JPH1022765A - 弾性表面波共振子及び共振子型フィルタ - Google Patents
弾性表面波共振子及び共振子型フィルタInfo
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- JPH1022765A JPH1022765A JP17769196A JP17769196A JPH1022765A JP H1022765 A JPH1022765 A JP H1022765A JP 17769196 A JP17769196 A JP 17769196A JP 17769196 A JP17769196 A JP 17769196A JP H1022765 A JPH1022765 A JP H1022765A
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- Japan
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- acoustic wave
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電性基板上に形成した櫛形電極で構成される
ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性で、共振周波数と反
共振周波数との間で不要スプリアスが発生し、ＳＡＷ共
振子の特性劣化、および、ＳＡＷ共振子を組み合わせた
共振子型フィルタでは、通過帯域に影響を与え、損失劣
化を引き起こす。 【解決手段】圧電性基板上に形成したＳＡＷ共振子の櫛
形電極のうち非交差開口部に、二酸化シリコン，五酸化
タンタル、若しくは、窒化シリコンからなる誘電体膜を
形成する。櫛形電極の非交差開口部の音速をＶｆ、櫛形
電極の交差部の音速をＶｍとした場合、Ｖｆ＝Ｖｍとな
るように誘電体膜を形成する。
ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性で、共振周波数と反
共振周波数との間で不要スプリアスが発生し、ＳＡＷ共
振子の特性劣化、および、ＳＡＷ共振子を組み合わせた
共振子型フィルタでは、通過帯域に影響を与え、損失劣
化を引き起こす。 【解決手段】圧電性基板上に形成したＳＡＷ共振子の櫛
形電極のうち非交差開口部に、二酸化シリコン，五酸化
タンタル、若しくは、窒化シリコンからなる誘電体膜を
形成する。櫛形電極の非交差開口部の音速をＶｆ、櫛形
電極の交差部の音速をＶｍとした場合、Ｖｆ＝Ｖｍとな
るように誘電体膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不要スプリアスを
抑圧した弾性表面波共振子、又は、弾性表面波共振子を
複数個直列，並列に組み合わせた共振子型フィルタに関
する。
抑圧した弾性表面波共振子、又は、弾性表面波共振子を
複数個直列，並列に組み合わせた共振子型フィルタに関
する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波共振子（以下ＳＡＷ共振子と
略称）は、ＵＨＦ，ＶＨＦ帯での水晶振動子に比べ、基
本発振が可能で、小型化，高Ｑを実現できることから、
各種通信装置，家電製品に適用されている。
略称）は、ＵＨＦ，ＶＨＦ帯での水晶振動子に比べ、基
本発振が可能で、小型化，高Ｑを実現できることから、
各種通信装置，家電製品に適用されている。
【０００３】ＳＡＷ共振子の基本的な構成は大きく分け
ると、入出力用櫛形電極の両側に反射器を設けたキャビ
ティ型、反射器を設けないＩＤＴ型の二つがある。また
このＳＡＷ共振子の基板材料として、水晶基板が、温度
特性の点から数多く用いられている。また最近では、結
合係数が大きく、広帯域化に有利なＬｉＴａＯ3基板，
ＬｉＮｂＯ3基板を用いたＳＡＷ共振子が移動帯通信用
ＳＡＷフィルタに用いられている。
ると、入出力用櫛形電極の両側に反射器を設けたキャビ
ティ型、反射器を設けないＩＤＴ型の二つがある。また
このＳＡＷ共振子の基板材料として、水晶基板が、温度
特性の点から数多く用いられている。また最近では、結
合係数が大きく、広帯域化に有利なＬｉＴａＯ3基板，
ＬｉＮｂＯ3基板を用いたＳＡＷ共振子が移動帯通信用
ＳＡＷフィルタに用いられている。
