JPH11181594A - メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 - Google Patents
メッキ装置及びウェーハのメッキ方法Info
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- JPH11181594A JPH11181594A JP35074097A JP35074097A JPH11181594A JP H11181594 A JPH11181594 A JP H11181594A JP 35074097 A JP35074097 A JP 35074097A JP 35074097 A JP35074097 A JP 35074097A JP H11181594 A JPH11181594 A JP H11181594A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 噴流式メッキ装置でウェーハにメッキを行な
う際のカソードピンとウェーハ１との接触を確実にす
る。特にレジスト膜を被ったウェーハ１でも確実に接触
するようにする。 【解決手段】 先端鋭利なカソードピン１６をウェーハ
１に対して傾斜して配置し、ウェーハ１への押圧により
たわむと共に先端接触点にすべりが起こる様に設定され
ているメッキ装置。
う際のカソードピンとウェーハ１との接触を確実にす
る。特にレジスト膜を被ったウェーハ１でも確実に接触
するようにする。 【解決手段】 先端鋭利なカソードピン１６をウェーハ
１に対して傾斜して配置し、ウェーハ１への押圧により
たわむと共に先端接触点にすべりが起こる様に設定され
ているメッキ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体等のウェー
ハにバンプメッキ等選択的に電解メッキを行なうに改良
された方法及びその装置に関する。
ハにバンプメッキ等選択的に電解メッキを行なうに改良
された方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のメッキ方法を図３に示すメッキ装
置の断面図を用いて説明する。特開昭６３−２３２３５
４号公報や特開平３−２１４７３６号公報に記載のよう
に基板ウェーハ１ａ上に給電の電極を兼ねる下地金属層
２を形成し、その上にレジスト膜３を選択メッキする部
分を開口して形成したウェーハ１を準備する。
置の断面図を用いて説明する。特開昭６３−２３２３５
４号公報や特開平３−２１４７３６号公報に記載のよう
に基板ウェーハ１ａ上に給電の電極を兼ねる下地金属層
２を形成し、その上にレジスト膜３を選択メッキする部
分を開口して形成したウェーハ１を準備する。
【０００３】一方メッキ装置は内径が略ウェーハ１に等
しいカップ状で内部底面にメッキ液噴出口４を備えたメ
ッキ槽５の上縁の数箇所にウェーハ１を受ける先端鋭利
なカソードピン６を備える。そしてメッキ槽５の底の方
にアノード電極７を備える。
しいカップ状で内部底面にメッキ液噴出口４を備えたメ
ッキ槽５の上縁の数箇所にウェーハ１を受ける先端鋭利
なカソードピン６を備える。そしてメッキ槽５の底の方
にアノード電極７を備える。
【０００４】そしてウェーハ１のメッキをする面（表
面）を下側にしてカソードピン６上に配置し、裏面（上
面）から図示しない押圧手段で押さえるとカソードピン
６の先端がレジスト膜３を突き破り下地金属層２に接触
する。その状態でメッキ液噴出口４からメッキ液を吹き
上げウェーハ１のメッキ面に当てアノード電極７とカソ
ードピン６との間に通電してメッキを行なう。尚、オー
バーフローしたメッキ液は液路８で受けられ循環使用さ
れる。
面）を下側にしてカソードピン６上に配置し、裏面（上
面）から図示しない押圧手段で押さえるとカソードピン
６の先端がレジスト膜３を突き破り下地金属層２に接触
する。その状態でメッキ液噴出口４からメッキ液を吹き
上げウェーハ１のメッキ面に当てアノード電極７とカソ
ードピン６との間に通電してメッキを行なう。尚、オー
バーフローしたメッキ液は液路８で受けられ循環使用さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのようにレ
