JPH1117385A

JPH1117385A - 陰極線管

Info

Publication number: JPH1117385A
Application number: JP16871097A
Authority: JP
Inventors: Katsuya Kinoshita; 勝矢木下; Mikako Maeda; 美佳子前田; Masaru Fujii; 優藤井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-06-25
Filing date: 1997-06-25
Publication date: 1999-01-22

Abstract

(57)【要約】【課題】フェイスパネル上に導電膜を有する陰極線管
において、陰極線管フェイス面から漏洩する電界を低減
させる。【解決手段】陰極線管は、フェイスパネル１０に形成
された導電膜よりも抵抗値の低い導電材料である銅箔導
電性テープ１３をフェイス面１２の非有効領域１２ｂに
後から取り付け、導電性テープ１４を介して接地してい
る。これにより、陰極線管のフェイスパネル１０から放
射される電磁波を遮蔽する効果を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、フェイスパネル
前面から放射される交番電界を低減するために、フェイ
スパネル外表面上に設けた導電膜がアースに接地された
陰極線管に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、ディスプレイモニタから放射
されたＶＬＦ（Very Low Frequency：帯域２[kHz]〜400
[kHz]）や、ＥＬＦ（Extra Low Frequency：帯域５[Hz]
〜２[kHz]）の電磁波の人体に及ぼす影響が懸念されて
いる。そこで、陰極線管が組み込まれたディスプレイモ
ニタでは、漏洩電界の遮蔽機能が要求される。最近にな
って、このような電磁波に対する社会的な規制が厳しく
なっており、特に、スウェーデン労働団体がディスプレ
イモニタの漏洩電界について制定したＴＣＯガイドライ
ンは、この種の規制の中では最も厳しいものとなってい
る。このＴＣＯガイドラインによると、陰極線管のフェ
イス面から 300[mm]だけ離れた位置で、ＶＬＦ帯域の交
番電界に対しては漏洩電界強度が 1.0[V/m]以下、ＥＬ
Ｆ帯域の交番電界に対しては漏洩電界強度が10[V/m]以
下に規制されている。

【０００３】従来の陰極線管では、このＴＣＯガイドラ
インを満足するための主要な手段として、フェイスパネ
ル外表面上に導電膜を設け、しかも、その導電膜の抵抗
値を低くする等の技術が採用されていた。例えば、大き
さが５０[cm]の陰極線管を高圧２７[kV]で使用する場合
に、導電膜を設けてＴＣＯガイドラインを満足する遮蔽
効果を実現するためには、２×10³[Ω/□]以下の抵抗値
の導電膜が必要であり、そのためには、導電膜を貴金属
微粒子からなる導電物質を用いて形成しなければならな
い。

【０００４】ところで、陰極線管におけるフェイスパネ
ルは、真空のガラスバルブの画像表示部を構成するもの
であり、パネル内面の蛍光体からの光に対して一定の膜
透過率が要求される。ところが、貴金属微粒子を含む導
電膜では、その表面抵抗値は容易に低くできる反面で、
高い膜透過率を得ることが難しかった。また、周知の透
明導電材料であるＩＴＯ（錫をドープしたインジウム酸
化物）微粒子などで導電膜を構成すれば、膜透過率は簡
単に高くできるが、その表面抵抗値を低くすることが難
しくなる。

