JPH11186130A - ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置 - Google Patents
ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置Info
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- JPH11186130A JPH11186130A JP9350873A JP35087397A JPH11186130A JP H11186130 A JPH11186130 A JP H11186130A JP 9350873 A JP9350873 A JP 9350873A JP 35087397 A JP35087397 A JP 35087397A JP H11186130 A JPH11186130 A JP H11186130A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】より適正なリフォーカス量を決定する。
【解決手段】 ステンシルマスク４０Ａには、荷電粒子
ビームのエッジぼけ量δａを実質的に測定するためのラ
イン形アパーチャ４１と、δａのクーロン相互作用以外
の成分が無視できる程度にアパーチャ４１と離間して形
成され、アパーチャ４１と同時に荷電粒子ビームが通さ
れるアパーチャ４２とが、同時露光するためのブロック
パターンとして形成されている。ステンシルマスク４０
Ａ及び４０Ｂを用い、その各々についてアパーチャ４１
を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定
し、エッジぼけ量が最小になるように、荷電粒子ビーム
に対するリフォーカス量を決定し、ステンシルマスク４
０Ａ及び４０Ｂの各々の開口面積合計に対し決定された
リフォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意
のブロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量
の関係を直線近似する。
ビームのエッジぼけ量δａを実質的に測定するためのラ
イン形アパーチャ４１と、δａのクーロン相互作用以外
の成分が無視できる程度にアパーチャ４１と離間して形
成され、アパーチャ４１と同時に荷電粒子ビームが通さ
れるアパーチャ４２とが、同時露光するためのブロック
パターンとして形成されている。ステンシルマスク４０
Ａ及び４０Ｂを用い、その各々についてアパーチャ４１
を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定
し、エッジぼけ量が最小になるように、荷電粒子ビーム
に対するリフォーカス量を決定し、ステンシルマスク４
０Ａ及び４０Ｂの各々の開口面積合計に対し決定された
リフォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意
のブロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量
の関係を直線近似する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビーム露
光におけるビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカ
ス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマ
スク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置に関する。
光におけるビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカ
ス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマ
スク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子ビーム露光装置では、より微細
パターンを描画するために、ビームエッジのぼけ、すな
わち試料上のマスクパターン投影像のエッジ部ぼけを、
できるだけ低減する必要がある。図５は、従来の荷電粒
子ビーム露光装置の概略構成を示す。
パターンを描画するために、ビームエッジのぼけ、すな
わち試料上のマスクパターン投影像のエッジ部ぼけを、
できるだけ低減する必要がある。図５は、従来の荷電粒
子ビーム露光装置の概略構成を示す。
【０００３】荷電粒子銃１０と露光対象物としての半導
体ウェーハ１１との間には、光軸に沿って成形絞り１
２、マスク１３及び角度絞り１４が配置されている。荷
電粒子銃１０の一点から放射された荷電粒子ビーム、例
えば電子ビーム（以下、荷電粒子ビームは電子ビームで
あるとする。）の縦断面を光軸と直角な方向に拡大した
ものが２点鎖線１５のようになるように、電磁レンズ２
１〜２５が配置されている。電磁レンズ２１は、成形絞
り１２を上下に挟むように配置された電磁レンズ２１Ａ
と電磁レンズ２１Ｂとからなり、電磁レンズ２２は、マ
スク１３を上下に挟むように配置された電磁レンズ２２
Ａと電磁レンズ２２Ｂとからなる。
体ウェーハ１１との間には、光軸に沿って成形絞り１
２、マスク１３及び角度絞り１４が配置されている。荷
電粒子銃１０の一点から放射された荷電粒子ビーム、例
えば電子ビーム（以下、荷電粒子ビームは電子ビームで
あるとする。）の縦断面を光軸と直角な方向に拡大した
ものが２点鎖線１５のようになるように、電磁レンズ２
１〜２５が配置されている。電磁レンズ２１は、成形絞
り１２を上下に挟むように配置された電磁レンズ２１Ａ
と電磁レンズ２１Ｂとからなり、電磁レンズ２２は、マ
スク１３を上下に挟むように配置された電磁レンズ２２
Ａと電磁レンズ２２Ｂとからなる。
【０００４】成形絞り１２とマスク１３との間には成形
偏向器２６が配置され、マスク１３と角度絞り１４との
間にはブランキング偏向器２７が配置され、対物レンズ
