JPH11195740A - リードフレームおよびそのメッキ方法 - Google Patents
リードフレームおよびそのメッキ方法Info
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- JPH11195740A JPH11195740A JP9360261A JP36026197A JPH11195740A JP H11195740 A JPH11195740 A JP H11195740A JP 9360261 A JP9360261 A JP 9360261A JP 36026197 A JP36026197 A JP 36026197A JP H11195740 A JPH11195740 A JP H11195740A
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- Japan
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- lead
- lead frame
- die pad
- tin
- antimony
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】２色メッキ方法で前メッキする場合に後続工程
である半導体パッケージ工程の高温においてもよく耐え
るようにするため、溶融が高くある程度の硬度を有する
アンチモンをメッキ材料に追加すること。 【解決手段】中央に集積回路チップが搭載されるダイパ
ッド部と、該ダイパッド部を中心に集積される形状でダ
イパッド部と隣接するインナーリード部と、外部に連結
接続されるアウタリード部とで構成される多数のリード
を含むリードフレーム。ダイパッド部およびインナーリ
ード部は銀メッキされ、アウタリード部はスズとアンチ
モンとの二元系合金、またはスズ、アンチモンおよび鉛
の三元系合金でメッキされる。
である半導体パッケージ工程の高温においてもよく耐え
るようにするため、溶融が高くある程度の硬度を有する
アンチモンをメッキ材料に追加すること。 【解決手段】中央に集積回路チップが搭載されるダイパ
ッド部と、該ダイパッド部を中心に集積される形状でダ
イパッド部と隣接するインナーリード部と、外部に連結
接続されるアウタリード部とで構成される多数のリード
を含むリードフレーム。ダイパッド部およびインナーリ
ード部は銀メッキされ、アウタリード部はスズとアンチ
モンとの二元系合金、またはスズ、アンチモンおよび鉛
の三元系合金でメッキされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレームおよ
びそのメッキ方法に係り、より詳しくは半導体パッケー
ジ工程前に部分メッキ工程で温度の限界性を克服した高
温用すず合金を用いて後工程においてもよく耐えるリー
ドフレームおよびそのメッキ方法に関する。
びそのメッキ方法に係り、より詳しくは半導体パッケー
ジ工程前に部分メッキ工程で温度の限界性を克服した高
温用すず合金を用いて後工程においてもよく耐えるリー
ドフレームおよびそのメッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リードフレームは半導体チップ
をプリント基板に接着して外部と接続するためのリード
およびダイパッドを保持する金属フレームと定義される
集積回路素子の構成部分であり、その形状は半導体チッ
プの高密度、高集積化および基板の実装方法の変化に従
い多様な形状が存在することができる。
をプリント基板に接着して外部と接続するためのリード
およびダイパッドを保持する金属フレームと定義される
集積回路素子の構成部分であり、その形状は半導体チッ
プの高密度、高集積化および基板の実装方法の変化に従
い多様な形状が存在することができる。
【０００３】かかる一般的なリードフレームの構成は中
央に集積回路チップが搭載されるダイパッド部１が形成
されており、多数のリード２がそれぞれダイパッド部１
を中心に集積されており、それぞれのリード２は、搭載
されたチップに対するワイヤボンディングに必要なパッ
ド部、およびモールド工程においてエポキシ樹脂が重な
るインナーリード部２１と、モールド工程後もパッケー
ジ外部に露出されており、基板にパッケージを実装する
ために必要なアウタリード２２とで構成されている。
央に集積回路チップが搭載されるダイパッド部１が形成
されており、多数のリード２がそれぞれダイパッド部１
を中心に集積されており、それぞれのリード２は、搭載
されたチップに対するワイヤボンディングに必要なパッ
ド部、およびモールド工程においてエポキシ樹脂が重な
るインナーリード部２１と、モールド工程後もパッケー
