JPH11204239A - プレート型ヒータおよびその製造方法および薄膜製造装置 - Google Patents
プレート型ヒータおよびその製造方法および薄膜製造装置Info
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- JPH11204239A JPH11204239A JP10003804A JP380498A JPH11204239A JP H11204239 A JPH11204239 A JP H11204239A JP 10003804 A JP10003804 A JP 10003804A JP 380498 A JP380498 A JP 380498A JP H11204239 A JPH11204239 A JP H11204239A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】温度の均一性に優れ、ガスの吸蔵や放出の起こ
らないプレート型ヒータとその製造方法を提供し、ま
た、高純度で均一な薄膜を製造できる薄膜製造装置を提
供する。 【解決手段】シース発熱体２２が金属からなる伝熱プレ
ート２１に内蔵されてなり、片面を加熱面とするプレー
ト型ヒータにおいて、前記伝熱プレートと、その加熱表
面に平行に他の面に形成された発熱体溝２１ａの底に設
置された前記シース発熱体と、この発熱体溝とシース発
熱体との間に隙間なく鋳込まれた金属の充填物２５とか
らなり、さらにこの充填物を伝熱プレートに溶接（溶接
部２６）しておく。またスパッタまたはプラズマ化学気
相成長による金属または半導体の薄膜を形成する薄膜製
造装置にプレート型ヒータを備える。
らないプレート型ヒータとその製造方法を提供し、ま
た、高純度で均一な薄膜を製造できる薄膜製造装置を提
供する。 【解決手段】シース発熱体２２が金属からなる伝熱プレ
ート２１に内蔵されてなり、片面を加熱面とするプレー
ト型ヒータにおいて、前記伝熱プレートと、その加熱表
面に平行に他の面に形成された発熱体溝２１ａの底に設
置された前記シース発熱体と、この発熱体溝とシース発
熱体との間に隙間なく鋳込まれた金属の充填物２５とか
らなり、さらにこの充填物を伝熱プレートに溶接（溶接
部２６）しておく。またスパッタまたはプラズマ化学気
相成長による金属または半導体の薄膜を形成する薄膜製
造装置にプレート型ヒータを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜光電変
換素子の製造のために、基板表面にスパッタなどにより
成膜する場合に、基板を真空中で加熱するプレート型ヒ
ータに関し、またプレート型ヒータを備えた薄膜製造装
置に関する。
換素子の製造のために、基板表面にスパッタなどにより
成膜する場合に、基板を真空中で加熱するプレート型ヒ
ータに関し、またプレート型ヒータを備えた薄膜製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のプレート型ヒータを用いた
真空容器内でスパッタにより薄膜を形成する薄膜製造装
置の模式断面図である。このような薄膜製造装置は、真
空容器３内の真空中で基板１を加熱するプレート型ヒー
タ２を有しており、カソード４とアノード５の間の放電
（電源は６）によりスパッタしてターゲット３の物質を
基板へ移して薄膜を形成する。また、所定の原料ガスを
外部より導入してプラズマ反応により基板に薄膜を形成
するすなわちプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）の場合も
同様のプレート型ヒータ２を用いている。
真空容器内でスパッタにより薄膜を形成する薄膜製造装
置の模式断面図である。このような薄膜製造装置は、真
空容器３内の真空中で基板１を加熱するプレート型ヒー
タ２を有しており、カソード４とアノード５の間の放電
（電源は６）によりスパッタしてターゲット３の物質を
基板へ移して薄膜を形成する。また、所定の原料ガスを
外部より導入してプラズマ反応により基板に薄膜を形成
するすなわちプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）の場合も
同様のプレート型ヒータ２を用いている。
【０００３】これらのプレート型ヒータには、ヒータ表
面の温度の均一性と、ヒータから発生する脱ガスが少な
いこと、またプラズマ反応ガスの吸蔵が少ないことなど
