JPH11189870A - スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法 - Google Patents

スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法

Info

Publication number
JPH11189870A
JPH11189870A JP36625797A JP36625797A JPH11189870A JP H11189870 A JPH11189870 A JP H11189870A JP 36625797 A JP36625797 A JP 36625797A JP 36625797 A JP36625797 A JP 36625797A JP H11189870 A JPH11189870 A JP H11189870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
sputtering
cooling
copper
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP36625797A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Saida
淳治 才田
Masato Araiyama
政人 新井山
Yasushi Shirai
安 白井
Yasusuke Tanaka
庸介 田中
Eiki Takeshima
鋭機 竹島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Nisshin Co Ltd
Original Assignee
Nisshin Steel Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nisshin Steel Co Ltd filed Critical Nisshin Steel Co Ltd
Priority to JP36625797A priority Critical patent/JPH11189870A/ja
Publication of JPH11189870A publication Critical patent/JPH11189870A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価でかつ容易な方法でスパッタリングター
ゲット冷却効果を向上させたスパッタリング用ターゲッ
トおよびその冷却方法を得る。 【解決手段】 スパッタリングターゲット材と冷却用バ
ッキングプレートの間に銅、アルミニウムまたはそれら
の合金を挟むことにより、ターゲットの熱冷却を効率的
にする。またこの効果は、銅、アルミニウムまたはそれ
らの合金がエンボス加工を施されたもので有る場合によ
り顕著である。また、ターゲットの単位面積あたりのス
パッタリング出力が10W/cm2以上の高出力スパッ
タリングの場合にも特に有効である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、工業的に用いられるス
パッタリング法において、安価でかつ容易な手段でター
ゲットを有効に冷却することができるスパッタリング用
ターゲットおよびその冷却方法に関する。
【0002】
【従来技術】スパッタリング法においては、ターゲット
材には冷却効率を上げるため、スパッタリング面と反対
側の面に熱伝導性に優れた銅といった金属をインジウム
等の低温ろう接材を用いてボンディングしている。スパ
ッタリング処理中に必要不可欠なターゲット冷却は、こ
の銅製ボンディング材の面を冷却水で冷却されているバ
ッキングプレートを固定するか、またはこの面をOリン
グ等を介して真空または減圧中で直接水冷する方法が用
いられている。前記の場合には、ターゲット交換時に、
冷却水を抜くといった作業は不用になる代わりに、ター
ゲットにボンディングされた銅板とバッキングプレート
の間に、表面凹凸、寸法歪み、不十分な表面平滑性とい
った要因により冷却の不均一が発生する結果、ターゲッ
ト材の再結晶による組織変化、ターゲット材の熱歪みに
よる変形(そり)、スパッタリング効率の低下、ターゲ
ット溶融といった種々の悪影響をもたらすことが問題と
なる。これに対し後者では、冷却効率は優れているもの
の、ターゲット材の交換時には、毎回ターゲット背面の
冷却水を抜くといった作業を行わねばならず、製造能率
の低下をもたらしていた。
【0003】さらに、上記の銅製冷却部をボンディング
したターゲットは何もボンディングしていないターゲッ
トに比べて、材料費および加工費が極めて高くなる。こ
れに対し、ターゲット費を安価にするためには、銅製冷
却板をボンディングしていないターゲット材を用い、こ
れを冷却された銅製バッキングプレートに直接固定する
ことが一般的である。
【0004】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、そのような
ターゲットを用いた場合には、製造性を向上させるため
に高出力でスパッタリングすると、ターゲット表面の凹
凸やターゲット材の寸法歪み、不十分な表面平滑性等に
よる冷却の不均一が発生し、局所的にターゲット温度が
異常に上昇する。そのため、上記にも示したターゲット
材の再結晶による組織変化、ターゲット材の熱歪みによ
る変形(そり)、スパッタリング効率の低下、ターゲッ
ト溶融といった種々の悪影響をもたらすことが問題とな
っており、低出力でのスパッタリングを行う等の対応を
取らざるを得ない状況になっている。
【0005】
【問題点を解決するための手段】本発明は、上記のよう
な問題点を解決すべく案出されたものであり、銅製冷却
板のボンディングの有無に関わらず、請求項1あるいは
2に示すように、銅、アルミニウムまたはそれらの合金
をターゲット材とバッキングプレートの間に挟んで固定
することにより、冷却能率を向上させることができるこ
とを見いだした。このような効果は、ターゲットの単位
面積あたりのスパッタリング出力が10W/cm2以上
で特に顕著に認められる。この発明の結果、例えばター
ゲット材に銅製冷却板をボンディングしていないものを
使用する場合、ターゲットコストを飛躍的に低減させる
ことができる他、ターゲット交換時の作業能率を向上さ
せることができる。加えて、使用済みターゲットの廃却
とリサイクルも容易になり、環境問題の観点からも極め
て有用である。
【0006】
【作用】本発明にある銅、アルミニウムおよびそれらの
合金は、薄い板状、または箔状で効果を発揮する。本発
明は、このような高い熱伝導性を有し、かつ安価な金
属、合金の板、箔を挟んで固定することによってターゲ
ットとバッキングプレートの熱伝導を容易にする効果を
生み出すが、さらにこのような金属、合金の内、銅やア
ルミニウムの純金属は特に、その硬度が低く、容易に変
形するためにねじ止めあるいはボルト止めといったこと