ジ外部に露出されており、基板にパッケージを実装する
ために必要なアウタリード２２とで構成されている。
【０００４】かかるリードフレームは、以後の工程を行
なう前に、部分メッキで機能部位に属するダイパッド部
１とワイヤボンディングに必要なインナーリード部２１
に導電性を高めるため銀メッキし、以後の工程である半
導体パッケージ工程中において、樹脂モールディング作
業の後の組立の最終の工程における半田づけ特性を高め
るため、アウタリード部２２にスズまたは鉛メッキする
工程が行われる。
なう前に、部分メッキで機能部位に属するダイパッド部
１とワイヤボンディングに必要なインナーリード部２１
に導電性を高めるため銀メッキし、以後の工程である半
導体パッケージ工程中において、樹脂モールディング作
業の後の組立の最終の工程における半田づけ特性を高め
るため、アウタリード部２２にスズまたは鉛メッキする
工程が行われる。
【０００５】しかしながら、半導体パッケージ工程中に
鉛メッキすると、リードフレームのインナーリード部２
１にまでスズまたは鉛が浸透するため、浸透されたスズ
または鉛を除去する工程が必要となり、樹脂モールディ
ング作業の後になって完成品に近い製品に対して湿式処
理することになり、製品の信頼性が著しく低下するとい
う問題点が生じる。
鉛メッキすると、リードフレームのインナーリード部２
１にまでスズまたは鉛が浸透するため、浸透されたスズ
または鉛を除去する工程が必要となり、樹脂モールディ
ング作業の後になって完成品に近い製品に対して湿式処
理することになり、製品の信頼性が著しく低下するとい
う問題点が生じる。
【０００６】このような問題点を解決するため、半導体
パッケージ工程前に半田濡れ性が良好なメッキ層を予め
塗布して前記した問題点を解決しようとする前メッキリ
ードフレーム（ＰＰＦ）法が開発された。
パッケージ工程前に半田濡れ性が良好なメッキ層を予め
塗布して前記した問題点を解決しようとする前メッキリ
ードフレーム（ＰＰＦ）法が開発された。
【０００７】かかる前メッキ法において、最も多く研究
されているシステムは、パラジウムまたはパラジウム合
金を用いる方法であって、同系の素材の適用する点では
何らの問題がないが、貴金属を用いるのでリードフレー
ム価格が高くなり、鉄合金系素材においては素材とパラ
ジウムとの間にガルヴァニックカップリング現象に基づ
いた腐蝕を生じるため適用することができないという問
題点を有している。かかる問題点を解決するため多様な
層構造のパラジウムＰＰＦ方法が開発された。
されているシステムは、パラジウムまたはパラジウム合
金を用いる方法であって、同系の素材の適用する点では
何らの問題がないが、貴金属を用いるのでリードフレー
ム価格が高くなり、鉄合金系素材においては素材とパラ
ジウムとの間にガルヴァニックカップリング現象に基づ
いた腐蝕を生じるため適用することができないという問
題点を有している。かかる問題点を解決するため多様な
層構造のパラジウムＰＰＦ方法が開発された。
【０００８】図２ＡないしＣは従来の技術に従うメッキ
したリードフレームの構成成分を示す断面図である。図
２Ａは、特開昭６３−２３５８号公報に開示された構造
であって、リードフレームは銅からなる基底金属上にニ
ッケル層がメッキされており、ニッケル層上にニッケル
とパラジウムの合金層がメッキされており、その上には
パラジウム層がメッキされている。図２Ｂは、ヨーロッ
パ特許出願第０２５０１４６号および同第０３３５６０
８号に記載されたものであって、ストライクニッケル
層、ニッケルとパラジウムとの合金層、ニッケル層およ
びパラジウム層が順にメッキされている。図２Ｃは、米
国特許第５，３６０，９９１号に記載されたものであっ
て、基底金属上に順にニッケル層、ストライク金層、ニ
ッケルとパラジウムとの合金層、パラジウム層および金
層の順にメッキされている。
したリードフレームの構成成分を示す断面図である。図
２Ａは、特開昭６３−２３５８号公報に開示された構造
であって、リードフレームは銅からなる基底金属上にニ
ッケル層がメッキされており、ニッケル層上にニッケル
とパラジウムの合金層がメッキされており、その上には
パラジウム層がメッキされている。図２Ｂは、ヨーロッ
パ特許出願第０２５０１４６号および同第０３３５６０
８号に記載されたものであって、ストライクニッケル
層、ニッケルとパラジウムとの合金層、ニッケル層およ
びパラジウム層が順にメッキされている。図２Ｃは、米
国特許第５，３６０，９９１号に記載されたものであっ
て、基底金属上に順にニッケル層、ストライク金層、ニ
ッケルとパラジウムとの合金層、パラジウム層および金
層の順にメッキされている。
【０００９】しかしながら、かかる従来の多層構造で
も、メッキされたリードフレームにおけるガルヴァニッ
