JPH11183936A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH11183936A JPH11183936A JP35647597A JP35647597A JPH11183936A JP H11183936 A JPH11183936 A JP H11183936A JP 35647597 A JP35647597 A JP 35647597A JP 35647597 A JP35647597 A JP 35647597A JP H11183936 A JPH11183936 A JP H11183936A
- Authority
- JP
- Japan
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- liquid crystal
- insulating film
- interlayer insulating
- display
- display device
- Prior art date
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- Granted
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周辺領域のセルギャップと中央部分のセルギ
ャップとの差を積極的に設けることにより、表示むらを
抑制し、表示品位を向上させた液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板２０と対向基
板１９との間に、プラスチックビーズからなるスペーサ
ー１６を散布した後、ガラスファイバーからなるスペー
サーを混入したシール材を介して貼り合わせ、液晶を注
入する。このとき、両基板１９および２０の間隔は、周
辺領域３でカラーフィルターの２つ以上の色相１７を積
層しているが、表示領域２ａおよび２ｂの方が周辺領域
３よりも層間絶縁膜１２を形成している分狭くなってお
り、セルギャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂに存在
するスペーサー１６およびシール部１８内のスペーサー
によって決定されるため、表示領域２ａおよび２ｂでは
均一なセルギャップ１５が得られる。
ャップとの差を積極的に設けることにより、表示むらを
抑制し、表示品位を向上させた液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板２０と対向基
板１９との間に、プラスチックビーズからなるスペーサ
ー１６を散布した後、ガラスファイバーからなるスペー
サーを混入したシール材を介して貼り合わせ、液晶を注
入する。このとき、両基板１９および２０の間隔は、周
辺領域３でカラーフィルターの２つ以上の色相１７を積
層しているが、表示領域２ａおよび２ｂの方が周辺領域
３よりも層間絶縁膜１２を形成している分狭くなってお
り、セルギャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂに存在
するスペーサー１６およびシール部１８内のスペーサー
によって決定されるため、表示領域２ａおよび２ｂでは
均一なセルギャップ１５が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビ等のＡＶ機
器およびパソコン等の情報機器に用いる液晶表示装置に
関するものである。
器およびパソコン等の情報機器に用いる液晶表示装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８に従来の液晶表示装置の断面図を示
す。図８に示すように、アクティブマトリクス基板２０
と対向基板１９とを貼り合わせて、液晶表示装置が構成
される。その際、均一な液晶層の厚み、所謂セルギャッ
プ１５を得るために、両基板１９および２０の間にプラ
スチックビーズ等のスペーサー１６を散布した後、ガラ
スファイバー等のスペーサーを混入したシール材を用い
て貼り合わせている。
す。図８に示すように、アクティブマトリクス基板２０
と対向基板１９とを貼り合わせて、液晶表示装置が構成
される。その際、均一な液晶層の厚み、所謂セルギャッ
プ１５を得るために、両基板１９および２０の間にプラ
スチックビーズ等のスペーサー１６を散布した後、ガラ
スファイバー等のスペーサーを混入したシール材を用い
て貼り合わせている。
【０００３】その際、シール部１８も含めてアクティブ
マトリクス基板２０を平坦化する方法が特開平７−１２
８６７０号公報に開示されている。また、シール部１８
の層間絶縁膜１２を除去する方法が特開平６−１８６５
８０号公報に開示されている。
マトリクス基板２０を平坦化する方法が特開平７−１２
８６７０号公報に開示されている。また、シール部１８
の層間絶縁膜１２を除去する方法が特開平６−１８６５
８０号公報に開示されている。
【０００４】このような液晶表示装置において、カラー
表示を実現するためには、対向基板１９上に、カラーフ
ィルターを形成する構成が一般的である。このカラーフ
ィルターには、色の混じりまたは光漏れを防止するため
にブラックマトリクスを形成する方法が用いられてい
る。
表示を実現するためには、対向基板１９上に、カラーフ
ィルターを形成する構成が一般的である。このカラーフ
ィルターには、色の混じりまたは光漏れを防止するため