【０００４】従来技術として、特開平３−１２５５１１
号公報がある。この技術は、櫛形電極指の先に対応する
バスバーに切り込みを入れ、対向する櫛形電極の交差幅
を長くしたものである。
号公報がある。この技術は、櫛形電極指の先に対応する
バスバーに切り込みを入れ、対向する櫛形電極の交差幅
を長くしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般にＳＡＷ共振子
は、図９に示すように、櫛形電極１５と櫛形電極１６の
交差している部分１７が表面波に変換される。尚、変換
効率向上のため、櫛形電極１５、櫛形電極１６の両側に
は、反射器１８が形成される。しかし、表面波は広がり
を見せるため、櫛形電極１５と櫛形電極１６の非交差開
口部１９の影響を受け、図１０に示すように、ＳＡＷ共
振子インピーダンス特性で、共振周波数と反共振周波数
との間で不要スプリアスの原因となる。従来技術は、櫛
形電極指の先に対応するバスバーに切り込みを入れ、対
向する櫛形電極の交差幅を長くすることで、空隙部（以
下非交差開口部と呼ぶ）が見かけ上なくなり、不要スプ
リアスを極力抑え、変換効率の高いＳＡＷ共振子を実現
したものである。
は、図９に示すように、櫛形電極１５と櫛形電極１６の
交差している部分１７が表面波に変換される。尚、変換
効率向上のため、櫛形電極１５、櫛形電極１６の両側に
は、反射器１８が形成される。しかし、表面波は広がり
を見せるため、櫛形電極１５と櫛形電極１６の非交差開
口部１９の影響を受け、図１０に示すように、ＳＡＷ共
振子インピーダンス特性で、共振周波数と反共振周波数
との間で不要スプリアスの原因となる。従来技術は、櫛
形電極指の先に対応するバスバーに切り込みを入れ、対
向する櫛形電極の交差幅を長くすることで、空隙部（以
下非交差開口部と呼ぶ）が見かけ上なくなり、不要スプ
リアスを極力抑え、変換効率の高いＳＡＷ共振子を実現
したものである。
【０００６】しかしＳＡＷ共振子は量産では、ワイヤー
ボンディングの際の信頼性、電極パターンの抵抗分を下
げるため、ボンディングパッド部，バスバー部を厚付け
したのちに、弾性表面波を励振するための櫛形電極を形
成しており、非交差開口部がある程度の距離を持たない
場合、櫛形電極先端部分がこん棒状に形成されるか、最
悪、バスバー部と櫛形電極部分とがショートしてしま
う。更に、表面波は広がりを見せるため非交差部の影響
を受け、櫛形電極の交差部分と非交差開口部の音速の差
から、ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性で、共振周波
数と反共振周波数との間で不要スプリアスが発生するこ
とは避けられないのが現状である。
ボンディングの際の信頼性、電極パターンの抵抗分を下
げるため、ボンディングパッド部，バスバー部を厚付け
したのちに、弾性表面波を励振するための櫛形電極を形
成しており、非交差開口部がある程度の距離を持たない
場合、櫛形電極先端部分がこん棒状に形成されるか、最
悪、バスバー部と櫛形電極部分とがショートしてしま
う。更に、表面波は広がりを見せるため非交差部の影響
を受け、櫛形電極の交差部分と非交差開口部の音速の差
から、ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性で、共振周波
数と反共振周波数との間で不要スプリアスが発生するこ
とは避けられないのが現状である。
【０００７】本発明の目的は、ＳＡＷ共振子の共振周波
数と反共振周波数との間で発生する不要スプリアスを抑
圧したＳＡＷ共振子および、ＳＡＷ共振子を組み合わせ
た共振子型フィルタを提供することにある。
数と反共振周波数との間で発生する不要スプリアスを抑
圧したＳＡＷ共振子および、ＳＡＷ共振子を組み合わせ
た共振子型フィルタを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、圧電性基板上に形成したＳＡＷ共振子の
櫛形電極のうち非交差開口部に、二酸化シリコン，五酸
化タンタル、若しくは、窒化シリコンからなる誘電体膜
を形成した構成により解決される。
に、本発明は、圧電性基板上に形成したＳＡＷ共振子の
櫛形電極のうち非交差開口部に、二酸化シリコン，五酸
化タンタル、若しくは、窒化シリコンからなる誘電体膜
