JPH11172057A - 水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物及びこれを用いて製造した電力ケーブル - Google Patents
水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物及びこれを用いて製造した電力ケーブルInfo
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- JPH11172057A JPH11172057A JP9363223A JP36322397A JPH11172057A JP H11172057 A JPH11172057 A JP H11172057A JP 9363223 A JP9363223 A JP 9363223A JP 36322397 A JP36322397 A JP 36322397A JP H11172057 A JPH11172057 A JP H11172057A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 早期架橋がおこらず、しかもゲルが発生しな
く、その結果、半導電層と絶縁層との界面が平滑で、か
つ突起がない水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物と、
これを用いて製造した電力ケーブルの提供。 【解決手段】 本発明の水架橋性の良好な半導電性樹脂
組成物は、（Ａ）エチレンとエチレン性不飽和シラン化
合物を高圧法ポリエチレン製造装置で共重合して得られ
た、メルトインデックスが０．５〜１０ｇ／１０分、エ
チレン性不飽和シラン化合物含有量が０．５〜５重量％
のエチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体１
００重量部、（Ｂ）導電性カーボン１５〜８５重量部、
及び（Ｃ）シラノール縮合触媒０．０１〜３．０重量部
を含有する。また、本発明の電力ケーブルは、導体の周
囲に内部半導電層、電気絶縁層、外部半導電層、および
シールド層の順に構成された電気ケーブルであって、内
部半導電層又は外部半導電層の少なくとも一つの半導電
層が上記の水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物により
得られた水架橋体で形成されていることを特徴とする。
く、その結果、半導電層と絶縁層との界面が平滑で、か
つ突起がない水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物と、
これを用いて製造した電力ケーブルの提供。 【解決手段】 本発明の水架橋性の良好な半導電性樹脂
組成物は、（Ａ）エチレンとエチレン性不飽和シラン化
合物を高圧法ポリエチレン製造装置で共重合して得られ
た、メルトインデックスが０．５〜１０ｇ／１０分、エ
チレン性不飽和シラン化合物含有量が０．５〜５重量％
のエチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体１
００重量部、（Ｂ）導電性カーボン１５〜８５重量部、
及び（Ｃ）シラノール縮合触媒０．０１〜３．０重量部
を含有する。また、本発明の電力ケーブルは、導体の周
囲に内部半導電層、電気絶縁層、外部半導電層、および
シールド層の順に構成された電気ケーブルであって、内
部半導電層又は外部半導電層の少なくとも一つの半導電
層が上記の水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物により
得られた水架橋体で形成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水架橋性の良好な
半導電性樹脂組成物、及びこれを用いて製造した電力ケ
ーブルに関する。さらに、詳しくは、早期架橋が起こら
ず、しかも、ゲルが発生しなく、その結果、半導電層と
絶縁層との界面が平滑で、かつ突起がない水架橋性の半
導電性樹脂組成物、及びこれを用いて製造した電気トリ
ーや水トリーの発生のない電力ケーブルに関する。
半導電性樹脂組成物、及びこれを用いて製造した電力ケ
ーブルに関する。さらに、詳しくは、早期架橋が起こら
ず、しかも、ゲルが発生しなく、その結果、半導電層と
絶縁層との界面が平滑で、かつ突起がない水架橋性の半
導電性樹脂組成物、及びこれを用いて製造した電気トリ
ーや水トリーの発生のない電力ケーブルに関する。
【０００２】
【従来の技術】電力ケーブルは、一般に、導体の周囲に
内部半導電層、電気絶縁層、外部半導電層、金属遮へい
層および防食層が順に被覆された構造を有している。内
部半導電層は、導体と電気絶縁層との間のすき間を埋
め、部分放電を抑制したり、または導体表面の電界を緩
和したりする機能を果たし、また、外部半導電層は、外
部遮へい層と絶縁体との間のすき間を埋め、部分放電を
抑制したり、または外部遮へい層表面の電界を緩和した
りする機能を果たしている。そのため、内部半導電層や
外部半導電層の半導電層は、適当な導電率を有する必要
があり、通常は、導電性カーボンブラックが樹脂成分中
に配合される。この場合、樹脂成分としては、通常ポリ
エチレン系樹脂が使用されているが、ポリエチレン系樹
脂は、高温で塑性流動を起こすため、電力ケーブルとし
ての要求特性を十分に満足させることができないという
問題点を有している。
内部半導電層、電気絶縁層、外部半導電層、金属遮へい
層および防食層が順に被覆された構造を有している。内
部半導電層は、導体と電気絶縁層との間のすき間を埋
め、部分放電を抑制したり、または導体表面の電界を緩
和したりする機能を果たし、また、外部半導電層は、外
部遮へい層と絶縁体との間のすき間を埋め、部分放電を
抑制したり、または外部遮へい層表面の電界を緩和した
りする機能を果たしている。そのため、内部半導電層や
外部半導電層の半導電層は、適当な導電率を有する必要
があり、通常は、導電性カーボンブラックが樹脂成分中
に配合される。この場合、樹脂成分としては、通常ポリ
エチレン系樹脂が使用されているが、ポリエチレン系樹
脂は、高温で塑性流動を起こすため、電力ケーブルとし
ての要求特性を十分に満足させることができないという
問題点を有している。
【０００３】この問題点を解決する手段としては、これ
まで有機過酸化物でもってポリエチレン系樹脂を架橋す
る方法が行われてきたが、この方法の場合、設備費が高
くつくばかりでなく、カーボンブラックを大量に配合す
る半導電性樹脂組成物では、早期架橋が起りやすくな
り、それに伴い半導電層の表面に突起が発生し、この突
起が原因となって電気トリーや水トリーが発生し、その
結果、電力ケーブルの寿命を著しく短かくするといった
問題点があった。
まで有機過酸化物でもってポリエチレン系樹脂を架橋す
る方法が行われてきたが、この方法の場合、設備費が高
くつくばかりでなく、カーボンブラックを大量に配合す
る半導電性樹脂組成物では、早期架橋が起りやすくな
り、それに伴い半導電層の表面に突起が発生し、この突
起が原因となって電気トリーや水トリーが発生し、その
結果、電力ケーブルの寿命を著しく短かくするといった
問題点があった。
【０００４】この問題点を解決するために、以下のよう
なシラングラフトポリエチレンを使用して水架橋する方
法が開発された。すなわち、この方法は、ポリエチレン
系樹脂、例えば、高圧法ポリエチレン、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合
体、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、超低密
度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）等に、ビニルトリエトキ
シシラン、ビニルトリメトキシシラン等のエチレン性不
飽和シラン化合物を有機過酸化物でもってグラフトして
水架橋性シラングラフトポリエチレンを得たのち、これ
にカーボンブラックとシラノール縮合触媒を配合して半
導電性樹脂組成物を調製し、次いでこれを導体上や電気
絶縁層上に被覆させ、最後に、この被覆層を水分と接触
させることにより水架橋反応を起させ、水架橋した半導
電層を形成させるものである。この水架橋性シラングラ
フトポリエチレンを使用する方法は、従来の有機過酸化
物により架橋させる方法に比し、高価な電力ケーブル架
橋用の設備が不要となるため、設備コストを低減できる
ばかりでなく、同様な効果を達成することができた。こ
れらの水架橋による半導電層の形成技術は、例えば、特
公昭５５−４１６５７号、特公昭５７−４１０４８号、
特開昭５９−６０９０４号、特開平２−２３６９１２
号、特開平２−２５５７３１号、特開平４−２９３９４
５号等に記載されている。
なシラングラフトポリエチレンを使用して水架橋する方
法が開発された。すなわち、この方法は、ポリエチレン
系樹脂、例えば、高圧法ポリエチレン、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合
体、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、超低密
度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）等に、ビニルトリエトキ
シシラン、ビニルトリメトキシシラン等のエチレン性不
飽和シラン化合物を有機過酸化物でもってグラフトして
水架橋性シラングラフトポリエチレンを得たのち、これ
にカーボンブラックとシラノール縮合触媒を配合して半
導電性樹脂組成物を調製し、次いでこれを導体上や電気
絶縁層上に被覆させ、最後に、この被覆層を水分と接触
させることにより水架橋反応を起させ、水架橋した半導
電層を形成させるものである。この水架橋性シラングラ
フトポリエチレンを使用する方法は、従来の有機過酸化
物により架橋させる方法に比し、高価な電力ケーブル架
橋用の設備が不要となるため、設備コストを低減できる
ばかりでなく、同様な効果を達成することができた。こ
れらの水架橋による半導電層の形成技術は、例えば、特
公昭５５−４１６５７号、特公昭５７−４１０４８号、
特開昭５９−６０９０４号、特開平２−２３６９１２
号、特開平２−２５５７３１号、特開平４−２９３９４
５号等に記載されている。
【０００５】しかし、この水架橋性シラングラフトポリ