にブラックマトリクスを形成する方法が用いられてい
る。
【０００５】一方、アクティブマトリクス基板２０に形
成した配線を遮光膜として用いて、対向基板１９上にブ
ラックマトリクスを形成しない構成とした場合では、光
漏れを防止するために周辺領域３の遮光を如何に行うか
が課題となる。
成した配線を遮光膜として用いて、対向基板１９上にブ
ラックマトリクスを形成しない構成とした場合では、光
漏れを防止するために周辺領域３の遮光を如何に行うか
が課題となる。
【０００６】この解決策として、２つ以上の色相１７の
カラーフィルターを重ねることで周辺領域３の遮光を行
う構造がある。従来の液晶表示装置において、対向基板
１９上にブラックマトリクスを形成しない構成とした場
合、光漏れを防止して周辺領域３の遮光を行うために、
２つ以上の色相１７を対向基板１９上で重ねて遮光パタ
ーンを構成すれば、透過率は１％程度となって周辺領域
３の遮光は可能となる。
カラーフィルターを重ねることで周辺領域３の遮光を行
う構造がある。従来の液晶表示装置において、対向基板
１９上にブラックマトリクスを形成しない構成とした場
合、光漏れを防止して周辺領域３の遮光を行うために、
２つ以上の色相１７を対向基板１９上で重ねて遮光パタ
ーンを構成すれば、透過率は１％程度となって周辺領域
３の遮光は可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、２つ以
上の色相１７のカラーフィルターを２層積層して遮光パ
ターンを形成した場合、周辺領域３における対向基板１
９の厚み２４ｂが、表示領域２ａおよび２ｂにおける対
向基板１９の厚み２４ａより厚くなってしまうので、ス
ペーサー１６によってセルギャップ１５を制御しようと
した場合、表示領域２ａおよび２ｂのギャップ制御が困
難になる。
上の色相１７のカラーフィルターを２層積層して遮光パ
ターンを形成した場合、周辺領域３における対向基板１
９の厚み２４ｂが、表示領域２ａおよび２ｂにおける対
向基板１９の厚み２４ａより厚くなってしまうので、ス
ペーサー１６によってセルギャップ１５を制御しようと
した場合、表示領域２ａおよび２ｂのギャップ制御が困
難になる。
【０００８】また、表示領域２ａおよび２ｂとシール部
１８近傍のセルギャップ１５がほぼ等しい場合、例えば
表示領域２ａおよび２ｂと周辺領域３とのセルギャップ
１５の差が０．３μｍ以内の場合には、シール部１８中
にふくまれる未硬化成分が液晶層に突出し、イオン性の
不純物が液晶の時定数を低下させて表示品位の劣化を引
き起こしてしまう。
１８近傍のセルギャップ１５がほぼ等しい場合、例えば
表示領域２ａおよび２ｂと周辺領域３とのセルギャップ
１５の差が０．３μｍ以内の場合には、シール部１８中
にふくまれる未硬化成分が液晶層に突出し、イオン性の
不純物が液晶の時定数を低下させて表示品位の劣化を引
き起こしてしまう。
【０００９】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、周辺領域のセルギャップと中
央部分のセルギャップとの差を積極的に設けることによ
り、表示むらを抑制し、表示品位を向上させた液晶表示
装置を提供することを目的としている。
みなされたものであって、周辺領域のセルギャップと中
央部分のセルギャップとの差を積極的に設けることによ
り、表示むらを抑制し、表示品位を向上させた液晶表示
装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、一対
の基板がシール材料を介して貼り合わされ、前記一対の
基板間に液晶層を有し、前記シール材料の近傍が非表示
領域である液晶表示装置において、前記液晶層の厚み
が、表示領域よりも前記非表示領域の方が厚く形成され
ていることを特徴としている。
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、一対
の基板がシール材料を介して貼り合わされ、前記一対の
基板間に液晶層を有し、前記シール材料の近傍が非表示
領域である液晶表示装置において、前記液晶層の厚み
が、表示領域よりも前記非表示領域の方が厚く形成され
ていることを特徴としている。
【００１１】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、前記一対の基板のうち何
れか一方は、カラーフィルターが形成されたカラーフィ
ルター基板であり、前記非表示領域は前記カラーフィル
ターの色相のうち異なる色相を積層することで遮光膜と
していることを特徴としている。
記載の液晶表示装置において、前記一対の基板のうち何
れか一方は、カラーフィルターが形成されたカラーフィ
ルター基板であり、前記非表示領域は前記カラーフィル
ターの色相のうち異なる色相を積層することで遮光膜と
していることを特徴としている。
【００１２】請求項３記載の液晶表示装置は、請求項１
または請求項２記載の液晶表示装置において、前記一対
の基板のうち何れか一方は、ゲート信号線、ソース信号
線およびスイッチング素子を覆って層間絶縁膜が設けら
れ、前記層間絶縁膜上にコンタクトホールを介して前記
スイッチング素子に接続される絵素電極が設けられたア
クティブマトリクス基板であり、前記層間絶縁膜は、前
記非表示領域が除去、または前記非表示領域が前記表示
領域よりも薄く形成されていることを特徴としている。
または請求項２記載の液晶表示装置において、前記一対