【０００５】図６は、導電膜の材料別の表面抵抗値と膜
透過率との関係を示す図である。横軸には導電膜の表面
抵抗値（×10³[Ω/□]）、縦軸には膜透過率（％）を示
してある。上述したＩＴＯ膜であれば、膜透過率を９０
％以上にすることは簡単であるが、その表面抵抗値は低
くできない。その反面、フェイスパネル外表面上に銀を
主成分とする導電膜を形成した場合には、表面抵抗値を
２×10³[Ω/□]以下まで低くできるが、８２％以上の膜
透過率を得ることは容易ではない。例えば、フェイスパ
ネルの抵抗値を２×10³[Ω/□]以下にして、ＴＣＯガイ
ドラインを満足しようとすると、導電膜の膜透過率が８
２％以下になってしまう。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来フェ
イスパネル前面から放射される交番電界を低減するため
の方法は、導電膜によりフェイスパネルの抵抗値を低く
するというものであったため、陰極線管がＴＣＯガイド
ラインを満足するように、フェイスパネルに２×10³[Ω
/□]以下の抵抗値の導電膜を形成すると、導電膜に使用
可能な導電材料は貴金属微粒子に制限される問題があっ
た。また、導電材料として貴金属微粒子を用いる場合
は、コストの面でも高価になる等の問題もあった。

【０００７】さらに、抵抗値を低くするために導電膜に
貴金属微粒子を用いると、導電膜の膜透過率がその抵抗
値に比例して低くなる。このため、現行の陰極線管のよ
うに、フェイスパネルのガラス生地としてティントガラ
スを使用する限りでは、輝度の低下を避けることはでき
ない。

【０００８】また、陰極線管の輝度やコントラスト性能
を改善させるために、フェイスパネルのコーティング膜
に光の選択吸収性を持つように染料などを入れる場合が
あるが、貴金属微粒子を用いたコーティング膜に更に染
料などを入れると膜透過率が低下して、光の選択吸収性
の利点が生かせなくなる。すなわち、ティントガラスな
どの現行の材料に貴金属微粒子を用いたコーティング膜
を形成した場合には、陰極線管の輝度だけでなく、その
コントラスト性能を改善することも難しくなる。したが
って、陰極線管の輝度を低下させずに抵抗値を低くする
ためには、ガラスバルブの生地自体の変更が必要とな
る。

【０００９】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、第１の目的は、低コストでフェ
イスパネルからの漏洩電界を確実に低減させた陰極線管
を提供することである。

【００１０】この発明の第２の目的は、輝度やコントラ
スト性能を低下させずにフェイスパネル外表面上に導電
膜を設けて、しかも漏洩電界を確実に低減させた陰極線
管を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る陰極線管は、フェイスパネル前面から放射される交番
電界を低減するために、フェイスパネル外表面上に設け
た導電膜がアースに接地された陰極線管において、導電
膜よりも抵抗値の低い導電性物によって、フェイスパネ
ルの画面周辺の非有効領域の少なくとも３０％を覆うと
ともに、導電性物を介して導電膜がアースに接地されて
いるものである。

【００１２】この発明の請求項２に係る陰極線管は、フ
ェイスパネルの導電膜として、１層又は２層以上の光学
薄膜による低反射コートを備え、その抵抗値を３×10
³[Ω/□]以下としたものである。

【００１３】この発明の請求項３に係る陰極線管は、導
電膜よりも抵抗値の低い導電性物が、フェイスパネルの
画面周辺の非有効領域の６０％以上を覆うとともに、導
電膜として、１層又は２層以上の光学薄膜による低反射
コートを備え、その抵抗値を５×10³[Ω/□]以下とした
ものである。

【００１４】この発明の請求項４に係る陰極線管は、フ
ェイス面導電膜より抵抗値の低い導電性物が、フェイス
パネルの画面周辺の非有効領域の８０％以上を覆うとと
もに、導電膜として、１層又は２層以上の光学薄膜によ
る低反射コートを備え、その抵抗値を７×10³[Ω/□]以
下としたものである。

【００１５】この発明の請求項５に係る陰極線管は、導
電性物をフェイス面導電膜より抵抗値の低い導電性テー
プとしたものである。

【００１６】この発明の請求項６に係る陰極線管は、導
電性の低反射コートが、光の選択吸収性を有する染料も
しくは顔料を含むものである。

【００１７】この発明の請求項７に係る陰極線管は、導
電性の低反射コートが、錫をドープしたインジウム酸化
物（ＩＴＯ）を含むものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して、
この発明の実施の形態を説明する。

