JPH11176610A - Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板 - Google Patents
Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板Info
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- JPH11176610A JPH11176610A JP10279778A JP27977898A JPH11176610A JP H11176610 A JPH11176610 A JP H11176610A JP 10279778 A JP10279778 A JP 10279778A JP 27977898 A JP27977898 A JP 27977898A JP H11176610 A JPH11176610 A JP H11176610A
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- H01H85/02—Details
- H01H85/46—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the protective device
- H01H2085/466—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the protective device with remote controlled forced fusing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 体積抵抗値が低く、ピーク時の抵抗値が高
く、しかも狭い温度範囲で抵抗値を急激に上昇させるこ
とができるとともに、リフロー処理等の高温処理を行っ
ても、低い初期体積抵抗値が得られ、トリップを繰返し
後も低い体積抵抗値を得ることができるＰＴＣ素子なら
びにこれを用いた保護装置および回路基板を提供する。 【解決手段】 非導電性の結晶性高分子６中に導電材１
が分散した混練物７の両側に電極８ａ、８ｂを一体化し
たＰＴＣ素子５において、導電材１は表面に凹凸を有す
る導電粒子、特に球状炭素粒子２の表面に金属層３を形
成した導電粒子を使用する。
く、しかも狭い温度範囲で抵抗値を急激に上昇させるこ
とができるとともに、リフロー処理等の高温処理を行っ
ても、低い初期体積抵抗値が得られ、トリップを繰返し
後も低い体積抵抗値を得ることができるＰＴＣ素子なら
びにこれを用いた保護装置および回路基板を提供する。 【解決手段】 非導電性の結晶性高分子６中に導電材１
が分散した混練物７の両側に電極８ａ、８ｂを一体化し
たＰＴＣ素子５において、導電材１は表面に凹凸を有す
る導電粒子、特に球状炭素粒子２の表面に金属層３を形
成した導電粒子を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は正温度係数を有する
ＰＴＣ素子、特に過電流、過電圧、その他の発熱に対す
る保護素子として使用できるＰＴＣ素子、ならびにこれ
を用いた保護装置および回路基板に関するものである。
ＰＴＣ素子、特に過電流、過電圧、その他の発熱に対す
る保護素子として使用できるＰＴＣ素子、ならびにこれ
を用いた保護装置および回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＣ（Positive Temperature Coeffic
ient）素子はＰＴＣサーミスタとも呼ばれ、正温度係数
を有し、温度の上昇に伴って抵抗が増加するため、過電
流、その他の発熱に対する保護素子として使用されてい
る。このようなＰＴＣ素子としては非導電性の結晶性高
分子中に導電材が分散したものが使用されている。この
ようなＰＴＣ素子では、低温状態では導電材が接触して
導通するため低い抵抗値を示すが、温度上昇に伴って結
晶性高分子が膨張することにより、導電材の接触が破れ
て抵抗値が大きくなり、電流が遮断されるようになって
いる。
ient）素子はＰＴＣサーミスタとも呼ばれ、正温度係数
を有し、温度の上昇に伴って抵抗が増加するため、過電
流、その他の発熱に対する保護素子として使用されてい
る。このようなＰＴＣ素子としては非導電性の結晶性高
分子中に導電材が分散したものが使用されている。この
ようなＰＴＣ素子では、低温状態では導電材が接触して
導通するため低い抵抗値を示すが、温度上昇に伴って結
晶性高分子が膨張することにより、導電材の接触が破れ
て抵抗値が大きくなり、電流が遮断されるようになって
いる。
【０００３】従来のＰＴＣ素子として導電材に球状、特
に真球状の炭素粒子を用いるもの（特開平８−２９８２
０１号）、あるいはこのような球状粒子の表面に金属層
を形成したもの（特開平８−１７２００１号）などがあ
る。このようなＰＴＣ素子では、球状の導電材を用いる
ことにより、体積抵抗値が低く、ピーク時の抵抗値が高
く、しかも狭い範囲で抵抗値を急激に上昇させることが
できるとされている。
に真球状の炭素粒子を用いるもの（特開平８−２９８２
０１号）、あるいはこのような球状粒子の表面に金属層
を形成したもの（特開平８−１７２００１号）などがあ
る。このようなＰＴＣ素子では、球状の導電材を用いる
ことにより、体積抵抗値が低く、ピーク時の抵抗値が高
く、しかも狭い範囲で抵抗値を急激に上昇させることが
できるとされている。
【０００４】しかしながら、このような従来のＰＴＣ素
子を回路基板に表面実装する場合、はんだのリフロー処
理等の高温処理を行うと、初期体積抵抗値が高くなるた
め、表面実装用のＰＴＣ素子としての使用が困難な場合
がある。
子を回路基板に表面実装する場合、はんだのリフロー処
理等の高温処理を行うと、初期体積抵抗値が高くなるた
め、表面実装用のＰＴＣ素子としての使用が困難な場合
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、体積
抵抗値が低く、ピーク時の抵抗値が高く、しかも狭い温
度範囲で抵抗値を急激に上昇させることができるととも