ジスト層をカソードピンが突き破って下地金属層と電気
的接触をとる方法であるからレジスト層が厚くなると接
触が不十分となりがちである。そこでカソードピンに接
触する部分のレジストを除去したり、薄くしたりする提
案がある。しかしながらこれらの方法は選択メッキを行
なう正規のパターンとは別にパターニングする必要が有
るので手間がかかると言う問題があり、除去する方法は
その部分にもメッキが成長し、電流や例えば金の様な高
価なメッキ材料が無駄になり、場合によってはダイシン
グ等後工程の邪魔になる場合もある。そこでこの発明は
レジスト膜を残したままでもより確実に接触がとれ、安
定してメッキが行なえる方法を提供する。
ジスト層をカソードピンが突き破って下地金属層と電気
的接触をとる方法であるからレジスト層が厚くなると接
触が不十分となりがちである。そこでカソードピンに接
触する部分のレジストを除去したり、薄くしたりする提
案がある。しかしながらこれらの方法は選択メッキを行
なう正規のパターンとは別にパターニングする必要が有
るので手間がかかると言う問題があり、除去する方法は
その部分にもメッキが成長し、電流や例えば金の様な高
価なメッキ材料が無駄になり、場合によってはダイシン
グ等後工程の邪魔になる場合もある。そこでこの発明は
レジスト膜を残したままでもより確実に接触がとれ、安
定してメッキが行なえる方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこでこの発明のメッキ
装置は内底にメッキ液の噴出口を有するメッキ槽の上縁
に設けたカソードピンにウェーハをメッキする面を下に
して配置し、押圧してカソーソピンとウェーハとの電気
的接触を確保して電解メッキを行なうメッキ装置に於い
て、前記カソードピンは先端鋭利で、ウェーハに対して
傾斜して配置され、ウェーハへの押圧によりたわむと共
に接触点にすべりが起こる様に設定されていることを特
徴とする。上記の構成によればウェーハがカソードピン
に押圧される際にピン先の接触点がすべるのでピン先に
付着した異物等による接触不要がなくなる。さらにウェ
ーハがレジスト膜を被っている場合でもピン先端のすべ
りによりレジストを削るように突きささるので確実に接
触がとれる。さらに、この発明のメッキ方法は表面に下
地金属層、その上にメッキする部分を開口したレジスト
膜を形成したウェーハを準備し、上記のメッキ装置のカ
ソードピン上にレジスト膜が接するように配置し、ウェ
ーハ裏面より押圧しピン先端のすべりによりレジスト膜
を削るように突きさし下地金属層と接触をとることを特
徴とする。この方法によれば、ウェーハがレジスト膜を
被っていても確実に接触をとることができる。
装置は内底にメッキ液の噴出口を有するメッキ槽の上縁
に設けたカソードピンにウェーハをメッキする面を下に
して配置し、押圧してカソーソピンとウェーハとの電気
的接触を確保して電解メッキを行なうメッキ装置に於い
て、前記カソードピンは先端鋭利で、ウェーハに対して
傾斜して配置され、ウェーハへの押圧によりたわむと共
に接触点にすべりが起こる様に設定されていることを特
徴とする。上記の構成によればウェーハがカソードピン
に押圧される際にピン先の接触点がすべるのでピン先に
付着した異物等による接触不要がなくなる。さらにウェ
ーハがレジスト膜を被っている場合でもピン先端のすべ
りによりレジストを削るように突きささるので確実に接
触がとれる。さらに、この発明のメッキ方法は表面に下
地金属層、その上にメッキする部分を開口したレジスト
膜を形成したウェーハを準備し、上記のメッキ装置のカ
ソードピン上にレジスト膜が接するように配置し、ウェ
ーハ裏面より押圧しピン先端のすべりによりレジスト膜
を削るように突きさし下地金属層と接触をとることを特
徴とする。この方法によれば、ウェーハがレジスト膜を
被っていても確実に接触をとることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明におけるカソードピンは弾
性のある金属材料でしかも酸化等変質しにくい物が良
く、白金が好適する。ピアノ線のような鉄系の材料に金
のような安定な金属をメッキしても良い。太さはこしの
強さにより選定する必要があり、ウェーハが割れない程
