方法を使用することができるが、通常、たとえば、電
荷発生物質をバインダー樹脂と共に適当な溶媒により分
散もしくは溶解した塗工液を、所定の下地となる層上に
塗布し、乾燥せしめる方法が好適に用いられる。このよ
うにして得られる電荷発生層の厚さは、０．０１〜２．
０ミクロン、好ましくは０．１〜０．８ミクロンであ
る。電荷発生層はの厚さを０．０１ミクロン未満にする
と均一な厚さに層を形成することが困難であり、また、
２．０ミクロンを超えると電子写真特性の低下を招くこ
とがあるからである。

【００６２】ここで用いる電荷発生物質としては、公知
の各種のものを使用することができる。具体的な化合物
としては、非晶性セレンや三方晶セレンなどのセレン単
体、テルル単体、セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合
金などのセレン合金、Ａｓ₂Ｓｅ₃ などのセレン化合物
もしくはセレン含有組成物、酸化亜鉛、、硫化カドミウ
ム、硫化アンチモン、硫化亜鉛、ＣｄＳ−Ｓｅなどの合
金、第１２族および第１６族元素からなる無機材料、酸
化チタンなどの酸化物系半導体、アモルファスシリコン
などのシリコン系材料、τ型無金属フタロシアニン、χ
型無金属フタロシアニンなどの無金属フタロシアニン顔
料、α型銅フタロシアニン、β型銅フタロシアニン、γ
型銅フタロシアニン、ε型銅フタロシアニン、Ｘ型銅フ
タロシアニン、Ａ型チタニルフタロシアニン、Ｂ型チタ
ニルフタロシアニン、Ｃ型チタニルフタロシアニン、Ｄ
型チタニルフタロシアニン、Ｅ型チタニルフタロシアニ
ン、Ｆ型チタニルフタロシアニン、Ｇ型チタニルフタロ
シアニン、Ｈ型チタニルフタロシアニン、Ｋ型チタニル
フタロシアニン、Ｌ型チタニルフタロシアニン、Ｍ型チ
タニルフタロシアニン、Ｎ型チタニルフタロシアニン、
Ｙ型チタニルフタロシアニン、オキソチタニルフタロシ
アニン、Ｘ線回折図におけるブラック角２θが２７．３
±０．２度に強い回折ピークを示すチタニルフタロシア
ニンなどの金属フタロシアニン顔料、シアニン染料、ア
ントラセン顔料、ビスアゾ顔料、ピレン顔料、多環キノ
ン顔料、キナクリドン顔料、インジゴ顔料、ペリレン顔
料、ピリリウム染料、スクェアリウム顔料、アントアン
トロン顔料、ベンズイミダゾール顔料、アゾ顔料、チオ
インジゴ顔料、キノリン顔料、レーキ顔料、オキサジン
顔料、ジオキサジン顔料、トリフェニルメタン顔料、ア
ズレニウム染料、トリアリールメタン染料、キサンチン
染料、チアジン染料、チアピリリウム染料、ポリビニル
カルバゾール、ビスベンゾイミダゾール顔料などが挙げ
られる。これら化合物は、１種単独で、あるいは２種以
上のものを混合して、電荷発生物質として用いることが
できる。

【００６３】これら電荷発生物質のなかでも、次の一般
式で表される化合物が好適なものとして挙げられる。

【００６４】

【化２０】

【００６５】〔式中、Ｚ¹ 〜Ｚ⁴ は、各々独立にピロー
ル環上の２個の炭素原子と共に、置換基を有していても
よい芳香族炭化水素環もしくは複素環を形成することが
できる原子団を表し、Ｍは２個の水素原子または配位子
を有していてもよい金属原子もしくは金属化合物を表わ
す。〕

【００６６】

【化２１】

【００６７】〔式中、Ａｒ⁶ は、芳香族炭化水素環もし
くは複素環を含んでいてもよい共役系を有するｔ価の残
基を表し、ｔは１以上の正数であり、Ｃｐは芳香族系水
酸基を有するカップラー残基を表し、ｔが２以上の場
合、各Ｃｐは同一であっても異なっていてもよい。〕

【００６８】

【化２２】

【００６９】〔式中、Ｘ² 〜Ｘ⁵ は、各々独立に、酸素
原子、硫黄原子、セレン原子を表し、Ｒ^P 、Ｒ^Q は、炭
素数１〜１２のアルキル基もしくはアリール基を表し、
Ｘ² またはＸ³ とＲ^P 、Ｘ⁴ またはＸ⁵ とＲ^Q とで置換
基を有していてもよい複素環を形成していてもよい。〕 そして、フルオレン系ジスアゾ顔料としては、つぎの化
合物がある。

【００７０】

【化２３】

【００７１】

【化２４】

【００７２】

【化２５】

【００７３】また、ペリレン系顔料としては、次の化合
物がある。

【００７４】

【化２６】

【００７５】

【化２７】

【００７６】多環キノン顔料としては、次の化合物があ
る。

【００７７】

【化２８】

【００７８】アントアントロン顔料としては、次の化合
物がある。

【００７９】

【化２９】

【００８０】ジベンズピレンキノン顔料としては、次の
化合物がある。

【００８１】

【化３０】

【００８２】ピラントロン顔料としては、次の化合物が
ある。

【００８３】

【化３１】

【００８４】また、電荷発生層に用いるバインダー樹脂
としては、特に制限はなく、公知の各種のものを使用す
ることができる。具体的には、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリビニルアセタール、アルキッド樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート、ポ
リウレタン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミ
ド、ポリケトン、ポリアクリルアミド、ブチラール樹
脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニリデン−塩化ビニル共
重合体、メタクリル樹脂、スチレン−ブタジエン共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコ
ーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−
ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、メ
ラミン樹脂、ポリエーテル樹脂、ベンゾグアナミン樹
脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート
樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、カゼイ
ン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロー
ス、ニトロセルロース、カルボキシ−メチルセルロー
ス、塩化ビニリデン系ポリマーラテックス、アクリロニ
トリル−ブタジエン共重合体、ビニルトルエン−スチレ
ン共重合体、大豆油変性アルキッド樹脂、ニトロ化ポリ
スチレン、ポリメチルスチレン、ポリイソプレン、ポリ
チオカーボネート、ポリアリレート、ポリハロアリレー
ト、ポリアリルエーテル、ポリビニルアクリレート、ポ
リエステルアクリレートなどが挙げられる。上記電荷発
生層におけるバインダー樹脂として、本発明の架橋ポリ
カーボネート樹脂を使用することもできる。

【００８５】つぎに、電荷輸送層は、下地となる層（例
えば電荷発生層）上に、電荷輸送物質をバインダー樹脂
で結着してなる層を形成することによって得ることがで
きる。この電荷輸送層の形成方法としては、公知の方法
などの各種の方式を使用することができるが、通常、電
荷輸送物質を本発明における架橋前のポリカーボネート
樹脂と共に、適当な溶媒に分散もしくは溶解した塗工液
を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥させる方式な
どが使用される。電荷輸送層形成に用いられる電荷輸送
物質とポリカーボネート樹脂との配合割合は、好ましく
は重量比で２０：８０〜８０：２０、さらに好ましくは
３０：７０〜７０：３０である。

【００８６】この電荷輸送層において、上記ポリカーボ
ネート樹脂は、１種単独で用いることもできるし、また
２種以上を混合して用いることもできる。また、本発明
の目的達成を阻害しない範囲で前記電荷発生層に用いら
れるバインダー樹脂として挙げたような樹脂を、上記ポ
リカーボネート樹脂と併用することもできる。このよう
にして形成される電荷輸送層の厚さは、５〜１００ミク
ロン、好ましくは１０〜３０ミクロンである。この厚さ
が５ミクロン未満にすると初期電位が低くなり、１００
ミクロンを超えると電子写真特性が低下することがあ
る。

