JPH1117210A - フォトダイオード及びその製造方法 - Google Patents
フォトダイオード及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1117210A JPH1117210A JP9180737A JP18073797A JPH1117210A JP H1117210 A JPH1117210 A JP H1117210A JP 9180737 A JP9180737 A JP 9180737A JP 18073797 A JP18073797 A JP 18073797A JP H1117210 A JPH1117210 A JP H1117210A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photodiode
- waveguide
- light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚さの薄いｉ層に対してより多くの光を入射
できる手段を提供する。 【解決手段】 ｐ層６とｎ層２の間にｉ層３を設けたｐ
ｉｎ接合型のフォトダイオード１０において，一端面が
光の受光面５’に形成され，他端面がｉ層３に原子的に
接合された導波路５を設けたことを特徴とする。このフ
ォトダイオード１０では，受光面５’に入射された光は
導波路５内を伝送された後，ｉ層３に入射される。従っ
て受光面５’を厚く形成しておけば，ｉ層３の端面に光
を直接照射した場合に比べてより多くの光をｉ層３に入
射することが可能となる。
できる手段を提供する。 【解決手段】 ｐ層６とｎ層２の間にｉ層３を設けたｐ
ｉｎ接合型のフォトダイオード１０において，一端面が
光の受光面５’に形成され，他端面がｉ層３に原子的に
接合された導波路５を設けたことを特徴とする。このフ
ォトダイオード１０では，受光面５’に入射された光は
導波路５内を伝送された後，ｉ層３に入射される。従っ
て受光面５’を厚く形成しておけば，ｉ層３の端面に光
を直接照射した場合に比べてより多くの光をｉ層３に入
射することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えば光ファイバ
ーを用いた光通信用の受光素子として使用されるフォト
ダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）に関する。
ーを用いた光通信用の受光素子として使用されるフォト
ダイオード（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は年々大容量化が進み，それに伴
って光の信号を電気信号に変換するためのｐｉｎ接合型
フォトダイオードやアバランシェダイオードには，益々
の高速化が求められている。特にｐｉｎ接合型フォトダ
イオードは，高速化が比較的容易であることから開発が
盛んに行われてきた。
って光の信号を電気信号に変換するためのｐｉｎ接合型
フォトダイオードやアバランシェダイオードには，益々
の高速化が求められている。特にｐｉｎ接合型フォトダ
イオードは，高速化が比較的容易であることから開発が
盛んに行われてきた。
【０００３】図７に示すように，ｐｉｎ接合型フォトダ
イオードは，半絶縁性基板２１の表面においてｐ層２２
とｎ層２３の間にｉ層２４を設けた構造を有している。
図示の例では，ｐ層２２の表面に上部電極２５を設け，
ｎ層２３の表面に下部電極２６を設けている。このｐｉ
ｎ接合型フォトダイオードに逆バイアスを印加してｉ層
２４中を空乏化する。そして光を入射すると電子正孔対
が発生し，電界により電極に到達して信号電流として検
出される。
イオードは，半絶縁性基板２１の表面においてｐ層２２
とｎ層２３の間にｉ層２４を設けた構造を有している。
図示の例では，ｐ層２２の表面に上部電極２５を設け，
ｎ層２３の表面に下部電極２６を設けている。このｐｉ
ｎ接合型フォトダイオードに逆バイアスを印加してｉ層
２４中を空乏化する。そして光を入射すると電子正孔対
が発生し，電界により電極に到達して信号電流として検
出される。
【０００４】このｐｉｎ接合型フォトダイオードの応答
速度を早くするためには，ｉ層を薄くして電界強度を高
くすれば良いが，そうすると逆耐圧電圧が低下するので
ｉ層を薄くすることには限界がある。またｉ層を薄くす
ると吸収される光の量も減少するので感度が劣化する。
そこで従来，図７に示すように，ｐｉｎ接合型フォトダ
イオードの横からｉ層に光を入射させることによって，
光を吸収する距離を長くする方法が考えられている。こ
の方法は，ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， Ｖｏｌ． ２８，
Ｎｏ．１２，２７２８−２７３５ （１９９２）に開示
されている。
速度を早くするためには，ｉ層を薄くして電界強度を高
くすれば良いが，そうすると逆耐圧電圧が低下するので
ｉ層を薄くすることには限界がある。またｉ層を薄くす
