JPH1117331A - 可撓性回路基板の製造法 - Google Patents
可撓性回路基板の製造法Info
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- JPH1117331A JPH1117331A JP18573697A JP18573697A JPH1117331A JP H1117331 A JPH1117331 A JP H1117331A JP 18573697 A JP18573697 A JP 18573697A JP 18573697 A JP18573697 A JP 18573697A JP H1117331 A JPH1117331 A JP H1117331A
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】メッキリ−ド等を用いることなくＩＣチップ等
の回路部品との接続の為のバンプを形成可能な可撓性回
路基板の製造法を提供する。 【解決手段】導電箔１の一方面に設けられた可撓性絶縁
べ−ス材２の所定箇所にバンプ形成の為の開口３を適数
個形成し、導電箔１の他方面にマスク層４を形成し、電
解メッキ手段で開口３にバンプ５を形成した後、バンプ
５の表面に耐食性の高い金属層を形成し、その後に回路
配線パタ−ン１Ａ，１Ｂを形成する。
の回路部品との接続の為のバンプを形成可能な可撓性回
路基板の製造法を提供する。 【解決手段】導電箔１の一方面に設けられた可撓性絶縁
べ−ス材２の所定箇所にバンプ形成の為の開口３を適数
個形成し、導電箔１の他方面にマスク層４を形成し、電
解メッキ手段で開口３にバンプ５を形成した後、バンプ
５の表面に耐食性の高い金属層を形成し、その後に回路
配線パタ−ン１Ａ，１Ｂを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可撓性回路基板の
製造法に関し、特には、メッキリ−ド等を用いることな
くＩＣチップ等の回路部品との接続の為のバンプを形成
可能な可撓性回路基板の製造法に関する。
製造法に関し、特には、メッキリ−ド等を用いることな
くＩＣチップ等の回路部品との接続の為のバンプを形成
可能な可撓性回路基板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のバンプ付き可撓性回路基板を製
作するには、従来、先ず所望の回路配線パタ−ンを形成
した後、それらの回路配線パタ−ンを保護する為の表面
保護層を積層し、次いで、例えばその表面保護層側にバ
ンプを形成する為の開口を形成し、また、他方面の絶縁
べ−ス材側には接続ランドの為の他の開口を形成すると
いう手法を採用する場合がある。
作するには、従来、先ず所望の回路配線パタ−ンを形成
した後、それらの回路配線パタ−ンを保護する為の表面
保護層を積層し、次いで、例えばその表面保護層側にバ
ンプを形成する為の開口を形成し、また、他方面の絶縁
べ−ス材側には接続ランドの為の他の開口を形成すると
いう手法を採用する場合がある。
【０００３】このような手法では、バンプを電解メッキ
で形成する為に、バンプの形成面ではない側にマスクを
施した後、上記開口にメッキ手段でバンプを形成し、更
には上記マスクを除去して、バンプ側にマスクを設けた
状態で、上記開口に露出したランド部位に所要のメッキ
を施し、最後にバンプ側の上記マスクを除去して製品を
得るものである。
で形成する為に、バンプの形成面ではない側にマスクを
施した後、上記開口にメッキ手段でバンプを形成し、更
には上記マスクを除去して、バンプ側にマスクを設けた
状態で、上記開口に露出したランド部位に所要のメッキ
を施し、最後にバンプ側の上記マスクを除去して製品を
得るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記の手法では、電解
メッキの為のマスクの貼り合わせと除去を繰り返し行う
必要があって、工程が複雑となり製造コストが高い。ま
た、バンプの数が増加してバンプのピッチが狭くなる
と、メッキリ−ドの引き出しが困難となり回路設計に制
約が発生したり、或いはメッキリ−ドを引き出すことが
できず製作が不可能となる場合もあった。
メッキの為のマスクの貼り合わせと除去を繰り返し行う
必要があって、工程が複雑となり製造コストが高い。ま
た、バンプの数が増加してバンプのピッチが狭くなる
と、メッキリ−ドの引き出しが困難となり回路設計に制
約が発生したり、或いはメッキリ−ドを引き出すことが
できず製作が不可能となる場合もあった。
【０００５】そして、このようにバンプの数が増加して
バンプのピッチが狭くなると、メッキリ−ドの導体幅と
数量に制限が生じ、メッキ電流に分布が発生してバンプ
形成の為の一様なメッキの成長を阻害するという問題が
あった。
バンプのピッチが狭くなると、メッキリ−ドの導体幅と
数量に制限が生じ、メッキ電流に分布が発生してバンプ
形成の為の一様なメッキの成長を阻害するという問題が
あった。
【０００６】そこで本発明は、メッキリ−ド等を用いる
ことなくＩＣチップ等の回路部品との接続の為のバンプ
を高い精度で形成可能な可撓性回路基板の製造法を提供
するものである。
ことなくＩＣチップ等の回路部品との接続の為のバンプ
を高い精度で形成可能な可撓性回路基板の製造法を提供
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】その為に本発明による可
撓性回路基板の製造法では、導電箔の一方面に設けられ
た可撓性絶縁べ−ス材の所定箇所にバンプ形成の為の開
口を適数個形成すると共に、前記導電箔の他方面にマス
ク層を形成し、次いで電解メッキ手段で前記開口にバン