【００８７】前記電荷輸送物質としては、公知の各種の
化合物を使用することができる。このような化合物とし
ては、カルバゾール化合物、インドール化合物、イミダ
ゾール化合物、オキサゾール化合物、ピラゾール化合
物、オキサジアゾール化合物、ピラゾリン化合物、チア
ジアゾール化合物、アニリン化合物、ヒドラゾン化合
物、芳香族アミン化合物、脂肪族アミン化合物、スチル
ベン化合物、フルオレノン化合物、キノン化合物、キノ
ジメタン化合物、チアゾール化合物、トリアゾール化合
物、イミダゾロン化合物、イミダゾリジン化合物、ビス
イミダゾリジン化合物、オキサゾロン化合物、ベンゾチ
アゾール化合物、ベンズイミダゾール化合物、キナゾリ
ン化合物、ベンゾフラン化合物、アクリジン化合物、フ
ェナジン化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルア
クリジン、ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピ
レン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール樹
脂、あるいはこれら構造を主鎖や側鎖に有する重合体な
どが好適に用いられる。これら化合物は、１種単独で使
用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

【００８８】これら化合物としては、次の一般式で表さ
れるものが好適に使用できる。

【００８９】

【化３２】

【００９０】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ³ は、各々独立に、
炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭
素数７〜１３の置換もしくは無置換のアラルキル基、炭
素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリール基、多環
式炭化水素基、置換もしくは無置換の縮合多環式炭化水
素基、複素環式基、多環系複素環式基、縮合多環系複素
環式基を表し、Ａｒ¹ とＡｒ² 、Ａｒ² とＡｒ³ 、Ａｒ
³ とＡｒ¹ とで環を形成していてもよい。〕

【００９１】

【化３３】

【００９２】〔式中、Ｒ^A 〜Ｒ^D は、各々独立にシアノ
基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロ
キシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ア
リールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０
の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の
置換もしくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の
置換もしくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、
置換もしくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式
基、多環系複素環式基、縮合多環系複素環式基を表し、
Ａ〜Ｄは各々０〜５の整数である。〕

【００９３】

【化３４】

【００９４】〔式中、Ａｒ¹ 、Ａｒ² は、各々独立に水
素原子、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキ
ル基、炭素数７〜１３の置換もしくは無置換のアラルキ
ル基、炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換もしくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基、縮合多
環系複素環式基を表し、Ａｒ¹ とＡｒ² は環を形成して
いてもよい。Ｒ^A は、前記式

〔９〕におけるＲ^A と同一
の意味を有し、Ｒ^B は、エチレン基またはエチニレン基
を表し、Ｅは０〜４の整数である。〕

【００９５】

【化３５】

【００９６】〔式中、Ａｒ¹ 、Ａｒ² は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ¹ とＡｒ
² は環を形成していてもよい。Ｒ^A は、前記式

〔９〕に
おけるＲ ^A と同一の意味を有し、Ｒ^F 、Ｒ^G は各々独立
に水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜６のアルキ
ル基を表し、Ｅは０〜４の整数である。〕

【００９７】

【化３６】

【００９８】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁵ は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ⁶ 、Ａｒ
⁷ は、各々独立に炭素数１〜６の置換もしくは無置換の
アルキレン基、あるいは炭素数６〜１２の置換もしくは
無置換のアリール化合物、多環式炭化水素、置換もしく
は無置換の縮合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系
複素環化合物、縮合多環系複素環化合物の２価残基を表
し、Ａｒ¹ とＡｒ² 、Ａｒ ³ とＡｒ⁴ とは、環を形成し
ていてもよい。〕

【００９９】

【化３７】

【０１００】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ¹ とＡｒ
² 、Ａｒ³ とＡｒ⁴ とは、環を形成していてもよい。Ｒ
^H 、Ｒ^Iは、前記式

〔９〕におけるＲ^A と同一の意味を
有し、Ｅ、Ｆは、各々独立に０〜４の整数である。〕

【０１０１】

【化３８】

【０１０２】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ¹ とＡｒ
² 、Ａｒ³ とＡｒ⁴ とは、環を形成していてもよい。Ｒ
^A 〜Ｒ^Cは、前記式

〔９〕におけるＲ^A と同一の意味を
有し、Ｅ〜Ｇは、各々独立に０〜４の整数である。Ｘ¹
は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−、−ＣＲ^J Ｒ
^K−、−ＳｉＲ^J Ｒ^K −、−ＮＲ^J −、−ＰＲ^J −（た
だし、Ｒ^J 、Ｒ^K は、各々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキ
ルアミノ基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のア
ルキル基、炭素数７〜１３の置換もしくは無置換のアラ
ルキル基、炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリ
ール基、多環式炭化水素基、置換もしくは無置換の縮合
多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基、縮
合多環系複素環式基を表す）を表わす。〕

【０１０３】

【化３９】

【０１０４】〔式中、Ａｒ¹ 、Ａｒ² は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ¹ とＡｒ
² は、環を形成していてもよい。Ｒ^A は、前記式

〔９〕
におけるＲ^A と同一の意味を有し、Ａは０〜５の整数で
ある。〕

【０１０５】

【化４０】

【０１０６】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁵ は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ｒ^A 、Ｒ
^B は、前記式

〔９〕におけるＲ^A と同一の意味を有し、
Ａｒ¹ とＡｒ ² 、Ａｒ³ とＡｒ⁴ とは、環を形成してい
てもよい。〕

【０１０７】

【化４１】

【０１０８】〔式中、Ａｒ¹ は、前記式〔１０〕におけ
るＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ｒ^A 〜Ｒ^C は、前記式

〔９〕におけるＲ^A と同一の意味を有し、ｎは０または
１であり、Ａ〜Ｃは０〜５の整数である。〕

【０１０９】

【化４２】

【０１１０】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ³ は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ｒ^A 〜Ｒ
^C は、前記式

〔９〕におけるＲ^A と同一の意味（ただ
し、Ｒ^B は水素原子であってもよい）を有し、ｎは０ま
たは１であり、Ｅは０〜４の整数、Ｈは０〜３の整数で
ある。〕

【０１１１】

【化４３】

【０１１２】〔式中、Ａｒ¹ 、Ａｒ² は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ¹ とＡｒ
² は、環を形成していてもよい。〕

【０１１３】

【化４４】

【０１１４】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ³ は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ¹ とＡｒ
² は、環を形成していてもよい。〕

【０１１５】

【化４５】

【０１１６】〔式中、Ｒ^A 〜Ｒ^D 、Ｒ^I 、Ｒ^J は、前記
式

〔９〕におけるＲ^A と同一の意味を有し、Ａ〜Ｄ、
Ｉ、Ｊは、各々独立に０〜５の整数である。〕

【０１１７】

【化４６】

【０１１８】〔式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁴ は、前記式〔１
０〕におけるＡｒ¹ と同一の意味を有し、Ａｒ⁶ は、炭
素数１〜６の置換もしくは無置換のアルキレン基、ある
いは炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリール化
合物、多環式炭化水素、置換もしくは無置換の縮合多環
式炭化水素、複素環化合物、多環系複素環化合物、縮合
多環系複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ¹ とＡ
ｒ² 、、Ａｒ³ とＡｒ⁴ とは環を形成していてもよく、
ｎは０または１である。〕