クカップリングに基づく腐蝕の問題は完全には解決でき
ない。
も、メッキされたリードフレームにおけるガルヴァニッ
クカップリングに基づく腐蝕の問題は完全には解決でき
ない。
【００１０】また、他の前メッキ方法として、パッケー
ジ製造工程中に既に行なっている鉛またはスズメッキ工
程と同じ工程を、予めリードフレーム製造工程中に行な
う２色メッキ法がある。
ジ製造工程中に既に行なっている鉛またはスズメッキ工
程と同じ工程を、予めリードフレーム製造工程中に行な
う２色メッキ法がある。
【００１１】かかるメッキ法においては、リードフレー
ム価格が著しく低くなり、パッケージ工程中に湿式メッ
キ過程を省略することにより、パッケージ信頼度を向上
させることができるという長所がある。
ム価格が著しく低くなり、パッケージ工程中に湿式メッ
キ過程を省略することにより、パッケージ信頼度を向上
させることができるという長所がある。
【００１２】図３は、スズと鉛の二元合金系の状態図で
あり、図示しているように、半導体リードフレームのメ
ッキの際、スズと鉛との二元合金系をアウタリード部に
前メッキする場合、材料の融点が低いため（最大がほぼ
１８３℃）、２５０℃以上の温度が適用される半導体パ
ッケージ後工程中には耐えられないという問題点を有し
ている。
あり、図示しているように、半導体リードフレームのメ
ッキの際、スズと鉛との二元合金系をアウタリード部に
前メッキする場合、材料の融点が低いため（最大がほぼ
１８３℃）、２５０℃以上の温度が適用される半導体パ
ッケージ後工程中には耐えられないという問題点を有し
ている。
【００１３】
【発明の目的】従って、本発明は前記問題点を解決する
ためのものであって、その目的は、２色メッキ法で前メ
ッキする場合、後続の工程である半導体パッケージ工程
の高温においてもよく耐えるようにするため、融点が高
くある程度の硬度を有するアンチモンをメッキ材料に追
加することにある。
ためのものであって、その目的は、２色メッキ法で前メ
ッキする場合、後続の工程である半導体パッケージ工程
の高温においてもよく耐えるようにするため、融点が高
くある程度の硬度を有するアンチモンをメッキ材料に追
加することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明によれば、中央に集積回路チップが搭載され
るダイパッド部と、該ダイパッド部を中心に集積される
形状でダイパッド部と隣接するインナーリード部と、外
部に連結接続されるアウタリード部とで構成される多数
のリードを含むリードフレームにおいて、ダイパッド部
およびインナーリード部は銀メッキし、アウタリード部
はスズとアンチモンとの二元系合金でメッキする。
め、本発明によれば、中央に集積回路チップが搭載され
るダイパッド部と、該ダイパッド部を中心に集積される
形状でダイパッド部と隣接するインナーリード部と、外
部に連結接続されるアウタリード部とで構成される多数
のリードを含むリードフレームにおいて、ダイパッド部
およびインナーリード部は銀メッキし、アウタリード部
はスズとアンチモンとの二元系合金でメッキする。
【００１５】さらに、本発明の他の構成においては、中
央に集積回路チップが搭載されるダイパッド部と、該ダ
イパッド部を中心に集積される形状でダイパッド部と隣
接するインナーリード部と、外部に連結接続されるアウ
タリード部とで構成されるリードを含んでいるリードフ
レームの、ダイパッド部およびインナーリード部は銀メ
ッキし、アウタリード部はスズ、アンチモンおよび鉛の
三元系合金でメッキする。
央に集積回路チップが搭載されるダイパッド部と、該ダ
イパッド部を中心に集積される形状でダイパッド部と隣
接するインナーリード部と、外部に連結接続されるアウ
タリード部とで構成されるリードを含んでいるリードフ
レームの、ダイパッド部およびインナーリード部は銀メ
ッキし、アウタリード部はスズ、アンチモンおよび鉛の
三元系合金でメッキする。
【００１６】さらに、本発明に従うリードフレームメッ
キ方法は、リードフレームに属するダイパッド部および
インナーリード部に銀メッキする段階と、アウタリード
部にスズとアンチモンとの二元系合金で後続パッケージ
工程前に前メッキする段階とを含む。
キ方法は、リードフレームに属するダイパッド部および
インナーリード部に銀メッキする段階と、アウタリード
部にスズとアンチモンとの二元系合金で後続パッケージ
工程前に前メッキする段階とを含む。
【００１７】さらに、本発明に従うリードフレームの他
のメッキ方法は、リードフレームに属するダイパッド部
およびインナーリード部に銀メッキする段階と、該アウ
タリード部にスズ、アンチモンおよび鉛の三元系合金で
前メッキする段階とを含む。
