JPH11176025A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH11176025A JPH11176025A JP9363217A JP36321797A JPH11176025A JP H11176025 A JPH11176025 A JP H11176025A JP 9363217 A JP9363217 A JP 9363217A JP 36321797 A JP36321797 A JP 36321797A JP H11176025 A JPH11176025 A JP H11176025A
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- recording
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- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭トラックピッチに記録マークを小さく書い
ても記録マークのエッジはシャープであり、クロストー
クが小さく、記録マークの読み出しエラーが少ない相変
化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザビームの照射条件により可逆的に
相変化する記録層が基板上に形成されてなる相変化型光
記録媒体において、記録マークの先端部４と後端部５の
幅が記録および再生レーザビーム径の半値幅６ａ程度で
あり、それ以外の部分７の幅が記録および再生レーザビ
ーム径の半値幅６ａ以下である相変化型光記録媒体。
ても記録マークのエッジはシャープであり、クロストー
クが小さく、記録マークの読み出しエラーが少ない相変
化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザビームの照射条件により可逆的に
相変化する記録層が基板上に形成されてなる相変化型光
記録媒体において、記録マークの先端部４と後端部５の
幅が記録および再生レーザビーム径の半値幅６ａ程度で
あり、それ以外の部分７の幅が記録および再生レーザビ
ーム径の半値幅６ａ以下である相変化型光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザービームを
照射することにより記録層に光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化
型光記録媒体に関するものである。
照射することにより記録層に光学的な変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化
型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化型光記録媒体がよく知られてい
る。これは単一ビームによるオーバーライトが可能であ
り、ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴と
し、コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体とし
て応用されている。近年、このような記録媒体には、特
に情報記録の大容量化が求められており、その一つの方
法として、トラックピッチを狭くしトラック密度を高
め、また記録マークを小さくし且つマーク間を狭くして
線記録密度を高めることが行われている。
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化型光記録媒体がよく知られてい
る。これは単一ビームによるオーバーライトが可能であ
り、ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴と
し、コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体とし
て応用されている。近年、このような記録媒体には、特
に情報記録の大容量化が求められており、その一つの方
法として、トラックピッチを狭くしトラック密度を高
め、また記録マークを小さくし且つマーク間を狭くして
線記録密度を高めることが行われている。
【０００３】しかしながら、トラックピッチを狭くして
記録する場合、特にランド・グルーブ記録方式で記録す
る場合、記録マークを小さく書いても、クロストークが
大きくなり、記録マークの読み出しエラーが多くなると
いう問題がある。また、従来の相変化型光記録媒体にお
いては、図５に示すように、記録マークの形状が、マー
クの先頭２４と後端２５の幅に対して、マーク中央部２
７の幅が同じかより大きな形状であり、マーク中央部２
７の幅が記録および再生レーザビーム径（１／ｅ2）２
６の半値幅２６ａと同じかより大きく、この従来の記録
マークの形状ままでは、トラックピッチを小さくした場
合にクロストークが大きく、読み出しエラーになる確率
が高かった。
記録する場合、特にランド・グルーブ記録方式で記録す
る場合、記録マークを小さく書いても、クロストークが
大きくなり、記録マークの読み出しエラーが多くなると
いう問題がある。また、従来の相変化型光記録媒体にお
いては、図５に示すように、記録マークの形状が、マー
クの先頭２４と後端２５の幅に対して、マーク中央部２
７の幅が同じかより大きな形状であり、マーク中央部２
７の幅が記録および再生レーザビーム径（１／ｅ2）２
６の半値幅２６ａと同じかより大きく、この従来の記録
マークの形状ままでは、トラックピッチを小さくした場
合にクロストークが大きく、読み出しエラーになる確率