により、ターゲットとバッキングプレートの間を隙間無
く埋めて、熱伝達の不均一性を極めて低減させることが
可能である。上記の目的から、より冷却効果を高めるた
めには、焼き鈍し等によって軟化させた材料を用いるこ
とが有効である。また請求項2に記載するように、これ
らの材料にエンボス加工をして、よりターゲットの密着
効果を上げることによって、作用を向上させることがで
きる。
【0007】このような銅、アルミニウムまたはそれら
の合金材は特にその形状を限定するものではないが、冷
却効率を向上させるためにはターゲット面積の70%以
上の面積を有することが望ましい。またその厚みは、タ
ーゲットの固定方法や固定時の締めつけ寸法にも左右さ
れるが、厚さ0.05mm〜0.5mm程度の範囲であ
れば、ターゲット固定に悪影響を与えることなく、十分
な冷却効果を発揮できる。またこの冷却効果は、ターゲ
ットの単位面積あたりのスパッタリング出力が10W/
cm2以上の高出力スパッタリングで特に顕著に認めら
れる。この値よりも低い場合には、条件や被覆物質等に
よってターゲットの温度上昇がそれほど起こらない場合
もあるので、本発明の効果が顕著に現れないおそれもあ
るが、長時間のスパッタリング時間を有するあるいは被
覆物質(ターゲット)の熱伝導性が悪いといった場合に
は明確な効果を発揮する。いずれにしても、ターゲット
冷却能は高いほど良いので、本発明は極めて有益である
とみなすことができる。
【0008】
【発明の実施の形態】本方法による被覆対象は、板、粉
末等特に制限されない。またスパッタリングによる粒子
(粉末)への被覆方法としては、例えば発明者らが既に
出願した特開平2−153068号公報によれば可能で
ある。詳しくは、回転するバレルに所定の粉末を入れ、
攪拌しながらスパッタされた粒子を当てればコーティン
グできる。また酸化物、窒化物あるいは炭化物等を被覆
する目的で、反応性スパッタリング法を用いた場合にも
本発明は有効である。また、本発明による銅、アルミニ
ウムまたはそれらの合金はスパッタリング後も繰り返し
利用(再利用)が可能である。このような方法は、冷却
方法も安価でかつ容易であり、その効果は、ターゲット
費の低減だけにとどまらず、製造プロセスの効率化、装
置メンテナンスの向上、製品品質の向上、使用済みター
ゲットのリサイクル性の向上等、工業的に極めて大きい
ものがある。
【0009】
【実施例】実施例1 種々の条件でスパッタリング法による被覆を行い、この
時ターゲットあたりの累積スパッタリング電力量が5k
Whになった時点で、ターゲットの変質状況を評価し
た。なおターゲット寸法は、長さ150×幅60×厚さ
10mmである。この時、請求項1または2記載の金属
および合金ターゲットとバッキングプレートの間に挟ん
だ場合とそうでない場合を比較した。その結果を表1に
まとめている。なおターゲットの変質評価は、ターゲッ
トが加熱され再結晶による粒の粗大化をしているかどう
かとターゲットの熱変形の2点で評価した。評価基準は
再結晶または熱変形が認められた場合を×、認められな
い場合を○とした。また裏面(冷却面)のみに再結晶に
よる粒の粗大化が認められた場合も冷却不良として×と
した。さらに○の評価の内、累積電力量が10kWhの
場合でも再結晶あるいは変形が確認されなかったものを
◎とした。また表中のターゲット入熱とは請求項3にあ
るターゲット単位面積あたりのスパッタリング電力であ
る。これらの結果から本請求範囲にある材料をターゲッ
トとバッキングプレートの間に挟むとターゲット冷却が
促進され、変質等が起こりにくくなっていることがわか
る。またターゲットにエンボス加工した場合の方が冷却
効果が優れていることがわかる。
【0010】実施例2 ターゲット材質をTi、Al、Agの3種についてター
ゲット面積と同じ面積の厚さ0.2mmのAl箔(エン
ボス加工あり)をバッキングプレートとの間に挟み、実
施例1と同じく、5kWhの累積スパッタリング電力量
になるまでスパッタリングを行ない、ターゲット変質を
調べた。この時、ターゲット単位面積あたりの電力(タ
ーゲット入熱)を変化させた。その結果を図1に示す。
なお評価は実施例1と同じである。これらの結果から本
請求範囲の方法によればターゲット単位面積あたりの電
力(ターゲット入熱)が10W/cm2以上で特に顕著
な冷却効果が認められる。
【0011】
【発明の効果】以上のように、本発明は安価にかつ容易
に有効なターゲット冷却を行うことができ、またそれに
よって、ターゲットコストの減少、作業効率の向上、製
造装置の保守管理の簡便化、製品品質の向上、使用済み
ターゲットのリサイクル性向上といった多くの利点を有
し、工業的な寄与は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例2の結果をまとめたものである。
【表1】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 庸介 千葉県市川市高谷新町7番地の1 日新製 鋼株式会社技術研究所内 (72)発明者 竹島 鋭機 千葉県市川市高谷新町7番地の1 日新製 鋼株式会社技術研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スパッタリングターゲット材と冷却用バ
    ッキングプレートの間に銅、アルミニウムまたはそれら
    の合金を挟んで構成したことを特徴とするスパッタリン
    グ用ターゲット。
  2. 【請求項2】 銅、アルミニウムまたはそれらの合金材
    がエンボス加工を施されていることを特徴とする請求項
    1記載のスパッタリング用ターゲット。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載のスパッタリン
    グ用ターゲットを用い、ターゲットの単位面積あたりの
    スパッタリング出力を10W/cm2以上とすることを
    特徴とするスパッタリング用ターゲットの冷却方法。
JP36625797A 1997-12-25 1997-12-25 スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法 Pending JPH11189870A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36625797A JPH11189870A (ja) 1997-12-25 1997-12-25 スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36625797A JPH11189870A (ja) 1997-12-25 1997-12-25 スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11189870A true JPH11189870A (ja) 1999-07-13