２５内には荷電粒子ビーム走査用の主偏向器２８及び副
偏向器２９が配置されている。荷電粒子銃１０から射出
された電子ビームは、成形絞り１２の矩形アパーチャ１
２ａを通ってその断面が矩形に成形され、成形偏向器２
６で偏向されて、この矩形の像がマスク１３上に形成さ
れ、矩形像と矩形アパーチャ１３ａとの論理積部分が矩
形アパーチャ１３ａを通る。これにより、電子ビーム横
断面は、成形偏向器２６による偏向量に応じた可変矩形
にされる。電子ビームは、さらに角度絞り１４の円形ア
パーチャ１４ａを通ってその角度が制限され、次いで主
偏向器２８及び副偏向器２９で偏向されて、前記可変矩
形がウェーハ１１上の所望の位置に縮小投影される。
偏向器２６が配置され、マスク１３と角度絞り１４との
間にはブランキング偏向器２７が配置され、対物レンズ
２５内には荷電粒子ビーム走査用の主偏向器２８及び副
偏向器２９が配置されている。荷電粒子銃１０から射出
された電子ビームは、成形絞り１２の矩形アパーチャ１
２ａを通ってその断面が矩形に成形され、成形偏向器２
６で偏向されて、この矩形の像がマスク１３上に形成さ
れ、矩形像と矩形アパーチャ１３ａとの論理積部分が矩
形アパーチャ１３ａを通る。これにより、電子ビーム横
断面は、成形偏向器２６による偏向量に応じた可変矩形
にされる。電子ビームは、さらに角度絞り１４の円形ア
パーチャ１４ａを通ってその角度が制限され、次いで主
偏向器２８及び副偏向器２９で偏向されて、前記可変矩
形がウェーハ１１上の所望の位置に縮小投影される。
【０００５】ビーム中の電子相互間にクーロン反発力が
働くために、ウェーハ１１上の投影像にぼけが生ずる。
これを補正するために、マスク１３の下方にリフォーカ
スコイル３０が、その軸を光軸ＡＸに一致させて配置さ
れている。矩形アパーチャ１２ａを通るビーム電流は一
定であり、ぼけ補正用リフォーカス量は、矩形アパーチ
ャ１３ａを通過するビームの電流にほぼ比例するので、
矩形アパーチャ１３ａとこの位置での成形絞り１２の像
とが重なりあう面積に比例した電流Ｉｒ、すなわち成形
偏向器２６での偏向量に応じた電流Ｉｒが、リフォーカ
ス量としてリフォーカスコイル３０に供給される。
働くために、ウェーハ１１上の投影像にぼけが生ずる。
これを補正するために、マスク１３の下方にリフォーカ
スコイル３０が、その軸を光軸ＡＸに一致させて配置さ
れている。矩形アパーチャ１２ａを通るビーム電流は一
定であり、ぼけ補正用リフォーカス量は、矩形アパーチ
ャ１３ａを通過するビームの電流にほぼ比例するので、
矩形アパーチャ１３ａとこの位置での成形絞り１２の像
とが重なりあう面積に比例した電流Ｉｒ、すなわち成形
偏向器２６での偏向量に応じた電流Ｉｒが、リフォーカ
ス量としてリフォーカスコイル３０に供給される。
【０００６】マスク１３としてステンシルマスクを用い
た場合にも同様にリフォーカス補正が行われる。リフォ
ーカス量を決定するために、従来では次のようにしてビ
ームエッジぼけ量を測定していた。すなわち、シリコン
Ｓｉのウェーハ１１上に、図６（Ａ）に示す如く、シリ
コンＳｉよりも電子反射率及び２次電子放出率が高いタ
ンタル膜Ｔａのナイフエッジを形成しておく。図５の副
偏向器２９でビームを走査させて、投影像ＢＳに対しタ
ンタル膜Ｔａのナイフエッジを横切らせ、この際、照射
点からの反射電子又は／及び２次電子を電子検出器３１
及び３２で検出する。そして、電子検出器３１及び３２
の出力Ｓ１とＳ２との和である図６（Ｂ）に示すような
電子検出量Ｓを求める。この電子検出量Ｓをビーム走査
位置Ｘにつき微分して図６（Ｃ）に示すような波形ＤＳ
を取得し、その最大値ＤＳ０が９０％から１０％まで変
化する距離をビームエッジぼけ量δとして求める。ビー
ム走査位置Ｘは、副偏向器２９への印加電圧との関係で
定まる。
た場合にも同様にリフォーカス補正が行われる。リフォ
ーカス量を決定するために、従来では次のようにしてビ
ームエッジぼけ量を測定していた。すなわち、シリコン
Ｓｉのウェーハ１１上に、図６（Ａ）に示す如く、シリ
コンＳｉよりも電子反射率及び２次電子放出率が高いタ
ンタル膜Ｔａのナイフエッジを形成しておく。図５の副
偏向器２９でビームを走査させて、投影像ＢＳに対しタ
ンタル膜Ｔａのナイフエッジを横切らせ、この際、照射
点からの反射電子又は／及び２次電子を電子検出器３１
及び３２で検出する。そして、電子検出器３１及び３２
の出力Ｓ１とＳ２との和である図６（Ｂ）に示すような
電子検出量Ｓを求める。この電子検出量Ｓをビーム走査
位置Ｘにつき微分して図６（Ｃ）に示すような波形ＤＳ
を取得し、その最大値ＤＳ０が９０％から１０％まで変
化する距離をビームエッジぼけ量δとして求める。ビー
ム走査位置Ｘは、副偏向器２９への印加電圧との関係で
定まる。
【０００７】従来では、このビームエッジぼけ量δを最
小にするリフォーカス量Ｉｒを、面積の異なる投影像Ｂ
Ｓについて決定し、可変矩形の面積とリフォーカス量Ｉ
ｒとの関係を直線近似し、これに基づき、任意形状のブ
ロックパターンについてその面積からリフォーカス量Ｉ
ｒを決定していた。
小にするリフォーカス量Ｉｒを、面積の異なる投影像Ｂ
Ｓについて決定し、可変矩形の面積とリフォーカス量Ｉ
ｒとの関係を直線近似し、これに基づき、任意形状のブ
ロックパターンについてその面積からリフォーカス量Ｉ
ｒを決定していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ビームエッジ
ぼけ量δには、クーロン相互作用以外に、投影像ＢＳの
サイズが大きくなることに起因する、開口面積に比例し
ない成分を含んでいるため、このようにして決定された
リフォーカス量Ｉｒを用いても、ビームエッジぼけ量δ
を最小にすることができず、パターンの微細化を妨げる
原因となっていた。
ぼけ量δには、クーロン相互作用以外に、投影像ＢＳの
サイズが大きくなることに起因する、開口面積に比例し
ない成分を含んでいるため、このようにして決定された
リフォーカス量Ｉｒを用いても、ビームエッジぼけ量δ
を最小にすることができず、パターンの微細化を妨げる
原因となっていた。
【０００９】また、上記直線近似せずに具体的なブロッ