の基板のうち何れか一方は、ゲート信号線、ソース信号
線およびスイッチング素子を覆って層間絶縁膜が設けら
れ、前記層間絶縁膜上にコンタクトホールを介して前記
スイッチング素子に接続される絵素電極が設けられたア
クティブマトリクス基板であり、前記層間絶縁膜は、前
記非表示領域が除去、または前記非表示領域が前記表示
領域よりも薄く形成されていることを特徴としている。
【００１３】請求項４記載の液晶表示装置は、請求項３
記載の液晶表示装置において、前記層間絶縁膜が２層以
上で形成され、前記非表示領域の前記層間絶縁膜は、前
記表示領域よりも１層以上少ない層で形成されているこ
とを特徴としている。
記載の液晶表示装置において、前記層間絶縁膜が２層以
上で形成され、前記非表示領域の前記層間絶縁膜は、前
記表示領域よりも１層以上少ない層で形成されているこ
とを特徴としている。
【００１４】本発明の液晶表示装置によれば、液晶層の
厚みが表示領域よりも非表示領域の方が厚く形成されて
いることにより、スペーサーによってセルギャップを制
御する際に表示領域のギャップ制御が容易かつ正確に行
うことができる。さらに、表示領域と非表示領域とのセ
ルギャップの差を大きくすることにより、シール樹脂中
に含まれる未硬化成分の突出を防ぐことができる。
厚みが表示領域よりも非表示領域の方が厚く形成されて
いることにより、スペーサーによってセルギャップを制
御する際に表示領域のギャップ制御が容易かつ正確に行
うことができる。さらに、表示領域と非表示領域とのセ
ルギャップの差を大きくすることにより、シール樹脂中
に含まれる未硬化成分の突出を防ぐことができる。
【００１５】また、一対の基板のうち何れか一方は、カ
ラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板であ
り、非表示領域はカラーフィルターの色相のうち異なる
色相を積層することで遮光膜としている場合であって
も、スペーサーによってセルギャップを制御する際に表
示領域のギャップ制御が容易かつ正確に行うことができ
る。さらに、表示領域と非表示領域とのセルギャップの
差を大きくすることにより、シール樹脂中に含まれる未
硬化成分の突出を防ぐことができる。
ラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板であ
り、非表示領域はカラーフィルターの色相のうち異なる
色相を積層することで遮光膜としている場合であって
も、スペーサーによってセルギャップを制御する際に表
示領域のギャップ制御が容易かつ正確に行うことができ
る。さらに、表示領域と非表示領域とのセルギャップの
差を大きくすることにより、シール樹脂中に含まれる未
硬化成分の突出を防ぐことができる。
【００１６】また、一対の基板のうち何れか一方は、ゲ
ート信号線、ソース信号線およびスイッチング素子を覆
って層間絶縁膜が設けられ、層間絶縁膜上にコンタクト
ホールを介してスイッチング素子に接続される絵素電極
が設けられたアクティブマトリクス基板であり、層間絶
縁膜は、非表示領域が除去、または非表示領域が表示領
域よりも薄く形成されていることにより、スペーサーに
よってセルギャップを制御する際に表示領域のギャップ
制御が容易かつ正確に行うことができる。さらに、表示
領域と非表示領域とのセルギャップの差を大きくするこ
とにより、シール樹脂中に含まれる未硬化成分の突出を
防ぐことができる。
ート信号線、ソース信号線およびスイッチング素子を覆
って層間絶縁膜が設けられ、層間絶縁膜上にコンタクト
ホールを介してスイッチング素子に接続される絵素電極
が設けられたアクティブマトリクス基板であり、層間絶
縁膜は、非表示領域が除去、または非表示領域が表示領
域よりも薄く形成されていることにより、スペーサーに
よってセルギャップを制御する際に表示領域のギャップ
制御が容易かつ正確に行うことができる。さらに、表示
領域と非表示領域とのセルギャップの差を大きくするこ
とにより、シール樹脂中に含まれる未硬化成分の突出を
防ぐことができる。
【００１７】また、層間絶縁膜が２層以上で形成され、
非表示領域の層間絶縁膜は、表示領域よりも１層以上少
ない層で形成されていることにより、層間絶縁膜の下層
に形成される配線が剥き出しになることが無く、異物の
付着などによる配線間の短絡を防止することができる。
非表示領域の層間絶縁膜は、表示領域よりも１層以上少
ない層で形成されていることにより、層間絶縁膜の下層
に形成される配線が剥き出しになることが無く、異物の
付着などによる配線間の短絡を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１乃至図７を用いて、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１９】（実施の形態１）図１は本発明に係わる液
晶表示装置の周辺部の構成を示す平面図である。図１に
示すように、周辺領域３の遮光膜は膜厚１．５μｍのカ
ラーフィルター４の色相を２層重ねたパターンを設ける
ことによって形成する。
晶表示装置の周辺部の構成を示す平面図である。図１に
示すように、周辺領域３の遮光膜は膜厚１．５μｍのカ
ラーフィルター４の色相を２層重ねたパターンを設ける
ことによって形成する。
【００２０】このときの２つの色相としては、赤色と青
色とを重ねる構成としたが、これはこの組み合わせが最
