JPH11186717A - 薄膜回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バイアホールを有する薄膜回路基板におい
て、バイアホールのための貫通孔の内周面に薄膜導体を
成膜しにくく、バイアホールの接続信頼性が低い。 【解決手段】 バイアホールのための貫通孔を基板の表
面側及び裏面側ともにテーパー状にすることにより、成
膜時に貫通孔の内周面の中央部付近でも、薄膜材料が到
達し、貫通孔の内周面全体に薄膜材料を被着させること
ができ、接続信頼性の高いバイアホールを有する薄膜回
路基板を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は電子部品を実装し
て電子回路を構成するための基板として使用される薄膜
回路基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】薄膜回路基板は高精度かつ微細な回路パ
ターンと高精度の抵抗体が得られるため、薄膜ハイブリ
ッドＩＣや金属皮膜抵抗器等の電子部品、液晶ディスプ
レイ等の表示デバイス等に用いられている。特に、基板
材料としてアルミナセラミックを用いた薄膜回路基板
は、熱膨張係数が小さいため、シリコンチップの直接実
装に有利、マイクロ波帯で誘電体として使用できる、な
どの理由でマイクロ波回路用の薄膜ハイブリッドＩＣと
して多く用いられている。

【０００３】薄膜回路基板はアルミナセラミック等の絶
縁基板上に数１０Ａ〜数μｍの導体、抵抗体、絶縁体の
薄膜を真空蒸着法、スパッタリング法等の成膜技術で形
成し、その後、露光、エッチングといったパターン加工
技術を用いて回路パターンを形成するものである。その
製造工程は、薄膜材料を熱により溶解し、蒸着させて膜
を形成する蒸着法、またはアルゴン等の気体を薄膜材料
に衝突させ、その運動エネルギーによって薄膜材料から
粒子を飛び出させて基板に被着させるスパッタリング法
により基板全体に薄膜を形成する成膜工程、薄膜が形成
された基板にレジストと呼ばれる感光性樹脂を塗布する
レジスト塗布工程、レジストを塗布した基板にマスクを
密着させ、紫外線光を照射し、レジストを反応させる露
光工程、前記の紫外線光の当たったレジストを現像液に
より溶解して除去する現像工程、真空中でアルゴン等の
イオンを加速し、薄膜に叩きつけることで薄膜を削るエ
ッチング工程、残ったレジストを除去するレジスト剥離
工程から構成される。

【０００４】図１９は従来の薄膜回路基板の構造を示す
断面図で、基板１の表面及び裏面には、それぞれ必要な
位置に回路パターン６ａ、６ｂが設けられている。３は
回路パターン６ａ、６ｂの間の導通が可能となるよう内
周面に薄膜導体を形成したバイアホールであり、回路パ
ターン６ａ、６ｂはバイアホール３を介して立体的に相
互接続され、薄膜回路基板７が全体として１つの回路を
形成している。

【０００５】図２０は図１９に示したものの斜視図であ
る。まず、基板１にバイアホール３のための貫通孔を設
け、次に、基板１の表面及び裏面に対し、それぞれ蒸着
またはスパッタリングを行い、基板１の表面及び裏面に
薄膜導体を設けると共に、貫通孔の内周側面にも薄膜導
体を設け、バイアホール３を形成する。その後、基板１
の表面及び裏面に形成した薄膜導体に対し、それぞれレ
ジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を
行い、回路パターン６ａ、６ｂを形成する。これによ
り、バイアホール３による回路パターン６ａ、６ｂの相
互接続が可能になり、１つの回路を構成する薄膜回路基
板７が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のような薄膜回路
基板７のバイアホール３においては、基板１の両面に対
して蒸着またはスパッタリングを行い薄膜導体を形成す
ると同時に、貫通孔の内周側面にも薄膜材料を被着さ
せ、薄膜導体を形成している。しかしながら、上記のよ
うな貫通孔の内周側面への成膜方法では、貫通孔が基板
面に対して垂直に設けられ、蒸着またはスパッタリング
も基板面に対して垂直に行う。このため、蒸着またはス
パッタリングにおいて、薄膜材料は貫通孔の内周側面に
対して並行に進行するため、基板上面側からの蒸着また
はスパッタリングでは薄膜材料は貫通孔の内周側面の上
部には被着するが下部になるに従い被着量が減少し形成
される薄膜導体が薄くなる。また、基板下面側からの蒸
着またはスパッタリングでは薄膜材料は貫通孔の内周側
面の下部には被着するが上部になるに従い被着量が減少
し形成される薄膜導体が薄くなる。このため、基板両面
に対して蒸着またはスパッタリングを行った場合でも貫
通孔の内周側面の中央部付近には薄膜材料が被着しにく
く、形成される薄膜導体が薄くなり、回路パターン６
ａ、６ｂの相互間のインピーダンスが高くなるという問
題がある。