【００１９】図１は、この発明の実施の形態である陰極
線管を示す図であって、同図（Ａ）は、陰極線管を斜め
上方から見たときの模式図、同図（Ｂ）は、陰極線管を
正面から見たときの模式図である。

【００２０】同図（Ａ）において、ディスプレイモニタ
の表示面となるフェイスパネル１０と、電子銃が封止さ
れたファンネル２０とがフリット封止されて、陰極線管
を構成している。フェイスパネル１０の側面スカート部
１１には、防爆特性を保証するための防爆バンド３０が
巻きつけられ、図示しないアース（大地）に接地されて
いる。

【００２１】同図（Ｂ）において、フェイスパネル１０
のフェイス面１２には、その内面の蛍光膜が電子ビーム
で走査されて画像が映出される。すなわち、フェイス面
１２は長方形の有効画面領域１２ａと、その周辺領域
（非有効領域）１２ｂとに区分されるが、このフェイス
面１２には、外部への漏洩電界を遮蔽するために、外側
から全面に導電膜が塗布されている。

【００２２】また、フェイスパネル１０のフェイス面１
２には、導電膜よりも抵抗値の低い４本の導電性物（例
えば銅箔導電性テープ１３等）が、有効画面領域１２ａ
の長辺と短辺に沿った非有効領域１２ｂにそれぞれ帯状
に形成されている。この図１では、銅箔導電性テープ１
３によってフェイス面１２の非有効領域１２ｂの６０％
を覆った陰極線管を図示している。さらに、これらの銅
箔導電性テープ１３をフェイスパネル１０の側面スカー
ト部１１で防爆バンド３０と電気的に接続するように、
両者にまたがって導電性テープ１４が貼着されている。

【００２３】この実施の形態の陰極線管では、フェイス
パネル１０の非有効領域１２ｂに外側から導電膜に重ね
て銅箔導電性テープ１３を設け、この銅箔導電性テープ
１３を陰極線管の防爆バンド１１を介してアースに接地
させている。このため、陰極線管のフェイスパネル１０
に形成した導電膜は、この銅箔導電性テープ１３によっ
て確実にアースと同電位となり、フェイス面１２に生じ
る電磁波に伴う電流は、抵抗値が低い銅箔導電性テープ
１３を経由して防爆バンド１１に流れやすくなる。した
がって電磁波を効率よくアースに逃がすことができ、陰
極線管のフェイスパネル１０から漏洩する電界を低減で
きる。

【００２４】また、この陰極線管では、フェイスパネル
１０のフェイス面１２に抵抗値の大きな導電膜を設ける
ことが可能になるので、ＩＴＯ微粒子等を含む膜透過率
の高い導電膜を形成できる。したがって、フェイス面１
２に形成されるコーティング膜の膜透過率が従来並にな
るまで、導電膜もしくは他の膜に染料を添加することが
でき、フェイスパネル１０に光選択吸収性を持たせるこ
とができる。

【００２５】図２は、フェイス面１２の非有効領域１２
ｂにおける導電性物１３の占有割合を変更したフェイス
パネル１０の模式図を示している。

【００２６】フェイス面１２での銅箔導電性テープ１３
の占有率は、各辺における導電性物１３の長さを変更し
て調整を行う。銅箔導電性テープ１３の導電膜と重なる
部分での幅を変更してもよい。

【００２７】同図（Ａ）に示すように、その占有率が低
いときには長辺側（もしくは短辺側）のみに銅箔導電性
テープ１３を設けているが、占有率を高くするには、各
辺に導電性物１３を付け（同図（Ｂ））るとともに、そ
の長さを変えることで銅箔導電性テープ１３の占有率を
調整できる。