【０１１９】

【化４７】

【０１２０】〔式中、Ｒ^L 〜Ｒ^O は、前記式

〔９〕にお
けるＲ^A と同一の意味を有する。」 具体的には、つぎに示すような化合物が用いられる。

【０１２１】

【化４８】

【０１２２】

【化４９】

【０１２３】

【化５０】

【０１２４】

【化５１】

【０１２５】

【化５２】

【０１２６】

【化５３】

【０１２７】

【化５４】

【０１２８】

【化５５】

【０１２９】

【化５６】

【０１３０】

【化５７】

【０１３１】

【化５８】

【０１３２】

【化５９】

【０１３３】

【化６０】

【０１３４】

【化６１】

【０１３５】

【化６２】

【０１３６】

【化６３】

【０１３７】

【化６４】

【０１３８】

【化６５】

【０１３９】

【化６６】

【０１４０】

【化６７】

【０１４１】

【化６８】

【０１４２】

【化６９】

【０１４３】

【化７０】

【０１４４】

【化７１】

【０１４５】

【化７２】

【０１４６】

【化７３】

【０１４７】

【化７４】

【０１４８】

【化７５】

【０１４９】

【化７６】

【０１５０】

【化７７】

【０１５１】

【化７８】

【０１５２】

【化７９】

【０１５３】

【化８０】

【０１５４】

【化８１】

【０１５５】

【化８２】

【０１５６】

【化８３】

【０１５７】

【化８４】

【０１５８】

【化８５】

【０１５９】

【化８６】

【０１６０】

【化８７】

【０１６１】

【化８８】

【０１６２】

【化８９】

【０１６３】

【化９０】

【０１６４】

【化９１】

【０１６５】

【化９２】

【０１６６】

【化９３】

【０１６７】本発明の電子写真感光体においては、前記
導電性基体と感光層との間に、通常使用されるような下
引き層を設けることができる。この下引き層としては、
酸化チタンや酸化アルミニウム、ジルコニア、チタン
酸、ジルコン酸、ランタン鉛、チタンブラック、シリ
カ、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化珪素などの微粒子、ポリアミド樹脂、フェ
ノール樹脂、カゼイン、メラミン樹脂、ベンゾグアナミ
ン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、セルロー
ス、ニトロセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルブチラール樹脂などの成分を使用することができ
る。また、この下引き層に用いる樹脂として、前記バイ
ンダー樹脂を用いてもよいし、本発明のポリカーボネー
ト樹脂を用いてもよい。これら微粒子や樹脂は単独また
は種々混合して用いることができる。これらの混合物と
して用いる場合には、無機質微粒子と樹脂を併用する
と、平滑性のよい皮膜が形成されることから好適であ
る。

【０１６８】この下引き層の厚みは、０．０１〜１０ミ
クロン、好ましくは０．０１〜１ミクロンである。この
厚みが０．０１ミクロン未満であると、下引き層を均一
に形成することが困難であり、また１０ミクロンを超え
ると電子写真特性が低下することがある。また、前記導
電性基体と感光層との間には、通常使用されるような公
知のブロッキング層を設けることができる。このブロッ
キング層としては、前記のバインダー樹脂と同種の樹脂
を用いることができる。また本発明のポリカーボネート
樹脂を用いてもよい。このブロッキング層の厚みは、
０．０１〜２０ミクロン、好ましくは０．１〜１０ミク
ロンである。この厚みが０．０１ミクロン未満である
と、ブロッキング層を均一に形成することが困難であ
り、また２０ミクロンを超えると電子写真特性が低下す
ることがある。

【０１６９】さらに、本発明の電子写真感光体には、感
光層の上に、保護層を積層してもよい。この保護層に
は、前記のバインダー樹脂と同種の樹脂を用いることが
できる。また、本発明のポリカーボネート樹脂を用いる
ことが特に好ましい。この保護層の厚みは、０．０１〜
２０ミクロン、好ましくは０．１〜１０ミクロンであ
る。そして、この保護層には、前記電荷発生物質、電荷
輸送物質、添加剤、金属やその酸化物、窒化物、塩、合
金、カーボンブラック、有機導電性化合物などの導電性
材料を含有していてもよい。

【０１７０】さらに、この電子写真感光体の性能向上の
ために、前記電荷発生層および電荷輸送層には、結合
剤、可塑剤、硬化触媒、流動性付与剤、ピンホール制御
剤、分光感度増感剤（増感染料）を添加してもよい。ま
た、繰返し使用に対しての残留電位の増加、帯電電位の
低下、感度の低下を防止する目的で種々の化学物質、酸
化防止剤、界面活性剤、カール防止剤、レベリング剤な
どの添加剤を添加することができる。

【０１７１】前記結合剤としては、シリコーン樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、
エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリ
アクリルアミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイソブ
レン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリ
クロロプレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチル
セルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、尿素樹脂、フ
ェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール
樹脂、ホルマール樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／
塩化ビニル共重合樹脂、ポリエステルカーボネート樹脂
などが挙げられる。また、熱および／または光硬化性樹
脂も使用できる。いずれにしても、電気絶縁性で通常の
状態で皮膜を形成し得る樹脂であれば、特に制限はな
い。

【０１７２】この結合剤は電荷輸送物質に対して、５〜
２００重量％の配合割合で添加することが好ましく、１
０〜１００重量％がより好ましい。この結合剤の配合割
合が５重量％未満では感光層の皮膜が不均一になりやす
く、画質が劣る傾向があり、２００重量％を超えると感
度が低下し、残留電位が高くなる傾向がある。前記可塑
剤の具体例としては、ビフェニル、塩化ビフェニル、ｏ
−ターフェニル、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフ
タレン、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ
オクチルフタレート、ジエチレングリコールフタレー
ト、トリフェニルフォスフェート、ジイソブチルアジペ
ート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケート、ラウ
リル酸ブチル、メチルフタリールエチルグリコレート、
ジメチルグリコールフタレート、メチルナフタレン、ベ
ンゾフェノン、ポリプロピレン、ポリスチレン、フルオ
ロ炭化水素などが挙げられる。

【０１７３】前記硬化触媒の具体例としては、メタンス
ルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジノニルナフ
タレンジスルホン酸などが挙げられ、流動性付与剤とし
ては、モダフロー、アクロナール４Ｆなどが挙げられ、
ピンホール制御剤としては、ベンゾイン、ジメチルフタ
レートが挙げられる。これら可塑剤や硬化触媒、流動付
与剤、ピンホール制御剤は、前記電荷輸送物質に対し
て、５重量％以下で用いることが好ましい。

【０１７４】また、分光感度増感剤としては、増感染料
を用いる場合には，例えばメチルバイオレット、クリス
タルバイオレット、ナイトブルー、ビクトリアブルーな
どのトリフェニルメタン系染料、エリスロシン、ローダ
ミンＢ、ローダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペ
オシンなどのアクリジン染料、メチレンブルー、メチレ
ングリーンなどのチアジン染料、カプリブルー、メルド
ラブルーなどのオキサジン染料、シアニン染料、メロシ
アニン染料、スチリル染料、ピリリュウム塩染料、チオ
ピリリュウム塩染料などが適している。

【０１７５】感光層には、感度の向上、残留電位の減
少、反復使用時の疲労低減などの目的で、電子受容性物
質を添加することができる。その具体例としては、無水
コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、
無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロ
モ無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ
無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸、
テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ
−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３，
５−トリニトロベンゼン、ｐ−ニトロベンゾニトリル、
ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラニ
ル、ブロマニル、ベンゾキノン、２，３−ジクロロベン
ゾキノン、ジクロロジシアノパラベンゾキノン、ナフト
キノン、ジフェノキノン、トロポキノン、アントラキノ
ン、１−クロロアントラキノン、ジニトロアントラキノ
ン、４−ニトロベンゾフェノン、４，４’−ジニトロベ
ンゾフェノン、４−ニトロベンザルマロンジニトリル、
α−シアノ−β−（ｐ−シアノフェニル）アクリル酸エ
チル、９−アントラセニルメチルマロンジニトリル、１
−シアノ−（ｐ−ニトロフェニル）−２−（ｐ−クロロ
フェニル）エチレン、２，７−ジニトロフルオレノン、
２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７
−テトラニトロフルオレノン、９−フルオレニリデン−
（ジシアノメチレンマロノニトリル）、ポリニトロ−９
−フルオレニリデン−（ジシアノメチレンマロノジニト
リル）、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ
安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ
安息香酸、５−ニトロサリチル酸、３，５−ジニトロサ
リチル酸、フタル酸、メリット酸などの電子親和力の大
きい化合物が好ましい。これら化合物は電荷発生層、電
荷輸送層のいずれに加えてもよく、その配合割合は、電
荷発生物質または電荷輸送物質に対して０．０１〜２０
０重量％、好ましくは０．１〜５０重量％である。

【０１７６】また、表面性の改良のため、四フッ化エチ
レン樹脂、三フッ化塩化エチレン樹脂、四フッ化エチレ
ン六フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化
ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレン樹脂およびそ
れらの共重合体、フッ素系グラフトポリマーを用いても
よい。これら表面改質剤の配合割合は、前記バインダー
樹脂に対して、０．１〜６０重量％、好ましくは５〜４
０重量％である。この配合割合が０．１重量％より少な
いと、表面耐久性、表面エネルギー低下などの表面改質
が充分でなく、６０重量％より多いと、電子写真特性の
低下を招くことがある。