も透過率を小さくできるからである。この組み合わせで
は、ほぼ周辺領域３の透過率を１％程度とすることがで
き、対向基板（カラーフィルター基板）上にブラックマ
トリクスを形成しなくても、周辺領域３を遮光すること
ができる。
色とを重ねる構成としたが、これはこの組み合わせが最
も透過率を小さくできるからである。この組み合わせで
は、ほぼ周辺領域３の透過率を１％程度とすることがで
き、対向基板（カラーフィルター基板）上にブラックマ
トリクスを形成しなくても、周辺領域３を遮光すること
ができる。
【００２１】また、カラーフィルター４の色相を２層重
ねた部分のアクティブマトリクス基板上では、ソース信
号線と画素電極との間の層間絶縁膜をコンタクトホール
形成時に除去する。
ねた部分のアクティブマトリクス基板上では、ソース信
号線と画素電極との間の層間絶縁膜をコンタクトホール
形成時に除去する。
【００２２】図２は本発明に係わる液晶表示装置を構成
するアクティブマトリクス基板を示す断面図である。図
２に示すように、アクティブマトリクス基板２０は、透
明絶縁性基板上にゲート電極５、ゲート絶縁膜８、チャ
ネル保護膜９、ソース電極６となるＮ型シリコン層、ド
レイン電極７となるＮ型シリコン層を形成し、さらにソ
ース信号線１０およびドレイン信号線１１を順次スパッ
タ法によって形成し、フォトリソ工程によってパターニ
ングする。
するアクティブマトリクス基板を示す断面図である。図
２に示すように、アクティブマトリクス基板２０は、透
明絶縁性基板上にゲート電極５、ゲート絶縁膜８、チャ
ネル保護膜９、ソース電極６となるＮ型シリコン層、ド
レイン電極７となるＮ型シリコン層を形成し、さらにソ
ース信号線１０およびドレイン信号線１１を順次スパッ
タ法によって形成し、フォトリソ工程によってパターニ
ングする。
【００２３】ソース信号線１０を構成する層を金属層と
ＩＴＯ層との２層構造とすることにより、仮に金属層の
一部に欠陥があっても、ＩＴＯによって電気的に接続さ
れているため、ソース信号線１０の断線を防止できる利
点がある。
ＩＴＯ層との２層構造とすることにより、仮に金属層の
一部に欠陥があっても、ＩＴＯによって電気的に接続さ
れているため、ソース信号線１０の断線を防止できる利
点がある。
【００２４】さらに、層間絶縁膜１２として感光性有機
絶縁膜をスピン塗布法によって３μｍの膜厚で形成し、
露光工程と現像工程とによって層間絶縁膜１２に図示し
ないコンタクトホールを形成する。さらに、画素電極２
２となる透明導電膜をスパッタ法によって形成し、フォ
トリソ法によってパターニングする。
絶縁膜をスピン塗布法によって３μｍの膜厚で形成し、
露光工程と現像工程とによって層間絶縁膜１２に図示し
ないコンタクトホールを形成する。さらに、画素電極２
２となる透明導電膜をスパッタ法によって形成し、フォ
トリソ法によってパターニングする。
【００２５】画素電極２２は層間絶縁膜１２を貫く図示
しないコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイン電極
７と接続されている。このような構造とすることによ
り、表示領域の内部おいては、液晶に電界を印加されな
い領域はすべてソース信号線１０およびドレイン信号線
１１によって遮光されるため、ブラックマトリクスのな
い構造とすることができる。
しないコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイン電極
７と接続されている。このような構造とすることによ
り、表示領域の内部おいては、液晶に電界を印加されな
い領域はすべてソース信号線１０およびドレイン信号線
１１によって遮光されるため、ブラックマトリクスのな
い構造とすることができる。
【００２６】図３は本発明に係わる液晶表示装置の基板
上の回路図である。図３に示すように、入力端子１の一
方はソース信号線１０と、他の一方の入力端子１はゲー
ト信号線２３と接続している。アクティブマトリクス基
板は、上記信号線１０および２３、ＴＦＴ１３並びに補
助容量（Ｃｓ）１４から構成されている。
上の回路図である。図３に示すように、入力端子１の一
方はソース信号線１０と、他の一方の入力端子１はゲー
ト信号線２３と接続している。アクティブマトリクス基
板は、上記信号線１０および２３、ＴＦＴ１３並びに補
助容量（Ｃｓ）１４から構成されている。
【００２７】図４は実施の形態１に係わる液晶表示装置
を示す断面図である。図４に示すように、アクティブマ
トリクス基板２０と対向基板１９との間に、プラスチッ
クビーズからなるスペーサー１６を散布した後、ガラス
ファイバーからなるスペーサーを混入したシール材を介
して貼り合わせ、液晶を注入する。
を示す断面図である。図４に示すように、アクティブマ
トリクス基板２０と対向基板１９との間に、プラスチッ
クビーズからなるスペーサー１６を散布した後、ガラス
ファイバーからなるスペーサーを混入したシール材を介
して貼り合わせ、液晶を注入する。
【００２８】このとき、両基板１９および２０の間隔
は、周辺領域３でカラーフィルターの２つ以上の色相１
７を積層しているが、表示領域２ａおよび２ｂの方が周
辺領域３よりも層間絶縁膜１２を形成している分狭くな
っており、セルギャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂ
に存在するスペーサー１６およびシール部１８内の図示
