JPH07211724A - メッキ装置およびメッキ方法と被メッキ処理基板 - Google Patents
メッキ装置およびメッキ方法と被メッキ処理基板Info
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- JPH07211724A JPH07211724A JP6023797A JP2379794A JPH07211724A JP H07211724 A JPH07211724 A JP H07211724A JP 6023797 A JP6023797 A JP 6023797A JP 2379794 A JP2379794 A JP 2379794A JP H07211724 A JPH07211724 A JP H07211724A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板用メッキ装置において、カソード電極が
メッキ液と全く接触しないようにすることができ、しか
も、カソード電極と基板間での十分な密着による確実な
導電状態を得ることができるようにする。 【構成】 メッキ液４が噴流されるカップ２の周壁部上
部に放射状に複数のメッキ液流出孔２２を設け、カップ
２の周壁部上面に、ゴム等の弾性を有する環板状の密閉
シート２１を設ける。さらに、この密閉シート２１の上
面には、その内周面よりも所定の距離だけ外側に端部が
位置した状態で、Ｐｔワイヤー等による線状のカソード
電極９を設ける。そして、基板１１を押え付ける板バネ
１３や基板１１に載せる重り等の手段により、前記線状
のカソード電極９に基板１１のメッキ用接続端子を接触
させた状態で、基板１１の被メッキ面のほぼ周囲を密閉
シート２１の上面に密接させる。
メッキ液と全く接触しないようにすることができ、しか
も、カソード電極と基板間での十分な密着による確実な
導電状態を得ることができるようにする。 【構成】 メッキ液４が噴流されるカップ２の周壁部上
部に放射状に複数のメッキ液流出孔２２を設け、カップ
２の周壁部上面に、ゴム等の弾性を有する環板状の密閉
シート２１を設ける。さらに、この密閉シート２１の上
面には、その内周面よりも所定の距離だけ外側に端部が
位置した状態で、Ｐｔワイヤー等による線状のカソード
電極９を設ける。そして、基板１１を押え付ける板バネ
１３や基板１１に載せる重り等の手段により、前記線状
のカソード電極９に基板１１のメッキ用接続端子を接触
させた状態で、基板１１の被メッキ面のほぼ周囲を密閉
シート２１の上面に密接させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板にメッキを
施すための基板用メッキ装置およびメッキ方法とこれに
より得られる被メッキ処理基板に関するものである。
施すための基板用メッキ装置およびメッキ方法とこれに
より得られる被メッキ処理基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体基板（以下、単に基板と
呼ぶ）にバンプ電極を形成する場合、基板のバンプ電極
形成面（被メッキ面）にメッキレジスト層を形成し、こ
のメッキレジスト層をエッチングして開口を形成するこ
とにより、この開口からパッド部を露出させ、その露出
したパッド部にメッキ装置を用いて金等のメッキを施
し、その施したメッキによってバンプ電極を形成してい
る。
呼ぶ）にバンプ電極を形成する場合、基板のバンプ電極
形成面（被メッキ面）にメッキレジスト層を形成し、こ
のメッキレジスト層をエッチングして開口を形成するこ
とにより、この開口からパッド部を露出させ、その露出
したパッド部にメッキ装置を用いて金等のメッキを施
し、その施したメッキによってバンプ電極を形成してい
る。
【０００３】図４（Ａ）および（Ｂ）はこのような基板
にバンプ電極を形成する場合に用いられている従来の基
板用メッキ装置を示したものである。この基板用メッキ
装置では、図示のように、メッキ槽４１内にカップ４２
が設けられており、メッキ槽４１とカップ４２とは液路
４３によって連通されている。液路４３には、メッキ槽
４１内に収容されているメッキ液（イオン化された金を
含む）４４をカップ４２内に噴流させるための噴流ポン
プ４５が介在されている。
にバンプ電極を形成する場合に用いられている従来の基
板用メッキ装置を示したものである。この基板用メッキ
装置では、図示のように、メッキ槽４１内にカップ４２
が設けられており、メッキ槽４１とカップ４２とは液路
４３によって連通されている。液路４３には、メッキ槽
４１内に収容されているメッキ液（イオン化された金を
含む）４４をカップ４２内に噴流させるための噴流ポン
プ４５が介在されている。
【０００４】カップ４２内の底部には、網状のアノード
電極４６が設けられており、このアノード電極４６はリ
ード線４７を介して図示しない電源装置の陽極に接続さ
れている。カップ４２の上面の等間隔ずつ離間する所定
の３箇所には、メッキ液遮断部材４８，４８，４８が設
けられており、このメッキ液遮断部材４８は、所定の３
辺にメッキ液遮断壁４８ａを有する平面ほぼ方形状のも
のである。このメッキ液遮断部材４８，４８，４８内に
は、カソード電極４９，４９，４９がそれぞれ設けられ
ており、このカソード電極４９は、内側に基板載置壁４
９ａを有する側面ほぼＵ字状のものである。このカソー
ド電極４９はリード線５０を介して電源装置の陰極に接
続されており、また、カソード電極４９の基板載置壁４
９ａは、メッキ液遮断部材４８のメッキ液遮断壁４８ａ
よりも若干上方に突出されている。
電極４６が設けられており、このアノード電極４６はリ
ード線４７を介して図示しない電源装置の陽極に接続さ
れている。カップ４２の上面の等間隔ずつ離間する所定
の３箇所には、メッキ液遮断部材４８，４８，４８が設
けられており、このメッキ液遮断部材４８は、所定の３
辺にメッキ液遮断壁４８ａを有する平面ほぼ方形状のも
のである。このメッキ液遮断部材４８，４８，４８内に
は、カソード電極４９，４９，４９がそれぞれ設けられ
ており、このカソード電極４９は、内側に基板載置壁４
９ａを有する側面ほぼＵ字状のものである。このカソー
ド電極４９はリード線５０を介して電源装置の陰極に接
続されており、また、カソード電極４９の基板載置壁４
９ａは、メッキ液遮断部材４８のメッキ液遮断壁４８ａ
よりも若干上方に突出されている。
【０００５】以上の３つのカソード電極４９，４９，４