エチレンを使用した半導電層の形成技術にも、なおいく
つかの問題点があり、特にポリエチレンにエチレン性不
飽和シランをグラフトするとき、有機過酸化物を使用す
るため、シランのグラフト反応だけではなく、ポリエチ
レン分子間の架橋反応までをも併発させ、それに伴い、
早期架橋現象が起こって、ゲルを発生させ、半導電層の
表面に突起が発生しやすくなり、この突起が原因となっ
て電気トリーや水トリーが発生し、その結果、電力ケー
ブルの寿命を著しく短かくしていた。かかる状況の下
で、上述した水架橋性シラングラフトポリエチレンを使
用した半導電層形成技術のもつ問題点を解消することに
より、早期架橋が起こらず、しかも、ゲルが発生しな
く、その結果、半導電層と絶縁層との界面が平滑で、か
つ突起がない水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物と、
これを用いて製造した電気トリーや水トリーの発生のな
い電力ケーブルの出現が強く望まれていた。
エチレンを使用した半導電層の形成技術にも、なおいく
つかの問題点があり、特にポリエチレンにエチレン性不
飽和シランをグラフトするとき、有機過酸化物を使用す
るため、シランのグラフト反応だけではなく、ポリエチ
レン分子間の架橋反応までをも併発させ、それに伴い、
早期架橋現象が起こって、ゲルを発生させ、半導電層の
表面に突起が発生しやすくなり、この突起が原因となっ
て電気トリーや水トリーが発生し、その結果、電力ケー
ブルの寿命を著しく短かくしていた。かかる状況の下
で、上述した水架橋性シラングラフトポリエチレンを使
用した半導電層形成技術のもつ問題点を解消することに
より、早期架橋が起こらず、しかも、ゲルが発生しな
く、その結果、半導電層と絶縁層との界面が平滑で、か
つ突起がない水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物と、
これを用いて製造した電気トリーや水トリーの発生のな
い電力ケーブルの出現が強く望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した従来の水架橋性シラングラフトポリエチレンの問題
点を解決することにより、早期架橋がおこらず、しかも
ゲルが発生しなく、その結果、半導電層と絶縁層との界
面が平滑で、かつ突起がない水架橋性の良好な半導電性
樹脂組成物と、これを用いて製造した電力ケーブルとを
提供することにある。
した従来の水架橋性シラングラフトポリエチレンの問題
点を解決することにより、早期架橋がおこらず、しかも
ゲルが発生しなく、その結果、半導電層と絶縁層との界
面が平滑で、かつ突起がない水架橋性の良好な半導電性
樹脂組成物と、これを用いて製造した電力ケーブルとを
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、水架橋性
ポリエチレン系樹脂として、これまで電力ケーブル用半
導電性樹脂組成物に採用されたことがない、エチレンと
エチレン性不飽和シラン化合物との共重合体に注目し、
これを用いて鋭意研究を重ねたところ、良好な結果が得
られることを見出した。本発明は、これらの知見に基づ
いて完成に至ったものである。
ポリエチレン系樹脂として、これまで電力ケーブル用半
導電性樹脂組成物に採用されたことがない、エチレンと
エチレン性不飽和シラン化合物との共重合体に注目し、
これを用いて鋭意研究を重ねたところ、良好な結果が得
られることを見出した。本発明は、これらの知見に基づ
いて完成に至ったものである。
【０００８】すなわち、本発明によれば、（Ａ）エチレ
ンとエチレン性不飽和シラン化合物を高圧法ポリエチレ
ン製造装置で共重合して得られた、メルトインデックス
が０．５〜１０ｇ／１０分、エチレン性不飽和シラン化
合物含有量が０．５〜５重量％のエチレン−エチレン性
不飽和シラン化合物共重合体１００重量部、（Ｂ）導電
性カーボン１５〜８５重量部、及び（Ｃ）シラノール縮
合触媒０．０１〜３．０重量部を含有することを特徴と
する水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物が提供され
る。
ンとエチレン性不飽和シラン化合物を高圧法ポリエチレ
ン製造装置で共重合して得られた、メルトインデックス
が０．５〜１０ｇ／１０分、エチレン性不飽和シラン化
合物含有量が０．５〜５重量％のエチレン−エチレン性
不飽和シラン化合物共重合体１００重量部、（Ｂ）導電
性カーボン１５〜８５重量部、及び（Ｃ）シラノール縮
合触媒０．０１〜３．０重量部を含有することを特徴と
する水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物が提供され
る。
【０００９】また、本発明によれば、導体の周囲に内部
半導電層、電気絶縁層、外部半導電層、およびシールド
層の順に構成された電気ケーブルにおいて、内部半導電
層又は外部半導電層の少なくとも一つの半導電層が上記
の水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物により得られた
水架橋体で構成されていることを特徴とする電力ケーブ
ルが提供される。
半導電層、電気絶縁層、外部半導電層、およびシールド
層の順に構成された電気ケーブルにおいて、内部半導電
層又は外部半導電層の少なくとも一つの半導電層が上記
の水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物により得られた
水架橋体で構成されていることを特徴とする電力ケーブ
ルが提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【００１１】１．エチレン−エチレン性不飽和シラン化
合物共重合体（Ａ） 本発明において使用するエチレン−エチレン性不飽和シ
ラン化合物は、高圧法ポリエチレン製造装置でエチレン
とエチレン性不飽和シラン化合物を共重合して得られた
ものである。
合物共重合体（Ａ） 本発明において使用するエチレン−エチレン性不飽和シ
ラン化合物は、高圧法ポリエチレン製造装置でエチレン
とエチレン性不飽和シラン化合物を共重合して得られた
ものである。
【００１２】この方法は、通常、例えば、モノマーであ
るエチレンとエチレン性不飽和シラン化合物を、高圧ポ
ンプを使用して管状又は槽状反応器に圧送し、反応器内
で高温（重合ピーク温度２００〜３３０℃）、高圧（１
５０〜３００ＭＰａ）の条件下、有機過酸化物等のラジ
カル発生触媒を用いて共重合させたのち、高圧分離器内
で共重合体と未反応モノマーとを分離させることにより
行われる。共重合の際には、連鎖移動反応を促進させる
ため、連鎖移動剤を使用してもよい。
るエチレンとエチレン性不飽和シラン化合物を、高圧ポ
ンプを使用して管状又は槽状反応器に圧送し、反応器内
で高温（重合ピーク温度２００〜３３０℃）、高圧（１
５０〜３００ＭＰａ）の条件下、有機過酸化物等のラジ
カル発生触媒を用いて共重合させたのち、高圧分離器内
で共重合体と未反応モノマーとを分離させることにより
行われる。共重合の際には、連鎖移動反応を促進させる
ため、連鎖移動剤を使用してもよい。
【００１３】本発明で用いられるエチレン性不飽和シラ
ン化合物は、エチレンと共重合可能なオレフィン性不飽
和結合と、加水分解可能なアルコキシ基を分子内に併有
するシラン化合物であり、一般式 Ｒ1ＳｉＲ2 n（Ｏ
Ｒ3）3-n（式中に、Ｒ1は、ビニル、アリル、ブテニ
ル、シクロヘキセニル、γ−（メタ）アクリロキシプロ
ピル等のエチレン性不飽和炭化水素基であり、Ｒ2及び
Ｒ3は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、
オクチル等の脂肪族飽和炭化水素基であり、ｎは、０、
１又は２を示す。）で表わされる。エチレン性不飽和シ
ラン化合物の具体例としては、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルジメトキシメチルシラン、ビニルメトキシジ
メチルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルジエ
トキシエチルシラン、ビニルエトキシジエチルシラン、
γ−メタアクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス−（２−メ
トキシエトキシ）シラン、ビニル−トリス（ｎ−ブトキ
シ）シラン、ビニル−トリル（ｎ−ペントキシ）シラ
ン、ビニル−トリス（ｎ−ヘキソキシ）シラン、ビニル
−トリス（ｎ−ヘプトキシ）シラン、ビニル−トリス
（ｎ−オクトキシ）シラン、ビニル−トリス（ｎ−ドデ
シルオキシ）シラン、ビニル−ビス（ｎ−ブトキシ）メ
チルシラン、ビニル−ビス（ｎ−ヘキソキシ）メチルシ
ラン、ビニル−（ｎ−ブトキシ）ジメチルシラン、ビニ
ル−（ｎ−ペントキシ）ジメチルシラン、β−メタクリ
ルオキシエチル−トリス（ｎ−ブトキシ）シラン、γ−
メチルオキシプロピル−トリス（ｎ−ドデシル）シラン
等が挙げられる。エチレン性不飽和シラン化合物は、エ
チレン供給量１００重量部に対して、０．０１〜１０．
０重量部、好ましくは２．０〜７．０重量部を供給す
る。
ン化合物は、エチレンと共重合可能なオレフィン性不飽
和結合と、加水分解可能なアルコキシ基を分子内に併有
するシラン化合物であり、一般式 Ｒ1ＳｉＲ2 n（Ｏ
Ｒ3）3-n（式中に、Ｒ1は、ビニル、アリル、ブテニ
ル、シクロヘキセニル、γ−（メタ）アクリロキシプロ
ピル等のエチレン性不飽和炭化水素基であり、Ｒ2及び
Ｒ3は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、
オクチル等の脂肪族飽和炭化水素基であり、ｎは、０、
１又は２を示す。）で表わされる。エチレン性不飽和シ
ラン化合物の具体例としては、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルジメトキシメチルシラン、ビニルメトキシジ
メチルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルジエ
トキシエチルシラン、ビニルエトキシジエチルシラン、
γ−メタアクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス−（２−メ
トキシエトキシ）シラン、ビニル−トリス（ｎ−ブトキ