を形成した構成により解決される。
【０００９】上記のような手段をとることにより、ＳＡ
Ｗ共振子のインピーダンス特性で発生する不要スプリア
スを抑圧できる。すなわち、ＳＡＷ共振子の櫛形電極の
非交差開口部に、誘電体膜を形成することで、非交差開
口部の表面波音速Ｖｆが遅くなり、交差部分の表面波音
速Ｖｍと等しくなるため、非交差開口部での不要スプリ
アスが交差部分で発生するメインスプリアスと一致す
る。このため、従来から問題であった非交差開口部での
不要スプリアスが抑圧されると同時に、ＳＡＷ共振子自
体の無負荷Ｑが向上し、良好な共振子インピーダンス特
性を得ることができる。
Ｗ共振子のインピーダンス特性で発生する不要スプリア
スを抑圧できる。すなわち、ＳＡＷ共振子の櫛形電極の
非交差開口部に、誘電体膜を形成することで、非交差開
口部の表面波音速Ｖｆが遅くなり、交差部分の表面波音
速Ｖｍと等しくなるため、非交差開口部での不要スプリ
アスが交差部分で発生するメインスプリアスと一致す
る。このため、従来から問題であった非交差開口部での
不要スプリアスが抑圧されると同時に、ＳＡＷ共振子自
体の無負荷Ｑが向上し、良好な共振子インピーダンス特
性を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例を図
１により説明する。
１により説明する。
【００１１】本発明の第１の実施例は、図１の１段のＳ
ＡＷ共振子の平面図である。６４度回転Ｙ軸切断Ｘ軸伝
搬のＬｉＮｂＯ3からなる圧電性基板１の上に、ワイヤ
リング用のボンディングパッド２、櫛形電極３を電気的
に接続するためのバスバー４からなっている。また、櫛
形電極３の両側には、反射器５が形成される。第１の実
施例は、櫛形電極３の対数が３００本であるが、図１で
は省略して模式的に図示している。また、このＳＡＷ共
振子の交差部の開口長は６０μｍ、櫛形電極３が交差し
ない非交差開口部が５μｍとなっている。更に櫛形電極
３が交差しない非交差開口部とバスバー４にまたがる形
で、誘電体膜として、二酸化シリコン膜６が形成されて
いる。二酸化シリコン膜６は、非交差開口部の表面波音
速Ｖｆと交差部分の表面波音速Ｖｍとが等しくなる様、
スパッタ法により膜厚７００ｎｍに形成されている。Ｓ
ＡＷ共振子の電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ合金を１００ｎｍ
厚でスパッタにより形成されている。また、ワイヤリン
グ用のボンディングパッド２、櫛形電極３を電気的に接
続するためのバスバー４は、ワイヤーボンディングの際
の信頼性、電極パターンの抵抗分を下げるため、純Ａｌ
により６００ｎｍで厚付けしている。図２は本発明の第
２の実施例であり、本発明の第１の実施例のＳＡＷ共振
子を、バスバー４を会して二つ直列に接続した、２段Ｓ
ＡＷ共振子の平面図である。更に、図３は本発明の第３
の実施例であり、本発明の第１の実施例のＳＡＷ共振子
を、バスバー４を会して並列に接続した２段ＳＡＷ共振
子の平面図である。第２，第３の実施例でも第１の実施
例と同様、非交差開口部とバスバー４にまたがる形で、
誘電体膜として、二酸化シリコン６が形成されている。
二酸化シリコン膜６は、非交差開口部の表面波音速Ｖｆ
と交差部分の表面波音速Ｖｍとが等しくなる様、スパッ
タ法により膜厚７００ｎｍに形成されている。図４は、
図１の第１の実施例のインピーダンス特性を示してお
り、共振周波数は９３０ＭＨｚ、反共振周波数９７０Ｍ
Ｈｚである。図１０の従来ＳＡＷ共振子で発生した、共
振子の共振周波数と反共振周波数との間で発生する不要
スプリアスが抑圧されているとともに、インピーダンス
特性が急峻、すなわち無負荷Ｑが向上していることがわ
かる。
ＡＷ共振子の平面図である。６４度回転Ｙ軸切断Ｘ軸伝
搬のＬｉＮｂＯ3からなる圧電性基板１の上に、ワイヤ
リング用のボンディングパッド２、櫛形電極３を電気的
に接続するためのバスバー４からなっている。また、櫛
形電極３の両側には、反射器５が形成される。第１の実
施例は、櫛形電極３の対数が３００本であるが、図１で
は省略して模式的に図示している。また、このＳＡＷ共
振子の交差部の開口長は６０μｍ、櫛形電極３が交差し
ない非交差開口部が５μｍとなっている。更に櫛形電極
３が交差しない非交差開口部とバスバー４にまたがる形