９の基板載置面４９ａ，４９ａ，４９ａに基板５１が載
置されている。この基板５１は、詳細には図示していな
いが、既に説明したように、バンプ電極形成面（図４
（Ａ）において下面）に形成された図示しないメッキレ
ジスト層に開口が形成されていることにより、その開口
からパッド部が露出され、さらに、カソード電極４９，
４９，４９の基板載置面４９ａ，４９ａ，４９ａと接触
する部分に図示しないメッキ用接続端子がそれぞれ設け
られた構造となっている。また、この基板５１は、図示
のように、メッキ槽４１に取り付けられた上蓋５２の下
面に設けられた板バネ５３によって押え付けられてい
る。
９の基板載置面４９ａ，４９ａ，４９ａに基板５１が載
置されている。この基板５１は、詳細には図示していな
いが、既に説明したように、バンプ電極形成面（図４
（Ａ）において下面）に形成された図示しないメッキレ
ジスト層に開口が形成されていることにより、その開口
からパッド部が露出され、さらに、カソード電極４９，
４９，４９の基板載置面４９ａ，４９ａ，４９ａと接触
する部分に図示しないメッキ用接続端子がそれぞれ設け
られた構造となっている。また、この基板５１は、図示
のように、メッキ槽４１に取り付けられた上蓋５２の下
面に設けられた板バネ５３によって押え付けられてい
る。
【０００６】そして、この基板用メッキ装置の噴流ポン
プ４５が駆動すると、メッキ槽４１内に収容されている
メッキ液４４が、アノード電極４６を通過してカップ４
２内に噴流されて、基板５１の下面に噴き付けられる。
このとき、アノード電極４６とカソード電極４９との間
にメッキ電流を流すと、基板５１の下面に露出したパッ
ド部に金メッキが施され、その施された金メッキによっ
てバンプ電極が形成される。なお、基板５１の下面に噴
き付けられたメッキ液４４は、特に、図４（Ｂ）におい
て矢印で示すように、３つのメッキ液遮断部材４８，４
８，４８を除いて、カップ４２の上端部から外側にオー
バーフローして流れ落ち、メッキ槽４１内に回収され
る。
プ４５が駆動すると、メッキ槽４１内に収容されている
メッキ液４４が、アノード電極４６を通過してカップ４
２内に噴流されて、基板５１の下面に噴き付けられる。
このとき、アノード電極４６とカソード電極４９との間
にメッキ電流を流すと、基板５１の下面に露出したパッ
ド部に金メッキが施され、その施された金メッキによっ
てバンプ電極が形成される。なお、基板５１の下面に噴
き付けられたメッキ液４４は、特に、図４（Ｂ）におい
て矢印で示すように、３つのメッキ液遮断部材４８，４
８，４８を除いて、カップ４２の上端部から外側にオー
バーフローして流れ落ち、メッキ槽４１内に回収され
る。
【０００７】この場合、メッキ液４４が、３つのメッキ
液遮断部材４８，４８，４８を除いて、カップ４２の上
端部から外側にオーバーフローして流れ落ちるようにし
ているのは、１つは、基板５１の下面に常に新しいメッ
キ液４４を供給するとともに、基板５１の下面に接触し
ているメッキ液４４中の気泡を除去してメッキ不良が発
生するのを防止するためである。もう１つは、メッキ液
遮断部材４８のメッキ液遮断壁４８ａによって、メッキ
液４４がメッキ液遮断部材４８内に流れ込むのを防止
し、これにより、メッキ液遮断部材４８内に設けたカソ
ード電極４９がメッキ液４４と接触して、このカソード
電極４９がメッキされるのを防止し、ひいては、メッキ
液４４中の高価な金（メッキ金属）が無駄に消費される
のを防止するためである。
液遮断部材４８，４８，４８を除いて、カップ４２の上
端部から外側にオーバーフローして流れ落ちるようにし
ているのは、１つは、基板５１の下面に常に新しいメッ
キ液４４を供給するとともに、基板５１の下面に接触し
ているメッキ液４４中の気泡を除去してメッキ不良が発
生するのを防止するためである。もう１つは、メッキ液
遮断部材４８のメッキ液遮断壁４８ａによって、メッキ
液４４がメッキ液遮断部材４８内に流れ込むのを防止
し、これにより、メッキ液遮断部材４８内に設けたカソ
ード電極４９がメッキ液４４と接触して、このカソード
電極４９がメッキされるのを防止し、ひいては、メッキ
液４４中の高価な金（メッキ金属）が無駄に消費される
のを防止するためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来の基板用メッキ装置では、メッキ液遮断部材
４８内に設けたカソード電極４９の基板載置壁４９ａに
基板５１を載置して、基板５１のメッキ用接続端子とカ
ソード電極４９とを導通させているので、メッキ液遮断
部材４８のメッキ液遮断壁４８ａの上面と基板５１の下
面との接触を避けるために、その間に若干の隙間、例え
ば、０．２〜０．３ｍｍ程度の隙間を設ける必要があ
る。一方、カップ４２内で噴流されるメッキ液４４の液
面が基板５１の下面に接触している。
ような従来の基板用メッキ装置では、メッキ液遮断部材
４８内に設けたカソード電極４９の基板載置壁４９ａに
基板５１を載置して、基板５１のメッキ用接続端子とカ
ソード電極４９とを導通させているので、メッキ液遮断
部材４８のメッキ液遮断壁４８ａの上面と基板５１の下
面との接触を避けるために、その間に若干の隙間、例え
ば、０．２〜０．３ｍｍ程度の隙間を設ける必要があ
る。一方、カップ４２内で噴流されるメッキ液４４の液
面が基板５１の下面に接触している。
【０００９】従って、メッキ液４４がメッキ液遮断壁４
８ａと基板５１との隙間からメッキ液遮断部材４８内に
流出するのを完全に防止することができず、メッキ液遮
断部材４８内に流出したメッキ液４４によってカソード
電極４９がメッキされてしまうことがあるという問題が
あった。
８ａと基板５１との隙間からメッキ液遮断部材４８内に
流出するのを完全に防止することができず、メッキ液遮
断部材４８内に流出したメッキ液４４によってカソード
電極４９がメッキされてしまうことがあるという問題が
あった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、カソード電極が
メッキ液と全く接触しないようにすることができ、しか
も、カソード電極と基板間での十分な密着による確実な
導電状態を得ることができるようにしたメッキ装置およ
びメッキ方法を提供することにある。
メッキ液と全く接触しないようにすることができ、しか
も、カソード電極と基板間での十分な密着による確実な
導電状態を得ることができるようにしたメッキ装置およ
びメッキ方法を提供することにある。