【０１７７】前記酸化防止剤としては、ヒンダードフェ
ノール系酸化防止剤、芳香族アミン系酸化防止剤、ヒン
ダードアミン系酸化防止剤、スルフィド系酸化防止剤、
有機リン酸系酸化防止剤などが好ましい。これら酸化防
止剤の配合割合は、前記電荷輸送物質に対して、通常、
０．０１〜１０重量％、好ましくは０．１〜２重量％で
ある。

【０１７８】ヒンダードフェノール系の酸化防止剤とし
ては、以下の例がある。

【０１７９】

【化９４】

【０１８０】

【化９５】

【０１８１】

【化９６】

【０１８２】また、芳香族アミン系の酸化防止剤として
は、以下の例がある。

【０１８３】

【化９７】

【０１８４】また、ヒンダードアミン系の酸化防止剤と
しては、以下の例がある。

【０１８５】

【化９８】

【０１８６】また、スルフィド系の酸化防止剤として
は、以下の例がある。

【０１８７】

【化９９】

【０１８８】有機リン系の酸化防止剤としては、以下の
例がある。

【０１８９】

【化１００】

【０１９０】さらに、ヒンダードフェノール構造単位と
ヒンダードアミン構造単位とを同一分子内に有する酸化
防止剤としては、以下の例がある。

【０１９１】

【化１０１】

【０１９２】これら酸化防止剤は、１種単独で用いても
よく、２種以上を混合して用いてもよい、そして、これ
らは前記感光層のほか、表面保護層や下引き層、ブロッ
キング層に添加してもよい。前記電荷発生層、電荷輸送
層の形成の際に用いる溶媒としては、例えばベンゼン、
トルエン、キシレン、クロルベンゼンなどの芳香族系溶
媒や、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロ
パノールなどのアルコール類、酢酸エチル、エチルセロ
ソルブなどのエステル類、四塩化炭素、クロロホルム、
ジクロロメタン、テトラクロロエタンなどのハロゲン化
炭化水素、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエー
テル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチルホルムアミドなどが挙げられる。これら溶
媒は、１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して用
いてもよい。

【０１９３】つぎに、前記電荷輸送層を形成する方法と
しては、前記電荷輸送物質、添加剤、バインダー樹脂の
形成に用いる前記炭素−炭素不飽和結合を有するポリカ
ーボネート樹脂および前記珪素化合物ならびに前記触媒
を溶媒に分散または溶解させてなる塗工液を調製し、こ
れを所定の下地となる例えば前記電荷発生層の上に塗工
し、前記ポリカーボネート樹脂中の炭素−炭素不飽和結
合をヒドロシリル化して、重合体鎖が架橋化したポリカ
ーボネート樹脂がバインダー樹脂として電荷輸送物質と
共存する形態の電荷輸送層を形成する。ここで、前記触
媒は、塗工液中には添加することなく電荷輸送層を形成
した後に、これを添加してもよい。

【０１９４】前記塗工液を調製する方法としては、前記
の調合原料をボールミル、超音波、ペイントシェーカ
ー、レッドデビル、サンドミル、ミキサー、アトライタ
ーなどを用いて、分散あるいは溶解させることができ
る。このようにして得られた塗工液を塗工する方法につ
いては、浸漬塗工法、静電塗工法、粉体塗工法、スプレ
ー塗工法、ロール塗工法、アプリケーター塗工法、スプ
レーコーター塗工法、バーコーター塗工法、ロールコー
ター塗工法、ディップコーター塗工法、ドクターブレー
ド塗工法、ワイヤーバー塗工法、ナイフコーター塗工
法、アトライター塗工法、スピナー塗工法、ビード塗工
法、ブレード塗工法、カーテン塗工法などが採用でき
る。

【０１９５】また、単層型電子写真感光体の感光層の形
成は、前記の電荷輸送物質、電荷輸送物質、添加剤、バ
インダー樹脂の形成に用いる炭素−炭素不飽和結合を有
するポリカーボネート樹脂、珪素化合物、触媒を溶媒に
分散または溶解した溶液を所定の下地となる基体上に塗
布し、前記ポリカーボネート樹脂中の炭素−炭素不飽和
結合をヒドロシリル化することにより行われる。この場
合の塗工液を調製やその塗工法、添加剤などに関して
は、上記積層型電子写真感光体の感光層の形成の場合と
同様である。さらに、この単層型電子写真感光体におい
ても、上記と同様に下引き層、ブロッキング層、表面保
護層を設けてもよい。これら層の形成にも、本発明の架
橋ポリカーボネート樹脂を用いることが好ましい。

【０１９６】単層型電子写真感光体における感光層の厚
さは、５〜１００ミクロン、好ましくは８〜５０ミクロ
ンであり、これが５ミクロン未満であると初期電位が低
くなりやすく、１００ミクロンを超えると電子写真特性
が低下することがある。この単層型電子写真感光体の製
造に用いられる電荷発生物質：バインダー樹脂の比率
は、重量比で１：９９〜３０：７０、好ましくは３：９
７〜１５：８５である。また、電荷輸送物質：バインダ
ー樹脂の比率は、重量比で１０：９０〜８０：２０、好
ましくは３０：７０〜７０：３０である。

【０１９７】つぎに、上記のように塗工して形成した塗
膜中の炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂と珪素化合物との反応を行うが、この場合の反応温
度は２０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃であ
り、反応時間は１秒間〜２４時間、好ましくは１分間〜
１２時間である。このようにして得られる本発明の電子
写真感光体は、優れた耐摩耗性を有し、長期間にわたっ
て優れた耐刷性および電子写真特性を維持する感光体で
あり、複写機（モノクロ、マルチカラー、フルカラー；
アナログ、デジタル）プリンター（レーザー、ＬＥＤ、
液晶シャッター）、ファクシミリ、製版機などの各種の
電子写真分野に好適に用いられる。

【０１９８】また、本発明の電子写真感光体を使用する
にあたっては、帯電には、コロナ放電（コロトロン、ス
コロトロン）、接触帯電（帯電ロール、帯電ブラシ）な
どが用いられる。また、露光には、ハロゲンランプや蛍
光ランプ、レーザー（半導体、Ｈｅ−Ｎｅ）、ＬＥＤ、
感光体内部露光方式のいずれを採用してもよい。現像に
は、カスケード現像、二成分磁気ブラシ現像、一成分絶
縁トナー現像、一成分導電トナー現像などの乾式現像方
式や湿式現像方式が用いられる。転写には、コロナ転
写、ローラ転写、ベルト転写などの静電転写法や、圧力
転写法、粘着転写法が用いられる。定着には、熱ローラ
定着、ラジアントフラッシュ定着、オープン定着、圧力
定着などが用いられる。さらに、クリーニング・除電に
は、ブラシクリーナー、磁気ブラシクリーナー、静電ブ
ラシクリーナー、磁気ローラクリーナー、ブレードクリ
ーナーなどが用いられる。

【０１９９】

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明する。 実施例１ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン７４
ｇを、６重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液５５０ミ
リリットルに溶解した溶液に、塩化メチレン２５０ミリ
リットルを加えて攪拌しながら、冷却下、該溶液にホス
ゲンガスを９５０ミリリットル／分間の割合で１５分間
吹き込んだ。ついで、この反応液を静置して有機層を分
離し、重合度が２〜４であり、分子末端がクロロホーメ
ート基であるポリカーボネートオリゴマーの塩化メチレ
ン溶液を得た。