の高いクリーン度が要求されている。図４は従来のプレ
ート型ヒータの側面図である。従来のプレート型ヒータ
には、ニクロム線などの発熱体を外周に酸化マグネシウ
ムなどの絶縁体で被覆し、これらを保護する耐熱材のス
テンレスまたはインコネルなどからなる保護管で覆っ
た、いわゆるシース型発熱体２２が用いられている。こ
のシース型発熱体２２を内蔵するように、その外周をア
ルミニウム鋳物などで形成された伝熱プレート２１があ
る。この伝熱プレート２１は内蔵したヒータの熱を均一
に分散し、基板と加熱面２１ｓに接触して加熱する役割
をもっている。伝熱プレートの面積は基板の加熱面積に
合わせて決められるが、この伝熱プレートの面積に合わ
せ、シース型発熱体を曲げ加工し、伝熱プレートが均一
に加熱されるであろう形状に成形し、これを鋳型内に固
定し、伝熱プレートとなるアルミニウムなどを鋳造成形
をする。
面の温度の均一性と、ヒータから発生する脱ガスが少な
いこと、またプラズマ反応ガスの吸蔵が少ないことなど
の高いクリーン度が要求されている。図４は従来のプレ
ート型ヒータの側面図である。従来のプレート型ヒータ
には、ニクロム線などの発熱体を外周に酸化マグネシウ
ムなどの絶縁体で被覆し、これらを保護する耐熱材のス
テンレスまたはインコネルなどからなる保護管で覆っ
た、いわゆるシース型発熱体２２が用いられている。こ
のシース型発熱体２２を内蔵するように、その外周をア
ルミニウム鋳物などで形成された伝熱プレート２１があ
る。この伝熱プレート２１は内蔵したヒータの熱を均一
に分散し、基板と加熱面２１ｓに接触して加熱する役割
をもっている。伝熱プレートの面積は基板の加熱面積に
合わせて決められるが、この伝熱プレートの面積に合わ
せ、シース型発熱体を曲げ加工し、伝熱プレートが均一
に加熱されるであろう形状に成形し、これを鋳型内に固
定し、伝熱プレートとなるアルミニウムなどを鋳造成形
をする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような鋳造伝熱プ
レートを用いたプレート型ヒータの問題点として、鋳物
製であり表面および内部に巣と呼ばれる微小空間が形成
される。これは鋳物材に特有の現象である。この空間に
は材料溶融時の様々なガスが内蔵されており、真空中で
加熱すると伝熱プレート表面より放出される。また表面
部の巣には加工中の機械加工油が侵入し、加工後に洗浄
しても除去できない。この加工油も真空中での加熱によ
りガス化され放出される。これらのガスは薄膜形成時に
有害であることは明らかである。またＣＶＤ（化学気相
成長）装置などにおいては、ガス種を切り替え、複数階
の成膜を行うが、この際前処理に用いたガスが、伝熱プ
レートの空間に吸蔵され、次処理の際放出され、目的の
成膜ができなくなることもある。
レートを用いたプレート型ヒータの問題点として、鋳物
製であり表面および内部に巣と呼ばれる微小空間が形成
される。これは鋳物材に特有の現象である。この空間に
は材料溶融時の様々なガスが内蔵されており、真空中で
加熱すると伝熱プレート表面より放出される。また表面
部の巣には加工中の機械加工油が侵入し、加工後に洗浄
しても除去できない。この加工油も真空中での加熱によ
りガス化され放出される。これらのガスは薄膜形成時に
有害であることは明らかである。またＣＶＤ（化学気相
成長）装置などにおいては、ガス種を切り替え、複数階
の成膜を行うが、この際前処理に用いたガスが、伝熱プ
レートの空間に吸蔵され、次処理の際放出され、目的の
成膜ができなくなることもある。
【０００５】また、ヒータ鋳込み時の問題として、溶融
金属（湯）を鋳型に流し込む際に、シース型発熱体が溶
融金属により変形し、初期に成形した形状がずれ、伝熱
プレートの表面に平行にならず、伝熱プレートの表面温
度差が大きくなることも挙げられる。この伝熱プレート
の温度差は薄膜製造装置においては不均一な薄膜を形成
する原因となる。
金属（湯）を鋳型に流し込む際に、シース型発熱体が溶
融金属により変形し、初期に成形した形状がずれ、伝熱
プレートの表面に平行にならず、伝熱プレートの表面温
度差が大きくなることも挙げられる。この伝熱プレート
の温度差は薄膜製造装置においては不均一な薄膜を形成
する原因となる。
【０００６】本発明の目的は、温度の均一性に優れ、内
部および表面に巣がなくガスの吸蔵や放出の起こらない
伝熱プレートを有するプレート型ヒータとその製造方法