【００１１】また、本発明は、このようなメッキ装置を
用いたメッキ方法により得られる被メッキ処理基板を提
供することも目的としている。
用いたメッキ方法により得られる被メッキ処理基板を提
供することも目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決すべく
請求項１記載の発明は、メッキ液が噴流されるカップの
周壁部上にカソード電極を設け、このカソード電極を基
板の被メッキ面に設けられたメッキ用接続端子に接触さ
せた状態で基板をカップの周壁部上に載置して、メッキ
液の噴流により基板の被メッキ面にメッキを施すメッキ
装置において、前記カップの周壁部上部に放射状に複数
のメッキ液流出孔を設け、前記カップの周壁部上面に、
例えば、ゴム等の弾性を有する環板状の密閉シートを設
ける。さらに、この密閉シートの上面には、その内周面
よりも所定の距離だけ外側に端部が位置した状態で、例
えば、Ｐｔワイヤー等による線状のカソード電極を設け
る。そして、例えば、基板を押え付ける板バネや基板に
載せる重り等の手段により、前記線状のカソード電極に
前記基板の前記メッキ用接続端子を接触させた状態で、
前記基板の前記被メッキ面のほぼ周囲を前記密閉シート
の上面に密接させるようにした構成を特徴としている。
請求項１記載の発明は、メッキ液が噴流されるカップの
周壁部上にカソード電極を設け、このカソード電極を基
板の被メッキ面に設けられたメッキ用接続端子に接触さ
せた状態で基板をカップの周壁部上に載置して、メッキ
液の噴流により基板の被メッキ面にメッキを施すメッキ
装置において、前記カップの周壁部上部に放射状に複数
のメッキ液流出孔を設け、前記カップの周壁部上面に、
例えば、ゴム等の弾性を有する環板状の密閉シートを設
ける。さらに、この密閉シートの上面には、その内周面
よりも所定の距離だけ外側に端部が位置した状態で、例
えば、Ｐｔワイヤー等による線状のカソード電極を設け
る。そして、例えば、基板を押え付ける板バネや基板に
載せる重り等の手段により、前記線状のカソード電極に
前記基板の前記メッキ用接続端子を接触させた状態で、
前記基板の前記被メッキ面のほぼ周囲を前記密閉シート
の上面に密接させるようにした構成を特徴としている。
【００１３】そして、請求項２記載の発明は、請求項１
記載のメッキ装置を用いたメッキ方法であって、先ず、
前記被メッキ面を下向きにして前記基板をゴム等の弾性
を有する環板状の前記密閉シートの内周縁上に載置する
とともに、前記基板の前記メッキ用接続端子をＰｔワイ
ヤー等による前記線状のカソード電極に載置する。そし
て、基板を押え付ける板バネや基板に載せる重り等の前
記手段により、前記線状のカソード電極に前記基板の前
記メッキ用接続端子を接触させた状態で、前記線状のカ
ソード電極を前記密閉シートの上面に対してこれを弾性
変形させつつ喰い込ませるようにして、前記基板の前記
被メッキ面のほぼ周囲を前記密閉シートの上面に密接さ
せる。次に、前記カップ内に下方から前記メッキ液を噴
流させて、前記基板の前記被メッキ面に前記メッキ液を
噴き付けるとともに、前記線状のカソード電極と前記カ
ップ内に設けられるアノード電極との間にメッキ電流を
流して、前記基板の前記被メッキ面にメッキを施すよう
にしたことを特徴としている。
記載のメッキ装置を用いたメッキ方法であって、先ず、
前記被メッキ面を下向きにして前記基板をゴム等の弾性
を有する環板状の前記密閉シートの内周縁上に載置する
とともに、前記基板の前記メッキ用接続端子をＰｔワイ
ヤー等による前記線状のカソード電極に載置する。そし
て、基板を押え付ける板バネや基板に載せる重り等の前
記手段により、前記線状のカソード電極に前記基板の前
記メッキ用接続端子を接触させた状態で、前記線状のカ
ソード電極を前記密閉シートの上面に対してこれを弾性
変形させつつ喰い込ませるようにして、前記基板の前記
被メッキ面のほぼ周囲を前記密閉シートの上面に密接さ
せる。次に、前記カップ内に下方から前記メッキ液を噴
流させて、前記基板の前記被メッキ面に前記メッキ液を
噴き付けるとともに、前記線状のカソード電極と前記カ
ップ内に設けられるアノード電極との間にメッキ電流を
流して、前記基板の前記被メッキ面にメッキを施すよう
にしたことを特徴としている。
【００１４】さらに、請求項３記載の発明は、請求項２
記載のメッキ方法により得られる被メッキ処理基板であ
って、前記被メッキ面に露出したパッド部のみに、例え
ば、金メッキ等のメッキによるバンプ電極を形成してな
ることを特徴としている。
記載のメッキ方法により得られる被メッキ処理基板であ
って、前記被メッキ面に露出したパッド部のみに、例え
ば、金メッキ等のメッキによるバンプ電極を形成してな
ることを特徴としている。
【００１５】
【作用】請求項１および２記載の発明によれば、基板の
被メッキ面のほぼ周囲がゴム等の弾性を有する密閉シー
トの上面に密接し、その間が液密状態になるので、その
間からメッキ液が流出することがなく、従って、カソー
ド電極がメッキ液と全く接触しないようにすることがで
きる。
被メッキ面のほぼ周囲がゴム等の弾性を有する密閉シー
トの上面に密接し、その間が液密状態になるので、その
間からメッキ液が流出することがなく、従って、カソー
ド電極がメッキ液と全く接触しないようにすることがで
きる。
【００１６】また、基板のメッキ用接続端子がＰｔワイ
ヤー等による線状のカソード電極に接触するので、カソ
ード電極と基板間での十分な密着が得られ、従って、確
実な導電状態を得ることができる。
ヤー等による線状のカソード電極に接触するので、カソ
ード電極と基板間での十分な密着が得られ、従って、確
実な導電状態を得ることができる。
【００１７】そして、請求項３記載の発明によれば、被
メッキ面に露出した必要なパッド部のみに金メッキ等の
メッキによるバンプ電極を形成してなる被メッキ処理基
板を得ることができる。
メッキ面に露出した必要なパッド部のみに金メッキ等の
メッキによるバンプ電極を形成してなる被メッキ処理基
板を得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明に係るメッキ装置およびメッ
キ方法と被メッキ処理基板の実施例を図１乃至図３に基
づいて説明する。
キ方法と被メッキ処理基板の実施例を図１乃至図３に基
づいて説明する。
【００１９】先ず、図１（Ａ）および（Ｂ）は本発明を
適用した一例としての基板用メッキ装置を示したもの