に、リフロー処理等の高温処理を行っても、低い初期体
積抵抗値が得られ、トリップを繰返した後も低い体積抵
抗値を得ることができるＰＴＣ素子、ならびにこれを用
いた保護装置および回路基板を提供することである。
抵抗値が低く、ピーク時の抵抗値が高く、しかも狭い温
度範囲で抵抗値を急激に上昇させることができるととも
に、リフロー処理等の高温処理を行っても、低い初期体
積抵抗値が得られ、トリップを繰返した後も低い体積抵
抗値を得ることができるＰＴＣ素子、ならびにこれを用
いた保護装置および回路基板を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は次のＰＴＣ素
子、保護装置ならびに回路基板である。 （１） 非導電性の結晶性高分子と、この結晶性高分子
中に分散した導電材とからなるＰＴＣ素子において、前
記導電材は表面に凹凸を有する導電粒子からなることを
特徴とするＰＴＣ素子。 （２） 導電材が表面に凹凸を有する微小球状炭素粒子
である上記（１）記載のＰＴＣ素子。 （３） 導電材がコーティングにより表面に凹凸を形成
した微小球状炭素粒子である上記（１）記載のＰＴＣ素
子。 （４） 導電材が粒子の表面に金属層を有する上記
（１）ないし（３）のいずれかに記載のＰＴＣ素子。 （５） 初期体積抵抗値およびリフロー投入後の体積抵
抗値が共に１×１０-1Ω・ｃｍ以下である上記（４）記
載のＰＴＣ素子。 （６） 上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のＰ
ＴＣ素子と、このＰＴＣ素子に熱を伝える発熱体と、異
常を検知して発熱体に通電する検知素子を有する保護装
置。 （７） ＰＴＣ素子が複数個設けられた上記（６）記載
の保護装置。 （８） 探知素子が電圧検知素子である上記（６）また
は（７）記載の保護装置。 （９） ＰＴＣ素子と発熱体が絶縁材を介して熱的に接
続された上記（６）ないし（８）記載の保護装置。 （１０） 上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の
ＰＴＣ素子が実装された回路基板。 （１１） 上記（６）ないし（９）のいずれかに記載の
保護装置が実装された回路基板。
子、保護装置ならびに回路基板である。 （１） 非導電性の結晶性高分子と、この結晶性高分子
中に分散した導電材とからなるＰＴＣ素子において、前
記導電材は表面に凹凸を有する導電粒子からなることを
特徴とするＰＴＣ素子。 （２） 導電材が表面に凹凸を有する微小球状炭素粒子
である上記（１）記載のＰＴＣ素子。 （３） 導電材がコーティングにより表面に凹凸を形成
した微小球状炭素粒子である上記（１）記載のＰＴＣ素
子。 （４） 導電材が粒子の表面に金属層を有する上記
（１）ないし（３）のいずれかに記載のＰＴＣ素子。 （５） 初期体積抵抗値およびリフロー投入後の体積抵
抗値が共に１×１０-1Ω・ｃｍ以下である上記（４）記
載のＰＴＣ素子。 （６） 上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のＰ
ＴＣ素子と、このＰＴＣ素子に熱を伝える発熱体と、異
常を検知して発熱体に通電する検知素子を有する保護装
置。 （７） ＰＴＣ素子が複数個設けられた上記（６）記載
の保護装置。 （８） 探知素子が電圧検知素子である上記（６）また
は（７）記載の保護装置。 （９） ＰＴＣ素子と発熱体が絶縁材を介して熱的に接
続された上記（６）ないし（８）記載の保護装置。 （１０） 上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の
ＰＴＣ素子が実装された回路基板。 （１１） 上記（６）ないし（９）のいずれかに記載の
保護装置が実装された回路基板。
【０００７】本発明において用いる結晶性高分子は非導
電性であって、温度上昇により膨張する有機ポリマーで
あれば、従来から使用されているものが制限なしに使用
できるが、特定の狭い温度領域で急激に膨張するものが
好ましい。このような結晶性高分子としては、ポリエチ
レン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリカプロ
ラクトンなどがあげられるが、これらの中でもポリエチ
レン、エチレン・メタクリレートコポリマなどが好まし
い。
電性であって、温度上昇により膨張する有機ポリマーで
あれば、従来から使用されているものが制限なしに使用
できるが、特定の狭い温度領域で急激に膨張するものが
好ましい。このような結晶性高分子としては、ポリエチ
レン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリカプロ
ラクトンなどがあげられるが、これらの中でもポリエチ
レン、エチレン・メタクリレートコポリマなどが好まし
い。
【０００８】本発明で用いる導電材は表面に凹凸を有す
る微小球状粒子であり、基本形状は球形、好ましくは真
球形であって、その表面に小さい凹凸が形成されている
導電体である。粒径は５〜５０μｍ、好ましくは１０〜
４０μｍ、凹凸を形成する突起の高さは０．０１〜１０
μｍ、好ましくは０．１〜１μｍであって、粒径の１／
５〜１／１０００、好ましくは１／１０〜１／１００、
比重は２〜５、好ましくは２〜３．５が望ましい。
る微小球状粒子であり、基本形状は球形、好ましくは真
球形であって、その表面に小さい凹凸が形成されている
導電体である。粒径は５〜５０μｍ、好ましくは１０〜
４０μｍ、凹凸を形成する突起の高さは０．０１〜１０
μｍ、好ましくは０．１〜１μｍであって、粒径の１／
５〜１／１０００、好ましくは１／１０〜１／１００、
比重は２〜５、好ましくは２〜３．５が望ましい。
【０００９】このような導電材の材質としては銀その他
の金属、炭素材など導電性を有する材料が特に制限なく
使用できるが、製造その他の点から炭素材、特に黒鉛な
らびにその表面にめっき等により金属層を形成したもの
が好ましい。金属層としては金、銀、銅、ニッケル等が
あり、金が好ましいが固着性の面からニッケル−金の２
層を形成するのが好ましい。
の金属、炭素材など導電性を有する材料が特に制限なく