を提供し、また、高純度で均一な薄膜を製造できるプレ
ート型ヒータを有する薄膜製造方法装置を提供すること
にある。
部および表面に巣がなくガスの吸蔵や放出の起こらない
伝熱プレートを有するプレート型ヒータとその製造方法
を提供し、また、高純度で均一な薄膜を製造できるプレ
ート型ヒータを有する薄膜製造方法装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、シース発熱体が金属からなる伝熱プレートに内蔵
されてなり、片面を加熱面とするプレート型ヒータにお
いて、前記伝熱プレートと、その加熱表面に平行に他の
面に形成された発熱体溝の底に設置された前記シース発
熱体と、この発熱体溝とシース発熱体との間に隙間なく
鋳込まれた金属の充填物とからなり、さらにこの充填物
は伝熱プレートに溶接されていることとする。
めに、シース発熱体が金属からなる伝熱プレートに内蔵
されてなり、片面を加熱面とするプレート型ヒータにお
いて、前記伝熱プレートと、その加熱表面に平行に他の
面に形成された発熱体溝の底に設置された前記シース発
熱体と、この発熱体溝とシース発熱体との間に隙間なく
鋳込まれた金属の充填物とからなり、さらにこの充填物
は伝熱プレートに溶接されていることとする。
【０００８】前記伝熱プレートは圧延成形または鍛造成
形された金属板であると良い。前記充填物はアルミニウ
ムであると良い。伝熱プレートに予め形成された発熱体
溝にシース発熱体を設置し、発熱体溝に金属溶融金属を
鋳込み冷却硬化させて充填物とし、この充填物を伝熱プ
レートに溶接して固着する請求項１ないし３に記載のプ
レート型ヒータの製造方法であって、前記金属の溶融金
属を伝熱プレートの発熱体溝に鋳込む工程では、伝熱プ
レートの発熱体溝に置かれたシース発熱体に通電し加熱
状態に保持すると良い。
形された金属板であると良い。前記充填物はアルミニウ
ムであると良い。伝熱プレートに予め形成された発熱体
溝にシース発熱体を設置し、発熱体溝に金属溶融金属を
鋳込み冷却硬化させて充填物とし、この充填物を伝熱プ
レートに溶接して固着する請求項１ないし３に記載のプ
レート型ヒータの製造方法であって、前記金属の溶融金
属を伝熱プレートの発熱体溝に鋳込む工程では、伝熱プ
レートの発熱体溝に置かれたシース発熱体に通電し加熱
状態に保持すると良い。
【０００９】前記充填物の伝熱プレートへの溶接時には
シース発熱体に通電し加熱状態に保持すると良い。フレ
キシブルな基板をプレート型ヒータの近傍に一定距離に
保持、または密着して保持して加熱しながら、スパッタ
またはプラズマ化学気相成長により、基板表面に金属ま
たは半導体の薄膜を形成する薄膜製造装置において、前
記プレート型ヒータを上記のプレート型ヒータとする。
シース発熱体に通電し加熱状態に保持すると良い。フレ
キシブルな基板をプレート型ヒータの近傍に一定距離に
保持、または密着して保持して加熱しながら、スパッタ
またはプラズマ化学気相成長により、基板表面に金属ま
たは半導体の薄膜を形成する薄膜製造装置において、前
記プレート型ヒータを上記のプレート型ヒータとする。
【００１０】本発明によれば、シース型発熱体は伝熱プ
レートの加熱面に平行にかつ隙間なく熱伝導の良い金属
充填物により固着されるので、伝熱プレートの加熱面の
温度の均一性は高くなり、伝熱プレートの昇温は早いと
期待できる。さらに充填物と発熱体溝とを溶接したの
で、伝熱プレートの温度サイクルに対しても充填物の密
着性は変化せず、ヒータ型プレートの寿命は長いと期待
できる。
レートの加熱面に平行にかつ隙間なく熱伝導の良い金属
充填物により固着されるので、伝熱プレートの加熱面の
温度の均一性は高くなり、伝熱プレートの昇温は早いと
期待できる。さらに充填物と発熱体溝とを溶接したの
で、伝熱プレートの温度サイクルに対しても充填物の密
着性は変化せず、ヒータ型プレートの寿命は長いと期待
できる。
【００１１】また、伝熱プレートを巣の多い鋳物材に替
えて、巣のない圧延成形あるいは鍛造成形された金属板
を使用することにしたので、巣に起因する、吸蔵ガスの
放出や機械加工油の放出は非常に少なくなり、真空中で
の放出ガスが不純物となってはならない半導体薄膜の製
造も容易になると期待できる。この発熱体溝の容積は小
さく、充填物の鋳込み時の伝熱プレートおよびシース型
発熱体を高温としたので、溶融金属の流れは良く隙間や
巣は少なくなり、充填物と発熱体溝の密着性は良くな
り、昇温、温度の均一性や寿命に優れる。