で、１はメッキ槽、２はカップ、３は液路、４はメッキ
液、５は噴流ポンプ、６は網状のアノード電極、７はリ
ード線、９は線状のカソード電極、１０はリード線、１
１は基板、１２は上蓋、１３は板バネ、２１は密閉シー
ト、２２はメッキ液流出孔、２３はカソード電極用突
部、２６はオリフラガイド、２７はガイドリングであ
る。
適用した一例としての基板用メッキ装置を示したもの
で、１はメッキ槽、２はカップ、３は液路、４はメッキ
液、５は噴流ポンプ、６は網状のアノード電極、７はリ
ード線、９は線状のカソード電極、１０はリード線、１
１は基板、１２は上蓋、１３は板バネ、２１は密閉シー
ト、２２はメッキ液流出孔、２３はカソード電極用突
部、２６はオリフラガイド、２７はガイドリングであ
る。
【００２０】この基板用メッキ装置では、図示のよう
に、メッキ槽１内にカップ２が設けられており、メッキ
槽１とカップ２とは液路３によって連通されている。液
路３には、メッキ槽１内に収容されているメッキ液（イ
オン化された金を含む）４をカップ２内に噴流させるた
めの噴流ポンプ５が介在されている。カップ２内の底部
には、網状のアノード電極６が設けられており、このア
ノード電極６はリード線７を介して図示しない電源装置
の陽極に接続されている。
に、メッキ槽１内にカップ２が設けられており、メッキ
槽１とカップ２とは液路３によって連通されている。液
路３には、メッキ槽１内に収容されているメッキ液（イ
オン化された金を含む）４をカップ２内に噴流させるた
めの噴流ポンプ５が介在されている。カップ２内の底部
には、網状のアノード電極６が設けられており、このア
ノード電極６はリード線７を介して図示しない電源装置
の陽極に接続されている。
【００２１】また、カップ２の上面には、弾性を有する
シリコンゴムからなる環板状の密閉シート２１が設けら
れている。この密閉シート２１の厚さは、無負荷の状態
で全体にわたって均一であって、１．０〜１．５ｍｍ程
度となっている。
シリコンゴムからなる環板状の密閉シート２１が設けら
れている。この密閉シート２１の厚さは、無負荷の状態
で全体にわたって均一であって、１．０〜１．５ｍｍ程
度となっている。
【００２２】そして、この密閉シート２１の上面の等間
隔ずつ離間する所定の３箇所には、線状の白金（Ｐｔ）
ワイヤーによるカソード電極９，９，９がその先端部９
ａ，９ａ，９ａを密閉シート２１の内周端よりも所定の
距離だけ外側に位置した状態でそれぞれ設けられてい
る。このＰｔワイヤーによるカソード電極９の直径は、
０．３〜０．５ｍｍ程度であり、例えば、０．３ｍｍと
なっている。このカソード電極９はリード線１０を介し
て電源装置の陰極に接続されている。
隔ずつ離間する所定の３箇所には、線状の白金（Ｐｔ）
ワイヤーによるカソード電極９，９，９がその先端部９
ａ，９ａ，９ａを密閉シート２１の内周端よりも所定の
距離だけ外側に位置した状態でそれぞれ設けられてい
る。このＰｔワイヤーによるカソード電極９の直径は、
０．３〜０．５ｍｍ程度であり、例えば、０．３ｍｍと
なっている。このカソード電極９はリード線１０を介し
て電源装置の陰極に接続されている。
【００２３】また、カップ２の周壁部上部の等間隔ずつ
離間する多数の箇所には、メッキ液流出孔２２が放射状
に設けられている。このメッキ液流出孔２２は内側から
外側に向かって斜め下方に３０〜６０゜程度の角度で傾
斜されている。なお、このメッキ液流出孔２２の内端開
口部とカップ２の上面との間隔は、０が望ましいが、強
度の関係上、０．５〜１．０ｍｍ程度となっている。
離間する多数の箇所には、メッキ液流出孔２２が放射状
に設けられている。このメッキ液流出孔２２は内側から
外側に向かって斜め下方に３０〜６０゜程度の角度で傾
斜されている。なお、このメッキ液流出孔２２の内端開
口部とカップ２の上面との間隔は、０が望ましいが、強
度の関係上、０．５〜１．０ｍｍ程度となっている。
【００２４】さらに、カップ２の上面には、図２（Ａ）
および（Ｂ）に示すように、等間隔ずつ離間する所定の
３箇所に直方体形状によるカソード電極用突部２３，２
３，２３が形成されるとともに、その間に適宜数の円形
をなす位置決め用突部２４，２４，２４，２４およびネ
ジ穴２５，２５，２５，２５，２５が形成されている。
なお、カソード電極用突部２３には、横方向（カップ２
の直径方向）に貫通するカソード電極用通し孔２３ａが
形成されている。また、円形の位置決め用突部２４の直
径は、６ｍｍ程度となっている。
および（Ｂ）に示すように、等間隔ずつ離間する所定の
３箇所に直方体形状によるカソード電極用突部２３，２
３，２３が形成されるとともに、その間に適宜数の円形
をなす位置決め用突部２４，２４，２４，２４およびネ
ジ穴２５，２５，２５，２５，２５が形成されている。
なお、カソード電極用突部２３には、横方向（カップ２
の直径方向）に貫通するカソード電極用通し孔２３ａが
形成されている。また、円形の位置決め用突部２４の直
径は、６ｍｍ程度となっている。
【００２５】前記密閉シート２１は、以上のカソード電
極用突部２３に突部貫通孔２１ａ（図３参照）を合わ
せ、且つ位置決め用突部２４に位置決め用孔２１ｂを合
わせてカップ２の上面に載置される。この密閉シート２
１の上面側において、前記カソード電極用突部２３のカ
ソード電極用通し孔２３ａ，２３ａ，２３ａに、前記Ｐ
ｔワイヤーによるカソード電極９，９，９をそれぞれ通
しておく。
極用突部２３に突部貫通孔２１ａ（図３参照）を合わ
せ、且つ位置決め用突部２４に位置決め用孔２１ｂを合
わせてカップ２の上面に載置される。この密閉シート２
１の上面側において、前記カソード電極用突部２３のカ
ソード電極用通し孔２３ａ，２３ａ，２３ａに、前記Ｐ
ｔワイヤーによるカソード電極９，９，９をそれぞれ通
しておく。
【００２６】そして、密閉シート２１の上面には、１つ
のカソード電極９と対向する位置にオリエンテーション
フラット（以下、単にオリフラと呼ぶ）ガイド２６を設
けている。このオリフラガイド２６は、内端側にオリフ
ラガイド面２６ａを有して、ほぼ中央部にネジ通し孔２
６ｂを有している。
のカソード電極９と対向する位置にオリエンテーション
フラット（以下、単にオリフラと呼ぶ）ガイド２６を設
けている。このオリフラガイド２６は、内端側にオリフ
ラガイド面２６ａを有して、ほぼ中央部にネジ通し孔２
６ｂを有している。
【００２７】さらに、密閉シート２１の上面には、ガイ
ドリング２７が載置される。このガイドリング２７は、