ると吸収される光の量も減少するので感度が劣化する。
そこで従来，図７に示すように，ｐｉｎ接合型フォトダ
イオードの横からｉ層に光を入射させることによって，
光を吸収する距離を長くする方法が考えられている。こ
の方法は，ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， Ｖｏｌ． ２８，
Ｎｏ．１２，２７２８−２７３５ （１９９２）に開示
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの方法は，厚
さが薄いｉ層の横から光を入射させるので，受光損失が
大きいという問題がある。例えば光通信において使用さ
れる光ファイバーのコアの直径は数μｍ〜数百μｍ程度
あり，この光ファイバーで伝送された直径が数μｍ以上
もある光を，通常は1μｍ以下程度の厚さしか有してい
ないｉ層に入射させるのでは，受光損失が大き過ぎ，変
換効率が小さくなってしまう。
さが薄いｉ層の横から光を入射させるので，受光損失が
大きいという問題がある。例えば光通信において使用さ
れる光ファイバーのコアの直径は数μｍ〜数百μｍ程度
あり，この光ファイバーで伝送された直径が数μｍ以上
もある光を，通常は1μｍ以下程度の厚さしか有してい
ないｉ層に入射させるのでは，受光損失が大き過ぎ，変
換効率が小さくなってしまう。
【０００６】従って本発明の目的は，厚さの薄いｉ層に
対してより多くの光を入射できる手段を提供することに
ある。
対してより多くの光を入射できる手段を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に，請求項１の発明は，ｐ層とｎ層の間にｉ層を設けた
ｐｉｎ接合型のフォトダイオードにおいて，一端面が光
の受光面に形成され，他端面が前記ｉ層に原子的に接合
された導波路を設けたことを特徴とする。
に，請求項１の発明は，ｐ層とｎ層の間にｉ層を設けた
ｐｉｎ接合型のフォトダイオードにおいて，一端面が光
の受光面に形成され，他端面が前記ｉ層に原子的に接合
された導波路を設けたことを特徴とする。
【０００８】この請求項１のフォトダイオードでは，光
は先ず導波路の一端面に形成された受光面に入射され
る。こうして光は導波路内を伝送された後，次にｉ層に
入射される。従ってこの請求項１のフォトダイオードに
おいて，導波路の一端面に形成された受光面を厚く形成
しておけば，例えば光ファイバーなどで伝送された直径
が数μｍ以上の光を，厚い受光面で損失少なく受光でき
るようになる。そして，こうして受光面で損失少なく受
光した光を導波路内にて伝送させｉ層に入射させること
により，ｉ層により多くの光を入射することが可能とな
る。
は先ず導波路の一端面に形成された受光面に入射され
る。こうして光は導波路内を伝送された後，次にｉ層に
入射される。従ってこの請求項１のフォトダイオードに
おいて，導波路の一端面に形成された受光面を厚く形成
しておけば，例えば光ファイバーなどで伝送された直径
が数μｍ以上の光を，厚い受光面で損失少なく受光でき
るようになる。そして，こうして受光面で損失少なく受
光した光を導波路内にて伝送させｉ層に入射させること
により，ｉ層により多くの光を入射することが可能とな
る。
【０００９】この請求項１のフォトダイオードにおい
て，請求項２に記載したように，前記導波路が，バンド
ギャップが前記ｉ層よりも大きく，格子定数が前記フォ
トダイオードの基板とほぼ等しい結晶性半導体で構成さ
れることが好ましい。導波路のバンドギャップをｉ層よ
りも大きくしておけば，本来ｉ層で吸収されるべき光の
エネルギーを導波路で吸収してしまうことを防止でき
る。また，格子定数がフォトダイオードの基板とほぼ等
しい結晶性半導体で導波路を構成することによって，導
波路内に入射された光のエネルギーをｉ層に効率よく伝
達できる。具体的には，例えば請求項３に記載したよう
に，基板がＩｎＰの場合上記ｉ層をＩｎＧａＡｓとし，
前記導波路をＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＰ，ＩｎＡｌＡｓ，
ＩｎＧａＡｌＡｓのいずれかとすることができる。ま
た，例えば請求項４に記載したように，基板がＧａＡｓ
の場合上記ｉ層をＧａＡｓとし，前記導波路がＡｌＧａ
Ａｓ，ＩｎＧａＰのいずれかとすることができる。
て，請求項２に記載したように，前記導波路が，バンド
ギャップが前記ｉ層よりも大きく，格子定数が前記フォ
トダイオードの基板とほぼ等しい結晶性半導体で構成さ
れることが好ましい。導波路のバンドギャップをｉ層よ
りも大きくしておけば，本来ｉ層で吸収されるべき光の
エネルギーを導波路で吸収してしまうことを防止でき
る。また，格子定数がフォトダイオードの基板とほぼ等
しい結晶性半導体で導波路を構成することによって，導
波路内に入射された光のエネルギーをｉ層に効率よく伝
達できる。具体的には，例えば請求項３に記載したよう
に，基板がＩｎＰの場合上記ｉ層をＩｎＧａＡｓとし，
前記導波路をＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＰ，ＩｎＡｌＡｓ，