が高かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題は
このような問題点を解決し、狭トラックピッチに記録マ
ークを小さく書いても記録マークのエッジはシャープで
あり、クロストークが小さく、記録マークの読み出しエ
ラーが少ない相変化型光記録媒体を提供することにあ
る。
このような問題点を解決し、狭トラックピッチに記録マ
ークを小さく書いても記録マークのエッジはシャープで
あり、クロストークが小さく、記録マークの読み出しエ
ラーが少ない相変化型光記録媒体を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、レ
ーザビームの照射条件により可逆的に相変化する記録層
が基板上に形成されてなる相変化型光記録媒体におい
て、記録マークの先端部と後端部の幅が記録および再生
レーザビーム径の半値幅程度であり、それ以外の部分の
幅が記録および再生レーザビーム径の半値幅以下である
ことを特徴とする相変化型光記録媒体によって達成され
る。本発明によれば、記録マークのエッジはシャープで
あり、記録後のジッターは変らず、且つクロストークが
小さくなり、記録マークの読み出しエラーを少なくする
ことができる。
ーザビームの照射条件により可逆的に相変化する記録層
が基板上に形成されてなる相変化型光記録媒体におい
て、記録マークの先端部と後端部の幅が記録および再生
レーザビーム径の半値幅程度であり、それ以外の部分の
幅が記録および再生レーザビーム径の半値幅以下である
ことを特徴とする相変化型光記録媒体によって達成され
る。本発明によれば、記録マークのエッジはシャープで
あり、記録後のジッターは変らず、且つクロストークが
小さくなり、記録マークの読み出しエラーを少なくする
ことができる。
【０００６】図１は本発明の相変化型光記録媒体におけ
る記録マークの一例を模式的に示す拡大斜視図であり、
記録マーク１は、グルーブ部２及びランド部３に形成さ
れており、記録マークの先端部４と後端部５の幅が記録
および再生レーザビーム径（１／ｅ2）６の半値幅６ａ
程度であり、それ以外の部分７の幅が記録および再生レ
ーザビーム径の半値幅６ａ以下となっている。
る記録マークの一例を模式的に示す拡大斜視図であり、
記録マーク１は、グルーブ部２及びランド部３に形成さ
れており、記録マークの先端部４と後端部５の幅が記録
および再生レーザビーム径（１／ｅ2）６の半値幅６ａ
程度であり、それ以外の部分７の幅が記録および再生レ
ーザビーム径の半値幅６ａ以下となっている。
【０００７】このような形状の記録マークは、記録層に
加えられた熱が逃げやすい構成とすることと、記録する
ときの熱の与えかた、つまりライトストラテジーを工夫
することによって形成することができる。
加えられた熱が逃げやすい構成とすることと、記録する
ときの熱の与えかた、つまりライトストラテジーを工夫
することによって形成することができる。
【０００８】図２はそのライトストラテジーの一例であ
り、マークを記録する記録レーザパワーをオンオフして
急冷させることにより記録層の結晶をアモルファス化し
て記録マークを形成することができる。
り、マークを記録する記録レーザパワーをオンオフして
急冷させることにより記録層の結晶をアモルファス化し
て記録マークを形成することができる。
【０００９】図３は本発明の相変化型光記録媒体の層構
成の一例を模式的に示す拡大断面図であり、ポリカーボ
ネート基板８上に下部保護層９、記録層１０、上部保護
層１１、放熱層１２及びＵＶ保護層１３が積層されてい
る。このような層構成とライトストラテジーの工夫によ
って、記録マークの先頭部と後端部の幅を記録および再
生レーザビーム径の半値幅程度とし、それ以外の部分の
幅を記録および再生レーザビーム径の半値幅以下とする
ことができ、また記録再生特性及びオーバーライト特性
を良くすることができる。
成の一例を模式的に示す拡大断面図であり、ポリカーボ
ネート基板８上に下部保護層９、記録層１０、上部保護
層１１、放熱層１２及びＵＶ保護層１３が積層されてい
る。このような層構成とライトストラテジーの工夫によ
って、記録マークの先頭部と後端部の幅を記録および再
生レーザビーム径の半値幅程度とし、それ以外の部分の
幅を記録および再生レーザビーム径の半値幅以下とする
ことができ、また記録再生特性及びオーバーライト特性
を良くすることができる。
【００１０】下部保護層９および上部保護層１１の材料
としては、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ等を用いること
ができ、放熱層１２の材料としては、Ａｌ、Ａｌ合金、
Ａｕ、Ａｇ等を用いることができる。また、ＵＶ保護層
１３の材料としては、ＵＶ硬化型樹脂を用いることがで
きる。
としては、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ等を用いること
ができ、放熱層１２の材料としては、Ａｌ、Ａｌ合金、
Ａｕ、Ａｇ等を用いることができる。また、ＵＶ保護層
１３の材料としては、ＵＶ硬化型樹脂を用いることがで
きる。
【００１１】記録層１０の材料としては、ＧｅＴｅ、Ｇ
ｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、
ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−
Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅなどが挙げられる。特に、
ＡｇＩｎＳｂＴｅを用いることにより、記録マークのエ
ッジをシャープに形成することができ、記録マークの読