前記密閉シート２１の内周側半径よりも１．５ｍｍ程度
大きい内径を有するもので、下面には、突部収納用凹部
２８およびオリフラガイド収納用凹部２９を有するとと
もに、ネジ通し孔２７ａおよび図示しない位置決め用凹
部を有している。なお、突部収納用凹部２８には、図３
に拡大して示すように、カソード電極用通し溝２８ａが
形成されている。
ドリング２７が載置される。このガイドリング２７は、
前記密閉シート２１の内周側半径よりも１．５ｍｍ程度
大きい内径を有するもので、下面には、突部収納用凹部
２８およびオリフラガイド収納用凹部２９を有するとと
もに、ネジ通し孔２７ａおよび図示しない位置決め用凹
部を有している。なお、突部収納用凹部２８には、図３
に拡大して示すように、カソード電極用通し溝２８ａが
形成されている。
【００２８】このガイドリング２７は、カソード電極用
突部２３に突部収納用凹部２８を合わせるとともに、オ
リフラガイド２６にオリフラガイド収容用凹部２９を合
わせ、且つ位置決め用突部２４に位置決め用孔を合わせ
て密閉シート２１の上面に載置される。そして、ネジ３
１（図示例では３本）をネジ通し孔２７ａ，２６ｂ，２
１ｂからネジ穴２５に締め込むことにより、ガイドリン
グ２７はオリフラガイド２６および密閉シート２１とと
もにカップ２に固定される。
突部２３に突部収納用凹部２８を合わせるとともに、オ
リフラガイド２６にオリフラガイド収容用凹部２９を合
わせ、且つ位置決め用突部２４に位置決め用孔を合わせ
て密閉シート２１の上面に載置される。そして、ネジ３
１（図示例では３本）をネジ通し孔２７ａ，２６ｂ，２
１ｂからネジ穴２５に締め込むことにより、ガイドリン
グ２７はオリフラガイド２６および密閉シート２１とと
もにカップ２に固定される。
【００２９】以上の構成による基板用メッキ装置を用い
て基板１１に金メッキからなるバンプ電極を形成する場
合には、先ず、上蓋１２を取り外し、基板１１をバンプ
電極形成面（図１（Ａ）および図３において下面）を下
側にして、そのオリフラ面をオリフラガイド２６のオリ
フラガイド面２６ａに位置決めした状態で、密閉シート
２１の内周縁上に基板１１を載置する。この状態で、密
閉シート２１上におけるＰｔワイヤーによる３本のカソ
ード電極９，９，９の先端部９ａ，９ａ，９ａに基板１
１が載置されている。
て基板１１に金メッキからなるバンプ電極を形成する場
合には、先ず、上蓋１２を取り外し、基板１１をバンプ
電極形成面（図１（Ａ）および図３において下面）を下
側にして、そのオリフラ面をオリフラガイド２６のオリ
フラガイド面２６ａに位置決めした状態で、密閉シート
２１の内周縁上に基板１１を載置する。この状態で、密
閉シート２１上におけるＰｔワイヤーによる３本のカソ
ード電極９，９，９の先端部９ａ，９ａ，９ａに基板１
１が載置されている。
【００３０】この基板１１は、図３に拡大して示したよ
うに、バンプ電極形成面に形成された金属層１１ａの上
に形成したメッキレジスト層１１ｂに図示しない開口が
形成されていることにより、その開口からパッド部が露
出され、さらに、３本のカソード電極９，９，９の先端
部９ａ，９ａ，９ａと接触する部分に前記金属層１１ａ
の一部による図示しないメッキ用接続端子がそれぞれ設
けられた構造となっている。
うに、バンプ電極形成面に形成された金属層１１ａの上
に形成したメッキレジスト層１１ｂに図示しない開口が
形成されていることにより、その開口からパッド部が露
出され、さらに、３本のカソード電極９，９，９の先端
部９ａ，９ａ，９ａと接触する部分に前記金属層１１ａ
の一部による図示しないメッキ用接続端子がそれぞれ設
けられた構造となっている。
【００３１】次に、上蓋１２をメッキ層１に取り付け、
上蓋１２の下面に設けられた板バネ１３によって基板１
１を押え付ける。すると、基板１１がカソード電極９，
９，９を押え付けることにより、このＰｔワイヤーによ
るカソード電極９，９，９の先端部９ａ，９ａ，９ａ
が、シリコンゴムによる密閉シート２１に対してこれを
弾性変形させつつ喰い込んで埋設状態となり、基板１１
の下面のほぼ周囲が密閉シート２１の上面に密接する状
態となる。
上蓋１２の下面に設けられた板バネ１３によって基板１
１を押え付ける。すると、基板１１がカソード電極９，
９，９を押え付けることにより、このＰｔワイヤーによ
るカソード電極９，９，９の先端部９ａ，９ａ，９ａ
が、シリコンゴムによる密閉シート２１に対してこれを
弾性変形させつつ喰い込んで埋設状態となり、基板１１
の下面のほぼ周囲が密閉シート２１の上面に密接する状
態となる。
【００３２】従って、この状態では、基板１１の下面に
設けられた前記金属層１１ａの一部によるメッキ用接続
端子がＰｔワイヤーによるカソード電極９，９，９に所
定の圧力を伴って線接触の状態にて確実に接触されて、
確実な電気的接続が得られる。また、基板１１の下面が
密閉シート２１の上面に密接することにより、その間が
液密状態となる。なお、板バネ１３による基板１１の押
え付けの他、例えば、１〜２Ｋｇ程度の重りを基板１１
に載せて、基板１１とＰｔワイヤーによるカソード電極
９，９，９間の接触に十分な圧力を加えるようにしても
よい。
設けられた前記金属層１１ａの一部によるメッキ用接続
端子がＰｔワイヤーによるカソード電極９，９，９に所
定の圧力を伴って線接触の状態にて確実に接触されて、
確実な電気的接続が得られる。また、基板１１の下面が
密閉シート２１の上面に密接することにより、その間が
液密状態となる。なお、板バネ１３による基板１１の押
え付けの他、例えば、１〜２Ｋｇ程度の重りを基板１１
に載せて、基板１１とＰｔワイヤーによるカソード電極
９，９，９間の接触に十分な圧力を加えるようにしても
よい。
【００３３】以上の状態で、噴流ポンプ５を駆動する
と、メッキ層１内に収容されているメッキ液４が網状の
アノード電極６を通過してカップ２内に噴流し、基板１
１の下面に噴き付けられる。このとき、アノード電極６
とカソード電極９，９，９との間にメッキ電流を流す
と、基板１１の下面に露出したパッド部に金メッキが施
され、その施された金メッキによってバンプ電極が形成
される。
と、メッキ層１内に収容されているメッキ液４が網状の
アノード電極６を通過してカップ２内に噴流し、基板１
１の下面に噴き付けられる。このとき、アノード電極６
とカソード電極９，９，９との間にメッキ電流を流す
と、基板１１の下面に露出したパッド部に金メッキが施
され、その施された金メッキによってバンプ電極が形成