クパターンについてビームエッジぼけ量δを測定して
も、前記と同じ理由により、前記問題が生ずる。例えば
図７（Ａ）に示すようなラインアンドスペースのブロッ
クパターンでは、試料上でのラインパターン長手方向に
直角なライン上の電流密度プロファイルが、図７（Ｂ）
のようになる。図７（Ａ）のアパーチャを通るビーム内
電子は、その方向や速度にばらつきがある。同一方向で
あっても速度が異なれば電磁界から受ける力や通過時間
が異なるので、試料上照射点が異なることになる。この
ため、アパーチャ１３２を通ったビーム内電子の一部
は、クーロン相互作用と無関係にプロファイル端部Ｅ１
に寄与する。したがって、プロファイル端部Ｅ１につい
てビームエッジぼけ量δを測定しても、クーロン相互作
用のみによるビームエッジぼけ量δを正確に測定するこ
とができず、前記問題が生ずる。
クパターンについてビームエッジぼけ量δを測定して
も、前記と同じ理由により、前記問題が生ずる。例えば
図７（Ａ）に示すようなラインアンドスペースのブロッ
クパターンでは、試料上でのラインパターン長手方向に
直角なライン上の電流密度プロファイルが、図７（Ｂ）
のようになる。図７（Ａ）のアパーチャを通るビーム内
電子は、その方向や速度にばらつきがある。同一方向で
あっても速度が異なれば電磁界から受ける力や通過時間
が異なるので、試料上照射点が異なることになる。この
ため、アパーチャ１３２を通ったビーム内電子の一部
は、クーロン相互作用と無関係にプロファイル端部Ｅ１
に寄与する。したがって、プロファイル端部Ｅ１につい
てビームエッジぼけ量δを測定しても、クーロン相互作
用のみによるビームエッジぼけ量δを正確に測定するこ
とができず、前記問題が生ずる。
【００１０】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、より適正なリフォーカス量を決定することが可能な
ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方
法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに
荷電粒子ビーム露光方法及び装置を提供することにあ
る。
み、より適正なリフォーカス量を決定することが可能な
ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方
法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに
荷電粒子ビーム露光方法及び装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】請求項
１のステンシルマスクでは、荷電粒子ビームのエッジぼ
け量を実質的に測定するためのライン形第１開口部と、
該エッジぼけ量のクーロン相互作用以外の成分が無視で
きる程度に該第１開口部と離間して形成され、該第１開
口部と同時に該荷電粒子ビームが通される第２開口部と
が、同時露光するためのブロックパターンとして形成さ
れている。
１のステンシルマスクでは、荷電粒子ビームのエッジぼ
け量を実質的に測定するためのライン形第１開口部と、
該エッジぼけ量のクーロン相互作用以外の成分が無視で
きる程度に該第１開口部と離間して形成され、該第１開
口部と同時に該荷電粒子ビームが通される第２開口部と
が、同時露光するためのブロックパターンとして形成さ
れている。
【００１２】このステンシルマスクを用いて、ライン形
第１開口部を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実
質的に測定すれば、第１開口部と第２開口部とがエッジ
ぼけ量のクーロン相互作用以外の成分が無視できる程度
に離間しているので、エッジぼけ量はほぼクーロン相互
作用のみに基づくものとなるという効果を奏する。請求
項２のビームエッジぼけ量測定方法では、請求項１のス
テンシルマスクを用い、上記第１開口部を通った荷電粒
子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定する。
第１開口部を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実
質的に測定すれば、第１開口部と第２開口部とがエッジ
ぼけ量のクーロン相互作用以外の成分が無視できる程度
に離間しているので、エッジぼけ量はほぼクーロン相互
作用のみに基づくものとなるという効果を奏する。請求
項２のビームエッジぼけ量測定方法では、請求項１のス
テンシルマスクを用い、上記第１開口部を通った荷電粒
子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定する。
【００１３】請求項３のビームエッジぼけ量測定方法で
は、請求項２において、上記荷電粒子ビームは電子ビー
ムであり、試料上の電子反射率又は２次電子放出率が急
変する部分を電子ビーム照射点が通るように該電子ビー
ムを該試料上で走査させ、該電子ビーム照射点からの反
射電子又は２次電子の量を検出し、その検出量又は該検
出量の微分値に基づいて上記エッジぼけ量を実質的に測
定する。
は、請求項２において、上記荷電粒子ビームは電子ビー
ムであり、試料上の電子反射率又は２次電子放出率が急
変する部分を電子ビーム照射点が通るように該電子ビー
ムを該試料上で走査させ、該電子ビーム照射点からの反
射電子又は２次電子の量を検出し、その検出量又は該検
出量の微分値に基づいて上記エッジぼけ量を実質的に測
定する。
【００１４】請求項４のリフォーカス量決定方法では、
請求項１のステンシルマスクを用い、上記第１開口部を
通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定
し、該エッジぼけ量が最小になるように、荷電粒子ビー
ムに対するリフォーカス量を決定する。このリフォーカ
ス量決定方法によれば、ビームエッジぼけ量が殆どクー
ロン相互作用のみに基づくものであるので、マスクの任
意の開口パターンに対しこの関係に基づいてクーロン相
互作用補正用リフォーカス量を決定することにより、従