【０００７】また、基板が厚くなると、蒸着またはスパ
ッタリングにおいて、薄膜材料は貫通孔の内周側面に対
して並行に進行するため、基板上面側からの蒸着または
スパッタリングでは薄膜材料は貫通孔の内周側面の上部
にしか被着せず下部には到達しない。また、基板下面側
からの蒸着またはスパッタリングでは薄膜材料は貫通孔
の内周側面の下部にしか被着せず上部には到達しない。
このため、貫通孔の内周側面の中央部には薄膜が形成さ
れず、回路パターン６ａ、６ｂが互いに接続されないと
いう問題がある。

【０００８】この発明は上記のような問題を解決するた
めになされたもので、接続信頼性の高いバイアホールを
有する薄膜回路基板を得ることを目的とするものであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明による薄膜回
路基板の製造方法は、第１に、セラミック等の基板のバ
イアホールを必要とする位置に、基板の一方面から他方
の面に貫通するテーパー状の貫通孔を形成し、第２、に
上記基板の貫通孔径が小さい面の開口部をテーパー状に
面取りし、第３に、上記基板の両面に蒸着またはスパッ
タリングを行い、薄膜導体を形成すると共に、上記貫通
孔の内周側面に薄膜導体を設けてバイアホールを形成
し、第４に、上記基板両面の薄膜導体を写真製版技術を
用いて処理し、上記バイアホールを介して相互に接続す
る回路パターンを形成するものである。

【００１０】また、第２の発明による薄膜回路基板の製
造方法は、第１に、セラミック等の基板のバイアホール
を必要とする位置に、基板の一方面から他方の面に貫通
するテーパー状の貫通孔を基板面に対して斜め方向に形
成し、第２に、上記基板の両面に、基板面に対して垂直
方向に蒸着またはスパッタリングを行い、薄膜導体を形
成すると共に、上記貫通孔の内周側面に薄膜導体を設け
てバイアホールを形成し、第３に、上記基板両面の薄膜
導体を写真製版技術を用いて処理し、上記バイアホール
を介して相互に接続する回路パターンを形成するもので
ある。

【００１１】また、第３の発明による薄膜回路基板の製
造方法は、第１に、セラミック等の基板のバイアホール
を必要とする位置に、基板の一方面から他方の面に貫通
するテーパー状の貫通孔を基板面に対して垂直方向に形
成し、第２に、上記基板の両面に、基板面に対して斜め
方向に蒸着またはスパッタリングを行い、薄膜導体を形
成すると共に、上記貫通孔の内周側面に薄膜導体を設け
てバイアホールを形成し、第３に、上記基板両面の薄膜
導体を写真製版技術を用いて処理し、上記バイアホール
を介して相互に接続する回路パターンを形成するもので
ある。

【００１２】また、第４の発明による薄膜回路基板の製
造方法は、第１に、セラミック等の基板のバイアホール
を必要とする位置に、基板の一方面から他方の面に貫通
するテーパー状の貫通孔を基板面に対して垂直方向に形
成し、第２に、上記貫通孔にインジウム等の延性の高い
金属を埋め込みバイアホールを形成し、第３に、上記基
板の両面に蒸着またはスパッタリングを行い、薄膜導体
を形成し、第４に、上記基板両面の薄膜導体を写真製版
技術を用いて処理し、上記バイアホールを介して相互に
接続する回路パターンを形成するものである。

【００１３】また、第５の発明による薄膜回路基板の製
造方法は、第１に、セラミック等の基板のバイアホール
を必要とする位置に、基板の一方面から他方の面に貫通
するテーパー状の貫通孔を基板面に対して垂直方向に形
成し、第２に、上記基板の両面に蒸着またはスパッタリ
ングを行い、薄膜導体を形成し、第３に、上記貫通孔に
はんだペーストを充填し、第４に、上記基板を加熱し
て、上記はんだペーストを溶融させることにより上記貫
通孔内部をはんだで埋めたバイアホールを形成し、第５
に、上記基板両面の薄膜導体を写真製版技術を用いて処
理し、上記バイアホールを介して相互に接続する回路パ
ターンを形成するものである。