しないスペーサーによって決定されるため、表示領域２
ａおよび２ｂでは均一なセルギャップ１５が得られる。
は、周辺領域３でカラーフィルターの２つ以上の色相１
７を積層しているが、表示領域２ａおよび２ｂの方が周
辺領域３よりも層間絶縁膜１２を形成している分狭くな
っており、セルギャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂ
に存在するスペーサー１６およびシール部１８内の図示
しないスペーサーによって決定されるため、表示領域２
ａおよび２ｂでは均一なセルギャップ１５が得られる。
【００２９】さらに、表示領域２ａおよび２ｂと周辺領
域３とのセルギャップ１５の差を０．３μｍ以上にすれ
ば、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
域３とのセルギャップ１５の差を０．３μｍ以上にすれ
ば、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
【００３０】（実施の形態２）図５は実施の形態２に係
わる液晶表示装置を示す断面図である。図５に示すよう
に、アクティブマトリクス基板２０と対向基板１９との
間にプラスチックビーズからなるスペーサー１６を散布
した後、ガラスファイバーからなるスペーサーを混入し
たシール材を介して貼り合わせ、液晶を注入する。
わる液晶表示装置を示す断面図である。図５に示すよう
に、アクティブマトリクス基板２０と対向基板１９との
間にプラスチックビーズからなるスペーサー１６を散布
した後、ガラスファイバーからなるスペーサーを混入し
たシール材を介して貼り合わせ、液晶を注入する。
【００３１】ここでは、層間絶縁膜を窒化シリコン膜２
１と層間絶縁膜１２の２層構造として、周辺領域３の層
間絶縁膜１２のみをコンタクトホール形成時に除去す
る。
１と層間絶縁膜１２の２層構造として、周辺領域３の層
間絶縁膜１２のみをコンタクトホール形成時に除去す
る。
【００３２】このとき、両基板１９および２０の間隔
は、周辺領域３でカラーフィルターの２つ以上の色相１
７を積層しているが、表示領域２ａおよび２ｂの方が周
辺領域３よりも層間絶縁膜１２を形成している分狭くな
っており、セルギャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂ
に存在するスペーサー１６およびシール部１８内の図示
しないスペーサーによって決定されるため、表示領域２
ａおよび２ｂでは均一なセルギャップ１５が得られる。
は、周辺領域３でカラーフィルターの２つ以上の色相１
７を積層しているが、表示領域２ａおよび２ｂの方が周
辺領域３よりも層間絶縁膜１２を形成している分狭くな
っており、セルギャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂ
に存在するスペーサー１６およびシール部１８内の図示
しないスペーサーによって決定されるため、表示領域２
ａおよび２ｂでは均一なセルギャップ１５が得られる。
【００３３】さらに、表示領域２ａおよび２ｂと周辺領
域３とのセルギャップ１５の差を０．３μｍ以上にすれ
ば、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
域３とのセルギャップ１５の差を０．３μｍ以上にすれ
ば、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
【００３４】さらに、この構造では、層間絶縁膜１２が
配線上に形成されるので、配線間の短絡を防止すること
ができる。
配線上に形成されるので、配線間の短絡を防止すること
ができる。
【００３５】（実施の形態３）図６は実施の形態３に係
わる液晶表示装置を示す断面図である。図６に示すよう
に、アクティブマトリクス基板２０と対向基板１９との
間にプラスチックビーズからなるスペーサー１６を散布
した後、ガラスファイバーからなるスペーサーを混入し
たシール材を介して貼り合わせ、液晶を注入する。
わる液晶表示装置を示す断面図である。図６に示すよう
に、アクティブマトリクス基板２０と対向基板１９との
間にプラスチックビーズからなるスペーサー１６を散布
した後、ガラスファイバーからなるスペーサーを混入し
たシール材を介して貼り合わせ、液晶を注入する。
【００３６】ここでは、周辺領域３の層間絶縁膜１２を
コンタクトホール形成時に除去する。
コンタクトホール形成時に除去する。
【００３７】このとき、両基板１９および２０の間隔
は、表示領域２ａおよび２ｂの方が周辺領域３よりも層
間絶縁膜１２を形成している分狭くなっており、セルギ
ャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂに存在するスペー
サー１６およびシール部１８内の図示しないスペーサー
によって決定されるため、表示領域２ａおよび２ｂでは
均一なセルギャップ１５が得られる。
は、表示領域２ａおよび２ｂの方が周辺領域３よりも層
間絶縁膜１２を形成している分狭くなっており、セルギ
ャップ１５は表示領域２ａおよび２ｂに存在するスペー
サー１６およびシール部１８内の図示しないスペーサー
によって決定されるため、表示領域２ａおよび２ｂでは
均一なセルギャップ１５が得られる。
【００３８】さらに、表示領域２ａおよび２ｂと周辺領
域３とのセルギャップ１５の差を０．３μｍ以上にすれ