み出しエラーを少なくすることができる。また、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅを用いることにより、短波長（例えば、６３
０ｎｍ）でも感度良く記録することができ、消去率も良
いので、記録マークの読み出しエラーを少なくすること
ができる。
ｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、
ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−
Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅなどが挙げられる。特に、
ＡｇＩｎＳｂＴｅを用いることにより、記録マークのエ
ッジをシャープに形成することができ、記録マークの読
み出しエラーを少なくすることができる。また、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅを用いることにより、短波長（例えば、６３
０ｎｍ）でも感度良く記録することができ、消去率も良
いので、記録マークの読み出しエラーを少なくすること
ができる。
【００１２】記録層に加えられた熱が逃げやすい構成と
するには、特に、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属
層を記録層に隣接して設けること、または熱伝導率が５
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属層を基板の表面に設けることが
好ましい。例えば、図３に示した相変化型光記録媒体の
層構成においては、金属層は記録層１０と上部保護層１
１との間、上部保護層１１と放熱層１２との間、記録層
１０と下部保護層９との間、下部保護層９と基板８との
間に設けることができる。
するには、特に、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属
層を記録層に隣接して設けること、または熱伝導率が５
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属層を基板の表面に設けることが
好ましい。例えば、図３に示した相変化型光記録媒体の
層構成においては、金属層は記録層１０と上部保護層１
１との間、上部保護層１１と放熱層１２との間、記録層
１０と下部保護層９との間、下部保護層９と基板８との
間に設けることができる。
【００１３】このような構成によって、更に良く、記録
マークの先頭部と後端部の幅を記録および再生レーザビ
ーム径の半値幅程度とし、それ以外の部分の幅を記録お
よび再生レーザビーム径の半値幅以下とすることができ
る。また、このようにすることにより、記録マークのエ
ッジを更にシャープに形成することができ、マークエッ
ジ検出による記録マークの読み出しエラーをより少なく
することができる。
マークの先頭部と後端部の幅を記録および再生レーザビ
ーム径の半値幅程度とし、それ以外の部分の幅を記録お
よび再生レーザビーム径の半値幅以下とすることができ
る。また、このようにすることにより、記録マークのエ
ッジを更にシャープに形成することができ、マークエッ
ジ検出による記録マークの読み出しエラーをより少なく
することができる。
【００１４】金属層の膜厚は、５ｎｍ〜１５ｎｍが好ま
しく、これにより光の透過率を下げずに熱が逃げやすい
構成とすることができる。
しく、これにより光の透過率を下げずに熱が逃げやすい
構成とすることができる。
【００１５】また、グルーブ及びランドを有する基板上
の記録層に隣接して金属層を設ける場合、あるいはグル
ーブ及びランドを有する基板の表面に金属層を設ける場
合には、特にグルーブ及びランドの端における膜厚がグ
ルーブ及びランドの中心における膜厚よりも厚い金属層
を設けることが好ましい。このようにすることにより、
エッジ（記録マークの幅方向）の熱が逃げやすく、記録
マークの幅方向のマーク幅を小さくすることができ、且
つ記録マークのエッジを更にシャープに形成することが
できる。これによって、クロストークを小さくすること
ができ記録マークの読み出しエラーをより少なくするこ
とができる。
の記録層に隣接して金属層を設ける場合、あるいはグル
ーブ及びランドを有する基板の表面に金属層を設ける場
合には、特にグルーブ及びランドの端における膜厚がグ
ルーブ及びランドの中心における膜厚よりも厚い金属層
を設けることが好ましい。このようにすることにより、
エッジ（記録マークの幅方向）の熱が逃げやすく、記録
マークの幅方向のマーク幅を小さくすることができ、且
つ記録マークのエッジを更にシャープに形成することが
できる。これによって、クロストークを小さくすること
ができ記録マークの読み出しエラーをより少なくするこ
とができる。
【００１６】グルーブ及びランドの端における膜厚がグ
ルーブ及びランドの中心における膜厚よりも厚い金属層
を設けるには、例えば、金属層形成用材料としてＴｂも
しくはＣｒなどを選定し、スパッタリングによって金属
層を形成すればよい。特に、金属層形成用材料としてＴ
ｂを用いることにより、Ｔｂがスパッタされる時、Ｔｂ
粒子が斜めに飛んでいくので、グルーブとランドの境の
部分（グルーブ及びランドの端）にＴｂが多く蓄積され
るので、グルーブ及びランドの端における膜厚がグルー
ブ及びランドの中心における膜厚よりも厚い金属層を形
成することができる。
ルーブ及びランドの中心における膜厚よりも厚い金属層
を設けるには、例えば、金属層形成用材料としてＴｂも
しくはＣｒなどを選定し、スパッタリングによって金属