【００２８】

【実施例】以下に、いくつかの具体的な実施例につい
て、図面に基づいて説明する。

【００２９】実施例１．銀を主成分とした金属微粒子を
分散して含有するコーティング液を、フェイスパネル１
０を約４５℃に温めて、その１層目のコーティング膜
（導電膜）としてスピンコートにより塗布し、このコー
ティング膜を乾燥させた後、２層目のシリカ膜を同様に
スピンコートにより塗布して焼成する。これにより、陰
極線管のフェイスパネル１０に低抵抗のコーティング膜
を形成した。このとき、コーティング液中の金属微粒子
の含有量を変更し、フェイス面１２の表面抵抗値が０．
９×10³[Ω/□]、２．２×10³[Ω/□]、３．２×10³[Ω
/□]である３種類の陰極線管を作製した。

【００３０】それぞれ異なる抵抗値の導電膜を有する３
種類の陰極線管に対して、幅２０[mm]、長さ２４０[mm]
の銅箔導電性テープ１３（抵抗値０．０５[Ω/□]）
が、図２（Ａ）に示すように、フェイス面１２の非有効
領域１２ｂのうち、有効画面領域１２ａの長辺方向に沿
って貼られている。また、これら２本の銅箔導電性テー
プ１３をフェイスパネル１０の側面スカート部で防爆バ
ンドと電気的に接続するように、同様の銅箔導電性テー
プ１４を貼着して、フェイスパネル１０から放射される
漏洩電界の強度を測定していた。なお、４本の銅箔導電
性テープ１４を先にフェイスパネル１０に貼着し、これ
ら導電性テープ１４のうちフェイスパネル１０の上下の
ものとそれぞれ部分的に重なるように銅箔導電性テープ
１３を貼り付けている。

【００３１】ここで、陰極線管のフェイス面１２は長辺
の長さが４２０[mm]、短辺の長さが３２０[mm]の長方形
であり、有効画面領域１２ａの長辺側の非有効領域１２
ｂの幅は２５[mm]、短辺側の幅は２０[mm]である。した
がって、銅箔導電性テープ１３がフェイスパネル１０の
非有効領域１２ｂに占める割合（占有率）は約３０％で
あって、それぞれの漏洩電界の測定値を図３に△印で示
す。

【００３２】また、図１（Ｂ）の正面模式図に示すよう
に、導電膜の抵抗値が上記の３種類に異なる陰極線管に
対して、幅２０[mm]、長さ３２０[mm]の銅箔導電性テー
プ１３（抵抗値０．０５[Ω/□]）を有効画面領域１２
ａの長辺方向に沿って貼り、また幅２０[mm]、長さ２０
０[mm]のものを有効画面領域１２ａの短辺方向に沿っ
て、フェイス面１２の導電膜と重なる部分の幅が１６[m
m]になるように貼り、そのはみ出した余部（幅４[mm]部
分）を防爆バンド３０上に貼り付けた。この場合は、銅
箔導電性テープ１３がフェイスパネル１０の非有効領域
１２ｂに占める割合は約６０％となり、それぞれ陰極線
管のフェイスパネルから放射される漏洩電界の測定値
は、図３において□印で示す。

【００３３】さらに、図２（Ｂ）に示す正面模式図のよ
うに、導電膜の抵抗値が上記の３種類に異なる陰極線管
に対して、幅２０[mm]、長さ４２０[mm]の銅箔導電性テ
ープ１３を有効画面領域１２ａの長辺方向に沿って貼
り、また幅２０[mm]、長さ３２０[mm]の銅箔導電性テー
プ１３を有効画面領域１２ａの短辺方向に沿って、フェ
イス面１２の導電膜と重なる部分の幅が１６[mm]になる
ように貼り、そのはみ出した余部（幅４[mm]部分）を防
爆バンド３０上に貼り付けた。この場合は、銅箔導電性
テープ１３でフェイスパネル１０の非有効領域１２ｂの
約８０％を占めることになる。それぞれ陰極線管のフェ
イスパネルから放射される漏洩電界の測定値を、図３の
×印で示す。