ＩｎＧａＡｌＡｓのいずれかとすることができる。ま
た，例えば請求項４に記載したように，基板がＧａＡｓ
の場合上記ｉ層をＧａＡｓとし，前記導波路がＡｌＧａ
Ａｓ，ＩｎＧａＰのいずれかとすることができる。
【００１０】そして，請求項５の発明は，基板の表面に
ｎ層を設ける工程と，該ｎ層の表面にｉ層を設ける工程
と，ｉ層の端面に原子的に接合させて導波路を設ける工
程と，ｉ層の表面にｐ層を設ける工程とを備えることを
特徴とするフォトダイオードの製造方法である。この請
求項５の方法によって，上記請求項１〜４のフォトダイ
オードを製造することができる。
ｎ層を設ける工程と，該ｎ層の表面にｉ層を設ける工程
と，ｉ層の端面に原子的に接合させて導波路を設ける工
程と，ｉ層の表面にｐ層を設ける工程とを備えることを
特徴とするフォトダイオードの製造方法である。この請
求項５の方法によって，上記請求項１〜４のフォトダイ
オードを製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に，本発明の好ましい実施の形
態の一例として，波長が１．５５μｍの光を受光するフ
ォトダイオードを，その製造順序に従って説明する。
態の一例として，波長が１．５５μｍの光を受光するフ
ォトダイオードを，その製造順序に従って説明する。
【００１２】先ず図１に示すように，基板１の表面にｎ
層２と光吸収層であるｉ層３を有機金属化学気相成長
（ＭＯＣＶＤ）法により順次成長させる。これらｎ層２
とｉ層３の成長はエピタキシー成長である。この実施の
形態では，基板１は，半絶縁性（Ｓｅｍｉ Ｉｎｓｕｌ
ａｔｉｏｎ）であるＩｎＰからなる。ｎ層２は，高濃度
のドーピングをしたｎ+-ＩｎＰからなる。ｉ層３は，ｎ
層２に格子整合させたＩｎＧａＡｓからなる。
層２と光吸収層であるｉ層３を有機金属化学気相成長
（ＭＯＣＶＤ）法により順次成長させる。これらｎ層２
とｉ層３の成長はエピタキシー成長である。この実施の
形態では，基板１は，半絶縁性（Ｓｅｍｉ Ｉｎｓｕｌ
ａｔｉｏｎ）であるＩｎＰからなる。ｎ層２は，高濃度
のドーピングをしたｎ+-ＩｎＰからなる。ｉ層３は，ｎ
層２に格子整合させたＩｎＧａＡｓからなる。
【００１３】次に，ＳｉＯ2やＳｉＮx等からなる絶縁膜
４をＣＶＤ法等によりｉ層３の表面全体に一様に堆積
し，後にｐ層６を成長させる部分を通常のフォトリソグ
ラフィーによりパターン形成させる。そしてこのパター
ンをマスクにして硫酸系エッチャントによりエッチング
し，図２に示すように，ｉ層３を選択的に除去する。
４をＣＶＤ法等によりｉ層３の表面全体に一様に堆積
し，後にｐ層６を成長させる部分を通常のフォトリソグ
ラフィーによりパターン形成させる。そしてこのパター
ンをマスクにして硫酸系エッチャントによりエッチング
し，図２に示すように，ｉ層３を選択的に除去する。
【００１４】次に，再び全面に絶縁膜４を堆積して，フ
ォトリソグラフィーにより，ｉ層３の一端面と，該一端
面に続くｎ層２の表面の一部を露出させるようにパター
ン形成させる。そして図３に示すように，露出させたｉ
層３の端面とｎ層２の表面に導波路５を所定の膜厚に成
長させることにより，導波路５をｉ層３の端面に原子的
に接合させる。この導波路５の成長もエピタキシー成長
である。導波路５は，ＩｎＧａＡｓからなるｉ層３より
もバンドギャップが大きく，かつ，ＩｎＰからなる基板
１と格子定数がほぼ等しい結晶性半導体で構成され，こ
の実施の形態では，導波路５はＩｎＧａＡｓＰからな
る。導波路５の厚さはｉ層３よりも厚くすることが好ま
しく，通常はｉ層３の厚さが1μｍ以下程度であるのに
対して，導波路５の厚さは２〜５μｍ程度にするのが良
い。
ォトリソグラフィーにより，ｉ層３の一端面と，該一端
面に続くｎ層２の表面の一部を露出させるようにパター
ン形成させる。そして図３に示すように，露出させたｉ
層３の端面とｎ層２の表面に導波路５を所定の膜厚に成
長させることにより，導波路５をｉ層３の端面に原子的
に接合させる。この導波路５の成長もエピタキシー成長
である。導波路５は，ＩｎＧａＡｓからなるｉ層３より
もバンドギャップが大きく，かつ，ＩｎＰからなる基板
１と格子定数がほぼ等しい結晶性半導体で構成され，こ
の実施の形態では，導波路５はＩｎＧａＡｓＰからな
る。導波路５の厚さはｉ層３よりも厚くすることが好ま
しく，通常はｉ層３の厚さが1μｍ以下程度であるのに
対して，導波路５の厚さは２〜５μｍ程度にするのが良
い。
【００１５】次に図４に示すように，絶縁膜４をエッチ
ングで除去した後，表面全体にｐ層６を成長させる。こ
のｐ層６の成長もエピタキシー成長である。この実施の
形態では，ｐ層６は，高濃度のドーピングをしたｐ+-Ｉ
ｎＰからなる。
ングで除去した後，表面全体にｐ層６を成長させる。こ
のｐ層６の成長もエピタキシー成長である。この実施の
形態では，ｐ層６は，高濃度のドーピングをしたｐ+-Ｉ
ｎＰからなる。
【００１６】次に，ｐ層６の表面全体に絶縁膜４を一様
に堆積した後，ｉ層３上に設けたｐ層６の部分を通常の