層を形成すればよい。特に、金属層形成用材料としてＴ
ｂを用いることにより、Ｔｂがスパッタされる時、Ｔｂ
粒子が斜めに飛んでいくので、グルーブとランドの境の
部分（グルーブ及びランドの端）にＴｂが多く蓄積され
るので、グルーブ及びランドの端における膜厚がグルー
ブ及びランドの中心における膜厚よりも厚い金属層を形
成することができる。
【００１７】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。
【００１８】実施例１ 予め案内溝を設けたポリカーボネート基板（屈折率１．
５８、厚さ０．６ｍｍ）上にＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる
下部保護層（厚さ１７０ｎｍ）、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅからなる記録層（厚さ１６ｎｍ）、ＺｎＳ・ＳｉＯ2
からなる上部保護層（厚さ２２ｎｍ）、Ａｌ合金（Ｔ
ｉ：１ｗｔ％）からなる放熱層（厚さ１００ｎｍ）およ
びＵＶ硬化型樹脂からなるＵＶ保護層を順次形成し、グ
ルーブ部およびランド部の幅が０．７４μｍ、トラック
ピッチが０．７４μｍのグルーブ部とランド部とを有す
る１２０ｍｍディスク全面板を作製した。
５８、厚さ０．６ｍｍ）上にＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる
下部保護層（厚さ１７０ｎｍ）、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅからなる記録層（厚さ１６ｎｍ）、ＺｎＳ・ＳｉＯ2
からなる上部保護層（厚さ２２ｎｍ）、Ａｌ合金（Ｔ
ｉ：１ｗｔ％）からなる放熱層（厚さ１００ｎｍ）およ
びＵＶ硬化型樹脂からなるＵＶ保護層を順次形成し、グ
ルーブ部およびランド部の幅が０．７４μｍ、トラック
ピッチが０．７４μｍのグルーブ部とランド部とを有す
る１２０ｍｍディスク全面板を作製した。
【００１９】このディスクに、対物レンズの開口数ＮＡ
＝０．６、半導体レーザの波長λ＝６３５ｎｍの光学ヘ
ッドを使用し、半値幅０．５４μｍのビーム径を有する
レーザビームで、ＥＦＭ変調、マークエッジ検出記録方
式により、トラックピッチ０．７４μｍのランド＆グル
ーブ記録を線速３．５ｍ／ｓで行った。ライトストラテ
ジーは、図２に示したものを使用した。記録パワー１０
ｍＷ、消去パワー５ｍＷである。
＝０．６、半導体レーザの波長λ＝６３５ｎｍの光学ヘ
ッドを使用し、半値幅０．５４μｍのビーム径を有する
レーザビームで、ＥＦＭ変調、マークエッジ検出記録方
式により、トラックピッチ０．７４μｍのランド＆グル
ーブ記録を線速３．５ｍ／ｓで行った。ライトストラテ
ジーは、図２に示したものを使用した。記録パワー１０
ｍＷ、消去パワー５ｍＷである。
【００２０】次に、記録されたディスクについて、波長
６３５ｎｍ、リードパワー０．７ｍＷ、半値幅０．５４
μｍのビーム径を有するレーザビームにより記録の再生
を行い、クロストーク値、エラーレートを測定した。ク
ロストーク値は、３トラックを消去した後両端のトラッ
クにロングマークを記録し、真ん中のトラックを再生し
て測定した。またエラーレートはランダムパターン（一
定周期の）を記録しそれを再生して測定した。その結果
を表１に示す。また、記録マークの先端部と後端部の
幅、および中央部の幅をＴＥＭ観察により測定した。そ
の結果を表１に示す。表１には、１２０ｍｍディスクの
内周（ｒ２３ｍｍ）、中周（ｒ４０ｍｍ）、外周（ｒ５
８ｍｍ）を測定した平均値で示してある。
６３５ｎｍ、リードパワー０．７ｍＷ、半値幅０．５４
μｍのビーム径を有するレーザビームにより記録の再生
を行い、クロストーク値、エラーレートを測定した。ク
ロストーク値は、３トラックを消去した後両端のトラッ
クにロングマークを記録し、真ん中のトラックを再生し
て測定した。またエラーレートはランダムパターン（一
定周期の）を記録しそれを再生して測定した。その結果
を表１に示す。また、記録マークの先端部と後端部の
幅、および中央部の幅をＴＥＭ観察により測定した。そ
の結果を表１に示す。表１には、１２０ｍｍディスクの
内周（ｒ２３ｍｍ）、中周（ｒ４０ｍｍ）、外周（ｒ５
８ｍｍ）を測定した平均値で示してある。
【００２１】実施例２ 実施例１において、記録パワーを９ｍＷとした以外は実
施例１と同様にしてクロストーク値、エラーレート、記
録マークの先端部と後端部の幅、および中央部の幅を測
定した。その結果を表１に示す。
施例１と同様にしてクロストーク値、エラーレート、記
録マークの先端部と後端部の幅、および中央部の幅を測
定した。その結果を表１に示す。
【００２２】実施例３ 予め案内溝を設けたポリカーボネート基板（屈折率１．
５８、厚さ０．６ｍｍ）上にＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる
下部保護層（厚さ１７０ｎｍ）、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅからなる記録層（厚さ１６ｎｍ）、Ｍｏからなる熱伝
導率１２１Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）、Ｚｎ
Ｓ・ＳｉＯ2からなる上部保護層（厚さ２２ｎｍ）、Ａ
ｌ合金（Ｔｉ：１ｗｔ％）からなる放熱層（厚さ１００
ｎｍ）およびＵＶ硬化型樹脂からなるＵＶ保護層（材料
としては、ＵＶ硬化型樹脂）を順次形成し、グルーブ部
およびランド部の幅が０．７４μｍ、トラックピッチが
０．７４μｍのグルーブ部とランド部とを有する１２０
ｍｍディスク全面板を作成した。このディスクを用い、