【０２００】このポリカーボネートオリゴマーの塩化メ
チレン溶液２００ミリリットルに、塩化メチレンを加え
て全量を４５０ミリリットルとした後、これに、２，２
−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ブロパ
ン２０．６ｇを、８重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶
液１５０ミリリットルと混合し、さらに分子量調節剤と
してｐ−ｔｅｒｔーブチルフェノール２．０ｇを加え
た。つぎに、この混合液を激しく攪拌しながら、触媒と
して７重量％濃度のトリエチルアミン水溶液を２ミリリ
ットル加え、２８℃において、攪拌下に１．５時間反応
した。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン１リット
ルで希釈し、ついで、水１．５リットルで２回、０．０
１規定濃度の塩酸１リットルで１回、さらに水１リット
ルで２回の順で洗浄した後、有機層をメタノール中に投
入し、析出した固体を濾過して乾燥することにより、ポ
リカーボネート樹脂を得た。上記で得られたポリカーボ
ネート樹脂につき、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．
５ｇ／デシリットルの溶液の２０℃で測定（以下の実施
例も同一条件において測定）した還元粘度〔ηｓｐ／
ｃ〕は、０．８９デシリットル／ｇであった。還元粘度
の測定は、離合社製の自動粘度測定装置ＶＭＲ−０４２
を用い、自動粘度用ウッベローデ改良型粘度計（ＲＭ
型）で測定した。また、このポリカーボネート樹脂につ
いて測定した¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいては、３．
５ｐｐｍおよび５．１ｐｐｍにアリル基に基づく吸収ピ
ークが認められ、また７〜８ｐｐｍに全芳香族に基づく
吸収ピークが認められ、これらの強度比より、〔ａ〕
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンに由
来する繰返し単位と、〔ｂ〕２，２−ビス（３−アリル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパンに由来する繰返し
単位との共重合組成を算出した結果、〔ａ〕：〔ｂ〕＝
０．８５：０．１５であった。

【０２０１】（２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 次に、上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂０．
５ｇおよび珪素化合物として１，４−ビス（ジメチルシ
リル）ベンゼン０．０６５ｇを、塩化メチレン５ミリリ
ットルに溶解し、これに触媒として白金−１，１，３，
３−テトラメチルジビニルジシロキサン錯体０．００２
ｇのキシレン溶液（濃度：５重量％）を添加し、これを
ポリエチレンテレフタレートのフィルム上に、アプリケ
ーターを用いてキャスト製膜した。ついで、これを１時
間風乾した後、１２０℃に昇温して、常圧で２時間反応
させ、さらに１２０℃、１ｍｍＨｇの条件で１２時間乾
燥することにより、ヒドロシリル化によって架橋された
ポリカーボネート樹脂のフィルムを得た。

【０２０２】ここで得られた架橋ポリカーボネート樹脂
について、赤外線吸収スペクトル分析を行った結果、架
橋反応を行う前の同分析において認められていた１６４
０ｃｍ^-1のビニル基の伸縮に基づく吸収が消失してお
り、このことから架橋反応を行う前のポリカーボネート
樹脂に存在していたアリル基が架橋反応により飽和し
て、トリメチレン結合に変化したと考えられる。したが
って、この架橋ポリカーボネート樹脂の化学構造は、下
記のとおりであると認められた。

【０２０３】

【化１０２】

【０２０４】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂フィル
ムについては、その透明性を評価するため可視光線の光
線透過率を測定するとともに、スガ試験機社製のスガ摩
耗試験機ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型を用いて、耐摩耗性の評
価試験をした。摩耗試験の条件としては、５００ｇの荷
重をかけた摩耗紙（スガ試験機社製；粒径３ミクロンの
アルミナ粒子を含有）上で、試料を２０００回往復運動
させた後の試料の重量減少量を測定する方法を採用し
た。これら結果を第１表に示す。第１表中の透明性の欄
に、○印が表示してあるものは、３５０〜６００ｎｍの
波長域の全域における光線透過率が９０％以上であった
ことを示し、×印が表示してあるものは、３５０〜６０
０ｎｍの波長域において光線透過率が９０％未満の波長
域があったことを示す。

【０２０５】実施例２ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（３−アリル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンに代えて、３，３’−ジアリ
ル−４，４’−ジヒドロキシビフェニル１７．８ｇを用
いた他は、実施例１と同様にして、ポリカーボネート樹
脂を得た。得られたポリカーボネート樹脂の還元粘度
〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．８６デシリットル／ｇであっ
た。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結果、
３．５ｐｐｍおよび５．１ｐｐｍのアリル基に基づく吸
収ピークと、７〜８ｐｐｍの全芳香族水素に基づく吸収
ピークとの強度比から、このポリカーボネート樹脂の共
重合組成を算出した結果、〔ａ〕２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパンに由来する繰返し単位と、
〔ｂ〕３，３’−ジアリル−４，４’−ジヒドロキシビ
フェニルに由来する繰返し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕＝
０．８５：０．１５であった。

【０２０６】（２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであると
認められた。

【０２０７】

【化１０３】

【０２０８】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。

【０２０９】実施例３ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンに代えて、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン８７ｇを用い、２，２−ビス
（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンに代
えて、９，９−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５
−メチルフェニル）フルオレン３０．７ｇを用いた他
は、実施例１と同様にして、ポリカーボネート樹脂を得
た。ここで得られたポリカーボネート樹脂の還元粘度
〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．８５デシリットル／ｇであっ
た。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結果、
３．５ｐｐｍおよび５．１ｐｐｍのアリル基に基づく吸
収ピーク、および７〜８ｐｐｍの全芳香族水素に基づく
吸収ピークの強度比から、このポリカーボネート樹脂の
共重合組成を算出した結果、〔ａ〕１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンに由来する繰返し
単位と、〔ｂ〕９，９−ビス（３−アリル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）フルオレンに由来する繰返
し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕＝０．８０：０．２０であ
った。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２１０】

【化１０４】

【０２１１】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。

【０２１２】実施例４ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンに代えて２，２−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン８３ｇを用い、２，２−
ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
に代えて、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−フェニルエタン１２．８ｇおよび２，７−ジヒドロ
キシ−３，６−ジアリルナフタレン５．５ｇを用いた他
は、実施例１と同様にして、ポリカーボネート樹脂を得
た。ここで得られたポリカーボネート樹脂の還元粘度
〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．８３デシリットル／ｇであっ
た。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結果、
３．５ｐｐｍおよび５．１ｐｐｍのアリル基に基づく吸
収ピークと、１．７ｐｐｍの２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパンに基づく吸収ピー
クおよび７〜８ｐｐｍの全芳香族水素に基づく吸収ピー
クの強度比から、このポリカーボネート樹脂の共重合組
成を算出した結果、〔ａ〕２，２−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパンに由来する繰返し単
位と、〔ｂ〕１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタンに由来する繰返し単位、および
〔ｃ〕２，７−ジヒドロキシ−３，６−ジアリルナフタ
レンに由来する繰返し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕：
〔ｃ〕＝０．８５：０．１０：０．０５であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２１３】

【化１０５】

【０２１４】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。

【０２１５】実施例５ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンに代えて１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン１０９ｇを用い、２，２−ビス（３−アリル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパンに代えて２，２−ビス
（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニニル）プロパン
６．５ｇおよび１，１−ビス（３−アリル−４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン１７．４ｇを用いた他
は、実施例１と同様にして、ポリカーボネート樹脂を得
た。ここで得られたポリカーボネート樹脂の還元粘度
〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．７８デシリットル／ｇであっ
た。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結果、
３．５ｐｐｍおよび５．１ｐｐｍのアリル基に基づく吸
収ピークと、６．８ｐｐｍの２，２−ビス（３−フェニ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンに基づく吸収ピ
ーク、および７〜８ｐｐｍの全芳香族水素に基づく吸収
ピークの強度比から、このポリカーボネート樹脂の共重
合組成を算出した結果、〔ａ〕１，１，１，３，３，３
−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンに由来する繰返し単位と、〔ｂ〕２，２
−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンに由来する繰返し単位、および〔ｃ〕１，１−ビス
（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ンに由来する繰返し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕：〔ｃ〕
＝０．８０：０．０５：０．１５であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２１６】

【化１０６】

【０２１７】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例６ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンに代えて３，３−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−プロペン７３ｇを用い、２，２−ビス
（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンに代
えてビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン
２３．６ｇおよび下記シリコーン変性ビスフェノール１
ｇを用いた他は、実施例１と同様にして、ポリカーボネ
ート樹脂を得た。

【０２１８】

【化１０７】

【０２１９】ここで得られたポリカーボネート樹脂の還
元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．８５デシリットル／ｇで
あった。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結
果、５ｐｐｍのビニル基に基づく吸収ピークと、０ｐｐ
ｍの上記シリコーン変性ビスフェノールに基づく吸収ピ
ーク、および７〜８ｐｐｍの全芳香族水素に基づく吸収
ピークの強度比から、このポリカーボネート樹脂の共重
合組成を算出した結果、〔ａ〕３，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１−プロペンに由来する繰返し単位
と、〔ｂ〕ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニル
メタンに由来する繰返し単位、および〔ｃ〕上記シリコ
ーン変性ビスフェノールに由来する繰返し単位とが、
〔ａ〕：〔ｂ〕：〔ｃ〕＝０．８５：０．１４９：０．
００１であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２２０】