【００１４】また、第６の発明による薄膜回路基板の製
造方法は、第１に、セラミック等の基板のバイアホール
を必要とする位置に、基板の一方面から他方の面に貫通
するテーパー状の貫通孔を基板面に対して垂直方向に形
成し、第２に、上記貫通孔に金等の厚膜導体ペーストを
充填し、第３に、上記基板を焼成し、上記厚膜導体ペー
ストを焼結させることにより上記貫通孔内部を厚膜導体
で埋めたバイアホールを形成し、第４に、上記基板の両
面に蒸着またはスパッタリングを行い、薄膜導体を形成
し、第５に、上記基板両面の薄膜導体を写真製版技術を
用いて処理し、上記バイアホールを介して相互に接続す
る回路パターンを形成するものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１、図２及び図
３はこの発明の実施の形態１を示す断面図である。図に
おいて１はセラミック等の基板であり、まず、図１のよ
うに、基板１の一方の面から他方の面に貫通するテーパ
ー状の貫通孔２を設けると共に、さらに、このテーパー
状の貫通孔の径の小さい面の開口部を面取りしてテーパ
ーを設ける。次に図２のように、基板１の両面に対し、
それぞれ蒸着またはスパッタリングを行うことにより、
薄膜材料５を基板１に被着させ、薄膜導体４ａ、４ｂを
設けると共に、貫通孔２の内周側面にも薄膜導体を設
け、バイアホール３を形成する。その後、薄膜導体４
ａ、４ｂに対し、レジスト塗布、露光、現像、エッチン
グ、レジスト剥離を行い、図３のように、回路パターン
６ａ、６ｂを形成し、回路パターン６ａ、６ｂがバイア
ホール３を介して相互に接続された１つの回路を構成す
る薄膜回路基板７を形成する。以上のような薄膜回路基
板の製造方法においては、バイアホールのための貫通孔
が基板の表面側及び裏面側ともに、テーパー状になって
おり、蒸着またはスパッタリングにおいて、貫通孔の内
周側面が薄膜材料の進行方向に対して垂直に近くなって
いるため、成膜時に貫通孔の内周側面の中央部付近でも
薄膜材料の被着量が減少せず、貫通孔の内周側面全体に
薄膜材料を被着させることができる。また、基板が厚い
場合においても、成膜時に貫通孔の内周側面の中央部付
近でも薄膜材料が充分に到達し、貫通孔の内周側面全体
に薄膜材料を被着させることができる。これにより、接
続信頼性の高いバイアホールを有する薄膜回路基板を得
ることができる。

【００１６】実施の形態２．図４、図５及び図６はこの
発明の実施の形態２を示す断面図である。図において、
１はセラミック等の基板であり、まず、図４のように、
基板１の一方の面から他方の面に貫通し、基板面に対し
て斜め方向の貫通孔２を設ける。次に図５のように、基
板１の両面に対し、それぞれ蒸着またはスパッタリング
を行うことにより、薄膜材料５を基板１に被着させ、薄
膜導体４ａ、４ｂを設けると共に、貫通孔２の内周側面
にも薄膜導体を設け、バイアホール３を形成する。その
後、薄膜導体４ａ、４ｂに対し、レジスト塗布、露光、
現像、エッチング、レジスト剥離を行い、図６のよう
に、回路パターン６ａ、６ｂを形成し、回路パターン６
ａ、６ｂがバイアホール３を介して相互に接続された１
つの回路を構成する薄膜回路基板７を形成する。以上の
ような薄膜回路基板の製造方法においては、バイアホー
ルのための貫通孔が基板面に対して斜め方向になってお
り、蒸着またはスパッタリングにおいて、貫通孔の内周
側面が薄膜材料の進行方向に対して垂直に近くなってい
るため、成膜時に貫通孔の内周側面の中央部付近でも薄
膜材料の被着量が減少せず、貫通孔の内周側面全体に薄
膜材料を被着させることができる。また、基板が厚い場
合においても、成膜時に貫通孔の内周側面の中央部付近
でも薄膜材料が充分に到達し、貫通孔の内周側面全体に
薄膜材料を被着させることができる。これにより、接続
信頼性の高いバイアホールを有する薄膜回路基板を得る
ことができる。