【００３４】なお、図４（Ａ），（Ｂ）は、従来の陰極
線管を示す正面模式図である。同図（Ａ）のフェイスパ
ネル１０では、フェイス面１２の上下左右の４つの辺の
中央部と陰極線管の防爆バンドとが銅箔導電性テープ１
４により接続されている。また、同図（Ｂ）では、フェ
イス面１２の上下の長辺の２ヵ所ずつで、防爆バンドと
銅箔導電性テープ１４により接続されている。これらの
従来例では、いずれも銅箔導電性テープのような導電性
物を貼着せず、銅箔導電性テープ１４のみを用いて陰極
線管の防爆バンドを介してアースに接地させており、図
３の○は、それぞれフェイス面１２の表面抵抗値が０．
９×10³[Ω/□]、２．２×10³[Ω/□]、３．２×10³[Ω
/□]である３種類の陰極線管の漏洩電界測定結果であ
る。

【００３５】図３における４本の近似曲線は、後に説明
する実施例２における漏洩電界測定結果を含めた、フェ
イス面１２の表面抵抗値と漏洩電界強度との関係を示し
ている。図３の破線、一点鎖線、及び二点鎖線は、それ
ぞれ銅箔導電性テープ１３がフェイスパネル１０の非有
効領域１２ｂに占める割合（占有率）が３０％のとき、
占有率が６０％のとき、及び占有率が８０％のときの漏
洩電界強度の近似曲線である。

【００３６】これらの漏洩電界の近似曲線を、従来例の
陰極線管の漏洩電界強度を示す実線と比較するとき、前
述のＴＣＯガイドラインである１．０[V/m]以下に漏洩
電界強度を制御するためには、従来では導電膜の表面抵
抗値を約２×10³[Ω/□]以下に設計しなくてはならなか
った。ところが、この実施例１においては、銀を主成分
とした金属微粒子を含有する導電膜の表面抵抗値が２×
10³[Ω/□]以上であっても、フェイスパネルの非有効領
域の少なくとも３０％を銅箔導電性テープのような導電
性物で覆うだけで、陰極線管のフェイスパネルから放射
される漏洩電界強度を１．０[V/m]以下に制御できるこ
とがわかる。

【００３７】また、このとき有効画面領域１２ａでは、
導電膜として銀を主成分とした金属微粒子を分散して含
有するコーティング膜を用いて、その透過率を８２％以
上にできる。なお、図５における細線ａは、このコーテ
ィング膜の選択吸収特性を示すスペクトルである。

【００３８】実施例２．銀を主成分とした実施例１のも
のに代えて、ＩＴＯを分散させたコーティング液を、フ
ェイスパネル１０を約４５℃に温めて、その１層目のコ
ーティング膜（導電膜）としてスピンコートにより塗布
して乾燥させ、次いでチタン酸化物を分散させたコーテ
ィング液を２層目としてスピンコートで塗布して乾燥さ
せた後、３層目のシリカ膜を同様にスピンコートにより
塗布して焼成する。これにより、陰極線管のフェイスパ
ネル１０に低抵抗のコーティング膜を形成した。このと
き、コーティング液中のＩＴＯの固形分を変更すること
で、フェイス面１２の表面抵抗値が３．３×10³[Ω/
□]、４．７×10³[Ω/□]、７．１×10³[Ω/□]、８．
２×10³[Ω/□]である４種類の陰極線管を作製した。

【００３９】それぞれ異なる抵抗値の導電膜を有する４
種類の陰極線管に対して、実施例１と同様に、銅箔導電
性テープ１３（抵抗値０．０５[Ω/□]）をそれぞれフ
ェイスパネル１０の非有効領域１２ｂに占める割合（占
有率）が３０％（図２（Ａ））、６０％（図１）、及び
８０％（図２（Ｂ））となるように貼着し、さらに銅箔
導電性テープ１４によって銅箔導電性テープ１３をフェ
イスパネル１０の側面スカート部で防爆バンドと電気的
に接続した。これらについて、フェイスパネル１０から
放射される漏洩電界の強度を測定した結果は、図３に示
す通りである。