来よりもビームエッジぼけ量を低減することが可能にな
るという効果を奏し、露光パターンの微細化に寄与する
ところが大きい。
請求項１のステンシルマスクを用い、上記第１開口部を
通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定
し、該エッジぼけ量が最小になるように、荷電粒子ビー
ムに対するリフォーカス量を決定する。このリフォーカ
ス量決定方法によれば、ビームエッジぼけ量が殆どクー
ロン相互作用のみに基づくものであるので、マスクの任
意の開口パターンに対しこの関係に基づいてクーロン相
互作用補正用リフォーカス量を決定することにより、従
来よりもビームエッジぼけ量を低減することが可能にな
るという効果を奏し、露光パターンの微細化に寄与する
ところが大きい。
【００１５】請求項５では、上記第１開口部と上記第２
開口部との開口面積合計が異なる複数のブロックパター
ンが形成されている請求項１のステンシルマスクを用
い、該複数のブロックパターンの各々について、上記第
１開口部を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質
的に測定し、該エッジぼけ量が最小になる、荷電粒子ビ
ームに対するリフォーカス量を決定し、該複数のブロッ
クパターンの各々の該開口面積合計に対し決定された該
リフォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意
のブロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量
の関係を直線近似する。
開口部との開口面積合計が異なる複数のブロックパター
ンが形成されている請求項１のステンシルマスクを用
い、該複数のブロックパターンの各々について、上記第
１開口部を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質
的に測定し、該エッジぼけ量が最小になる、荷電粒子ビ
ームに対するリフォーカス量を決定し、該複数のブロッ
クパターンの各々の該開口面積合計に対し決定された該
リフォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意
のブロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量
の関係を直線近似する。
【００１６】請求項６のリフォーカス量決定方法では、
請求項１のステンシルマスクを用い、上記第２開口部へ
の荷電粒子照射面積を変え、その各々の荷電粒子照射面
積について、上記第１開口部を通った荷電粒子ビームの
エッジぼけ量を実質的に測定し、該エッジぼけ量が最小
になる、荷電粒子ビームに対するリフォーカス量を決定
し、複数の荷電粒子照射面積の各々に対し決定された該
リフォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意
のブロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量
の関係を決定する。
請求項１のステンシルマスクを用い、上記第２開口部へ
の荷電粒子照射面積を変え、その各々の荷電粒子照射面
積について、上記第１開口部を通った荷電粒子ビームの
エッジぼけ量を実質的に測定し、該エッジぼけ量が最小
になる、荷電粒子ビームに対するリフォーカス量を決定
し、複数の荷電粒子照射面積の各々に対し決定された該
リフォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意
のブロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量
の関係を決定する。
【００１７】この方法によれば、ステンシルマスク上に
形成された１つのリフォーカス量決定用ブロックマスク
に対する荷電粒子ビームの照射位置を変えるだけで、該
ステンシルマスク上に複数のリフォーカス量決定用ブロ
ックマスクを形成してこれらを用いた場合と同じ結果が
得られるという利点を有する。請求項７のリフォーカス
量決定方法では、請求項４乃至６のいずれかにおいて、
上記荷電粒子ビームは電子ビームであり、試料上の電子
反射率又は２次電子放出率が急変する部分を電子ビーム
照射点が通るように該電子ビームを該試料上で走査さ
せ、該電子ビーム照射点からの反射電子又は２次電子の
量を検出し、その検出量又は該検出量の微分値に基づい
て上記ぼけ量を実質的に測定する。
形成された１つのリフォーカス量決定用ブロックマスク
に対する荷電粒子ビームの照射位置を変えるだけで、該
ステンシルマスク上に複数のリフォーカス量決定用ブロ
ックマスクを形成してこれらを用いた場合と同じ結果が
得られるという利点を有する。請求項７のリフォーカス
量決定方法では、請求項４乃至６のいずれかにおいて、
上記荷電粒子ビームは電子ビームであり、試料上の電子
反射率又は２次電子放出率が急変する部分を電子ビーム
照射点が通るように該電子ビームを該試料上で走査さ
せ、該電子ビーム照射点からの反射電子又は２次電子の
量を検出し、その検出量又は該検出量の微分値に基づい
て上記ぼけ量を実質的に測定する。
【００１８】請求項８の荷電粒子ビーム露光方法では、
請求項４乃至７のいずれか１つに記載のリフォーカス量
決定方法で決定したリフォーカス量で荷電粒子ビームの
フォーカスを補正して露光を行う。請求項８の荷電粒子
ビーム露光装置では、請求項１記載のステンシルマスク
と、該ステンシルマスク上のブロックパターンに荷電粒
子ビームを照射させて、該ブロックパターンを試料上に
縮小投影させる光学系と、該荷電粒子ビームを試料上で
走査させる偏向器とを有する。
請求項４乃至７のいずれか１つに記載のリフォーカス量
決定方法で決定したリフォーカス量で荷電粒子ビームの
フォーカスを補正して露光を行う。請求項８の荷電粒子
ビーム露光装置では、請求項１記載のステンシルマスク
と、該ステンシルマスク上のブロックパターンに荷電粒
子ビームを照射させて、該ブロックパターンを試料上に