シ）シラン、ビニル−トリル（ｎ−ペントキシ）シラ
ン、ビニル−トリス（ｎ−ヘキソキシ）シラン、ビニル
−トリス（ｎ−ヘプトキシ）シラン、ビニル−トリス
（ｎ−オクトキシ）シラン、ビニル−トリス（ｎ−ドデ
シルオキシ）シラン、ビニル−ビス（ｎ−ブトキシ）メ
チルシラン、ビニル−ビス（ｎ−ヘキソキシ）メチルシ
ラン、ビニル−（ｎ−ブトキシ）ジメチルシラン、ビニ
ル−（ｎ−ペントキシ）ジメチルシラン、β−メタクリ
ルオキシエチル−トリス（ｎ−ブトキシ）シラン、γ−
メチルオキシプロピル−トリス（ｎ−ドデシル）シラン
等が挙げられる。エチレン性不飽和シラン化合物は、エ
チレン供給量１００重量部に対して、０．０１〜１０．
０重量部、好ましくは２．０〜７．０重量部を供給す
る。
【００１４】本発明で用いられるラジカル発生触媒は、
高圧法によるポリエチレンの製造に使用される通例の触
媒でよく、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物、酸素等
が例示される。具体的には、有機過酸化物としては、ジ
ターシャリ−ブチルパーオキサイド、ターシャリ−ブチ
ルベンゾニド、ドデカノールパーオキサイド、ラウリル
パーオキサイド、ジアセチルパーオキサイド、ジプロピ
ルパーオキサイド、ターシャリブチルパーオキシアセテ
ート、ターシャリブチルパーオキシイソブチレート、ジ
クミルパーオキサイド、ターシャリブチルパーオキシピ
バレート、ターシャリブチルパーオキシイソプロピルカ
ルボナート、ジ（ターシャリブチルパーオキシ）アジペ
ート、ターシャリブチルパーオキシラウレート等が、ま
た、アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル
等が挙げられる。ラジカル発生触媒の使用量は、反応器
に供給する原材料の合計量の１〜１００重量ｐｐｍ、望
ましくは５〜３０重量ｐｐｍである。
高圧法によるポリエチレンの製造に使用される通例の触
媒でよく、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物、酸素等
が例示される。具体的には、有機過酸化物としては、ジ
ターシャリ−ブチルパーオキサイド、ターシャリ−ブチ
ルベンゾニド、ドデカノールパーオキサイド、ラウリル
パーオキサイド、ジアセチルパーオキサイド、ジプロピ
ルパーオキサイド、ターシャリブチルパーオキシアセテ
ート、ターシャリブチルパーオキシイソブチレート、ジ
クミルパーオキサイド、ターシャリブチルパーオキシピ
バレート、ターシャリブチルパーオキシイソプロピルカ
ルボナート、ジ（ターシャリブチルパーオキシ）アジペ
ート、ターシャリブチルパーオキシラウレート等が、ま
た、アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル
等が挙げられる。ラジカル発生触媒の使用量は、反応器
に供給する原材料の合計量の１〜１００重量ｐｐｍ、望
ましくは５〜３０重量ｐｐｍである。
【００１５】本発明で用いられる連鎖移動剤は、高圧法
によるポリエチレンの製造に使用される通例の連鎖移動
剤でよく、例えば、α−オレフィン類、アルコール類、
ケトン類、アルデヒド類等が例示される。具体的には、
α−オレフィン類としては、プロピレン、ブテン−１、
ヘキセン−１、３−メチルブテン−１、４−メチルペン
テン−１、オクテン−１、デセン−１等が、また、アル
コール類としては、メチルアルコール、エチルアルコー
ル、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペ
ンチルアルコール、ヘキシルアルコール、オクチルアル
コール等が、さらに、ケトン類としては、アセトン、ジ
エチルケトン、ジアミルケトン、ジイソブチルケトン、
メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、エチ
ルブチルケトン、エチルプロピルケトン、ジイソアミル
ケトン等が、さらにまた、アルデヒド類としては、ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、ｎ−ブチルアルデヒ
ド、イソブチルアルデヒド、ｎ−バレルアルデヒド、イ
ソバレルアルデヒド、ｎ−カプロアルデヒド 、ｎ−カ
プリルアルデヒド等が挙げられる。連鎖移動剤の使用量
は、反応器に供給する原材料の合計量に対し、０．２〜
１０モル％、望ましくは、０．５〜５モル％である。
によるポリエチレンの製造に使用される通例の連鎖移動
剤でよく、例えば、α−オレフィン類、アルコール類、
ケトン類、アルデヒド類等が例示される。具体的には、
α−オレフィン類としては、プロピレン、ブテン−１、
ヘキセン−１、３−メチルブテン−１、４−メチルペン
テン−１、オクテン−１、デセン−１等が、また、アル
コール類としては、メチルアルコール、エチルアルコー
ル、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペ
ンチルアルコール、ヘキシルアルコール、オクチルアル
コール等が、さらに、ケトン類としては、アセトン、ジ
エチルケトン、ジアミルケトン、ジイソブチルケトン、
メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、エチ
ルブチルケトン、エチルプロピルケトン、ジイソアミル
ケトン等が、さらにまた、アルデヒド類としては、ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、ｎ−ブチルアルデヒ
ド、イソブチルアルデヒド、ｎ−バレルアルデヒド、イ
ソバレルアルデヒド、ｎ−カプロアルデヒド 、ｎ−カ
プリルアルデヒド等が挙げられる。連鎖移動剤の使用量
は、反応器に供給する原材料の合計量に対し、０．２〜
１０モル％、望ましくは、０．５〜５モル％である。
【００１６】本発明においては、上記の方法により得ら
れたエチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体
の物性は、メルトインデックスが０．５〜１０ｇ／１０
分で、エチレン性不飽和シラン化合物含有量が０．５〜
５重量％であることが必要である。メルトインデックス
が０．５ｇ／１０分未満であると、押出加工性が悪く、
半導電層と電気絶縁層との界面に突起を生じ、その結
果、電気トリーや水トリーを発生させて電力ケーブルの
寿命を短かくするので望ましくなく、一方、メルトイン
デックスが１０ｇ／１０分を越えると、機械的特性が弱
くなり望ましくない。また、共重合体中におけるエチレ
ン性不飽和シラン化合物の含有量が０．５重量％未満で
あると、高温時形状保持特性や加熱変形率が悪くなり望
ましくなく、一方、含有量が５重量％を越えると、成形
加工性が悪くなるばかりでなく、高価なシラン化合物を
大量に使用するのでコストアップとなり望ましくない。
れたエチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体
の物性は、メルトインデックスが０．５〜１０ｇ／１０
分で、エチレン性不飽和シラン化合物含有量が０．５〜
５重量％であることが必要である。メルトインデックス
が０．５ｇ／１０分未満であると、押出加工性が悪く、
半導電層と電気絶縁層との界面に突起を生じ、その結
果、電気トリーや水トリーを発生させて電力ケーブルの
寿命を短かくするので望ましくなく、一方、メルトイン
デックスが１０ｇ／１０分を越えると、機械的特性が弱
くなり望ましくない。また、共重合体中におけるエチレ
ン性不飽和シラン化合物の含有量が０．５重量％未満で
あると、高温時形状保持特性や加熱変形率が悪くなり望
ましくなく、一方、含有量が５重量％を越えると、成形
加工性が悪くなるばかりでなく、高価なシラン化合物を
大量に使用するのでコストアップとなり望ましくない。
【００１７】本発明においては、上記エチレン−エチレ
ン性不飽和シラン化合物共重合体に加えて、電力ケーブ
ル用半導電性樹脂組成物に通常使用するポリマー成分を
本発明の目的を損なわない範囲で配合することができ
る。配合するポリマー成分としては、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合
体、高圧法低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチ
レン、超低密度直鎖状ポリエチレン、アイオノマー、ス
チレン−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体等が挙げられる。その配合量は、エチレ
ン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体１００重量
部に対して、通常１００重量部以下である。配合量が１
００重量部を越えると、機械的特性や耐熱性が悪くなり
望ましくない。
ン性不飽和シラン化合物共重合体に加えて、電力ケーブ
ル用半導電性樹脂組成物に通常使用するポリマー成分を
本発明の目的を損なわない範囲で配合することができ
る。配合するポリマー成分としては、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合
体、高圧法低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチ
レン、超低密度直鎖状ポリエチレン、アイオノマー、ス
チレン−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体等が挙げられる。その配合量は、エチレ
ン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体１００重量
部に対して、通常１００重量部以下である。配合量が１
００重量部を越えると、機械的特性や耐熱性が悪くなり
望ましくない。
【００１８】２．導電性カーボン（Ｂ） 本発明で用いられるカーボンブラックは、通常、電力ケ
ーブル用半導電性樹脂組成物に使用する導電性カーボン
ならば何でもよく、例えば、ケッチュンブラック、ファ
ーネスブラック、アセチレンブラック等が挙げられる。
そのうち、アセチレンブラックは、半導電層と電気絶縁
層の界面を特に平滑にすることができるので望ましい。
カーボンブラックの配合量は、エチレン−エチレン性不
飽和シラン化合物共重合体１００重量部（上記の他のポ