えて、巣のない圧延成形あるいは鍛造成形された金属板
を使用することにしたので、巣に起因する、吸蔵ガスの
放出や機械加工油の放出は非常に少なくなり、真空中で
の放出ガスが不純物となってはならない半導体薄膜の製
造も容易になると期待できる。この発熱体溝の容積は小
さく、充填物の鋳込み時の伝熱プレートおよびシース型
発熱体を高温としたので、溶融金属の流れは良く隙間や
巣は少なくなり、充填物と発熱体溝の密着性は良くな
り、昇温、温度の均一性や寿命に優れる。
【００１２】また、溶接時にはシース型発熱体に通電
し、高温としているので、通常行われるバーナ加熱など
は不要となり、溶接作業も容易であり一人で行うことが
できる。また、溶接部には巣は生じない。
し、高温としているので、通常行われるバーナ加熱など
は不要となり、溶接作業も容易であり一人で行うことが
できる。また、溶接部には巣は生じない。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施例１ 図１は本発明に係るプレート型ヒータを示し、（ａ）は
側面図であり、（ｂ）は平面図である。 図２は本発明
に係るプレートヒータの図１におけるＸＸ断面図であ
る。
側面図であり、（ｂ）は平面図である。 図２は本発明
に係るプレートヒータの図１におけるＸＸ断面図であ
る。
【００１４】圧延成形されたアルミニウム板材を用いた
伝熱プレート２１にヒータ（加熱）面とは反対側より、
ヒータ本体２２を埋設するための発熱体溝２１ａを形成
した。この発熱体溝２１ａはフライス加工などにより加
工される。均熱性や機械的強度から、発熱体溝２１ａの
深さは伝熱プレートの厚さの１／２以下が好ましい。ま
た、発熱体溝２１ａの深さは発熱体溝２１ａの底にシー
ス型発熱体２２を置いたとき、流し込んだ溶融金属が硬
化してなる充填物２５がシース型発熱体２２を完全に覆
い、また充填物２５と伝熱プレート２１の溶接接合部を
形成できる程度とした。熱膨張差により伝熱プレート２
１が変形したり反らないように、充填物および溶接材
（溶接棒）２６は伝熱プレート２１と同じ主成分の材質
を用いることが好ましいが、伝熱プレートを耐熱性のた
めステンレス鋼とし充填物および溶接材をアルミニウム
系合金や銅系合金とすることも可能である。
伝熱プレート２１にヒータ（加熱）面とは反対側より、
ヒータ本体２２を埋設するための発熱体溝２１ａを形成
した。この発熱体溝２１ａはフライス加工などにより加
工される。均熱性や機械的強度から、発熱体溝２１ａの
深さは伝熱プレートの厚さの１／２以下が好ましい。ま
た、発熱体溝２１ａの深さは発熱体溝２１ａの底にシー
ス型発熱体２２を置いたとき、流し込んだ溶融金属が硬
化してなる充填物２５がシース型発熱体２２を完全に覆
い、また充填物２５と伝熱プレート２１の溶接接合部を
形成できる程度とした。熱膨張差により伝熱プレート２
１が変形したり反らないように、充填物および溶接材
（溶接棒）２６は伝熱プレート２１と同じ主成分の材質
を用いることが好ましいが、伝熱プレートを耐熱性のた
めステンレス鋼とし充填物および溶接材をアルミニウム
系合金や銅系合金とすることも可能である。
【００１５】また、伝熱プレート２１の中心部にはシー
ス型発熱体の温度制御を行うための熱電対を保持する、
ステンレス鋼管などの管状の熱電対ポート２３を設け
た。この管の中へ熱電対を伝熱プレート２１の底まで挿
入する。また、シースヒータの端部には、薄膜製造装置
本体に取り付ける際に使用するステンレス鋼からなる真
空シール用キャップ２４を設けてある。
ス型発熱体の温度制御を行うための熱電対を保持する、
ステンレス鋼管などの管状の熱電対ポート２３を設け
た。この管の中へ熱電対を伝熱プレート２１の底まで挿
入する。また、シースヒータの端部には、薄膜製造装置
本体に取り付ける際に使用するステンレス鋼からなる真
空シール用キャップ２４を設けてある。
【００１６】製造工程は以下のようにした。先ず、アル
ミニウムの圧延板を用い、伝熱プレートの所望の形状と
熱設計に従い、発熱体溝をフライス加工により形成し
た。発熱体溝に合致するように、シース型発熱体を曲げ
加工し、発熱体溝の底に置いた。次に、発熱体溝に置い
たシース型発熱体に通電加熱しながら溶融金属を流入す
るとシース型発熱体の表面および溝の隅まで溶融金属が
流れ込み、より伝熱プレートとの密着がよく、熱伝達の
良いプレート型ヒータが得られる。
ミニウムの圧延板を用い、伝熱プレートの所望の形状と