記録パワーを１１ｍＷとした以外は実施例１と同様にし
てクロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部
と後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果
を表１に示す。
５８、厚さ０．６ｍｍ）上にＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる
下部保護層（厚さ１７０ｎｍ）、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅからなる記録層（厚さ１６ｎｍ）、Ｍｏからなる熱伝
導率１２１Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）、Ｚｎ
Ｓ・ＳｉＯ2からなる上部保護層（厚さ２２ｎｍ）、Ａ
ｌ合金（Ｔｉ：１ｗｔ％）からなる放熱層（厚さ１００
ｎｍ）およびＵＶ硬化型樹脂からなるＵＶ保護層（材料
としては、ＵＶ硬化型樹脂）を順次形成し、グルーブ部
およびランド部の幅が０．７４μｍ、トラックピッチが
０．７４μｍのグルーブ部とランド部とを有する１２０
ｍｍディスク全面板を作成した。このディスクを用い、
記録パワーを１１ｍＷとした以外は実施例１と同様にし
てクロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部
と後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果
を表１に示す。
【００２３】実施例４ 予め案内溝を設けたポリカーボネート基板（屈折率１．
５８、厚さ０．６ｍｍ）上にＡｇからなる熱伝導率４１
９Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2からなる下部保護層（厚さ１７０ｎｍ）、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録層（厚さ１６ｎｍ）、Ｚｎ
Ｓ・ＳｉＯ2からなる上部保護層（厚さ２２ｎｍ）、Ａ
ｌ合金（Ｔｉ：１ｗｔ％）からなる放熱層（厚さ１００
ｎｍ）およびＵＶ硬化型樹脂からなるＵＶ保護層（材料
としては、ＵＶ硬化型樹脂）を順次形成し、グルーブ部
およびランド部の幅が０．７４μｍ、トラックピッチが
０．７４μｍのグルーブ部とランド部とを有する１２０
ｍｍディスク全面板を作成した。このディスクを用いた
以外は実施例１と同様にしてクロストーク値、エラーレ
ート、記録マークの先端部と後端部の幅、および中央部
の幅を測定した。その結果を表１に示す。
５８、厚さ０．６ｍｍ）上にＡｇからなる熱伝導率４１
９Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2からなる下部保護層（厚さ１７０ｎｍ）、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録層（厚さ１６ｎｍ）、Ｚｎ
Ｓ・ＳｉＯ2からなる上部保護層（厚さ２２ｎｍ）、Ａ
ｌ合金（Ｔｉ：１ｗｔ％）からなる放熱層（厚さ１００
ｎｍ）およびＵＶ硬化型樹脂からなるＵＶ保護層（材料
としては、ＵＶ硬化型樹脂）を順次形成し、グルーブ部
およびランド部の幅が０．７４μｍ、トラックピッチが
０．７４μｍのグルーブ部とランド部とを有する１２０
ｍｍディスク全面板を作成した。このディスクを用いた
以外は実施例１と同様にしてクロストーク値、エラーレ
ート、記録マークの先端部と後端部の幅、および中央部
の幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００２４】実施例５ 実施例３における金属層に代えて、Ｔａからなる熱伝導
率５７Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設けた以
外は実施例３と同様にしてクロストーク値、エラーレー
ト、記録マークの先端部と後端部の幅、および中央部の
幅を測定した。その結果を表１に示す。
率５７Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設けた以
外は実施例３と同様にしてクロストーク値、エラーレー
ト、記録マークの先端部と後端部の幅、および中央部の
幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００２５】実施例６ 実施例３における金属層に代えて、Ｃｒからなる熱伝導
率７０Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設けた以
外は実施例３と同様にしてクロストーク値、エラーレー
ト、記録マークの先端部と後端部の幅、および中央部の
幅を測定した。その結果を表１に示す。
率７０Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設けた以
外は実施例３と同様にしてクロストーク値、エラーレー
ト、記録マークの先端部と後端部の幅、および中央部の
幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００２６】実施例７ 実施例３における金属層に代えて、Ｔｂからなる熱伝導
率５５Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを１０ｍＷとした以外は実施例３と同様にして
クロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部と