Family

ID=18486326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36625797A Pending JPH11189870A (ja) 1997-12-25 1997-12-25 スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11189870A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007074872A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-05 Advanced Material Technology Co. Ltd. スパッタリングターゲット構造体
WO2008001547A1 (en) 2006-06-29 2008-01-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Sputtering target/backing plate conjunction element
WO2012057106A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体及びその製造方法
KR101266200B1 (ko) * 2010-07-13 2013-05-21 플란제 에스이 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟
WO2014007151A1 (ja) 2012-07-04 2014-01-09 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101360843B (zh) 2005-12-28 2013-03-06 普兰西欧洲公司 溅射靶结构体
US8597478B2 (en) 2005-12-28 2013-12-03 Plansee Se Method for manufacturing a sputtering target structure
KR101335158B1 (ko) * 2005-12-28 2013-12-02 플란제 에스이 스퍼터링 타겟 구조체
WO2007074872A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-05 Advanced Material Technology Co. Ltd. スパッタリングターゲット構造体
JP5242169B2 (ja) * 2005-12-28 2013-07-24 株式会社エー・エム・テクノロジー スパッタリングターゲット構造体の製造方法
US8157973B2 (en) * 2006-06-29 2012-04-17 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target/backing plate bonded body
JP4879986B2 (ja) * 2006-06-29 2012-02-22 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット/バッキングプレート接合体
WO2008001547A1 (en) 2006-06-29 2008-01-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Sputtering target/backing plate conjunction element
KR101266200B1 (ko) * 2010-07-13 2013-05-21 플란제 에스이 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟
WO2012057106A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体及びその製造方法
JP5694360B2 (ja) * 2010-10-27 2015-04-01 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法
US10006117B2 (en) 2010-10-27 2018-06-26 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target-backing plate assembly and method for producing same
WO2014007151A1 (ja) 2012-07-04 2014-01-09 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111229833B (zh) 一种多层-累积叠轧制备层状金属复合材料的方法
TWI404815B (zh) Sputtering target structure
CN1688740A (zh) 整体式溅射靶组件
CN113385534A (zh) 一种层状铝合金/铝基复合板材及其制备方法
CN107096987A (zh) 一种基于脉冲电流处理的金属棒材快速扩散焊接方法
CN102500909A (zh) 靶材与背板的焊接方法
CN116809680B (zh) 一种钛铝复合薄板材的制备方法
CN115026139A (zh) 一种轧制制备镍-镁复合板的方法
CN111989421A (zh) 溅射靶材及其制造方法
CN101745734B (zh) 一种大面积靶材与背板的快速焊接方法
CN110420999A (zh) 一种预冷轧扩散的钛/铝层状复合板制备方法
CN108421825A (zh) 利用电磁感应加热轧制工艺制备钢铝复合板的方法
CN115816930A (zh) 一种铝/钢复合板材及其制备方法和应用
CN113458528A (zh) 一种靶材组件及其焊接方法和用途
JPH11189870A (ja) スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法
CN114850216A (zh) 一种电控微爆炸成型制备双金属复合板的方法
CN106623424A (zh) 一种多层耐蚀轻质铝钛复合板的制备方法
CN113369728B (zh) 钛合金大型复杂结构构件的制造方法
JP2015183284A (ja) 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN1224494C (zh) 一种薄壁零件在激光熔覆、热喷涂及焊接加工中的局部高效冷却方法
US20050106056A1 (en) Manufacturing method for high yield rate of metal matrix composite sheet production
JPH08188872A (ja) スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法
WO2002039046A1 (en) Hollow laminate and heat sink using the same
CN103290372A (zh) 一种用于薄膜太阳能电池的铜铟镓旋转靶材制备方法
JPH11189869A (ja) スパッタリング用ターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040421

A02 Decision of refusal

Effective date: 20040813

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02