リマーを配合した場合は、樹脂成分１００重量部とす
る）に対して１５〜８５重量部の範囲である。配合量が
１５重量部未満であると、電力ケーブルの半導電層とし
て必要な体積固有低圧値が１００Ω・ｃｍ以上となり望
ましくなく、一方、配合量が８５重量部を越えると、引
張強度、加工性、柔軟性、伸び等が悪くなり望ましくな
い。
ーブル用半導電性樹脂組成物に使用する導電性カーボン
ならば何でもよく、例えば、ケッチュンブラック、ファ
ーネスブラック、アセチレンブラック等が挙げられる。
そのうち、アセチレンブラックは、半導電層と電気絶縁
層の界面を特に平滑にすることができるので望ましい。
カーボンブラックの配合量は、エチレン−エチレン性不
飽和シラン化合物共重合体１００重量部（上記の他のポ
リマーを配合した場合は、樹脂成分１００重量部とす
る）に対して１５〜８５重量部の範囲である。配合量が
１５重量部未満であると、電力ケーブルの半導電層とし
て必要な体積固有低圧値が１００Ω・ｃｍ以上となり望
ましくなく、一方、配合量が８５重量部を越えると、引
張強度、加工性、柔軟性、伸び等が悪くなり望ましくな
い。
【００１９】３．シラノール縮合触媒（Ｃ）等 本発明で用いられるシラノール縮合触媒は、水の存在下
で、エチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体
の長鎖にペンダント基としてぶらさがっている−Ｓｉ−
（ＯＲ）−基同士を脱水縮合させる反応を促進させるも
のであり、例えば、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル
錫ジアセテート、ジブチル鎖ジオレエート、酢酸第１
錫、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、カプリル酸亜
鉛、２−エチルヘキサン酸鉄、チタン酸エステル、チタ
ン酸テトラブチルエステル、チタン酸テトラノニルエス
テル、ビス（アセチルアセトニトリル）、ジ−イソプロ
ピルチタン、エチルアミン、ヘキシルアミン、ジブチル
アミン、ピリジン等が挙げられる。シラノール縮合触媒
の使用量は、エチレン−エチレン不飽和シラン化合物共
重合体１００重量部に対して０．００１〜３重量部であ
る。使用量が０．００１重量部未満であると、水架橋反
応を促進せず、一方、使用量が３重量部を越えると、樹
脂層の電気的特性を悪くするばかりでなく、コストアッ
プとなるので望ましくない。本発明においては、上記し
た成分以外に、電力ケーブル用半導電性樹脂組成物に通
常使用される添加剤や補助資材を本発明の目的を損なわ
ない範囲で配合しても良い。これらの各種添加剤や補助
資材としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、
帯電防止剤、滑剤、加工性改良剤、充填剤、分散剤、銅
害防止材、中和剤、発泡剤、気泡防止剤、着色剤、顔料
等が挙げられる。
で、エチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重合体
の長鎖にペンダント基としてぶらさがっている−Ｓｉ−
（ＯＲ）−基同士を脱水縮合させる反応を促進させるも
のであり、例えば、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル
錫ジアセテート、ジブチル鎖ジオレエート、酢酸第１
錫、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、カプリル酸亜
鉛、２−エチルヘキサン酸鉄、チタン酸エステル、チタ
ン酸テトラブチルエステル、チタン酸テトラノニルエス
テル、ビス（アセチルアセトニトリル）、ジ−イソプロ
ピルチタン、エチルアミン、ヘキシルアミン、ジブチル
アミン、ピリジン等が挙げられる。シラノール縮合触媒
の使用量は、エチレン−エチレン不飽和シラン化合物共
重合体１００重量部に対して０．００１〜３重量部であ
る。使用量が０．００１重量部未満であると、水架橋反
応を促進せず、一方、使用量が３重量部を越えると、樹
脂層の電気的特性を悪くするばかりでなく、コストアッ
プとなるので望ましくない。本発明においては、上記し
た成分以外に、電力ケーブル用半導電性樹脂組成物に通
常使用される添加剤や補助資材を本発明の目的を損なわ
ない範囲で配合しても良い。これらの各種添加剤や補助
資材としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、
帯電防止剤、滑剤、加工性改良剤、充填剤、分散剤、銅
害防止材、中和剤、発泡剤、気泡防止剤、着色剤、顔料
等が挙げられる。
【００２０】４．電力ケーブル 本発明の電力ケーブルは、導体上に、内部半導電層、電
気絶縁層、外部半導電層、およびシールド層を被覆形成
することにより得られる。導体、電気絶縁層、およびシ
ールド層は、従来から交流電力ケーブルにおいて使用さ
れているものならば何でもよい。例えば、導体として
は、軟銅、硬銅、硬アルミニウム等を素材とする充実導
体や撚線導体等が好ましく使用される。一方、電気絶縁
層は、導体を流れる高電圧電流を絶縁し安全を計るもの
であり、その素材としては、高圧法低密度ポリエチレ
ン、直鎖状低密度エチレンーα−オレフィン共重合体、
エチレンープロピレンラバー、ブチルゴム等が用いられ
る。その際、耐熱性、機械的強度、耐熱老化性、耐熱変
形性、耐絶縁破壊性、耐環境応力亀裂性等の性質を向上
させるため、有機過酸化物による架橋、ビニルシラン化
合物をグラフトすることによる水架橋、電子線照射によ
る架橋等を形成させることが望ましい。また、シールド
層は、ケーブルを流れる電流の電気特性を安定化させる
ために設けるものであり、その素材としては、カーボン
紙、半導電性布テープ、アルミテープ、銅テープ等が用
いられる。これに対し、内部半導電層および外部半導電
層は、前述したように、エチレンとエチレン性不飽和シ
ラン化合物を高圧法ポリエチレン製造装置で共重合して
得られた、メルトインデックスが０．５〜１０ｇ／１０
分、エチレン性不飽和シラン化合物含有量が０．５〜５
重量％のエチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重
合体（Ａ）と、導電性カーボン（Ｂ）と、シラノール縮
合触媒（Ｃ）を含有する本発明の半導電性樹脂組成物か
らなる。
気絶縁層、外部半導電層、およびシールド層を被覆形成
することにより得られる。導体、電気絶縁層、およびシ
ールド層は、従来から交流電力ケーブルにおいて使用さ
れているものならば何でもよい。例えば、導体として
は、軟銅、硬銅、硬アルミニウム等を素材とする充実導
体や撚線導体等が好ましく使用される。一方、電気絶縁
層は、導体を流れる高電圧電流を絶縁し安全を計るもの
であり、その素材としては、高圧法低密度ポリエチレ
ン、直鎖状低密度エチレンーα−オレフィン共重合体、
エチレンープロピレンラバー、ブチルゴム等が用いられ
る。その際、耐熱性、機械的強度、耐熱老化性、耐熱変
形性、耐絶縁破壊性、耐環境応力亀裂性等の性質を向上
させるため、有機過酸化物による架橋、ビニルシラン化
合物をグラフトすることによる水架橋、電子線照射によ
る架橋等を形成させることが望ましい。また、シールド
層は、ケーブルを流れる電流の電気特性を安定化させる
ために設けるものであり、その素材としては、カーボン
紙、半導電性布テープ、アルミテープ、銅テープ等が用
いられる。これに対し、内部半導電層および外部半導電
層は、前述したように、エチレンとエチレン性不飽和シ
ラン化合物を高圧法ポリエチレン製造装置で共重合して
得られた、メルトインデックスが０．５〜１０ｇ／１０
分、エチレン性不飽和シラン化合物含有量が０．５〜５
重量％のエチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重
合体（Ａ）と、導電性カーボン（Ｂ）と、シラノール縮
合触媒（Ｃ）を含有する本発明の半導電性樹脂組成物か
らなる。
【００２１】導体上にこれらの各層を被覆形成する方法
は、従来から交流電力ケーブルを製造する際に採用され
ている方法ならばなんでもよく、例えば、導体上にまず
内部半導電層を被覆したのち電気絶縁層を被覆し、その
上に外部半導電層を被覆する方法や、導体上にまず内部
半導電層を被覆し、次に電気絶縁層と外部半導電層を同
時に被覆する方法や、内部半導電層、電気絶縁層及び外
部半導電層を同時に共押出で被覆する方法等がある。
共押出の場合は、３台の押出機を縦列に連結したタンデ
ム押出機やコモン三層押出装置等を使用し行われる。そ
してこのことにより、各層間の密着がよくなり、しかも
界面に突起が発生しない上に、水トリーや電気トリーが
発生しなく、その結果電線の寿命を長くすることができ
る。被覆形成された水架橋性絶縁層は、次いで、通常の
方法、例えば、温度５０〜９０℃の温水槽に浸漬する
か、又は水蒸気を含む空気中（温度は室温〜１１０℃）
で、ポリエチレンにグラフトされたビニルシランのアル
コキシ基同志をシラノール縮合触媒の存在下で縮合反応
を起こさせることにより水架橋される。
は、従来から交流電力ケーブルを製造する際に採用され
ている方法ならばなんでもよく、例えば、導体上にまず
内部半導電層を被覆したのち電気絶縁層を被覆し、その
上に外部半導電層を被覆する方法や、導体上にまず内部
半導電層を被覆し、次に電気絶縁層と外部半導電層を同
時に被覆する方法や、内部半導電層、電気絶縁層及び外
部半導電層を同時に共押出で被覆する方法等がある。
共押出の場合は、３台の押出機を縦列に連結したタンデ
ム押出機やコモン三層押出装置等を使用し行われる。そ
してこのことにより、各層間の密着がよくなり、しかも
界面に突起が発生しない上に、水トリーや電気トリーが
発生しなく、その結果電線の寿命を長くすることができ
る。被覆形成された水架橋性絶縁層は、次いで、通常の
方法、例えば、温度５０〜９０℃の温水槽に浸漬する
か、又は水蒸気を含む空気中（温度は室温〜１１０℃）
で、ポリエチレンにグラフトされたビニルシランのアル
コキシ基同志をシラノール縮合触媒の存在下で縮合反応
を起こさせることにより水架橋される。
【００２２】本発明の電力ケーブルは、水トリーや電気
トリーの発生がなく、その結果、電線の寿命を長く維持
できるため、発電所から都市、工場等の電力需要地に中
圧又は高圧の電気を送る手段として、また、都市、工
場、建築物等の相互の間、又はこれらの内部において中