度の押圧でたわむような細いものでなければならない
が、細すぎるとたわみが生じてもピンの先端がすべらな
いのでレジスト膜を削りながらのすべりが生ずるような
太さが必要である。ウエーハに対するピンの角度は直角
に近いとすべりが起きにくくウエーハとの角度が小さい
ほどすべりが起こり易いが角度が小さすぎるとレジスト
膜を削りながらのすべりでなくレジシト膜の表面をすべ
るので適当な角度をピンのこしの強さに応じて選定すれ
ば良い。
性のある金属材料でしかも酸化等変質しにくい物が良
く、白金が好適する。ピアノ線のような鉄系の材料に金
のような安定な金属をメッキしても良い。太さはこしの
強さにより選定する必要があり、ウェーハが割れない程
度の押圧でたわむような細いものでなければならない
が、細すぎるとたわみが生じてもピンの先端がすべらな
いのでレジスト膜を削りながらのすべりが生ずるような
太さが必要である。ウエーハに対するピンの角度は直角
に近いとすべりが起きにくくウエーハとの角度が小さい
ほどすべりが起こり易いが角度が小さすぎるとレジスト
膜を削りながらのすべりでなくレジシト膜の表面をすべ
るので適当な角度をピンのこしの強さに応じて選定すれ
ば良い。
【０００８】
【実施例】この発明の一実施例について図面を用いて説
明する。図１はその要部断面図であり、（Ａ）はウェー
ハを置いた状態を示し、（Ｂ）はウエーハを裏面より押
圧しセットが完了した状態を示す。このメッキ装置も内
径が略ウェーハ１に等しいカップ状で内部底面にメッキ
液噴出口（図示せず）を備えたメッキ槽５を具備する。
そしてメッキ槽５の底の方にアノード電極（図示せず）
を備える点も従来同様である。尚、オーバーフローした
メッキ液は複数のメッキ槽５全体を受ける大きな受け皿
容器（図示せず）で受けて循環使用する。
明する。図１はその要部断面図であり、（Ａ）はウェー
ハを置いた状態を示し、（Ｂ）はウエーハを裏面より押
圧しセットが完了した状態を示す。このメッキ装置も内
径が略ウェーハ１に等しいカップ状で内部底面にメッキ
液噴出口（図示せず）を備えたメッキ槽５を具備する。
そしてメッキ槽５の底の方にアノード電極（図示せず）
を備える点も従来同様である。尚、オーバーフローした
メッキ液は複数のメッキ槽５全体を受ける大きな受け皿
容器（図示せず）で受けて循環使用する。
【０００９】メッキ槽５上縁の数箇所（この場合等間隔
に３箇所）にカソードピン取りつけ具１１を備える。カ
ソードピン取りつけ具１１のウェーハ１を受ける頂面に
は柔軟な絶縁材この場合はシリコンゴム１２が配置さ
れ、それを突き抜けるように先端鋭利なカソードピン１
６が配置されている。カソードピン１６はウエーハ１に
対して略４５度に傾斜してシリコンゴム１２より先端を
突出している。そして他端はカソードピン取りつけ具１
１の外まで伸びて電極板１７に溶接されている。そして
電極板１７がネジ１８でカソードピン取りつけ具１１に
固定されている。カソードピン１６は１ｍｍφの白金線
の先端を斜め切り状に尖らしたもので切り取られた面が
下側を向いている。そして各カソードピン１６の先端が
ウェーハ１の外周辺を受けるように配置している。
に３箇所）にカソードピン取りつけ具１１を備える。カ
ソードピン取りつけ具１１のウェーハ１を受ける頂面に
は柔軟な絶縁材この場合はシリコンゴム１２が配置さ
れ、それを突き抜けるように先端鋭利なカソードピン１
６が配置されている。カソードピン１６はウエーハ１に
対して略４５度に傾斜してシリコンゴム１２より先端を
突出している。そして他端はカソードピン取りつけ具１
１の外まで伸びて電極板１７に溶接されている。そして
電極板１７がネジ１８でカソードピン取りつけ具１１に
固定されている。カソードピン１６は１ｍｍφの白金線
の先端を斜め切り状に尖らしたもので切り取られた面が
下側を向いている。そして各カソードピン１６の先端が
ウェーハ１の外周辺を受けるように配置している。
【００１０】そして各カソードピン１６の先端がウェー
ハ１の外周辺を受ける位置に対応してウェーハ１の裏面
を押圧する押さえ治具１９が配置されている。
ハ１の外周辺を受ける位置に対応してウェーハ１の裏面
を押圧する押さえ治具１９が配置されている。
【００１１】次にこのメッキ装置によるメッキ作業を説