のメッキ方法は、リードフレームに属するダイパッド部
およびインナーリード部に銀メッキする段階と、該アウ
タリード部にスズ、アンチモンおよび鉛の三元系合金で
前メッキする段階とを含む。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施例を
添付図面に基づいて詳細に説明する。図４は本発明の実
施例に基づいてメッキしたリードフレームの構成を示す
断面図である。図に示すように、本発明の実施例により
基底金属にメッキされたリードフレームの構成は、中央
にダイパッド部１を中心に両側にリード２がそれぞれ形
成されている。リード２において、ダイパッド部１に隣
接する部分はインナーリード部２１であり、エッジ部分
はパッケージ工程以後に外部と接続される部分であって
アウタリード部２２である。
添付図面に基づいて詳細に説明する。図４は本発明の実
施例に基づいてメッキしたリードフレームの構成を示す
断面図である。図に示すように、本発明の実施例により
基底金属にメッキされたリードフレームの構成は、中央
にダイパッド部１を中心に両側にリード２がそれぞれ形
成されている。リード２において、ダイパッド部１に隣
接する部分はインナーリード部２１であり、エッジ部分
はパッケージ工程以後に外部と接続される部分であって
アウタリード部２２である。
【００１９】ダイパッド部１とインナーリード部２１に
はそれぞれ銀メッキ層ａ、ｂが形成されており、リード
２のアウタリード部２２にはすず合金メッキ層ｃが形成
されている。ここで、すず合金メッキ層ｃの成分はスズ
（５０〜９０±５重量％）とアンチモン（５０〜１０±
５重量％）との二元系、或いは、スズ（１０±５重量
％）、アンチモン（１０±５重量％）および鉛（８０±
１０重量％）の三元系である。
はそれぞれ銀メッキ層ａ、ｂが形成されており、リード
２のアウタリード部２２にはすず合金メッキ層ｃが形成
されている。ここで、すず合金メッキ層ｃの成分はスズ
（５０〜９０±５重量％）とアンチモン（５０〜１０±
５重量％）との二元系、或いは、スズ（１０±５重量
％）、アンチモン（１０±５重量％）および鉛（８０±
１０重量％）の三元系である。
【００２０】基底金属は銅板、銅合金板またはニッケル
合金板からなり、厚さは０．１〜３ｍｍの範囲が好まし
い。
合金板からなり、厚さは０．１〜３ｍｍの範囲が好まし
い。
【００２１】かかる本発明に従うリードフレームの製造
方法について図５を参照して以下に説明する。銅板、銅
合金板またはニッケル合金板からなる基底金属に属する
ダイパッド部およびインナーリード部には銀メッキし
（Ｓ１０、Ｓ１２）、アウタリード部にはスズ（５０〜
９０±５重量％）とアンチモン（５０〜１０±５重量
％）との二元系からなる合金でメッキする（Ｓ１４）。
方法について図５を参照して以下に説明する。銅板、銅
合金板またはニッケル合金板からなる基底金属に属する
ダイパッド部およびインナーリード部には銀メッキし
（Ｓ１０、Ｓ１２）、アウタリード部にはスズ（５０〜
９０±５重量％）とアンチモン（５０〜１０±５重量
％）との二元系からなる合金でメッキする（Ｓ１４）。
【００２２】図６は本発明の実施例に従うリードフレー
ムのアウトリード部にメッキするスズとアンチモンとの
二元系合金の状態図である。図に示すように、スズとア
ンチモンとの二元系合金の包晶温度は、２４６℃であ
る。ここで、スズが９０重量％であり、アンチモンが１
０重量％であるとき、融点は、半導体チップパッケージ
ングに必要な温度、例えば２５０℃より高くなる。スズ
とアンチモンとの合金の融点は、アンチモンとスズとの
組成比に従い異なる。アンチモンは融点が高く、硬度も
高いので、スズとアンチモンとの合金でアンチモンの比
率が高いほど融点および硬度が増加する。従って、スズ
とアンチモンとの合金でアンチモンの比率は１０〜５０
重量％、スズの比率は５０〜９０重量％が好ましい。
ムのアウトリード部にメッキするスズとアンチモンとの
二元系合金の状態図である。図に示すように、スズとア
ンチモンとの二元系合金の包晶温度は、２４６℃であ
る。ここで、スズが９０重量％であり、アンチモンが１
０重量％であるとき、融点は、半導体チップパッケージ
ングに必要な温度、例えば２５０℃より高くなる。スズ
とアンチモンとの合金の融点は、アンチモンとスズとの
組成比に従い異なる。アンチモンは融点が高く、硬度も
高いので、スズとアンチモンとの合金でアンチモンの比
率が高いほど融点および硬度が増加する。従って、スズ
とアンチモンとの合金でアンチモンの比率は１０〜５０
重量％、スズの比率は５０〜９０重量％が好ましい。
【００２３】本発明に従うリードフレームの他の製造方
法について説明する。銅板、銅合金板またはニッケル合