ば、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
域３とのセルギャップ１５の差を０．３μｍ以上にすれ
ば、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
【００３９】（実施の形態４）図７は実施の形態４に係
わる液晶表示装置を示す断面図である。図７に示すよう
に、アクティブマトリクス基板２０と対向基板１９との
間にプラスチックビーズからなるスペーサー１６を散布
した後、ガラスファイバーからなるスペーサーを混入し
たシール材を介して貼り合わせ、液晶を注入する。
わる液晶表示装置を示す断面図である。図７に示すよう
に、アクティブマトリクス基板２０と対向基板１９との
間にプラスチックビーズからなるスペーサー１６を散布
した後、ガラスファイバーからなるスペーサーを混入し
たシール材を介して貼り合わせ、液晶を注入する。
【００４０】ここでは、層間絶縁膜１２を感光性有機絶
縁膜を用いて形成し、表示領域２ａおよび２ｂと周辺領
域３とで露光量を変え、周辺領域３の感光性有機絶縁膜
からなる層間絶縁膜１２を０．３μｍ以上表示領域２ａ
および２ｂの感光性有機絶縁膜より薄くなるように形成
する。
縁膜を用いて形成し、表示領域２ａおよび２ｂと周辺領
域３とで露光量を変え、周辺領域３の感光性有機絶縁膜
からなる層間絶縁膜１２を０．３μｍ以上表示領域２ａ
および２ｂの感光性有機絶縁膜より薄くなるように形成
する。
【００４１】このとき、両基板１９および２０の間隔
は、表示領域２ａおよび２ｂの方が周辺領域３よりも層
間絶縁膜１２が厚い分狭くなっており、セルギャップ１
５は表示領域２ａおよび２ｂに存在するスペーサー１６
およびシール部１８内の図示しないスペーサーによって
決定されるため、表示領域２ａおよび２ｂでは均一なセ
ルギャップ１５が得られる。
は、表示領域２ａおよび２ｂの方が周辺領域３よりも層
間絶縁膜１２が厚い分狭くなっており、セルギャップ１
５は表示領域２ａおよび２ｂに存在するスペーサー１６
およびシール部１８内の図示しないスペーサーによって
決定されるため、表示領域２ａおよび２ｂでは均一なセ
ルギャップ１５が得られる。
【００４２】さらに、表示領域２ａおよび２ｂと周辺領
域３とのセルギャップ１５の差が０．３μｍ以上あるの
で、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
域３とのセルギャップ１５の差が０．３μｍ以上あるの
で、シール部１８の未硬化成分が液晶層に突出してイオ
ン性の不純物が液晶の時定数を低下させることで表示品
位の劣化を起こすことがない。
【００４３】さらに、この構造では、層間絶縁膜１２が
配線上に形成されるので、配線間の短絡を防止すること
ができる。
配線上に形成されるので、配線間の短絡を防止すること
ができる。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置によれば、液晶層の厚みが表示領域よりも非表示領
域の方が厚く形成されていることにより、表示領域のギ
ャップ制御が容易かつ正確に行うことができる。さら
に、シール樹脂中に含まれる未硬化成分の突出による表
示品位の低下を防ぐことができる。
装置によれば、液晶層の厚みが表示領域よりも非表示領
域の方が厚く形成されていることにより、表示領域のギ
ャップ制御が容易かつ正確に行うことができる。さら
に、シール樹脂中に含まれる未硬化成分の突出による表
示品位の低下を防ぐことができる。
【００４５】また、一対の基板のうち何れか一方は、カ
ラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板であ
り、非表示領域はカラーフィルターの色相のうち異なる
色相を積層することで遮光膜としている場合であって
も、表示領域のギャップ制御が容易かつ正確に行うこと
ができる。さらに、シール樹脂中に含まれる未硬化成分
の突出による表示品位の低下を防ぐことができる。
ラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板であ
り、非表示領域はカラーフィルターの色相のうち異なる
色相を積層することで遮光膜としている場合であって
も、表示領域のギャップ制御が容易かつ正確に行うこと
ができる。さらに、シール樹脂中に含まれる未硬化成分
の突出による表示品位の低下を防ぐことができる。
【００４６】また、一対の基板のうち何れか一方は、ゲ
ート信号線、ソース信号線およびスイッチング素子を覆
って層間絶縁膜が設けられ、層間絶縁膜上にコンタクト
ホールを介してスイッチング素子に接続される絵素電極
が設けられたアクティブマトリクス基板であり、層間絶
縁膜は、非表示領域が除去、または非表示領域が表示領
域よりも薄く形成されていることにより、表示領域のギ
ャップ制御が容易かつ正確に行うことができる。さら
に、シール樹脂中に含まれる未硬化成分の突出による表
示品位の低下を防ぐことができる。
ート信号線、ソース信号線およびスイッチング素子を覆
って層間絶縁膜が設けられ、層間絶縁膜上にコンタクト
ホールを介してスイッチング素子に接続される絵素電極
が設けられたアクティブマトリクス基板であり、層間絶
縁膜は、非表示領域が除去、または非表示領域が表示領
域よりも薄く形成されていることにより、表示領域のギ
ャップ制御が容易かつ正確に行うことができる。さら
に、シール樹脂中に含まれる未硬化成分の突出による表