熱設計に従い、発熱体溝をフライス加工により形成し
た。発熱体溝に合致するように、シース型発熱体を曲げ
加工し、発熱体溝の底に置いた。次に、発熱体溝に置い
たシース型発熱体に通電加熱しながら溶融金属を流入す
るとシース型発熱体の表面および溝の隅まで溶融金属が
流れ込み、より伝熱プレートとの密着がよく、熱伝達の
良いプレート型ヒータが得られる。
【００１７】こうして、シース型発熱体の位置は設計通
りとなり、伝熱プレートに均一に熱を伝え、温度差のな
いヒータとなる。また、伝熱プレートの形状に合わせ任
意にヒータ本体を設置でき、温度差のないヒータを提供
できる。また、溶接に際し、シース型発熱体の通電加熱
により、この溶接部周辺を３５０℃以上に加熱でき、溶
接作業を容易に行うことができる。他の作業者によるバ
ーナ加熱は不要であり一人作業によりコストダウンも可
能となる。 実施例２ 実施例１で作製したプレート型ヒータをスパッタによる
薄膜製造装置（図３参照）に取り付け、金属電極層を、
またプラズマＣＶＤによる薄膜製造装置に取り付け、お
よびアモルファスシリコンの光電変換層を作製し、これ
らの薄膜を用いて薄膜太陽電池を作製した。
りとなり、伝熱プレートに均一に熱を伝え、温度差のな
いヒータとなる。また、伝熱プレートの形状に合わせ任
意にヒータ本体を設置でき、温度差のないヒータを提供
できる。また、溶接に際し、シース型発熱体の通電加熱
により、この溶接部周辺を３５０℃以上に加熱でき、溶
接作業を容易に行うことができる。他の作業者によるバ
ーナ加熱は不要であり一人作業によりコストダウンも可
能となる。 実施例２ 実施例１で作製したプレート型ヒータをスパッタによる
薄膜製造装置（図３参照）に取り付け、金属電極層を、
またプラズマＣＶＤによる薄膜製造装置に取り付け、お
よびアモルファスシリコンの光電変換層を作製し、これ
らの薄膜を用いて薄膜太陽電池を作製した。
【００１８】その結果、従来の鋳込みプレート型ヒータ
を用いて各薄膜を作製した場合に較べ、特性のばらつき
が減少し、製造歩留りが改善された。
を用いて各薄膜を作製した場合に較べ、特性のばらつき
が減少し、製造歩留りが改善された。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、シース発熱体が金属か
らなる伝熱プレートに内蔵されてなり、片面を加熱面と
するプレート型ヒータにおいて、前記伝熱プレートと、
その加熱表面に平行に他の面に形成された発熱体溝の底
に設置された前記シース発熱体と、この発熱体溝とシー
ス発熱体との間に隙間なく鋳込まれた金属の充填物とか
らなり、さらにこの充填物を伝熱プレートに溶接するよ
うにしたため、シース型発熱体は伝熱プレートの加熱面
に平行にかつ隙間なく熱伝導の良い金属充填物により固
着されるので、伝熱プレートの加熱面の温度の均一性は
高くなり、伝熱プレートの昇温は早い。また、充填物と
発熱体溝とを溶接したので、伝熱プレートの温度サイク
ルに対しても充填物の密着性は変化せず、ヒータ型プレ
ートの寿命は長い。
らなる伝熱プレートに内蔵されてなり、片面を加熱面と
するプレート型ヒータにおいて、前記伝熱プレートと、
その加熱表面に平行に他の面に形成された発熱体溝の底
に設置された前記シース発熱体と、この発熱体溝とシー
ス発熱体との間に隙間なく鋳込まれた金属の充填物とか
らなり、さらにこの充填物を伝熱プレートに溶接するよ
うにしたため、シース型発熱体は伝熱プレートの加熱面
に平行にかつ隙間なく熱伝導の良い金属充填物により固
着されるので、伝熱プレートの加熱面の温度の均一性は
高くなり、伝熱プレートの昇温は早い。また、充填物と
発熱体溝とを溶接したので、伝熱プレートの温度サイク
ルに対しても充填物の密着性は変化せず、ヒータ型プレ
ートの寿命は長い。
【００２０】また、伝熱プレートを巣の多い鋳物材に替
えて、巣のない圧延成形あるいは鍛造成形された金属板
を使用することにしたので、巣に起因する、吸蔵ガスの
放出や機械加工油の放出は非常に少なくなり、半導体薄
膜などの汚染はなくなり高純度の半導体薄膜の製造にも
適用できる。また、シース型発熱体に通電加熱しながら
鋳込み作業や溶接作業を行うので、溶接部にも巣は生じ
ず、通常行われるバーナ加熱などは不要となり、溶接作
業も容易であり一人で行えるし、コスト低減にもなる。
えて、巣のない圧延成形あるいは鍛造成形された金属板
を使用することにしたので、巣に起因する、吸蔵ガスの