圧又は高圧の電気を送る手段として広く利用される。
トリーの発生がなく、その結果、電線の寿命を長く維持
できるため、発電所から都市、工場等の電力需要地に中
圧又は高圧の電気を送る手段として、また、都市、工
場、建築物等の相互の間、又はこれらの内部において中
圧又は高圧の電気を送る手段として広く利用される。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
【００２４】エチレン−エチレン性不飽和シラン化合物
共重合体の準備 （重合例１）エチレン中に、ビニルトリメトキシシラン
８．３モル％、メチルエチルケトン（連鎖移動剤）１．
７モル％、およびジ−ｔ−ブチルパーオキサイド（ラジ
カル発生触媒）２２重量ｐｐｍを加えた。この混合物を
高圧ポンプを使って管状反応器に圧送し、反応圧力２５
０ＭＰａ、反応ピーク温度２２５℃の条件で重合させ、
メルトインデックス２．３ｇ／１０分、ビニルトリメト
キシシラン含有量１．３重量％のエチレン−ビニルトリ
メトキシシラン共重合体を得た。 （重合例２）エチレン中に、ビニルジエトキシエチルシ
ラン６．７モル％、イソプロピルアルコール（連鎖移動
剤）３．２モル％、およびジプロピオニルパーオキサイ
ド（ラジカル発生触媒）５５重量ｐｐｍを加えた。この
混合物を高圧ポンプを使って管状反応器に圧送し、反応
圧力２８０ＭＰａ、反応ピーク温度２２０℃の条件で重
合させ、メルトインデックス４．５ｇ／１０分、ビニル
ジエトキシエチルシラン含有量０．９重量％のエチレン
−ビニルジエトキシエチルシラン共重合体を得た。 （重合比較例１）エチレン中に、ビニルトリエトキシシ
ラン１．３モル％、プロピレン（連鎖移動剤）０．８モ
ル％、およびターシャリブチルパーオキシアセテート
（ラジカル発生触媒）２３重量ｐｐｍを加えた。この混
合物を高圧ポンプを使って管状反応器に圧送し、反応圧
力３００ＭＰａ、反応ピーク温度２３０℃の条件で重合
させ、メルトインデックス０．３ｇ／１０分、ビニルト
リエトキシシラン含有量０．２重量％のエチレン−ビニ
ルトリエトキシシラン共重合体を得た。 （重合比較例２）エチレン中に、γ−メタアクリロイル
オキシプロピルトリメトキシシラン１３．５モル％、ｎ
−ブチルアルデヒド（連鎖移動剤）３．８モル％、およ
びターシャリーブチルパーオキシイソプロピルカーボネ
ート（ラジカル発生触媒）５８重量ｐｐｍを加えた。こ
の混合物を高圧ポンプを使って槽状反応器に圧送し、反
応圧力２４５ＭＰａ、反応ピーク温度２６０℃の条件で
重合させ、メルトインデックス６．３ｇ／１０分、γ−
メタアクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン含
有量６．３重量％のエチレン−γ−メタアクリロイルオ
キシプロピルトリメトキシシラン共重合体を得た。
共重合体の準備 （重合例１）エチレン中に、ビニルトリメトキシシラン
８．３モル％、メチルエチルケトン（連鎖移動剤）１．
７モル％、およびジ−ｔ−ブチルパーオキサイド（ラジ
カル発生触媒）２２重量ｐｐｍを加えた。この混合物を
高圧ポンプを使って管状反応器に圧送し、反応圧力２５
０ＭＰａ、反応ピーク温度２２５℃の条件で重合させ、
メルトインデックス２．３ｇ／１０分、ビニルトリメト
キシシラン含有量１．３重量％のエチレン−ビニルトリ
メトキシシラン共重合体を得た。 （重合例２）エチレン中に、ビニルジエトキシエチルシ
ラン６．７モル％、イソプロピルアルコール（連鎖移動
剤）３．２モル％、およびジプロピオニルパーオキサイ
ド（ラジカル発生触媒）５５重量ｐｐｍを加えた。この
混合物を高圧ポンプを使って管状反応器に圧送し、反応
圧力２８０ＭＰａ、反応ピーク温度２２０℃の条件で重
合させ、メルトインデックス４．５ｇ／１０分、ビニル
ジエトキシエチルシラン含有量０．９重量％のエチレン
−ビニルジエトキシエチルシラン共重合体を得た。 （重合比較例１）エチレン中に、ビニルトリエトキシシ
ラン１．３モル％、プロピレン（連鎖移動剤）０．８モ
ル％、およびターシャリブチルパーオキシアセテート
（ラジカル発生触媒）２３重量ｐｐｍを加えた。この混
合物を高圧ポンプを使って管状反応器に圧送し、反応圧
力３００ＭＰａ、反応ピーク温度２３０℃の条件で重合
させ、メルトインデックス０．３ｇ／１０分、ビニルト
リエトキシシラン含有量０．２重量％のエチレン−ビニ
ルトリエトキシシラン共重合体を得た。 （重合比較例２）エチレン中に、γ−メタアクリロイル
オキシプロピルトリメトキシシラン１３．５モル％、ｎ
−ブチルアルデヒド（連鎖移動剤）３．８モル％、およ
びターシャリーブチルパーオキシイソプロピルカーボネ
ート（ラジカル発生触媒）５８重量ｐｐｍを加えた。こ
の混合物を高圧ポンプを使って槽状反応器に圧送し、反
応圧力２４５ＭＰａ、反応ピーク温度２６０℃の条件で
重合させ、メルトインデックス６．３ｇ／１０分、γ−
メタアクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン含
有量６．３重量％のエチレン−γ−メタアクリロイルオ
キシプロピルトリメトキシシラン共重合体を得た。
【００２５】水架橋性内部半導電性樹脂組成物の準備 （水架橋性内部半導電性樹脂組成物１）重合例Ｉで準備
したエチレン−ビニルトリメトキシシラン共重合体１０
０重量部に対して、酸化防止剤であるペンタエリスリト
ールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガ
ノックス１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック
６５重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル
錫ラウレート０．１重量部を配合し、これを１３０℃で
１０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍ
ｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性内部半導電性樹脂組成物２）重合例２で準備
したエチレン−ビニルトリメトキシエチルシラン共重合
体１００重量部に対して、酸化防止剤であるペンタエリ
スリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名
イルガノックス１０１０）０．５重量部、およびファー
ネスブラック８０重量部を配合し、これを１３０℃で１
０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、
高さ３ｍｍの円柱状ペレットを得た。一方、これとは別
に、酢酸ビニル（ＶＡ）含有量２６％のエチレン−酢酸
ビニル共重合体（ＥＶＡ）１００重量部にシラノール縮
合触媒であるジブチル錫ラウレート１重量部を配合し、
これを１３０℃で１０分間バンバリーミキサーで混練し
た後、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとし
た。これらのペレットを前者：後者＝９／１となるよう
に混合した。 （水架橋性内部半導電性樹脂組成物３（比較用））重合
比較例１で準備したエチレン−ビニルトリエトキシシラ
ン共重合体１００重量部に対して、酸化防止剤であるペ
ンタエリスリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕
（商品名イルガノックス１０１０）０．５重量部、アセ
チレンブラック６０重量部、およびシラノール縮合触媒
であるジブチル錫ラウレート０．１重量部を配合し、こ
れを１３０℃で１０分間バンバリーミキサーで混練した
後、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性内部半導電性樹脂組成物４（比較用））重合
比較例２で準備したエチレン−γ−メタアクリロイルオ
キシプロピルトリメトキシシラン共重合体１００重量部
に対して、酸化防止剤であるペンタエリスリトールテト
ラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガノックス
１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック３０重量
部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫ラウレ
ート０．１重量部を配合し、これを１３０℃で１０分間
バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高さ３
ｍｍの円柱状ペレットとした。
したエチレン−ビニルトリメトキシシラン共重合体１０
０重量部に対して、酸化防止剤であるペンタエリスリト
ールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガ
ノックス１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック
６５重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル
錫ラウレート０．１重量部を配合し、これを１３０℃で
１０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍ
ｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性内部半導電性樹脂組成物２）重合例２で準備
したエチレン−ビニルトリメトキシエチルシラン共重合
体１００重量部に対して、酸化防止剤であるペンタエリ
スリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名
イルガノックス１０１０）０．５重量部、およびファー
ネスブラック８０重量部を配合し、これを１３０℃で１
０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、
高さ３ｍｍの円柱状ペレットを得た。一方、これとは別
に、酢酸ビニル（ＶＡ）含有量２６％のエチレン−酢酸
ビニル共重合体（ＥＶＡ）１００重量部にシラノール縮
合触媒であるジブチル錫ラウレート１重量部を配合し、
これを１３０℃で１０分間バンバリーミキサーで混練し
た後、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとし
た。これらのペレットを前者：後者＝９／１となるよう
に混合した。 （水架橋性内部半導電性樹脂組成物３（比較用））重合
比較例１で準備したエチレン−ビニルトリエトキシシラ
ン共重合体１００重量部に対して、酸化防止剤であるペ
ンタエリスリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕
（商品名イルガノックス１０１０）０．５重量部、アセ
チレンブラック６０重量部、およびシラノール縮合触媒
であるジブチル錫ラウレート０．１重量部を配合し、こ
れを１３０℃で１０分間バンバリーミキサーで混練した
後、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性内部半導電性樹脂組成物４（比較用））重合
比較例２で準備したエチレン−γ−メタアクリロイルオ
キシプロピルトリメトキシシラン共重合体１００重量部
に対して、酸化防止剤であるペンタエリスリトールテト
ラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガノックス
１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック３０重量
部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫ラウレ
ート０．１重量部を配合し、これを１３０℃で１０分間
バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高さ３
ｍｍの円柱状ペレットとした。
【００２６】電気絶縁層用樹脂組成物の準備 （電気絶縁層用樹脂組成物１）重合例１のエチレン−ビ
ニルトリメトキシシラン共重合体１００重量部に、酸化
防止剤である４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−
ｍ−クレゾール）（商品名シーノックスＢＣＳ）０．２
重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫ラ
ウレート０．１重量部を配合し、これを１３０℃で１０
分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高
さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （電気絶縁層用樹脂組成物２）重合例２のエチレン−ビ
ニルジエトキシエチルシラン共重合体１００重量部に、
酸化防止剤である４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチ
ル−ｍ−クレゾール）（商品名シーノックスＢＣＳ）
０．２重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチ
ル錫ラウレート１重量部を配合し、これを１３０℃で１
０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、
高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （電気絶縁層用樹脂組成物３）密度０．９２３ｇ／ｃｍ
3、メルトインデックス３．５ｇ／１０分の高圧法低密
度ポリエチレン１００重量部に対して、酸化防止剤とし
て４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾ
ール）（商品名シーノックスＢＣＳ）０．２重量部配合
し、これを１３０℃で１０分間混練した後、直径３ｍ
ｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。次いでこのペ
レットに有機過酸化物であるジクミルパーオキサイド
３．５重量部を添加し、これを６８℃で５時間ゆっくり
撹拌することにより、ペレット内部まで有機過酸化物を
均一に含浸させ、電気絶縁層用樹脂組成物３とした。
ニルトリメトキシシラン共重合体１００重量部に、酸化
防止剤である４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−
ｍ−クレゾール）（商品名シーノックスＢＣＳ）０．２
重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫ラ
ウレート０．１重量部を配合し、これを１３０℃で１０
分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高
さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （電気絶縁層用樹脂組成物２）重合例２のエチレン−ビ
ニルジエトキシエチルシラン共重合体１００重量部に、
酸化防止剤である４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチ
ル−ｍ−クレゾール）（商品名シーノックスＢＣＳ）
０．２重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチ
ル錫ラウレート１重量部を配合し、これを１３０℃で１
０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、
高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （電気絶縁層用樹脂組成物３）密度０．９２３ｇ／ｃｍ
3、メルトインデックス３．５ｇ／１０分の高圧法低密
度ポリエチレン１００重量部に対して、酸化防止剤とし
て４，４´−チオビス−（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾ
ール）（商品名シーノックスＢＣＳ）０．２重量部配合
し、これを１３０℃で１０分間混練した後、直径３ｍ
ｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。次いでこのペ
レットに有機過酸化物であるジクミルパーオキサイド
３．５重量部を添加し、これを６８℃で５時間ゆっくり
撹拌することにより、ペレット内部まで有機過酸化物を
均一に含浸させ、電気絶縁層用樹脂組成物３とした。
【００２７】水架橋正外部半導電層用樹脂組成物の準備 （水架橋性外部半導電性樹脂組成物１）重合例１で準備
したエチレン−ビニルトリメトキシシラン共重合体１０
０重量部、高圧法エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸
ビニル含有量２８重量％、メルトインデックス７ｇ／１
０分）５０重量部、およびアクリロニトリル含有量３０
重量％のアクリロニトリルブタジエンブロック共重合体
１０重量部に、酸化防止剤であるペンタエリスリトール
テトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガノッ
クス１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック７０
重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫ラ
ウレート１重量部を配合し、これを１３０℃で１０分間
バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高さ３
ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性外部半導電性樹脂組成物２）重合例２で準備
したエチレン−ビニルジエトキシエチルシラン共重合体
１００重量部、高圧法エチレン−エチルアクリレート共
重合体（エチルアクリレート含有量２６重量％、メルト
インデックス９ｇ／１０分）３０重量部、およびエチレ
ン−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）−オルガノ
ポリシロキサン混練物２０重量部に、酸化防止剤である
ペンタエリスリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト〕（商品名イルガノックス１０１０）０．５重量部、
アセチレンブラック７０重量部、およびシラノール縮合
触媒であるジブチル錫ラウレート１重量部を配合し、こ
れを１３０℃で１０分間バンバリーミキサーで混練した
後、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性外部半導電性樹脂組成物３（比較用））重合
比較例１で準備したエチレン−ビニルトリメトキシシラ
ン共重合体１００重量部、高圧法エチレン−酢酸ビニル
共重合体（酢酸ビニル含有量２８重量％、メルトインデ
ックス７ｇ／１０分）３０重量部、および高圧法エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）−オルガノポリシロ
キサン混練物２０重量部に、酸化防止剤であるペンタエ
リスリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品
名イルガノックス１０１０）０．５重量部、アセチレン
ブラック７０重量部、およびシラノール縮合触媒である
ジブチル錫ラウレート１重量部を配合し、これを１３０
℃で１０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３
ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性外部半導電性樹脂組成物４（比較用））重合
比較例２で準備したエチレン−γ−メタアクリロイルオ
キシプロピルトリメトキシシラン共重合体１００重量
部、高圧法エチレン−エチルアクリル共重合体（エチル
アクリレート含有量２６重量％、メルトインデックス９
ｇ／１０分）３０重量部、高圧法エチレン−エチルアク
リル共重合体（ＥＥＡ）−オルガノポリシロキサン混練
物２０重量部に、酸化防止剤であるペンタエリスリトー
ルテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガノ
ックス１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック７
０重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫
ラウレート１重量部を配合し、これを１３０℃で１０分
間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高さ
３ｍｍの円柱状ペレットとした。
したエチレン−ビニルトリメトキシシラン共重合体１０
０重量部、高圧法エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸
ビニル含有量２８重量％、メルトインデックス７ｇ／１
０分）５０重量部、およびアクリロニトリル含有量３０
重量％のアクリロニトリルブタジエンブロック共重合体
１０重量部に、酸化防止剤であるペンタエリスリトール
テトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガノッ
クス１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック７０
重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫ラ
ウレート１重量部を配合し、これを１３０℃で１０分間
バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高さ３
ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性外部半導電性樹脂組成物２）重合例２で準備
したエチレン−ビニルジエトキシエチルシラン共重合体
１００重量部、高圧法エチレン−エチルアクリレート共
重合体（エチルアクリレート含有量２６重量％、メルト
インデックス９ｇ／１０分）３０重量部、およびエチレ
ン−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）−オルガノ
ポリシロキサン混練物２０重量部に、酸化防止剤である
ペンタエリスリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト〕（商品名イルガノックス１０１０）０．５重量部、
アセチレンブラック７０重量部、およびシラノール縮合
触媒であるジブチル錫ラウレート１重量部を配合し、こ
れを１３０℃で１０分間バンバリーミキサーで混練した
後、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性外部半導電性樹脂組成物３（比較用））重合
比較例１で準備したエチレン−ビニルトリメトキシシラ
ン共重合体１００重量部、高圧法エチレン−酢酸ビニル
共重合体（酢酸ビニル含有量２８重量％、メルトインデ
ックス７ｇ／１０分）３０重量部、および高圧法エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）−オルガノポリシロ
キサン混練物２０重量部に、酸化防止剤であるペンタエ
リスリトールテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品
名イルガノックス１０１０）０．５重量部、アセチレン
ブラック７０重量部、およびシラノール縮合触媒である
ジブチル錫ラウレート１重量部を配合し、これを１３０
℃で１０分間バンバリーミキサーで混練した後、直径３
ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状ペレットとした。 （水架橋性外部半導電性樹脂組成物４（比較用））重合
比較例２で準備したエチレン−γ−メタアクリロイルオ
キシプロピルトリメトキシシラン共重合体１００重量
部、高圧法エチレン−エチルアクリル共重合体（エチル
アクリレート含有量２６重量％、メルトインデックス９
ｇ／１０分）３０重量部、高圧法エチレン−エチルアク
リル共重合体（ＥＥＡ）−オルガノポリシロキサン混練
物２０重量部に、酸化防止剤であるペンタエリスリトー
ルテトラキス〔３−（２，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネート〕（商品名イルガノ
ックス１０１０）０．５重量部、アセチレンブラック７
０重量部、およびシラノール縮合触媒であるジブチル錫
ラウレート１重量部を配合し、これを１３０℃で１０分
間バンバリーミキサーで混練した後、直径３ｍｍ、高さ
３ｍｍの円柱状ペレットとした。
【００２８】コモン三層押出装置の準備 ダイプレートに２５０メッシュ以上のスクリーンパック
を設置した３台の押出機を準備し、これらを連結するこ
とにより、内部半導電層押出機、絶縁層押出機及び外部
半導電層押出機となるように順次設置したコモン三層ク
ロスヘッドを有する押出装置とした。
を設置した３台の押出機を準備し、これらを連結するこ
とにより、内部半導電層押出機、絶縁層押出機及び外部
半導電層押出機となるように順次設置したコモン三層ク
ロスヘッドを有する押出装置とした。
【００２９】電力ケーブルの製造 実施例１ 上記したように調製された水架橋性内部半導電性樹脂組
成物１、電気絶縁層用樹脂組成物１、および水架橋性外
部半導電性樹脂組成物１を前記コモン三層押出装置のそ
れぞれの押出機に供給した。これらの樹脂組成物は、各
押出機で次の温度で加熱混練した。すなわち、内部半導
電層押出機：１６０℃、絶縁層押出機：１５０℃、外部
半導電層押出機：１６０℃。次いで、混練した樹脂組成
物をコモン三層クロスヘッドのダイスより、硬銅撚線導
体上に、内部半導電層の厚さが１ｍｍ、絶縁層の厚さが
３ｍｍ、外部半導電層の厚さが１ｍｍとなるように、同
時に押出したのち、９０℃の温水中を通過させ、室温で
３０日間放置した。その後、７０℃で減圧（３００ｍｍ
Ｈｇ）下で３０日間乾燥させ、電力ケーブルを得た。得
られた電力ケーブルを観察したところ、内部半導電層と
外部半導電層の表面は平滑であり、しかも、半導電層と
絶縁層との界面は完全に一体化されており、突起は全く
存在しなかった。
成物１、電気絶縁層用樹脂組成物１、および水架橋性外
部半導電性樹脂組成物１を前記コモン三層押出装置のそ
れぞれの押出機に供給した。これらの樹脂組成物は、各
押出機で次の温度で加熱混練した。すなわち、内部半導
電層押出機：１６０℃、絶縁層押出機：１５０℃、外部
半導電層押出機：１６０℃。次いで、混練した樹脂組成
物をコモン三層クロスヘッドのダイスより、硬銅撚線導
体上に、内部半導電層の厚さが１ｍｍ、絶縁層の厚さが
３ｍｍ、外部半導電層の厚さが１ｍｍとなるように、同
時に押出したのち、９０℃の温水中を通過させ、室温で
３０日間放置した。その後、７０℃で減圧（３００ｍｍ
Ｈｇ）下で３０日間乾燥させ、電力ケーブルを得た。得
られた電力ケーブルを観察したところ、内部半導電層と
外部半導電層の表面は平滑であり、しかも、半導電層と
絶縁層との界面は完全に一体化されており、突起は全く
存在しなかった。
【００３０】また、この電力ケーブルは、下記の方法に
より水トリー発生実験を行ったところ、表１に示したよ
うに、水トリー発生が少なく、電力ケーブルの寿命が十
分であることが判明した。 （水トリー発生実験）水架橋性内部半導電性樹脂組成
物、電気絶縁層用樹脂組成物、および水架橋性外部半導
電性樹脂組成物を三層コモン押出機でもって共押出し、
各層の厚さ１ｍｍの三層積層シートを作製する。次い
で、該三層積層シートを９０℃の温水中で１時間加熱
し、室温で３０日間放置し、水架橋させる。その後、９
０℃、３００ｍｍＨｇで２日間乾燥させた後、５００ｍ
ｍ×５００ｍｍの正方形に試料を打抜く。次いで、第１
図に示すように、該試料の中央部を内径３０ｍｍのガラ
ス器具（１）に挟持し、漏水のないように締付けた後、
各々のガラス器具（１）に０．１規定の食塩水（２）を
注入し、電極とする。高圧リード線（３）とアース線
（４）をそれぞれ一方のガラス器具（１）に挿入し、５
ＫＶ、５ＫＨｚの交流電圧を１週間浸水課電する。実験
終了後、直径３０ミリの浸水課電部分を２０×２０×３
ｍｍに打抜き、測定試料とする。該測定試料から第２図
のようにミクロトーム（７）で約０．５ｍｍ厚の試片
（８）を切出し、クリスタルバイオレット２％水溶液で
１０分間染色し、水トリーを観察可能な状態とする。染
色した試片（３×２０×０．５ｍｍ）を４０枚作製し、
このうちの任意の２０枚を３０倍の実体顕微鏡で観察
し、最も水トリーが発生している部分を撮影し、５０倍
の顕微鏡写真２０枚を得る。この写真を使用して水トリ
ーの発生個数を調べ、１ｍｍ当りの発生率を計算する。
また、その際、水トリーの長さを計測し、平均値と最大
値を記録する
より水トリー発生実験を行ったところ、表１に示したよ
うに、水トリー発生が少なく、電力ケーブルの寿命が十
分であることが判明した。 （水トリー発生実験）水架橋性内部半導電性樹脂組成
物、電気絶縁層用樹脂組成物、および水架橋性外部半導
電性樹脂組成物を三層コモン押出機でもって共押出し、
各層の厚さ１ｍｍの三層積層シートを作製する。次い
で、該三層積層シートを９０℃の温水中で１時間加熱
し、室温で３０日間放置し、水架橋させる。その後、９
０℃、３００ｍｍＨｇで２日間乾燥させた後、５００ｍ
ｍ×５００ｍｍの正方形に試料を打抜く。次いで、第１
図に示すように、該試料の中央部を内径３０ｍｍのガラ
ス器具（１）に挟持し、漏水のないように締付けた後、
各々のガラス器具（１）に０．１規定の食塩水（２）を
注入し、電極とする。高圧リード線（３）とアース線
（４）をそれぞれ一方のガラス器具（１）に挿入し、５
ＫＶ、５ＫＨｚの交流電圧を１週間浸水課電する。実験
終了後、直径３０ミリの浸水課電部分を２０×２０×３
ｍｍに打抜き、測定試料とする。該測定試料から第２図
のようにミクロトーム（７）で約０．５ｍｍ厚の試片
（８）を切出し、クリスタルバイオレット２％水溶液で
１０分間染色し、水トリーを観察可能な状態とする。染
色した試片（３×２０×０．５ｍｍ）を４０枚作製し、
このうちの任意の２０枚を３０倍の実体顕微鏡で観察
し、最も水トリーが発生している部分を撮影し、５０倍
の顕微鏡写真２０枚を得る。この写真を使用して水トリ
ーの発生個数を調べ、１ｍｍ当りの発生率を計算する。
また、その際、水トリーの長さを計測し、平均値と最大
値を記録する
【００３１】実施例２ 実施例１において、水架橋性内部半導電性樹脂組成物
１、電気絶縁層用樹脂組成物１及び水架橋性外部半導電
性樹脂組成物１を、それぞれ水架橋性内部半導電性樹脂
組成物２、電気絶縁層用樹脂組成物２及び水架橋性外部