使用できるが、製造その他の点から炭素材、特に黒鉛な
らびにその表面にめっき等により金属層を形成したもの
が好ましい。金属層としては金、銀、銅、ニッケル等が
あり、金が好ましいが固着性の面からニッケル−金の２
層を形成するのが好ましい。
【００１０】上記の表面に凹凸を有する球状の炭素粒子
は、球状の熱硬化性樹脂またはこれを炭素化して得られ
る炭素粒子に、ピッチコーティング等により表面に凹凸
を形成した状態で、炭素化することにより製造すること
ができるが、上記炭素粒子に炭素粉末をコーティングす
る方法などの他の方法により製造することもできる。
は、球状の熱硬化性樹脂またはこれを炭素化して得られ
る炭素粒子に、ピッチコーティング等により表面に凹凸
を形成した状態で、炭素化することにより製造すること
ができるが、上記炭素粒子に炭素粉末をコーティングす
る方法などの他の方法により製造することもできる。
【００１１】こうして得られる表面に凹凸を有する炭素
粒子の表面に金属層を形成する方法としては、真空蒸
着、イオンプレーティング、金属溶射などの物理的方法
によることもできるが、電解めっき、または無電解めっ
き等のめっきによる方法が好ましい。めっきとしてはニ
ッケルめっきおよび金めっきを施したものが好ましい。
金属層の厚さは製法により異なるが、一般的には０．０
２〜０．２μｍ、好ましくは０．１〜０．１５μｍが適
当である。
粒子の表面に金属層を形成する方法としては、真空蒸
着、イオンプレーティング、金属溶射などの物理的方法
によることもできるが、電解めっき、または無電解めっ
き等のめっきによる方法が好ましい。めっきとしてはニ
ッケルめっきおよび金めっきを施したものが好ましい。
金属層の厚さは製法により異なるが、一般的には０．０
２〜０．２μｍ、好ましくは０．１〜０．１５μｍが適
当である。
【００１２】本発明のＰＴＣ素子は結晶性高分子中に上
記導電材が分散した混練物を電極間に配置したものであ
り、導電材の割合は全体の２５〜６０容積％、好ましく
は４０〜５０容積％とされる。２５容積％未満では十分
な初期体積抵抗値が得られず、また６０容積％を超える
と十分なＰＴＣ特性が得られない。本発明のＰＴＣ素子
は結晶性高分子および導電材のほかに耐熱安定剤、耐候
安定剤その他の成分を含んでいてもよい。
記導電材が分散した混練物を電極間に配置したものであ
り、導電材の割合は全体の２５〜６０容積％、好ましく
は４０〜５０容積％とされる。２５容積％未満では十分
な初期体積抵抗値が得られず、また６０容積％を超える
と十分なＰＴＣ特性が得られない。本発明のＰＴＣ素子
は結晶性高分子および導電材のほかに耐熱安定剤、耐候
安定剤その他の成分を含んでいてもよい。
【００１３】本発明のＰＴＣ素子は、結晶性高分子およ
び導電材、ならびに必要により添加される他の成分を混
合し、溶融状態で混練して成形し、混練物を電極間に配
置することにより製造される。このとき混練物を電極と
しての金属箔に挟んでプレスすることにより、電極と一
体化したＰＴＣ素子が得られる。
び導電材、ならびに必要により添加される他の成分を混
合し、溶融状態で混練して成形し、混練物を電極間に配
置することにより製造される。このとき混練物を電極と
しての金属箔に挟んでプレスすることにより、電極と一
体化したＰＴＣ素子が得られる。
【００１４】こうして得られる本発明のＰＴＣ素子は初
期体積抵抗値およびリフロー投入後の体積抵抗値がとも
に１×１０-1Ω・ｃｍ以下のものであり、トリップを繰
返した後も低い体積抵抗値を得ることができる。従って
本発明のＰＴＣ素子は一般の保護素子として使用できる
他、回路基板に表面実装しリフロー処理を行う保護素子
としての使用にも適している。
期体積抵抗値およびリフロー投入後の体積抵抗値がとも
に１×１０-1Ω・ｃｍ以下のものであり、トリップを繰
返した後も低い体積抵抗値を得ることができる。従って
本発明のＰＴＣ素子は一般の保護素子として使用できる
他、回路基板に表面実装しリフロー処理を行う保護素子
としての使用にも適している。
【００１５】本発明のＰＴＣ素子は正温度係数を有し、
低温下においては導電材が接触して体積抵抗値は低く導
通するが、温度の上昇により、特に特定の温度領域にお
いて急激に結晶性高分子の体積膨張が生じ、これにより
導電材が離間して体積抵抗値が急激に増加し、これによ
りＰＴＣ素子がトリップして電流が遮断される。これに
より本発明のＰＴＣ素子は過電流、過電圧による発熱な
らびに電池の異常反応による発熱などを検知して電流を
遮断する保護素子として利用することができる。
低温下においては導電材が接触して体積抵抗値は低く導
通するが、温度の上昇により、特に特定の温度領域にお
いて急激に結晶性高分子の体積膨張が生じ、これにより
導電材が離間して体積抵抗値が急激に増加し、これによ
りＰＴＣ素子がトリップして電流が遮断される。これに
より本発明のＰＴＣ素子は過電流、過電圧による発熱な
らびに電池の異常反応による発熱などを検知して電流を
遮断する保護素子として利用することができる。
【００１６】本発明のＰＴＣ素子のトリップ温度は従来
のものと同様に結晶性高分子の種類、組成ならびに導電
材の量などにより調整することができる。本発明の保護
装置は上記のようなＰＴＣ素子と発熱体と検知素子とか
ら構成される。発熱体はＰＴＣ素子に熱を伝えるように
例えば絶縁体を介して熱的に接続される。ＰＴＣ素子は
複数個設けることができる。検知素子は異常を検知して
発熱体に通電するように接続される。検知素子としては
例えば電圧検知素子が使用され、この場合過電圧の検知
により発熱体に通電するように接続される。
のものと同様に結晶性高分子の種類、組成ならびに導電
材の量などにより調整することができる。本発明の保護
装置は上記のようなＰＴＣ素子と発熱体と検知素子とか
ら構成される。発熱体はＰＴＣ素子に熱を伝えるように
例えば絶縁体を介して熱的に接続される。ＰＴＣ素子は
複数個設けることができる。検知素子は異常を検知して
発熱体に通電するように接続される。検知素子としては
例えば電圧検知素子が使用され、この場合過電圧の検知
により発熱体に通電するように接続される。