される。
【００３４】また、基板１１の下面に噴き付けられたメ
ッキ液４は、多数のメッキ液流出孔２２を介してメッキ
層１内に回収される。この場合、多数のメッキ液流出孔
２２からメッキ液４が流出するので、従来のオーバーフ
ローと同等の効果が得られ、基板１１の下面に常に新し
いメッキ液４を供給することができるとともに、基板１
１の下面に接触しているメッキ液４中の気泡を除去して
メッキ不良が発生するのを防止することができる。
ッキ液４は、多数のメッキ液流出孔２２を介してメッキ
層１内に回収される。この場合、多数のメッキ液流出孔
２２からメッキ液４が流出するので、従来のオーバーフ
ローと同等の効果が得られ、基板１１の下面に常に新し
いメッキ液４を供給することができるとともに、基板１
１の下面に接触しているメッキ液４中の気泡を除去して
メッキ不良が発生するのを防止することができる。
【００３５】さらに、基板１１の下面のほぼ周囲が密閉
シート２１の上面に密接し、その間が液密状態となって
いるので、この間からメッキ液４が流出することがな
い。しかも、Ｐｔワイヤーによるカソード電極９，９，
９の先端部９ａ，９ａ，９ａが、密閉シート２１の内周
端よりも所定の距離だけ外側に位置しているので、カソ
ード電極９，９，９がメッキ液４と全く接触しないよう
にすることができる。
シート２１の上面に密接し、その間が液密状態となって
いるので、この間からメッキ液４が流出することがな
い。しかも、Ｐｔワイヤーによるカソード電極９，９，
９の先端部９ａ，９ａ，９ａが、密閉シート２１の内周
端よりも所定の距離だけ外側に位置しているので、カソ
ード電極９，９，９がメッキ液４と全く接触しないよう
にすることができる。
【００３６】そして、このＰｔワイヤーによる線状のカ
ソード電極９，９，９の先端部９ａ，９ａ，９ａに基板
１１のメッキ用接続端子を接触させたため、線接触によ
るカソード電極９，９，９と基板１１間での十分な密着
を得ることができる。従って、このＰｔワイヤーによる
線状のカソード電極９の使用によって確実な導電状態を
得ることができる。
ソード電極９，９，９の先端部９ａ，９ａ，９ａに基板
１１のメッキ用接続端子を接触させたため、線接触によ
るカソード電極９，９，９と基板１１間での十分な密着
を得ることができる。従って、このＰｔワイヤーによる
線状のカソード電極９の使用によって確実な導電状態を
得ることができる。
【００３７】なお、以上の実施例においては、ゴムシー
トによる密閉シートとし、Ｐｔワイヤーによる線状のカ
ソード電極としたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、ゴムの他の弾性を有する適宜の素材による密閉
シートと、Ｐｔの他の適宜の金属ワイヤー等の導電性を
有する適宜の素材による線状のカソード電極としてもよ
い。また、カソード電極の個数等も任意であり、その
他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であ
ることは勿論である。
トによる密閉シートとし、Ｐｔワイヤーによる線状のカ
ソード電極としたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、ゴムの他の弾性を有する適宜の素材による密閉
シートと、Ｐｔの他の適宜の金属ワイヤー等の導電性を
有する適宜の素材による線状のカソード電極としてもよ
い。また、カソード電極の個数等も任意であり、その
他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であ
ることは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明に係
るメッキ装置および請求項２記載の発明に係るメッキ方
法によれば、基板の被メッキ面のほぼ周囲をゴム等の弾
性を有する密閉シートの上面に密接させ、その間を液密
状態としているので、その間からメッキ液が流出するこ
とがなく、従って、カソード電極がメッキ液と全く接触
しないようにすることができ、ひいては、メッキ金属の
無駄な消費を皆無とすることができる。
るメッキ装置および請求項２記載の発明に係るメッキ方
法によれば、基板の被メッキ面のほぼ周囲をゴム等の弾
性を有する密閉シートの上面に密接させ、その間を液密
状態としているので、その間からメッキ液が流出するこ
とがなく、従って、カソード電極がメッキ液と全く接触
しないようにすることができ、ひいては、メッキ金属の
無駄な消費を皆無とすることができる。
【００３９】さらに、その上、基板のメッキ用接続端子
をＰｔワイヤー等による線状のカソード電極に接触させ
るようにしたため、カソード電極と基板間での十分な密
着を得ることができ、従って、確実な導電状態を得るこ
とができる。
をＰｔワイヤー等による線状のカソード電極に接触させ
るようにしたため、カソード電極と基板間での十分な密
着を得ることができ、従って、確実な導電状態を得るこ
とができる。
【００４０】そして、請求項３記載の発明に係る被メッ
キ処理基板によれば、請求項１記載のメッキ装置を用い
た請求項２記載のメッキ方法によって、被メッキ面に露
出した必要なパッド部のみに金メッキ等のメッキによる
バンプ電極を形成することができる。
キ処理基板によれば、請求項１記載のメッキ装置を用い
た請求項２記載のメッキ方法によって、被メッキ面に露
出した必要なパッド部のみに金メッキ等のメッキによる
バンプ電極を形成することができる。
【図１】本発明を適用した一例としての基板用メッキ装
置を示したもので、（Ａ）は縦断側面図、（Ｂ）はその
一部の平面図である。
置を示したもので、（Ａ）は縦断側面図、（Ｂ）はその
一部の平面図である。
【図２】図１のカップを示したもので、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）はその矢印Ｂ方向から見た側面図である。
図、（Ｂ）はその矢印Ｂ方向から見た側面図である。
【図３】図１（Ａ）における本発明に係る要部を拡大し
て示した縦断側面図である。
て示した縦断側面図である。
【図４】基板にバンプ電極を形成する場合に用いられる
従来の基板用メッキ装置を示したもので、（Ａ）は縦断
側面図、（Ｂ）はその一部の平面図である。
従来の基板用メッキ装置を示したもので、（Ａ）は縦断
側面図、（Ｂ）はその一部の平面図である。