【化１０８】

【０２２１】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例７ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンに代えて４，４’−ジヒドロキシベンザル
アセトフェノン〔別名；４，４’−ジヒドロキシカルコ
ン〕７８ｇを用い、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパンに代えて４，４’−ジヒド
ロキシベンゾフェノン９．４ｇおよび４，４’−ジヒド
ロキシジフェニルエーテル４．６ｇを用いた他は、実施
例１と同様にして、ポリカーボネート樹脂を得た。

【０２２２】ここで得られたポリカーボネート樹脂の還
元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．８４デシリットル／ｇで
あった。また、このポリカーボネート樹脂の共重合組成
は、〔ａ〕４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノンに由
来する繰返し単位と、〔ｂ〕４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルエーテルに由来する繰返し単位、および〔ｃ〕
４，４’−ジヒドロキシベンザルアセトフェノンに由来
する繰返し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕：〔ｃ〕＝０．１
０：０．００５：０．８５であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。この架橋ポリカー
ボネート樹脂の赤外線吸収スペクトル分析の結果では、
架橋させる前のポリカーボネート樹脂に認められたビニ
ル基の伸縮に基づく１６２０ｃｍ^-1の吸収が消失したこ
とから、この架橋ポリカーボネート樹脂の化学構造は、
下記のとおりであると認められた。

【０２２３】

【化１０９】

【０２２４】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例８ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパンに代えて１，３−ビス〔２−（４−ヒドロ
キシフェニル）プロピル〕ベンゼン１１２ｇを用い、
２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパンに代えて４，４’−ジヒドロキシスルホン８．
５ｇおよび２−アリル−１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン１０．５ｇを用いた他は実施
例１と同様にして、ポリカーボネート樹脂を得た。

【０２２５】ここで得られたポリカーボネート樹脂の還
元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．７８デシリットル／ｇで
あった。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結
果、３．５ｐｐｍおよび５．１ｐｐｍのアリル基に基づ
く吸収ピークと、１．７ｐｐｍの１，３−ビス（２−
（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）ベンゼンに基づ
く吸収ピークおよび７〜８ｐｐｍの全芳香族水素に基づ
く吸収ピークの強度比から、このポリカーボネート樹脂
の共重合組成を算出した結果、〔ａ〕１，３−ビス〔２
−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル〕ベンゼンに由
来する繰返し単位と、〔ｂ〕４，４’−ジヒドロキシス
ルホンに由来する繰返し単位、および〔ｃ〕２−アリル
−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サンに由来する繰返し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕：
〔ｃ〕＝０．８０：０．１０：０．１０であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２２６】

【化１１０】

【０２２７】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例９ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（３−アリル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンに代えて４，４’−ジヒドロ
キシビフェニル１２．３ｇおよび下記シリコーン変性ビ
スフェノール１０ｇを用いた他は、実施例１と同様にし
てポリカーボネート樹脂を得た。

【０２２８】

【化１１１】

【０２２９】ここで得られたポリカーボネート樹脂の還
元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．７８デシリットル／ｇで
あった。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結
果、０ｐｐｍに上記シリコーン変性ビスフェノールに基
づく吸収ピークと、１．７ｐｐｍの２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）プロパンに基づく吸収ピークおよ
び７〜８ｐｐｍの全芳香族水素に基づく吸収ピークの強
度比から、このポリカーボネート樹脂の共重合組成を算
出した結果、〔ａ〕２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンに由来する繰返し単位と、〔ｂ〕４，
４’−ジヒドロキシビフェニルに由来する繰返し単位、
および〔ｃ〕上記シリコーン変性ビスフェノ−ルに由来
する繰返し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕：〔ｃ〕＝０．８
５：０．１４：０．０１であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２３０】

【化１１２】

【０２３１】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１０ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（３−アリル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンに代えて２，２−ビス（３−
フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン１６．７
ｇおよび下記シリコーン化合物２０ｇを用いた他は、実
施例１と同様にしてポリカーボネート樹脂を得た。

【０２３２】

【化１１３】

【０２３３】ここで得られたポリカーボネート樹脂の還
元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．７８デシリットル／ｇで
あった。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結
果、０ｐｐｍに上記シリコーン化合物に基づく吸収ピー
クと、１．７ｐｐｍの２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパンに基づく吸収ピークおよび６．８ｐｐ
ｍの２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンに基づく吸収ピークの強度比から、この
ポリカーボネート樹脂の共重合組成を算出した結果、
〔ａ〕２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ンに由来する繰返し単位と、〔ｂ〕２，２−ビス（３−
フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンに由来す
る繰返し単位、および〔ｃ〕上記シリコーン化合物に由
来する繰返し単位とが〔ａ〕：〔ｂ〕：〔ｃ〕＝０．８
５：０．１０：０．０５であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２３４】

【化１１４】

【０２３５】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１１ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例１で用いた２，２−ビス（３−アリル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンに代えて２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）プロパン５．２ｇを用い、かつ、
分子量調節剤として用いたｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ールに代えて２−アリルフェノール１１．８ｇを用いた
ほかは、実施例１と同様にしてポリカーボネート樹脂を
得た。

【０２３６】ここで得られたポリカーボネート樹脂の還
元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕は、０．１８デシリットル／ｇで
あった。また、¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した結
果、３．５ｐｐｍと５．１ｐｐｍのアリル基に基づく吸
収ピークと、１．７ｐｐｍの２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンに基づく吸収ピークの強度比か
ら、このポリカーボネート樹脂の共重合組成を算出した
結果、〔ａ〕２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパンに由来する繰返し単位と、〔ｂ〕２−アリルフ
ェノールに由来する繰返し単位とが、〔ａ〕：〔ｂ〕＝
０．８２：０．１８であった。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得られたポリカーボネート樹脂に対し、実
施例１の（２）と同様にして珪素化合物を反応させ、架
橋ポリカーボネート樹脂を製造した。得られた架橋ポリ
カーボネート樹脂の化学構造は、下記のとおりであっ
た。

【０２３７】

【化１１５】

【０２３８】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１２ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例２と同様にして、ポリカーボネート樹脂を製造し
た。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得たポリカーボネート樹脂０．５ｇに対
し、実施例１の（２）と同様にして、ジフェニルシラン
０．１２ｇを反応させ、架橋ポリカーボネート樹脂を製
造した。このようにして得られた架橋ポリカーボネート
樹脂は、下記の構造を有するものであった。

【０２３９】

【化１１６】

【０２４０】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１３ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例２と同様にして、ポリカーボネート樹脂を製造し
た。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得たポリカーボネート樹脂０．５ｇに対
し、実施例１の（２）と同様にして、１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサン０．０９ｇを反応させ、架橋
ポリカーボネート樹脂を製造した。このようにして得ら
れた架橋ポリカーボネート樹脂は、下記の構造を有する
ものであった。

【０２４１】

【化１１７】

【０２４２】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１４ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例２と同様にして、ポリカーボネート樹脂を製造し
た。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得たポリカーボネート樹脂０．５ｇに対
し、実施例１の（２）と同様にして、１，１，３，３，
５，５−ヘキサメチルトリシロキサン０．１４ｇを反応
させ、架橋ポリカーボネート樹脂を製造した。このよう
にして得られた架橋ポリカーボネート樹脂は、下記の構
造を有するものであった。

【０２４３】

【化１１８】

【０２４４】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１５ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例２と同様にして、ポリカーボネート樹脂を製造し
た。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得たポリカーボネート樹脂０．５ｇに対
し、実施例１の（２）と同様にして、１，１，１，３，
５，７，７，７−オクタメチルテトラシロキサン０．１
９５ｇを反応させ、架橋ポリカーボネート樹脂を製造し
た。このようにして得られた架橋ポリカーボネート樹脂
は、下記の構造を有するものであった。