縮小投影させる光学系と、該荷電粒子ビームを試料上で
走査させる偏向器とを有する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、ビーム
エッジぼけ量測定方法に用いられるステンシルマスク４
０Ａ及び４０Ｂのブロックパターンを示す。ハッチング
を施した部分は、基材部である。
実施形態を説明する。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、ビーム
エッジぼけ量測定方法に用いられるステンシルマスク４
０Ａ及び４０Ｂのブロックパターンを示す。ハッチング
を施した部分は、基材部である。
【００２０】ステンシルマスク４０Ａは、図５の矩形マ
スク１３の代わりに用いられ、アパーチャ４１と４２と
を含む矩形領域に荷電粒子ビームが照射され、アパーチ
ャ４１及び４２の像がウェーハ１１上に同時に縮小投影
される。ライン形開口部としてのアパーチャ４１は、例
えば配線パターンに対応している。縮小投影の倍率を１
／Ｍ、例えば１／６０とすると、アパーチャ４１の線幅
は例えば０．１Ｍμｍである。
スク１３の代わりに用いられ、アパーチャ４１と４２と
を含む矩形領域に荷電粒子ビームが照射され、アパーチ
ャ４１及び４２の像がウェーハ１１上に同時に縮小投影
される。ライン形開口部としてのアパーチャ４１は、例
えば配線パターンに対応している。縮小投影の倍率を１
／Ｍ、例えば１／６０とすると、アパーチャ４１の線幅
は例えば０．１Ｍμｍである。
【００２１】アパーチャ４２をアパーチャ４１に接近さ
せると、図７について上述したように、アパーチャ４１
を通った電子ビームのぼけに、アパーチャ４２を通った
電子ビームの一部の影響によるクーロン相互作用以外の
ものが含まれることになる。そこで、アパーチャ４１
と、このような影響が無視できる距離（以下、これを不
重距離と称す）以上離間して、アパーチャ４２が形成さ
れている。アパーチャ４１と４２の間の基材部幅は例え
ば０．４Ｍμｍである。アパーチャ４２の幅は、例えば
４．０Ｍμｍである。
せると、図７について上述したように、アパーチャ４１
を通った電子ビームのぼけに、アパーチャ４２を通った
電子ビームの一部の影響によるクーロン相互作用以外の
ものが含まれることになる。そこで、アパーチャ４１
と、このような影響が無視できる距離（以下、これを不
重距離と称す）以上離間して、アパーチャ４２が形成さ
れている。アパーチャ４１と４２の間の基材部幅は例え
ば０．４Ｍμｍである。アパーチャ４２の幅は、例えば
４．０Ｍμｍである。
【００２２】アパーチャ４１及び４２のウェーハ１１上
の像はそれぞれ、図２（Ａ）に示す投影像ＢＳ１及びＢ
Ｓ２のようになる。図６（Ａ）の場合と同様に、図２
（Ａ）に示す如く、シリコンＳｉのウェーハ１１上に、
シリコンＳｉよりも電子反射率及び２次電子放出率が高
いタンタル膜Ｔａのナイフエッジを形成しておく。図５
の副偏向器２９でビームを走査させて投影像ＢＳに対
し、タンタル膜Ｔａのナイフエッジを横切らせ、この
際、電子検出器３１及び３２の出力Ｓ１とＳ２との和で
ある図２（Ｂ）に示すような電子検出量Ｓを求める。こ
の電子検出量Ｓをビーム走査位置Ｘにつき微分して図２
（Ｃ）に示すような波形ＤＳを取得し、投影像ＢＳ１の
エッジに対応した部分の最大値ＤＳ１が９０％から１０
％まで変化する距離をビームエッジぼけ量δａとして求
める。
の像はそれぞれ、図２（Ａ）に示す投影像ＢＳ１及びＢ
Ｓ２のようになる。図６（Ａ）の場合と同様に、図２
（Ａ）に示す如く、シリコンＳｉのウェーハ１１上に、
シリコンＳｉよりも電子反射率及び２次電子放出率が高
いタンタル膜Ｔａのナイフエッジを形成しておく。図５
の副偏向器２９でビームを走査させて投影像ＢＳに対
し、タンタル膜Ｔａのナイフエッジを横切らせ、この
際、電子検出器３１及び３２の出力Ｓ１とＳ２との和で
ある図２（Ｂ）に示すような電子検出量Ｓを求める。こ
の電子検出量Ｓをビーム走査位置Ｘにつき微分して図２
（Ｃ）に示すような波形ＤＳを取得し、投影像ＢＳ１の
エッジに対応した部分の最大値ＤＳ１が９０％から１０
％まで変化する距離をビームエッジぼけ量δａとして求
める。
【００２３】δａの測定精度を高くするために、投影像
ＢＳ１の長手方向はタンタル膜Ｔａのナイフエッジと平
行にされ、投影像ＢＳ１の走査方向はその長手方向と直
角な方向にされる。微分波形ＤＳにおいて、投影像ＢＳ
２のエッジに対応した部分の最大値ＤＳ２が９０％から
１０％まで変化する距離をδａｘとすると、δａ＜δａ
ｘとなる。これは、ビームエッジぼけ量δａにはアパー
チャ４２を通った電子ビームの一部の影響が殆ど含まれ
ていないので、ほぼクーロン相互作用のみに基づくもの
となり、これに対し、ビームエッジぼけ量δａｘには、
アパーチャ４２が広いのでアパーチャ４２のエッジ部の
近くを通った電子ビームの一部の影響が含まれているか
らである。
ＢＳ１の長手方向はタンタル膜Ｔａのナイフエッジと平
行にされ、投影像ＢＳ１の走査方向はその長手方向と直
角な方向にされる。微分波形ＤＳにおいて、投影像ＢＳ
２のエッジに対応した部分の最大値ＤＳ２が９０％から
１０％まで変化する距離をδａｘとすると、δａ＜δａ
ｘとなる。これは、ビームエッジぼけ量δａにはアパー
チャ４２を通った電子ビームの一部の影響が殆ど含まれ
ていないので、ほぼクーロン相互作用のみに基づくもの
となり、これに対し、ビームエッジぼけ量δａｘには、
アパーチャ４２が広いのでアパーチャ４２のエッジ部の
近くを通った電子ビームの一部の影響が含まれているか
らである。
【００２４】他方、電子ビーム内のクーロン相互作用
は、主に図５の２点鎖線１５のクロスオーバ点で生ずる
ので、アパーチャ４１と４２との離間は、クーロン相互
作用によるウェーハ１１上でのぼけに影響しない。すな
わち、ビームエッジぼけ量δａに含まれるクーロン相互
作用に基づく成分は、δａｘのそれと同一であり、ブロ
ックパターン開口面積Ａａ＝Ａ１＋Ａ２に依存する。
は、主に図５の２点鎖線１５のクロスオーバ点で生ずる
ので、アパーチャ４１と４２との離間は、クーロン相互
作用によるウェーハ１１上でのぼけに影響しない。すな