後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果を
表１に示す。
率５５Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを１０ｍＷとした以外は実施例３と同様にして
クロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部と
後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果を
表１に示す。
【００２７】実施例８ 実施例４における金属層に代えて、Ｔａからなる熱伝導
率５７Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを１１ｍＷとした以外は実施例４と同様にして
クロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部と
後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果を
表１に示す。
率５７Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを１１ｍＷとした以外は実施例４と同様にして
クロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部と
後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果を
表１に示す。
【００２８】実施例９ 実施例４における金属層に代えて、Ｃｒからなる熱伝導
率７０Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを１１ｍＷとした以外は実施例４と同様にして
クロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部と
後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果を
表１に示す。
率７０Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを１１ｍＷとした以外は実施例４と同様にして
クロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部と
後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果を
表１に示す。
【００２９】実施例１０ 実施例４における金属層に代えて、Ｔｂからなる熱伝導
率５５Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを９．５ｍＷとした以外は実施例４と同様にし
てクロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部
と後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果
を表１に示す。
率５５Ｗ／ｍ・Ｋの金属層（厚さ１０ｎｍ）を設け、記
録パワーを９．５ｍＷとした以外は実施例４と同様にし
てクロストーク値、エラーレート、記録マークの先端部
と後端部の幅、および中央部の幅を測定した。その結果
を表１に示す。
【００３０】比較例１ 実施例１における記録層に代えて、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5か
らなる記録層（厚さ１６ｎｍ）を設け、記録パワーを１
２ｍＷとした以外は実施例１と同様にしてクロストーク
値、エラーレート、記録マークの先端部と後端部の幅、
および中央部の幅を測定した。その結果を表１に示す。
らなる記録層（厚さ１６ｎｍ）を設け、記録パワーを１
２ｍＷとした以外は実施例１と同様にしてクロストーク
値、エラーレート、記録マークの先端部と後端部の幅、
および中央部の幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００３１】比較例２ 実施例７における記録層に代えて、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5か
らなる記録層（厚さ１６ｎｍ）を設け、記録パワーを１
２ｍＷとした以外は実施例７と同様にしてクロストーク
値、エラーレート、記録マークの先端部と後端部の幅、
および中央部の幅を測定した。その結果を表１に示す。
らなる記録層（厚さ１６ｎｍ）を設け、記録パワーを１
２ｍＷとした以外は実施例７と同様にしてクロストーク
値、エラーレート、記録マークの先端部と後端部の幅、
および中央部の幅を測定した。その結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１から明らかなように、マークの先端部
と後端部の幅が記録および再生レーザビーム径の半値幅
程度であり、それ以外の部分の幅が記録および再生レー
ザビーム径の半値幅以下である記録マークを有する実施
例のディスクにおいては、クロストークの値が小さく、
またエラーレートの値が小さく記録マークの読み出しエ
ラーが少ない。
と後端部の幅が記録および再生レーザビーム径の半値幅
程度であり、それ以外の部分の幅が記録および再生レー
ザビーム径の半値幅以下である記録マークを有する実施
例のディスクにおいては、クロストークの値が小さく、
またエラーレートの値が小さく記録マークの読み出しエ
ラーが少ない。
【００３４】また、金属層の熱伝導率とエラーレートと
の関係を図４に示す。×印が基板上に金属層を形成した
場合であり、△が記録層上に金属層を形成した場合であ