【００１７】実施の形態３．図７、図８及び図９はこの
発明の実施の形態３を示す断面図である。図において、
１はセラミック等の基板であり、まず、図７のように、
基板１の一方の面から他方の面に貫通し、基板面に対し
て垂直方向の貫通孔２を設ける。次に図８のように、基
板１の表面及び裏面に対し、それぞれ斜め方向に蒸着ま
たはスパッタリングを行うことにより、薄膜材料５を基
板１に被着させ、薄膜導体４ａ、４ｂを設けると共に、
貫通孔２の内周側面にも薄膜導体を設け、バイアホール
３を形成する。その後、薄膜導体４ａ、４ｂに対し、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を
行い、図９のように、回路パターン６ａ、６ｂを形成
し、回路パターン６ａ、６ｂがバイアホール３を介して
相互に接続された１つの回路を構成する薄膜回路基板７
を形成する。以上のような薄膜回路基板の製造方法にお
いては、蒸着またはスパッタリングを基板面に対して斜
め方向に行うので、蒸着またはスパッタリングにおい
て、貫通孔の内周側面が薄膜材料の進行方向に対して垂
直に近くなり、成膜時に貫通孔の内周側面の中央部付近
でも薄膜材料の被着量が減少せず、貫通孔の内周側面全
体に薄膜材料を被着させることができる。また、基板が
厚い場合においても、成膜時に貫通孔の内周側面の中央
部付近でも薄膜材料が充分に到達し、貫通孔の内周側面
全体に薄膜材料を被着させることができる。これによ
り、接続信頼性の高いバイアホールを有する薄膜回路基
板を得ることができる。

【００１８】実施の形態４．図１０、図１１及び図１２
はこの発明の実施の形態４を示す断面図である。図にお
いて、１はセラミック等の基板であり、まず、図１０の
ように、基板１の一方の面から他方の面に貫通し、基板
面に対して垂直方向の貫通孔を設け、インジウム等の延
性の高い金属を打ち込み、貫通孔を埋めてバイアホール
３を形成する。次に図１１のように基板１の両面に対
し、それぞれ蒸着またはスパッタリングを行うことによ
り、薄膜材料５を基板１に被着させ、薄膜導体４ａ、４
ｂを設ける。その後、薄膜導体４ａ、４ｂに対し、レジ
スト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行
い、図１２のように、回路パターン６ａ、６ｂを形成
し、回路パターン６ａ、６ｂがバイアホール３を介して
相互に接続された１つの回路を構成する薄膜回路基板７
を形成する。以上のような薄膜回路基板の製造方法にお
いては、バイアホールのための貫通孔にインジウム等の
延性の高い金属を打ち込むことにより、貫通孔内部を金
属で埋めたバイアホールを形成しているので、基板の厚
さに関わらず、接続信頼性の高いバイアホールを有する
薄膜回路基板を得ることができる。

【００１９】実施の形態５．図１３、図１４及び図１５
はこの発明の実施の形態５を示す断面図である。図にお
いて、１はセラミック等の基板であり、まず、図１３の
ように、基板１の一方の面から他方の面に貫通し、基板
面に対して垂直方向の貫通孔２を設け、次に図１４のよ
うに、基板１の両面に対し、それぞれ蒸着またはスパッ
タリングを行うことにより、薄膜材料５を基板１に被着
させ、薄膜導体４ａ、４ｂを設ける。その後、薄膜導体
４ａ、４ｂに対し、レジスト塗布、露光、現像、エッチ
ング、レジスト剥離を行い、回路パターン６ａ、６ｂを
形成し、更に、その後、図１５のように、貫通孔２に、
はんだ印刷等により、はんだペーストを充填し、基板１
を加熱し、はんだペーストを溶融させることにより貫通
孔内部をはんだで埋めてバイアホール３を形成し、回路
パターン６ａ、６ｂがバイアホール３を介して相互に接
続された１つの回路を構成する薄膜回路基板７を形成す
る。以上のような薄膜回路基板の製造方法においては、
バイアホールのための貫通孔に、はんだペーストを充填
した後、基板を加熱することにより、はんだペーストを
溶融させ、貫通孔内部をはんだで埋めたバイアホールを
形成しているので、基板の厚さに関わらず、接続信頼性
の高いバイアホールを有する薄膜回路基板を得ることが
できる。