フォトリソグラフィーによりパターン形成させる。そし
てこのパターンをマスクにして硫酸系エッチャントによ
りエッチングし，図５に示すように，ｐ層６を選択的に
除去する。
に堆積した後，ｉ層３上に設けたｐ層６の部分を通常の
フォトリソグラフィーによりパターン形成させる。そし
てこのパターンをマスクにして硫酸系エッチャントによ
りエッチングし，図５に示すように，ｐ層６を選択的に
除去する。
【００１７】そして絶縁膜４を除去した後，図６に示す
ように，ｐ層６の表面に上部電極７を設けると共に，ｎ
層２の表面に下部電極８を設ける。これら上部電極７と
下部電極８の設置は，表面全体に電極材料を蒸着した
後，上部電極７と下部電極８に対応する部分を残してエ
ッチングにより不要な部分を除去することにより行うこ
とができる。電極材料としては，例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕが用いられる。
ように，ｐ層６の表面に上部電極７を設けると共に，ｎ
層２の表面に下部電極８を設ける。これら上部電極７と
下部電極８の設置は，表面全体に電極材料を蒸着した
後，上部電極７と下部電極８に対応する部分を残してエ
ッチングにより不要な部分を除去することにより行うこ
とができる。電極材料としては，例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕが用いられる。
【００１８】最後に，光の入射面に相当する導波路５の
端面を僻開（へき開）して受光面５’を形成することに
より，フォトダイオード１０が完成する。
端面を僻開（へき開）して受光面５’を形成することに
より，フォトダイオード１０が完成する。
【００１９】以上のように構成されたフォトダイオード
１０において，波長が１．５５μｍの光を受光面５’に
横から照射すると，光は先ず受光面５’を介して導波路
５に入射され，導波路５内を伝送された後，次にｉ層３
に入射される。これにより，上部電極７と下部電極８の
間で信号電流が検出される。この実施の形態のフォトダ
イオード１０によれば，導波路５の厚さをｉ層３よりも
厚くしておけば，幅の広い受光面５’によって大量の光
を損失少なく受光できるようになる。そして，こうして
受光面５’で受光した光を導波路５内に伝送させｉ層３
に入射させることにより，ｉ層３の端面に光を直接照射
した場合に比べてより多くの光をｉ層３に入射すること
が可能となる。
１０において，波長が１．５５μｍの光を受光面５’に
横から照射すると，光は先ず受光面５’を介して導波路
５に入射され，導波路５内を伝送された後，次にｉ層３
に入射される。これにより，上部電極７と下部電極８の
間で信号電流が検出される。この実施の形態のフォトダ
イオード１０によれば，導波路５の厚さをｉ層３よりも
厚くしておけば，幅の広い受光面５’によって大量の光
を損失少なく受光できるようになる。そして，こうして
受光面５’で受光した光を導波路５内に伝送させｉ層３
に入射させることにより，ｉ層３の端面に光を直接照射
した場合に比べてより多くの光をｉ層３に入射すること
が可能となる。
【００２０】ここで，導波路５を構成しているＩｎＧａ
ＡｓＰは，ｉ層３を構成しているＩｎＧａＡｓよりもバ
ンドギャップが広く，導波路５に入射した波長１．５５
μｍの光は導波路５では吸収されず，ｉ層３に到達して
吸収されることになる。従って，この実施の形態のフォ
トダイオード１０によれば，導波路５の厚さを５μｍ程
度にすることにより，例えば光ファイバーなどから出た
光の大部分を導波路５に損失少なく入射させてｉ層３へ
導くことができるので，感度の高い光の検出ができるよ
うになる。
ＡｓＰは，ｉ層３を構成しているＩｎＧａＡｓよりもバ
ンドギャップが広く，導波路５に入射した波長１．５５
μｍの光は導波路５では吸収されず，ｉ層３に到達して
吸収されることになる。従って，この実施の形態のフォ
トダイオード１０によれば，導波路５の厚さを５μｍ程
度にすることにより，例えば光ファイバーなどから出た
光の大部分を導波路５に損失少なく入射させてｉ層３へ
導くことができるので，感度の高い光の検出ができるよ
うになる。
【００２１】なお，ｉ層３をＩｎＧａＡｓとし，導波路
５をＩｎＧａＡｓＰとした例について説明したが，その
他の例として，ｉ層３をＩｎＧａＡｓとした場合は，導
波路５をＩｎＰ，ＩｎＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｌＡｓなど
としても良い。また，ｉ層３をＧａＡｓとし，導波路５
をＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＰなどとしても良い。いずれ
にしても，導波路５は，バンドギャップがｉ層３よりも
大きく，格子定数が基板１とほぼ等しい結晶性半導体で
構成することが好ましい。
５をＩｎＧａＡｓＰとした例について説明したが，その
他の例として，ｉ層３をＩｎＧａＡｓとした場合は，導