半導電性樹脂組成物２に代えた以外は、実施例１と同様
な実験を行った。実施例１と同様に、良好な結果が得ら
れた。
１、電気絶縁層用樹脂組成物１及び水架橋性外部半導電
性樹脂組成物１を、それぞれ水架橋性内部半導電性樹脂
組成物２、電気絶縁層用樹脂組成物２及び水架橋性外部
半導電性樹脂組成物２に代えた以外は、実施例１と同様
な実験を行った。実施例１と同様に、良好な結果が得ら
れた。
【００３２】実施例３ 水架橋性内部半導電性樹脂組成物２、電気絶縁層用樹脂
組成物２、および水架橋性外部半導電性樹脂組成物２
を、前記コモン三層押出装置のそれぞれの押出機に供給
した。これらの樹脂組成物は、各押出機で次の温度で加
熱混練した。すなわち、内部半導電層押出機：１７０
℃、絶縁層押出機：１３０℃、外部半導電層押出機：１
６０℃。次いで、混練した樹脂組成物をコモン三層クロ
スヘッドのダイスより、硬銅撚線導体上に、内部半導電
層の厚さが１ｍｍ、絶縁層の厚さが５ｍｍ、外部半導電
層の厚さが１ｍｍとなるように、同時に押出したのち、
その下流に位置する架橋管で２３０℃に加熱し、架橋反
応を行い、次いで９０℃の温水中を通過させ、室温で６
０日間放置した。その後、７０℃で減圧（３００ｍｍＨ
ｇ）下で３０日間乾燥させ、電力ケーブルを得た。得ら
れた電力ケーブルを観察したところ、内部半導電層と外
部半導電層の表面は平滑であり、しかも、半導電層と絶
縁層との界面は完全に一体化されており、突起は全く存
在しなかった。また、この電力ケーブルは、実施例１と
同様な方法で水トリー発生実験を行ったところ、表１に
示したように、水トリー発生が少なく、電力ケーブルの
寿命が十分であることが判明した。
組成物２、および水架橋性外部半導電性樹脂組成物２
を、前記コモン三層押出装置のそれぞれの押出機に供給
した。これらの樹脂組成物は、各押出機で次の温度で加
熱混練した。すなわち、内部半導電層押出機：１７０
℃、絶縁層押出機：１３０℃、外部半導電層押出機：１
６０℃。次いで、混練した樹脂組成物をコモン三層クロ
スヘッドのダイスより、硬銅撚線導体上に、内部半導電
層の厚さが１ｍｍ、絶縁層の厚さが５ｍｍ、外部半導電
層の厚さが１ｍｍとなるように、同時に押出したのち、
その下流に位置する架橋管で２３０℃に加熱し、架橋反
応を行い、次いで９０℃の温水中を通過させ、室温で６
０日間放置した。その後、７０℃で減圧（３００ｍｍＨ
ｇ）下で３０日間乾燥させ、電力ケーブルを得た。得ら
れた電力ケーブルを観察したところ、内部半導電層と外
部半導電層の表面は平滑であり、しかも、半導電層と絶
縁層との界面は完全に一体化されており、突起は全く存
在しなかった。また、この電力ケーブルは、実施例１と
同様な方法で水トリー発生実験を行ったところ、表１に
示したように、水トリー発生が少なく、電力ケーブルの
寿命が十分であることが判明した。
【００３３】
【表１】
【００３４】比較例１ 実施例１において、水架橋性内部半導電性樹脂組成物
１、電気絶縁層用樹脂組成物１及び水架橋性外部半導電
性樹脂組成物１を、それぞれ水架橋性内部半導電性樹脂
組成物３、電気絶縁層用樹脂組成物３及び水架橋性外部
半導電性樹脂組成物３に代えた以外は、実施例１と同様
な実験を行った。得られた電力ケーブルは、高温時形状
保持特性、加熱変形率が悪く望ましくなかった。
１、電気絶縁層用樹脂組成物１及び水架橋性外部半導電
性樹脂組成物１を、それぞれ水架橋性内部半導電性樹脂
組成物３、電気絶縁層用樹脂組成物３及び水架橋性外部
半導電性樹脂組成物３に代えた以外は、実施例１と同様
な実験を行った。得られた電力ケーブルは、高温時形状
保持特性、加熱変形率が悪く望ましくなかった。
【００３５】比較例２ 実施例１において、水架橋性内部半導電性樹脂組成物
１、電気絶縁層用樹脂組成物１及び水架橋性外部半導電
性樹脂組成物１を、それぞれ水架橋性内部半導電性樹脂
組成物４、電気絶縁層用樹脂組成物４及び水架橋性外部
半導電性樹脂組成物４に代えた以外は、実施例１と同様
な実験を行った。得られた電力ケーブルは、成形加工性
が悪く、しかもコストアップになり望ましくなかった。
１、電気絶縁層用樹脂組成物１及び水架橋性外部半導電
性樹脂組成物１を、それぞれ水架橋性内部半導電性樹脂
組成物４、電気絶縁層用樹脂組成物４及び水架橋性外部
半導電性樹脂組成物４に代えた以外は、実施例１と同様
な実験を行った。得られた電力ケーブルは、成形加工性
が悪く、しかもコストアップになり望ましくなかった。
【００３６】比較例３ まず、エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有
量２６重量％、メルトインデックス８ｇ／１０分）１０
０重量部に、ビニルメトキシシラン２重量部、およびジ
クミルパーオキサイド０．５重量部を配合し、１８０℃
で２分間加熱混練し、ビニルトリメトキシシラングラフ
トエチレン−酢酸ビニル共重合体を調製した。次いで、
このビニルトリメトキシシラングラフトエチレン−酢酸
ビニル共重合体を水架橋性内部半導電性樹脂組成物１及
び水架橋性外部半導電性樹脂組成物１に配合したエチレ
ン−ビニルトリメトキシシラン共重合体と代え、比較例
３用の内外用半導電性樹脂組成物とした。次に、実施例
１の内外用半導電性樹脂組成物に代えて、この比較例３
用の内外用半導電性樹脂組成物を用い、実施例１と同様
な実験を行った。得られた電力ケーブルを観察したとこ
ろ、内外半導電層の表面は、平滑でなく、水トリーの発
生率が高く、しかも、電力ケーブルの寿命が短く望まし
くなかった。
量２６重量％、メルトインデックス８ｇ／１０分）１０
０重量部に、ビニルメトキシシラン２重量部、およびジ
クミルパーオキサイド０．５重量部を配合し、１８０℃
で２分間加熱混練し、ビニルトリメトキシシラングラフ
トエチレン−酢酸ビニル共重合体を調製した。次いで、
このビニルトリメトキシシラングラフトエチレン−酢酸
ビニル共重合体を水架橋性内部半導電性樹脂組成物１及
び水架橋性外部半導電性樹脂組成物１に配合したエチレ
ン−ビニルトリメトキシシラン共重合体と代え、比較例
３用の内外用半導電性樹脂組成物とした。次に、実施例
１の内外用半導電性樹脂組成物に代えて、この比較例３
用の内外用半導電性樹脂組成物を用い、実施例１と同様
な実験を行った。得られた電力ケーブルを観察したとこ
ろ、内外半導電層の表面は、平滑でなく、水トリーの発
生率が高く、しかも、電力ケーブルの寿命が短く望まし
くなかった。
【００３７】
【発明の効果】本発明においては、電力ケーブルを形成
する内部半導電層又は外部半導電層の少なくとも一つの
半導電層を高圧法ポリエチレン製造装置で共重合して得
られたエチレン−エチレン性不飽和シラン共重合体の水
架橋体と導電性カーボンでもって構成したことにより、
従来の半導電層と比較して、表面が平滑で且つ突起がな
く、その結果、絶縁層に水トリーを発生させないので、
電力ケーブルの寿命を長くする効果がある。
する内部半導電層又は外部半導電層の少なくとも一つの
半導電層を高圧法ポリエチレン製造装置で共重合して得
られたエチレン−エチレン性不飽和シラン共重合体の水
架橋体と導電性カーボンでもって構成したことにより、
従来の半導電層と比較して、表面が平滑で且つ突起がな
く、その結果、絶縁層に水トリーを発生させないので、
電力ケーブルの寿命を長くする効果がある。
【図１】水トリー発生の実験装置の要点を示す図であ
る。
る。
【図２】水トリー発生の実験後、水トリーの発生状態を
観察するために試片を切り出す方法を示す図である。
観察するために試片を切り出す方法を示す図である。
１ ガラス器具 ２ 食塩水 ３ 高圧リード線 ４ アース線 ５ 半導電層 ６ 絶縁体層 ７ ミクロトーム ８ 試片
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エチレンとエチレン性不飽和シラ
ン化合物を高圧法ポリエチレン製造装置で共重合して得
られた、メルトインデックスが０．５〜１０ｇ／１０
分、エチレン性不飽和シラン化合物含有量が０．５〜５
重量％のエチレン−エチレン性不飽和シラン化合物共重
合体１００重量部、（Ｂ）導電性カーボン１５〜８５重
量部、及び（Ｃ）シラノール縮合触媒０．０１〜３．０
重量部を含有することを特徴とする水架橋性の良好な半
導電性樹脂組成物。 - 【請求項２】 導体の周囲に内部半導電層、電気絶縁
層、外部半導電層、およびシールド層の順に構成された
電気ケーブルにおいて、内部半導電層又は外部半導電層
の少なくとも一つの半導電層が請求項１記載の水架橋性
の良好な半導電性樹脂組成物により得られた水架橋体で
構成されていることを特徴とする電力ケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363223A JPH11172057A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物及びこれを用いて製造した電力ケーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363223A JPH11172057A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物及びこれを用いて製造した電力ケーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172057A true JPH11172057A (ja) | 1999-06-29 |
Family
ID=18478805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9363223A Pending JPH11172057A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 水架橋性の良好な半導電性樹脂組成物及びこれを用いて製造した電力ケーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11172057A (ja) |
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-
1997
- 1997-12-15 JP JP9363223A patent/JPH11172057A/ja active Pending
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