放出や機械加工油の放出は非常に少なくなり、半導体薄
膜などの汚染はなくなり高純度の半導体薄膜の製造にも
適用できる。また、シース型発熱体に通電加熱しながら
鋳込み作業や溶接作業を行うので、溶接部にも巣は生じ
ず、通常行われるバーナ加熱などは不要となり、溶接作
業も容易であり一人で行えるし、コスト低減にもなる。
【００２１】また、本発明にかかるプレート型ヒータを
備えた、薄膜製造装置は温度の均一性、薄膜の非汚染ま
た長寿命などの特長を有し、特に薄膜光電変換素子の製
造などに適している。
備えた、薄膜製造装置は温度の均一性、薄膜の非汚染ま
た長寿命などの特長を有し、特に薄膜光電変換素子の製
造などに適している。
【図１】本発明に係るプレート型ヒータを示し、（ａ）
は側面図であり、（ｂ）は平面図
は側面図であり、（ｂ）は平面図
【図２】本発明に係るプレートヒータの図１におけるＸ
Ｘ断面図
Ｘ断面図
【図３】従来のプレート型ヒータを用いた真空容器内で
スパッタにより薄膜を形成する薄膜製造装置の模式断面
図
スパッタにより薄膜を形成する薄膜製造装置の模式断面
図
【図４】従来のプレート型ヒータの側面図
１ 基板 ２ プレート型ヒータ ２１ 伝熱プレート ２１ａ 発熱体溝 ２１ｓ 加熱面 ２２ シース型発熱体 ２３ 熱電対ポート ２４ 真空シール用キャップ ２５ 充填物 ２６ 溶接部
Claims (6)
- 【請求項１】シース発熱体が金属からなる伝熱プレート
に内蔵されてなり、片面を加熱面とするプレート型ヒー
タにおいて、前記伝熱プレートと、その加熱表面に平行
に他の面に形成された発熱体溝の底に設置された前記シ
ース発熱体と、この発熱体溝とシース発熱体との間に隙
間なく鋳込まれた金属の充填物とからなり、さらにこの
充填物は伝熱プレートに溶接されていることを特徴とす
るプレート型ヒータ。 - 【請求項２】前記伝熱プレートは圧延または鍛造された
金属板であることを特徴とする請求項１に記載のプレー
ト型ヒータ。 - 【請求項３】前記充填物はアルミニウムであることを特
徴とする請求項１に記載のプレート型ヒータ。 - 【請求項４】伝熱プレートに予め形成された発熱体溝に
シース発熱体を設置し、発熱体溝に金属溶融金属を鋳込
み冷却硬化させて充填物とし、この充填物を伝熱プレー
トに溶接して固着する請求項１ないし３に記載のプレー
ト型ヒータの製造方法であって、前記金属の溶融金属を
伝熱プレートの発熱体溝に鋳込む工程では、伝熱プレー
トの発熱体溝に置かれたシース発熱体に通電し加熱状態
に保持することを特徴とするプレート型ヒータの製造方
法。 - 【請求項５】前記充填物の伝熱プレートへの溶接時には
シース発熱体に通電し加熱状態に保持することを特徴と
するプレート型ヒータの製造方法。 - 【請求項６】フレキシブルな基板をプレート型ヒータの
近傍にまたは密着して保持して加熱しながら、スパッタ
またはプラズマ化学気相成長により、基板表面に金属ま
たは半導体の薄膜を形成する薄膜製造装置において、前
記プレート型ヒータは請求項１ないし３に記載のプレー
ト型ヒータであることを特徴とする薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003804A JPH11204239A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | プレート型ヒータおよびその製造方法および薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003804A JPH11204239A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | プレート型ヒータおよびその製造方法および薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204239A true JPH11204239A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11567393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10003804A Pending JPH11204239A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | プレート型ヒータおよびその製造方法および薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204239A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005133216A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 蒸着工程装置用サセプタ及びその製造方法 |