【００２０】実施の形態６．図１６、図１７及び図１８
はこの発明の実施の形態２を示す断面図である。図にお
いて、１はセラミック等の基板であり、まず、図１６の
ように、基板１の一方の面から他方の面に貫通し、基板
面に対して垂直方向の貫通孔を設け、スクリーン印刷等
により、厚膜材料として用いられる金等の厚膜導体ペー
ストを充填した後、基板１を焼成し、厚膜導体ペースト
を焼結させることにより、貫通孔を埋めてバイアホール
３を形成する。次に図１７のように基板１の両面に対
し、それぞれ蒸着またはスパッタリングを行うことによ
り、薄膜材料５を基板１に被着させ、薄膜導体４ａ、４
ｂを設ける。その後、薄膜導体４ａ、４ｂに対し、レジ
スト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行
い、図１８のように、回路パターン６ａ、６ｂを形成
し、回路パターン６ａ、６ｂがバイアホール３を介して
相互に接続された１つの回路を構成する薄膜回路基板７
を形成する。以上のような薄膜回路基板の製造方法にお
いては、バイアホールのための貫通孔に厚膜材料として
用いられる厚膜導体を充填した後、基板を焼成すること
により、厚膜導体ペーストを焼結させ、貫通孔内部を厚
膜導体で埋めたバイアホールを形成しているので、基板
の厚さに関わらず、接続信頼性の高いバイアホールを有
する薄膜回路基板を得ることができる。

【００２１】

【発明の効果】第１の発明によれば、バイアホールのた
めの貫通孔が基板の表面側及び裏面側ともにテーパー状
になっており。蒸着またはスパッタリングにおいて、貫
通孔の内周側面が薄膜材料の進行方向に対して垂直に近
くなているため、成膜時に貫通孔の内周側面の中央部付
近でも、薄膜材料が到達し、貫通孔の内周側面全体に薄
膜材料が被着し、接続信頼性の高いバイアホールを有す
る薄膜回路基板を実現することができる。

【００２２】また、第２の発明によれば、バイアホール
のための貫通孔が基板面に対して斜め方向になってお
り、蒸着またはスパッタリングにおいて、貫通孔の内周
側面が薄膜材料の進行方向に対して垂直に近くなってい
るため、成膜時に貫通孔の内周側面の中央部付近でも、
薄膜材料が到達し、貫通孔の内周側面全体に薄膜材料が
被着し、接続信頼性の高いバイアホールを有する薄膜回
路基板を実現することができる。

【００２３】また、第３の発明によれば、成膜のための
蒸着またはスパッタリングを基板面に対して斜め方向に
行うので、貫通孔の内周側面が薄膜材料の進行方向に対
して垂直に近くなり、貫通孔の内周側面の中央部付近で
も、薄膜材料が到達し、貫通孔の内周側面全体に薄膜材
料が被着し、接続信頼性の高いバイアホールを有する薄
膜回路基板を実現することができる。

【００２４】また、第４の発明によれば、バイアホール
のための貫通孔にインジウム等の延性の高い金属を打ち
込むことにより、貫通孔内部を金属で埋めたバイアホー
ルを形成しているので、接続信頼性の高いバイアホール
を有する薄膜回路基板を実現することができる。

【００２５】また、第５の発明によれば、バイアホール
のための貫通孔にはんだペーストを充填した後、基板を
加熱することにより、はんだペーストを溶融させ、貫通
孔内部をはんだで埋めたバイアホールを形成しているの
で、接続信頼性の高いバイアホールを有する薄膜回路基
板を実現することができる。

【００２６】また、第６の発明によれば、バイアホール
のための貫通孔に厚膜材料として用いられる厚膜導体ペ
ーストを充填した後、基板を焼成することにより、厚膜
導体ペーストを焼結させ、貫通孔内部を厚膜導体で埋め
たバイアホールを形成しているので、接続信頼性の高い
バイアホールを有する薄膜回路基板を実現することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態１を示す断面図である。