【００１７】上記の保護装置においては検知装置が過電
圧等の異常を検知して発熱体に通電すると、発熱体が発
熱してこの熱がＰＴＣ素子に伝えられ、ＰＴＣ素子がト
リップして電流が遮断され、これにより保護装置として
機能する。検知素子が電圧検知素子の場合は過電圧によ
りＰＴＣ素子が電流を遮断し、装置を保護する。
圧等の異常を検知して発熱体に通電すると、発熱体が発
熱してこの熱がＰＴＣ素子に伝えられ、ＰＴＣ素子がト
リップして電流が遮断され、これにより保護装置として
機能する。検知素子が電圧検知素子の場合は過電圧によ
りＰＴＣ素子が電流を遮断し、装置を保護する。
【００１８】上記のＰＴＣ素子または保護装置は他の装
置とともに回路基板に実装することにより、保護装置付
の回路基板が得られる。この場合ＰＴＣ素子または保護
装置の実装に際してリフロー処理を行ってもＰＴＣ素子
は劣化することなく、保護素子としての機能を維持す
る。
置とともに回路基板に実装することにより、保護装置付
の回路基板が得られる。この場合ＰＴＣ素子または保護
装置の実装に際してリフロー処理を行ってもＰＴＣ素子
は劣化することなく、保護素子としての機能を維持す
る。
【００１９】本発明の回路基板は、前記ＰＴＣ素子、発
熱体および検知素子からなる保護素子を実装した回路基
板である。この回路基板では過電圧、過放電のような異
常が生じた場合に、検知器がこれを検知して発熱体に給
電して発熱させ、これによりＰＴＣ素子をトリップさせ
ることができる。例えば、蓄電池の充電回路において過
電圧が生じた場合、あるいは電池の放電回路において異
常反応により過放電が生じた場合などにおいて、検知器
がこれらを検知して発熱体を発熱させ、ＰＴＣ素子をト
リップさせることができる。
熱体および検知素子からなる保護素子を実装した回路基
板である。この回路基板では過電圧、過放電のような異
常が生じた場合に、検知器がこれを検知して発熱体に給
電して発熱させ、これによりＰＴＣ素子をトリップさせ
ることができる。例えば、蓄電池の充電回路において過
電圧が生じた場合、あるいは電池の放電回路において異
常反応により過放電が生じた場合などにおいて、検知器
がこれらを検知して発熱体を発熱させ、ＰＴＣ素子をト
リップさせることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明のＰＴＣ素子は、結晶性高分子中
に分散する導電材として表面に凹凸を有する微小球状導
電粒子を用いたので、体積抵抗値が低く、ピーク時の抵
抗値が高く、しかも狭い温度範囲で抵抗値を急激に上昇
させることができるとともに、リフロー処理等の高温処
理を行っても、低い初期体積抵抗値が得られ、トリップ
を繰返した後も低い体積抵抗値を得ることができるＰＴ
Ｃ素子が得られる。
に分散する導電材として表面に凹凸を有する微小球状導
電粒子を用いたので、体積抵抗値が低く、ピーク時の抵
抗値が高く、しかも狭い温度範囲で抵抗値を急激に上昇
させることができるとともに、リフロー処理等の高温処
理を行っても、低い初期体積抵抗値が得られ、トリップ
を繰返した後も低い体積抵抗値を得ることができるＰＴ
Ｃ素子が得られる。
【００２１】上記の表面に凹凸を有する微小球状粒子と
して、表面に凹凸を有する炭素粒子を用いることによ
り、初期体積抵抗値の小さいものを容易に製造すること
ができ、特にピッチコートにより表面に凹凸を有する炭
素粒子を用いることにより、容易に適正な凹凸形状を形
成することができる。
して、表面に凹凸を有する炭素粒子を用いることによ
り、初期体積抵抗値の小さいものを容易に製造すること
ができ、特にピッチコートにより表面に凹凸を有する炭
素粒子を用いることにより、容易に適正な凹凸形状を形
成することができる。
【００２２】導電材として粒子の表面に金属層を有する
ものを用いる場合は、導通時の体積抵抗値を小さくする
ことができるが、表面に凹凸を有する炭素粒子の表面に
金属層を形成したものは導通時の体積抵抗値の小さいも
のを容易かつ安価に製造することが可能になる。
ものを用いる場合は、導通時の体積抵抗値を小さくする
ことができるが、表面に凹凸を有する炭素粒子の表面に
金属層を形成したものは導通時の体積抵抗値の小さいも
のを容易かつ安価に製造することが可能になる。
【００２３】本発明の保護装置はこのようなＰＴＣ素子
と発熱体と検知素子とを組合せたので、ＰＴＣ素子では
検知できない過電圧等の異常を検知して電流を遮断し装
置を保護することができ、この場合でも高温処理を行っ
ても低い初期体積抵抗値が得られ、トリップを繰返した
後も低い体積抵抗値を得ることができる。
と発熱体と検知素子とを組合せたので、ＰＴＣ素子では
検知できない過電圧等の異常を検知して電流を遮断し装
置を保護することができ、この場合でも高温処理を行っ
ても低い初期体積抵抗値が得られ、トリップを繰返した
後も低い体積抵抗値を得ることができる。
【００２４】本発明の回路基板は上記のようなＰＴＣ素
子または保護装置を回路基板に実装するため、実装に際
してリフロー処理を行っても低い初期体積抵抗値が得ら
れ、トリップを繰返した後も低い体積抵抗値を得ること
ができる。
子または保護装置を回路基板に実装するため、実装に際
してリフロー処理を行っても低い初期体積抵抗値が得ら
れ、トリップを繰返した後も低い体積抵抗値を得ること
ができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。図１（ａ）は実施形態の導電材を示す断
面図、（ｂ）はＰＴＣ素子を示す断面図である。
より説明する。図１（ａ）は実施形態の導電材を示す断
面図、（ｂ）はＰＴＣ素子を示す断面図である。
【００２６】図１（ａ）において、１は導電材であっ
て、表面に凹凸を有する微小球状炭素粒子２の表面に金
属層３が形成されている。炭素粒子２は真球状の粒子本
体２ａにピッチコートおよび炭化により表面に突出部２
ｂを形成し、これにより全体を、凹凸形状に形成した炭
素粒子である。金属層３は炭素粒子２の表面の全面にニ
ッケルめっきおよび金めっきによって２層に形成されて
いるが、１層として図示されている。また金属層３は理
解を容易にするために実際よりも厚く表示されている。