| JP2006108527A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Furukawa Sky Kk | ヒータプレート及びヒータプレートの製造方法 |
| JP2006114230A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Sukegawa Electric Co Ltd | 埋込ヒータを有する発熱体とその製造方法 |
| KR100664580B1 (ko) | 2006-03-17 | 2007-01-04 | 주식회사 마이크로텍 | 서셉터의 메인플레이트 |
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| JP2007165068A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Nippon Dennetsu Co Ltd | サーモプレート |
| JP2007169777A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-07-05 | Applied Materials Inc | 加熱型基板支持体及びその製造方法 |
| KR100885379B1 (ko) * | 2002-10-02 | 2009-02-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학기상 증착장비 |
| JP2009535801A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | ダンスン エレクトロン カンパニー リミテッド | サセプタの製造方法、及び、この方法によって製造されたサセプタ |
| KR101010646B1 (ko) | 2008-11-17 | 2011-01-24 | 주식회사 메카로닉스 | 히터블록 |
| JP2024516035A (ja) * | 2021-05-04 | 2024-04-11 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 埋込型抵抗ヒータを有する金属ヒータアセンブリ |
| KR20250077102A (ko) * | 2023-11-23 | 2025-05-30 | 주식회사 제이에스테크 | 반도체 기판 히팅장치 |
-
1998
- 1998-01-12 JP JP10003804A patent/JPH11204239A/ja active Pending
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| KR100664580B1 (ko) | 2006-03-17 | 2007-01-04 | 주식회사 마이크로텍 | 서셉터의 메인플레이트 |
| KR100664581B1 (ko) * | 2006-03-17 | 2007-01-04 | 주식회사 마이크로텍 | 서셉터의 메인플레이트 |
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| KR101010646B1 (ko) | 2008-11-17 | 2011-01-24 | 주식회사 메카로닉스 | 히터블록 |
| JP2024516035A (ja) * | 2021-05-04 | 2024-04-11 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 埋込型抵抗ヒータを有する金属ヒータアセンブリ |
| KR20250077102A (ko) * | 2023-11-23 | 2025-05-30 | 주식회사 제이에스테크 | 반도체 기판 히팅장치 |
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