【００４０】図３からわかるように、フェイスパネルの
非有効領域を覆う導電性物の占有率が大きくなるに従っ
て、導電膜の表面抵抗値を高くしても、陰極線管のフェ
イスパネルから放射される漏洩電界の強度がＴＣＯガイ
ドラインを満足する１．０[V/m]以下に設定できる。す
なわち、導電性物の占有率が６０％であれば、導電膜の
表面抵抗値は５×10³[Ω/□]であっても、漏洩電界の強
度を１．０[V/m]以下に設定でき、導電性物の占有率が
８０％のときには、７×10³[Ω/□]の導電膜であっても
ＴＣＯガイドラインを満足するように、漏洩電界強度を
低減できる。

【００４１】実施例３．実施例１及び実施例２で用いた
陰極線管のフェイスパネルに形成されたコーティング膜
の膜透過率を測定した。図６には、導電膜の材料別の表
面抵抗値と膜透過率との関係を示す。図中の実線は、銀
を主成分とした膜の透過率を、破線はＩＴＯを用いた膜
の透過率を表している。

【００４２】ＩＴＯを用いて、表面抵抗値が３×10³[Ω
/□]のコーティング膜（膜透過率９０％）を形成した場
合に、従来用いていた銀を主成分とするコーティング膜
の膜透過率（８２％）に等しくなるまで、コーティング
膜のシリカの層に赤、青、紫及び黄色の４種類の染料を
入れることによって、図５における実線ｂのスペクトル
で示される選択吸収性を有するコーティング膜を得るこ
とができた。

【００４３】この時、実施例１と同様にフェイスパネル
の非有効領域の３０％以上を銅箔導電性テープで覆うこ
とによって、陰極線管の漏洩電界強度をＴＣＯガイドラ
インを満足する１．０[V/m]以下に設定できるだけでな
く、従来の金属微粒子を含む導電膜と同等の膜透過率で
あって、さらに選択吸収性を備えるものとなる。

【００４４】実施例４．ＩＴＯを用いて、表面抵抗値が
７×10³[Ω/□]のコーティング膜（膜透過率９５％）を
形成した場合に、従来用いていた銀を主成分とするコー
ティング膜の膜透過率（８２％）に等しくなるまで、コ
ーティング膜のシリカの層に実施例３よりもさらに多量
の染料を入れることによって、図５における実線ｃのス
ペクトルで示される選択吸収性を有するコーティング膜
を得ることができた。

【００４５】この時、実施例１と同様にフェイスパネル
の非有効領域の８０％以上を銅箔導電性テープで覆うこ
とによって、陰極線管の漏洩電界強度を１．０[V/m]以
下に設定できるだけでなく、従来の金属微粒子を含む導
電膜と同等の膜透過率であって、且つ実施例３のものよ
りもさらに選択吸収性が改善される。

【００４６】以上では、平滑膜としてコーティング膜に
ついて述べたが、フェイスパネルの最外層にノングレア
処理をした場合でも、漏洩電界強度の低減効果に変わり
はない。また、銅箔導電性テープ１３に代えてアルミ箔
などの導電性テープを用いてもよい。

【００４７】

【発明の効果】この発明は、以上に説明したように構成
されているので、以下に示すような効果を奏する。

【００４８】請求項１の発明によれば、陰極線管のフェ
イスパネルにおいて、画面周辺の非有効領域の一部の抵
抗値を低下させ、電磁波に伴う電流を流れやすくして、
電磁波を効率よくアースに逃がすようにしたので、陰極
線管フェイスパネルから放射される漏洩電磁波のシール
ド性を向上できる。

【００４９】請求項２の発明によれば、フェイスパネル
外表面上の導電膜抵抗値を３×10³[Ω/□]以下に設定し
て、輝度やコントラスト性能を低下させずに漏洩電界を
確実に低減させることができる。また、抵抗値に余裕が
できるため、陰極線管のコーティング膜の膜透過率に対
する裕度が広がる。