金板からなる基底金属に属するダイパッド部およびイン
ナーリード部には同一に銀メッキし（Ｓ１０、Ｓ１
２）、アウタリード部にはスズ（１０±５重量％）、ア
ンチモン（１０±５重量％）および鉛（８０±１０重量
％）の三元系からなる合金でメッキし（Ｓ１４）、後続
工程である半導体パッケージ工程を行なう（Ｓ１６〜Ｓ
１８）。
法について説明する。銅板、銅合金板またはニッケル合
金板からなる基底金属に属するダイパッド部およびイン
ナーリード部には同一に銀メッキし（Ｓ１０、Ｓ１
２）、アウタリード部にはスズ（１０±５重量％）、ア
ンチモン（１０±５重量％）および鉛（８０±１０重量
％）の三元系からなる合金でメッキし（Ｓ１４）、後続
工程である半導体パッケージ工程を行なう（Ｓ１６〜Ｓ
１８）。
【００２４】図７は本発明の実施例に従うリードフレー
ムのアウトリード部にメッキするスズ、アンチモンおよ
び鉛の三元系合金の温度が２４０℃であるときの状態図
である。同図に示すように、スズ、アンチモンおよび鉛
の三元系合金の包晶温度が２４０℃で非常に高いため、
高温においてもよく耐える。
ムのアウトリード部にメッキするスズ、アンチモンおよ
び鉛の三元系合金の温度が２４０℃であるときの状態図
である。同図に示すように、スズ、アンチモンおよび鉛
の三元系合金の包晶温度が２４０℃で非常に高いため、
高温においてもよく耐える。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明に従うリードフレ
ームは無毒性、すぐれた耐腐蝕性およびすぐれた半田濡
れ性を有するスズと、溶融点が高くある程度の硬度を有
するアンチモンを添加し、濡れ性がすぐれ溶融点が高く
て高温においてメッキ層の作業性を向上させる鉛を添加
して前メッキすることにより、後続工程である半導体パ
ッケージ工程の高温においても作業性を向上させること
ができる。
ームは無毒性、すぐれた耐腐蝕性およびすぐれた半田濡
れ性を有するスズと、溶融点が高くある程度の硬度を有
するアンチモンを添加し、濡れ性がすぐれ溶融点が高く
て高温においてメッキ層の作業性を向上させる鉛を添加
して前メッキすることにより、後続工程である半導体パ
ッケージ工程の高温においても作業性を向上させること
ができる。
【図１】一般的なリードフレームの構造を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】従来の技術に従うメッキした３種の異るリード
フレームの構成成分を示す断面図である。
フレームの構成成分を示す断面図である。
【図３】従来の技術に従うリードフレームにメッキする
ためのスズと鉛との二元合金系の状態図である。
ためのスズと鉛との二元合金系の状態図である。
【図４】本発明の実施例に従うメッキしたリードフレー
ムの構成を示す断面図である。
ムの構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に従うリードフレームをメッキ
する動作を示す図である。
する動作を示す図である。
【図６】本発明の実施例に従うリードフレームにメッキ
するためのスズとアンチモンとの二元系合金の状態図で
ある。
するためのスズとアンチモンとの二元系合金の状態図で
ある。
【図７】本発明の実施例に従うリードフレームにメッキ
するためのスズ、アンチモンおよび鉛の三元系合金の状
態図である。
するためのスズ、アンチモンおよび鉛の三元系合金の状
態図である。
１ダイパッド部 ２リード ２１インナーリード部 ２２アウタリード部
Claims (12)
- 【請求項１】中央に集積回路チップが搭載されるダイパ
ッド部と、前記ダイパッド部を中心に集積される形状で
前記ダイパッド部と隣接するインナーリード部と、外部
に連結接続されるアウタリード部とからなる、複数のリ
ードを含むリードフレームであって、 前記ダイパッド部および前記インナーリード部は銀メッ
キされ、前記アウタリード部はスズとアンチモンとの二
元系合金でメッキされることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】前記二元系合金は、スズ５０〜９０±５重
量％と、アンチモン５０〜１０±５重量％の比率からな
る請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項３】前記基底金属は、厚さが０．１〜３ｍｍの
範囲であり、銅板、銅合金板またはニッケル合金板から
なる請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】中央に集積回路チップが搭載されるダイパ
ッド部と、前記ダイパッド部を中心に集積される形状で
前記ダイパッド部と隣接するインナーリード部と、外部