で、誘電体膜として、二酸化シリコン膜６が形成されて
いる。二酸化シリコン膜６は、非交差開口部の表面波音
速Ｖｆと交差部分の表面波音速Ｖｍとが等しくなる様、
スパッタ法により膜厚７００ｎｍに形成されている。Ｓ
ＡＷ共振子の電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ合金を１００ｎｍ
厚でスパッタにより形成されている。また、ワイヤリン
グ用のボンディングパッド２、櫛形電極３を電気的に接
続するためのバスバー４は、ワイヤーボンディングの際
の信頼性、電極パターンの抵抗分を下げるため、純Ａｌ
により６００ｎｍで厚付けしている。図２は本発明の第
２の実施例であり、本発明の第１の実施例のＳＡＷ共振
子を、バスバー４を会して二つ直列に接続した、２段Ｓ
ＡＷ共振子の平面図である。更に、図３は本発明の第３
の実施例であり、本発明の第１の実施例のＳＡＷ共振子
を、バスバー４を会して並列に接続した２段ＳＡＷ共振
子の平面図である。第２，第３の実施例でも第１の実施
例と同様、非交差開口部とバスバー４にまたがる形で、
誘電体膜として、二酸化シリコン６が形成されている。
二酸化シリコン膜６は、非交差開口部の表面波音速Ｖｆ
と交差部分の表面波音速Ｖｍとが等しくなる様、スパッ
タ法により膜厚７００ｎｍに形成されている。図４は、
図１の第１の実施例のインピーダンス特性を示してお
り、共振周波数は９３０ＭＨｚ、反共振周波数９７０Ｍ
Ｈｚである。図１０の従来ＳＡＷ共振子で発生した、共
振子の共振周波数と反共振周波数との間で発生する不要
スプリアスが抑圧されているとともに、インピーダンス
特性が急峻、すなわち無負荷Ｑが向上していることがわ
かる。
【００１２】図５は本発明の第４の実施例のブロック図
である。実施例１，２，３いずれかの構成のＳＡＷ共振
子を用い、共振周波数の異なる４個のＳＡＷ共振子７，
８，９，１０を直，並列に組み合わせた共振子型フィル
タである。従来のＳＡＷ共振子を用いた場合、図６に示
すように、共振周波数と反共振周波数との間で不要スプ
リアスが発生するため、フィルタ特性で特に、通過帯域
内で不要スプリアスによる特性劣化が顕著となってい
る。しかし、本発明のＳＡＷ共振子により共振子型フィ
ルタを構成することで、図７に示すように、良好な通過
帯域特性が実現できる。（従来：通過帯域損失約４ｄＢ
が２．２ｄＢに改善） 尚、本発明では、誘電体膜として、二酸化シリコンを用
いたが、その他、五酸化タンタル，窒化シリコン等の誘
電体膜であってもよい。更に、本発明では、圧電性基板
は、ＬｉＮｂＯ3を用いたが、ＬｉＮｂＯ3に限らず、電
極指の開口部と非交差開口部で、違うモードの発生する
可能性のあるＬｉＴａＯ3、あるいは水晶基板であって
も良い。さらに、電極材料はＡｌ−Ｔｉに限らず、他の
Ａｌ系合金であっても良い。
である。実施例１，２，３いずれかの構成のＳＡＷ共振
子を用い、共振周波数の異なる４個のＳＡＷ共振子７，
８，９，１０を直，並列に組み合わせた共振子型フィル
タである。従来のＳＡＷ共振子を用いた場合、図６に示
すように、共振周波数と反共振周波数との間で不要スプ
リアスが発生するため、フィルタ特性で特に、通過帯域
内で不要スプリアスによる特性劣化が顕著となってい
る。しかし、本発明のＳＡＷ共振子により共振子型フィ
ルタを構成することで、図７に示すように、良好な通過
帯域特性が実現できる。（従来：通過帯域損失約４ｄＢ
が２．２ｄＢに改善） 尚、本発明では、誘電体膜として、二酸化シリコンを用
いたが、その他、五酸化タンタル，窒化シリコン等の誘
電体膜であってもよい。更に、本発明では、圧電性基板
は、ＬｉＮｂＯ3を用いたが、ＬｉＮｂＯ3に限らず、電
極指の開口部と非交差開口部で、違うモードの発生する
可能性のあるＬｉＴａＯ3、あるいは水晶基板であって
も良い。さらに、電極材料はＡｌ−Ｔｉに限らず、他の
Ａｌ系合金であっても良い。
【００１３】ＳＡＷ共振子を含む弾性表面波装置は、一
般に、電圧を印加して基板に機械的振動を生じさせるの
で、余分な慣性的負荷が加わるのは、好ましくなく、導
電性良好で軽い材料、たとえばＡｌあるいはＡｌ合金で
電極を形成することが好ましい。機械振動を生じる櫛形
電極３は、耐マイグレーション性が重要であるため、導
電性は多少低いが、耐マイグレーション性の良好なＡｌ