て、表面に凹凸を有する微小球状炭素粒子２の表面に金
属層３が形成されている。炭素粒子２は真球状の粒子本
体２ａにピッチコートおよび炭化により表面に突出部２
ｂを形成し、これにより全体を、凹凸形状に形成した炭
素粒子である。金属層３は炭素粒子２の表面の全面にニ
ッケルめっきおよび金めっきによって２層に形成されて
いるが、１層として図示されている。また金属層３は理
解を容易にするために実際よりも厚く表示されている。
【００２７】図１（ｂ）において、５はＰＴＣ素子であ
り、上記のような導電材１が結晶性高分子６中に分散し
た混練物７の両側に、金属箔からなる電極８ａ、８ｂが
一体化されている。
り、上記のような導電材１が結晶性高分子６中に分散し
た混練物７の両側に、金属箔からなる電極８ａ、８ｂが
一体化されている。
【００２８】上記のＰＴＣ素子５は結晶性高分子６と導
電材１とを混練し、混練物７を電極８ａ、８ｂで挟んで
プレスし、所定の大きさに切断することにより製造され
る。
電材１とを混練し、混練物７を電極８ａ、８ｂで挟んで
プレスし、所定の大きさに切断することにより製造され
る。
【００２９】上記のＰＴＣ素子５は、電極８ａ、８ｂを
保護または検知回路に接続して使用される。この場合、
低温では導電材１が接触しているため体積抵抗値は低い
が温度上昇により結晶性高分子６が膨張すると、導電材
１が離間して抵抗値が増加する。この抵抗値を検出して
表示し、または発熱体の電源を制御することにより、発
熱に対する検知または保護素子として利用される。また
ＰＴＣ素子５は過電流により発熱すると抵抗値が増加す
るため過電流に対する検知または保護素子として利用さ
れる。
保護または検知回路に接続して使用される。この場合、
低温では導電材１が接触しているため体積抵抗値は低い
が温度上昇により結晶性高分子６が膨張すると、導電材
１が離間して抵抗値が増加する。この抵抗値を検出して
表示し、または発熱体の電源を制御することにより、発
熱に対する検知または保護素子として利用される。また
ＰＴＣ素子５は過電流により発熱すると抵抗値が増加す
るため過電流に対する検知または保護素子として利用さ
れる。
【００３０】図２（ａ）は実施形態の保護素子を示す断
面図、（ｂ）はキャップを外した平面図である。図２に
おいて１０は保護素子であって、基板１１上に電極１２
ａ、１２ｂが形成され、一方の電極１２ａ上にＰＴＣ素
子５が搭載されて、電極８ｂと接続し、ＰＴＣ素子５の
電極８ａと基板１１の他方の電極１２ｂ間を接続するよ
うに金属箔１３が固着され、全体をキャップ１４が覆っ
ている。
面図、（ｂ）はキャップを外した平面図である。図２に
おいて１０は保護素子であって、基板１１上に電極１２
ａ、１２ｂが形成され、一方の電極１２ａ上にＰＴＣ素
子５が搭載されて、電極８ｂと接続し、ＰＴＣ素子５の
電極８ａと基板１１の他方の電極１２ｂ間を接続するよ
うに金属箔１３が固着され、全体をキャップ１４が覆っ
ている。
【００３１】上記の基板１１はガラス繊維強化エポキシ
樹脂等の絶縁材からなり電極１２ａ、１２ｂは銅箔等に
より形成される導体層パターンである。ＰＴＣ素子５の
電極８ａ、８ｂ、基板１１の電極１２ａ、１２ｂ、およ
び金属箔１３はリフロー処理によりはんだ付けされる。
樹脂等の絶縁材からなり電極１２ａ、１２ｂは銅箔等に
より形成される導体層パターンである。ＰＴＣ素子５の
電極８ａ、８ｂ、基板１１の電極１２ａ、１２ｂ、およ
び金属箔１３はリフロー処理によりはんだ付けされる。
【００３２】上記の保護素子１０は発熱体に近接して配
置すると、発熱により高温になると、ＰＴＣ素子５が、
抵抗の増大によりトリップして、発熱を検知し、電流を
遮断して装置を保護することができる。
置すると、発熱により高温になると、ＰＴＣ素子５が、
抵抗の増大によりトリップして、発熱を検知し、電流を
遮断して装置を保護することができる。
【００３３】図３（ａ）は実施形態の回路基板の平面
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。回路基板２０は
基板１１上に導体パターンとしてＰＴＣ用電極１２ａ、
１２ｂと発熱体用電極１５ａ、１５ｂが形成されてい
る。ＰＴＣ用電極１２ａ、１２ｂにはそれぞれＰＴＣ素
子５ａ、５ｂが固着され、これらを接続するように金属
箔１３が固着されて保護素子が形成されている。発熱体
用電極１５ａ、１５ｂを接続するように、ＰＴＣ素子５
ａ、５ｂ間に発熱体１６が設けられ、絶縁材１７により
絶縁されており、全体がキャップ（封止体）１４で覆わ
れている。
図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。回路基板２０は
基板１１上に導体パターンとしてＰＴＣ用電極１２ａ、
１２ｂと発熱体用電極１５ａ、１５ｂが形成されてい
る。ＰＴＣ用電極１２ａ、１２ｂにはそれぞれＰＴＣ素
子５ａ、５ｂが固着され、これらを接続するように金属
箔１３が固着されて保護素子が形成されている。発熱体
用電極１５ａ、１５ｂを接続するように、ＰＴＣ素子５
ａ、５ｂ間に発熱体１６が設けられ、絶縁材１７により
絶縁されており、全体がキャップ（封止体）１４で覆わ
れている。
【００３４】上記の回路基板２０においては電極１２
ａ、１２ｂ、ＰＴＣ素子５ａ、５ｂおよび金属箔１３の
接続はリフロー処理によりはんだ付けされる。上記の回
路基板２０において発熱体１６の温度が高くなると、そ
の熱によりＰＴＣ素子５ａ、５ｂがトリップして電極１
２ａ、１２ｂの電流値が小さくなる。
ａ、１２ｂ、ＰＴＣ素子５ａ、５ｂおよび金属箔１３の
接続はリフロー処理によりはんだ付けされる。上記の回
路基板２０において発熱体１６の温度が高くなると、そ
の熱によりＰＴＣ素子５ａ、５ｂがトリップして電極１
２ａ、１２ｂの電流値が小さくなる。
【００３５】図４（ａ）は他の実施形態の回路基板の平
面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。この実施形態
では、ＰＴＣ用電極１２ａ、１２ｂの中間に中間電極１
２ｃが形成され、発熱体１６ａ、１６ｂがこの中間電極
１２ｃと各ＰＴＣ用電極１２ａ、１２ｂ間に分離形成さ