わち、ビームエッジぼけ量δａに含まれるクーロン相互
作用に基づく成分は、δａｘのそれと同一であり、ブロ
ックパターン開口面積Ａａ＝Ａ１＋Ａ２に依存する。
【００２５】そこで、リフォーカス量Ｉｒ決定用として
ビームエッジぼけ量δａを測定する。リフォーカス量Ｉ
ｒを変化させて、ビームエッジぼけ量δａが最小値δａ
ｍｉｎとなるＩｒ＝Ｉｒ１を求める。次に、図１（Ｂ）
に示すステンシルマスク４０Ｂを用い、上記同様にし
て、ビームエッジぼけ量最小値δａｍｉｎに対応したビ
ームエッジぼけ量最小値δｂｍｉｎを探索し、このとき
のリフォーカス量ＩｒをＩｒ２として求める。
ビームエッジぼけ量δａを測定する。リフォーカス量Ｉ
ｒを変化させて、ビームエッジぼけ量δａが最小値δａ
ｍｉｎとなるＩｒ＝Ｉｒ１を求める。次に、図１（Ｂ）
に示すステンシルマスク４０Ｂを用い、上記同様にし
て、ビームエッジぼけ量最小値δａｍｉｎに対応したビ
ームエッジぼけ量最小値δｂｍｉｎを探索し、このとき
のリフォーカス量ＩｒをＩｒ２として求める。
【００２６】ステンシルマスク４０Ｂには、ステンシル
マスク４０Ａのアパーチャ４１と同一形状のものと、ア
パーチャ４２と異なる面積Ａ３のアパーチャ４３とが形
成されている。ブロックパターン開口面積ＡｂはＡ１＋
Ａ３である。アパーチャ４３は、上記同様の理由で、ア
パーチャ４１から不重距離以上離間している。図１
（Ｃ）に示す如く、２点（Ａａ，δａｍｉｎ）及び（Ａ
ｂ，δｂｍｉｎ）を通る直線で、任意のブロックパター
ン開口面積Ａに対するリフォーカス量Ｉｒを近似する。
マスク４０Ａのアパーチャ４１と同一形状のものと、ア
パーチャ４２と異なる面積Ａ３のアパーチャ４３とが形
成されている。ブロックパターン開口面積ＡｂはＡ１＋
Ａ３である。アパーチャ４３は、上記同様の理由で、ア
パーチャ４１から不重距離以上離間している。図１
（Ｃ）に示す如く、２点（Ａａ，δａｍｉｎ）及び（Ａ
ｂ，δｂｍｉｎ）を通る直線で、任意のブロックパター
ン開口面積Ａに対するリフォーカス量Ｉｒを近似する。
【００２７】ビームエッジぼけ量最小値δａｍｉｎ及び
δｂｍｉｎは殆どクーロン相互作用のみに基づくもので
あるので、任意のブロックパターンに対しこの関係に基
づいてクーロン相互作用補正用リフォーカス量Ｉｒを決
定することにより、従来よりもビームエッジぼけ量δを
低減することが可能となる。これにより、従来よりも微
細なパターンを露光することが可能となる。
δｂｍｉｎは殆どクーロン相互作用のみに基づくもので
あるので、任意のブロックパターンに対しこの関係に基
づいてクーロン相互作用補正用リフォーカス量Ｉｒを決
定することにより、従来よりもビームエッジぼけ量δを
低減することが可能となる。これにより、従来よりも微
細なパターンを露光することが可能となる。
【００２８】ビームエッジぼけ量δｂがブロックパター
ン開口面積Ａｂにより定まることから、図１（Ｂ）のス
テンシルマスク４０Ｂの替わりに、図５（Ａ）〜（Ｃ）
に示すようなブロックパターン開口面積Ａｂのステンシ
ルマスク４０Ｃ、４０Ｄ又は４０Ｅを用いてもよい。ス
テンシルマスク４０Ｃのアパー４３Ａの面積はＡ３であ
り、ステンシルマスク４０Ｄのアパーチャ４３１〜４３
６の合計面積はＡ３あり、ステンシルマスク４０Ｅのア
パーチャ４３Ｂの面積もＡ３である。また、ステンシル
マスク４０Ｃ、４０Ｄ及び４０Ｅにはいずれもアパーチ
ャ４１が形成され、アパーチャ４３Ａ、４３１及び４３
Ｂはいずれもアパーチャ４１と不重距離以上離れてい
る。
ン開口面積Ａｂにより定まることから、図１（Ｂ）のス
テンシルマスク４０Ｂの替わりに、図５（Ａ）〜（Ｃ）
に示すようなブロックパターン開口面積Ａｂのステンシ
ルマスク４０Ｃ、４０Ｄ又は４０Ｅを用いてもよい。ス
テンシルマスク４０Ｃのアパー４３Ａの面積はＡ３であ
り、ステンシルマスク４０Ｄのアパーチャ４３１〜４３
６の合計面積はＡ３あり、ステンシルマスク４０Ｅのア
パーチャ４３Ｂの面積もＡ３である。また、ステンシル
マスク４０Ｃ、４０Ｄ及び４０Ｅにはいずれもアパーチ
ャ４１が形成され、アパーチャ４３Ａ、４３１及び４３
Ｂはいずれもアパーチャ４１と不重距離以上離れてい
る。
【００２９】次に、図４を参照して、本発明の他の実施
形態のリフォーカス量決定方法を説明する。この方法で
は、１つのブロックパターンを用いて、２以上のブロッ
クパターンを用いた場合と同じ結果を得る。すなわち、
図４（Ａ）に示す如く、ステンシルマスク４０Ａ上に図
５中のアパーチャ１２ａの像１２Ｉを形成し、上記実施
形態の場合と同様に、アパーチャ４１を通った電子ビー
ムのエッジぼけ量δを測定し、これが最小になるリフォ
ーカス量を決定する。
形態のリフォーカス量決定方法を説明する。この方法で
は、１つのブロックパターンを用いて、２以上のブロッ
クパターンを用いた場合と同じ結果を得る。すなわち、
図４（Ａ）に示す如く、ステンシルマスク４０Ａ上に図
５中のアパーチャ１２ａの像１２Ｉを形成し、上記実施
形態の場合と同様に、アパーチャ４１を通った電子ビー
ムのエッジぼけ量δを測定し、これが最小になるリフォ
ーカス量を決定する。
【００３０】次に、図５の偏向器２６により、ステンシ
ルマスク４０Ａ上のアパーチャ１２ａの像１２Ｉを図４
（Ｂ）に示す如くずらして、アパーチャ４２と像１２１
との重なり部分の面積を前記の場合と異ならせ、前記同
様に、アパーチャ４１を通った電子ビームのエッジぼけ
量δを測定し、これが最小になるリフォーカス量を決定
する。
ルマスク４０Ａ上のアパーチャ１２ａの像１２Ｉを図４
（Ｂ）に示す如くずらして、アパーチャ４２と像１２１
との重なり部分の面積を前記の場合と異ならせ、前記同
様に、アパーチャ４１を通った電子ビームのエッジぼけ
量δを測定し、これが最小になるリフォーカス量を決定
する。
【００３１】これにより、図１（Ｃ）と同じ関係が得ら
れる。この方法によれば、ステンシルマスク上にリフォ
ーカス量決定用ブロックマスクを１つ形成し、ステンシ
ルマスク上の電子ビーム照射位置を変えるだけで、複数
のリフォーカス量決定用ブロックマスクを形成してこれ
らを用いた場合と同じ結果が得られるという利点を有す