波路５をＩｎＰ，ＩｎＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｌＡｓなど
としても良い。また，ｉ層３をＧａＡｓとし，導波路５
をＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＰなどとしても良い。いずれ
にしても，導波路５は，バンドギャップがｉ層３よりも
大きく，格子定数が基板１とほぼ等しい結晶性半導体で
構成することが好ましい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば，導波路の厚さをｉ層よ
りも厚くすることにより，幅の広い受光面によって大量
の光を損失少なく受光してｉ層に入射させることができ
るので，ｉ層の端面に光を直接照射した場合に比べてよ
り多くの光をｉ層に入射することが可能となる。従っ
て，感度の高い光の検出ができるようになる。
りも厚くすることにより，幅の広い受光面によって大量
の光を損失少なく受光してｉ層に入射させることができ
るので，ｉ層の端面に光を直接照射した場合に比べてよ
り多くの光をｉ層に入射することが可能となる。従っ
て，感度の高い光の検出ができるようになる。
【図１】基板の表面にｎ層とｉ層を成長させた状態の説
明図である。
明図である。
【図２】フォトリソグラフィーによりｉ層を選択的に除
去した状態の説明図である。
去した状態の説明図である。
【図３】ｉ層の端面とｎ層の表面に導波路を成長させた
状態の説明図である。
状態の説明図である。
【図４】表面全体にｐ層を成長させた状態の説明図であ
る。
る。
【図５】ｐ層を選択的に除去した状態の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかるフォトダイオード
の説明図である。
の説明図である。
【図７】従来のｐｉｎ接合型フォトダイオードの説明図
である。
である。
１ 基板 ２ ｎ層 ３ ｉ層 ４ 絶縁膜 ５ 導波路 ５’ 受光面 ６ ｐ層 ７ 上部電極 ８ 下部電極 １０ フォトダイオード
Claims (5)
- 【請求項１】 ｐ層とｎ層の間にｉ層を設けたｐｉｎ接
合型のフォトダイオードにおいて，一端面が光の受光面
に形成され，他端面が前記ｉ層に原子的に接合された導
波路を設けたことを特徴とするフォトダイオード。 - 【請求項２】 前記導波路が，バンドギャップが前記ｉ
層よりも大きく，格子定数が前記フォトダイオードの基
板とほぼ等しい結晶性半導体で構成されることを特徴と
する請求項１に記載のフォトダイオード。 - 【請求項３】 上記基板がＩｎＰであり，ｉ層がＩｎＧ
ａＡｓであり，前記導波路がＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＰ，
ＩｎＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｌＡｓのいずれかであること
を特徴とする請求項２に記載のフォトダイオード。 - 【請求項４】 上記基板がＧａＡｓであり，ｉ層がＧａ
Ａｓであり，前記導波路がＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＰの
いずれかであることを特徴とする請求項２に記載のフォ
トダイオード。 - 【請求項５】 基板の表面にｎ層を設ける工程と，該ｎ
層の表面にｉ層を設ける工程と，ｉ層の端面に原子的に
接合させて導波路を設ける工程と，ｉ層の表面にｐ層を
設ける工程とを備えることを特徴とするフォトダイオー
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180737A JPH1117210A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | フォトダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180737A JPH1117210A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | フォトダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117210A true JPH1117210A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16088439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9180737A Withdrawn JPH1117210A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | フォトダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1117210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174187A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | 薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| KR100636093B1 (ko) * | 1999-07-12 | 2006-10-19 | 삼성전자주식회사 | 광검출기 디바이스 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9180737A patent/JPH1117210A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100636093B1 (ko) * | 1999-07-12 | 2006-10-19 | 삼성전자주식회사 | 광검출기 디바이스 및 그 제조방법 |
| JP2003174187A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | 薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4220688B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| US8994004B2 (en) | Hybrid silicon optoelectronic device and method of formation | |
| US6104047A (en) | Avalanche photodiode with thin built-in depletion region | |
| US10312390B2 (en) | Light receiving device and method of producing light receiving device | |
| US5942771A (en) | Semiconductor photodetector | |
| JP3675223B2 (ja) | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 | |
| JPH09283786A (ja) | 導波路型半導体受光素子とその製造方法 | |
| CN100433341C (zh) | 半导体光接收器件 | |
| JP5197930B2 (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JP2730472B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP4094471B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPH08274366A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH07118548B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族多元化合物半導体ｐｉｎフオトダイオ−ド | |
| JP3031238B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2004179404A (ja) | 半導体受光装置およびその製造方法 | |
| Miura et al. | Planar embedded InP/GaInAs pin photodiode for very high-speed operation | |
| US7687874B2 (en) | Surface illuminated photodiode and optical receiver module | |
| JP2638445B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| US20250194293A1 (en) | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices | |
| US12009450B2 (en) | Optical receiving element and manufacturing method therefor | |
| JP2002299677A (ja) | 半導体受光素子 | |
| Zheng | Long-wavelength, high-speed avalanche photodiodes and APD arrays | |
| JPS6149484A (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH04137565A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH0992872A (ja) | 導波路型半導体受光器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |