JPH11184424A - 特定用途向け半導体の外部表示装置 - Google Patents

特定用途向け半導体の外部表示装置

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JPH11184424A
JPH11184424A JP10174311A JP17431198A JPH11184424A JP H11184424 A JPH11184424 A JP H11184424A JP 10174311 A JP10174311 A JP 10174311A JP 17431198 A JP17431198 A JP 17431198A JP H11184424 A JPH11184424 A JP H11184424A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 特定用途向け半導体の内部に変換部を連結
し、複数のレベル（multi-level)を有する信号を出力し
て表示部に直接表示し得る特定用途向け半導体の外部表
示装置を提供すること。 【解決手段】 特定用途向け半導体１と、該特定用途向
け半導体１の出力を外部に表示する表示部３と、上記特
定用途向け半導体１の内部に連結され上記特定用途向け
半導体１から出力される２種類のレベルを有する信号Ｉ
Ｎを、少なくとも３種類以上のレベルを有する信号ＯＵ
Ｔ１〜ＯＵＴｎに変換して、上記表示部３に出力する変
換部２０と、を備えて特定用途向け半導体の外部表示装
置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定用途向け半導
体（Application specific IC;ASIC) の出力を外部に表
示する技術に係るもので、詳しくは、特定用途向け半導
体の内部に複数の抵抗及びバッファーなどの簡単な素子
を連結して上記特定用途向け半導体の出力結果を外部に
表示し得る特定用途向け半導体の外部表示装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、特定用途向け半導体の外部表示装
置においては、図５に示したように、特定用途向け半導
体１と、該特定用途向け半導体１の出力信号INTERFACE
により駆動信号ＯＵＴを出力する駆動部２と、７セグメ
ント表示器又はＬＣＤにより構成され上記駆動部２の出
力信号ＯＵＴに該当する値を表示する表示部３と、を備
えて構成されていた。
【０００３】そして、上記特定用途向け半導体１から出
力される信号INTERFACE はハイレベル又はローレベルの
２種類のレベルを有し、上記駆動部２は２種類のレベル
を有する信号INTERFACE を複数のレベルの信号ＯＵＴに
変換して出力するが、それら出力信号INTERFACE,ＯＵＴ
の波形は図６に示したようであった。
【０００４】かつ、上記表示部３は、７セグメントＬＣ
Ｄ表示器又はドットマトリックスＬＣＤ表示器により構
成され、上記出力信号ＯＵＴに該当する値を外部に表示
するようになっていた。
【０００５】このように、上記特定用途向け半導体１の
出力はハイレベル又はローレベルの２種類に出力される
が、上記表示部３はＬＣＤ等により構成され、上記特定
用途向け半導体１の出力結果を外部に表示するときは、
該表示部３を駆動するために別途の駆動部２を必要とし
ていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このような
従来の特定用途向け半導体の外部表示装置においては、
半導体素子の外に表示部を駆動する上記駆動部２を別途
に設置すべきであるため、製造費用が上昇し、回路の面
積が増加するという不都合な点があった。
【０００７】また、前記駆動部２とのインタフェースの
ため別途のソフトウエア又はハードウエアが必要になる
という不都合な点があった。
【０００８】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、特定用途向け半導体の内部に簡単な変
換部を連結し、複数のレベル（multi-level)を有する信
号を出力して表示部に直接表示し得る特定用途向け半導
体の外部表示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため本発明に係る特定用途向け半導体の外部表示装置
においては、特定用途向け半導体と、該特定用途向け半
導体の出力を外部に表示する表示部と、上記特定用途向
け半導体の内部に連結され、上記特定用途向け半導体か
ら出力される２種類のレベルを有する信号（ＩＮ）を、
少なくとも３種類以上のレベルを有する信号（ＯＵＴ１
〜ＯＵＴｎ）に変換して上記表示部に出力する変換部
と、を備えて構成されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、図面に基づいて説明する。本発明に係る特定用途向
け半導体の外部表示装置においては、図１に示したよう
に、特定用途向け半導体１と、該特定用途向け半導体１
から出力される信号ＩＮを複数のイネーブル信号ＥＮ１
〜ＥＮｎにより４種類のレベルを有する出力信号ＯＵＴ
１〜ＯＵＴｎに変換して出力する変換部２０と、上記各
出力信号ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎに該当する値を表示する表
示部３と、を備えて構成されている。
【００１１】そして、上記変換部２０においては、図２
に示したように、上記特定用途向け半導体１から出力さ
れる信号ＩＮを反転するインバータＩＮＶと、該インバ
ータＩＮＶに並列連結され、上記特定用途向け半導体１
から複数のイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｎが入力される
と、それらイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｎの論理状態に
より上記表示部３に印加する出力信号ＯＵＴ１〜ＯＵＴ
ｎの論理状態を変換させる複数の変換部２１〜２ｎと、
を備えて構成されている。
【００１２】かつ、上記複数の変換部２１〜２ｎのうち
の第１変換部２１においては、イネーブル信号ＥＮ１に
より特定用途向け半導体１の出力信号ＩＮを伝達、又は
遮断するバッファーＢＵＦ１と、上記インバータＩＮＶ
に並列連結された２つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１２と、から構
成され、それら２つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の共通接続点
ＯＵＴ１は上記バッファーＢＵＦ１の出力端に連結され
て上記表示部３に連結されている。また、第２変換部２
２〜第ｎ変換部２ｎも第１変換部２１と同様に構成され
ている。
【００１３】以下、このように構成された本発明に係る
特定用途向け半導体の外部表示装置の動作を説明する。
【００１４】即ち、図１において、上記特定用途向け半
導体１から出力される信号ＩＮと複数のイネーブル信号
ＥＮ１〜ＥＮｎとの論理状態により、変換部２０から出
力される信号ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの論理状態が変化され
るが、上記変換部２０のインバータＩＮＶは上記信号Ｉ
Ｎの論理状態を反転させ、各バッファーＢＵＦ１〜ＢＵ
Ｆｎはそれぞれのイネーブル信号ＥＮ１〜ＥＮｎがロー
状態であるときイネーブルされる。ここで、上記変換部
２０の動作を図２に示す第１変換部２１の上記信号ＩＮ
とイネーブル信号ＥＮ１との各論理状態によって説明す
る。
【００１５】、上記信号ＩＮがハイレベルでイネーブ
ル信号ＥＮ１がローレベルであるときは、バッファーＢ
ＵＦ１はイネーブルされ、よって、表示部３に出力され
る上記バッファーＢＵＦ１の出力信号ＯＵＴ１はハイレ
ベルになる。
【００１６】、上記信号ＩＮがハイレベルでイネーブ
ル信号ＥＮ１もハイレベルであるときは、バッファーＢ
ＵＦ１がディスエーブルされ、よって、インバータＩＮ
Ｖの出力端はローレベルになる。このとき、上記信号Ｉ
Ｎの電流経路は抵抗Ｒ１１→抵抗Ｒ１２→インバータＩ
ＮＶとになり、上記信号ＩＮの電圧は２つの抵抗Ｒ１
１，Ｒ１２により分圧されるため、バッファーＢＵＦ１
の出力信号ＯＵＴ１の電圧レベルは上記２つの抵抗Ｒ１
１，Ｒ１２の値により次式１のように決定される。
【００１７】Ｒ１２／（Ｒ１１＋Ｒ１２）・Ｈ 〔Ｖ〕
【００１８】、上記信号ＩＮがローレベルでイネーブ
ル信号ＥＮ１がローレベルであるときは、バッファーＢ
ＵＦ１はイネーブルされ、よって、表示部３に出力され
る上記バッファーＢＵＦ１の出力信号ＯＵＴ１はローレ
ベルになる。
【００１９】、上記信号ＩＮがローレベルでイネーブ
ル信号ＥＮ１がハイレベルであるときは、バッファーＢ
ＵＦ１はディスエーブルされ、よって、インバータＩＮ
Ｖの出力端はハイレベルになる。このとき、上記信号Ｉ
Ｎの電流経路は前述した第２の場合とは反対になって、
インバータＩＮＶ→抵抗Ｒ１１→抵抗Ｒ１２の順にな
り、上記信号ＩＮの電圧は２つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１２に
より分圧されるため、バッファーＢＵＦ１の出力信号Ｏ
ＵＴ１の電圧レベルは上記２つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の
値により次式２のように決定される。
【００２０】Ｒ１１／（Ｒ１１＋Ｒ１２）・Ｈ 〔Ｖ〕
【００２１】以上のように、上記信号ＩＮ及びイネーブ
ル信号ＥＮ１の論理状態と各抵抗Ｒ１１，Ｒ１２値とに
より第１変換部２１の出力信号ＯＵＴ１は４つの論理状
態となり、次の表１に示したようになる。
【００２２】
【表１】
【００２３】この場合、上記で各抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の
抵抗値を同じにすると、式１及び式２に表現された出力
信号ＯＵＴ１の電圧値は同じになるため、該出力信号Ｏ
ＵＴ１は３つの論理状態を示すようになる。
【００２４】以上、第１変換部２１の動作について説明
したが、その他の第２〜第ｎ変換部２２〜２ｎの動作も
該第１変換部２１の動作と同様である。
【００２５】そして、図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
は、該第１変換部２１の各信号ＩＮ，ＥＮ１，ＯＵＴ１
の波形を示したもので、図４は、各イネーブル信号ＥＮ
１〜ＥＮｎによる第１変換部２１の出力信号ＯＵＴ１〜
ＯＵＴｎの波形を示したもので、抵抗Ｒ１１の値は抵抗
Ｒ１２の値より大きく、区間Ｔ１では上記信号ＩＮがハ
イレベルで、区間Ｔ２では上記信号ＩＮがローレベルで
ある。そして、上記区間Ｔ１の細部区間Ｔ１１，Ｔ１
２，Ｔ１３，Ｔ１４におけるそれぞれのイネーブル信号
ＥＮ１〜ＥＮｎの論理状態を示した。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る特定
用途向け半導体の外部表示装置においては、特定用途向
け半導体の内部に簡単な回路を連結することにより、別
途の駆動回路を設置せずに上記特定用途向け半導体から
出力される出力信号のレベルを多様化し得るという効果
がある。
【００２７】かつ、１つのバッファー及び２つの抵抗を
用いて、ハイレベル又はローレベルの２種類の外部表示
出力状態を４種類に変換し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る特定用途向け半導体の外部表示装
置の１実施例を示したブロック図である。
【図２】図１の変換部（２０）を示した詳細回路図であ
る。
【図３】（ａ）は図２の第１変換部（２１）の入力（Ｉ
Ｎ）を示し、（ｂ）は入力（ＥＮ１）を示し、（ｂ）は
出力（ＯＵＴ１）を示した波形図である。
【図４】各イネーブル信号（ＥＮ１〜ＥＮｎ）による第
１変換部（２１）の出力信号（ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎ）を
示した波形図である。
【図５】従来の特定用途向け半導体の外部表示装置を示
した構成図である。
【図６】（ａ）は図５の駆動部（２）の入力信号（Ｉ
Ｎ）を示し、（ｂ）は出力信号（ＯＵＴ）を示した波形
図である。
【符号の説明】
１ 特定用途向け半導体 ３ 表示部 ２０ 変換部 ２１〜２ｎ 第１〜第ｎ変換部 ＩＮ 特定用途向け半導体からの出力信号 ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎ ３種類以上のレベルを有する出力
信号 ＩＮＶ インバータ ＢＵＦ１〜ＢＵＦｎ バッファー Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ
ｎ１，Ｒｎ２ 抵抗

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 特定用途向け半導体と、該特定用途向け
    半導体の出力を外部に表示する表示部と、上記特定用途
    向け半導体の内部に連結され、上記特定用途向け半導体
    から出力される２種類のレベルを有する信号（ＩＮ）
    を、少なくとも３種類以上のレベルを有する信号（ＯＵ
    Ｔ１〜ＯＵＴｎ）に変換して上記表示部に出力する変換
    部と、から構成されることを特徴とする特定用途向け半
    導体の外部表示装置。
  2. 【請求項２】 上記変換部は、 上記特定用途向け半導体から出力される信号（ＩＮ）を
    反転するインバータと、該インバータに並列連結され、
    上記特定用途向け半導体から複数のイネーブル信号（Ｅ
    Ｎ１〜ＥＮｎ）が入力されると、それらイネーブル信号
    （ＥＮ１〜ＥＮｎ）の論理状態により上記表示部に印加
    する出力信号（ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎ）の論理状態を変換
    させる複数の変換部と、を備えて構成されることを特徴
    とする請求項１記載の特定用途向け半導体の外部表示装
    置。
  3. 【請求項３】 上記複数の変換部は、それぞれ上記イン
    バータに並列連結された各バッファーと、それらバッフ
    ァーに並列連結された各抵抗と、上記各バッファーの各
    出力端と上記インバータの出力端間に連結された各抵抗
    と、を備えて構成されることを特徴とする請求項２記載
    の特定用途向け半導体の外部表示装置。
JP10174311A 1997-12-15 1998-06-22 特定用途向け半導体の外部表示装置 Pending JPH11184424A (ja)

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