る。
れる。この方法によれば、ステンシルマスク上にリフォ
ーカス量決定用ブロックマスクを１つ形成し、ステンシ
ルマスク上の電子ビーム照射位置を変えるだけで、複数
のリフォーカス量決定用ブロックマスクを形成してこれ
らを用いた場合と同じ結果が得られるという利点を有す
る。
【００３２】なお、本発明には外にも種々の変形例が含
まれる。例えば、図１（Ｃ）の近似直線を３点以上の測
定点に基づいて最小２乗法により求めてもよいことは勿
論である。また、アパーチャ４１はビームエッジぼけ量
δへの上記影響が無視できる程度に細幅であればよく、
実際の配線パターンに対応していなくてもよい。
まれる。例えば、図１（Ｃ）の近似直線を３点以上の測
定点に基づいて最小２乗法により求めてもよいことは勿
論である。また、アパーチャ４１はビームエッジぼけ量
δへの上記影響が無視できる程度に細幅であればよく、
実際の配線パターンに対応していなくてもよい。
【００３３】さらに、上記実施形態ではライン形開口部
が１本のアパーチャ４１である場合を説明したが、ライ
ン形開口部は、例えば同一直線上で途切れた複数本のア
パーチャで構成されていてもよい。ビームエッジぼけ量
は、リフォーカス量の決定のみではなく、露光における
近接効果の計算にも用いられるので、本発明のビームエ
ッジぼけ量測定方法はそれのみで技術的意義がある。
が１本のアパーチャ４１である場合を説明したが、ライ
ン形開口部は、例えば同一直線上で途切れた複数本のア
パーチャで構成されていてもよい。ビームエッジぼけ量
は、リフォーカス量の決定のみではなく、露光における
近接効果の計算にも用いられるので、本発明のビームエ
ッジぼけ量測定方法はそれのみで技術的意義がある。
【００３４】また、上述のステンシルマスクを用いてビ
ームエッジシャープネスを測定することにより、実質的
に本発明に係るビームエッジぼけ量を測定する構成であ
ってもよい。
ームエッジシャープネスを測定することにより、実質的
に本発明に係るビームエッジぼけ量を測定する構成であ
ってもよい。
【図１】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の一実施形態のビー
ムエッジぼけ量測定方法に用いられるステンシルマスク
のブロックパターンを示す図であり、（Ｃ）はブロック
パターン開口面積とリフォーカス量との関係を示す線図
である。
ムエッジぼけ量測定方法に用いられるステンシルマスク
のブロックパターンを示す図であり、（Ｃ）はブロック
パターン開口面積とリフォーカス量との関係を示す線図
である。
【図２】図１（Ａ）のブロックパターンを用いたビーム
エッジぼけ量測定説明図である。
エッジぼけ量測定説明図である。
【図３】図１（Ｂ）のブロックパターンの変形例を示す
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係り、１つのブロック
パターンを用いて図１（Ｃ）の関係得る方法の説明図で
ある。
パターンを用いて図１（Ｃ）の関係得る方法の説明図で
ある。
【図５】従来の荷電粒子ビーム露光装置光学系の概略構
成図である。
成図である。
【図６】従来のビームエッジぼけ量測定説明図である。
【図７】従来技術の問題点説明図である。
１１ ウェーハ １２ａ、１３ａ 矩形アパーチャ １３ マスク ２９ 副偏向器 ３０ リフォーカスコイル ３１、３２ 電子検出器 ４０Ａ〜４０Ｅ ステンシルマスク ４１〜４３、１３２、４３Ａ、４３Ｂ、４３１〜４３６
アパーチャ Ｓ 電子検出量 δａ、δｂ ビームエッジぼけ量 δａｍｉｎ、δｂｍｉｎ ビームエッジぼけ量最小値 Ｓｉ シリコン Ｔａ タンタル膜 ＢＳ、ＢＳ１、ＢＳ２ 投影像
アパーチャ Ｓ 電子検出量 δａ、δｂ ビームエッジぼけ量 δａｍｉｎ、δｂｍｉｎ ビームエッジぼけ量最小値 Ｓｉ シリコン Ｔａ タンタル膜 ＢＳ、ＢＳ１、ＢＳ２ 投影像
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 37/04 Ｈ０１Ｊ 37/04 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｒ
Claims (9)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的
に測定するためのライン形第１開口部と、 該エッジぼけ量のクーロン相互作用以外の成分が無視で
きる程度に該第１開口部と離間して形成され、該第１開
口部と同時に該荷電粒子ビームが通される第２開口部と
が、 同時露光するためのブロックパターンとして形成されて
いることを特徴とするステンシルマスク。 - 【請求項２】 請求項１のステンシルマスクを用い、上
記第１開口部を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を
実質的に測定することを特徴とするビームエッジぼけ量
測定方法。 - 【請求項３】 上記荷電粒子ビームは電子ビームであ
り、 試料上の電子反射率又は２次電子放出率が急変する部分
を電子ビーム照射点が通るように該電子ビームを該試料
上で走査させ、 該電子ビーム照射点からの反射電子又は２次電子の量を
検出し、 その検出量又は該検出量の微分値に基づいて上記エッジ
ぼけ量を実質的に測定する、 ことを特徴とする請求項２記載のビームエッジぼけ量測
定方法。 - 【請求項４】 請求項１のステンシルマスクを用い、上
記第１開口部を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を
実質的に測定し、該エッジぼけ量が最小になるように、
荷電粒子ビームに対するリフォーカス量を決定すること
を特徴とするリフォーカス量決定方法。 - 【請求項５】 上記第１開口部と上記第２開口部との開
口面積合計が異なる複数のブロックパターンが形成され
ている請求項１のステンシルマスクを用い、 該複数のブロックパターンの各々について、上記第１開
口部を通った荷電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に