示品位の低下を防ぐことができる。
【００４７】また、層間絶縁膜が２層以上で形成され、
非表示領域の層間絶縁膜は、表示領域よりも１層以上少
ない層で形成されていることにより、層間絶縁膜の下層
に形成される配線が剥き出しになることが無く、異物の
付着などによる配線間の短絡を防止することができる。
非表示領域の層間絶縁膜は、表示領域よりも１層以上少
ない層で形成されていることにより、層間絶縁膜の下層
に形成される配線が剥き出しになることが無く、異物の
付着などによる配線間の短絡を防止することができる。
【図１】本発明に係わる液晶表示装置の周辺部の構成を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】本発明に係わる液晶表示装置を構成するアクテ
ィブマトリクス基板を示す断面図である。
ィブマトリクス基板を示す断面図である。
【図３】本発明に係わる液晶表示装置の基板上の回路図
である。
である。
【図４】実施の形態１に係わる液晶表示装置を示す断面
図である。
図である。
【図５】実施の形態２に係わる液晶表示装置を示す断面
図である。
図である。
【図６】実施の形態３に係わる液晶表示装置を示す断面
図である。
図である。
【図７】実施の形態４に係わる液晶表示装置を示す断面
図である。
図である。
【図８】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
１ 入力端子 ２ａ 表示領域中央部 ２ｂ 表示領域周辺部 ３ 周辺領域 ４ カラーフィルター ５ ゲート電極 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ ゲート絶縁膜 ９ チャネル保護膜 １０ ソース信号線 １１ ドレイン信号線 １２ 層間絶縁膜 １３ ＴＦＴ １４ 補助容量（Ｃｓ） １５ セルギャップ １６ スペーサー １７ ２つ以上の色相 １８ シール部 １９ 対向基板 ２０ アクティブマトリクス基板 ２１ 窒化シリコン膜 ２２ 画素電極 ２３ ゲート信号線 ２４ａ 表示領域における対向基板の厚み ２４ｂ 周辺領域における対向基板の厚み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 光本 一順 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の基板がシール材料を介して貼り合
わされ、前記一対の基板間に液晶層を有し、前記シール
材料の近傍が非表示領域である液晶表示装置において、 前記液晶層の厚みが、表示領域よりも前記非表示領域の
方が厚く形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記一対の基板のうち何れか一方は、カ
ラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板であ
り、前記非表示領域は前記カラーフィルターの色相のう
ち異なる色相を積層することで遮光膜としていることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記一対の基板のうち何れか一方は、ゲ
ート信号線、ソース信号線およびスイッチング素子を覆
って層間絶縁膜が設けられ、前記層間絶縁膜上にコンタ
クトホールを介して前記スイッチング素子に接続される
絵素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であ
り、前記層間絶縁膜は、前記非表示領域が除去、または
前記非表示領域が前記表示領域よりも薄く形成されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶
表示装置。 - 【請求項４】 前記層間絶縁膜が２層以上で形成され、
前記非表示領域の前記層間絶縁膜は、前記表示領域より
も１層以上少ない層で形成されていることを特徴とする
請求項３記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35647597A JP3403931B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35647597A JP3403931B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183936A true JPH11183936A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3403931B2 JP3403931B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=18449205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35647597A Expired - Lifetime JP3403931B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3403931B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001183629A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 液晶表示装置およびこの液晶表示装置を配設した携帯端末または表示機器 |