明する。ウェーハ１が基板ウェーハ上に給電の電極を兼
ねる下地金属層を形成し、その上にレジスト膜を選択メ
ッキする部分を開口して形成したものである点は従来と
同様である。そして図１（Ａ）のようにウェーハ１のメ
ッキをする面（表面）を下側にしてカソードピン１６上
に配置し、裏面（上面）から押圧治具１９で押さえると
図１（Ｂ）に示すようにカソードピン１６はたわむよう
に曲がり先端がレジスト膜（図示せず）を突き破り、レ
ジスト膜を削るようにすべり下地金属層（図示せず）に
接触する。その際図２に示す様にカソードピン１６の先
端は斜め切り状に鋭利に尖っていてしかも切り取り面１
６ａが下側なのでレジスト膜３を削りながらすべるとき
なかへ（上方に）食込んで行き表面をすべることが防止
される。そして最初シリコンゴム１２より突出していた
カソードピン１６の先端部はウェーハ１によりシリコン
ゴム１２にめりこむように押しつけられる。従ってカソ
ードピン１６はシリコンゴム１２にシールされてメッキ
液にほとんど接触せず、メッキされて太くなるのを防止
して長時間の使用を可能としている。その状態でメッキ
液噴出口（図示せず）からメッキ液（図示せず）を吹き
上げウェーハ１のメッキ面に当てアノード電極（図示せ
ず）と電極板１７との間に通電してメッキを行なう。
明する。ウェーハ１が基板ウェーハ上に給電の電極を兼
ねる下地金属層を形成し、その上にレジスト膜を選択メ
ッキする部分を開口して形成したものである点は従来と
同様である。そして図１（Ａ）のようにウェーハ１のメ
ッキをする面（表面）を下側にしてカソードピン１６上
に配置し、裏面（上面）から押圧治具１９で押さえると
図１（Ｂ）に示すようにカソードピン１６はたわむよう
に曲がり先端がレジスト膜（図示せず）を突き破り、レ
ジスト膜を削るようにすべり下地金属層（図示せず）に
接触する。その際図２に示す様にカソードピン１６の先
端は斜め切り状に鋭利に尖っていてしかも切り取り面１
６ａが下側なのでレジスト膜３を削りながらすべるとき
なかへ（上方に）食込んで行き表面をすべることが防止
される。そして最初シリコンゴム１２より突出していた
カソードピン１６の先端部はウェーハ１によりシリコン
ゴム１２にめりこむように押しつけられる。従ってカソ
ードピン１６はシリコンゴム１２にシールされてメッキ
液にほとんど接触せず、メッキされて太くなるのを防止
して長時間の使用を可能としている。その状態でメッキ
液噴出口（図示せず）からメッキ液（図示せず）を吹き
上げウェーハ１のメッキ面に当てアノード電極（図示せ
ず）と電極板１７との間に通電してメッキを行なう。
【００１２】この実施例によれば厚み２０μｍのポジ型
フォトレジスト膜を確実に破って接触をうることができ
る。さらに、カソードピンとの接触部分のレジスト膜を
あらかじめ除去しておく方法においてもカソードピンの
先端がすべるので先端に異物が付着したり先端が酸化等
変質して接触不良となるようなことはなくなる。
フォトレジスト膜を確実に破って接触をうることができ
る。さらに、カソードピンとの接触部分のレジスト膜を
あらかじめ除去しておく方法においてもカソードピンの
先端がすべるので先端に異物が付着したり先端が酸化等
変質して接触不良となるようなことはなくなる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明よれば、
ウェーハが選択メッキのためのレジスト膜を被っていて
も確実にカソードピンと接触がとれる。レジスト膜を被
っていない場合にカソードピンの先端に異物が付着して
接触不良となるトラブルがなくなる。
ウェーハが選択メッキのためのレジスト膜を被っていて
も確実にカソードピンと接触がとれる。レジスト膜を被
っていない場合にカソードピンの先端に異物が付着して
接触不良となるトラブルがなくなる。
【図１】（Ａ）この発明の一実施例のメッキ装置にウェ
ーハを置いた断面図 （Ｂ）その後ウェーハを押圧してセットが完了した状態
を示す断面図
ーハを置いた断面図 （Ｂ）その後ウェーハを押圧してセットが完了した状態
を示す断面図
【図２】 この発明の作用を説明するための要部拡大断
面図
面図
【図３】 従来のメッキ装置の断面図