測定し、該エッジぼけ量が最小になる、荷電粒子ビーム
に対するリフォーカス量を決定し、 該複数のブロックパターンの各々の該開口面積合計に対
し決定された該リフォーカス量に基づいて、ステンシル
マスク上の任意のブロックパターンの開口面積に対する
リフォーカス量の関係を直線近似する、 ことを特徴とするリフォーカス量決定方法。 - 【請求項６】 請求項１のステンシルマスクを用い、上
記第２開口部への荷電粒子照射面積を変え、その各々の
荷電粒子照射面積について、上記第１開口部を通った荷
電粒子ビームのエッジぼけ量を実質的に測定し、該エッ
ジぼけ量が最小になる、荷電粒子ビームに対するリフォ
ーカス量を決定し、 複数の荷電粒子照射面積の各々に対し決定された該リフ
ォーカス量に基づいて、ステンシルマスク上の任意のブ
ロックパターンの開口面積に対するリフォーカス量の関
係を決定する、 ことを特徴とするリフォーカス量決定方法。 - 【請求項７】 上記荷電粒子ビームは電子ビームであ
り、 試料上の電子反射率又は２次電子放出率が急変する部分
を電子ビーム照射点が通るように該電子ビームを該試料
上で走査させ、 該電子ビーム照射点からの反射電子又は２次電子の量を
検出し、 その検出量又は該検出量の微分値に基づいて上記ぼけ量
を実質的に測定する、 ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１つに記載
のリフォーカス量決定方法。 - 【請求項８】 請求項４乃至７のいずれか１つに記載の
リフォーカス量決定方法で決定したリフォーカス量で荷
電粒子ビームのフォーカスを補正して露光を行うことを
特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項９】 請求項１記載のステンシルマスクと、 該ステンシルマスク上のブロックパターンに荷電粒子ビ
ームを照射させて、該ブロックパターンを試料上に縮小
投影させる光学系と、 該荷電粒子ビームを試料上で走査させる偏向器と、 を有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35087397A JP3697494B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35087397A JP3697494B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186130A true JPH11186130A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3697494B2 JP3697494B2 (ja) | 2005-09-21 |
Family
ID=18413475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35087397A Expired - Fee Related JP3697494B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3697494B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244180A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び焦点検出方法 |
| JP2002237444A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2002246298A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2012169291A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-09-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法及び荷電粒子ビーム装置 |
| JP2022042861A (ja) * | 2020-09-03 | 2022-03-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム調整方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム照射装置 |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35087397A patent/JP3697494B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244180A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び焦点検出方法 |
| JP2002237444A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2002246298A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2012169291A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-09-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法及び荷電粒子ビーム装置 |
| JP2022042861A (ja) * | 2020-09-03 | 2022-03-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム調整方法、荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム照射装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3697494B2 (ja) | 2005-09-21 |
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