１ メッキ槽 ２ カップ ３ 液路 ４ メッキ液 ５ 噴流ポンプ ６ 網状のアノード電極 ９ 線状のカソード電極 １１ 基板 １３ 板バネ ２１ 密閉シート ２２ メッキ液流出孔 ２３ カソード電極用突部 ２３ａ カソード電極用通し孔 ２６ オリフラガイド ２７ ガイドリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 メッキ液が噴流されるカップの周壁部上
にカソード電極を設け、このカソード電極を基板の被メ
ッキ面に設けられたメッキ用接続端子に接触させた状態
で基板をカップの周壁部上に載置して、メッキ液の噴流
により基板の被メッキ面にメッキを施すメッキ装置にお
いて、 前記カップの周壁部上部に放射状に設けられた複数のメ
ッキ液流出孔と、 前記カップの周壁部上面に設けられる弾性を有する環板
状の密閉シートと、 この密閉シートの内周面よりも所定の距離だけ外側に端
部が位置した状態で、前記密閉シートの上面に設けられ
る線状のカソード電極と、 この線状のカソード電極に前記基板の前記メッキ用接続
端子を接触させた状態で、前記基板の前記被メッキ面の
ほぼ周囲を前記密閉シートの上面に密接させる手段と、
を具備したことを特徴とするメッキ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のメッキ装置を用いたメッ
キ方法であって、 前記被メッキ面を下向きにして前記基板を前記密閉シー
トの内周縁上に載置するとともに、前記基板の前記メッ
キ用接続端子を前記線状のカソード電極に載置して、 前記手段により、前記線状のカソード電極に前記基板の
前記メッキ用接続端子を接触させた状態で、前記線状の
カソード電極を前記密閉シートの上面に対してこれを弾
性変形させつつ喰い込ませるようにして、前記基板の前
記被メッキ面のほぼ周囲を前記密閉シートの上面に密接
させ、 次に、前記カップ内に下方から前記メッキ液を噴流させ
て、前記基板の前記被メッキ面に前記メッキ液を噴き付
けるとともに、前記線状のカソード電極と前記カップ内
に設けられるアノード電極との間にメッキ電流を流し
て、前記基板の前記被メッキ面にメッキを施すことを特
徴とするメッキ方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のメッキ方法により得られ
る被メッキ処理基板であって、 前記被メッキ面に露出したパッド部のみにメッキによる
バンプ電極を形成してなることを特徴とする被メッキ処
理基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023797A JPH07211724A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | メッキ装置およびメッキ方法と被メッキ処理基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023797A JPH07211724A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | メッキ装置およびメッキ方法と被メッキ処理基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211724A true JPH07211724A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=12120321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6023797A Pending JPH07211724A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | メッキ装置およびメッキ方法と被メッキ処理基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211724A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19859467A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-07-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Substrathalter |
| WO2001050505A3 (en) * | 2000-01-03 | 2002-01-31 | Semitool Inc | A microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece |
| US7313462B2 (en) | 2003-06-06 | 2007-12-25 | Semitool, Inc. | Integrated tool with automated calibration system and interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces |
| US7390383B2 (en) | 2003-07-01 | 2008-06-24 | Semitool, Inc. | Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces |
| US7393439B2 (en) | 2003-06-06 | 2008-07-01 | Semitool, Inc. | Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors |
| JP2012007201A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | めっき装置 |
| US8936705B2 (en) | 2002-06-21 | 2015-01-20 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition apparatus |
| US9593430B2 (en) | 2002-07-22 | 2017-03-14 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
| US11129624B2 (en) | 2009-12-22 | 2021-09-28 | Cook Medical Technologies Llc | Medical devices with detachable pivotable jaws |