プを形成した後、このバンプの表面に耐食性の高い金属
層を形成し、その後前記バンプとの関連で前記導電箔に
対して所要の回路配線パタ−ンを形成することを特徴と
するものである。
撓性回路基板の製造法では、導電箔の一方面に設けられ
た可撓性絶縁べ−ス材の所定箇所にバンプ形成の為の開
口を適数個形成すると共に、前記導電箔の他方面にマス
ク層を形成し、次いで電解メッキ手段で前記開口にバン
プを形成した後、このバンプの表面に耐食性の高い金属
層を形成し、その後前記バンプとの関連で前記導電箔に
対して所要の回路配線パタ−ンを形成することを特徴と
するものである。
【０００８】ここで、前記耐食性の高い金属層は電解メ
ッキ手段か又は無電解メッキ手段で形成することがで
き、そして、前記バンプが形成される反対側の前記回路
配線パタ−ン表面に所要の表面保護層を形成しながら所
要の接続用ランド又はパッドを形成することもできる。
ッキ手段か又は無電解メッキ手段で形成することがで
き、そして、前記バンプが形成される反対側の前記回路
配線パタ−ン表面に所要の表面保護層を形成しながら所
要の接続用ランド又はパッドを形成することもできる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
を更に説明する。図１の（１）〜（７）は、本発明によ
る可撓性回路基板の製造工程図であり、先ず、同図
（１）のように、例えば可撓性片面銅張板等を用いて銅
箔等の導電箔１の一方面に可撓性絶縁べ−ス材２を有す
る材料を用意する。
を更に説明する。図１の（１）〜（７）は、本発明によ
る可撓性回路基板の製造工程図であり、先ず、同図
（１）のように、例えば可撓性片面銅張板等を用いて銅
箔等の導電箔１の一方面に可撓性絶縁べ−ス材２を有す
る材料を用意する。
【００１０】そこで、同図（２）の如く、可撓性絶縁べ
−ス材２の所定の箇所にレ−ザ−等の手段で所定の径と
ピッチでバンプ形成の為の開口３を適数個形成し、ま
た、導電箔１の外面にはマスク層４を一様に形成する。
−ス材２の所定の箇所にレ−ザ−等の手段で所定の径と
ピッチでバンプ形成の為の開口３を適数個形成し、ま
た、導電箔１の外面にはマスク層４を一様に形成する。
【００１１】次に、同図（３）の如く、電解メッキ手段
で開口３にメッキを施してバンプ５を形成する。このよ
うな手段により、バンプ５の直径を１００μｍ以下、そ
れらのピッチを１５０μｍ以下に形成することができ
る。
で開口３にメッキを施してバンプ５を形成する。このよ
うな手段により、バンプ５の直径を１００μｍ以下、そ
れらのピッチを１５０μｍ以下に形成することができ
る。
【００１２】このようなバンプ５の表面には、次いで、
電解メッキ手段か又は無電解メッキ手段を用いて、金、
白金、タングステン、チタン、半田或いはロジウム等の
耐食性の高い金属層を形成する。
電解メッキ手段か又は無電解メッキ手段を用いて、金、
白金、タングステン、チタン、半田或いはロジウム等の
耐食性の高い金属層を形成する。
【００１３】そこで、同図（４）の如く、マスク層４を
除去し、次いで、ドライフィルムの材料を用いてこれに
露光・現像処理を加えて所望の回路配線パタ−ン形成の
為のレジスト層４Ａ、４Ｂを形成する。
除去し、次いで、ドライフィルムの材料を用いてこれに
露光・現像処理を加えて所望の回路配線パタ−ン形成の
為のレジスト層４Ａ、４Ｂを形成する。
【００１４】次に、エッチング処理を加え、また、不要
なレジスト層４Ａ、４Ｂを除去することにより、同図
（５）の如く、各バンプ５との関連で所望の回路配線パ
タ−ン１Ａ、１Ｂを形成することができる。
なレジスト層４Ａ、４Ｂを除去することにより、同図
（５）の如く、各バンプ５との関連で所望の回路配線パ
タ−ン１Ａ、１Ｂを形成することができる。
【００１５】次いで、同図（６）の如く、回路配線パタ
−ン１Ａ、１Ｂの外面に於ける所定の箇所に所望の形状
でカバ−フィルム等を積層することにより、表面保護層
６を形成することができ、また、その際に回路配線パタ
−ン１Ａ、１Ｂの所定の箇所を露出させて得られる接続
用ランド又はパッド７を形成できる。
−ン１Ａ、１Ｂの外面に於ける所定の箇所に所望の形状
でカバ−フィルム等を積層することにより、表面保護層
６を形成することができ、また、その際に回路配線パタ
−ン１Ａ、１Ｂの所定の箇所を露出させて得られる接続
用ランド又はパッド７を形成できる。
【００１６】なお、同図（７）の如く、バンプ５及び接
続用ランド又はパッド７の部位には金等の材料を用いた
端子表面処理の為の無電解メッキ層８、９を形成するこ
とも勿論可能である。
続用ランド又はパッド７の部位には金等の材料を用いた
端子表面処理の為の無電解メッキ層８、９を形成するこ
とも勿論可能である。
【００１７】
【発明の効果】本発明による可撓性回路基板の製造法に
よれば、回路配線パタ−ンを形成する前に、電解メッキ
手段でバンプを形成できるので、従来の如く、メッキリ
−ドは不要であって、メッキリ−ドの引き出しの問題や
メッキ電流に分布が生ずる等の問題を解消でき、高い精
度で微細且つ高密度なバンプ付き可撓性回路基板を提供
できる。
よれば、回路配線パタ−ンを形成する前に、電解メッキ
手段でバンプを形成できるので、従来の如く、メッキリ
−ドは不要であって、メッキリ−ドの引き出しの問題や
メッキ電流に分布が生ずる等の問題を解消でき、高い精
度で微細且つ高密度なバンプ付き可撓性回路基板を提供
できる。
【００１８】また、回路配線パタ−ンの設計の自由度が
高まり、バンプ形成の為のメッキの均一性を向上させる
ことができ、更に、従来のようなマスクの貼り合わせと
その除去の工程の大幅な減少による工数の削減によっ