る。図４から明らかなように、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上の金属層を設けた場合にエラーレートの値が小さ
くなっている。
の関係を図４に示す。×印が基板上に金属層を形成した
場合であり、△が記録層上に金属層を形成した場合であ
る。図４から明らかなように、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上の金属層を設けた場合にエラーレートの値が小さ
くなっている。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、狭トラックピッチに記
録マークを小さく書いても記録マークのエッジはシャー
プであり、クロストークが小さく、記録マークの読み出
しエラーが少ない相変化型光記録媒体を得ることができ
る。
録マークを小さく書いても記録マークのエッジはシャー
プであり、クロストークが小さく、記録マークの読み出
しエラーが少ない相変化型光記録媒体を得ることができ
る。
【図１】本発明の相変化型光記録媒体における記録マー
クの一例を模式的に示す拡大斜視図である。
クの一例を模式的に示す拡大斜視図である。
【図２】本発明の記録マークを形成するライトストラテ
ジーの一例を示す説明図である。
ジーの一例を示す説明図である。
【図３】本発明の相変化型光記録媒体の層構成の一例を
模式的に示す拡大断面図である。
模式的に示す拡大断面図である。
【図４】金属層の熱伝導率とエラーレートとの関係を示
す説明図である。
す説明図である。
【図５】従来の相変化型光記録媒体における記録マーク
の一例を模式的に示す拡大斜視図である。
の一例を模式的に示す拡大斜視図である。
１ 記録マーク ２ グルーブ部 ３ ランド部 ４ 記録マークの先端部 ５ 記録マークの後端部 ６ 記録再生レーザビーム径（１／ｅ2） ６ａ 記録再生レーザビーム径の半値幅 ７ 記録マークの先後端部以外の部分 ８ 基板 ９ 下部保護層 １０ 記録層 １１ 上部保護層 １２ 放熱層 １３ ＵＶ保護層
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザビームの照射条件により可逆的に
相変化する記録層が基板上に形成されてなる相変化型光
記録媒体において、記録マークの先端部と後端部の幅が
記録および再生レーザビーム径の半値幅程度であり、そ
れ以外の部分の幅が記録および再生レーザビーム径の半
値幅以下であることを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅからな
ることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒
体。 - 【請求項３】 記録層に隣接して熱伝導率が５０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上の金属層が設けられていることを特徴とする請
求項１または２記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項４】 金属層の膜厚が５ｎｍ〜１５ｎｍである
ことを特徴とする請求項３記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項５】 基板の表面に熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ
以上の金属層が設けられていることを特徴とする請求項
３または４記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項６】 金属層の膜厚が５ｎｍ〜１５ｎｍである
ことを特徴とする請求項５記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項７】 グルーブ及びランドを有する基板上に、
グルーブ及びランドの端における膜厚がグルーブ及びラ
ンドの中心における膜厚よりも厚い金属層を有すること
を特徴とする請求項３、４、５または６何れか記載の相
変化型光記録媒体。 - 【請求項８】 金属層がＴｂからなることを特徴とする
請求項３、４、５、６または７何れか記載の相変化型光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363217A JPH11176025A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363217A JPH11176025A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176025A true JPH11176025A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18478788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9363217A Pending JPH11176025A (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11176025A (ja) |
-
1997
- 1997-12-15 JP JP9363217A patent/JPH11176025A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040122 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050311 |