【図２】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態１を示す断面図である。

【図３】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態１を示す断面図である。

【図４】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態２を示す断面図である。

【図５】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態２を示す断面図である。

【図６】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態２を示す断面図である。

【図７】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態３を示す断面図である。

【図８】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態３を示す断面図である。

【図９】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の実
施の形態３を示す断面図である。

【図１０】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態４を示す断面図である。

【図１１】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態４を示す断面図である。

【図１２】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態４を示す断面図である。

【図１３】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態５を示す断面図である。

【図１４】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態５を示す断面図である。

【図１５】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態５を示す断面図である。

【図１６】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態６を示す断面図である。

【図１７】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態６を示す断面図である。

【図１８】 この発明による薄膜回路基板の製造方法の
実施の形態６を示す断面図である。

【図１９】 従来の薄膜回路基板の構造を示す断面図で
ある。

【図２０】 従来の薄膜回路基板の構造を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

１ 基板、２ 貫通孔、３ バイアホール、４ 薄膜導
体、５ 薄膜材料、６回路パターン、７ 薄膜回路基
板。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック等の基板の一方面から他方面
   に向かって貫通するテーパー状の貫通孔を形成する第１
   の工程と、上記基板の貫通孔径が小さい面の開口部をテ
   ーパー状に面取りする第２の工程と、上記第２の工程
   後、上記基板の両面に蒸着またはスパッタリングを行い
   薄膜導体を形成すると共に、上記貫通孔の内周側面に薄
   膜導体を設けてバイアホールを形成する第３の工程と、
   上記基板両面の薄膜導体を処理して、上記バイアホール
   を介して相互に接続する回路パターンを形成する第４の
   工程とを有する薄膜回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】 セラミック等の基板の一方面から他方面
   に向かって貫通する貫通孔を基板面に対して斜め方向に
   形成する第１の工程と、上記第１の工程後、上記基板の
   両面に、基板面に対して垂直方向に蒸着またはスパッタ
   リングを行い薄膜導体を形成すると共に、上記貫通孔の
   内周側面に薄膜導体を設けてバイアホールを形成する第
   ２の工程と、上記基板両面の薄膜導体を処理して、上記
   バイアホールを介して相互に接続する回路パターンを形
   成する第３の工程とを有する薄膜回路基板の製造方法。
3. 【請求項３】 セラミック等の基板の一方面から他方面
   に向かって貫通する貫通孔を基板面に対して垂直方向に
   形成する第１の工程と、上記第１の工程後、上記基板の
   両面に、基板面に対して斜め方向に蒸着またはスパッタ
   リングを行い薄膜導体を形成すると共に、上記貫通孔の
   内周側面に薄膜導体を設けてバイアホールを形成する第
   ２の工程と、上記基板両面の薄膜導体を処理して、上記
   バイアホールを介して相互に接続する回路パターンを形
   成する第３の工程とを有する薄膜回路基板の製造方法。
4. 【請求項４】 セラミック等の基板の一方面から他方面
   に向かって貫通する貫通孔を基板面に対して垂直方向に
   形成する第１の工程と、上記第１の工程後、上記貫通孔
   にインジウム等の延性の高い金属を埋め込みバイアホー
   ルを形成する第２の工程と、上記基板の両面に蒸着また
   はスパッタリングを行い薄膜導体を形成する第３の工程
   と、上記基板両面の薄膜導体を処理して、上記バイアホ
   ールを介して相互に接続する回路パターンを形成する第
   ４の工程とを有する薄膜回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 セラミック等の基板の一方面から他方面
   に向かって貫通する貫通孔を基板面に対して垂直方向に
   形成する第１の工程と、上記基板の両面に蒸着またはス
   パッタリングを行い薄膜導体を形成する第２の工程と、
   上記第２の工程後、上記貫通孔にはんだペーストを充填
   する第３の工程と、第３の工程後、上記基板を加熱し、
   上記はんだペーストを溶融させることにより上記貫通孔
   内部をはんだで埋めたバイアホールを形成する第４の工
   程と、上記基板両面の薄膜導体を処理して、上記バイア
   ホールを介して相互に接続する回路パターンを形成する
   第５の工程とを有する薄膜回路基板の製造方法。
6. 【請求項６】 セラミック等の基板の一方面から他方面
   に向かって貫通する貫通孔を基板面に対して垂直方向に
   形成する第１の工程と、上記第１の工程後、上記貫通孔
   に金等の厚膜導体ペーストを充填する第２の工程と、第
   ２の工程後、上記基板を焼成し、上記厚膜導体ペースト
   を焼結させることにより上記貫通孔内部を厚膜導体で埋
   めたバイアホールを形成する第３の工程と、上記基板の
   両面に蒸着またはスパッタリングを行い薄膜導体を形成
   する第４の工程と、上記基板両面の薄膜導体を処理し
   て、上記バイアホールを介して相互に接続する回路パタ
   ーンを形成する第５の工程とを有する薄膜回路基板の製
   造方法。