て、不良発生を低減し、製造コストを低減できる。
高まり、バンプ形成の為のメッキの均一性を向上させる
ことができ、更に、従来のようなマスクの貼り合わせと
その除去の工程の大幅な減少による工数の削減によっ
て、不良発生を低減し、製造コストを低減できる。
【図１】（１）〜（７）は、本発明による可撓性回路基
板の製造工程図である。
板の製造工程図である。
１ 導電箔 １Ａ，１Ｂ 回路配線パタ−ン ２ 可撓性絶縁べ−ス材 ３ 開口 ４ マスク層 ４Ａ，４Ｂ レジスト層 ５ バンプ ６ 表面保護層 ７ 接続用ランド又はパッド
Claims (4)
- 【請求項１】導電箔の一方面に設けられた可撓性絶縁べ
−ス材の所定箇所にバンプ形成の為の開口を適数個形成
すると共に、前記導電箔の他方面にマスク層を形成し、
次いで電解メッキ手段で前記開口にバンプを形成した
後、このバンプの表面に耐食性の高い金属層を形成し、
その後前記バンプとの関連で前記導電箔に対して所要の
回路配線パタ−ンを形成することを特徴とする可撓性回
路基板の製造法。 - 【請求項２】前記耐食性の高い金属層を電解メッキ手段
で形成する請求項１の可撓性回路基板の製造法。 - 【請求項３】前記耐食性の高い金属層を無電解メッキ手
段で形成する請求項１の可撓性回路基板の製造法。 - 【請求項４】前記バンプが形成される反対側の前記回路
配線パタ−ン表面に所要の表面保護層を形成しながら所
要の接続用ランド又はパッドを形成する請求項１〜３の
可撓性回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18573697A JPH1117331A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 可撓性回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18573697A JPH1117331A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 可撓性回路基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117331A true JPH1117331A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16175969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18573697A Pending JPH1117331A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 可撓性回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1117331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6643923B1 (en) * | 1998-07-29 | 2003-11-11 | Sony Chemicals Corp. | Processes for manufacturing flexible wiring boards |
| JP2006310689A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Nippon Mektron Ltd | ダブルアクセス型可撓性回路基板の製造方法 |
| KR100783340B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2007-12-07 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 반도체소자 탑재용 중계기판의 제조방법 |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP18573697A patent/JPH1117331A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6643923B1 (en) * | 1998-07-29 | 2003-11-11 | Sony Chemicals Corp. | Processes for manufacturing flexible wiring boards |
| US6848176B2 (en) | 1998-07-29 | 2005-02-01 | Sony Chemicals Corporation | Process for manufacturing flexible wiring boards |
| US7053312B2 (en) | 1998-07-29 | 2006-05-30 | Sony Corporation | Flexible wiring boards |
| KR100783340B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2007-12-07 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 반도체소자 탑재용 중계기판의 제조방법 |
| JP2006310689A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Nippon Mektron Ltd | ダブルアクセス型可撓性回路基板の製造方法 |
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