【０２４５】

【化１１９】

【０２４６】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１６ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例２と同様にして、ポリカーボネート樹脂を製造し
た。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得たポリカーボネート樹脂０．５ｇに対
し、実施例１の（２）と同様にして下記に示す珪素化合
物０．０４５ｇを反応させ、架橋ポリカーボネート樹脂
を製造した。

【０２４７】

【化１２０】

【０２４８】このようにして得られた架橋ポリカーボネ
ート樹脂は、下記の構造を有するものであった。

【０２４９】

【化１２１】

【０２５０】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１７ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例２と同様にして、ポリカーボネート樹脂を製造し
た。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得たポリカーボネート樹脂０．５ｇに対
し、実施例１の（２）と同様にして、１，１，３，３−
テトラメチルジシラザン０．０９ｇを反応させ、架橋ポ
リカーボネート樹脂を製造した。このようにして得られ
た架橋ポリカーボネート樹脂は、下記の構造を有するも
のであった。

【０２５１】

【化１２２】

【０２５２】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。 実施例１８ （１）炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂の製造 実施例２と同様にして、ポリカーボネート樹脂を製造し
た。 （２）架橋ポリカーボネート樹脂の製造 上記（１）で得たポリカーボネート樹脂０．５ｇに対
し、実施例１の（２）と同様にして、１，２−ビス
（１，１，３，３−テトラメチルジシロキサニル）エタ
ン０．０９５ｇを反応させ、架橋ポリカーボネート樹脂
を製造した。このようにして得られた架橋ポリカーボネ
ート樹脂は、下記の構造を有するものであった。

【０２５３】

【化１２３】

【０２５４】（３）架橋ポリカーボネートの評価 上記（２）で得られた架橋ポリカーボネート樹脂につ
き、実施例１の（３）と同様にして、透明性および耐摩
耗性の評価をした。結果を第１表に示す。

【０２５５】比較例１ 前述の特開平４−２９３１４号公報記載の実施例と同じ
方法により、ポリカーボネート樹脂を製造し、架橋処理
した後、得られた架橋ポリカーボネート樹脂の透明性お
よび耐摩耗性の評価をした。すなわち、攪拌機と温度
計、ガス導入管および還流冷却器を備えた三つ口フラス
コに、乾燥窒素ガスを流しながら濃度４８．５重量％の
水酸化ナトリウム水溶液５３．７重量部、水２３０．８
重量部、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒトロキシフ
ェニル）プロパン３１．４重量部、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン２７．３重量部を
仕込んで溶解した。この溶液を２０℃に冷却し、攪拌し
ながらホスゲンガス２６．２重量部を１時間かけて徐々
に導入した。ついで、濃度４８．５重量％の水酸化ナト
リウム水溶液８．４重量部を加え、さらに反応停止剤と
してｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．６１重量部を
加え、３０℃で１時間重合反応を続けた。反応終了後、
塩化メチレン層を分離して塩酸酸性にした後、水洗して
溶存塩類を除去した。その後、塩化メチレンを蒸発して
固体を得た。この重合体の還元粘度は１．２デシリット
ル／ｇであった。

【０２５６】つぎに、このポリカーボネート樹脂０．５
ｇと、架橋剤としてペンタエリスリトールテトラキス
（３−メルカプトプロピオネート）０．０５ｇおよびイ
ルガキュアー９０７（チバガイギー社製）０．００５ｇ
とを、塩化メチレン５ミリリットルに溶解させた。この
溶液を厚み２５０ミクロンのポリエチレンテレフタレー
トフィルムの上に、アプリケーターを用いてキャスト製
膜した。さらに、これを１時間風乾した後、１２０℃、
１ｍｍＨｇにおいて１２時間乾燥した。得られたサンプ
ルに、８０ｗ／ｃｍ² の高圧水銀灯を５秒間照射して、
架橋ポリカーボネート樹脂のフィルムを得た。このよう
にして得られた架橋ポリカーボネート樹脂につき、前記
実施例１の（３）と同様に透明性および耐摩耗性の評価
をした。結果を第１表に示す。

【０２５７】比較例２ 上記比較例１において得られた架橋処理を施す前のポリ
カーボネート樹脂０．５ｇとアゾビスイソブチロニトリ
ル０．０２５ｇを、塩化メチレン５ミリリットルに加え
て溶解し、塗工液とした。この塗工液を、厚み２５０ミ
クロンのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、ア
プリケーターを用いてキャスト製膜した。つぎに、これ
を１４０℃において１時間加熱することにより、架橋反
応を行い、ついで、１２０℃、１ｍｍＨｇにおいて１２
時間乾燥することによって、架橋ポリカーボネート樹脂
フィルムを得た。このようにして得られた架橋ポリカー
ボネート樹脂につき、前記実施例１の（３）と同様に透
明性および耐摩耗性の評価をした。結果を第１表に示
す。

【０２５８】比較例３ 原料の二価フェノールとして２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパンを用いて製造した還元粘度０．
７７デシリットル／ｇのポリカーボネート樹脂を、塩化
メチレンに溶解させた後、キャスト法により製膜した。

【０２５９】このようにして得られた架橋ポリカーボネ
ート樹脂につき、前記実施例１の（３）と同様に透明性
および耐摩耗性の評価をした。結果を第１表に示す。

【０２６０】

【表１】

【０２６１】

【表２】

【０２６２】実施例１９ 導電性基体としてアルミニウム金属を蒸着したポリエチ
レンテレフタレート樹脂フィルムを用い、その表面に、
電荷発生層と電荷輸送層を順次積層して積層型感光層を
形成した電子写真感光体を製造した。電荷発生物質とし
てオキソチタニウムフタロシアニン０．５重量部を用
い、バインダー樹脂としてはブチラール樹脂０．５重量
部を用いた。これらを溶媒の塩化メチレン１９重量部に
加え、ボールミルにて分散し、この分散液をバーコータ
ーにより、前記導電性基体フィルム表面に塗工し、乾燥
させることにより、膜厚約０．５ミクロンの電荷発生層
を形成した。

【０２６３】つぎに、電荷輸送物質として４−ジベンジ
ルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−１，１−ジフ
ェニルヒドラゾン０．５ｇを用い、バインダー樹脂とし
て前記実施例１の（１）で得られた炭素−炭素不飽和結
合を有するポリカーボネート樹脂０．５ｇと、珪素化合
物として１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン０．
０６５ｇを用いた。これに、触媒として白金−シクロビ
ニルメチルシロキサン錯体０．００２ｇのキシレン溶液
（白金濃度３．５重量％）と溶媒の塩化メチレン５ミリ
リットルに加えて溶解させ、塗工液とした。この塗工液
をアプリケーターにより、上記電荷発生層の上に塗布
し、乾燥させた。つぎに、この塗膜に、１２０℃、常
圧、４時間の加熱処理を施し、塗膜中の炭素−炭素不飽
和結合を有するポリカーボネート樹脂の架橋反応を行っ
た。このようにして、塩化メチレン不溶成分（架橋ポリ
カーボネート樹脂）を含有する厚さ約２０ミクロンの電
荷輸送層を形成し、ひきつづいて１２０℃、１ｍｍＨｇ
で１２時間乾燥した。この電荷輸送層の形成の過程にお
いて、その塗工液の塗布、乾燥、架橋に至るまで、ポリ
カーボネート樹脂の結晶化による透明性の低下は見られ
なかった。

【０２６４】ついで、このようにして得られた電子写真
感光体の電子写真特性の評価を行った。その評価試験装
置としては、株式会社川口電機製作所製の静電気帯電試
験装置ＥＰＡ−８１００を用い、−６ｋｖでコロナ放電
を行った際の初期表面電位、１０ルックス光照射から５
秒後の残留電位、半減露光量（Ｅ_1/2 ）の測定を行っ
た。これらの測定結果を第２表に示す。また、この電子
写真感光体の耐久性を評価するため、感光層の耐摩耗性
試験を実施した。試験機としては、スガ試験機株式会社
製のスガ摩耗試験機ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型を用い、摩耗
試験の条件として、５００ｇの荷重をかけた摩耗紙（粒
径３μm のアルミナ粒子を含有）を感光層表面と接触さ
せて２０００回の往復運動を行い、重量減少量の測定を
した。この結果を第２表に示す。

【０２６５】実施例２０〜３６ 電荷輸送層のバインダー樹脂として、実施例２〜１８に
記載の炭素−炭素不飽和結合を有するポリカーボネート
樹脂と分子内に２つ以上の珪素−水素結合を持つ化合物
の組合せをそれぞれ使用した他は、いずれも実施例１９
と同様にして、電子写真感光体を製造し評価した。これ
ら評価結果を第２表に示す。

【０２６６】比較例４ 導電性基体と電荷発生層の構成および電荷輸送層の電荷
輸送物質は実施例１と同一物質を同量で用い、電荷輸送
層のバインダー樹脂として、前記比較例１において製造
した未架橋ポリカーボネート樹脂０．５ｇおよび架橋剤
を記載順にそれぞれ０．０５ｇ、０．００５ｇを塩化メ
チレン５ミリリットルに溶解して塗工液とし、架橋条件
を８０ｗ／ｃｍ² の高圧水銀灯による５秒間の照射とし
た他は、実施例１９と同様にして、電子写真感光体を製
造し評価した。その結果を第２表に示す。

【０２６７】比較例５ 上記比較例４における架橋剤に代えてアゾビスイソブチ
ロニトリル０．０２５ｇを用い、さらに架橋条件を１４
０℃、１時間とした他は、実施例１９と同様にして、電
子写真感光体を製造し評価した。その結果を第２表に示
す。

【０２６８】比較例６ 電荷輸送層のバインダー樹脂として、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンを原料とするポ
リカーボネート樹脂（還元粘度；０．７７デシリットル
／ｇ）を使用した他は、実施例１９と同様にして、電子
写真感光体を製造し評価をした。その結果を第２表に示
す。

【０２６９】

【表３】

【０２７０】

【表４】

【０２７１】

【発明の効果】本発明の方法によれば、電気機器や電子
機器、自動車部品、コート材、塗料などの分野において
有用性の高い架橋ポリカーボネート樹脂を、架橋工程に
おいてポリカーボネート樹脂の劣化を招く分子切断や化
学変化を伴うことのない、分子内に２つ以上の珪素−水
素結合を有する珪素化合物によるポリカーボネート樹脂
中の炭素−炭素不飽和結合のヒドロシリル化により架橋
することによって、光学的性質および機械的性質とくに
耐摩耗性に優れた架橋ポリカーボネート樹脂を製造する
ことができる。

【０２７２】また、本発明の電子写真感光体は、感光層
のバインダー樹脂として上記架橋ポリカーボネート樹脂
を用いていることから、とくに感光層表面の耐摩耗性が
向上し、耐久性に優れている。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭素−炭素不飽和結合を有するポリカー
   ボネート樹脂を、遷移金属触媒、塩基系触媒およびラジ
   カル化学種から選択される１種または２種以上の物質の
   存在下に、同一分子内に珪素−水素結合を２つ以上持つ
   珪素化合物と反応させてヒドロシリル化することを特徴
   とする架橋ポリカーボネート樹脂の製造方法。
2. 【請求項２】 前記炭素−炭素不飽和結合を有するポリ
   カーボネート樹脂が、下記の一般式〔１〕で表される繰
   返し単位（１）、または一般式〔１〕で表される繰返し
   単位（１）および一般式〔２〕で表される繰返し単位
   （２）を有するポリカーボネート樹脂である請求項１記
   載の架橋ポリカーボネート樹脂の製造方法。 【化１】 〔式〔１〕中、Ａｒ¹ は、 【化２】 （式〔１ａ〕中のＸ¹ は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、
   −Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、−ＣＲ³ Ｒ⁴ −（ただ
   し、Ｒ³ 、Ｒ⁴ は各々独立に水素原子、炭素数１〜１２
   のアルキル基、トリフルオロメチル基または炭素数６〜
   １２の置換もしくは無置換のアリール基である）、炭素
   数５〜１２の置換もしくは無置換のシクロアルキリデン
   基、炭素数２〜１２の置換もしくは無置換のα，ω−ア
   ルキレン基、９，９−フルオレニリデン基、１，８−メ
   ンタンジイル基、２，８−メンタンジイル基、置換もし
   くは無置換のピラジリデン基、炭素数６〜１２の置換も
   しくは無置換のアリーレン基または下記一般式〔３〕、 【化３】 （式〔３〕中のＲ⁵ は、各々独立に水素原子、ハロゲン
   原子、トリフルオロメチル基、炭素数１〜１２のアルキ
   ル基、炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアリール
   基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２の
   置換もしくは無置換のアリールオキシ基であり、ｔは０
   〜６の整数である）で表される基であり、式〔１ａ〕〜
   〔１ｃ〕中のＡは、−（ＣＨ₂ ）_h −、−Ｏ−（Ｃ
   Ｈ₂ ）_h −、−ＣＯ−（ＣＨ₂ ）_h −、−ＣＯＯ−（Ｃ
   Ｈ₂ ）_h −で表される基（ただしｈは０〜６の整数であ
   る）であり、ＦＧは、エチニル基またはビニル基であ
   り、ｐ¹ 、ｐ² は０〜４の整数（ただしｐ¹ ＋ｐ² は１
   〜８の整数である）であり、ｑは１または２であり、ｓ
   は１〜６の整数であり、式〔１ｄ〕中のＹは少なくとも
   １つの炭素−炭素不飽和結合を持つ炭素数２〜１２の鎖
   状または環状の炭化水素基を置換基として有する炭素数
   ５〜１２のシクロアルキリデン基であり、式〔１ａ〕〜
   〔１ｇ〕中のＲ¹ は、水素原子、ハロゲン原子、トリフ
   ルオロメチル基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数
   ６〜１２の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１
   〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２の置換もしくは
   無置換のアリールオキシ基であり、Ｒ² はＲ¹ と同一の
   基であるがＲ² 同士が炭素数１〜１０の炭化水素基で結
   合されていてもよく、式〔１ｅ〕中のｃは０または１で
   あり、式〔１ｆ〕〔１ｇ〕中のｅは１〜２００の整数で
   あり、かつｄ＋ｅの合計が１〜２００の整数であり、ｒ
   は各々独立に０〜４の整数であり、ｔは各々独立に０〜
   ６の整数であり、ｇは各々独立に０〜２００の整数であ
   る）で表される二価の基であり、一般式〔２〕中のＡｒ
   ² は、 【化４】 （式〔２ａ〕〜〔２ｄ〕中のＸ² 、Ｒ⁶ 、ｒ、ｔ、ｇ
   は、前記Ｘ¹ 、Ｒ¹ 、ｒ、ｔ、ｇと同じ意味を有し、ｋ
   は０〜６の整数である）で表される基である。〕
3. 【請求項３】 前記同一分子内に珪素−水素結合を２つ
   以上持つ珪素化合物が、下記一般式〔４ａ〕〜〔４ｆ〕
   で表される化合物である請求項１または２記載の架橋ポ
   リカーボネートの製造方法。 【化５】 〔式〔４ａ〕〜〔４ｆ〕中のＲ⁷ は、前記Ｒ¹ と同じ意
   味を有し、ｉは０〜２００の整数であり、ｎは２〜１０
   ０の整数でかつｎ＋ｍが２〜２００の整数であり、ｕ＋
   ｖが０〜２００の整数であり、ｗは０〜６の整数であ
   る〕
4. 【請求項４】 前記遷移金属触媒が、鉄触媒、ルテニウ
   ム触媒、コバルト触媒、ロジウム触媒、イリジウム触
   媒、ニッケル触媒、パラジウム触媒および白金触媒から
   選択される１種または２種以上の触媒である請求項１〜
   ３のいずれかに記載の架橋ポリカーボネートの製造方
   法。
5. 【請求項５】 炭素−炭素不飽和結合を有するポリカー
   ボネート樹脂を、遷移金属触媒、塩基系触媒およびラジ
   カル化学種から選択される１種または２種以上の物質の
   存在下に、同一分子内に珪素−水素結合を２つ以上持つ
   珪素化合物と反応させてヒドロシリル化してなる架橋ポ
   リカーボネート樹脂。
6. 【請求項６】 導電性基体上に少なくとも感光層を有す
   る電子写真感光体において、該感光層に請求項５記載の
   架橋ポリカーボネート樹脂を含有していることを特徴と
   する電子写真感光体。