−Ｔｉ合金を選定した。また、櫛形電極３の形成には、
電極幅に高い寸法精度が要求されるため、湿式化学エッ
チングに代わり、ＲＩＥ（ドライエッチング）技術を用
いた。
般に、電圧を印加して基板に機械的振動を生じさせるの
で、余分な慣性的負荷が加わるのは、好ましくなく、導
電性良好で軽い材料、たとえばＡｌあるいはＡｌ合金で
電極を形成することが好ましい。機械振動を生じる櫛形
電極３は、耐マイグレーション性が重要であるため、導
電性は多少低いが、耐マイグレーション性の良好なＡｌ
−Ｔｉ合金を選定した。また、櫛形電極３の形成には、
電極幅に高い寸法精度が要求されるため、湿式化学エッ
チングに代わり、ＲＩＥ（ドライエッチング）技術を用
いた。
【００１４】図８は本発明のＳＡＷ共振子型フィルタを
用いて構成した移動無線機システムのアンテナ分波器の
実施例である。分波器の送信フィルタ１１、受信フィル
タ１２に、ＳＡＷ共振子型フィルタを用いた。送信フィ
ルタ１１、受信フィルタ１２はそれぞれ、分岐回路１３
を介してアンテナ１４と接続されている。移動無線機シ
ステムに用いる送信フィルタ１１，受信フィルタ１２
は、耐電力性を必要とするほか、９００〜１０００ＭＨ
ｚと高周波であるため、弾性表面波装置を構成する入
力，出力用櫛形電極が１μｍ程度と微細となる。又、フ
ィルタ特性として非常に低損失で、急峻なフィルタの肩
特性を必要とし、組み合わせる共振子のインピーダンス
特性が重要である。このため本発明のＳＡＷ共振子を用
いることで、ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性で、反
共振周波数と共振周波数の間での不要スプリアスが低減
でき、良好なフィルタ特性が提供できる。
用いて構成した移動無線機システムのアンテナ分波器の
実施例である。分波器の送信フィルタ１１、受信フィル
タ１２に、ＳＡＷ共振子型フィルタを用いた。送信フィ
ルタ１１、受信フィルタ１２はそれぞれ、分岐回路１３
を介してアンテナ１４と接続されている。移動無線機シ
ステムに用いる送信フィルタ１１，受信フィルタ１２
は、耐電力性を必要とするほか、９００〜１０００ＭＨ
ｚと高周波であるため、弾性表面波装置を構成する入
力，出力用櫛形電極が１μｍ程度と微細となる。又、フ
ィルタ特性として非常に低損失で、急峻なフィルタの肩
特性を必要とし、組み合わせる共振子のインピーダンス
特性が重要である。このため本発明のＳＡＷ共振子を用
いることで、ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性で、反
共振周波数と共振周波数の間での不要スプリアスが低減
でき、良好なフィルタ特性が提供できる。
【００１５】尚、本発明は、移動無線機システムに限ら
ず、ＶＴＲ、またはＣＡＴＶ用コンバータ、衛星放送用
受信機システム等に用いるＳＡＷ共振子、ＳＡＷ共振子
型フィルタ、一般の弾性表面波装置でも有効な手段であ
る。更に、本発明は、櫛形電極の外側に反射電極を形成
した１ポートのキャビティ型構成について述べたが、反
射器を有しないＩＤＴ型共振子、入出力櫛形電極を二つ
持つ２ポート型構成、等全てのＳＡＷ共振子構成でも有
効な手段である。
ず、ＶＴＲ、またはＣＡＴＶ用コンバータ、衛星放送用
受信機システム等に用いるＳＡＷ共振子、ＳＡＷ共振子
型フィルタ、一般の弾性表面波装置でも有効な手段であ
る。更に、本発明は、櫛形電極の外側に反射電極を形成
した１ポートのキャビティ型構成について述べたが、反
射器を有しないＩＤＴ型共振子、入出力櫛形電極を二つ
持つ２ポート型構成、等全てのＳＡＷ共振子構成でも有
効な手段である。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＡＷ共振子の櫛形電
極の非交差開口部に、誘電体膜を形成することで、非交
差開口部の表面波音速Ｖｆが遅くなり、交差部分の表面
波音速Ｖｍと等しくしたため、不要スプリアスが抑圧で
き、ＳＡＷ共振子インピーダンス特性、周波数特性の良
好なＳＡＷ共振子、およびＳＡＷ共振子型フィルタを提
供できる。
極の非交差開口部に、誘電体膜を形成することで、非交
差開口部の表面波音速Ｖｆが遅くなり、交差部分の表面
波音速Ｖｍと等しくしたため、不要スプリアスが抑圧で
き、ＳＡＷ共振子インピーダンス特性、周波数特性の良