れるとともに、ＰＴＣ素子５ａとＰＴＣ素子５ｂの間が
中間電極１２ｃを介して金属箔１３で接続されている。
面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。この実施形態
では、ＰＴＣ用電極１２ａ、１２ｂの中間に中間電極１
２ｃが形成され、発熱体１６ａ、１６ｂがこの中間電極
１２ｃと各ＰＴＣ用電極１２ａ、１２ｂ間に分離形成さ
れるとともに、ＰＴＣ素子５ａとＰＴＣ素子５ｂの間が
中間電極１２ｃを介して金属箔１３で接続されている。
【００３６】上記の回路基板２０においては、電極１２
ａ、１２ｂ、１２ｃ、ＰＴＣ素子５ａ、５ｂおよび金属
箔１３の接続はリフロー処理によりはんだ付けされる。
上記の回路基板において発熱体１６ａ、１６ｂの温度が
高くなると、その熱によりＰＴＣ素子５ａ、５ｂがトリ
ップして電極１２ａ、１２ｂの電流値が小さくなるの
で、これにより電極１５ａ、１５ｂへの通電量を減少さ
せることにより発熱体１６ａ、１６ｂの温度が低下し装
置全体が保護される。
ａ、１２ｂ、１２ｃ、ＰＴＣ素子５ａ、５ｂおよび金属
箔１３の接続はリフロー処理によりはんだ付けされる。
上記の回路基板において発熱体１６ａ、１６ｂの温度が
高くなると、その熱によりＰＴＣ素子５ａ、５ｂがトリ
ップして電極１２ａ、１２ｂの電流値が小さくなるの
で、これにより電極１５ａ、１５ｂへの通電量を減少さ
せることにより発熱体１６ａ、１６ｂの温度が低下し装
置全体が保護される。
【００３７】図５（ａ）は図３（ａ）、（ｂ）の回路基
板を本発明の保護装置として用いる実施形態を示す回路
図である。この保護装置はＰＴＣ素子５ａ、５ｂ、発熱
体１６および検知素子２１を含む。ここでは端子ｆ、ｇ
間にＰＴＣ素子５ａ、５ｂ、発熱体１６および検知素子
２１のトランジスタ２２を直列に接続し、端子ｆとトラ
ンジスタ２２のベース間に検知素子２１を構成するツェ
ナーダイオード２３と抵抗２４が接続されている。この
検知素子２１の各部材も回路基板２０に実装されている
が、図３（ａ）、（ｂ）における図示は省略されてい
る。
板を本発明の保護装置として用いる実施形態を示す回路
図である。この保護装置はＰＴＣ素子５ａ、５ｂ、発熱
体１６および検知素子２１を含む。ここでは端子ｆ、ｇ
間にＰＴＣ素子５ａ、５ｂ、発熱体１６および検知素子
２１のトランジスタ２２を直列に接続し、端子ｆとトラ
ンジスタ２２のベース間に検知素子２１を構成するツェ
ナーダイオード２３と抵抗２４が接続されている。この
検知素子２１の各部材も回路基板２０に実装されている
が、図３（ａ）、（ｂ）における図示は省略されてい
る。
【００３８】上記の保護装置においては、ｆ、ｇ間の電
圧がツェナー電圧に達する過電圧になると、ツェナーダ
イオード２３に電流が流れ、これによりトランジスタ２
２が導通して発熱体１６に電流が流れ、発熱する。その
熱が金属箔１３を通してＰＴＣ素子５ａ、５ｂに伝導し
てその抵抗値を上昇させ電流を遮断する。このため過電
圧に対する保護装置として、電池の充電回路等に利用さ
れる。
圧がツェナー電圧に達する過電圧になると、ツェナーダ
イオード２３に電流が流れ、これによりトランジスタ２
２が導通して発熱体１６に電流が流れ、発熱する。その
熱が金属箔１３を通してＰＴＣ素子５ａ、５ｂに伝導し
てその抵抗値を上昇させ電流を遮断する。このため過電
圧に対する保護装置として、電池の充電回路等に利用さ
れる。
【００３９】図５（ｂ）は図４（ａ）、（ｂ）の回路基
板を本発明の保護装置として用いる実施形態を示す回路
図である。この保護装置はＰＴＣ素子５ａ、５ｂ、発熱
体１６ａ、１６ｂおよび検知素子２１を含む。この実施
形態では中間電極１２ｃによりＰＴＣ素子５ａ、５ｂお
よび発熱体１６ａ、１６ｂが分離されているほかは図５
（ａ）と同様に接続されている。
板を本発明の保護装置として用いる実施形態を示す回路
図である。この保護装置はＰＴＣ素子５ａ、５ｂ、発熱
体１６ａ、１６ｂおよび検知素子２１を含む。この実施
形態では中間電極１２ｃによりＰＴＣ素子５ａ、５ｂお
よび発熱体１６ａ、１６ｂが分離されているほかは図５
（ａ）と同様に接続されている。
【００４０】上記の保護装置においては、端子ｆ、ｇ側
で通電が行われる場合と、ｈ、ｉ側で通電が行われる場
合のいずれの場合も、過電圧が生じると検知素子２１が
動作して発熱体１６ａ、１６ｂの両方が発熱し、これに
よりＰＴＣ素子５ａ、５ｂの両方がトリップして発熱体
１６ａ、１６ｂの通電を停止する。このため過電圧に対
する保護素子として電池の充電回路等に利用される。
で通電が行われる場合と、ｈ、ｉ側で通電が行われる場
合のいずれの場合も、過電圧が生じると検知素子２１が
動作して発熱体１６ａ、１６ｂの両方が発熱し、これに
よりＰＴＣ素子５ａ、５ｂの両方がトリップして発熱体
１６ａ、１６ｂの通電を停止する。このため過電圧に対
する保護素子として電池の充電回路等に利用される。
【００４１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００４２】実施例１、２、比較例１、２ 次の微小球状炭素粒子を用い、その表面上に無電解めっ
きにより、Ｎｉめっきおよびさらにその上にＡｕめっき
を施して金属層を形成し導電材とした。微小球状炭素粒
子としては、実施例１、２で用いた導電材１、２の炭素
粒子としてはピッチコートにより表面に凹凸を形成した
球状炭素粒子（日本カーボン（株）製、カーボンマイク
ロビーズＰＣ、商標）を用い、比較例１、２で用いた導
電材３、４の微小球状炭素粒子としては、真球状炭素粒
子（日本カーボン（株）製、カーボンマイクロビーズＩ
ＣＢ、商標）を用いた。
きにより、Ｎｉめっきおよびさらにその上にＡｕめっき
を施して金属層を形成し導電材とした。微小球状炭素粒
子としては、実施例１、２で用いた導電材１、２の炭素
粒子としてはピッチコートにより表面に凹凸を形成した
球状炭素粒子（日本カーボン（株）製、カーボンマイク
ロビーズＰＣ、商標）を用い、比較例１、２で用いた導
電材３、４の微小球状炭素粒子としては、真球状炭素粒
子（日本カーボン（株）製、カーボンマイクロビーズＩ
ＣＢ、商標）を用いた。