１ ウェーハ ２ 下地金属層 ３ レジスト膜 ５ メッキ槽 １２ シリコンゴム（柔軟な絶縁材） ６ カソードピン １６ａ 切り取り面 １９ 押圧治具
Claims (4)
- 【請求項１】内底にメッキ液の噴出口を有するメッキ槽
の上縁に設けたカソードピンにウェーハをメッキする面
を下にして配置し、押圧してカソーソピンとウェーハと
の電気的接触を確保して電解メッキを行なうメッキ装置
に於いて、前記カソードピンは先端鋭利で、ウェーハに
対して傾斜して配置され、ウェーハへの押圧によりたわ
むと共に接触点にすべりが起こる様に設定されているこ
とを特徴とするメッキ装置。 - 【請求項２】前記カソードピンはウェーハへの押圧によ
りたわんで柔軟な絶縁材にめりこむように押しつけられ
メッキ液からシールされることを特徴とする請求項１に
記載のメッキ装置。 - 【請求項３】前記カソードピンの先端は斜め切り状に尖
りその切り取り面が下側に向け配置されている請求項１
又は請求項２のメッキ装置。 - 【請求項４】表面に下地金属層、その上にメッキする部
分を開口したレジスト膜を形成したウェーハを準備し、
上記請求項１，２又は３のメッキ装置のカソードピン上
にレジスト膜が接するように配置し、ウェーハ裏面より
押圧しピン先端がすべりによりレジスト膜を削るように
突き破り下地金属層と接触をとることを特徴とするウェ
ーハのメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35074097A JP3230477B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35074097A JP3230477B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11181594A true JPH11181594A (ja) | 1999-07-06 |
| JP3230477B2 JP3230477B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=18412543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35074097A Expired - Fee Related JP3230477B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | メッキ装置及びウェーハのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3230477B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002105691A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Electroplating Eng Of Japan Co | ウェーハめっき用のカソード電極 |
| KR100424959B1 (ko) * | 1999-12-01 | 2004-03-30 | 모토로라 인코포레이티드 | 반도체 소자 제조 방법 및 이에 사용되는 도금 공구 |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35074097A patent/JP3230477B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424959B1 (ko) * | 1999-12-01 | 2004-03-30 | 모토로라 인코포레이티드 | 반도체 소자 제조 방법 및 이에 사용되는 도금 공구 |
| JP2002105691A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Electroplating Eng Of Japan Co | ウェーハめっき用のカソード電極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3230477B2 (ja) | 2001-11-19 |
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