| JP2001313397A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2009237234A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置 |
| JP2011017834A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2012142571A (ja) * | 2011-12-26 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013167902A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-08-29 | Japan Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| US9153352B2 (en) | 2001-07-27 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
| US9704996B2 (en) | 2000-04-12 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35647597A patent/JP3403931B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001183629A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 液晶表示装置およびこの液晶表示装置を配設した携帯端末または表示機器 |
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| US8399884B2 (en) | 2000-02-22 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US9869907B2 (en) | 2000-02-22 | 2018-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2017123482A (ja) * | 2000-02-22 | 2017-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2016029729A (ja) * | 2000-02-22 | 2016-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9318610B2 (en) | 2000-02-22 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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| US10854636B2 (en) | 2001-07-27 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
| US9917107B2 (en) | 2001-07-27 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
| US9153352B2 (en) | 2001-07-27 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal wiring and method of manufacturing the same, and metal wiring substrate and method of manufacturing the same |
| JP2009237234A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置 |
| US9417485B2 (en) | 2009-07-08 | 2016-08-16 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US8994908B2 (en) | 2009-07-08 | 2015-03-31 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US8427624B2 (en) | 2009-07-08 | 2013-04-23 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2011017834A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
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| JP2013167902A (ja) * | 2013-04-26 | 2013-08-29 | Japan Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3403931B2 (ja) | 2003-05-06 |
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