【００４３】導電材１：粒径５μｍ、突起高さ０．５μ
ｍのピッチコート表面修飾微小球状炭素粒子にＮｉ−Ａ
ｕめっきしたもの（Ｎｉめっき厚０．０９２μｍ、Ａｕ
めっき厚０．０６１μｍ） 導電材２：粒径１０μｍ、突起高さ１．０μｍのピッチ
コート表面修飾微小球状炭素粒子にＮｉ−Ａｕめっきし
たもの（Ｎｉめっき厚０．１１０μｍ、Ａｕめっき厚
０．０６４μｍ） 導電材３：粒径５μｍの真球炭素粒子にＮｉ−Ａｕめっ
きしたもの（Ｎｉめっき厚０．０９１μｍ、Ａｕめっき
厚０．０６１μｍ） 導電材４：粒径１０μｍの真球炭素粒子にＮｉ−Ａｕめ
っきしたもの（Ｎｉめっき厚０．１１０μｍ、Ａｕめっ
き厚０．０５７μｍ）
ｍのピッチコート表面修飾微小球状炭素粒子にＮｉ−Ａ
ｕめっきしたもの（Ｎｉめっき厚０．０９２μｍ、Ａｕ
めっき厚０．０６１μｍ） 導電材２：粒径１０μｍ、突起高さ１．０μｍのピッチ
コート表面修飾微小球状炭素粒子にＮｉ−Ａｕめっきし
たもの（Ｎｉめっき厚０．１１０μｍ、Ａｕめっき厚
０．０６４μｍ） 導電材３：粒径５μｍの真球炭素粒子にＮｉ−Ａｕめっ
きしたもの（Ｎｉめっき厚０．０９１μｍ、Ａｕめっき
厚０．０６１μｍ） 導電材４：粒径１０μｍの真球炭素粒子にＮｉ−Ａｕめ
っきしたもの（Ｎｉめっき厚０．１１０μｍ、Ａｕめっ
き厚０．０５７μｍ）
【００４４】結晶性高分子として高密度ポリエチレン
（ＨＤＰＥ：三井石油化学工業社製、商標ハイゼックス
５０００Ｈ）およびエチレン−エチルアクリレートコポ
リマー（ＥＥＡ：日本ユニカー社製、商標ＮＵＣ６１７
０）を用い、これらと上記導電材を表１に示す割合で配
合したものを、加圧ニーダを用いて１９０℃で混練後、
ホットプレス（１９０℃、５ｋｇ／ｃｍ2、２０秒）で
厚さ３００μｍのフィルム状にし、さらにＮｉ箔で挟ん
でホットプレス（１９０℃、５ｋｇ／ｃｍ2、２０秒）
し、２００μｍの厚さに成形した。
（ＨＤＰＥ：三井石油化学工業社製、商標ハイゼックス
５０００Ｈ）およびエチレン−エチルアクリレートコポ
リマー（ＥＥＡ：日本ユニカー社製、商標ＮＵＣ６１７
０）を用い、これらと上記導電材を表１に示す割合で配
合したものを、加圧ニーダを用いて１９０℃で混練後、
ホットプレス（１９０℃、５ｋｇ／ｃｍ2、２０秒）で
厚さ３００μｍのフィルム状にし、さらにＮｉ箔で挟ん
でホットプレス（１９０℃、５ｋｇ／ｃｍ2、２０秒）
し、２００μｍの厚さに成形した。
【００４５】このＰＴＣ素子の初期体積抵抗値を測定す
るとともに、図２に示すように基板にリフロー処理によ
り表面実装して保護素子を得た。リフロー温度はＭａｘ
２５０℃である。また上記の保護素子を用いてリフロー
投入後の初期抵抗値、過電流（１０Ａ）を通電したとき
の抵抗値、１０Ａ通電サイクルを１００回繰返した後の
抵抗値を測定した結果を表１に示す。
るとともに、図２に示すように基板にリフロー処理によ
り表面実装して保護素子を得た。リフロー温度はＭａｘ
２５０℃である。また上記の保護素子を用いてリフロー
投入後の初期抵抗値、過電流（１０Ａ）を通電したとき
の抵抗値、１０Ａ通電サイクルを１００回繰返した後の
抵抗値を測定した結果を表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】表１の結果より表面に凹凸を有する導電材
１、２を用いた実施例１、２は初期抵抗値およびリフロ
ー投入後の初期体積抵抗値ともに１０-2Ω・ｃｍ以下と
比較例１、２よりも低い。また１０Ａ通電サイクル後の
体積抵抗値は実施例１、２のものは比較例１、２のもの
より低いが、特に粒径１０μｍのものを用いた実施例２
のものが低いことがわかる。
１、２を用いた実施例１、２は初期抵抗値およびリフロ
ー投入後の初期体積抵抗値ともに１０-2Ω・ｃｍ以下と
比較例１、２よりも低い。また１０Ａ通電サイクル後の
体積抵抗値は実施例１、２のものは比較例１、２のもの
より低いが、特に粒径１０μｍのものを用いた実施例２
のものが低いことがわかる。
【００４８】次に上記のＰＴＣ素子を図３（ａ）、
（ｂ）のように回路基板に実装し、図５（ａ）のように
保護装置を形成し、端子ｆ、ｇ間に４．５Ｖを印加する
ＯＮを５分間、ＯＦＦを５分間繰返したときの抵抗値の
変化を図６に示す。図６より、表面に凹凸を有する導電
材１、２を用いた実施例１、２は比較例１、２よりも抵
抗値の上昇は小さく、特に粒径１０μｍの実施例２の上
昇が小さいことがわかる。
（ｂ）のように回路基板に実装し、図５（ａ）のように
保護装置を形成し、端子ｆ、ｇ間に４．５Ｖを印加する
ＯＮを５分間、ＯＦＦを５分間繰返したときの抵抗値の
変化を図６に示す。図６より、表面に凹凸を有する導電
材１、２を用いた実施例１、２は比較例１、２よりも抵
抗値の上昇は小さく、特に粒径１０μｍの実施例２の上
昇が小さいことがわかる。
【図１】実施形態の導電材の断面図、（ｂ）はＰＴＣ素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図２】（ａ）は実施形態の保護素子の断面図、（ｂ）
はキャップを外した平面図である。
はキャップを外した平面図である。
【図３】（ａ）は実施形態の回路基板の平面図、（ｂ）
はそのＡ−Ａ断面図である。
はそのＡ−Ａ断面図である。
【図４】（ａ）は実施形態の回路基板の平面図、（ｂ）
はそのＢ−Ｂ断面図である。
はそのＢ−Ｂ断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）はそれぞれ図３および図４の回
路基板を保護装置として用いる実施形態を示す回路図で
ある。
路基板を保護装置として用いる実施形態を示す回路図で
ある。
【図６】実施例の結果を示すグラフである。
１ 導電材 ２ 炭素粒子 ２ａ 粒子本体 ２ｂ 突出部 ３ 金属層 ５、５ａ、５ｂ ＰＴＣ素子 ６ 結晶性高分子 ７ 混練物 ８ａ、８ｂ、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１５ａ、１５ｂ
電極 １０ 保護素子 １１ 基板 １３ 金属箔 １４ キャップ １６、１６ａ、１６ｂ 発熱体 １７ 絶縁材 ２０ 回路基板 ２１ 検知素子