好なＳＡＷ共振子、およびＳＡＷ共振子型フィルタを提
供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の平面図。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図。
【図３】本発明の第２の実施例の平面図。
【図４】本発明の第１の実施例のＳＡＷ共振子のインピ
ーダンス特性図。
ーダンス特性図。
【図５】本発明の第４の実施例のブロック図。
【図６】従来技術の共振子型フィルタの周波数特性図。
【図７】本発明を用いた共振子型フィルタの周波数特性
図。
図。
【図８】本発明を用いた移動無線機のアンテナ分波器の
説明図。
説明図。
【図９】従来技術のＳＡＷ共振子の説明図。
【図１０】従来技術のＳＡＷ共振子のインピーダンス特
性図。
性図。
１…圧電性基板、２…ボンディングパッド、３，１５，
１６…櫛形電極、４…バスバー、５，１８…反射器、６
…二酸化シリコン膜。
１６…櫛形電極、４…バスバー、５，１８…反射器、６
…二酸化シリコン膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大貫 秀男 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内
Claims (5)
- 【請求項１】圧電性基板上に金属膜からなる、櫛形電極
と上記櫛形電極の両側に反射器を有する単一または複数
個の弾性表面波共振子をバスバーにより直列に接続した
弾性表面波共振子において、上記櫛形電極の非交差開口
部に誘電体膜を形成し、上記櫛形電極の非交差開口部の
音速と櫛形電極の交差部の音速が等しくなるように誘電
体膜を形成したことを特徴とする弾性表面波共振子。 - 【請求項２】請求項１において、上記櫛形電極の非交差
開口部に形成した上記誘電体膜が、二酸化シリコン，五
酸化タンタル、若しくは、窒化シリコンからなる弾性表
面波共振子。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の弾性表面波共振
子を複数個直列，並列に組み合わせた共振子型フィル
タ。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、上記多段
型弾性表面波共振子の圧電性基板に、ニオブ酸リチウム
単結晶基板（ＬｉＮｂＯ3），タンタル酸リチウム単結
晶基板（ＬｉＴａＯ3）を用いた共振子型フィルタ。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４に記載の上記弾
性表面波共振子、および共振子型フィルタを用いた移動
無線機システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17769196A JPH1022765A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 弾性表面波共振子及び共振子型フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17769196A JPH1022765A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 弾性表面波共振子及び共振子型フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022765A true JPH1022765A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16035427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17769196A Pending JPH1022765A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 弾性表面波共振子及び共振子型フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022765A (ja) |
Cited By (10)
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