【００５０】請求項３の発明によれば、画面周辺の非有
効領域の６０％以上を覆うことにより、フェイスパネル
外表面上の導電膜の抵抗値を５×10³[Ω/□]以下に設定
して、輝度やコントラスト性能を低下させずに漏洩電界
を確実に低減させることができる。

【００５１】請求項４の発明によれば、画面周辺の非有
効領域の８０％以上を覆うことにより、フェイスパネル
外表面上の導電膜の抵抗値を７×10³[Ω/□]以下に設定
して、輝度やコントラスト性能を低下させずに漏洩電界
を確実に低減させることができる。

【００５２】請求項５の発明によれば、導電性物には、
比較的手に入れやすく抵抗値の低い銅箔やアルミ箔など
の導電性テープを用いることができる。

【００５３】請求項６の発明によれば、透過率に裕度が
広がったことで、選択吸収性を持たせることにより、陰
極線管の特性及び機能の向上につなげることができる。

【００５４】請求項７の発明によれば、導電材料の固形
分を減少させるだけで、導電膜として貴金属微粒子など
の高価な材料を使う必要がなくなり、容易にコストを低
減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態である陰極線管を示す
図である。

【図２】図１の導電性物の占有割合を変更したフェイ
スパネルを示す模式図である。

【図３】フェイス面の表面抵抗値と漏洩電界強度との
関係を示す図である。

【図４】従来の陰極線管を示す正面模式図である。

【図５】コーティング膜の選択吸収特性を示すスペク
トル図である。

【図６】導電膜の材料別の表面抵抗値と膜透過率との
関係を示す図である。

【符号の説明】

１０フェイスパネル、２０ファンネル、３０
防爆バンド、１１フェイスパネルの側面スカート部、
１２フェイス面、１３導電性物、１４導電性
テープ、１２ａフェイス面の有効画面領域、１２
ｂフェイス面の非有効領域。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フェイスパネル前面から放射される交番
電界を低減するために、フェイスパネル外表面上に設け
た導電膜がアースに接地された陰極線管において、前記導電膜よりも抵抗値の低い導電性物によって、前記
フェイスパネルの画面周辺の非有効領域の少なくとも３
０％を覆うとともに、前記導電性物を介して前記導電膜
がアースに接地されていることを特徴とする陰極線管。
【請求項２】フェイスパネルの導電膜として、１層又
は２層以上の光学薄膜による低反射コートを備え、その
抵抗値を３×10³[Ω/□]以下としたことを特徴とする請
求項１記載の陰極線管。
【請求項３】前記導電膜よりも抵抗値の低い導電性物
が、フェイスパネルの画面周辺の非有効領域の６０％以
上を覆うとともに、前記導電膜として、１層又は２層以上の光学薄膜による
低反射コートを備え、その抵抗値を５×10³[Ω/□]以下
としたことを特徴とする請求項１記載の陰極線管。
【請求項４】フェイス面導電膜より抵抗値の低い導電
性物が、フェイスパネルの画面周辺の非有効領域の８０
％以上を覆うとともに、前記導電膜として、１層又は２層以上の光学薄膜による
低反射コートを備え、その抵抗値を７×10³[Ω/□]以下
としたことを特徴とする請求項１記載の陰極線管。
【請求項５】導電性物が、フェイス面導電膜より抵抗
値の低い導電性テープであることを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれかに記載の陰極線管。
【請求項６】導電性の低反射コートが、光の選択吸収
性を有する染料もしくは顔料を含むことを特徴とする請
求項２乃至請求項５のいずれかに記載の陰極線管。
【請求項７】導電性の低反射コートが、錫をドープし
たインジウム酸化物（ＩＴＯ）を含むことを特徴とする
請求項２乃至請求項６のいずれかに記載の陰極線管。