電極 １０ 保護素子 １１ 基板 １３ 金属箔 １４ キャップ １６、１６ａ、１６ｂ 発熱体 １７ 絶縁材 ２０ 回路基板 ２１ 検知素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 幸男 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケミ カル株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 非導電性の結晶性高分子と、 この結晶性高分子中に分散した導電材とを含むＰＴＣ素
子において、 前記導電材は表面に凹凸を有する導電粒子からなること
を特徴とするＰＴＣ素子。 - 【請求項２】 導電材が表面に凹凸を有する微小球状炭
素粒子である請求項１記載のＰＴＣ素子。 - 【請求項３】 導電材がコーティングにより表面に凹凸
を形成した微小球状炭素粒子である請求項１記載のＰＴ
Ｃ素子。 - 【請求項４】 導電材が粒子の表面に金属層を有する請
求項１ないし３のいずれかに記載のＰＴＣ素子。 - 【請求項５】 初期体積抵抗値およびリフロー投入後の
体積抵抗値が共に１×１０-1Ω・ｃｍ以下である請求項
４記載のＰＴＣ素子。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載のＰ
ＴＣ素子と、このＰＴＣ素子に熱を伝える発熱体と、異
常を検知して発熱体に通電する検知素子を有する保護装
置。 - 【請求項７】 ＰＴＣ素子が複数個設けられた請求項６
記載の保護装置。 - 【請求項８】 探知素子が電圧検知素子である請求項６
または７記載の保護装置。 - 【請求項９】 ＰＴＣ素子と発熱体が絶縁材を介して熱
的に接続された請求項６ないし８記載の保護装置。 - 【請求項１０】 請求項１ないし５のいずれかに記載の
ＰＴＣ素子が実装された回路基板。 - 【請求項１１】 請求項６ないし９のいずれかに記載の
保護装置が実装された回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27977898A JP3257521B2 (ja) | 1997-10-07 | 1998-10-01 | Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27465797 | 1997-10-07 | ||
| JP9-274657 | 1997-10-07 | ||
| JP27977898A JP3257521B2 (ja) | 1997-10-07 | 1998-10-01 | Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176610A true JPH11176610A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3257521B2 JP3257521B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=17544751
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27977898A Expired - Fee Related JP3257521B2 (ja) | 1997-10-07 | 1998-10-01 | Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6114672A (ja) |
| EP (1) | EP0908902B1 (ja) |
| JP (1) | JP3257521B2 (ja) |
| KR (1) | KR100551099B1 (ja) |
| DE (1) | DE69834231T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2005038974A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Nec Tokin Corp | 高分子ｐｔｃ素子及びその製造方法 |
| WO2005098876A1 (de) * | 2004-04-03 | 2005-10-20 | Daimlerchrysler Ag | Elektrisches bauteil |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001006518A (ja) * | 1999-04-23 | 2001-01-12 | Sony Chem Corp | 過電流保護装置 |
| WO2001017320A1 (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Lex Kosowsky | Current carrying structure using voltage switchable dielectric material |
| JP2001325869A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Sony Chem Corp | 保護素子 |
| US6606228B1 (en) * | 2000-11-27 | 2003-08-12 | Ametek, Inc. | Fault detection circuit for use with a power control device |
| JP3692042B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2005-09-07 | ソニーケミカル株式会社 | 保護回路付き二次電池 |
| US6462317B1 (en) * | 2001-05-03 | 2002-10-08 | Hewlett-Packard Company | Heater bar utilizing a positive temperature coefficient heating element |
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