に連結接続されるアウタリード部とからなる、リードを
含むリードフレームであって、 前記ダイパッド部および前記インナーリード部は銀メッ
キされ、前記アウタリード部はスズ、アンチモンおよび
鉛の三元系合金でメッキされることを特徴とするリード
フレーム。 - 【請求項５】前記三元系合金はスズ１０±５重量％、ア
ンチモン１０±５重量％および鉛８０±１０重量％の比
率からなる請求項４に記載のリードフレーム。 - 【請求項６】前記基底金属は、厚さが０．１〜３ｍｍの
範囲であり、銅板、銅合金板またはニッケル合金板から
なる請求項４に記載のリードフレーム。 - 【請求項７】リードフレームのダイパッド部およびイン
ナーリード部に銀メッキする段階と、 アウタリード部にスズとアンチモンとの二元系合金で後
続パッケージ工程前に前メッキする段階とを含むリード
フレームのメッキ方法。 - 【請求項８】前記二元系合金はスズ５０〜９０±５重量
％とアンチモン５０〜１０±５重量％の比率からなる請
求項７に記載のリードフレームのメッキ方法。 - 【請求項９】前記基底金属は厚さが０．１〜３ｍｍの範
囲であり、銅板、銅合金板またはニッケル合金板で形成
する請求項７に記載のリードフレームのメッキ方法。 - 【請求項１０】リードフレームのダイパッド部およびイ
ンナーリード部に銀メッキする段階と、 前記アウタリード部にスズ、アンチモンおよび鉛の三元
系合金で前メッキする段階とを含むリードフレームのメ
ッキ方法。 - 【請求項１１】前記三元系合金はスズ１０±５重量％、
アンチモン１０±５重量％および鉛８０±１０重量％の
比率で形成する請求項１０に記載のリードフレームのメ
ッキ方法。 - 【請求項１２】前記基底金属は、厚さが０．１〜３のｍ
ｍ範囲であり、銅板、銅合金板またはニッケル合金板で
形成する請求項１０に記載のリードフレームのメッキ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360261A JPH11195740A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | リードフレームおよびそのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360261A JPH11195740A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | リードフレームおよびそのメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195740A true JPH11195740A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18468626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360261A Pending JPH11195740A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | リードフレームおよびそのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005071750A3 (en) * | 2004-01-13 | 2006-01-12 | Halliburton Energy Serv Inc | Conductive material compositions, apparatus, systems, and methods |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP9360261A patent/JPH11195740A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005071750A3 (en) * | 2004-01-13 | 2006-01-12 | Halliburton Energy Serv Inc | Conductive material compositions, apparatus, systems, and methods |
| US7696611B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-04-13 | Halliburton Energy Services, Inc. | Conductive material compositions, apparatus, systems, and methods |
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