| US12070224B2 (en) | 2009-12-22 | 2024-08-27 | Cook Medical Technologies Llc | Medical devices with detachable pivotable jaws |
-
1994
- 1994-01-25 JP JP6023797A patent/JPH07211724A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19859467C2 (de) * | 1998-12-22 | 2002-11-28 | Steag Micro Tech Gmbh | Substrathalter |
| DE19859467A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-07-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Substrathalter |
| US7524406B2 (en) | 2000-01-03 | 2009-04-28 | Semitool, Inc. | Processing apparatus including a reactor for electrochemically etching microelectronic workpiece |
| WO2001050505A3 (en) * | 2000-01-03 | 2002-01-31 | Semitool Inc | A microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece |
| US6547937B1 (en) | 2000-01-03 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece |
| US6773559B2 (en) | 2000-01-03 | 2004-08-10 | Semitool, Inc. | Processing apparatus including a reactor for electrochemically etching a microelectronic workpiece |
| US7294244B2 (en) | 2000-01-03 | 2007-11-13 | Semitool, Inc. | Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece |
| US9506162B2 (en) | 2002-06-21 | 2016-11-29 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
| US8936705B2 (en) | 2002-06-21 | 2015-01-20 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition apparatus |
| US9388505B2 (en) | 2002-06-21 | 2016-07-12 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
| US9593430B2 (en) | 2002-07-22 | 2017-03-14 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
| US9624596B2 (en) | 2002-07-22 | 2017-04-18 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
| US7393439B2 (en) | 2003-06-06 | 2008-07-01 | Semitool, Inc. | Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors |
| US7371306B2 (en) | 2003-06-06 | 2008-05-13 | Semitool, Inc. | Integrated tool with interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces |
| US7313462B2 (en) | 2003-06-06 | 2007-12-25 | Semitool, Inc. | Integrated tool with automated calibration system and interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces |
| US7390383B2 (en) | 2003-07-01 | 2008-06-24 | Semitool, Inc. | Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces |
| US7390382B2 (en) | 2003-07-01 | 2008-06-24 | Semitool, Inc. | Reactors having multiple electrodes and/or enclosed reciprocating paddles, and associated methods |
| US11129624B2 (en) | 2009-12-22 | 2021-09-28 | Cook Medical Technologies Llc | Medical devices with detachable pivotable jaws |
| US12070224B2 (en) | 2009-12-22 | 2024-08-27 | Cook Medical Technologies Llc | Medical devices with detachable pivotable jaws |
| JP2012007201A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | めっき装置 |
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